En 1951, 

Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo, 8

tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que ahora
posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios Bell,
tuvieron éxito al fabricar este dispositivo,9cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 195210 El primer MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.1112 En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de
campo,8 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que
ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios
Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, 9cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 195210 El primer MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.1112 En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de
campo,8 tal como se declaró en ese documento, en el que se mencionó la estructura que
ahora posee. Al año siguiente, George Clement Dacey e Ian Ross, de los Laboratorios
Bell, tuvieron éxito al fabricar este dispositivo, 9cuya nueva patente fue solicitada el 31 de
octubre de 195210 El primer MOSFET fue construido por el coreano-estadounidense
Dawon Kahng y el egipcio Martin Atalla, ambos ingenieros de los Laboratorios Bell, en
1960.1112