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  • Fisica de Los Semiconductores

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    FISICA DE SEMICONDUCTORES

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    GOBIERNO CONSTITUCIONAL DEL ESTADO LIBRE Y SOBERANO DE OAXACA INSTITUTO ESTATAL DE EDUCACION PUBLICA DE OAXACA COORDINACION GENERAL DE PLANEACION EDUCATIVA COORDINACION GENERAL DE EDUCACION MEDIA SUPERIOR Y SUPERIOR PROGRAMA DE ESTUDIO NOMBRE DE LA ASIGNATURA ica de los Semiconductores GIGLO CLAVE DE LA ASIGNATURA __ Quinto Semestre 40502 _ [ OBJETIVO(S) GENERALIES) DE LA ASIGNATURA Cltorgar al alumno los fundamentos de la fisica de los semiconductores, para profundizar en la tecnologia de {abricacién de los dispositives electrénicos de estado sélido._ TEMAS Y SUBTEMAS Redes cristalinas y tipos de cristales 1. Concepto de estado sélido 2. Periodicidad de un cristal. Coldas untarias y redes de Bravais. ‘3. Planos cristalinas e indices de Miller. ‘4. Modelo de enlace covalente. 1.5. _Introduccién en andlisiscristalogrético con rayos x. 2. Electrones en cristales: estructura de bandas del semiconductor 2.1. Llenado de los estados electrénicos: estadistica. EI nivel de Fermi, 2.2. Estructura de bandas del semiconductor. 2.3. Motales, semiconductores y aislantes, 2.4. Huecos en semiconductores. 2.5. Semiconductores intrinsecos. 2.8. Semiconductores con impurezas. Adulteracién: donadores y aceptores. 3. Transporte de portadores y propiedades épticas eri semiconductores 3.1. Dispersién en semiconductores. 3.2. Relacién de velocidad-campo eléctrico en semiconductores. 3.3. Transporte en campo muy intenso: fendmenos de ruptura 3.4. Transporte de portadores por difusién. 3.8. Conductividad. Corrientes de difusion, Corriente total, 3.6. Efecto Hall y otros efectos galvano-magnéticos. 3.7. Propiedades dpticas de los semiconductores. Efecto fotoeléctrico. 4 Uniones p-n en semiconductores: diodos p-n 4.1. Launién p-n en estado de equilibrio. 4.2. Teoria del rectificador de unién p-n 43. Efectos de alto vottajo en diodos. Ruptura Zener. 4.4. El diodo real: consecuencia de los defectos. 4.5. Capacitancia de unién 46. Elefecto fotovoltaico p-n y las celdas fotovoltaicas de unién p-n. 5. _Uniones de semiconductores con metales y aislantes 5.1. Contactos metal-semiconductor en equilisrio. 5.2\ Rectficacion por contacto metal-semiconductor. El diodo de barrera Schottky. 5.3, Contactos éhmicos, 5.4, Uniones aislante-semiconductor. 6. Dispositivos semiconductores 6.1, Transistores de union bipolar, 62. _Transistores de efecto de campo. : 0053 3S. Diodos tine! ] | 4. Dispositivos optoelectrdnices:e! fototransistor, el fotodetector p-i.n, detectores infrarojos. 6.5._Ellaser de semiconductor: principios basicos. [ ACTIVIDADES DE APRENDIZAJE Sesiones dirgidas por el profesor, en donde presente conceptos y resuelva ejercicios. Las sesiones se desarrollarén utikzando medias de apoyo didactico como la computadora y los proyectores. Revision bibliogrdfica del tema en libros y articulos cientificos por fos alumnos, Discusién de los diferentes tomas on seminarios, Practicas de laboratorio. CRITERIOS V PROCEDIMIENTOS DE EVALUAGION V AGREDITACION = La evaluacién del curso comprendera tres calificaciones parciales y una calificacién final Para cada califcacion parcial se debera considerar un examen oral o escrito, tareas y practicas de laboratori. La calificacién final deberd incluir un examen oral o escrito y un proyecto final de aplicacién o de investigacién, ‘con temas estrictamente afines a la materia. Los porcentajes correspondientes, en los aspectos considerados para las calificaciones parciales y la final, se |

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