Transistor de Efecto de Campo Metal-xido-Semiconductor MOSFET

Dr. Andres Ozols

FIUBA 2007
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ESTRUCTURA MOS de DOS TERMINALES

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Capacitor metal-xido-SC MOS

Estructura del transistor puede a partir de esta capacitor

capacitor con placas separadas por material dielctrico y polarizado con una tensin V

La capacitancia por unidad de rea La carga del acumulada por unidad de rea

C=

ox
tox

Permitividad del xido (aislador)

Q= CV
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Capacitor MOS (Sustrato tipo p)

El Campo elctrico generado en la capa de xido Esto produce carga negativa sobre la placa superior y el campo apunta hacia arriba

V E= tox

Capa de acumulacin de huecos en la situacin estacionaria Si el campo E penetra al SC tipo p los portadores mayoritarios (huecos) son acelerados del SC hacia la capa de xido
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Carga espacial inducida en el caoacitor

La inversin de polaridad del capacitor genera una capa positiva por encima de la placa y el campo generado y que penetra al SC arrastra a los huecos lejos de la capa de xido

Este desplazamiento genera una zona de carga espacial inducida negativa, o de vaciamiento de carga por ionizacin de la impurezas aceptoras del SC
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Bandas de Energa (Sustrato tipo p)

La estructura de bandas asociada a estos cambios de potencial 1- La polarizacin negativa permite el arrastre de huecos hacia la interfase de xido

Las cargas positivas hacen que el SC sea tipo P+ por acumulacin de cargas

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Carga espacial inducida

2- La polarizacin positiva permite la formacin de una capa de carga espacial inducida de modo de hacer al SC tipo n

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Bandas de Energa (Sustrato tipo p)

La elevacin de potencial de polarizacin permite la formacin de una capa de SC tipo n

Se ha formado una capa de inversin de electrones en la interfase con el xido que crece en espesor con el potencial aplicado
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Bandas de Energa (Sustrato tipo n)

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Bandas de Energa (Sustrato tipo n)

El comportamiento complementario ocurre en un capacitor MOS con un SC tipo n

1- El potencial positivo arrastra a los electrones hacia la interfase con el xido, ionizado las impurezas donoras del SC

2- La inversin del potencial provoca la induccin de carga por arrastre de huecos hacia la interfase con el xido
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Bandas de Energa (Sustrato tipo n)

3- El incremento ulterior del potencial negativo incrementa el espesor de la regin de inversin carga, tornando al SC adyacente al xido como SC tipo p. Se ha inducido una capa de huecos.

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Espesor de la capa de carga espacial

fp = EF EFi =

kT N a ln e ni

El potencial superficial

S = EFivol EFi sup

Diferencia entre las energas de Fermi intrnseca del volumen y la superficie El ancho de la zona de carga espacial inducida prxima a la interfase de xido-SC

2 ss xd = eN a

Similar a un lado del diodo

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Espesor de la capa de carga espacial

La estructura de bandas en el umbral de inversin de carga

xdT =

4 s fp eN a

La capa de carga inducida cambia al tipo de SC tipo n en la interfase prxima al xido

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Espesor de la capa de carga espacial

Diagrama de energas de un SC tipo en el umbral de inversin de carga

kT N d fp = ln e ni

xdT =
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4 s fp eN d
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Diferencias de la funcin de trabajo

Diagrama de energas de cada tipo de componente MOS antes del contacto

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Diferencias de la funcin de trabajo

Diagrama de energas despus del contacto

e + eVoxo = e+
m

Eg 2

eso + e fp
m

Eg + fp Voxo + so = m + 2e
Se define la funcin de trabajo metal SC

Eg ms = m + + fp 2e

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OPERACIN BSICA DEL MOSFET

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Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de mejoramiento de canal n

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Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de vaciamiento de canal n

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Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de mejoramiento de canal p

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Estructuras del MOSFET

MOSFET en modo de vaciamiento de canal p

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Relaciones de Corriente Tensin

I D = g DVDS

gD =

W n Qn L

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Relaciones de Corriente Tensin

VGS VDS ( sat ) = VT

VDS ( sat ) = VGS VT

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Relaciones de Corriente Tensin

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Relaciones de Corriente Tensin

W nCox 2 2 (VGS VT ) VDS VDS ID = 2L

W nCox 2 ID = (VGS VT ) 2L
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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

Las hiptesis utilizadas 1. 2. 3. La corriente en el canal es debida a la deriva en lugar de la difusin No hay corriente a travs de la capa de xido Es utilizada la aproximacin de canal gradual para las derivadas del campo elctrico 4. Cualquier carga fija en el xido es equivalente a una densidad de carga en la interfase xido-SC 5. La movilidad de los portadores en el canal es constante

