Scribd Logo
Cargar

¡Te damos la bienvenida a Scribd!

  • Artículo CIT 2003

    Cargado por

    Anne
    11 vistas8 páginas

    Título original

    02. Artículo CIT 2003

    Derechos de autor

    © © All Rights Reserved

    Formatos disponibles

    PDF o lea en línea desde Scribd

    ¿Le pareció útil este documento?

    ¿Este contenido es inapropiado?

    Denunciar este documento

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF o lea en línea desde Scribd
    Marcar por contenido inapropiado
    11 vistas8 páginas

    Artículo CIT 2003

    Cargado por

    Anne

    Copyright:

    © All Rights Reserved
    Descargue como PDF o lea en línea desde Scribd
    Marcar por contenido inapropiado
    de 8
    Efectos de Tratamientos Térmicos en las Corrientes de Fuga de Diodos PIN de Silicio K Leyva’, M, Aceves!.A. Medel! y A. Cerne?” (0) Inst Nacional de Astronisice Uptea v Electrica. Area cs Fhinsis,Speio. Postal 5 72000 Puebla. Punta ex (2) entra da mvoatigasion v de Catusio Avanzadon da nstivan Palen Nacional, Soom de lev inicn ual Estado SOhd0, Av, IHN NYZOUB, Apdo, Postal 14-740 07300 Men DF Manco Resumen Se bresenta un exberineniy factorial completo para astuclar la relacwn de los tratemintos texans ee alla temperatura con jo coriente de fuge con la prufuinii oe union y ean al romnpamiento promtute en isis PIN ce sic. 38 espeaiica el proceso dc fabricacién de los dispostivus, se nuiesrar aigunee resultados exoerimentates asi tana bunhisn un anaisis estadieteo de loo densidades de cortente jbtenidaé. Masia shora ce ho encontrado que en los dius PIN uit svi faonicades con ta apicaoion de fratamienios (ents timate mayor nempo, Ia comante de fuaa se mantiene pequeria y yume tins protundidas de union adecuada para teal vullsjos re rompimiento mayoree a 1UU'Y Esto contradice "uns inftmmes que S9stianen que a mayor frotamiente térmica mas alias sins rriarnse 9 nag Effects of Thermal Treatments on Leakaye Currents of PIN Silicon Diodes Abstract A complete factual expiry was us20 10 stuay the relation betwoen high temperature inelinnis vat ‘ne feakage current, with the junction depth aul wills the premature Breakdown ih PIN aiicon diodes, The ‘teics falieation process Is specitiad, come exocrimental resulls anc! a satis) anatysis trem Ihe leakage curents cbiaines! ane sunt Unt) now, nse ben found that in the PIN icon dade mraquufectured vat long thermal (rcatments, the leakage cus" teas smay ana the junction depth ts appropriate i nau tnaktian voltages greater iran 100 V. This isin disagreement wi epmnts sexing that forhigher heat treatment the current leakayees se higrar Kewwerds: current leakage FIN claus, junction e@ptn, thermal troatments Informacion Teenologica Vol. 14 N¥ 3 - 2009 133 mmODUSCION El cuxks PLN un ispositives wamnicxanten {ot reovontemente usado coma lotodiodo (Li, +94), Porque | ancno ae la zona ao agota- ‘miento (la repidn invinseca) pace sir conte ada para satistacer tos requenmintos de una. ata generacién de portadores y una velocidad tle respuesta mejoraca (Classer et al, 2000), Pocienionmnie os I empleade @ los vodos PIN como sensores de racacién. pare esto 2¢ ‘Na Tenioo que detarroliar un proceso de tatuicwrns (Choa, TARA). pwn thorn ‘ensidodes de corisntes de fuga lo més Balas posibies, lograncose obtener hasta dol Ces he 10 bt? xa a ele oe 100% écoves et al. 1990). fo aue permite aus el sensor pueda ublzares con tos rayoe. % Ss. Es a ian 1 psn ana ‘ano del dod PIN on polorizaciéninvorsa. En este diodo, una amplia regidn intrinseca de atta ropietmdad, 96 atrapade ene tae myjiess Py N. Lit mayur paar dal voltae inverso se aplica a través de la rone ce ‘2golamisnto. Bela region 9 grande para quo ev syun preteens woe al diedo sea absorbide dentro de la regién Invingeea (Chan, 1¥8), Paro obtener una mayor eficiencia de la ‘goneracién de folocoriente on at cioge PIN, ‘58 polariza con raisins alles pare fue la reqion do agotamionto aaa tan ancha omg la roglén inrinseca (Bourgain y Sun, 2002). Cxperimentalmente se ha cbservado uo ce procontan cornentee mae alas y ompimienias premaiuras eure ne supe ‘ial @8 la profundidad de unién. pero cuando 9 apliean mae tratamionos lermicos a las nies Ue sili, tear cls vide yeaa ‘cién disminuye (Schroeder. 