Transistores a Efecto de Campo

Prof. Gustavo Snchez Noviembre, 2004

Abstract Es un resumen sobre FET (Field Eect Transistor) basado en los textos de Boylestad y Malik

INTRODUCCIN. Los FETs son dispositivos de estado slido en los cuales un campo elctrico controla el ujo de portadores en un canal de conduccin. Al igual que los bipolares, los FETs pueden funcionar como fuentes dependientes de corriente (amplicadores, electrnica analgica) o como interruptores controlados (electrnica digital). Sin embargo, los FETs suelen dar lugar a circuitos ms sencillos debido a que ocupan menos espacio que los BJT. Por otra parte su resistencia de entrada es innita. Una desventaja de los FETs con respecto a los bipolares es su menor ganancia de amplicacin. A diferencia de los BJT, los FETs son unipolares debido a que utilizan un solo tipo de carga para transportar la corriente. Otra diferencia es que los FETs son controlados por voltaje.

TIPOS DE FET

MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO DE CANAL N

La fuente S y el drenador D son regiones fuertemente dopadas difundidas en un sustrato B (Body) de tipo p. Una compuerta conductora G (Gate) se aisla del silicio mediante una na capa de SiO2 Durante el funcionamiento normal activo una tensin positiva es aplicada entre la fuente y el sustrato, lo cual produce una atraccin de los conductores de la fuente y el drenador creando un canal de conduccin entre ellos. Este enriquecimiento de carga negativa ( en este caso ) le da su nombre al dispositivo. 2

En la mayora de las aplicaciones el sustrato B es conectado direstamente a la fuente o al punto de voltaje ms negativo (para canal n), para asegurar que las uniones renador-sustrato y fuente-sustrato se mantengan polarizadas en inversa. Si se polariza la unin compuerta-fuente G-S de forma que 0 < VGS < VT la carga positiva de la compuerta repele los huecos creando una regin de deplexin desde la fuente hasta el drenador. Para VGS > VT la compuerta atrae ms electrones al canal creado, aumentando su conductividad: el material p se convierte localmente en tipo n!

MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO DE CANAL N Este tipo de dispositivo se caracteriza por la presencia de un no canal de impurezas de tipo n entre la fuente y el drenador, depositado durante su fabricacin. Debido a esto, ya existe un canal para VGS = 0 . Los valores VGS > 0 incrementan la conductividad del canal. Los valores negativos provocan su deplexin. Si hacemos VGS sucientemente negativo el canal deja de existir ! En este caso la tensin de umbral VT es negativa ! Las ecuaciones de estado y los modelos son idnticos que en el caso del MOSFET de Enriquecimiento.

Funcionamiento para MOSFET canal n Estado Ecuacin Corte Activo Ohmico VGS < VT VGS > VT VGS > VT IDS = 0 VDG > VT VDG < VT IDS = k [VGS VT ]2 2
2 IDS = k [2(VGS VT )VDS VDS ] 2

MOSFET DE CANAL P En los MOSFET de canal p se intercambian los materiales n y p con respecto a los de canal n. En consecuencia, la direccin de la corriente y las polaridades de las tensiones se ven invertidas. Por ejemplo, para que exista un canal, en un MOSFET de enriquecimiento canal p, la tensin de compuerta debe ser lo sucientemente negativa. Funcionamiento para MOSFET canal p Estado Ecuacin Corte Activo Ohmico VGS > VT VGS < VT VGS < VT IDS = 0 VDG < VT VDG > VT IDS = k [VGS VT ]2 2
2 IDS = k [2(VGS VT )VDS VDS ] 2