ESQUEMA 2

DE NORMA IRAM-2184-4
DE REGLAMENTACIÓN AEA 92305-4

Protección contra los rayos

Parte 4 - Sistemas eléctricos y electrónicos en estructuras

(IEC 62305-4:2010, MOD)

Protection against lightning

Part 4 - Electrical and electronic systems within structures

LAS OBSERVACIONES DEBEN

ENVIARSE CON EL FORMULARIO DE LA

ETAPA DE DISCUSIÓN PÚBLICA

DOCUMENTO EN ESTUDIO Diciembre de 2014

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Prefacio AEA Prefacio IRAM

La Asociación Electrotécnica Argentina es una entidad sin El Instituto Argentino de Normalización y Certificación
fines de lucro creada en 1913 para fomentar el estudio y el (IRAM) es una asociación civil sin fines de lucro cuyas
desarrollo de todos los campos de la Electrotecnia. finalidades específicas, en su carácter de Organismo
Entre sus propósitos se incluye dictar y publicar documen- Argentino de Normalización, son establecer normas
tos normativos vinculados a la electrotécnica, en particular técnicas, sin limitaciones en los ámbitos que abarquen,
los concernientes al diseño, construcción, verificación y además de propender al conocimiento y la aplicación de
mantenimiento de instalaciones eléctricas, y la certificación la normalización como base de la calidad, promoviendo
de instalaciones eléctricas y de personas; conforme a los las actividades de certificación de productos y de sistemas
principios del desarrollo sustentable, poniendo enfásis en la de la calidad en las empresas para brindar seguridad al
seguridad de las personas y los bienes, la preservación del consumidor.
medio ambiente y la conservación de recursos energéticos.
IRAM es el representante de la Argentina en la
Sus miembros son profesionales independientes, que International Organization for Standardization (ISO), en la
forman la base societaria, y los socios colectivos, integra- Comisión Panamericana de Normas Técnicas (COPANT),
dos por entidades nacionales y provinciales, empresas en la Asociación MERCOSUR de Normalización (AMN) y
privadas y públicas, y universidades, todos ellos vincula- es miembro de la IEC a través del Comité Electrotécnico
dos con la actividad del sector eléctrico. Argentino (CEA).
La AEA, asociada con IRAM y a través del Comité Electro-
técnico Argentino (CEA), forma parte de la Comisión
Electrotécnica Internacional (CEI o IEC), fundada en 1906
con la misión de promover la cooperación internacional en
todo lo referente a la normalización y actividades afines en el
campo de la electrotecnología. Las actividades del CEA se
desarrollan desde su creación en la sede de la AEA.
Asimismo la AEA es miembro de los organismos siguientes:
• Conférence Internationales des Grands Reseaux
Electriques a Haute Tension (CIGRE)
• Instituto Argentino de Normalización y Certificación (IRAM)
• Asociación para la Promoción de la Seguridad Eléctrica
(APSE)

Prefacio AEA IRAM

En el mes de Diciembre de 2007 la Asociación Electrotécnica Argentina (AEA) y el Instituto Argentino de Normalización y
Certificación (IRAM) suscribieron el Acuerdo de Cooperación y Complementación entre ambas instituciones, para
establecer un marco institucional que mejore y ordene las actividades de estudio y publicación de documentos normativos
en el campo de la electrotecnia que vienen desarrollando ambas instituciones, de manera que la AEA y el IRAM operen en
forma coordinada, complementaria y armónica en este terreno.
Con el objeto de perfeccionar instrumentos que posibiliten la implementación efectiva del citado acuerdo, en las diferentes áreas
de interés mutuo, las partes acordaron el estudio de Documentos Normativos de doble designación elaborados por organismos de
estudio conjuntos, bajo la supervisión de una Comisión de Enlace constituida por representantes de la AEA y el IRAM.
Este documento es el fruto del consenso técnico entre los diversos sectores involucrados, los que a través de sus
representantes han intervenido en los Organismos de Estudio conjuntos entre la Asociación Electrotécnica Argentina (AEA)
y el Instituto Argentino de Normalización y Certificación (IRAM).
Este documento es una adopción modificada (MOD) de la IEC 62305-4:2010 - Protection against lightning. Part 4: Electrical
and electronic systems within structures. Por ello sigue la misma estructura del documento original IEC con los agregados si-
guientes:

• Un anexo AEA-IRAM informativo donde se indica la bibliografía utilizada para el estudio de este documento.
• Un anexo AEA-IRAM informativo donde se indica el organismo de estudio de este documento.
Se indican con una línea vertical en uno de los márgenes del texto lo siguiente:
• Las modificaciones incorporadas por el subcomité AEA-IRAM.
• Una advertencia AEA-IRAM y notas AEA-IRAM, con información general.
Este documento reemplaza a la norma IRAM de Emergencia 2184-4:2011 / AEA 92305-4:2011.

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Índice
Página

0 INTRODUCCIÓN ............................................................................................. 5

1 OBJETO Y CAMPO DE APLICACIÓN ............................................................. 6

2 DOCUMENTOS NORMATIVOS PARA CONSULTA........................................ 7

3 TÉRMINOS Y DEFINICIONES ........................................................................ 7

4 DISEÑO E INSTALACIÓN DE UN SPMI.......................................................... 9

5 PUESTA A TIERRA Y EQUIPOTENCIALIDAD .............................................. 18

6 APANTALLAMIENTO MAGNÉTICO Y TRAZADO DE LAS LÍNEAS .............. 27

7 SISTEMA COORDINADO DE DPS................................................................ 28

8 INTERFACES AISLANTES ............................................................................ 29

9 GESTIÓN DE UN SMPI ................................................................................. 29

Anexo A (Informativo) Elementos básicos para la evaluación del ambiente

electromagnético en una ZPR ............................................................................ 34

Anexo B (Informativo) Implantación del SMPI en una estructura existente ........ 62

Anexo C (Informativo) Selección y coordinación de los DPS ............................. 83

Anexo D (Informativo) Factores a tener en cuenta en la selección de los DPS .. 90

Anexo E (Informativo) Bibliografía IEC 62305-4:2010 ........................................ 95

Anexo AEA-IRAM F (Informativo) Bibliografía .................................................... 96

Anexo AEA-IRAM G (Informativo) Integrantes del organismo de estudio ........... 97

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Protección contra el rayo
Parte 4 - Sistemas eléctricos y electrónicos en estructuras
0 INTRODUCCIÓN
El rayo como fuente de daño es un fenómeno de
muy alta energía. Las descargas liberan muchos
cientos de megajoules. Cuando se compara con
los milijoules de energía que pueden ser sufi-
cientes para producir daños en los equipos
electrónicos sensibles y en los sistemas eléctri-
cos y electrónicos que se encuentran en las
estructuras, está claro que serán necesarias me-
didas adicionales de protección para proteger
algunos de estos equipos.
Como consecuencia del aumento de los costos
de las fallas de los sistemas eléctricos y elec-
trónicos, producidos por los efectos elec-
tromagnéticos de los rayos, ha surgido la
necesidad de esta norma internacional. De im-
portancia especial son los equipos electrónicos
empleados en los procesos y almacenamientos
de datos, así como en los procesos de control y
de seguridad en las plantas de gran valor, ta-
maño y complejidad (para las que las paradas
no son deseables por razones de costo y de
seguridad).
Como se define en la IRAM 2184-1 /
AEA 92305-1, los rayos pueden producir dife-
rentes tipos de daños en una estructura:
D1 daños en los seres vivos debidos a impactos
eléctricos;
D2 daños físicos (fuego, explosión, destrucción
mecánica, fuga química) debidos a los efec-
tos de la corriente del rayo, incluyendo las
chispas eléctricas;
D3 fallas de los sistemas eléctricos y electróni-
cos debidos a los efectos electromagnéticos
del rayo.
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La IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 trata de las me-
didas de protección para reducir el riesgo de los
daños físicos y de los peligros para la vida, pero
no cubre la protección de los sistemas eléctri-
cos y electrónicos.
Esta Parte 4 de la IRAM 2184 / AEA 92305, por
lo tanto, da información sobre las medidas de
protección para reducir el riesgo de fallas per-
manentes de los sistemas eléctricos y elec-
trónicos situados en las estructuras.
Las fallas permanentes en los sistemas eléctri-
cos y electrónicos se pueden producir por el
impulso electromagnético del rayo (IEMR) por
las vías siguientes:
a) ondas transitorias, conducidas o inducidas
y transmitidas a los aparatos a través de
los cables de conexión;
b) efectos directos de los campos electro-
magnéticos radiados sobre los aparatos.
En una estructura, las ondas transitorias se
pueden producir externamente o desde el inte-
rior de la propia estructura:
− las ondas transitorias externas a la estructu-
ra están creadas por las descargas de los
rayos que impactan en las líneas entrantes o
en el terreno cerca de las líneas, y son
transmitidas por medio de estas líneas a los
sistemas eléctricos y electrónicos;
− las ondas transitorias internas a la estructura
están producidas por los impactos directos en
la estructura o en el terreno próximo.
NOTA 1. Las ondas transitorias también pueden producirse
internamente en las estructuras, por efectos de los interrup-
tores; por ejemplo, maniobra de cargas inductivas.
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El acoplamiento se puede producir por diferen-
tes mecanismos:
− acoplamiento resistivo (por ejemplo, la impe-
dancia de puesta a tierra del sistema de
puesta a tierra o la resistencia de la pantalla
de los cables);
− acoplamiento por campo magnético (por
ejemplo, producido por los bucles de los ca-
bles en los sistemas eléctricos y electrónicos o
por la inductancia de los conductores equipo-
tenciales);
− acoplamiento por campo eléctrico (por
ejemplo, producido por la varilla de la antena
de captación).
NOTA 2. Los efectos del acoplamiento por campo eléctrico
son, por lo general, muy pequeños en comparación con los
del acoplamiento magnético, por lo que pueden no tomarse
en cuenta.
Los campos electromagnéticos radiados pue-
den producirse:
− por la circulación de la corriente del rayo por
el propio canal del rayo;
− por la circulación de las corrientes parciales
del rayo por los conductores (por ejemplo,
por los conductores de bajada de un SPCR
externo, de acuerdo con la IRAM 2184-3 /
AEA 92305-3 o por una pantalla espacial ex-
terna, de acuerdo con esta norma).
Esta edición incluye los siguientes cambios
técnicos significativos con respecto a la edición
anterior:
− Se han introducido interfaces aislantes para
reducir ondas conducidas que penetran en
la estructura.
− Se han modificado ligeramente las seccio-
nes mínimas para componentes equipo-
tenciales.
− Se ha introducido el primer impulso negativo
de corriente para el cálculo como fuente
electromagnética de daños en sistemas in-
ternos.
6
− La selección de DPS con respecto al nivel
de protección de tensión se ha mejorado pa-
ra tener en cuenta los fenómenos de
oscilación y de inducción en el circuito de
aguas abajo del DPS.
− Se ha eliminado el anexo C relativo a la
coordinación de DPS.
− Se ha introducido un nuevo anexo D infor-
mativo que da información sobre los factores
que deben tenerse en cuenta en la selección
de DPS.
ADVERTENCIA AEA-IRAM: A juicio de la Co-
misión de expertos de la AEA y del IRAM: se
recomienda que los sistemas de protección
contra los rayos sean diseñados e instalados
(con materiales normalizados y certificados) ba-
jo la responsabilidad de profesionales con
incumbencias y competencias específicas, con
la categoría que determine, para cada caso, la
autoridad de aplicación correspondiente.
1 OBJETO Y CAMPO DE APLICACIÓN
Esta parte de la IRAM 2184 / AEA 92305da in-
formación para el diseño, instalación, inspección,
mantenimiento, y ensayo de los sistemas de pro-
tección de los sistemas eléctricos y electrónicos
con el fin de reducir el riesgo de fallas permanen-
tes producidos por el impulso electromagnético
del rayo en el interior de las estructuras.
Esta norma no cubre la protección contra las in-
terferencias electromagnéticas producidas por el
rayo, que pueden producir mal funcionamientos
de los sistemas electrónicos. Sin embargo, la in-
formación indicada en el anexo A puede
emplearse, también, para evaluar estas pertur-
baciones. Las medidas de protección contra las
interferencias electromagnéticas están cubiertas
por la IEC 60364-4-44 [1] 1) y la serie de las
IEC 61000 [2].
Esta guía da las directrices para la cooperación
entre el proyectista del sistema eléctrico y elec-
trónico y el diseñador de las medidas de
1
) Los números entre corchetes se refieren a la bibliogra-
fía.

protección, en un intento de conseguir el óptimo
de efectividad en la protección.
Esta norma no trata sobre los detalles de diseño
de los propios sistemas eléctricos y electrónicos.
2 DOCUMENTOS NORMATIVOS PARA
CONSULTA
Las normas que a continuación se indican son
indispensables para la aplicación de esta nor-
ma. Para las referencias con fecha, sólo se
aplica la edición citada. Para las referencias sin
fecha se aplica la última edición de la norma
(incluyendo cualquier modificación de ésta).
IEC 60364-5-53:2001 Instalaciones eléctricas
en edificios. Parte 5-53: Elección e instalación
de materiales eléctricos. Aislamiento, interrup-
tores y control.
IEC 60664-1:2007 Coordinación de aislamiento
de los equipos en los sistemas (redes) de baja
tensión. Parte 1: Principios, requisitos y ensa-
yos.
IEC 61000-4-5:2005 Compatibilidad electro-
magnética (CEM). Parte 4:-5: Técnicas de
ensayo y de medida. Ensayos de inmunidad a
las ondas de choque.
IEC 61000-4-9:1993 Compatibilidad electro-
magnética (CEM). Parte 4: Técnicas de ensayo
y de medida. Sección 9: Ensayo de inmunidad
a los campos magnéticos impulsionales. Norma
básica de CEM.
IEC 61000-4-10:1993 Compatibilidad electro-
magnética (CEM). Parte 4: Técnicas de ensayo
y de medida. Sección 10: Ensayo de inmunidad
a los campos magnéticos oscilatorios amorti-
guados. Norma básica de CEM.
IEC 61643-1:2005 Pararrayos conectados a las
redes de baja tensión. Parte 1: Pararrayos co-
nectados a redes de baja tensión. Requisitos
de funcionamiento y métodos de ensayos.
IEC 61643-12:2008 Pararrayos de baja tensión.
Parte 12: Pararrayos conectados a redes de
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baja tensión. Principios de elección y aplica-
ción.
IEC 61643-21 Pararrayos de baja tensión. Parte
21: Pararrayos conectados a redes de telecomu-
nicaciones y de transmisión de señales.
Requisitos de funcionamiento y métodos de
ensayo.
IEC 61643-22 Pararrayos de baja tensión. Parte
22: Pararrayos conectados a redes de telecomu-
nicación y de transmisión de señales. Principios
de elección y de aplicación.
IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 - Protección con-
tra los rayos. Parte 1: Principios generales
(IEC 62305-1:2010, MOD).
IRAM 2184-2 / AEA 92305-2 - Protección con-
tra los rayos. Parte 2: Evaluación del riesgo
(IEC 62305-2:2010, MOD).
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 - Protección con-
tra los rayos. Parte 3: Daño físico a estructuras
y riesgo humano (IEC 62305-3:2010, MOD).
IRAM 2184-11 / AEA 92305-11 - Protección
contra los rayos. Parte 11: Guía para la elec-
ción de los sistemas de protección contra los
rayos (SPCR) para usar en la República
Argentina.
3 TÉRMINOS Y DEFINICIONES
Para los fines de este documento, se aplican
los términos y definiciones incluidos en la
IRAM 2184 / AEA 92305 además de los si-
guientes:
3.1 sistema eléctrico:
Sistema que incorpora componentes con ali-
mentación a baja tensión.
3.2 sistema electrónico:
Sistema que incorpora componentes electrónicos
sensibles tales como equipos de comunicación,
ordenadores, sistemas de instrumentación y con-
trol, sistemas de radio, instalaciones de
electrónica de potencia.
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3.3 sistemas internos:
Sistemas eléctricos y electrónicos en el interior
de una estructura.
3.4 protección contra el rayo, PCR:
Sistema completo de protección contra los efec-
tos del rayo de las estructuras y/o de los
sistemas eléctricos y electrónicos situados en
estas estructuras, que consisten en el SPCR y
el IEMR.
3.5 sistema de protección contra el rayo,
SPCR:
Sistema completo empleado para reducir los
daños físicos en una estructura producidos por
los rayos.
NOTA. Está formado por los sistemas externo e interno.
3.6 impulso electromagnético del rayo,
IEMR:
Todos los efectos electromagnéticos de la co-
rriente del rayo creados por los transitorios y los
campos electromagnéticos y acoplados por vía
resistiva, inductiva o capacitiva.
3.7 onda transitoria:
Transitorio, producido por el IEMR, que apare-
ce como sobretensiones y/o sobrecorrientes.
3.8 tensión nominal resistida al impulso,
UW::
Tensión soportada al impulso asignada por el fa-
bricante al equipo o parte del equipo, que
caracteriza la capacidad de la aislación del equi-
po para soportar sobretensiones.
NOTA. A los efectos de esta parte de las IRAM 2184 /
AEA 92305, sólo se considera la tensión soportada entre
los conductores activos y la tierra.
3.9 nivel de protección contra el rayo, NPR:
Número relacionado con un conjunto de pará-
metros del rayo relativos a la probabilidad de
que los valores máximos y mínimos de diseño
no serán sobrepasados cuando se produzca un
rayo natural.
NOTA. El nivel de protección contra el rayo se emplea para
diseñar las medidas de protección de acuerdo con un con-
junto de parámetros relevantes de la corriente del rayo.
8
3.10 zona de protección contra el rayo,
ZPR:
Zona en la que se define el ambiente electro-
magnético del rayo.
NOTA. El límite de una ZPR no es necesariamente una
frontera física (por ejemplo, paredes, suelos o techos).
3.11 sistema de medidas de protección con-
tra el IEMR, SMPI:
Sistema completo de medidas de protección de
los sistemas internos contra el IEMR.
NOTA. Forma parte de la protección total contra el rayo.
3.12 pantalla espacial mallada:
Pantalla magnética caracterizada por sus aber-
turas.
NOTA. En un edificio o en una habitación, es preferible
construirla mediante la interconexión de los componentes
metálicos naturales de la estructura (por ejemplo, las barras
de la armadura del hormigón, armazones metálicos y so-
portes metálicos).
3.13 sistema de puesta a tierra:
Parte de un SPCR externo destinada a condu-
cir y dispersar la corriente del rayo en el
terreno.
3.14 red equipotencial:
Red que interconecta todas las partes conducto-
ras de la estructura y de los sistemas internos
(con exclusión de los conductores activos) al sis-
tema de puesta a tierra.
3.15 sistema de tierra:
Sistema completo formado por el sistema de
puesta a tierra y la red equipotencial.
3.16 dispositivo de protección contra so-
bretensiones, DPS:
Dispositivo concebido para limitar las sobreten-
siones transitorias y dispersar las corrientes
transitorias; contiene, al menos, un componente
no lineal.
3.17 DPS ensayado con Iimp:
DPS que soporta corrientes parciales del rayo
con una forma de onda típica 10/350 µs y que
requiere el correspondiente ensayo de impulso
de corriente Iimp.

