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Algunos tipos de diodos

En el mercado podemos encontrar muchos tipos de diodos que nos sirven para distintas aplicaciones. Ahora vamos a ver las caractersticas principales de algunos de ellos.

Algunos tipos de diodos Diodos PIN


El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes. El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, est esta formada por difusin de tomos de boro en un bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la regin P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con los electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco, la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos sera igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones. Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles. Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una

primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo PN. En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.

Diodos Varactores (Varicap)


Los diodos varactores [llamados tambin varicap (diodo con capacitancia-voltaje variable) o sintonizadores] son semiconductores dependientes del voltaje, capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd. La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se determina mediante: CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento. Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo normal de VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n donde: K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de construccin. VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin

El diodo tnel
En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces

que esta parte de la curva representa una "resistencia incremental negativa". Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. Los ejemplo de circuito que se describen a continuacin muestra como puede aprovecharse este fenmeno en la prctica.

Diodo de contacto puntual


El rectificador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que descansa la punta de un alambre delgado. La curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual conduce algo mas de corriente. Ms an, conforme el voltaje negativo aumenta, la corriente inversa tiende a aumentar mas bien que permanecer aproximadamente constante. La marca inflexin en la curva del diodo de unin en -V no ocurre en los diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes mucho mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin negativa.

Diodos de potencia
El diodo de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen, entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

El diodo responde a la ecuacin: La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde: VRRM: tensin inversa mxima VD: tensin de codo.

A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: Caractersticas estticas: Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). Parmetros en conduccin. Modelo esttico. Caractersticas dinmicas:

Tiempo de recuperacin inverso (trr). Influencia del trr en la conmutacin.

Tiempo de recuperacin directo. Potencias: Potencia mxima disipable. Potencia media disipada. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo.

Caractersticas trmicas. Proteccin contra sobreintensidades.

Caractersticas estticas

Parmetros en bloqueo

Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.

Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo. Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar. Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aqulla que puede ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25). Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Modelos estticos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa. Caractersticas dinmicas

Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF". Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

De donde :

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:

Para ta = tb trr = 2ta Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutacin


Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable : Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr :

A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr. tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables. Disipacin de potencia

Tiempo de recuperacin directo

Potencia mxima disipable (Pmx)

Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.

Potencia media disipada (PAV)


Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de fugas. Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como :

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta :

y como :

es la intensidad media nominal

es la intensidad eficaz al cuadrado Nos queda finalmente :

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM)


Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM)


Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico. Caractersticas trmicas

Temperatura de la unin (Tjmx)


Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.

En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)


Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)


Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.

Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)


Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc). Proteccin contra sobreintensidades

Principales causas de sobreintensidades


La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga, debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc. Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito (avalancha trmica).

rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora de los casos. Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su tensin.

Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en segundos y la corriente I en amperios. Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se destruya y no el diodo.

Diodos Semiconductores
Contenido:

Diodo Semiconductor Clasificacin. Diodos Rectificadores. Caractersticas. Diodos de Seal. Resumen de funcionamiento. Diodos de Conmutacin. Resumen de funcionamiento Diodos de alta Frecuencia.Resumen de funcionamiento. Diodos Zener. Resumen de funcionamiento.

Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin. En efecto. si se aplica a este diodo una tensin alterna, nicamente se producir circulacin de corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias positivas, quedando bloqueado en las ascendencias negativas, lo que impide el paso de la corriente por ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el ctodo. La corriente resultante ser pulsante, ya que slo circular en determinados momentos, pero mediante los dispositivos y circuitos adecuados situados a continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin de los circuitos. - La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio. Estos suelen estar

encapsulados. en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que queden agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se pueden encontrar las siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de use general. - Diodos de conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos especiales.

Diodos rectificadores
El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se utiliza otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de alimentacin monofsicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos de mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre un radiador.

Caractersticas
Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: - Corriente directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If determinada. - Tensin inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de pico repetitiva (VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM), medida a VRRM. - Potencia total (P/tot). Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del modelo ms adecuado para cada aplicacin, procurando no ajustarse demasiado a los valores lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente.

