E.T.S.

Ingeniería Informática Grados Ingeniería Informática, INdat

Universidad de Valladolid Curso 2021-2022

Problemas de Física Hoja 9: Dispositivos electrónicos y optoelectrónicos

1.- Calcule la corriente inversa de saturación de un diodo de Ge con una sección transversal S=10 -2 cm2, sabiendo
que las concentraciones de dopado son NA=4 104 cm-3 y ND=5 1011 cm-3. Supóngase T=300 K, longitudes de difusión
Ln=Lp=0.01 cm y coeficientes de difusión Dn=100 cm2/s y Dp=48 cm2/s, sabiendo que para el Ge
ni(300K)=2.5 1013 cm-3.

2.- En un diodo de Ge con unión abrupta las resistividades de los dos semiconductores son 𝜌𝑛 = 5𝛺 ∙ 𝑚 y
𝜌𝑝 = 1𝛺 ∙ 𝑚. Suponiendo una temperatura T=300K, calcule a) altura de la barrera de potencial en circuito abierto
y b) la anchura de la zona de transición. Datos: 𝑛𝑖 (300𝐾 ) = 2.5 1013 𝑐𝑚−3 , 𝜇𝑛 = 3900 𝑐𝑚2 ⁄𝑉𝑠,
𝜇𝑝 = 1800 𝑐𝑚2 ⁄𝑉𝑠, 𝜀𝑟 = 16.

3.- En un diodo de Ge las concentraciones de impurezas son NA=1016 cm-3 en la zona P y ND=2 1016 cm-3 en la zona
N, siendo la sección de la unión es A=0.1 cm2. Suponiendo que el diodo se encuentra a T=300 K calcule: a) la
corriente inversa de saturación y b) la corriente de polarización directa cuando se aplica un voltaje V=200 mV.

Datos: ni = 2.4 1013 cm-3, Ln = 0.01 cm, Lp = 0.007 cm, 𝜇𝑒 (300 K) = 3900 cm2/Vs, 𝜇𝑝 (300 K) = 1820 cm2/Vs,
Dn(300 K) = 100 cm2/Vs, Dp(300 K) = 48 cm2/Vs, 𝜀 r=16.

4.- Un transistor pnp de Ge tiene una sección A=10-4 cm2 y una anchura efectiva de base W=10-4 cm. Los dopados
de cada una de las zonas son NAe=1018 cm-3, NDb=1016 cm-3, NAc=1017 cm-3. Determine las componentes de corriente
para una tensión emisor-base Veb=0.2 V. Datos : Dn=100 cm2/s, Dp=48 cm2/s, Le=Lc=5 10-4 cm, tb=100 ns, VT=0.26 V.

5.- Un transistor pnp de Ge tiene una sección A=10-4 cm2 y una anchura efectiva de base W=10-4 cm calcule: a) las
componentes de la corriente si la anchura de base se reduce a la mitad, b) si se tiene una anchura de base W=10-4
cm pero los dopados son NAe=NDb=NAc=1018 cm-3. Recuerde que para el Ge ni(300K)=2.5 1013 cm-3.