NOTA. En la IEC 61643-1:2005 se define para las líneas de
potencia, en el procedimiento de ensayo de la Clase I, el va-
lor adecuado de la corriente de ensayo Iimp.
3.18 DPS ensayado con In:
DPS que soporta corrientes de descargas indu-
cidas con una forma de onda típica 8/20 µs y
que requiere el correspondiente ensayo de im-
pulso de corriente In.
NOTA. En la IEC 61643-1:2005 se define para las líneas
de potencia, en el procedimiento de ensayo de la Clase II,
el valor adecuado de la corriente de ensayo In.
3.19 DPS ensayado con una combinación
de ondas:
DPS que soporta la corriente de descarga indu-
cida con una forma de onda típica 8/20 µs y que
requiere el correspondiente ensayo de impulso
de corriente ISC.
NOTA. En la IEC 61643-1:2005 se define, para las líneas
de potencia, en el procedimiento de ensayo de la Clase III,
el ensayo adecuado de ondas combinadas de ondas, defi-
niendo la tensión a circuito abierto UOC 1,2/50 µs y la
corriente de cortocircuito ISC 8/20 µs de un generador de
onda combinada de 2 Ω.
3.20 DPS de corte de tensión:
DPS que tiene una alta impedancia cuando no
hay ondas transitorias, pero que puede tener un
cambio repentino hacia abajo en el valor de su
impedancia en respuesta a una onda transitoria.
NOTA 1. Ejemplos comunes de componentes empleados
como dispositivos de corte de tensión son los explosores,
los tubos descargadores de gas, los tiristores (rectificado-
res de silicio) y los triacs. Estos DPS a veces se llaman
"tipo crowbar".
NOTA 2. Un dispositivo de corte de tensión tiene una ca-
racterística tensión/corriente discontinua.
3.21 DPS limitador de tensión:
DPS que tiene una alta impedancia cuando no
hay ondas transitorias, pero que reducirá conti-
nuamente su valor conforme aumenta el
transitorio de tensión y de corriente.
NOTA 1. Ejemplos comunes de componentes empleados
como dispositivos no lineales son los varistores y los diodos
supresores. Estos DPS pueden llamarse a veces "tipo clam-
ping".
NOTA 2. Un dispositivo limitador de tensión tiene una ca-
racterística tensión/corriente continua.
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3.22 DPS combinado:
DPS que incorpora componentes de corte y limi-
tador de tensión y que puede actuar como corte
de tensión, como limitador de tensión o como
ambos a la vez, en función de las característi-
cas de la tensión aplicada.
3.23 protección coordinada de DPS:
Conjunto de DPS adecuadamente selecciona-
dos, coordinados e instalados formando un
sistema con objeto de reducir las fallas de los
sistemas eléctricos y electrónicos.
3.24 interfaces de aislación:
Dispositivos capaces de reducir las sobreten-
siones transitorias conducidas por las líneas
que entran en una ZPR.
NOTA 1. Incluyen transformadores de aislación con la
pantalla entre arrollamientos puesta a tierra, cables de fi-
bra óptica y aisladores ópticos.
NOTA 2. Las características de resistencia de la aislación
de estos dispositivos es la adecuada para esta aplicación
intrínsecamente o vía DPS.
4 DISEÑO E INSTALACIÓN DE UN SPMI
4.1 Generalidades
Los sistemas eléctricos y electrónicos están
expuestos a daños por causa del impulso elec-
tromagnético del rayo (IEMR). Por lo tanto, es
necesario que el SPMI esté preparado para evi-
tar fallas en los sistemas internos.
El diseño del SMPI debe llevarse a cabo por ex-
pertos en rayos y en protección transitoria que
posean un amplio conocimiento de CEM y prác-
ticas en instalaciones.
La protección contra el IEMR está basada en el
concepto de las zonas de protección contra el
rayo (ZPR): la zona que contiene los sistemas a
proteger debe dividirse en ZPR. Estas zonas
son, teóricamente, partes de espacio asignado (o
de un sistema interno) en los que la severidad
del IEMR es compatible con el nivel de inmuni-
dad de los sistemas internos situados en su
interior (ver la figura 1). Las zonas sucesivas se
caracterizan por cambios significativos en la se-
veridad del IEMR. El límite de una ZPR se define
por las medidas de protección empleadas (ver la
figura 2).
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NOTA. Esta figura muestra un ejemplo de cómo dividir una estructura en zonas interiores ZPR. Todos los servicios metálicos
que entran en la estructura se conectan equipotencialmente a través de barras equipotenciales en la frontera de la ZPR 1.
Además, los servicios conductores que entran en la ZPR 2 (por ejemplo, sala de ordenadores) están conectados equipoten-
cialmente a través de barras equipotenciales en el límite de la ZPR 2.

Figura 1 − Principio general de división en diferentes ZPR

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Figura 2a − SMPI que emplea pantallas espaciales y una protección coordinada de los DPS −
Aparato bien protegido contra las ondas transitorias conducidas
(U2 << U0 e I2 << I0) y contra los campos magnéticos radiados (H2 << H0)

Figura 2b − SMPI que emplea una pantalla espacial en la ZPR 1 y DPS en la entrada de la ZPR 1 −
Aparato protegido contra las ondas transitorias conducidas
(U1 < U0 e I1 < I0) y contra los campos magnéticos radiados (H1 < H0)

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Envoltura apantallada
o chasis blindado, etc.

Figura 2c − SMPI que emplea una línea apantallada interna y protección con DPS
a la entrada de la ZPR1 −Aparato protegido contra las ondas transitorias de corriente conducidas
(U2 < U0 e I2 < I0) y contra los campos magnéticos radiados (H2 < H0)

Envoltura

Figura 2d − SMPI que emplea solamente un sistema de protección coordinada de los DPS −
Aparato protegido contra las ondas transitorias conducidas
(U2 << U0 e I2 << I0), pero no contra los campos magnéticos radiados (H0)

Leyenda
Límite apantallado
Límite sin apantallar

NOTA 1 Los DPS pueden colocarse en los siguientes puntos:

− en el límite de la ZPR 1 (por ejemplo, en el tablero principal de distribución MB);
− en el límite de la ZPR 2 (por ejemplo, en el tablero secundario de distribución SB);
− en o próximos a los aparatos (por ejemplo, en la toma SA).

NOTA 2 Para normas de instalación detalladas ver también la IEC 60364-5-53.

Figura 2 − Ejemplos de posibles SMPI (medidas de protección contra el IEMR)

12

Las fallas permanentes de los sistemas eléctri-
cos y electrónicos debidos al IEMR pueden
estar producidos por:
• ondas transitorias conducidas e inducidas y
transmitidas a los aparatos a través de los
cables de conexión;
• efectos de los campos electromagnéticos
radiados que inciden directamente sobre los
propios aparatos.
Para la protección contra los efectos de los cam-
pos electromagnéticos radiados y que inciden
directamente sobre los equipos, deben emplear-
se protecciones consistentes en pantallas
espaciales o en líneas apantalladas, en combi-
nación con las envolturas apantalladas de los
equipos.
Para la protección contra los efectos de las on-
das transitorias conducidas y transmitidas a los
equipos por los cables, debe emplearse un sis-
tema coordinado de DPS.
Las fallas debidss a los campos electromagnéti-
cos que inciden directamente sobre los equipos
pueden considerarse despreciables si los equi-
pos cumplen con las normas de producto de
emisión de radio frecuencia y de inmunidad
CEM.
En general, se requiere que los equipos cumplan
con la CEM con las normas relevantes del pro-
ducto, aunque un SMPI basado en un sistema
coordinado de DPS se considera, normalmente,
suficiente para la protección de estos equipos
contra el IEMR.
Para los equipos que no cumplen con las nor-
mas CEM correspondientes al producto, se
considera que un SMPI consistente solamente
en un sistema coordinado de DPS no es ade-
cuado para proteger estos equipos contra el
IEMR. En este caso, el anexo A da una informa-
ción sobre cómo conseguir la mejor protección
contra el campo electromagnético incidente. El
nivel que debe soportar el equipo contra los
campos magnéticos radiados debe estar con-
forme con las IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10.
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En el laboratorio puede realizarse, para verificar
la capacidad de coordinación de los DPS, si al-
gunas aplicaciones específicas lo requieren, un
ensayo de simulación en el que se incluyan los
DPS, el cableado de la instalación y el equipo.
4.2 Diseño del SMPI
Puede diseñarse un SMPI para proteger los
equipos contra las ondas transitorias y contra los
campos electromagnéticos. La figura 2 muestra
algunos ejemplos de SMPI empleando medidas
tales como SPCR, pantallas magnéticas y sis-
temas de DPS coordinados
• Los SMPI en los que se emplean apantalla-
mientos espaciales y protección coordinada
de DPS protegerán contra los campos magné-
ticos radiados y contra las ondas transitorias
conducidas (ver la figura 2a). Las pantallas
espaciales en cascada y la coordinación de
los DPS pueden reducir el campo magnético y
las ondas transitorias a un nivel más bajo de
riesgo.
• Los SMPI en los que se emplea una pantalla
espacial de ZPR 1 y un DPS a la entrada de
la ZPR 1 puede proteger los aparatos contra
el campo magnético radiado y contra las on-
das transitorias conducidas (ver la figura 2b).
NOTA 1. La protección no sería suficiente si el campo
magnético permanece demasiado elevado (debido a la baja
efectividad del apantallamiento de la ZPR 1) o si la amplitud
de la onda transitoria permanece demasiado alta (debido a
un nivel de protección de alta tensión de los DPS y a los
efectos de inducción en el cableado aguas abajo de los
DPS).
• Los SMPI que empleen líneas apantalladas,
en combinación con envolturas de los equipos
apantalladas, protegerá contra los campos
magnéticos radiados. El DPS a la entrada de
la ZPR 1 dan protección contra las ondas
transitorias conducidas (ver la figura 2c). Para
alcanzar un nivel de amenaza más bajo (en un
solo paso desde la ZPR 0 a la ZPR 2) puede
ser necesario un DPS especial (por ejemplo,
etapas de coordinación interiores adicionales)
para alcanzar un nivel de protección de ten-
sión suficientemente bajo.
13
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• Los SMPI formados por un sistema de pro-
tección coordinado de DPS, solamente son
adecuados para proteger equipos insensibles
a los campos magnéticos radiados, ya que los
DPS solamente darán protección contra las
ondas transitorias conducidas (ver la figura
2d). Empleando DPS coordinados puede
conseguirse un nivel de amenaza menor.
NOTA 2. Las soluciones acordes con las figuras 2a a 2c es-
tán especialmente recomendadas para equipos que no
cumplen con las correspondientes normas CEM de producto.
NOTA 3. Un SPCR según la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3,
que sólo emplee conexiones equipotenciales mediante DPS,
no provee protección efectiva contra las fallas de los siste-
mas eléctricos y electrónicos sensibles. El SPCR puede
mejorarse reduciendo las dimensiones de la malla y selec-
cionando los DPS apropiados, de manera que constituyan
un componente efectivo del SMPI.
4.3 Zonas de protección contra el rayo
(ZPR)
En relación con la amenaza del rayo, se defi-
nen las siguientes ZPR (ver la IRAM 2184-1 /
AEA 92305-1):
Zonas exteriores
ZPR 0 Zona en la que amenaza se debe al
campo electromagnético del rayo no
atenuado y en la que los sistemas inter-
nos pueden estar sometidos a la
corriente de la onda transitoria total o
parcial del rayo. La ZPR 0 se subdivide
en:
ZPR 0A Zona en la que la amenaza se debe al
impacto directo de la descarga y al
campo electromagnético total del rayo.
Los sistemas internos pueden estar
sometidos a la onda transitoria de la
corriente total del rayo;
14
ZPR 0B Zona protegida contra las descargas di-
rectas de los rayos, pero en la que la
amenaza es el campo electromagnético
total del rayo. Los sistemas internos
pueden estar sometidos a las ondas
transitorias de las corrientes parciales
de los rayos.
Zonas interiores: (protegidas contra las des-
cargas directas del rayo)
ZPR 1 Zona en la que la onda transitoria de
corriente está limitada por la distribu-
ción de la corriente y por la interfaz
de aislación y/o los DPS en las zo-
nas frontera. El apantallamiento
espacial puede atenuar el campo
electromagnético del rayo.
ZPR 2…n Zona en la que la onda transitoria de
corriente puede limitarse más me-
diante la distribución de la corriente y
por la interfaz de aislación y/o DPS
adicionales en la zonas fronteras.
Puede emplearse, para atenuar más
el campo electromagnético del rayo,
apantallamiento espacial adicional.
Las ZPR se implementan por la instalación del
SMPI, por ejemplo, instalación de los DPS coor-
dinados y/o pantallas magnéticas (ver la figura
2). En función del número, tipo y nivel de tensión
soportada del equipo a proteger, puede definirse
la ZPR apropiada. Estas zonas pueden incluir
pequeñas zonas locales (por ejemplo, envolturas
de los equipos) o grandes zonas (por ejemplo, el
volumen total de la estructura) (ver la figura B.2).
Puede ser necesaria la interconexión de zonas
del mismo orden si dos estructuras separadas
están conectadas por líneas eléctricas o de se-
ñal, o si debe reducirse el número de los DPS
(ver la figura 3).

NOTA La figura 3a muestra dos ZPR 1 conectadas por
líneas eléctricas o de señal. Debe tenerse un cui-
dado especial si ambas ZPR 1 representan
estructuras separadas con sistemas de tierra se-
parados y distanciadas por decenas o centenas
de metros. En este caso, una gran parte de la co-
rriente del rayo puede circular a lo largo de las
líneas de conexión, que no están protegidas.
Leyenda
l1, l2 Corrientes parciales del rayo
Figura 3a − Interconexión
de dos ZPR 1 mediante DPS
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NOTA La figura 3b muestra que este problema puede
solucionarse empleando cables o conductos
apantallados para conectar las ZPR 1 siempre
que las pantallas sean capaces de llevar la co-
rriente de rayo parcial. Los DPS pueden
omitirse si la caída de tensión a lo largo de la
pantalla no es demasiado grande.
Leyenda
l1, l2 Corrientes parciales del rayo
Figura 3b − Interconexión de dos ZPR 1
mediante cables o conductos apantallados
15
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NOTA La figura 3c muestra dos ZPR 2 conectadas por
líneas eléctricas o de señales. Debido a que las
líneas están expuestas al nivel de amenaza de la
ZPR 1, se requieren DPS a la entrada de cada
ZPR 2.
NOTA La figura 3d muestra que, si se emplean cables
o conductos apantallados para interconectar
ambas ZPR 2, esta interferencia pueden evitar-
se, y omitirse los DPS.

Figura 3c − Interconexión Figura 3d − Interconexión de dos ZPR 2

de dos ZPR 2 mediante DPS mediante cables o conductos apantallados

Figura 3 – Ejemplos de interconexión de ZPR

La extensión de una ZPR en otra puede ser necesaria en casos especiales o puede emplearse para
reducir el número de DPS (ver la figura 4).

En el anexo A se describe la evaluación detallada del ambiente electromagnético en una ZPR.

16

NOTA La figura 4a muestra una estructura alimentada
por un transformador. Si el transformador se en-
cuentra fuera de la estructura, sólo las líneas de
baja tensión que entran en la estructura necesitan
protección mediante DPS.
Figura 4a − Transformador fuera
de la estructura (en la ZPR 0)
NOTA La figura 4c muestra una ZPR 2 alimentada por
una línea eléctrica o de señal. Esta línea necesita
dos DPS coordinados: uno en el límite de la ZPR
1, y otro en el límite de la ZPR 2.
Figura 4c − Necesidad de dos DPS (0/1)
y DPS (1/2) coordinados
Figura 4 - Ejemplos de extensión de zonas de protección contra el rayo
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NOTA Si el transformador está instalado en el interior
de la estructura, y no tiene instalado DPS en el
lado de alta tensión (debido a que el propietario
del edificio, con frecuencia, no permite instalar
medidas de protección en el lado de alta ten-
sión), se aplica la figura 4b. La figura 4b muestra
que el problema puede resolverse extendiendo
la ZPR 0 en la ZPR 1, lo que requiere, de nue-
vo, instalar los DPS sólo en el lado de baja
tensión.
Figura 4b − Transformador en el interior de la
estructura (Extensión de la ZPR 0 en la ZPR 1)
NOTA La figura 4d muestra que la línea puede entrar
directamente en la ZPR, siendo necesario un
solo DPS, si se extiende la ZPR 2 en la ZPR 1
usando cables o conductos apantallados. Este
DPS reducirá la amenaza directamente al nivel
de ZPR 2.
Figura 4d − Necesidad de un solo DPS (0/2)
(Extensión de la ZPR 2 en la ZPR 1)
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4.4 Medidas básicas de protección en un
SMPI
Las medidas básicas contra el IEMR incluyen:
• Puesta a tierra y equipotencialidad (ver el
capítulo 5)
El sistema de puesta a tierra conduce y dis-
persa la corriente eléctrica del rayo en la
tierra.
La red equipotencial minimiza las diferencias
de potencial y puede reducir el campo mag-
nético.
• Apantallamiento magnético y trazado de
las líneas (ver el capítulo 6)
El apantallamiento espacial reduce el campo
magnético en la ZPR, debido a los impactos
directos o en las proximidades de la estructu-
ra, y reduce las ondas transitorias internas.
El apantallamiento de las líneas internas,
mediante cables o conductos apantallados,
minimiza las ondas transitorias internas in-
ducidas.
El trazado de las líneas internas puede mi-
nimizar los bucles inductivos y reducir las
ondas transitorias internas.
NOTA 1. El apantallamiento espacial, el apantalla-
miento y el trazado de las líneas internas, pueden
combinarse o emplearse por separado.
El apantallamiento de las líneas externas
que entran en la estructura reduce las ondas
transitorias conducidas a los sistemas inter-
nos.
• Protección coordinada de DPS (ver el ca-
pítulo 7)
La protección coordinada de los DPS limita
los efectos de las ondas transitorias exterio-
res e interiores.
• Interfaces aislantes (ver el capítulo 8)
Las interfaces aislantes limitan los efectos
de las ondas transitorias conducidas por las
líneas que entran en la ZPR.
18
En el punto de entrada de cada servicio con-
ductor, deben siempre estar aseguradas las
conexiones a tierra y las equipotenciales y, en
particular, las conexiones equipotenciales de
todo servicio conductor, bien directamente o
bien mediante los DPS.
Puede emplearse por separado o combinado
otro SMPI.
Los SMPI deben soportar los esfuerzos operati-
vos que se esperan en el lugar de la instalación
(por ejemplo, esfuerzos debidos a temperatura,
humedad, atmósfera corrosiva, vibraciones, ten-
sión e intensidad).
La selección del SMPI más adecuado debe ha-
cerse mediante una evaluación del riesgo, de
acuerdo con la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2,
teniendo en cuenta los factores técnicos y eco-
nómicos.
En el anexo B se da información práctica sobre
la implementación del SMPI para sistemas in-
ternos en estructuras existentes.
NOTA 2. De acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3, la
conexión equipotencial contra el rayo protegerá solamente
contra las chispas peligrosas. La protección de los sistemas
internos contra las ondas transitorias requiere la protección
coordinada de los DPS de acuerdo con esta norma,
NOTA 3. En la IEC 60364-4-44 se puede encontrar más
información sobre la implementación de medidas SMPI.
5 PUESTA A TIERRA Y
EQUIPOTENCIALIDAD
5.1 Generalidades
Una puesta a tierra y una equipotencialidad
apropiadas se basan en un sistema completo de
puesta a tierra (ver la figura 5), combinando:
− el sistema de puesta a tierra (que dispersa la
corriente del rayo en el terreno); y
− la red equipotencial (que minimiza las dife-
rencias de potencial y reduce el campo
magnético).
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NOTA. Todas las conexiones dibujadas son conexiones a los elementos metálicos de la estructura o bien conexiones equi-
potenciales. Algunas de ellas también pueden servir para interceptar, conducir y dispersar la corriente del rayo en tierra.

Figura 5 − Ejemplo de un sistema de puesta a tierra tridimensional formado

por la red equipotencial interconectada con el sistema de puesta a tierra

5.2 Sistema de puesta a tierra una red mallada situada por debajo y alrededor
de la estructura, y con un ancho típico de malla
El sistema de puesta a tierra de la estructura de-
de 5 m. Esta disposición mejora el rendimiento
be cumplir con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3.
del sistema de puesta a tierra. También es
En estructuras en las que sólo existen sistemas apropiado el suelo de hormigón armado de la
eléctricos, puede emplearse un sistema de pues- base, si forma una malla interconectada bien de-
ta a tierra tipo A, aunque es preferible el tipo B.
finida y conectada al sistema de puesta a tierra
En estructuras con sistemas electrónicos, se re-
cada 5 m, como valor típico. En la figura 6 se
comienda el sistema de puesta a tierra tipo B.
muestra un ejemplo de una planta con un siste-
ma de puesta a tierra mallado.
El anillo de puesta a tierra, bien alrededor de la
estructura o en el hormigón a lo largo del perí-
metro de la cimentación, se debe integrar con

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Leyenda
1 Edificio con red mallada en la armadura del hormigón
2 Torre en el interior de la planta
3 Equipo aislado
4 Bandeja de cables

Figura 6 − Sistema de puesta a tierra mallado de una planta

Para reducir las diferencias de potencial entre
dos sistemas internos que, en algunos casos,
pueden estar referenciados a sistemas de tierra
separadas, se pueden aplicar los siguientes mé-
todos:
− varios conductores equipotenciales en para-
lelo situados en los mismos recorridos que
los cables eléctricos, o cables en conductos
de hormigón armado que formen una malla (o
en conductos metálicos con conexión conti-
nua) que han sido integrados en las dos
redes de tierra;

20

− cables apantallados con sección de pantalla
suficiente y conectados en los extremos del
cable a los sistemas de puesta a tierra sepa-
rados.
5.3 Red equipotencial
Se necesita una red de baja impedancia para
evitar diferencias de potencial peligrosas entre
todos los equipos situados dentro de una ZPR in-
terior. Además, esta red equipotencial también
reduce el campo magnético (ver el anexo A).
Esto puede realizarse mediante una red equi-
potencial mallada que integre las partes
conductoras de la estructura, o partes de los
sistemas internos, y conectando equipoten-
cialmente en la zona límite de cada ZPR, las
partes metálicas o los servicios conductores,
bien directamente o mediante los DPS apropia-
dos.
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La red equipotencial puede realizarse como una
estructura mallada en tres dimensiones con un
ancho típico de malla de 5 m (ver la figura 5). Es-
to requiere múltiples interconexiones de los
componentes metálicos en el interior y sobre la
estructura (tales como armaduras del hormigón,
rieles de los ascensores, grúas, techos metáli-
cos, fachadas metálicas, marcos metálicos de
ventanas y puertas, suelos de planchas metáli-
cas, tuberías de servicio y bandejas de cables).
Las barras equipotenciales (por ejemplo, barras
en anillo, barras a diferentes niveles de la estruc-
tura) y las pantallas magnéticas de las ZPR
deben integrarse de la misma manera.
En la figuras 7 y 8 se muestran ejemplos de re-
des equipotenciales.
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Referencias
1 Conductor de captura
2 Cubierta metálica del parapeto del tejado
3 Varillas de acero de la armadura
4 Malla conductora superpuesta a la armadura
5 Terminal del conductor de la malla
6 Terminal de una barra equipotencial interna
7 Conexión por soldadura o por unión abulonada
8 Conexión arbitraria
9 Armadura de acero del hormigón (con malla conductora superpuesta)
10 Electrodo de tierra en anillo (si existe)
11 Electrodo de tierra de la cimentación

a Distancia típica de 5 m para la malla superpuesta

b Distancia típica de 1 m para conectar esta malla con la armadura

Figura 7 - Empleo de las barras de la armadura de una estructura como conexión equipotencial

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Referencias
1 Equipo eléctrico de potencia
2 Viga metálica
3 Cubierta metálica de la fachada
4 Conexión equipotencial
5 Equipo eléctrico o electrónico
6 Barra equipotencial
7 Armadura de acero del hormigón (con malla conductora superpuesta)
8 Electrodo de tierra de la cimentación
9 Entrada común para diferentes servicios

Figura 8 − Conexión equipotencial en una estructura con armadura de acero

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Las partes conductoras (por ejemplo, cabinas, envolturas, estanterías) y el conductor de protección
(PE) de los sistemas internos deben conectarse a la red equipotencial de acuerdo con las siguientes
configuraciones (ver la figura 9).