19971, Por lo Miemo, a coments do fuga aumenia eoalarine saineinta la profundiad de unin, ‘somo resultade de procezos Léemivos dc alta Temperatura (Eallga, 1995). robot. P| Nt wal vil Fig, 1: vista waneversal ae un diodo PIN ponizadksinvarsamente. 124 Tor to anterior mencionads, parcciera extir luna comtradiecion. entre el tempo ae ioe Trabavieniis ianaan y ta ywolneidad de tunis necesaria para obtener mas altos Tompimientos on 108 ciogos, Precigamonte por ¢l oomportamionta JB la comente de fuga y el tiempo de ganeracién de potadores, resulta importante determinar @l tiempo noceean del Yatamionto termico durante el provese ue fabioain par ‘obtener una profundidad da unién edecuada y lle mae bajae corrientes posible. Madiants técnicas estadisticas con una alta reeolucion en cate Yavajo so estudlan ae anaes y leis es hs anne térmices sobre las corriantes de fuga y et rompimlento de los ciodos PIN. Og obta forma fe patna estalioeaet gud Lanes alee wa conriente de fuge las (ratamicntog termieas en {1 caso 08 faprieacion de circunteria. imterna ascciada DISEHO EXPRRIMENTAL tent lae metodo de desno expermena, se ‘enesuonta alos ents onal watt los pardmetros uno a la vez a monevariados. For ole lado, €e tienen los metogos muttva- tot Hone busca estaba las relacio™ nes enlye las variables y 3u intluencic on ta falda simultinoamente, Dentro de los vise jie mutivariados estan los disefos ortagone: ee asi come lee aieonos taatonalos. Los dise‘ias ortagonales minimizan la varian 72a de l08 cosficionlas de regresicn que aetar~ ese sad he pis at i a tetizard a dicho proceso. Lin sui factorial fraccional (Sarache _y Poa, 2001) e5 un plan de prucbas octadie leo que s6io emplea una porcién del total de las posibles combinaciones. de tal forms que 20 pucde ovaluar vanoe Factores oon un riievade pruebas (Floss, 1998) ‘Un dieano tactonal compieto 2" a6 de SepECIat calla seb ange sb tpn donde se tiene poco conocimiento do los vaniables principales que atectan a sistoma {Vadernan, 1993) Este tipo de disafo es facestable oyande s6le coran invectiadec nos cuantog factoras, puasi que hey un minima de 2" gosibles combinaciones que ‘debon gor probadas. Los isenos tactonales ‘sonnet psa es sigue peel Informacion leonaloqen Vol 14 NY t- wou 1) La pesibiidad de miltiples comparas (que puedan establooor un modelo. i) Preyaucinar eficigntes estimaciones @ los pardmetros que pueden influir en las Varisclonse. if) Facil lax operaciones de edleulo, ¥)Un niimere relativamente bajo de pruebas Yl efecto de las interacciones, La coloodién del arrealo elacido para ‘sxpenimanto depends principsimante do: 2) EI numero de tastores © interaociones de inte ) Ci ndmero de nivales para cada tartar €) La resolucion y costo del experimento teasroulr For Jo Tanto, 12 mayor cantidad de factores fw mnie nfimera de nivales determina ta clase de arreglo a emolear. asi como ta Fesolueion y costo ipileitoe dentro det ‘excerimantc, Eleccién die tactores Uo souordo con estudics previos sobre el ‘iodo PIN como sensor de radiacin y Ia Posibilidad de manipula vides vara ‘sae durante la fabricacion, las variables © futons que se determinaron estualar €0n los siguientes: A. La variacién doi watamiento termico a 4100 °C para poriar pone lane wnat wl pprotundided de union ¥ la infivencia en el tiempo de vida de los ponaaores 8. Un tratamiento oreatrapamiento (pregetter fang) 900 °C que nos perma obsorvar al fefecto an a increment Ue 1 orricnto de tuga puesto que se reporten ‘lspostivos (Kenney