Diodos de seal

Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal, dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las caractersticas de estos diodos son: - Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. - Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios (mW) El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las proximidades de ste.

Diodos de conmutacin
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.

Diodos de alta frecuencia


Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido directo.

Diodos zener
Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que caracterizan a un diodo zener son:

- Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima (P/tot).

Diodos especiales
Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos varicap, diodos tnel y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador, cuando se la polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin aplicada; lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables, controlados por una diferencia de potencial. Su empleo est muy generalizado en etapas de sintona de receptores de radio y TV.

El diac
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensin de cebado o de disparo(30v aproximadamente, dependiendo del modelo).

Smbolo del diac

Estructura interna de un diac

Hasta que la tensin aplicada entre sus extremos supera la tensin de disparo VBO; la intensidad que circula por el componente es muy pequea. Al superar dicha tensin la corriente aumenta bruscamente y disminuyendo, como consecuencia, la tensin anterior. La aplicacin ms conocida de este componente es el control de un triac para regular la potencia de una carga. Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de unin o de zener.

EL DIODO
Las propiedades de los materiales semiconductores se conocan en 1874, cuando se observ la conduccin en un sentido en cristales de sulfuro, 25 aos ms tarde se emple el rectificador de cristales de galena para la deteccin de ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarroll el primer dispositivo con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de Germanio.

POLARIZACIN

CIRCUITO

CARACTERSTICAS

DIRECTA
el nodo se conecta al positivo de la batera y el ctodo al negativo.

El diodo conduce con una cada de tensin de 0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia interna seria muy bajo. Se comporta como un interruptor cerrado El diodo no conduce y toda la tensin de la pila cae sobre el. Puede existir una corriente de fuga del orden de A. El valor de la resistencia interna sera muy alto Se comporta como un interruptor abierto.

INVERSA
el nodo se conecta al negativo y el ctodo al positivo de la batera

SIMBOLOGA
Diodo rectificador Diodo Schottky Diodo Zener

Diodo varicap

Diodo Pin

Diodo tnel

Diodo Led

Fotodiodo

Puente rectificador

CARACTERSTICAS TCNICAS
Como todos los componentes electrnicos, los diodos poseen propiedades que les diferencia de los dems semiconductores. Es necesario conocer estas, pues los libros de caractersticas y las necesidades de diseo as lo requieren. En estos apuntes aparecern las ms importantes desde el punto de vista practico. Valores nominales de tensin: VF = Tensin directa en los extremos del diodo en conduccin. VR = Tensin inversa en los extremos del diodo en polarizacin inversa. VRSM = Tensin inversa de pico no repetitiva. VRRM = Tensin inversa de pico repetitiva. VRWM = Tensin inversa de cresta de funcionamiento.

. Valores nominales de corriente:

IF = Corriente directa. IR = Corriente inversa. IFAV = Valor medio de la forma de onda de la corriente durante un periodo. IFRMS = Corriente eficaz en estado de conduccin. Es la mxima corriente eficaz que el diodo es capaz de soportar. IFSM = Corriente directa de pico (inicial) no repetitiva. AV= Average(promedio) RMS= Root Mean Square (raz de la media cuadrtica) .

Valores nominales de temperatura


Tstg = Indica los valores mximos y mnimos de la temperatura de almacenamiento. Tj = Valor mximo de la temperatura que soporta la unin de los semiconductores.

Curva caracterstica de un Diodo

DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR
Los ms antiguos son los de Germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicacin ms importante se encuentra en HF, VHF y UHF. Tambin se utilizan como detectores en los receptores de modulacin de frecuencia. Por el tipo de unin que tiene posee una capacidad muy baja, as como una resistencia interna en conduccin que produce una tensin mxima de 0,2 a 0,3v. El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin metal conductor con algunas diferencias respecto del anterior. Fue desarrollado por la Hewlett-Packard

en USA, a principios de la dcada de los 70. La conexin se establece entre un metal y un material semiconductor con gran concentracin de impurezas, de forma que solo existir un movimiento de electrones, ya que son los nicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma razn, la tensin de umbral cuando alcanza la conduccin es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altas frecuencias, encontrando en este campo sus aplicaciones ms frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus extremos. El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro , de plstico o de vidrio. De configuracin axial. Sobre el cuerpo se marca el ctodo, mediante un anillo serigrafiado.