Configuración en estrella Configuración en malla

S M

Configuración
básica

Integración
en la red
equipotencial

Referencias
Red equipotencial
Conductor equipotencial
Equipamiento
Punto de conexión a la red equipotencial
ERP Punto de referencia de puesta a tierra (earthing reference point)
SS Configuración en estrella integrada por un punto de estrella
MM Configuración en mallas integrada pot una malla

Figura 9 − Integración de sistemas electrónicos en la red equipotencial

Si se emplea la configuración S, todos los componentes metálicos (por ejemplo, cabinas, envolturas,
estanterías) de los sistemas internos deben aislarse del sistema de tierra. La configuración S debe in-
tegrarse en el sistema de tierra solamente por una sola barra equipotencial que actúa como punto de
referencia de puesta a tierra (ERP), resultando el tipo SS. Cuando se emplea la configuración S, todas
las líneas que conectan los equipos individuales deben correr en paralelo con los conductores equipo-
tenciales siguiendo la configuración en estrella, con el fin de impedir la formación de bucles inductivos.
Puede emplearse la configuración S cuando los sistemas internos se encuentran localizados en zonas
relativamente pequeñas y todas las líneas entran en la zona por un solo punto.

Si se emplea la configuración M, los componentes metálicos (por ejemplo, cabinas, envolturas, estante-
rías) de los sistemas internos no están aislados del sistema de tierra, sino que deben estar integrados
en él a través de múltiples puntos equipotenciales, dando lugar a un tipo MM. Se prefiere la configuración

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M para los sistemas internos distribuidos en zonas relativamente amplias o a lo largo de toda la estructu-
ra, donde existen muchas líneas entre partes individuales de los equipos, y donde las líneas entran en la
estructura por muchos puntos.

En sistemas complejos, las ventajas de ambas configuraciones (M y S) pueden combinarse como se in-
dica en la figura 10, dando lugar a la combinación 1 (Ss combinada con MM) o a la combinación 2 (MS
combinada con MM).

Combinación 1 Combinación 2

Integración
en la red
equipotencial

Referencias
Red equipotencial
Conductor equipotencial
Equipamiento
Punto de conexión a la red equipotencial
ERP Punto de referencia de puesta a tierra (earthing reference point)
SS Configuración en estrella integrada pon un punto de estrella
MM Configuración en malla integrada en una malla
MS Configuración en malla integrada por un punto en estrella

Figura 10 − Métodos de combinaciones para integrar las

partes conductoras de los sistemas internos en la red equipotencial

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5.4 Barras equipotenciales
Se deben instalar barras equipotenciales para
conectar:
− todos los servicios conductores que entran
en una ZPR (directamente o empleando el
DPS apropiado);
− los conductores de protección PE;
− los componentes metálicos de los sistemas
internos (por ejemplo, cabinas, envolturas,
estanterías);
− las pantallas magnéticas de las ZPR en la
periferia y en el interior de la estructura.
Para la eficacia de la equipotencialidad, son
importantes las reglas de instalación siguientes:
– la base de todas las medidas de equipoten-
cialidad es tener una red equipotencial de
baja impedancia;
– las barras equipotenciales se deben conec-
tar al sistema de puesta a tierra por el
camino más corto posible;
– las dimensiones y los materiales de las ba-
rras y conductores equipotenciales deben
cumplir con el apartado 5.6;
– las conexiones de los DPS a las barras equi-
potenciales, así como a los conductores
activos, deben ser lo más cortas posibles al
objeto de minimizar las caídas de tensión in-
ductivas;
– en el lado protegido del circuito (aguas abajo
de un DPS), deben minimizarse los efectos
de la inducción mutua, bien haciendo mínima
la superficie del bucle o empleando cables o
conductos apantallados.
5.5 Equipotencialidad en el límite de una
ZPR
Donde se haya definido una ZPR, deben prever-
se conexiones equipotenciales para todas las
partes y servicios metálicos (por ejemplo, tube-
rías metálicas, líneas de potencia o de señal)
que cruzan el límite de la ZPR.
NOTA. La conexión equipotencial de los servicios que
entran en la ZPR 1 se debe discutir con los proveedores
involucrados (por ejemplo, operadores de las líneas de
26
potencia o de telecomunicación), debido a que podría ha-
ber requisitos en conflicto.
La conexión equipotencial debe realizarse por
medio de las barras equipotenciales, que deben
instalarse lo más cerca posible del punto de en-
trada en la frontera de la zona.
Siempre que sea posible, los servicios de entra-
da deben entrar en la ZPR por el mismo sitio y
conectarse a la misma barra equipotencial. Si los
servicios entran en la ZPR por diferentes sitios,
cada servicio debe conectarse a una barra equi-
potencial y estas barras equipotenciales deben
conectarse entre sí. A este fin, se recomienda la
conexión a una barra equipotencial en anillo
(conductor de anillo).
A la entrada de una ZPR siempre se requieren
conexiones equipotenciales por medio de DPS,
con el fin de conectar todas las líneas de entra-
da, conectadas con los sistemas internos que se
encuentran en la ZPR, a la barra equipotencial.
Empleando una ZPR interconectada o extensa
puede reducirse el número de DPS que son ne-
cesarios.
Los cables apantallados o los conductos metáli-
cos, conectados equipotencialmente en cada
límite de la ZPR, pueden emplearse bien para in-
terconectar varias ZPR del mismo orden en una
conexión de ZPR, o bien para extender una ZPR
hasta el próximo límite de zona.
5.6 Materiales y dimensiones de los com-
ponentes equipotenciales
Los materiales, las dimensiones y las condicio-
nes de empleo deben cumplir con la
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3. Las secciones
mínimas de los componentes equipotenciales
deben cumplir con lo indicado en la tabla 1 si-
guiente (pág. 29).
Los conectores abulonados deben dimensionar-
se en función de los valores de la corriente de
rayo del SPCR (ver la IRAM 2184-1 / AEA
92305-1) y del análisis de la dispersión de la
corriente (ver el anexo B de la IRAM 2184-3 /
AEA 92305-3).
Los DPS deben dimensionarse de conformidad
con el capítulo 7.
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Tabla 1 − Secciones mínimas de los componentes equipotenciales

b
a Sección
Componentes equipotenciales Materiales 2
mm
Barras equipotenciales (cobre, acero recubierto de cobre o acero galvani- Cu, Fe 50
zado)
Conductores de conexión de las barras equipotenciales al sistema de tierra Cu 16
o a otras barras equipotenciales (transportan toda la corriente o la corriente Al 25
parcial del rayo)
Fe 50
Conductores de conexión de las instalaciones metálicas internas a las ba- Cu 6
rras equipotenciales (transporta la corriente parcial del rayo) Al 10
Fe 16
Conductores a tierra de los DPS (llevan toda o parte Clase I 16
c
significativa de la corriente del rayo) Clase II Cu 6
Clase III 1
d
Otros DPS 1
a
Si se emplean otros materiales, deben tener una sección que asegure una resistencia equivalente.
b
En algunos países pueden emplearse conductores de menor tamaño, siempre que cumplan con los requisitos térmicos y mecánicos –
ver el anexo D de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.
c
Para los DPS empleados en los sistemas de potencia, se da información adicional sobre los conductores de conexión en las
IEC 60364-5-53 e IEC 61643-12.
d
Otros DPS incluyen a los DPS empleados en las líneas de telecomunicación y de señal.

6 APANTALLAMIENTO MAGNÉTICO Y Las pantallas espaciales son convenientes don-

TRAZADO DE LAS LÍNEAS
6.1 Generalidades
El apantallamiento magnético puede reducir el
campo electromagnético así como la magnitud
de las ondas inducidas transitorias internas. Un
trazado apropiado de las líneas internas también
puede minimizar la magnitud de las ondas transi-
torias inducidas. Ambas medidas son efectivas
para reducir fallas permanentes de los sistemas
internos.
6.2 Apantallamiento espacial
El apantallamiento espacial define las zonas pro-
tegidas, que pueden cubrir toda la estructura,
una parte de ella, una habitación o sólo la envol-
vente del equipamiento. El apantallamiento
puede estar formado por una red mallada, por
una pantalla metálica continua, o incluir los
"componentes naturales" de la estructura (ver la
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3).
de es más práctico y útil proteger una zona
definida de la estructura en lugar de proteger va-
rias partes individuales del equipo. Las pantallas
espaciales se deben prever en la primera etapa
del diseño de una nueva estructura o de un sis-
tema interno nuevo. Hacerlo en instalaciones
existentes puede resultar caro y con grandes di-
ficultades técnicas.
6.3 Apantallamiento de las líneas internas
El apantallamiento puede estar limitado al ca-
bleado y al equipo del sistema a proteger: a
este fin se emplean apantallamiento metálico
de cables, bandejas metálicas cerradas para
cables y envolturas metálicas para los equipos.
6.4 Trazado de las líneas internas
El trazado apropiado de las líneas internas mini-
miza los bucles inductivos y reduce la formación
de sobretensiones transitorias internas en la es-
tructura. La superficie de los bucles puede

27
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minimizarse haciendo que el trazado de los ca-
bles esté próximo a los componentes naturales
de la estructura que han sido puestos a tierra y/o
trazando las líneas de potencia y de señal juntas.
NOTA. Para evitar interferencias puede ser necesaria una
determinada distancia entre las líneas de potencia y las lí-
neas de señales no apantalladas
6.5 Apantallamiento de las líneas externas
El apantallamiento de las líneas externas que en-
tran en la estructura incluye las pantallas de los
cables, los conductos metálicos cerrados para
cables, y los conductos de hormigón para cables
con la armadura interconectada. El apantalla-
miento de las líneas externas es útil, pero
frecuentemente no es responsabilidad del pro-
yectista del SMPI (ya que el propietario de las
líneas externas normalmente es el proveedor de
la red).
6.6 Materiales y dimensiones de las panta-
llas magnéticas
En el límite de las ZPR 0A y ZPR 1, los materia-
les y las dimensiones de las pantallas
magnéticas (por ejemplo, pantallas espaciales
malladas, pantallas de los cables y envolturas
de los equipos) deben cumplir con los requisi-
tos de la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 para los
conductores de los terminales de captura y/o
los conductores de bajada. En particular:
– el espesor mínimo de las planchas metálicas,
de los conductos metálicos, tuberías y panta-
llas de los cables, debe cumplir con la tabla 3
de la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3;
– la configuración de las pantallas espaciales
malladas y la sección mínima de sus conduc-
tores, debe cumplir con la tabla 6 de la
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3.
Las pantallas metálicas que no están previstas
para que circule corriente de rayo por ellas, no
requieren que las dimensiones estén de acuerdo
con las tablas 3 y 6 de la IRAM 2184-3 /
AEA 92305-3.
– en el límite de las zonas ZPR 1/2 o superiores,
si se cumple que la distancia de separación s
28
entre las pantallas magnéticas y el SPCR (ver
6.3 de la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3);
– en el límite de cualquier ZPR, si es despre-
ciable el número de sucesos peligrosos, ND,
por descargas de rayos en la estructura, por
ejemplo ND < 0,01 por año.
7 SISTEMA COORDINADO DE DPS
La protección de los sistemas internos contra
las ondas transitorias requiere un planteamien-
to sistemático consistente en la coordinación de
los DPS tanto para los cables de potencia co-
mo para los de señales. El planteamiento
básico de la coordinación de los DPS (ver el
anexo C) es el mismo en ambos casos.
En un SMPI en el que se emplee el concepto de
zonas de protección y con más de una ZPR
(ZPR 1, ZPR 2 y superiores) los DPS se deben
colocar en la entrada de la línea en cada zona
(ver la figura 2).
En un SMPI con solo la ZPR 1 los DPS se de-
ben colocar, al menos, en la entrada de la línea
en la ZPR 1.
En ambos casos pueden necesitarse DPS adi-
cionales si la distancia entre los DPS y los
equipos a proteger es grande (ver el anexo C).
Los requisitos de ensayo de los DPS deben
cumplir con:
− la IEC 61643-1 para los sistemas de poten-
cia;
− la IEC 61643-21 para los sistemas de tele-
comunicación y señales.
La información sobre la selección e instalación
de los DPS se encuentra en el anexo C. La se-
lección e instalación de la protección coordinada
de los DPS debe cumplir con:
− las IEC 61643-12 e IEC 60364-5-53 para la
protección de los sistemas de potencia;

− la IEC 61643-22 para la protección de los
sistemas de telecomunicación y señales.
En el anexo D de esta norma y en el anexo E
de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1, se da infor-
mación, para dimensionar los DPS, sobre las
magnitudes de las ondas transitorias creadas
por los rayos en diferentes puntos de una insta-
lación en una estructura.
8 INTERFACES AISLANTES
Las interfaces aislantes pueden emplearse pa-
ra reducir el efecto del IEMR. La protección de
estas interfaces contra las sobretensiones pue-
de lograrse, donde sea necesario, mediante
DPS. El nivel de aislación de la interface y el
nivel de protección UP deben coordinarse con
las categorías de las sobretensiones de la
IEC 60664-1.
NOTA. El objeto y campo de aplicación de esta parte de la
IRAM 2184 / AEA 92305 trata sobre la protección de los
equipos que se encuentran en las estructuras, pero no so-
bre con la protección de estructuras interconectadas en las
que un transformador de aislación puede brindar algún be-
neficio.
9 GESTIÓN DE UN SMPI
9.1 Generalidades
Para obtener un sistema de protección eficiente
y efectivo en cuanto a costos, el diseño debe lle-
varse a cabo en la etapa de diseño del edificio y
antes de la construcción. Así se optimiza el uso
de los componentes naturales de la estructura y
se elige la mejor solución para el trazado de las
líneas y la colocación de los equipos.
Para las estructuras existentes el costo del SMPI
es, por lo general, más alto que para una estruc-
tura nueva. Sin embargo, es posible minimizar
los costos mediante una adecuada elección de
las ZPR y empleando las instalaciones existen-
tes o mejorándolas.
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AEA 92305-4:2014
Una protección adecuada solamente puede
conseguirse si:
− las previsiones están definidas por un exper-
to en protección contra el rayo;
− existe una buena coordinación entre los dife-
rentes expertos involucrados en la cons-
trucción del edificio y del SMPI (por ejemplo,
ingenieros eléctricos e ingenieros de cami-
nos);
− se sigue el plan de gestión del apartado 9.2.
El SMPI debe mantenerse mediante inspeccio-
nes y mantenimiento. Después de cambios
importantes en la estructura o en las medidas
de protección, debe llevarse a cabo una nueva
evaluación del riesgo.
9.2 Plan de gestión del SMPI
La planificación y la coordinación de un SMPI re-
quiere un plan de gestión (ver la tabla 2), que
comienza con una evaluación inicial del riesgo
(ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2) para deter-
minar las medidas de protección necesarias para
reducir el riesgo a un nivel tolerable. Para con-
seguir esto, deben definirse las zonas de
protección.
De acuerdo con el nivel de protección definido
en la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 y las medi-
das de protección a adoptar, deben llevarse a
cabo los siguientes pasos:
− se debe prever un sistema de puesta a tierra
que comprenda una red equipotencial y un
sistema de tomas de tierra;
− las partes metálicas externas y los servicios
entrantes deben conectarse equipotencial-
mente, bien directamente o por medio de los
DPS adecuados;
− los sistemas internos deben integrarse en la
red equipotencial;
− se puede implementar el apantallamiento
espacial junto con el trazado y el apantalla-
miento de las líneas;
29
Es qu em a 2 IR A M 2 18 4 - 4: 2 01 4
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− se debe especificar los requisitos para la
protección coordinada por DPS;
− se debe determinar la necesidad de interfa-
ces aislantes;
Después de esto, se debe volver a evaluar la re-
lación costo/beneficio de las medidas de
protección seleccionadas y optimizarlas de nue-
vo mediante el método de análisis de riesgos.

− en estructuras existentes, pueden ser nece-

sarias medidas especiales (ver el anexo B).

30
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AEA 92305-4:2014

Tabla 2 − Plan de gestión de un SMPI para un edificio nuevo y

para grandes cambios en la construcción o utilización de los edificios

Etapas Objeto Acciones a tomar por

a b
Análisis inicial del riesgo
a b
Análisis final del riesgo
Plan de un SMPI
Diseño de un SMPI
Instalación, incluida la
supervisión del SMPI
Aprobación del SMPI
Inspecciones periódicas
a
Ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2.
b
Con un amplio conocimiento sobre CEM y sobre prácticas de instalación.
Comprobar la necesidad de una protec- Experto en protección contra el rayo
ción contra el IEMR. Propietario
Si es necesario, seleccionar el SMPI
apropiado empleando el método de eva-
luación de riesgos
Comprobar la reducción del riesgo des-
pués de cada medida de protección
tomada
La relación costo/beneficio de las medi- Experto en protección contra el rayo
das de protección seleccionadas debe Propietario
optimizarse empleando, de nuevo, el
método de evaluación de riesgos.
Como consecuencia se definen:
− El SPCR y los parámetros del rayo.
− Las ZPR y sus límites.
Definición del SMPI: Experto en protección contra el rayo
− medidas de apantallamiento espacial Propietario
− redes equipotenciales Arquitecto
− sistemas de puesta a tierra Proyectista de los sistemas internos
− trazado y apantallamiento de las lí- Proyectista de las instalaciones rele-
neas vantes
− apantallamiento de los servicios en-
trantes
− protección coordinada de los DPS
− interfaz de aislación
Planos generales y descripciones Oficina de ingeniería o equivalente
Preparación del listado de piezas
Planos detallados y tiempos de instala-
ción
Calidad de la instalación Experto en protección contra el rayo
Documentación Instalador del SPCR
Posible revisión de los planos detallados Oficina de ingeniería
Supervisor
Verificación y documentación del estado Experto independiente en protección
de la instalación contra el rayo
Supervisor
Asegurar la conformidad del SMPI Experto en protección contra el rayo
Supervisor

31
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AEA 92305-4:2014
9.3 Inspección de un SMPI
9.3.1 Generalidades
La inspección comprende la comprobación de
la documentación técnica, las inspecciones vi-
suales y las medidas en los ensayos. El objeto
de la inspección es verificar que:
− el SMPI está de acuerdo con el diseño;
− el SMPI es capaz de realizar su función de
diseño;
− cualquier nueva medida de protección adi-
cional está incorporada correctamente al
SMPI.
Las inspecciones deben hacerse:
− durante la instalación del SMPI;
− después de la instalación del SMPI;
− periódicamente;
− después de cualquier alteración relevante de
los componentes del SMPI;
− posiblemente después de una descarga en
la estructura (por ejemplo, cuando el conta-
dor haya indicado una descarga, cuando un
testigo haya visto la descarga sobre la es-
tructura, o cuando haya evidencia visual de
daños por rayos en la estructura).
La frecuencia de las inspecciones periódicas
debe determinarse considerando:
− el medioambiente local, tal como suelos co-
rrosivos y condiciones atmosféricas corro-
sivas;
− el tipo de las medidas de protección em-
pleadas.
NOTA. Se recomiendan los valores de la tabla E.2 de la
IRAM 2184-3 / AEA 92305-3, cuando no haya requisitos
específicos dados por las autoridades.
32
9.3.2 Procedimiento de inspección
9.3.2.1 Comprobación de la documentación
técnica
Después de la instalación de unas nuevas medi-
das SMPI debe comprobarse la documentación
técnica en relación al cumplimiento con las nor-
mas apropiadas y a que está completa. En
consecuencia, la documentación técnica debe
actualizarse continuamente como, por ejemplo,
después de cualquier alteración o ampliación del
SMPI.
9.3.2.2 Inspección visual
La inspección visual debe realizarse para verifi-
car que:
− no hay conexiones sueltas y que no hay ro-
turas accidentales en los conductores y
conexiones;
− ninguna parte del sistema se ha debilitado
por la corrosión, en especial a nivel del te-
rreno;
− los conductores equipotenciales y las panta-
llas de los cables están intactos e interco-
nectadas;
− no hay ampliaciones o alteraciones que re-
quieran medidas de protección adicionales;
− no hay indicaciones de daños en los DPS,
en sus fusibles o en sus desconectores;
− se mantienen los apropiados trazados de los
cables;
− se mantienen las distancias de seguridad a
las pantallas espaciales.
9.3.2.3 Mediciones
Se debe realizar una medición de la continuidad
eléctrica en aquellas partes del sistema de tierra
y de la red equipotencial que no están visibles
para la inspección.