ortimicndam © Fig. 3: Protundidad do unién para oblons 5 0 8, con watamlanto térmico & 1100 °C durante £240 minutos totales. V2 1. Oy " 5 aan. efi Ne 90min. Hy 6 420 min. O2 lo rin, Ni 120 min. Ng 7 — [som 8 — haomn, ony [ONY (hy Dio ets (@)Dixlo cuando Fig: Esdvuctins de zat dodo PIN fabwicads ‘¥ usado para el experimento. Informacion Tecnologics - Vol. 14 N° 2- 2003 Las areas correspondientes para _ las ‘ostructuras on ia figura 4, eon: (a) 048 om’, {b) 0.0004 ean? y (e) 0.0008 ea Las mascarilae omploadas tuoron: (1) Oxide dala, (2) hugdbataciin P*, (3) Contactos y (4) Metal ‘Se usaron substratos de SI (1,0,0) tipo N ce alta sistividad! (4000 Coc) y Ube 300 espesor. Procasa co fabvinavitn {.Limpleza 2, Omidooion inicial: Crecimiento de éxido de ‘aproxmadamonto 0.8 ys. 9. Grabado quimico de Gxide delgado: Giatia- ‘9009 mascarila 1. 4, Donado P": Implantacién de por el frente vay kay, y.go x 10" ems, Urabed do rmascarila 2 5, Oxldactén y paswacion: Crecimionto do Ox: sia apronimande ca 600 6. Tratamiento térmico a 110U °C: Aploar 2 as ables al amine Ksnias 4 1100 °C ct ‘aouerdo con la tabla 2. 7. Tratamiento. ténnico. pregmttering. Aplcar tun tratamiento térmio de 900 °C de acuerdo ‘con fa tabla 2. 8. Loposito de PSU: Depositar 600 A de PEG yretiujo a 1100 °C. ¥. Atvapamionto: Implantaoion do F por la pte pastari, 120 kel, 1 10" on? 10, Tratamvonto termico de gottanng: 1 = 900 °C. 18 minulise van Og. Ue liens a Ne de acuerdo con la tabla 2. después del cual las ‘obleas permanecen dentro dal home Masts ‘gus dete onl, 11, Contaetos: Grabade do macoaniia 3 12. Metalizacién: Metalizaciin de Al por amas carae. Grabado de maccarila 4 A vesor de electuar ol axnerimento propuesto Sigulendo ngurosamamte las especiicaciones de fabricacivn, se presentaron problamas en ‘una otepa de Mogratia ¥ no 36 pudicron {nformacion Tecnologica ~ Vit 14 N° 3 - 2003 obtener lr diodes pare wl subsite 7. MEDICIONES REALIZADAS Gon los. gigpesitives obtenides, 96 hicieron foinco madiciones |I-V para cada po de las eslructuias. presenles in cada subbiralo ou Ja tinalidad de colablooer ta rolaoien de la ‘oorrlente que presentan respecto & Su area, Cabe sefialar que se aplicé la polarizacién da Js diodae con anillo da quarda, para de cota forma delimiter el ancho de ‘la regién de ‘agotamienta y disminuir los efectos de borde {ue provocan rompinventoe prematuroe, For otta parte ae calcularon Ins densidados dda cormonte para lae modirones realizadaa ¥ se obluvieron las gréfieas de donskiad de coment de fuga (J) vs. ol votaja. an polanzaaion ivorea aploado (Va) En agua 5 se nmsira una seleccibn a representativas para los resultados obtenidos on la tvetura de la figura 4{o) dobido 3 Se ess lads foun qt presen ‘mojorea densidades de corriante. Para ot aso eb Figur in Us ‘donoidades do coriante. rompimiente prema tuo en una aa jas curvas, vartacion hacta en Sica dudes ch agi wl bi anes luna dieporsién conaidorable de una curva ‘otenide. En la figura Sb se tenn tas mayo- fee dansidacien he contin at sare be tondonoia a rompimiontos promatures. 360 86 obtiane una mojorfa en cuanto ala alpercion de datos. Finalmente en la figura fo se fenovontran lee menores donsiiades de curiae de todo ol experimento realizado, las Curvas estén dentro de un tango pequatia y detinido, y no co tonon rompimonteg atone ln Me, [En ca0a graflea oe Ia Nigura 5, 8 eoriala en Ln mame a ngiwny womispandants. al diiodo madido en cada substrato. ANALISIS DE DATOS, Gon ol propésito de hacer un anélisis sstadies asl axporimento, 89 oligioron ioe valores de densicades de comin puns 50 V ‘splioadoo de oada modioion realizada, Gon ‘ssi on mente, $e calcularan los promedlos de las densidades para cada tipo de diodo y ‘58 obLWVO la clasticacion reepectiva en torma, ssciaulnul, tame si Inciea en Ia tabias 3, 4 v 5, En las figures 6. 7 y 0. se presentan las

    También podría gustarte