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  • Equivalencias, Valvulas, Diodos y Transistores

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    EQUIVALENCIAS, VALVULAS, DIODOS Y TRANSISTORES

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    ~ ‘Equivalencias - Valvulas Diodos * y lransistores. + CODIGOS DE DESIGNACION DE TIPO PARA SEMICONDUCTORES Ese cédigo de designacién de ipo we refere a todos los lementon semi ‘conductores con on uniones ja los dapotives mips. ‘Undispositivo mitipls deine como una combina de dspostives activos similares o na, contenida en una cApsls comin que no pucde Sesmontre y qu todos los eletrodos de es ispoutivo indvales| fon access deste exterior, “Milpes de dispossivos simiares a come multiples consistent en tun dispositive principal y otro auuar se dengnan de acerdo cot el chdig para dspostvos dscretos que ce describe mie abajo. Los miles de dispsiines so slurs de distin natrabna = dssignan con a segunda lta G. La desigacion de tipo conta de DOS LETRAS SEGUIDAS DE UN NUMERO DE SERIE La primera letra distingue ene dispostivs con unions y sin uniones © fncica ol mater semiconductor ublizada ‘A Dispsiitos con una 6 mds unioney que win materisles con up margen de banda de 6.10 eV, tales como german. 8. Daspontivs con ana o mas aniones. ie lz materiales conn marge de banda de L013 e, tales como siio C Dispostves con una o mis uniones, que wilizan materiales con ws ‘magen de bande de 1 3eV en adelante ales como arseniuo de slio DD Dispositios con una 0 més unions, que ula materials cop wn ‘margen de banda de meoos de eV, tales como antimonire de ‘ode 1. Disposives si unions, que wiizan materia como lor empeados en generadores Hall y clus fotoconductoras Le sepia ler indica esencalnente a apcscién principal oaplizacon principal y eonstruccidn ene caso que se requir una mayor dfeencae Diodo detector, dio de ats velocidad, dio mezlador Diode de caecidad varitble ‘Transstor para apiaciones de AF. (Ry jap >15°C/W) ‘Transistor de poenca para aplicaciones JeA F(R au 1S°C/W) Diode tne Transistor para aplicaciones de RF (Rj >15°C)W) Maltipe d dspesitivos no sires Sond de campo GGenerador Hall en un czcito magadtico abierlo, por éempla, Sonda de magoctograma de seal “Trantor ds potensia para apiacionts de. (Raja 15°C/W) Goneradr Hallen un esto magntico cerrado excita etree iment, por semplo, mulipeador © medulador Hal Elemento sensible radiesnes, Elemento peerador de radiaciones Dispostivo de eoatol y conmutacién dsparado dlctricamene, som una earactestica de rupture (Ry ap >15°C/W) “Transistor de potaca para aplicacions de conmutacign (Brome 15010) DDsposiive de potencia para control y conmutacdn diparado ‘licicamente o por medi de luz, qu Hane una erasers de aptra (Ra ny 15°C) Transistor de potenea pars aplicacions de conmtacion x 3% wos xr peompunre} ayaa IFC) Dod multipheador, pe varkctor, de recoperacén por pasos Y. Diodoretifeador. iodo recuperador, diodo de eiencla 2. Diode de referenia de enson 0 replador de tens Eimer de sere ets fort or: ‘Tres aan para Ios dispostivor semiconductors dseiados pars so prlcpalmente en aparatordomésticos. {Uns letra y dos cfs para los dspestivossemiconductoes dietados pra no princiaimente en equipo profesional EJEMPLOS AFIR® Transistor de REF. de gemmanio desnado prncipaimente 3 aplicaciones de "enteenimieno BYX2T Diodo rcetifeador de silico destnado principaimente& sp ‘cacones “industries” DESIGNACION DE TIPO PARA,UNA SERIE DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES. La designcibn de tpos de wo sere de variants de {rdodos de reerencin de tensa o dodo reguladors de tensin 2 Giodosrectiendore 5 tettores ‘ve perenccon clramente a un tipo bisico puede dsignarie por an So que est sepaado dela parte isc por un gua (~) 1a parte basic, que es igual para toda la Serie, ext do acuerdo con ot ‘ig de desgnacén para dspositnoedsetetos. EL so const de 1: pals dios de referencia de esi o reyladores de tension ‘Ua Feta seguida ela tension ane tpcay donde conveng