NOTA. Si un DPS no tiene una indicación visual (bandera),
para confirmar, cuando se requiera, su estado operativo, las
medidas deben realizarse de acuerdo con las instrucciones
del fabricante.
9.3.3 Documentación de la inspección
Se debe preparar una guía de inspección para
facilitar el proceso. La guía debe contener infor-
mación suficiente para ayudar al inspector en su
tarea, de manera que pueda documentarse to-
dos los aspectos relacionados con la instalación,
sus componentes, métodos y registros de los da-
tos de ensayos.
El inspector debe preparar un informe, que debe
unirse a la documentación técnica y a los infor-
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mes de inspección previos. El informe de inspec-
ción debe contener información sobre:
− el estado general del SMPI;
− cualquier desviación de la documentación
técnica;
− el resultado de cualquier medida realizada.
9.4 Mantenimiento
Después de la inspección, cualquier defecto de-
tectado debe corregirse sin demora. Si es
necesario, la documentación técnica debe ac-
tualizarse.
33
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Anexo A
(Informativo)

Elementos básicos para la evaluación

del ambiente electromagnético en una ZPR

A.1 Generalidades
Este anexo A da una información para la evaluación del ambiente electromagnético en el interior de
una ZPR, que también puede emplearse para la protección contra el IEMR. También es apropiada
para la protección contra las interferencias electromagnéticas.

A.2 Efectos perniciosos del rayo en los sistemas eléctricos y electrónicos

A.2.1 Fuente del daño

La primera fuente de daño es la corriente del rayo y su campo magnético asociado, el cual tiene la
misma forma de onda que la corriente de rayo.

NOTA. A los efectos de la protección, la influencia del campo eléctrico del rayo normalmente es de menor interés.

A.2.2 Objeto del daño

Los sistemas internos instalados en o sobre las estructuras con un nivel de aislación limitado para
soportar las ondas transitorias y los campos magnéticos, pueden dañarse u operar incorrectamente
cuando están sometidos a los efectos de los rayos y a sus campos magnéticos.

Los sistemas instalados fuera de una estructura, colocados en lugares expuestos, pueden tener ries-
go debido al campo magnético sin atenuar y a las ondas transitorias de la corriente total del rayo por
un impacto directo.

Los sistemas instalados en el interior de una estructura pueden tener riesgo debido al campo magnéti-
co atenuado residual debido a las ondas transitorias internas inducidas o conducidas y a las ondas
transitorias conducidas por las líneas entrantes.

Para detalles en relación con los niveles resistidos por los equipos, son relevantes las siguientes
normas:

a) el nivel nominal de impulso de la instalación de potencia se define en la tabla F.1 de la

IEC 60664-1:2007. El nivel resistido se define por la tensión nominal de impulso 1,5 kV –
2,5 kV – 4 kV y 6 kV para los sistemas de 230/400 V y 377/480 V.

b) el nivel resistido por los equipos de telecomunicación está indicado en las normas ITU-T K.20[3],
K.21[4] y K.45[5].

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El nivel resistido está indicado, generalmente, en la hoja de especificación del producto, o puede en-
sayarse:

a) contra las ondas transitorias conducidas, empleando la IEC 61000-4-5, con niveles de tensión de
ensayo: 0,5 kV – 1 kV – 2 kV y 4 kV, forma de onda 1,2/50 µs y con niveles de corrientes de ensa-
yo 0,25 kA – 0,5 kA – 1 kA y 2 kA, forma de onda 8/20 µs;

NOTA. Con el fin de que algunos equipos cumplan con los requisitos de la norma citada pueden incorporar DPS inter-
nos. Las características de estos DPS internos pueden afectar a los requisitos de la coordinación.

b) contra los campos magnéticos, empleando la IEC 61000-4-9, con niveles de ensayo:
100 A/m – 300 A/m – 1 000 A/m, forma de onda 8/20 µs y la IEC 61000-4-10 con los niveles de en-
sayo: 10 A/m – 30 A/m – 100 A/m, a 1 MHz.

Los equipos que no cumplan con los ensayos de inmunidad y de emisión radiada en radio frecuencia
(RF), tal como se indica en las correspondientes normas de CEM, pueden estar sometidos a los riesgos
de los campos directamente radiados. Por otra parte, la falla de los equipos que cumplen con estas
normas puede despreciarse.

A.2.3 Mecanismos de acoplamiento entre el objeto del daño y la fuente del daño
El nivel resistido por los equipos debe ser compatible con la fuente del daño. Para alcanzar este obje-
tivo, es necesario que los mecanismos de acoplamiento estén debidamente controlados mediante la
creación de las correspondientes ZPR.

A.3 Apantallamiento espacial, trazado y apantallamiento de las líneas

A.3.1 Generalidades
El campo magnético creado en el interior de una ZPR debido a las descargas directas en una estructura
o en sus proximidades en el terreno, sólo puede reducirse mediante el apantallamiento espacial de la
ZPR. Las ondas transitorias inducidas en los sistemas electrónicos pueden minimizarse bien mediante el
apantallamiento espacial, mediante el trazado y el apantallamiento de las líneas, o por una combinación
de ambos métodos.

La figura A.1 da un ejemplo del IEMR en el caso de un impacto directo en la estructura, mostrando las
zonas de protección ZPR 0, ZPR 1 y ZPR 2. El sistema electrónico a proteger se encuentra instalado en
la ZPR 2.

35
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Pantalla (envoltura)

Figura A.1 − Situación del IEMR debida a una descarga de rayo

En la tabla A.1, puntos 1, 2 y 3 se definen los parámetros I0, H0, y UW de la figura A.1; en los puntos 4
y 5 se indican los parámetros de ensayo adecuados para asegurar que el equipo es capaz de sopor-
tar el esfuerzo esperado en el lugar de su instalación.

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Tabla A.1 – Parámetros relevantes de la fuente del daño y del equipo

Fuente primaria del daño IEMR

Definida a partir de los parámetros de los NPR I a IV
Impulso Amplitud para NPR Pendiente para NPR Efectos relevan-
tes
µs I – II – III – IV I – II – III – IV
kA kA/µs
1.
IRAM 2184-1 / Corriente parcial
10/350 200 – 150 – 100 – 100 20 – 15 – 10 – 10
AEA 92305-1 del rayo
I0
1/200 100 – 75 – 50 – 50 100 – 75 – 50 – 50 Inducción
0,25/100 50 – 37,5 – 25 – 25 200 – 150 – 100 – 100 Inducción
H0 Deducida de la I0 correspondiente
Tensiones nominales de impulso para las instalaciones de potencia
2. Definidas como categoría de sobretensiones I a IV para las tensiones nominales de 230/400 V y 277/480 V
IEC 60664-1 UW Categoría de la sobretensión I a IV 6 kV – 4 kV – 2,5 kV – 1,5 kV
Nivel resistidos de las equipos de telecomunicación
3. [3] [3] [5]
ITU Recomendación K.20 , K.21 y K.25 ,
Ensayos para equipos sin la correspondiente norma de producto
El nivel de resistido del equipo se define por los efectos conducidos del rayo (U, I)
4.
UOC Impulso 1,2/50 µs 4 kV – 2 kV – 1 kV – 0,5 kV
IEC 61000-4-5
ISC Impulso 8/20 µs 2 kA – 1 kA – 0,5 kA – 0,25 kA
Ensayos para equipos que no cumplen con las norma de producto CEM
El nivel de resistencia del equipo se define por los efectos radiados del rayo (H)
Impulso 8/20 µs
IEC 61000-4-9 H (oscilación amortiguada 25 kHz, TP = 10 1 000 A/m – 300 A/m – 100 A/m
5. µs)
Oscilación amortiguada 1 MHz
IEC 61000-4-10 H 100 A/m – 30 A/m – 10 A/m
(impulso 0, 2/0,5 µs, TP = 0,25 µs)

Las fuentes electromagnéticas primarias de daño sobre el sistema electrónico son la corriente I0 y el
campo magnético Ho del rayo. Las corrientes parciales del rayo circulan por los servicios entrantes. Es-
tas corrientes, así como los campos magnéticos tienen, aproximadamente, la misma forma de onda. La
corriente del rayo que aquí se considera consiste en un primer impacto IF positivo (generalmente una
forma de onda con una cola larga 10/350 µs) y el primer impacto negativo IFN (forma de onda 1/200 µs) e
impactos subsiguientes IS (forma de onda 0,25/100 µs). La corriente del primer impacto positivo IF gene-
ra el campo magnético HF, la corriente del impacto negativo IFN generan el campo magnético HFN y las de
los impactos subsiguientes IS genera los campos magnéticos HS.

Los efectos debidos a la inducción magnética están producidos principalmente por la pendiente del fren-
te del campo magnético. Como se indica en la figura A.2, la pendiente del frente de HF puede
caracterizarse por un campo oscilante amortiguado de 25 kHz con un valor máximo HF/MAX. y un tiempo
de valor máximo TP/F de 10 µs. De la misma manera, la pendiente del frente de HS puede caracterizarse
por un campo oscilante amortiguado de 1 MHz con un valor máximo HS/MAX. y un tiempo de valor máxi-

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mo TP/S de 0,25 µs. De manera similar, el tiempo del frente del HFN puede caracterizarse por un campo
oscilante amortiguado de 250 kHz con un valor máximo HFN/MAX.y un tiempo de valor máximo TP/FN de
1µs.

De esta manera el campo magnético del primer impacto positivo puede caracterizarse por una frecuen-
cia típica de 25 kHz, el campo magnético del primer impacto negativo por una frecuencia típica de
250 kHz y el campo magnético de los impactos subsiguientes por una frecuencia típica de 1 MHz. Los
campos magnéticos oscilantes amortiguados para estas frecuencias están definidos, a efectos de en-
sayos, en las IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10.

Instalando pantallas magnéticas y DPS en las interfaces de las ZPR, el efecto del rayo sin atenuar,
definido por I0 y H0, se debe reducir hasta el nivel resistido del equipo. Como se indica en la figura
A.1 el equipo debe soportar el campo ambiente H2, las corrientes I2 y las tensiones U2 conducidas del
rayo.

La reducción de I1 a I2 y de U1 a U2 es el objeto del anexo C, mientras que la reducción de H0 a un valor

suficientemente bajo de H2 se considera aquí de la siguiente manera:

En el caso de una pantalla espacial mallada, puede considerarse que la forma de onda del campo
magnético en la ZPRs (H1, H2) es la misma que la del campo magnético en el exterior (H0).

Las formas de ondas oscilantes amortiguadas indicadas en la figura A.2 cumplen con los ensayos defi-
nidos en las IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10 y pueden emplearse para determinar el nivel de los
equipos para soportar el campo magnético creado por el frente del campo magnético del primer impac-
to positivo HF y de los impactos subsiguientes HS.

Las ondas transitorias inducidas producidas por el acoplamiento del campo magnético con los bucles de
inducción (ver el capítulo A.5) deben ser inferiores o iguales a los niveles soportados por los equipos.

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Norma fundamental: IEC 61000-4-9

Figura A.2a − Simulación del crecimiento del campo del primer impacto positivo
(10/350 µs) mediante un solo impulso 8/20 µs (oscilación amortiguada de 25 kHz)

Norma fundamental: IEC 61000-4-10

Figura A.2b − Simulación del crecimiento del campo del impacto subsiguiente (0,25/100 µs)
mediante oscilaciones amortiguadas de 1 MHz (múltiples impulsos 0,2/0,5 µs)

NOTA 1 Aunque las definiciones del tiempo hasta el valor máximo TP y las de duración del frente T1 son diferentes, aquí se
consideran sus valores iguales para una aproximación apropiada.

NOTA 2 La relación entre los valores máximos HF/MAX. / HFN/MAX. / HS/MAX. = 4:2:1.

Figura A.2 − Simulación del crecimiento del campo magnético mediante oscilaciones amortiguadas

A.3.2 Apantallamiento espacial con mallas

En la práctica, las pantallas de gran volumen de una ZPR normalmente se crean mediante los compo-
nentes naturales de la estructura tales como, las armaduras metálicas en los techos, paredes y suelos,
la estructura metálica, los tejados y las fachadas metálicas. Estos componentes juntos forman una pan-
talla espacial mallada. Un apantallamiento efectivo requiere que el ancho de la malla sea inferior a 5 m.

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NOTA 1. El efecto de la pantalla puede despreciarse si se crea una ZPR 1 mediante un SPCR externo conforme con la IRAM
2184-3 / AEA 92305-3, con anchos de mallas y distancias superiores a los 5 m. Por lo demás, un edificio con una gran arma-
dura metálica y muchas estructuras de acero da un importante efecto de pantalla.
NOTA 2. El apantallamiento en las zonas interiores subsiguientes puede realizarse bien adoptando medidas de apantallamiento
espacial, bien empleando cabinas o estanterías metálicas cerradas, o empleando envolturas metálicas para los equipos.

La figura A.3 muestra cómo, en la práctica, pueden emplearse las armaduras del hormigón y los bas-
tidores metálicos (de puertas metálicas y de posibles ventanas apantalladas) para crear un gran
volumen apantallado en una habitación o en un edificio.

Referencia
• Soldado o grapado en cada varilla y en cada cruce.

NOTA. En la práctica, en grandes estructuras no es posible soldar o abulonar cada punto. Sin embargo, la mayor parte de los
puntos están conectados naturalmente bien por contacto directo o mediante cableado adicional. Una solución práctica podría ser
una conexión cada 1 m.

Figura A.3 − Construcción de un gran volumen apantallado empleando

las armaduras del hormigón y los bastidores metálicos

40
 Es qu em a 2 IR A M 2 18 4 - 4: 2 01 4
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Los sistemas internos deben colocarse en el interior de un "volumen de seguridad" que respete las dis-
tancias de seguridad a la pantalla de la ZPR (ver la figura A.4). Esto es debido al valor relativamente alto
de los campos magnéticos en la proximidad de la pantalla, por la circulación de las corrientes parciales
del rayo por la pantalla (en particular en la ZPR 1).

NOTA. El volumen Vs debe mantener una distancia de seguridad ds/1 o ds/2 desde la pantalla de la ZPR n –ver el capítulo
A.4.

Figura A.4 − Volumen para los sistemas eléctricos y electrónicos en una zona interior ZPR n

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A.3.3 Trazado y apantallamiento de las líneas

Las ondas transitorias inducidas en los sistemas electrónicos pueden reducirse mediante un trazado
apropiado de la línea (minimizando la superficie del bucle de inducción), empleando cables apantallados
o conductos metálicos (se minimizan los efectos inductivos en el interior), o mediante una combinación
de ambos (ver la figura A.5).

42
 Es qu em a 2 IR A M 2 18 4 - 4: 2 01 4
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Referencias
1 Equipo
2 Cable de señal
3 Cable de potencia
4 Bucle de inducción

Figura A.5a − Sistema sin protección

Referencias
1 Equipo
2 Cable de señal
3 Cable de potencia
5 Apantallamiento espacial

Figura A.5b − Reducción del campo magnético en

una ZPR interior por apantallamiento espacial

Referencias
1 Equipo
2 Cable de señal
3 Cable de potencia
6 Línea apantallada

Figura A.5c − Reducción de la influencia del campo en

las líneas mediante el apantallamiento de las líneas

Refefencias
1 Equipo
2 Cable de señal
3 Cable de potencia
7 Superficie reducida del bucle

Figura A.5d – Reducción de la superficie del borde

de inducción mediante un trazado de líneas apropiado
Figura A.5 − Reducción de los efectos inductivos mediante medidas de trazado
y apantallamiento de las líneas

43
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AEA 92305-4:2014

Los cables conductores conectados a los sistemas electrónicos se deben colocar tan cerca como sea
posible de los componentes metálicos de la red equipotencial. Es beneficioso colocar estos cables en
envolturas metálicas de la red equipotencial, por ejemplo, en conductos en forma de U o en tubos metá-
licos (ver también la IEC 61000-5-2[6]).

Se debe prestar especial atención cuando se instalan los cables cerca de la pantalla de una ZPR (es-
pecialmente la ZPR 1) debido al valor sustancial del campo magnético en ese lugar.

Cuando los cables que circulan entre estructuras separadas necesitan protección se deben colocar en
conductos metálicos. Estos conductos debern estar conectados en ambos extremos a las barras equipo-
tenciales de cada estructura separada. Si las pantallas de los cables (conectadas a las redes
equipotenciales en ambos extremos) son capaces de soportar la corriente parcial del rayo prevista, no
se requieren más conductos metálicos.

Las tensiones y las corrientes inducidas en los bucles de la instalación dan lugar a ondas transitorias en
modo común en los sistemas electrónicos. En el capítulo A.5 se indican los cálculos de estas tensiones
y corrientes inducidas.

La figura A.6 muestra un ejemplo de un gran edificio de oficinas:

a) En la ZPR 1, el apantallamiento se consigue mediante la armadura metálica y las fachadas metáli-

cas y en la ZPR 2 mediante envolturas apantalladas de los sistemas electrónicos sensibles. Con el
fin de poder instalar un sistema equipotencial formado por una malla espesa, en cada habitación se
colocan varios terminales de conexión equipotencial.

b) Se ha extendido la ZPR 0 en la ZPR 1 para instalar una fuente de potencia de 20 kV, debido a que
no es posible, en este caso especial, la instalación en el lado de alta tensión de los DPS.

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Malla interceptora

Figura A.6 − Ejemplo de un SMPI para un edificio de oficinas

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A.4 Campo magnético en las ZPR

A.4.1 Aproximación del campo magnético en las ZPR

Si no se han realizado investigaciones teóricas (ver A.4.2) o experimentales (ver A.4.3) sobre la eficacia
del apantallamiento, la atenuación debe evaluarse de la siguiente manera.

A.3.1.1 Pantalla espacial mallada de la ZPR 1 en el caso de una descarga directa del rayo
La pantalla de un edificio (pantalla que rodea la ZPR 1) puede formar parte de un SPCR externo y las
corrientes directas del rayo circularán a lo largo de él. Esta situación se representa en la figura A.7a
considerando que el rayo impacta en un punto arbitrario del tejado de una estructura.

NOTA. Las distancias dw y dr se determinan para el punto en consideración.

Figura A.7a − Campo magnético dentro de una ZPR 1

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NOTA. Las distancias dw y dr se determinan para la zona límite de la ZPR 2.

Figura A.7b − Campo magnético dentro de una ZPR 2

Figura A.7 − Evaluación del campo magnético en el caso de una descarga de rayo directa

Para calcular el valor del campo magnético H1 en un punto arbitrario en el interior de la ZPR 1 se
aplica la expresión

(
H1 = kh × I 0 × wm / d w × d r ) (A/m) (A.1)

donde

dr(m) es la distancia más corta entre el punto considerado y el tejado de la pantalla de ZPR 1;

dw(m) es la distancia más corta entre el punto considerado y la pared de la pantalla de ZPR 1;

I0 (A) es la corriente del rayo en la ZPR 0A;

kh (1/ m ) es el factor de configuración, generalmente kh = 0,01

wm (m) es el ancho de la malla de la pantalla espacial de ZPR 1.

El resultado de esta fórmula es el valor máximo del campo magnético en la zona ZPR 1 (teniendo en
cuenta la nota indicada más abajo):

− H1/F/MAX. = kh × I F//MAX × wm / (d w × d r ) (A/m) producido por el primer impacto positivo (A.2)

− H1/FN/MAX. = kh × I FN//MAX × wm / (d w × d r ) (A/m) producido por el primer impacto negativo (A.3)

− H l/S/MAX. = kh × IS/MAX. × wm / (d w × d r ) ) (A/m) producido por los impactos subsiguientes (A.4)

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donde

IF/MAX. (A) es el valor máximo de la corriente del primer impacto positivo en función del nivel de pro-
tección;

IFN/MAX. (A) es el valor máximo de la corriente del primer impacto negativo en función del nivel de pro-
tección;

IS/MAX. (A) es el valor máximo de las corrientes de los impactos subsiguientes en función del nivel de
protección.