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin De la relacin de Ohm

J X = EX

EX es el ampo elctrico a lo largo del canal creado por la tensin VDS es la conductividad del canal

= e n n ( y )

n movilidad electrnica
n(y) es la concentracin electrnica en la capa de inversin

La corriente total en el canal

I x = J x dydz
yz

I x = E X dydz = en n ( y ) E X dydz
yz yz

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

I x = n E X en ( y ) dy dz = n E X QnW

Donde W es el ancho del canal y

Qn = en ( y )dy

La carga por unidad de rea de la capa de inversin

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La distribucin de carga del MOSFET en el modo de mejoramiento de canal n para VGS < VT Q
m

ss

La neutralidad de carga requiere que:

Qm + Qss + Qn + QSD ( max ) = 0

Qso ( max ) = eN a xdT

Q
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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La carga de la capa de inversin y la de la carga espacial inducida ser negativas para el canal n La ley de Gauss la carga total

QT =

En dS

La integral sobre la superficie cerrada En es el campo normal a la superficie S

E dS =
n
ss

ox

EoxWdx = QT

Pero la carga total encerrada es

(Q

+ Qn + QSD ( max ) ) Wdx = QT

ox Eox = Qss + Qn + QSD ( max )

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

Vx el potencial en el canal en la posicin x

EFp EFm = e (VGS Vx )

Zona del xido y el canal

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

Considerando las barreras de potencial

Eg + fp Voxo + so = m + 2e

Eg VGS Vx = ( + Vox ) + + fp s 2e Como s = 2 fp

m

VGS Vx = Vox + 2 fp + ms

ms es la funcin de trabajo metal-SC

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

El campo elctrico en el xido

Eox =

Vox tox

Como

Vox = (VGS Vx ) ( 2 fp + ms )
Eox =

(VGS Vx ) ( 2 fp + ms )
tox

ox Eox = Qss + Qn + QSD ( max )

ox Eox =

ox (VGS Vx ) ( 2 fp + ms ) = Qss + Qn + QSD ( max )

tox

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

ox Eox =

ox (VGS Vx ) ( 2 fp + ms ) = Qss + Qn + QSD ( max )

tox
I x = n E X QnW

Entonces la corriente en el canal

Depende de la densidad de carga de inversin

Qn =

ox (VGS Vx ) ( 2 fp + ms ) ( Qss + QSD ( max ) )

tox

Q =
n

ox
tox

VGS Vx ) ( 2 fp + ms ) + Q + Q ( max ) ) ( ( ox tox

ss SD

Q =
n

ox
tox

(VGS VT Vx )

Se define la tensin umbral VT con

VT = ( 2 fp + ms ) ( Q

SD

( max ) + Q

ss

tox
ox

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

dVx EX = dx
Qn =

ox
tox

dVx ox I x = n (VGS VT Vx )W dx tox

(VGS VT Vx )

La contribucin a la corriente total en el canal

dVx I x dx = W n tox V (0) dx (VGS VT Vx )dx 0 x

La corriente de drain ID es constante a lo largo del canal

ox

Vx ( L )

I dx = I
x 0

L = W n

ox
tox

Vx ( L )

Vx (0)

( (V

GS

VT ) Vx )dVx
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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

Vx I D L = W n (VGS VT ) Vx tox 2 V (0) =0 x

2

ox

Vx ( L ) =VDS

W n ox ID = 2 (VGS VT ) VDS VDS 2 ) ( 2 L tox

Es la corriente total del MOSFET de canal n en la regin sin saturacn

VGS VT
0 VDS VDS ( sat )
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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La corriente tiene un mximo en

VDS = (VGS VT )
Que corresponde a

ID =

W n ox ( 2 (VGS VT )VDS ( sat ) VDS 2 ( sat ) ) 2 L tox

La corriente total del MOSFET de canal n en la regin de saturacn

W n ox 2 I D ( sat ) = (VGS VT ) 2 L tox

VT debe determinarse experimentalmente

VDS VDS ( sat )

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La corriente total para valores pequeos de VDS

W n ox ID (VGS VT )VDS L tox

Pendiente

W n ox L tox

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Derivacin de Relaciones de Corriente-Tensin

La corriente de saturacin satisface

W n ox 2 I D ( sat ) = (VGS VT ) 2 L tox W n ox I D ( sat ) = (VGS VT ) L tox

Pendiente

W n ox L tox

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