letra. [a primera era india I tlerancia nominal de a ension zener en 7 Amis: Ba2%: Cm 5%3 D=10%: Ea 15%, Le ensign zener pica est teria ala corrente nominal epee ‘para toda a soi. Se sal ca Ven al gar de a coma desea. fant diodes rectficadres tn ndmeroy, donde sea adecuad, letra R [alta inc a olaridd iver (Anodo a cps), La polaridad noamal (eitogo a cipsl)y Iss eeeucionessmetricas nes indeas| especialmente EYnumero indica soneralmente la tension invers de cresta mina ara os tps deavalancha control nde la tensin ners dain cro steady ‘wonimero donde sea adcuado letra R El numero indica sencraiments ia tevin inversa maxima de cesta recurrent la ensign matima de eretaresurente no atv, lagi Sea menor de smb Para Tos tpos de avalancha contolada se indica la tension inversa rmixima de rest actvada, EJEMPLOS. [BZY8S sere Serie de diodos de sii reuladores de tension par ap- ‘clones industria. BBLYS8-COVIET tipo particular ent see con una tesiin zener tps eon 8%, [BXYI3-1200 El tipo partici de por! normal en in serie BYXS| con tna tensiininverea minima de crest reureate de 100. DESIGNACION DE TIPO PARA CONJUNTOS RECTIFICADORES SEMICONDUCTORES ‘La designaion de po conta de ‘TRES LETRAS SEGUIDAS DE UN NUMERO DE SERIE Les prineras dos lero indian el ipo de conjunto. ‘05, Denota un conjunto de diodos rcifeadores semiconductors, (OT, Denota un conunta de semiconductors ene quetambign susan La terera letra india el tip de cinco ‘Monoléieo en mein onda Bio en medix onda ‘eilisio en media onda (ifisico en este) ‘Tetrafisio en media onda (etratsico en esl) Hesaldsico en media onda exafiso en esl) “Trildsio en dableY con tansoctador ene face Monotsizo en onda completa (monolsio en pent) Monotisics en paces amplileador magntico ‘Trifsio on onda completa (ili en puent) Tevalisce en onda completa (tetalisico en pues) Doblada do tensa (la itd deur monotisio en onda completa) Varios (les como combinacones de dodos seals ycompo- ener paso) Etnamero de sere es seguido a veces por una eta sua parla indicia se varane verrvenmgoee EQUIVALENCIAS DE SEMICONDUCTORES Tipo Substituto ‘Tipo ‘Substituto._—‘Tipo_—‘Substituto ‘Tipo _—_‘Substituto ior Kaye (aAzIDY AGIs rar woe Sz ‘zke AAYS) (0490) Aci Aci ADs “Aszi6 ks RAYS! (0490, acis? ncn ADIBNISO—ASZIB aes AAYSS (0490, aciss Aca Apia ADIG2 Ar AwzI2 “BAX cis acias ADI ASZIS) ann Byzp6o0 —AAZIS. (AZ Acie —«acias) aps (aszi) oan bvne#o0 —ACi0 asm hae crs Aus (ASzI) ane ByI9100 ACI ‘Acie Acie nei ADHs (AIG ans y30200 CIOS Acie ACIS cis ADIs? (abI62 ane Bv3e300 CIOs acs ACIS Acie DISS ‘ADIs au sy30s00 © AcioT.—aci25) Acie? Aci piss ADIs Ato By30600 ACIDS C126 Actes acu? ADIs? DISD AON sys0s00 —ACIOy cis Acis9 acs p19 (ASzI7 ‘soe By30100 ACHIO Aci AciT0 Aci piso aSzi6 Aue sctos acu ners acim Aci ADIs (ASZI5 ans cis acts acts Aci Aci api6s——_(aD162) Aue Bc 108 Acus—(acian errs nels DISS Api6i isso CIO) aciis (Aci) acin Aci Abis6 = «asziB) es BYII6 acu ‘Aciosiol ACIS Aetsron —ADIG?——_(ASZIB) nes By 125 acuia cis nevis Acie? 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EQUIVALENCIAS DE SEMICONDUCTORES Tipo Substituto Tipo _—_—Substituto Tipo __—_‘Substituto Substituto inne arn ane AFI Nuvi aSzi6 Gans) AFLG (AFD) aM arias AUS —ASZI6 INAIsE Arla? AFI nae ar Aue = caszi) axis) Aris Aras ans Aria Aus (ASzi0) (axis arse APL aie ar Auys?(aszi) ean arias Ariz nes cary auvse aszis BAIss ——(BAXID. ari arin ast ‘clas bes Byias Bam © @AWa2) Arig (AFI) usa cis 529 Byias BANL © HAXL) eles ‘AFIS ass fei, Bxks ayia BAzIe (BAX) AFISO aria nase sci36 5x9 Bi BAIT GRAXIB) arise aria aw cise, i240 woo BAWIO ——-BAXIG Flot ari2e ara facie 5102 Aci Bawa BAXI6 Ariss Ari4 ants Acl36 Batol «ain BAWo ——BAVI) arise arias ante acts) BAIOS——(BAXI6) BAW?S —— HAVIO) AFIT arias noe taszi8) BAO (BAXIO) BAW = -BAVIO Arise aris aun aszip Palos «aauss) BAWoT ——(BAVIO) AFIS (AFI) fans (45219 BALOS BAXIG BAW0—BAVAS ArITO ‘AFL26 asvia Asys0 BAl09 Bau02 BAWSS——(BAXI2) Aer APIs asia asvs BALIO BBi0sc BaWeS—“BAXIS arin. 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