NOTA 1. El campo se reduce por un factor 2, si se instala una red equipotencial mallada de acuerdo con el apartado 5.2.

Estos valores de campo magnético son válidos solamente para un volumen de seguridad Vs en el in-
terior de la pantalla mallada con una distancia de seguridad ds/1 desde la pantalla (ver la figura A.4):

ds/1 = wm × SF/10 (m) para SF ≥ 10 (A.5)

ds/1 = wm (m) para SF < 10 (A.6)

donde

SF (dB) es el factor de apantallamiento evaluado a partir de la fórmula de la tabla A.3;

wm (m) es el ancho de la malla de la pantalla mallada.

NOTA 2. Los valores de los resultados experimentales del campo magnético en el interior de la ZPR 1 dotada con una pantalla
mallada indican que el aumento del campo magnético cera de la pantalla es menor que el que resulta de la ecuación ante-
rior.

EJEMPLO

Como ejemplo se consideran tres pantallas malladas de cobre con las dimensiones que se dan en la
tabla A.2, con un ancho media de la malla wm = 2 m (ver la figura A.10). Esto da lugar a una distancia
de seguridad ds/1 = 2,0 m que define el volumen de seguridad VS. El valor de H1/MAX. válido en el interior
de VS se calculan para I0/MAX. = 100 kA, como se indica en la tabla A.2. La distancia al tejado es la mi-
tad de la altura dr = H/2. La distancia a la pared es la mitad del largo dw = L/2 (centro) o igual a:
dw = ds/1 (peor caso cerca de la pared).

Tabla A.2 – Ejemplos para I0MAX. = 100 kA y wm = 2 m

Tipo de pantalla L×W×H H1/MAX. (centro) H1/MAX. (dw = dS/1)

(ver la figura A.10) m A/m A/m
1 10 × 10 × 10 179 447
2 50 × 50 × 10 36 447
3 10 × 10 × 50 80 200

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A.4.1.2 Pantalla espacial mallada de la ZPR 1 en el caso de una descarga cercana

La situación correspondiente a una descarga cercana se muestra en la figura A.8. El campo magnético
incidente en torno al volumen apantallado de la ZPR 1 se puede aproximar por una onda plana.

Figura A.8 − Evaluación del campo magnético en el caso de una descarga de rayo cercana

El factor de apantallamiento SF de una pantalla espacial mallada para una onda plana está dado, a
continuación, en la tabla A.3.

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Tabla A.3 − Atenuación magnética de una pantalla espacial mallada para una onda plana

a, b
Materiales SF (dB)
1 MHz (válido para los impactos subsiguientes)
25 kHz (válido para el o
primer impacto positivo) 250 kHz (válido para el primer impacto negati-
vo)
Cobre o alumi-
20 × log (8,5/wm) 20 × log (8,5/wm)
nio
c
Acero 20 × log  ( 8, 5 wm )/ 1 + 18 × 10 –6 / rc2  20 × log (8,5/wm)
 

wm ancho de la malla de la pantalla (m);

rc radio de una varilla de la pantalla mallada (m).
a
SF = 0 en caso de que la fórmula dé valor negativo.
b
SF aumenta en 6 dB si se instala una red mallada equipotencial de acuerdo con el apartado 5.2.
c
Permeabilidad µr ≈ 200.

El campo magnético incidente H0 se calcula mediante la ecuación (A.7):

H 0 = I 0 / ( 2 × π × sa ) (A/m) (A.7)

donde

I0 (A) es la corriente del rayo en la ZPR 0A;

sa (m) es la distancia entre el punto de impacto y el centro del volumen apantallado.

De esto se deduce que el valor máximo del campo magnético en ZPR 0:

− H0/F/MAX. = IF/MAX./(2 × π × sa) (A/m) producido por el primer impacto positivo (A.8)

− H0/FN/MAX. = IFN/MAX./(2 × π × sa) (A/m) producido por el primer impacto negativo (A.9)

− H0/S/MAX. = IS/MAX./(2 × π × sa) (A/m) producido por los impactos subsiguientes (A.10)

donde

IF/MAX. (A) es el valor máximo de la corriente del primer impacto positivo de acuerdo con el nivel de
protección elegido;

IFN/MAX. (A) es el valor máximo de la corriente del primer impacto negativo de acuerdo con el nivel de
protección elegido;

IS/MAX. (A) es el valor máximo de la corriente de los impactos subsiguientes de acuerdo con el nivel
de protección elegido.

La reducción de H0 a H1 en el interior de la ZPR 1 puede calcularse empleando los valores de SF indi-

cados en la tabla A.3.

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SF/20
H1/MAX. = H0/MAX. / 10 (A/m) (A.11)

donde

SF (dB) es el factor de apantallamiento obtenido a partir de las fórmulas de la tabla A.3;

H0/MAX. (A/m) es el campo magnético en la ZPR 0.

En consecuencia se puede calcular el valor máximo del campo magnético en la zona ZPR 1:

− H1/F/MAX. = H0/F/MAX. / 10SF/20 (A/m) producido por el primer impacto positivo (A.12)

− H1/FN/MAX. = H0/FN/MAX. / 10SF/20 (A/m) producido por el primer impacto negativo (A.13)

− H1/S/MAX. = H0/S/MAX. / 10SF/20 (A/m) producido por los impactos subsiguientes: (A.14)

Estos valores de campo magnético son solamente válidos para un volumen de seguridad Vs en el in-
terior de la pantalla mallada con una distancia de seguridad ds/2 desde la pantalla (ver la figura A.4).

− ds/2 = wm para SF ≥ 10
SF/10
(m) (A.15)

− ds/2 = wm (m) para SF < 10 (A.16)

donde

SF (dB) es el factor de apantallamiento obtenido a partir de las fórmulas de la tabla A.3;

wm (m) es el ancho de la pantalla mallada.

Para información adicional referente al cálculo del campo magnético en el interior de la pantalla ma-
llada en el caso de impactos cercanos, ver el apartado A.4.3.

EJEMPLO

En el caso de una descarga cercana, el campo magnético H1/MAX. en el interior de la ZPR 1, depende
de: la corriente I0/MAX, del factor de apantallamiento SF de la pantalla de ZPR 1 y de la distancia sa entre
el canal del rayo y el centro de la ZPR 1 (ver la figura A.8).

La corriente del rayo I0/MAX, depende del nivel de protección elegido (ver la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).
El factor de apantallamiento SF (ver la tabla A.3) depende, principalmente, del ancho de la pantalla ma-
llada. La distancia sa puede ser:

a) una distancia dada entre el centro de la ZPR 1 y un objeto próximo (por ejemplo, un mástil) en el
caso de que una descarga impacte en este objeto; o
b) la distancia mínima entre el centro de la ZPR 1 y el canal del rayo, en el caso de una descarga de
rayo a tierra cerca de ZPR 1.

El caso más desfavorable se da cuando se combina la corriente mayor I0/MAX, con la distancia más pró-
xima posible sa. Como se indica en la figura A.9, la mínima distancia sa es función de la altura H y del
largo L (o ancho W) de la estructura (ZPR 1), y del radio de la esfera rodante r correspondiente a I0MAX.
(ver la tabla A.4), definida a partir del modelo electro-geométrico (ver el capítulo A.4 de la
IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).

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Figura A.9 − Distancia sa en función del radio de la esfera rodante y de las dimensiones de la estructura

La distancia puede calcularse mediante las ecuaciones A.17 y A.18 siguientes:

sa = 2 × r × H − H 2 + L / 2 para H < r (A.17)

sa = r + L / 2 para H ≥ r (A.18)

NOTA. Para distancias menores que estos valores mínimos, las descargas impactan directamente en la estructura.

Considerando una malla de cobre con un ancho media de malla de wm = 2 m, pueden definirse tres
pantallas, con las dimensiones indicadas en la tabla A.5, El resultado es un SF = 12,6 dB y una dis-
tancia de seguridad ds/2 = 2,5 m que define el volumen de seguridad Vs. Los valores de H0/MAX. y de
H1/MAX. que se consideran válidos en el interior del volumen Vs se calculan para I0/MAX. = 100 kA y se in-
dican en la tabla A.5.

Tabla A.4 – Radio de la esfera rodante correspondiente a la máxima corriente del rayo

Máxima corriente del rayo Radio de la esfera rodante, r

Nivel de protección
I0/MAX. kA m
I 200 313
II 150 260
III – IV 100 200

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Tabla A.5 − Ejemplos para I0/MAX. = 100 kA y wm = 2 m, correspondientes a SF = 12,6 dB

Tipo de pantalla L×W×H sa H0/máx. H1/máx.

(ver la figura A.10) m m A/m A/m
1 10 × 10 × 10 67 236 56
2 50 × 50 × 10 87 182 43
3 10 × 10 × 50 137 116 27

A.4.1.3 Pantalla espacial mallada para ZPR 2 y superiores

En las pantallas malladas que rodean una ZPR 2 o superiores, no circulará una significativa corriente
parcial de rayo. Por tanto, en una primera aproximación, la reducción de Hn a Hn+1 en el interior de la
ZPR n+1 puede evaluarse tal como se indica en el apartado A.4.1.2 para las descargas cercanas.
SF/20
Hn+1 = Hn / 10 (A/m) (A.19)

donde

SF(dB) es el factor de apantallamiento de la tabla A.3;

Hn (A/m) es el campo magnético en la ZPR n.

Si Hn = H1 el valor de este campo puede evaluarse de la siguiente manera:

a) en el caso de descargas directas a la pantalla tipo malla de la ZPR 1, ver el apartado A.4.1.1 y la fi-
gura A.7b, mientras que dw y dr son las distancias entre la pantalla de la ZPR 2 y la pared y el
tejado, respectivamente;

b) en el caso de descargas cercanas a ZPR 1, ver el apartado A.4.1.2 y la figura A.8.

Estos valores de los campos magnéticos son válidos sólo en el volumen de seguridad Vs en el inte-
rior de la pantalla tipo malla con una distancia ds/2 desde la pantalla, (tal como se define en el
apartado A.4.1.2 y se indica en la figura A.4).

A.4.2 Evaluación teórica del campo magnético debido a descargas directas

En el apartado A.4.1.1 las fórmulas para la evaluación del campo magnético H1/MAX. están basadas en
cálculos numéricos del campo magnético en tres típicas pantallas tipo malla tal como se indica en la fi-
gura A.10. Para estos cálculos, se considera que una descarga impacta en un borde del tejado. El
canal del rayo se simula mediante una varilla conductora vertical de 100 m de largo por encima del te-
jado. El plano de tierra se simula mediante una placa conductora ideal.

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Ancho de la malla

(con un ancho de
malla de 2 m)

Figura A.10 − Tipos de grandes volúmenes apantallados con malla

En los cálculos se considera el campo magnético acoplado a cada barra de la pantalla mallada inclu-
yendo todas las otras barras y el canal simulado del rayo, resultando un conjunto de ecuaciones para
calcular la distribución de la corriente en la malla. A partir de esta distribución de la corriente se deduce
el campo magnético en el interior de la pantalla. Se considera despreciable la resistencia de las barras.
Por tanto, la distribución de la corriente en la pantalla mallada y el campo magnético son independientes
de la frecuencia. No se consideran, tampoco, los efectos capacitivos para evitar los efectos transitorios.

En las figuras A.11 y A.12 se presentan algunos resultados para el apantallamiento del tipo 1 (ver la
figura A.10).

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Figura A.11 − Campo magnético H1/MAX. en el interior de una pantalla mallada del tipo 1

Ancho de la malla wm

Figura A.12 − Campo magnético H1/MAX. en el interior de una

pantalla mallada tipo 1 en función del ancho de la malla

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NOTA 1. Los resultados experimentales del campo magnético en el interior de la ZPR 1 con una pantalla mallada indican
que, cerca de la pantalla, el aumento del campo magnético es menor que el que resulta de las ecuaciones anteriores.

NOTA 2. Los resultados de los cálculos son solamente válidos para distancias ds/1 > wm a la pantalla mallada.

En todos los casos se considera una corriente de rayo máxima de IO/MAX. = 100 kA. En ambas figuras
A.11 y A.12, el campo magnético H1/MAX. es el campo magnético máximo en un punto, deducido a par-
tir de sus componentes Hx, Hy, Hz.

H1/MAX. = H x2 + H y2 + H z2 (A.20)

En la figura A.11, H1/MAX. se calcula a lo largo de la línea recta que va desde el punto de impacto de la
descarga (x = y = 0, z = 10 m) y termina en el centro del volumen (x = y = 5 m, z = 5 m). H1/MAX. se re-
presenta como una función de la coordenada x para cada punto de esta línea, donde el parámetro es el
ancho de la malla wm de la pantalla.

En la figura A.12, H1/MAX. se calcula para dos puntos en el interior de la pantalla (punto A: x = y = 5 m,
z = 5 m; punto B: x = y = 3 m, z = 7 m). El resultado se representa como una función del ancho de la ma-
lla wm.

Ambas figuras muestran los efectos de los principales parámetros que influyen en la distribución del
campo magnético en el interior de una pantalla tipo malla: la distancia desde la pared o tejado, y el an-
cho de la malla.

En la figura A.11 debe observarse que a lo largo de otras líneas a través del volumen de la pantalla,
puede haber cruces con los ejes de cero y cambios de signo en los componentes del campo magnético
H1/MAX. Las fórmulas del apartado A.4.1.1 son, por tanto, aproximaciones de primer orden de la real y
más complicada distribución del campo magnético en el interior de una pantalla tipo malla.

A.4.3 Evaluación experimental del campo magnético producido por una descarga directa
Los campos magnéticos en el interior de las estructuras también pueden determinarse mediante medi-
das experimentales. La figura A.13 muestra una propuesta, empleando un generador de corriente de
rayo, de simulación de una descarga directa en un punto arbitrario de la estructura apantallada, Nor-
malmente, estos ensayos pueden realizarse a bajos niveles de corriente pero con una forma de onda de
la corriente simulada idéntica a la de la descarga real.

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Figura A.13a − Disposición de ensayo

Leyenda

U Típicamente, unos 10 kV
C Típicamente, unos 10 nF

Figura A.13b − Generador de corriente del rayo

Figura A.13 − Ensayo de bajo nivel para evaluar el campo

magnético en el interior de una estructura apantallada

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A.5 Cálculo de las tensiones y corrientes inducidas

A.5.1 Generalidades
Sólo se consideran bucles rectangulares tal como se indican en la figura A.14. Los bucles con distin-
tas formas deben transformarse en configuraciones rectangulares con la misma superficie de bucle.

Figura A.14 − Tensiones y corrientes inducidas en un bucle formado por líneas

A.5.2 Situación en el interior de una ZPR 1 en el caso de un impacto directo

El campo magnético H1 dentro del volumen VS de una ZPR 1 se calcula mediante la expresión (ver
A.4.1.1):

H1 = kh × I 0 × wm / (d w × d r ) ) (A/m) (A.21)

La tensión a circuito abierto UOC viene dada por:

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U OC = µo × b × ln (1 + l / d l/w ) × kh × ( wm / d l/r ) × dI 0 / dt (V) (A.22)

El valor pico UOC/MAX. se produce durante el tiempo de frente T1:

U OC/MAX. = µo × b × ln (1 + l / d l/w ) × kh × ( wm / d l/r ) I 0/MAX. / T1 ) (V) (A.23)

donde

µo es igual a 4 × π × 10-7 (Vs)/(Am);

b (m) es el ancho del bucle;

dl/w (m) es la distancia del bucle a la pared de la pantalla, siendo dl/w ≥ ds/1;

dl/r (m) es la distancia media del bucle al tejado de la pantalla;

I0 (A) es la corriente del rayo en la ZPR 0A;

I0/MAX. (A) es la corriente máxima del rayo en la ZPR 0A;

kh (1/ m ) es el factor de configuración kh = 0,01;

l (m) es el largo del bucle;

T1 (s) es el tiempo de frente de la corriente del rayo en ZPR 0A;

wm es el ancho de la malla de la pantalla.

La corriente de cortocircuito ISC viene dada por:

ISC = µo × b ln (1 + l / d l/w ) × kh × ( wm / dl/r ) × I 0 / LS ) (A) (A.24)

En la (A.24) que se desprecia la resistencia óhmica del cable (peor caso).

El máximo valor ISC/MAX. viene dado por la ecuación (A.25) siguiente:

ISC/MAX. = µo × b ln (1 + l / d l/w ) × kh × ( wm / d l/r ) × I 0/MAX. / LS ) (A) (A.25)

donde LS (H) es la autoinducción del bucle.

Para bucles rectangulares, la autoinducción LS puede calcularse mediante la (A.26) siguiente:

  
L = {0,8 × l 2 + b 2 − 0,8 × ( l + b ) + 0, 4 × l × ln ( 2 b / rc ) /  1 + 1+ ( b / l ) 2  
  
(A.26)
  2 
+ 0, 4 × b × ln  ( 2 l / rc ) /  1 + 1 + ( l / b )   } × 10 −6 (H)
  

donde rc es el radio del cable, en (m).

La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético del primer impacto positivo (T1 = 10 µs)
vienen dadas por:

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U OC/F/MAX. = 1, 26 × b × ln (1 + l / d l/ w ) × ( wm / d l/r ) × I F/MAX. (V) (A.27)

ISC/F/MAX. = 12, 6 ×10−6 × b × ln (1 + l / dl/w ) × ( wm / dl/r ) × I F/MAX. / LS (A) (A.28)

La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético del primer impacto negativo (T1 = 1 µs)
vienen dadas por las ecuaciones (A.29) y (A.30):

U OC/FN/MAX. = 1, 26 × b × ln (1 + l / d l/w ) × ( wm / d l/r ) × I FN/MAX. (V) (A.29)

ISC/FN/MAX. = 12, 6 ×10−6 × b × ln (1 + l / dl/w ) × ( wm / dl/r ) × I FN/MAX. / LS (A) (A.30)

La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético de los impactos subsiguientes (T1 = 0,25
µs) vienen dadas por las ecuaciones (A.31) y (A.32):

U OC/S/MAX. = 50, 4 × b × ln (1 + l / d l/w ) × ( wm / d l/r ) × IS/MAX. (V) (A.31)

ISC/S/MAX. = 12, 6 × 10−6 × b × ln (1 + l / dl/w ) × ( wm / dl/r ) × IS/MAX. / LS (A) (A.32)

donde
IF/MAX. (kA) es el valor máximo de la corriente del primer impacto positivo;

IFN/MAX. (kA) es el valor máximo de la corriente del primer impacto negativo;

IS/MAX. (kA) es el valor máximo de corriente de los impactos subsiguientes.

A.5.3 Situación en el interior de una ZPR 1 en el caso de un impacto cercano

El campo magnético H1 en el interior del volumen VS de la ZPR 1 se considera que es uniforme (ver
A.4.1.2).

La tensión a circuito abierto UOC viene dada por la ecuación (A.33):

U OC = µo × b × l × dH1 / dt (V) (A.33)

El valor cresta UOC/MAX. se produce en el instante T1, siendo:

U OC/MAX. = µo × b × l × H1/MAX / T1 (V) (A.34)

donde

µo es igual a 4π 10-7 (Vs)/(Am);

b (m) es el ancho del bucle;

H1 (A/m) es el campo magnético en ZPR 1 en función del tiempo;

H1/MAX. (A/m) es el campo magnético máximo en ZPR 1;

l (m) es el largo del bucle;

T1 (s) es el tiempo de frente del campo magnético, idéntico al tiempo de frente de la

corriente del rayo.

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La corriente de cortocircuito ISC viene dada por la (A.35):

ISC = µo × b × l × H1 / LS (A) (A.35)

donde se desprecia la resistencia óhmica del cable (peor caso).

El valor máximo ISC/MAX. viene dado por la (A.36):

ISC/MAX. = µo × b × l × H1/MAX. / LS (A) (A.36)

donde LS (H) es la autoinducción del bucle, (para calcular LS ver A.5.2).

La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético H1/F del primer impacto positivo (T1 = 10 µs)
vienen dadas por (A.37) y (A.38):

U OC/F/MAX. = 0,126× b × l × H1/F/MAX. (V) (A.37)

ISC/F/MAX. = 1, 26×10-6 × b × l × H1/F/MAX. / LS (A) (A.38)

La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético H1/FN del primer impacto negativo (T1 = 1 µs)
vienen dadas por (A.39) y (A.40):

U OC/FN/MAX. = 1, 26× b × l × H1/FN/MAX. (V) (A.39)

ISC/FN/MAX. = 1, 26×10-6 × b × l × H1/FN/MAX. / LS (A) (A.40)

La tensión y la corriente inducidas por el campo magnético H1/S de los impactos subsiguientes (T1 =
0,25 µs) vienen dadas por (A.41) y (A.42):

U OC/S/MAX. = 5, 04× b × l × H1/S/MAX. (V) (A.41)

ISC/S/MAX. = 1, 26×10-6 × b × l × H1/S/MAX. / LS (A) (A.42)

donde

H1/F/MAX. (A/m) es el máximo campo magnético en la ZPR 1 debido al primer impacto positivo;

H1/FN/MAX. (A/m) es el máximo campo magnético en la ZPR 1 debido al primer impacto negativo;

H1/S/MAX. (A/m) es el máximo campo magnético en la ZPR 1 debido a los impactos subsiguientes;

A.5.4 Situación en el interior de las LPZR 2 y superiores

El campo magnético Hn en el interior de LPZR n, para n ≥ 2 se considera que es homogéneo (ver
A.4.1.3).