DIODOS RECTIFICADORES
Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes. Igual le pasa a los puentes de diodos integrados.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIN


La desactivacin de un rel provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para su activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente diodo volante.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIN DE UN DIODO LED EN ALTERNA.


El diodo Led cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensin cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensin se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.

DIODOS ZENER.
Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de Zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia

mnima de 250mW. Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar.

Curva caracterstica de un diodo Zener

DIODOS LED ( Light Emitting Diode)


Es un diodo que presenta un comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin embargo, su tensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del color del diodo. Color Tensin en directo Infrarrojo 1,3v Rojo 1,7v Naranja 2,0v Amarillo 2,5v Verde 2,5v Azul 4,0v El conocimiento de esta tensin es fundamental para el diseo del circuito en el que sea necesaria su presencia, pues, normalmente se le coloca en serie una resistencia que limita la intensidad que circular por el. Cuando se polariza directamente se comporta como una lamparita que emite una luz cuyo color depende de los materiales con los que se fabrica. Cuando se polariza inversamente no se enciende y adems no deja circular la corriente. La intensidad mnima para que un diodo Led emita luz visible es de 4mA y, por precaucin como mximo debe aplicarse 50mA. Para identificar los terminales del diodo Led observaremos como el ctodo ser el terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado, normalmente de plstico, se observa un

chafln en el lado en el que se encuentra el ctodo. Se utilizan como seal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a distancia. Se fabrican algunos LEDs especiales:

Led bicolor.- Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso. Se suele utilizar en la deteccin de polaridad. Led tricolor.- Formado por dos diodos Led (verde y rojo) montado con el ctodo comn. El terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el ctodo comn y el tercero es el nodo verde. Display.- Es una combinacin de diodos Led que permiten visualizar letras y nmeros. Se denominan comnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en dos configuraciones: nodo comn y ctodo comn. Estructura de un Led tricolor Display

Estructura de un Led bicolor

Display de ctodo comn

Display de nodo comn

Disposicin de los pines en un display

FOTODIODO
Son dispositivos semiconductores construidos con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizarn inversamente, con lo que producirn una cierta circulacin de corriente cuando sean excitados por la luz. Debido a su construccin se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensin exterior, generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las clulas fotoelctricas. Actualmente, y en muchos circuitos ests ltimas se estn sustituyendo por ellos, debido a la ventaja anteriormente citada.

DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP)


Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v. La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre todo.

El tiristor

Es un dispositivo electrnico que tiene dos estados de funcionamiento: conduccin y bloqueo. Posee tres terminales: Anodo (A), Ctodo(K) y puerta (G).

Smbolo del tiristor

Estructura interna del tiristor

La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Se dice que es un dispositivo unidireccional, debido a que el sentido de la corriente es nico.

CURVA CARACTERSTICA
La interpretacin directa de la curva caracterstica del tiristor nos dice lo siguiente: cuando la tensin entre nodo y ctodo es cero la intensidad de nodo tambin lo es. Hasta que no se alcance la tensin de bloqueo (VBO) el tiristor no se dispara. Cuando se alcanza dicha tensin, se percibe un aumento de la intensidad en el nodo (IA), disminuye la tensin entre nodo y ctodo, comportndose as como un diodo polarizado directamente. Si se quiere disparar el tiristor antes de llegar a la tensin de bloqueo ser necesario aumentar la intensidad de puerta (IG1, IG2, IG3, IG4...), ya que de esta forma se modifica la tensin de cebado de este. Este seria el funcionamiento del tiristor cuando se polariza directamente, esto solo ocurre en el primer cuadrante de la curva. Cuando se polariza inversamente se observa una dbil corriente inversa (de fuga) hasta que alcanza el punto de tensin inversa mxima que provoca la destruccin del mismo.

En amplificacin se utiliza en las etapas de potencia en clase D cuando trabaja en conmutacin. Tambin se utilizan como rels estticos, rectificadores controlados, inversores y onduladores, interruptores....