Por tanto, para el cálculo de las tensiones inducidas y de las corrientes se aplican las mismas fórmulas
(A.4.1.2), sustituyendo H1 por Hn.

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Anexo B
(Informativo)

Implantación del SMPI en una estructura existente

B.1 Generalidades
No siempre, en estructuras ya existentes, es posible seguir el SMPI indicado en esta norma. Este anexo
trata de describir los puntos importantes a tener en cuenta y provee información sobre las medidas de
protección que no son obligatorias pero que ayuda a mejorar la protección total.

B.2 Lista de comprobación

En las estructuras existentes, las medidas de protección adecuadas contra los efectos del rayo necesi-
tan tomarse teniendo en cuenta la construcción, las condiciones de la estructura y los sistemas
eléctricos y electrónicos existentes.

Las listas de comprobación facilitan el análisis de los riesgos y la selección de las medidas de protec-
ción más adecuadas.

En particular, para las estructuras existentes, se deben realizar sistemáticamente diagramas relaciona-
dos con los conceptos de zonas, puestas a tierra, conexión equipotencial, trazado de las líneas y
apantallamiento.

Las listas de comprobación que se indican en las tablas B.1 a B.4 se deben emplear para recoger los
datos necesarios de la estructura existente y de sus instalaciones. En base a estos datos debe reali-
zarse, de acuerdo la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2, una evaluación del riesgo, a fin de determinar la
necesidad de protección y si es así, estimar el costo de las medidas de protección a utilizar.

NOTA 1. Para más información sobre la protección contra las interferencias electromagnéticas (IEM) en las instalaciones de los
[1]
edificios, ver la IEC 60364-4-44 .

Los datos recogidos por medio de las listas de comprobación son, también, útiles en el proceso del
diseño.

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Tabla B.1 − Características de las estructuras y de sus alrededores

a
Puntos Preguntas
1 ¿Mampostería, ladrillo, madera, hormigón armado, estructura metálica, fachada metálica?
2 ¿Una estructura única o bloques interconectados con juntas de expansión?
3 ¿Estructuras altas, bajas, planas? (dimensiones de la estructura)
4 ¿Barras de la armadura conectadas eléctricamente a través de la estructura?
5 ¿Clase, tipo y calidad de los materiales del tejado metálico?
6 ¿Las fachadas metálicas están equipotencializadas?
7 ¿Los marcos de las puertas y ventanas están equipotencializados?
8 ¿Tamaño de las ventanas?
9 ¿Está equipada la estructura con un SPCR externo?
10 ¿Tipo y calidad de este SPCR?
11 ¿Naturaleza del terreno (roca, arcilla)?
12 ¿Altura, distancia y puesta a tierra de las estructuras adyacentes?
a
Para información más detallada ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2.

Tabla B.2 − Características de la instalación

a
Puntos Preguntas
1 ¿Tipo de los servicios entrantes (subterráneos o aéreos)?
2 ¿Tipos de los aéreos (antenas u otros dispositivos externos?
3 ¿Tipo de alimentación eléctrica (alta tensión, baja tensión, aérea, subterránea)?
4 ¿Trazado de las líneas (número y situación de las guías y de los conductos de los cables?
5 ¿Utilización de conductos metálicos para los cables?
6 ¿Están los equipos electrónicos integrados en la estructura?
7 ¿Conexiones metálicas con otras estructuras?
a
Para información más detallada ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2.

Tabla B.3 − Características de los equipos

a, b
Puntos Preguntas
¿Tipo de interconexiones de los sistemas internos (cables multiconductores apantallados o sin
1 apantallar, cables coaxiales, analógicos y/o digitales, sequilibrados o no, cables de fibra óp-
a
tica)?
a, b
2 ¿Están especificados los niveles soportados por el sistema electrónico?
a
Para información más detallada ver la IRAM 2184-2 / AEA 92305-2.
b [4]
Para información más detallada véanse las ITU-T K.21 , IEC 61000-4-5, IEC 61000-4-9 e IEC 61000-4-10.

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Tabla B.4 − Otras preguntas a tener en cuenta en el concepto de protección

a
Puntos Preguntas
1 ¿Configuraciones del sistema eléctrico- TN (TN-S, TN-C o TN-c-S), TT o IT?
a
2 ¿Situación del equipo?
3 ¿Interconexión de los conductores de tierra de los equipos internos con la red equipoten-
cial?
a
Para información más detallada ver el anexo A.

B.3 Diseño de un SMPI en una estructura existente

El primer paso del diseño es trabajar con la lista de comprobación indicada en el capítulo B.2 y realizar
el análisis del riesgo.

Si el análisis indica que es necesario un SMPI, debe implementarse siguiendo los pasos indicados en
la figura B.1.

Asignar, a todos los lugares en los que se encuentran los equipos a proteger, las ZPR correspondien-
tes (ver 4.3).

La base del SMPI debe ser una red de apantallamiento interno y equipotencial. Esta red debe tener ma-
llas cuyos anchos no superen, en cualquier dirección, los 5 m. Si la disposición de la estructura no
permite la red de apantallamiento interno y equipotencial, debe instalarse en cada piso, como mínimo,
un anillo conductor en el interior de la pared exterior de la estructura. Este anillo conductor debe conec-
tarse a cada conductor de bajada del SPCR.

NOTA. Reajustar las medidas de apantallamiento en una estructura existente, frecuentemente resulta difícil y poco económico.
En este caso, el empleo de DPS es una alternativa efectiva.

B.4 Diseño de las medidas básicas de protección para las ZPR

B.4.1 Diseño de las medidas básicas de protección para la ZPR 1

Las medidas de protección deben basarse en la red de apantallamiento interno y equipotencial o en el
anillo conductor situado en el interior de la pared exterior, que normalmente es el límite de la ZPR 1. Si
la pared exterior no es el límite de la ZPR 1 y no es posible una red de apantallamiento interno y de
equipotencialización, debe colocarse un conductor en anillo en el límite de la ZPR 1. El conductor en ani-
llo tiene que estar conectado al conductor en anillo situado en la pared exterior, al menos, en dos puntos
que se encuentren lo más alejado posible entre ellos.

B.4.2 Diseño de las medidas básicas de protección para la ZPR 2

Las medidas de protección están basadas en la red de apantallamiento interno y equipotencial o en el
anillo conductor situado en el interior de la pared exterior. Si no es posible una red de apantallamiento
interno y de equipotencialización, se debe instalar un conductor en anillo en el límite de la ZPR 2. Si las
dimensiones de la ZPR 2 son mayores de 5 m × 5 m tiene que hacerse una subdivisión para crear ma-
llas que no superen los 5 m × 5 m. El anillo conductor tiene que estar conectado al anillo conductor de la
ZPR 1, al menos, en dos puntos que se encuentren los más alejado posible entre ellos.

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B.4.3 Diseño de las medidas básicas de protección para la ZPR 3

Las medidas de protección están basadas en la red de apantallamiento interno y equipotencial o en el
anillo conductor situado en el interior de la ZPR 2. Si no es posible una red de apantallamiento interno y
de equipotencialización, debe instalarse un conductor en anillo en el límite de cada ZPR 3. Si las di-
mensiones de la ZPR 3 son mayores de 5 m × 5 m tiene que hacerse una subdivisión para crear mallas
que no superen los 5 m × 5 m. El anillo conductor tiene que estar conectado al anillo conductor de la
ZPR 2, al menos, en dos puntos que se encuentren los más alejado posible entre ellos.

B.5 Instalación de un sistema de DPS coordinado

Debe diseñarse un sistema coordinado de DPS para proteger los cables que cruzan los límites de la
diferentes ZPR.

Las medidas adicionales mejorarán bastante la protección mediante la equipotencialización y el sis-

tema de los DPS.

El diseño de las bandejas de los cables, los cables situados en las escaleras y similares, tiene que me-
jorarse para conseguir un apantallamiento de esos cables.

Si es posible, deben tenerse en cuenta medidas adicionales para tener medidas de protección adiciona-
les a las ya aplicadas, tales como apantallamiento de las paredes, suelos, techos, (ver el capítulo 6).

Diseñar medidas para mejorar la interconexión entre la estructura objeto con otras estructuras (ver el
capítulo B.11).

En el caso en que se instalen nuevos sistemas en una estructura que ya tiene medidas de protección,
el proceso de diseño debe repetirse en la ubicación de estos sistemas internos.

El proceso continuo del diseño se ilustra en el diagrama de flujo (ver la figura B.1).

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Figura B.1 − Pasos para el diseño de un SPMI en una estructura existente

B.6 Mejora de un SPCR existente mediante el empleo del apantallamiento de la ZPR 1

Un SPCR existente (conforme con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3) alrededor de una ZPR 1 puede
mejorarse:

a) integrando las fachadas y los tejados metálicos existentes en el SPCR externo;

b) empleando las barras metálicas conductoras de la armadura desde la parte superior del tejado
hasta el sistema de puesta a tierra;

c) reduciendo el espacio de los conductores de bajada y el tamaño de la malla del sistema de capta-
ción a un valor inferior a 5 m;

d) instalando conexiones equipotenciales flexibles a través de las juntas de expansión entre bloques
armados adyacentes, pero estructuralmente separados.

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B.7 Establecimiento de las ZPR para los sistemas eléctricos y electrónicos

En función del número, tipo y sensibilidad de los sistemas eléctricos y electrónicos, se definen las ZPR
interiores apropiadas, desde pequeñas zonas locales (la envolvente de un equipo electrónico), hasta
grandes zonas (el volumen completo del edificio).

La figura B.2 muestra, en estructuras existentes, una distribución típica de ZPR, para proteger siste-
mas electrónicos con diferentes soluciones, y en particular:

La figura B.2a muestra la instalación de una sola ZPR 1, creando un volumen de protección en el inte-
rior del conjunto de la estructura, por ejemplo, para aumentar los niveles resistidos de tensión de los
sistemas electrónicos:

a) esta ZPR 1 podría crearse empleando un SPCR, formado por un SPCR externo (terminal de captu-
ra, conductor de bajada y sistema de puesta a tierra) y un SPCR interno (conexión equipotencial y
cumplimiento con las distancias de separación), de acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3;

b) el SPCR externo protege a la ZPR 1 contra las descargas sobre la estructura, pero el campo
magnético en el interior de la ZPR 1 permanece prácticamente sin atenuar. Esto es debido a que
los terminales de captura y los cables de bajada forman mallas cuyos anchos y distancias son supe-
riores a 5 m, por lo que el efecto de apantallamiento espacial es despreciable, como se indicó
anteriormente;

c) el ZPR interno requiere la conexión equipotencial de todos los servicios que entran en la estruc-
tura en el límite de la ZPR 1, incluyendo la instalación de DPS en todas las líneas de potencia y de
señales. De esta manera se asegura que las ondas transitorias conducidas por los servicios en-
trantes estén limitadas, a la entrada, por los DPS.

NOTA. Con el fin de evitar interferencias de baja frecuencia, las interfaces aislantes podrían ser útiles en la ZPR 1.

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Referencias
E Líneas de potencia
S Líneas de señal

Figura B.2a − ZPR 1 sin apantallar con empleo de SPCR y de DPS en las entradas de las
líneas en la estructura (por ejemplo, para aumentar el nivel resistida de tensión de los
sistemas de los sistemas o para bucles pequeños en el interior de la estructura)

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Referencias
E Líneas de potencia
S Líneas de señal

Figura B.2b − ZPR 1 sin apantallar con protección para los sistemas internos nuevos
mediante líneas de señal apantalladas y DPS coordinados en las líneas de potencia

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Referencias
E Líneas de potencia
S Líneas de señal

Figura B.2c − ZPR 1 sin apantallar y gran ZPR 2 apantallada para los nuevos sistemas internos

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Referencias
E Líneas de potencia
S Líneas de señal

Figura B.2d − ZPR 1 sin apantallar y dos ZPR 2 locales para los nuevos sistemas internos

Figura B.2 − Posibilidades de establecer ZPR en estructuras existentes

La figura B.2b muestra que en una ZPR 1 sin apantallar, los aparatos nuevos también necesitan prote-
gerse contra las ondas transitorias conducidas. Por ejemplo, las líneas de señal pueden protegerse
mediante cables apantallados y las líneas de potencia mediante DPS coordinados. Esto puede requerir
DPS adicionales, ensayados con IN y DPS ensayados con una onda combinada, instalados cerca de
los equipos, y coordinados con los DPS de la entrada del servicio. También puede requerir un equipo
Clase II "doble aislación" adicional.

La figura B.2c muestra la instalación de una gran ZPR 2 en el interior de una ZPR 1 para acomodar los
nuevos sistemas internos. El apantallamiento espacial de mallas de la ZPR 2 da una atenuación impor-
tante del campo magnético. En el lado izquierdo, los DPS instalados en el límite de la ZPR 1 (transición
ZPR 0/1) y consecuentemente, los instalados en el límite de la ZPR 2 (transición ZPR 1/2) deben coor-

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dinarse de acuerdo con la IEC 61643-12. En el lado derecho, los DPS instalados en el límite de la ZPR 1
deben seleccionarse para una transición directa ZPR 0/1/2 (ver C.3.5).

La figura B.2d muestra la instalación de dos pequeñas ZPR 2 en el interior de una ZPR 1. Se deben ins-
talar DPS adicionales tanto para las líneas de señal como para las de potencia en el límite de cada
ZPR 2. Estos DPS, de acuerdo con la IEC 61643-12, deben coordinarse con los DPS situados en el lími-
te de la ZPR 1.

B.8 Protección mediante una red equipotencial

El sistema de puesta a tierra existente para la frecuencia industrial puede no ser una superficie equipo-
tencial satisfactoria para las corrientes del rayo con frecuencias de hasta varios MHz, debido a que su
impedancia puede ser demasiado alta a esas frecuencias.

Incluso un SPCR diseñado de acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3, que permite anchos de ma-
lla mayores que el valor típico de 5 m y que incluye conexiones equipotenciales como parte obligatoria
en el SPCR interno, puede no ser suficiente para los sistemas internos. Esto es debido a que la impe-
dancia de este sistema equipotencial puede ser todavía muy alta para esta aplicación.

Se recomienda una red equipotencial de baja impedancia con un ancho de malla de 5 m o menor.

En general, la red equipotencial no se debe emplear como retorno, tanto de las líneas de potencia co-
mo de las de señales. Por esta razón el cable PE debe integrarse en la red equipotencial, pero no el
PEN.

Se permite la conexión equipotencial directa de un conductor de tierra (por ejemplo, una tierra limpia
específica de un sistema electrónico) a una red equipotencial de baja impedancia, porque en este caso
el acoplamiento por interferencias en los cables eléctricos o de señal será muy bajo. No se permite la
conexión directa equipotencial al cable PEN, o a otras partes metálicas conectadas a él, para impedir
interferencias de frecuencia industrial en el sistema electrónico.

B.9 Protección mediante dispositivos de protección contra sobretensiones

Para limitar las ondas transitorias producidas por el rayo y conducidas por las líneas eléctricas, los DPS
deben instalarse a la entrada de cualquier ZPR interior (ver la figura B.2 y la figura B.8, nº 3).

En edificios con DPS sin coordinación, pueden producirse daños en los sistemas internos si un DPS
situado aguas abajo o un DPS situado en el propio equipo impiden la operación adecuada del DPS
situado a la entrada del servicio.

Con el fin de mantener la efectividad de las medidas de protección adoptadas, es necesario documentar
la situación de todos los DPS instalados.

B.10 Protección mediante interfaces aislantes

Las interferencias por corrientes a frecuencia industrial, tanto a través de los equipos como a través de
sus líneas de señales conectadas, pueden estar motivadas por grandes bucles o por la ausencia de
una impedancia suficientemente baja en la red equipotencial. Para impedir estas interferencias (princi-
palmente en instalaciones TN-C), la separación adecuada entre las instalaciones antiguas y las
nuevas, puede conseguirse mediante interfaces aislantes, tales como:

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a) equipos aislados de Clase II (por ejemplo, doble aislación sin conductor PE);

b) transformadores de aislación;

c) cables no metálicos de fibra óptica;

d) acopladores ópticos.

NOTA. Debe verificarse detenidamente que las envolturas metálicas no tienen conexiones galvánicas accidentales con la red
equipotencial o con otras partes metálicas de las que deben estar aisladas. Esta es la situación en la mayoría de los casos, ya
que los equipos electrónicos instalados en viviendas u oficinas están conectados a la tierra de referencia solamente por los ca-
bles de conexión.

B.11 Medidas de protección mediante el trazado y el apantallamiento de las líneas

Un trazado y un apantallamiento apropiado de las líneas son medidas efectivas para reducir las sobre-
tensiones inducidas. Estas medidas son especialmente importantes si la eficacia del apantallamiento
espacial de la ZPR 1 es despreciable. En este caso, los siguientes principios dan una mejor protección:

a) minimizar el área de los bucles de inducción;

b) evitar que la alimentación eléctrica de los nuevos equipos se produzca por las canalizaciones exis-
tentes, ya que puede dar lugar a grandes superficies de inducción, lo que aumenta, de manera
importante, el riesgo de falla de la aislación. Además, el trazado de las líneas eléctricas y de señal
adyacentes las unas a las otras puede impedir la formación de grandes bucles (ver la figura B.8, nº
8);

c) emplear cables apantallados: las pantallas de las líneas de señal deben conectarse en sus dos
extremos a la red equipotencial;

d) emplear conductos metálicos para cables o placas metálicas conectadas equipotencialmente – las
secciones metálicas separadas se deben interconectar eléctricamente en todo su largo y en ambos
extremos. Las conexiones deben realizarse mediante pernos, superponiendo las partes, o em-
pleando conductores equipotenciales. Con el fin de mantener baja la impedancia del conducto de
los cables, a lo largo del perímetro del conducto deben distribuirse varios tornillos o tiras (ver la
IEC 61000-5-2)[6].

En las figuras B.3 y B.4 se dan ejemplos de una buena técnica de trazado y apantallamiento.

NOTA. Cuando la distancia entre las líneas de señal y los equipos electrónicos en las zonas generales (no designadas específi-
camente para sistemas electrónicos) es superior a 10 m, se recomienda emplear líneas de señales equilibradas con puertos
aislados galvánicamente, por ejemplo, con acopladores ópticos, transformadores de aislación de señal o amplificadores de ais-
lación. Además, puede ser ventajoso el empleo de cables triaxiales.

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Referencias
1 PE, sólo cuando se empleen equipos de Clase I
2 La pantalla opcional del cable necesita conectarse equipotencialmente en los dos extremos
3 Placa metálica como pantalla adicional (ver la figura B.4)
4 Bucle de pequeña superficie

NOTA Al ser la superficie del bucle pequeña, también lo es la tensión inducida entre la pantalla del cable y la placa metá-
lica.

Figura B.3 − Reducción de la superficie de un bucle empleando

cables apantallados próximos a una placa metálica

Referencias
1 Fijación del cable con o sin conexión equipotencial de la pantalla del cable a la placa
2 El campo magnético es mayor en los bordes que en la mitad de la placa
E Líneas eléctricas
S Líneas de señal

Figura B.4 − Ejemplo de una placa metálica como pantalla adicional

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B.12 Medidas de protección para equipos instalados en el exterior

B.12.1 Generalidades
Ejemplos de estos equipos instalados exteriormente son: los sensores de cualquier tipo, incluyendo an-
tenas, sensores metereológicos, cámaras de TV de vigilancia, sensores expuestos en plantas de
procesos (presión, temperatura, caudal, posición de válvula, etc.) y cualquier otro equipos de radio, eléc-
trico o electrónico situado en el exterior sobre estructuras, mástiles o depósitos de proceso.

B.12.2 Protección del equipo externo

Siempre que sea posible, el equipo se debe poner bajo la protección de la ZPR 0B empleando, por
ejemplo, un terminal de captor local que lo proteja de las descargas directas (ver la figura B.5).

En estructuras altas, debe aplicarse el método de la esfera rodante (ver la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3)
para determinar si los equipos instalados en la parte superior o en los lados del edificio son posible obje-
to de una descarga directa. En ese caso, deben emplearse captores adicionales. En muchos casos, las
barandillas, escaleras, tuberías, etc. pueden realizar adecuadamente la función de un captor. Todos los
equipos pueden protegerse de esta manera, salvo algunos tipos de antenas. Algunas veces las antenas
tienen que colocarse en lugares expuestos para que su funcionamiento no se vea afectado por los con-
ductores de rayos próximos. Algunos diseños de antenas están inherentemente autoprotegidos porque
solamente algunos elementos conductores, bien conectados a tierra, están expuestos a la descarga del
rayo. Otros podrían necesitar DPS en sus cables de alimentación para impedir la circulación de transito-
rios excesivos por el cable hasta los receptores o emisores. Cuando hay un SPCR externo los soportes
aéreos deben conectarse equipotencialmente a él.

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Referencias
1 Varilla de captura
2 Mástil metálico con antenas
3 Barandilla
4 Armaduras interconectadas
5 Línea que viene de ZPR 0B y necesita un DPS a la entrada
6 Las líneas que vienen de la ZPR 1 (interior del mástil) pueden no necesitar un DPS a la entrada
r Radio de la esfera rodante

Figura B.5 − Protección de antenas y otros equipos externos

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B.12.3 Reducción de las sobretensiones en los cables

Las altas tensiones y las corrientes inducidas pueden evitarse instalando los cables en conductos, cana-
lizaciones o tuberías metálicos, conectados equipotencialmente. Todos los cables correspondientes a un
equipo específico deben salir del conducto por un solo punto. Si es posible, las propiedades de apanta-
llamiento inherentes a la estructura se deben emplear al máximo haciendo que los cables vayan dentro
de los componentes tubulares de la estructura. Si esto no es posible, como en el caso de los depósitos
de proceso, los cables deben ir exteriormente pero próximos a la estructura haciendo todo lo posible pa-
ra que las tuberías metálicas, los travesaños de las escaleras de acero y cualesquiera otros materiales
metálicos conectados equipotencialmente, hagan de pantalla natural (ver la figura B.6). En los mástiles
formados por perfiles metálicos en L, los cables deben colocarse, para su máxima protección, en el án-
gulo de la L (ver la figura B.7).

Referencias
1 Depósito de proceso
2 Escalera
3 Tuberías

NOTA A, B o C son buenas alternativas para colocar las bandejas de cables.

Figura B.6 − Pantalla natural provista por escaleras y tuberías equipotenciales

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Referencias
1 Posiciones ideales de los cables en las esquinas de las vigas en L
2 Posición alternativa para bandeja equipotencial de cables dentro el mástil

Figura B.7 − Posiciones ideales de línea en un mástil (sección de un mástil de acero en celosía)

B.13 Mejora de las interconexiones entre estructuras

B.13.1 Generalidades
Las líneas que interconectan estructuras separadas pueden ser:

a) aislantes (cables de fibra óptica no metálicos); o

b) metálicas (por ejemplo, pares de cable, multicables, guía de ondas, cables coaxiales o cables de
fibra óptica con componentes metálicos continuos).

Los requisitos de protección dependen del tipo de línea, del número de líneas y de si los sistemas de
puesta a tierra de las estructuras están interconectados.

B.13.2 Líneas aisladas

Si se emplean para interconectar estructuras separadas cables de fibra óptica sin parte metálica (es de-
cir, sin armadura metálica, sin barrera antihumedad o cable guía interno de acero), no se necesitan
medidas de protección para este tipo de cables.

B.13.3 Líneas metálicas

Sin una adecuada interconexión entre los sistemas de puesta a tierra de las estructuras separadas, las
líneas de interconexión forman un camino de baja impedancia para las corrientes del rayo. Esto puede
dar lugar a que una parte importante de la corriente del rayo circule por estas líneas de interconexión.
En este caso:

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a) la conexión equipotencial requerida a la entradas de ambas ZPR 1, bien directamente o bien por
medio de DPS, sólo protegerá a los equipos que se encuentran en el interior, mientras que las lí-
neas en el exterior siguen sin estar protegidas;

b) las líneas pueden protegerse colocando un conductor adicional equipotencial en paralelo. De esta
manera, la corriente del rayo se distribuye entre las líneas y este conductor;

c) se recomienda que las líneas se dispongan en conductos metálicos cerrados e interconectados.

En este caso están protegidos tanto las líneas como los equipos.

Donde se implementen interconexiones apropiadas entre los terminales de tierra de las estructuras
separadas, también se recomienda la protección de las líneas mediante conductos metálicos interco-
nectados. Donde haya muchos cables entre las estructuras interconectadas pueden utilizarse, en lugar
de los conductos metálicos, las pantallas o las armaduras de estos cables, conectados equipotencial-
mente en cada extremo.

B.14 Integración de los sistemas electrónicos nuevos en las estructuras existentes

Cuando se añaden sistemas internos nuevos a una estructura existente, las instalaciones existentes
pueden restringir las medidas de protección a emplear.

La figura B.8 muestra un ejemplo en el que una instalación existente, situada a la izquierda, se interco-
necta con una instalación nueva, situada a la derecha. La instalación existente tiene restricciones en las
medidas de protección que pueden emplearse. Sin embargo, el diseño y la planificación de la instalación
nueva pueden permitir adoptar todas las medidas de protección necesarias.

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Referencias
1 Instalaciones existentes (TN-C, TT, IT) E Líneas eléctricas
2 Instalaciones nuevas (TN-S, TN-CS, TT, IT) S Líneas de señal (apantalladas o no apantalladas)
3 Dispositivo de protección contra sobretensiones (DPS) ET Sistema de tomas de tierra
4 Aislación normalizado clase I BN Red equipotencial
5 Doble aislación clase II sin PE PE Conductor de tierra de protección
6 Transformador de aislación FE Conductor de tierra funcional (eventual)
7 Opto acoplador o cable de fibra óptica Línea de 3 conductores: L, N, PE
8 Trazado adyacente de las líneas de señal y eléctrica Línea de 2 conductores: L, N
9 Conductos apantallados para cables • Puntos de conexión equipotencial (PE, FE, BN)

Figura B.8 − Mejora del SMPI en estructuras existentes

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B.15 Síntesis de las posibles medidas de protección

B.15.1 Alimentación de potencia

La alimentación existente en la estructura (ver la figura B.8, nº 1) frecuentemente es del tipo TN-C, y
puede producir interferencias a la frecuencia de la red. Estas interferencias pueden evitarse mediante
interfaces aislantes (ver más abajo).

Si se instala una nueva alimentación (ver la figura B.8, nº 2), se recomienda el tipo TN-S.

B.15.2 Dispositivos de protección contra sobretensiones

Para controlar las ondas transitorias conducidas por las líneas, a la entrada de cualquier ZPR y, posi-
blemente en el equipo a proteger, se deben instalar DPS (ver la figura B.8, nº 3 y la figura B.2).

B.15.3 Interfaces aislantes

Para impedir las interferencias, pueden emplearse interfaces aislantes entre el equipo existente y el
nuevo: Aislación Clase II (ver la figura B.8, nº 5), transformadores de aislación (ver la figura B.8, nº
6), cables de fibra óptica o acopladores ópticos (ver la figura B.8, nº 7).

B.15.4 Trazado de las líneas y apantallamiento

Los grandes bucles en el trazado de las líneas podrían producir tensiones y corrientes inducidas muy
grandes. Esto puede evitarse haciendo que el trazado de las líneas eléctricas y de señales se encuen-
tren adyacentes (ver la figura B.8, nº 8), disminuyendo, por tanto, el área del bucle. Se recomienda
emplear cables de señales apantallados. En estructuras amplias también se recomienda apantallamien-
tos adicionales, como por ejemplo mediante conductos metálicos conectados equipotencialmente (ver la
figura B.8, nº 9). Todas las pantallas deben conectarse equipotencialmente en ambos extremos.

Las medidas de trazado y apantallamiento de línea son tanto más importantes cuanto menor es la
eficacia del apantallamiento espacial de la ZPR 1, y cuanto mayor la superficie del bucle.

B.15.5 Apantallamiento espacial

El apantallamiento espacial de una ZPR contra los campos magnéticos requiere un ancho de malla
inferior a 5 m.

Una ZPR 1 formada por un SPCR externo de acuerdo con la IRAM 2184-3 / AEA 92305-3 (terminal de
captura, conductor de bajada, sistema de puesta a tierra) tiene, normalmente, mallas con achos y dis-
tancias superiores a los 5 m, por lo que resultan inoperantes a los efectos de apantallamiento. Si se
requiere una mayor efectividad en el apantallamiento, el SPCR externo debe mejorarse (ver el capítulo
B.4).

Las zonas ZPR 1 y superiores pueden necesitar apantallamiento espacial para proteger los sistemas in-
ternos que no cumplan con los requisitos de emisión en radiofrecuencia y de inmunidad.

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B.15.6 Conexión equipotencial

La conexión equipotencial para corrientes de rayo con frecuencias de hasta varios MHz requiere una red
equipotencial mallada de baja impedancia, con un ancho de malla de 5 m. Todos los servicios entrantes
a la ZPR deben conectarse equipotencialmente, tan cerca como sea posible del límite de la ZPR, bien
directamente, o bien por medio de un DSP.

Si en una estructura existente no se pueden cumplir estas condiciones, deben preverse otras medi-
das de protección apropiadas.

B.16 Mejora de la alimentación y de la instalación de los cables en el interior de la estructura

Frecuentemente, en estructuras antiguas el sistema de distribución de potencia (ver la figura B.8, nº
1) es el TN-C. Las interferencias a 50/60 Hz que provienen de la conexión con el conductor PE de las
líneas de señal conectadas a tierra, puede evitarse mediante:

a) interfaces aislantes empleando equipos eléctricos de Clase II o transformadores con doble aisla-
ción. Esta puede ser una solución si sólo hay unos pocos equipos electrónicos (ver el capítulo
B.5);

b) cambiando el sistema de distribución a TN-S (ver la figura B.8, nº 2). Esta solución está recomen-
dada especialmente para sistemas de equipos electrónicos de gran extensión.

Se deben cumplir todos los requisitos de puesta a tierra, conexión equipotencial y trazado de las lí-
neas.

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Anexo C
(Informativo)

Selección y coordinación de los DPS

C.1 Introducción
Las descargas de los rayos en una estructura (fuente de daño S1), cerca de la estructura (S2), en un ser-
vicio conectado a la estructura (S3) y cerca de un servicio conectado a la estructura (S4) pueden producir
fallas o mal funcionamiento de los sistemas internos (ver 5.1 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).

Este anexo da información sobre la selección, instalación y coordinación del sistema de DPS. Puede
encontrarse información adicional en la IEC 61643-12 y en la IEC 60364-5-53 que tratan sobre la pro-
tección contra las sobrecorrientes y sus consecuencias, en el caso en que falle un DPS.

La falla debido a las ondas transitorias cuyo valor excede el nivel de inmunidad del equipo electrónico
no está cubierto en el objeto y campo de aplicación de la serie de IRAM 2184 / AEA 92305. Para el tra-
tamiento de este punto, el lector debe dirigirse a la IEC 61000-4-5.

Sin embargo, las ondas transitorias de los rayos producen, frecuentemente, fallas de los sistemas
eléctricos y electrónicos debido a la falla de la aislación o cuando las sobretensiones sobrepasan el ni-
vel de aislación en modo común del equipo.

El equipo está protegido si el nivel de la tensión nominal de impulso UW en sus terminales (modo co-
mún) es mayor que la sobretensión transitoria entre los cables y tierra. Si no es así, debe instalarse
un DPS.

Este DPS protegerá al equipo si su nivel efectivo de protección UP/F (nivel de protección obtenido
cuando la corriente nominal de descarga In circula añadiendo una caída de tensión ∆U a los conduc-
tores de conexión) es más bajo que UW. Debe indicarse que si la corriente de descarga en el punto
donde está instalado el DPS excede el valor In del DPS, el nivel de protección UP será mayor, y el UP/F
puede superar el nivel resistido del equipo UW. En este caso el equipo no está protegido. De aquí que la
corriente nominal In del DPS debe seleccionarse igual o, mayor, que la corriente de descarga que pue-
de esperarse en ese punto de la instalación.

La probabilidad de que un DPS con UP/F ≤ UW no proteja adecuadamente al equipo para el que se ha
seleccionado, es igual a la probabilidad de que la corriente de descarga en el punto en que se encuen-
tra instalado el DPS supere al valor de la corriente para el que se ha determinado UP.

La evaluación de las corrientes que se esperan en diferentes puntos de la instalación se indica en el

anexo E de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 y está basada en el NPR que se indica en la IRAM 2184-2 /
AEA 92305-2. Se requiere un análisis completo sobre la distribución de la corriente cuando se considera
el caso S1. El anexo D de esta norma da información adicional.

Se debe indicar que la selección de un DPS con valor bajo de UP (comparado con el del equipo UW) da
lugar a un menor esfuerzo en el equipo que puede no dar lugar a una menor probabilidad de daño,
aunque sí a una mayor vida útil.

En la tabla B.3 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1 se indican los valores de las probabilidades PDPS
en función del NPR.

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NOTA. Los valores PDPS de los DPS que tienen mejores características de protección pueden determinarse a partir de la carac-
terística tensión-corriente.

Finalmente, si se desea una efectiva coordinación de los DPS, es importante aplicar la protección
tanto a los circuitos de potencia como de señal.

C.2 Selección de los DPS

C.2.1 Selección con respecto al nivel de protección de tensión

La selección del nivel de protección adecuado de un DPS depende de:

− la tensión resistida a impulso UW del equipo a proteger;

− el largo de los conductores que conectan el DPS;

− el largo y el trazado del circuito entre el DPS y el equipo a proteger.

La tensión resistida a impulso UW del equipo a proteger debe definirse para:

− los equipos conectados a las líneas de potencia, según las IEC 60664-1 e IEC 61643-12,

− los equipos conectados a las líneas de telecomunicación, según las IEC 61643-22, ITU-T K.20[3] y
K.21[4] y K.45[5],

− otras líneas y los terminales de los equipos según la información facilitada por el fabricante.

NOTA 1. El nivel de protección Up de un DPS está relacionado con la tensión residual para una corriente nominal definida In. Pa-
ra corrientes superiores o inferiores que pasen por el DPS, el valor de la tensión en los bornes del DPS cambiará de manera
acorde.

NOTA 2. El nivel de protección UP debe compararse con el nivel resistido UW del equipo, ensayado en las mismas condiciones
que el DPS (forma de onda de tensión y de corriente, energía, alimentación del equipo, etc.). Este tema está en estudio en
la IEC.

NOTA 3. Los equipos pueden contener DPS. Las características de estos DPS internos pueden afectar a la coordinación.

Cuando un DPS se conecta a un equipo a proteger, la caída de tensión inductiva ∆U en los conducto-
res de conexión se sumará al nivel de protección UP del DPS. El nivel de protección resultante, UP/F,
definido como la tensión en la salida del DPS es el resultado del nivel de protección más la caída de
tensión en las conexiones (ver la figura C.1), y puede valorarse de la manera siguiente:

UP/F = Up + ∆U para los DPS limitadores de tensión;

UP/F = máx. (Up, ∆U) para los DPS de corte de tensión.

NOTA 4. Algunos DPS de corte de tensión pueden requerir que se añada a ∆U , la tensión del arco. Esta tensión de arco pue-
de ser de algunos cientos de volts. Para combinaciones de DPS, pueden necesitarse fórmulas más complejas.

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Cuando el DPS se instala en la línea de entrada en la estructura, debe considerarse ∆U = 1 kV por me-
tro de largo. Cuando el largo de los conductores de conexión es menor o igual a 0,5 m, debe tomarse
UP/F = 1,2 × UP. Cuando el DPS está sometido solo a ondas transitorias inducidas la ∆U puede despre-
ciarse.

Durante el funcionamiento del DPS, la tensión entre los terminales del DPS está limitada a UP/F. Si el
largo del circuito entre el DPS y el equipo es muy larga, las ondas transitorias pueden producir un fenó-
meno de oscilación en el caso de un circuito abierto en los terminales de los equipos, pudiendo alcanzar
la sobretensión hasta 2 × UP/F, y pudiendo fallar el equipo incluso si UP/F ≤ UW.

En las IEC 61643-12 e IEC 60364-5-53, puede encontrarse información sobre conexión de los con-
ductores, configuraciones y niveles de los fusibles.

Además, las descargas de los rayos en la estructura o en tierra cerca de ella, pueden inducir, en el bu-
cle formado por el DPS y el equipo, una sobretensión Ul que hay que sumar a la UP/F, reduciéndose la
eficacia de la protección del DPS. Las sobretensiones inducidas aumentan con el tamaño del bucle
(trazado de la línea: largo del circuito, distancia entre el conductor PE y los conductores activos, bucles
entre líneas de potencia y de señal) y disminuye con la atenuación del campo magnético (apantalla-
miento espacial y/ó apantallamiento de las líneas).

NOTA 5. Para la evaluación de la sobretensión inducida Ul, se aplica el capítulo A.4.

Los sistemas internos están protegidos si:

a) hay coordinación de energía con los DPS situados aguas arriba;

b) se cumple una de estas tres condiciones:

1) UP/F ≤ UW: cuando el largo del circuito entre el DPS y el equipo es despreciable (caso típico de un
DPS conectado en los terminales del equipo);

2) UP/F ≤ 0,8 UW; cuando el largo del circuito entre el DPS y el equipo no excede de 10 m (caso típi-
co de un DPS instalado en un armario de distribución o en un enchufe);

NOTA 6. Cuando las fallas de los sistemas internos pueden producir pérdidas de vidas humanas o perdida de un servicio públi-
co, debe considerarse la duplicación de la tensión debido a las oscilaciones y emplear como criterio UP/F ≤ UW/2.

3) UP/F ≤ (UW – Ul)/2; cuando el largo del circuito entre el DPS y el equipo es mayor que 10 m (caso
típico de un DPS instalado a la entrada de una estructura y en algunos casos en un armario de
distribución);

NOTA 7. En líneas de telecomunicación apantalladas, pueden aplicarse diferentes requisitos, debido a la pendiente del frente de
[7]
la onda. En el capítulo 10 del manual sobre rayos ITU-T se encuentra información sobre este tema.

Si existe el apantallamiento espacial de la estructura (o de las habitaciones) y/o de las líneas (mediante
el empleo de cables apantallados o conductos metálicos), las sobretensiones inducidas Ul normalmente
son despreciables, pudiéndose no tener en cuenta en muchos casos.

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Referencias
I Corriente parcial del rayo
Ul Sobretensión inducida
UP/F = UP + ∆U Tensión de impulso entre el conductor activo y la barra equipotencial
UP Tensión limitada por el DPS
∆U = ∆UL1+∆UL2 Caída de tensión inducida en los conductores equipotenciales
H, dH/dt Campo magnético y su derivada en el tiempo

NOTA. La tensión de onda transitoria UP/F, entre el conductor activo y la barra equipotencial es superior al nivel de protección Up
del DPS, debido a la caída de tensión inductiva ∆U en los conductores de equipotencialidad (incluso si los valores máximos de
UP y de ∆U no aparecen necesariamente a la vez). Así, la corriente parcial del rayo que pasa por el DPS induce tensiones adi-
cionales en el bucle en el lado protegido, detrás del DPS. Por lo tanto, la tensión máxima que pone en peligro a los equipos
puede ser bastante más alta que el nivel de protección Up del DPS.

Figura C.1 − Ondas de transitorias entre el conductor activo y la barra equipotencial

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C.2.2 Selección en función de la localización y la corriente de descarga

Los DPS deben soportar, de acuerdo con el anexo E de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1, la corriente de
la descarga esperada en el lugar de la instalación. La utilización de los DPS depende de su resistencia,
capacidad que viene determinada para los sistemas de potencia en la IEC 61643-1 y para los siste-
mas de telecomunicación en la IEC 61643-21.

La selección de la corriente nominal de descarga está influída por el tipo de configuración de la conexión
y por el tipo de la red de distribución de potencia. En las IEC 61643-12 e IEC 60364-5-53 pueden encon-
trarse más información sobres estos temas.

Los DPS se deben seleccionar en función del punto en que se desean instalar, de la siguiente manera:

a) A la entrada de la línea en la estructura (en el límite de la ZPR 1, por ejemplo, en el tablero de distri-
bución principal):

1) DPS ensayados con Iimp (ensayo de Clase I)

El impulso de corriente requerido Iimp del DPS debe preverse para la corriente (parcial) del
rayo esperada en el punto de la instalación, en base al NPR seleccionado, según el capítulo
E.2 (fuente de daño S1) y/o el apartado E.3.1 (fuente del daño S3) de la IRAM 2184-1 / AEA
92305-1.

2) DPS ensayados con In (ensayo de Clase II)

Este tipo de DPS puede emplearse cuando las líneas entrantes se encuentran totalmente en la
ZPR 0B o cuando la probabilidad de fallas de los DPS debidos a las fuentes de daños S1 y S3
puede despreciarse. La corriente nominal de descarga requerida In del DPS debe preverse pa-
ra el nivel de la onda transitoria esperada en el punto de la instalación, en base al NPR y las
sobrecorrientes correspondientes, según el apartado E.3.2 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.

NOTA 1. El riesgo de falla de los DPS por causa de las fuentes de daño S1 y S3 pueden despreciarse, si el número total de
descargas en la estructura (ND) y en la líneas (NL) cumple con la condición ND + NL ≤ 0,01.

b) Cerca del aparato a proteger (en el límite de la ZPR 2 o superior, por ejemplo, en un tablero de dis-
tribución secundario o en una toma de corriente):

1) DPS ensayados con In (ensayo Clase II)

La corriente nominal de la descarga requerida In del DPS debe preverse para el nivel de la
onda transitoria esperada en el punto de instalación, en base al NPR seleccionado y a las
sobrecorrientes correspondientes, según el capítulo E.4 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.

NOTA 2. En ese punto puede emplearse un DPS que cumpla con las características de ensayos de la clase I y de la
clase II.

2) DPS ensayados con una onda combinada UOC (ensayo de Clase III)

Este tipo de DPS puede usarse cuando las líneas entrantes se encuentran totalmente en la
ZPR 0B o cuando la probabilidad de fallas de los DPS debidos a las fuentes de daños S1 y S3
puede despreciarse. La tensión del DPS requerida a circuito abierto UOC (para la que puede de-
terminarse la corriente de cortocircuito ISC, ya que el ensayo clase III se realiza con un
generador de onda combinada de 2 Ω de impedancia) debe seleccionarse para el nivel de la

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onda transitoria esperado en el punto de la instalación, en base al NPR y las sobrecorrientes

correspondientes, según el capítulo E.4 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1.

C.3 Instalación de un sistema de DPS coordinado

C.3.1 Generalidades
La eficacia de un sistema de DPS coordinado no solamente depende de la selección apropiada de los
DPS sino también de su instalación correcta. Los aspectos a tener en cuenta incluyen:

− situación de DPS;

− conductores de conexión.

C.3.2 Punto de colocación de los DPS

El punto de instalación de los DPS debe cumplir con el apartado C.2.2 y está afectado en primer lu-
gar por:

− la fuente específica del daño, por ejemplo, descargas en una estructura (S1), en una línea (S2), a tie-
rra cerca de una estructura (S3), o a tierra cerca de una línea (S4),

− la oportunidad más próxima para dispersar la corriente a tierra (lo más cerca posible al punto de en-
trada de una línea en la estructura).

El primer criterio a tener en cuenta es: cuanto más próximo al punto de entrada de la línea se encuentre
el DPS, mayor número de aparatos situados en la estructura estarán protegidos por el DPS (criterio
económico). Después debe realizarse el segundo criterio: cuanto más próximo al equipo a proteger se
encuentre el DPS, más efectiva será la protección (criterio técnico).

C.3.3 Conductores de conexión

La sección de los cables de conexión de los DPS debe tener una sección mínima a la que se indican
en la tabla 1.

C.3.4 Coordinación de los DPS

En un sistema de DPS coordinados, la cascada de los DPS necesita coordinarse en energía de
acuerdo con las IEC 61643-12 y/o IEC 61643-22. Con este fin, el fabricante debe dar información sufi-
ciente para conseguir la coordinación por energía de los DPS.

C.3.5 Procedimiento de instalación de un sistema de DPS coordinados

Un sistema de DPS coordinados debe instalarse de la forma siguiente:

− A la entrada de la línea en la estructura (en la frontera de la ZPR 1, por ejemplo, en el armario de

control) instalar un SPD1 que cumpla con los requisitos del apartado C.2.2.

− Determinar el nivel de tensión resistida a impulso, UW, del sistema interno a proteger.

− Seleccionar el nivel de protección, UP1, del DPS 1.

− Comprobar que se cumplen los requisitos del apartado C.2.1.

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Si se cumplen estos requisitos, el equipamiento está correctamente protegido por el DPS 1. En caso
contrario, se necesitaría un DPS 2 adicional.

− Si es necesario este DPS 2, se instalará lo más cerca posible del equipo (en el límite de la ZPR 2, por
ejemplo en los puntos SB o SA) debiendo cumplir con los requisitos del apartado C.2.2 y estando
coordinado en energía con el DPS 1 situado aguas arriba.

− Seleccionar el nivel de protección UP2 del DPS 2.

− Comprobar que se cumplen los requisitos del apartado C.2.1.

Si se cumplen estos requisitos, el equipamiento está correctamente protegido por DPS 1 y DPS 2.

− Además, cerca del equipo (por ejemplo, en el enchufe SA), se necesitan DPS 3 adicionales que
cumplan los requisitos del apartado C.2.2 y estén coordinados en energía con los DPS 1 y DPS 2,
situados aguas arriba (ver C.2.3).

− Comprobar que se cumple que UP/F3 ≤ UW (ver C.2.1).

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Anexo D
(Informativo)

Factores a tener en cuenta en la selección de los DPS

D.1 Introducción
Iimp, Imax. e In son los parámetros de ensayo empleados en los ensayos de las clases I y clases II. Están
relacionadas con los valores máximos de las corrientes de las descargas que se espera que ocurran
para el nivel de probabilidad del NPR, en el punto de instalación del DPS en el sistema. Imax. está aso-
ciada con el ensayo de la clase II e Iimp con el de clase I.

De acuerdo con la futura IEC 61643-11[8], los valores preferenciales de Iimp, Q, W/R son los que se
indican en la tabla D.1.

Tabla D.1 − Valores preferentes de Iimp

a

b
Iimp c
1 2 5 10 12,5 20 25
kA
c
Q (C) 0,5 1 2,5 5 6,25 10 12,5
c
W/R (kJ/Ω) 0,25 1 6,25 25 39 100 156
a
La tabla D.1 hace referencia a los DPS conectados línea/neutro (conexión CT 1).
b
En general Iimp está asociada con formas de ondas más largas (por ejemplo 10/350 µs) que las de
Imax.
c
Ver la IEC 60364-5-53:2001.

D.2 Factores que determinan los esfuerzos soportados por los DPS
El esfuerzo a que está sometido un DPS bajo las condiciones de las ondas transitorias, es función de
muchos y complejos parámetros interrelacionados. Estos incluyen:

− situación del DPS en la estructura – ver la figura D.1;

− método de acoplamiento del impacto del rayo a las instalaciones (ver la figura D.2) – por ejemplo,
vía un impacto directo a SPCR de la estructura (S1), o vía inducción en el cableado que entra en
el edificio por un impacto cercano (S2), o en los servicios que alimentan a la estructura (S3 y S4);

− distribución de la corriente en la estructura – por ejemplo, ¿qué porción de la corriente del rayo va al
sistema de puesta a tierra y que porción se distribuye por tierras remotas vía servicios que entran en
la estructura, tales como sistemas de distribución de potencia, tuberías metálicas, sistemas de tele-
comunicación, etc., y por las conexiones equipotenciales de los DPS?;

− la resistencia y la inductancia de los servicios que entran en la estructura, ya que qué modifican las
relaciones de distribución de la corriente de cresta I y la carga Q;

− servicios metálicos adicionales y conectados a las instalaciones – portarán una parte de la corriente
del rayo, reduciendo la porción de la corriente que circula a través del sistema de distribución, vía las
conexiones equipotenciales de los DPS. Se debe prestar atención a la permanencia de estos servi-
cios debido al su posible reemplazo por partes no conductoras;

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− forma de onda considerada – si no es posible considerar simplemente el valor de cresta de la co-

rriente que el DPS tiene que soportar en condiciones de ondas transitorias, se debe considerar la
forma de onda de estas ondas (por ejemplo 10/350 µs, cubre la corriente total y parcial del rayo,
mientras que la 8/20 µs cubre la corriente inducida) y la carga total Q;

− cualquier estructura adicional que esté conectada a la estructura primaria vía servicio de potencia,
ya que afectará a la distribución de la corriente del rayo.

Referencias
1 Origen de la instalación
2 Tablero de distribución
3 Tomacorrientes de distribución
4 Terminal o barra de la puesta a tierra principal
5 DPS enyasado como clase I o II
6 Conexión a tierra (conductor de tierra) del DPS
7 Equipo fijo a proteger
8 DPS, ensayado como clase II
9 DPS, ensayado como clase II o III
10 Elemento desacoplador o largo de línea
F1, F2, F3 Desconectores de protección de sobreintensidades

NOTA. Para más información ver la IEC 61643-12.

Figura D.1 − Ejemplo de instalación de DPS de las clases I, II y III

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Figura D.2 − Ejemplo básico de las diferentes fuentes de daño

por rayos en una estructura y distribución de la corriente

D.3 Cuantificación estadística del nivel de amenaza de un DPS

D.3.1 Generalidades
Se han llevado a cabo muchos intentos para cuantificar el ambiente eléctrico y "el nivel de amenaza"
que experimentará un DPS en diferentes puntos de una estructura. Por ejemplo, a la entrada de un
servicio en una estructura, el nivel de la amenaza sobre el DPS depende del NPR elegido en función
de la valoración del riesgo de la estructura realizada con el fin de limitar el citado riesgo a un valor to-
lerable (ver el capítulo 6 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1).

Esta norma da por supuesto que bajo un NPR I la magnitud del impacto directo (S1) sobre el SPCR de
la estructura puede ser tan alto como 200 kA con una forma de onda de 10/350 µs (ver 8.1 y el anexo A
de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1). Sin embargo, mientras que el DPS debe seleccionarse para cumplir
con los requisitos del NPR I, de acuerdo con la valoración del riesgo, hay otros factores que pueden
afectar a la magnitud de la corriente del rayo a la que está sometido el DPS.

D.3.2 Factores de las instalaciones que afectan a la distribución de corrientes

Cuando no se ha realizado un cálculo específico de la distribución de la corriente (ver el capítulo E.2
de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1), de manera general se considera que el 50% de la corriente es
conducida desde el edificio al sistema de puesta a tierra, y que el otro 50% retorna a través de las
conexiones equipotenciales de los DPS. Esto significa para un NPR I que la parte de la corriente de
la descarga inicial de 200 kA a la que está sometido cada DPS, Iimp, es de 25 kA en un sistema de
distribución de potencia de tres fase más neutro – ver la figura D.3.

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Figura D.3 – Ejemplo básico de distribución de la corriente

Si, sin embargo, los tres servicios metálicos alimentan a la estructura, y se adopta el modelo del capítulo
E.2 de la IRAM 2184-1 / AEA 92305-1, la corriente total, Iimp, de cada conexión equipotencial de los
DPS, en el sistema trifásico, vale 8,3 kA.

La distribución de la corriente del rayo en un sistema de distribución trifásico está muy influída por la
puesta a tierra de los servicios que entran en la estructura. Por ejemplo, en un sistema de distribución
TN-C con múltiples conexiones a tierra del neutro, se obtiene un valor de impedancia más directo e infe-
rior que el paso a tierra que da un sistema de distribución TT.

Las consideraciones simplificadas sobre la distribución de la corriente son útiles a la hora de considerar
el nivel de amenaza que puede experimentar un DPS, pero es importante tener en cuenta las conside-
raciones realizadas. Además, se ha considerado que la forma de onda de la corriente que circula por el
DPS es la misma de la corriente de la descarga inicial, aunque, en realidad, la forma de onda se ha alte-
rado por la impedancia del cableado del edificio, etc.

Para una correcta selección del DPS las simulaciones en el ordenador pueden ser una herramienta útil a
fin de considerar estos factores. Con el fin de evaluar la dispersión de la corriente del rayo en un sistema
complejo, es necesario convertir el sistema real, como se indica en el ejemplo de la figura D.2, en un cir-
cuito eléctrico equivalente.

Muchas normas han buscado la base de sus consideraciones sobre la amenaza a la que puede estar
sometido un DPS en experiencia obtenidas a lo largo del tiempo. La tabla 2 de la IRAM 2184-1 /
AEA 92305-1, básicamente, está basada en experiencias en el campo (ver la serie de IEEE C62.41[9]).

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D.3.3 Consideraciones en la selección de los valores nominales de los DPS: Iimp, Imax, In, UOC

De lo anterior, se deduce que la selección de los valores nominales apropiados de un DPS, Iimp, Imax, In,
UOC depende de muchos parámetros complejos e interconectados.

Es importante tener en cuenta que el riesgo de daños por ondas transitorias en un sistema interno situa-
do en una estructura y que provienen de:

a) efectos inducidos en las líneas de potencia, teléfono y datos (S4);

b) acoplamientos IEMR por impactos de rayos en la proximidades de las estructura (S2);

pueden, frecuentemente, ser superiores a los debidos a los efectos de las ondas transitorias que
producen los impactos directos a la estructura (S1) o en las líneas (S3).

Muchos edificios no necesitan protección contra los impactos directos en la estructura o sobre las lí-
neas entrantes, por lo que no es necesario el empleo de un DPS de clase I, mientras que puede ser
apropiado el empleo de un DPS de clase II.

De manera general, el planteamiento debe ser el de emplear un DPS de clase I cuando intervienen las
corrientes totales o parciales del rayo (S1/S3) y un DPS de clase II para los efectos inducidos
(S2/S4).

Cuando se asumen estas complejidades, hay que tener en cuenta que el aspecto más importante en la
selección de un DPS es la tensión límitada de funcionamiento mientras dura la onda transitoria así co-
mo la energía que puede soportar, (Iimp, Imax, In, UOC), (ver la nota 4 que sigue a la tabla B.7 en la
IRAM 2184-2 / AEA 92305-2).

Un DPS, de corriente nominal In y con una tensión límitada menor al valor de la tensión resistida por el
equipo, dan protección al equipo, siempre que se consideren los factores externos que generan tensio-
nes aditivas (caídas de tensión en las conexiones, fenómenos oscilantes e inductivos). Por el contrario,
un DPS con nivel de energía superior al necesario en el punto de la instalación puede dar lugar a que
tenga una vida operativa más larga. Sin embargo, un DPS con una tensión límite inferior, si se instalan
en sistemas de potencia regulados precariamente, puede ser más susceptible a posibles daños debi-
dos sobretensiones temporales (TOV).

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Anexo E
(Informativo)

Bibliografía IEC 62305-4:2010

[1] IEC 60364-4-44, Low-voltage electrical installations. Part 4-44: Protection for safety. Protection
against voltage disturbances and electromagnetic disturbances.

[2] IEC 61000 (todas las partes), Electromagnetic compatibility (EMC).

[3] ITU-T Recommendation K.20:2008, Resistibility of telecommunication equipment installed in a

telecommunications centre to overvoltages and overcurrents.

[4] ITU-T Recommendation K.21:2003, Resistibility of telecommunication equipment installed in

customer premises to overvoltages and overcurrents.

[5] ITU-T Recommendation K.45:2003, Resistibility of telecommunication equipment installed in the

access and trunk networks to overvoltages and overcurrents.

[6] IEC 61000-5-2:1997, Electromagnetic compatibility (EMC). Part 5-2: Installation and mitigation
guidelines. Earthing and cabling.

[7] ITU-T Lightning handbook:1994, The protection of telecommunication lines and equipment
against lightning discharges. Chapter 10.

[8] IEC 61643-11: Low-voltage surge protective devices. Part 11: Surge protective devices con-
nected to low-voltage power distribution systems. Performance requirements and testing
methods.

[9] IEEE C62.41:1991, Recommended practice on surge voltages in low-voltage ac power circuits.

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Anexo AEA-IRAM F
(Informativo)

Bibliografía

En el estudio de esta norma se han tenido en cuenta los antecedentes siguientes:

AEA - ASOCIACIÓN ELECTROTÉCNICA ARGENTINA

IRAM - INSTITUTO ARGENTINO DE NORMALIZACIÓN Y CERTIFICACIÓN
IRAM de Emergencia 2184-4:2011 / AEA 92305-4:2011 - Protección contra los rayos.
Parte 4: Sistemas eléctricos y electrónicos en estructuras.

IEC - INTERNATIONAL ELECTROTECHNICAL COMMISSION

IEC 62305-4:2010 - Protection against lightning. Part 4: Electrical and electronic systems
within structures.

NOTA AEA-IRAM. En la página web de IEC se puede encontrar una lista de todas las partes de la serie de Normas IEC 62305,
bajo el título general Protection against lighting.

AENOR - ASOCIACIÓN ESPAÑOLA DE NORMALIZACIÓN Y CERTIFICACIÓN

UNE-EN 62305-4:2011 - Protección contra el rayo. Parte 4: Sistemas eléctricos y electró-
nicos en estructuras.
UNE-EN 62305-4:2011 Erratum:2012 - Protección contra el rayo. Parte 4: Sistemas eléc-
tricos y electrónicos en estructuras.

NOTA AEA-IRAM. Para la elaboración de esta norma IRAM / reglamentación AEA se tomó como texto básico la norma
UNE-EN 62305-4:2011 antes citada, la que se confrontó con la IEC 62305-4:2010, utilizada como referencia principal de
normalización, para obtener una versión argentina modificada de la IEC, tal como lo especifica la guía ISO-IEC 21-1:2005.

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Anexo AEA-IRAM G
(Informativo)

Integrantes del organismo de estudio

El estudio de esta norma ha estado a cargo del organismo respectivo, integrado en la forma siguiente:

Subcomité de Protección contra rayos (Conjunto AEA-IRAM)

Integrante Representa a:

Ing. Alberto A. BARNEDA COPITEC - UTN

Téc. Fernando BROZ PHOENIX CONTACT S.A.
Ing. Jorge E. BLURO ESTUDIO ING. BLURO
Sr. Guillermo CACABELOS EUCA S.R.L.
Sr. Eduardo CÓRDOBA INVITADO ESPECIALISTA
Ing. Roberto DADATTO UTN - FACULTAD REGIONAL ROSARIO
Ing. ROBERTO DI VIRGILIO INVITADO ESPECIALISTA
Ing. Carlos A. GARCÍA DEL CORRO AEA
Ing. Jorge GIMÉNEZ CITEDEF
Ing. Ricardo GRUNAUER INSTELEC INGENIERÍA ELÉCTRICA S.R.L.
Ing. Roberto KRETSCHMAYER DALKIA ARGENTINA S.A.
Lic. M. Gabriela NICORA CITEDEF
Ing. Alejandro OGHIEVSKI INVITADO ESPECIALISTA
Ing. José OREB AEA
Ing. Víctor OSETE AEA
Ing. Daniel PEPE TOTAL AUSTRAL
Ing. Jorge PUJOLAR AEA
Ing. Ángel REYNA AEA
Ing. Héctor SOIBELZON TECNOLATINA S.A.
Ing. Gustavo VATTUONE COPITEC / GEMAX SRL
Ing. Jorge VIÑUELA ORSNA
Sr. Juan R. ZABALA JUAN R. ZABALA Y ASOCIADOS
Ing. Guillermo CURI IRAM
Ing. Juan Carlos ARCIONI IRAM

TRAMITE

El estudio de este esquema se realizó en el Subcomité de Protección contra rayos (Conjunto

AEA-IRAM) en las reuniones del 1º de agosto de 2012 (Acta 3-2012), 3 de octubre de 2012 (Acta
4-2012) y 5 de diciembre de 2012 (Acta 5-2012), en la última de las cuales se lo aprobó como Es-
quema 1 y se dispuso su envío a Discusión Pública por el término de 60 d.

Se lo considera nuevamente en las reuniones del 12 de junio de 2013 (Acta 2-2013) y 14 de agosto
de 2013 (Acta 3-2013), donde luego de las revisiones realizadas en el esquema 1 aprobado para en-
viar a DP en el año 2012, el organismo lo reaprueba para ser enviado por 60 días a discusión pública
como versión argnetina idéntica a la IEC 62305-4 del año 2010.

Luego se lo trató en las reuniones del 2013-10-30 (Acta 4-2013), 2014-04-30 (Acta 1-2014) y
2014-12-10 (Acta 5-2014), si bien se había aprobado como Proyecto 1, se decide reaprobar el docu-
mento como Esquema 2 y su envío nuevamente a Discusión Pública por un período de 30 d.

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Asimismo, en el estudio de este Esquema se han considerado los aspectos siguientes:

¿ SE HAN INCORPORADO ?
Aspectos Comentarios
Sí / No / No corresponde
Ambientales NO

Salud NO

Seguridad SÍ

******************************

APROBADO SU ENVÍO A DISCUSIÓN PÚBLICA POR EL SUBCOMITÉ DE PROTECCIÓN CONTRA RAYOS

(CONJUNTO AEA-IRAM), EN SU SESIÓN DEL 10 DEDICIEMBRE DE 2014 (Acta 5-2014).

FIRMADO FIRMADO
Ing. Juan Carlos Arcioni Ing. Ángel Reyna
Coordinador del Subcomité Secretario del Subcomité (IRAM)
Presidente del Subcomité (AEA)
FIRMADO
Ing. Guillermo Curi
Vº Bº Gerente de Eléctrica Electrónica

El envío a Discusión Pública de este documento ha sido refrendado por una Comisión de Enlace constituida
por representantes de la AEA y el IRAM.

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