TECNOLOGIA MOS.

Su nombre se deriva de la bsica estructura MOS, la misma que consiste en un electrodo metlico sobre un aislante de oxido, sobre sustrato semiconductor. La tecnologa MOS se basa en uso de transistores de efecto campo, adems la mayora de CIs digitales construidos con la tecnologa MOS estn constituidos con MOSFETs y no se ocupa ningn otro componente. La gran ventaja que presenta esta tecnologa es la que su fabricacin es relativamente simple y econmica, adems es pequeo y consume muy poca energa, si se compara con la tecnologa TBJ, los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio, entonces los CIs digitales no utilizan elementos tipo resistencia, en los CIs bipolares gran parte de su rea es ocupada por estas resistencias. El nmero de circuitos que puede alojar un CIs MOS en un solo chip es mucho mayor que con los CIs bipolares. Entonces los dispositivos MOS se han convertido en parte dominante del mercado SSI y MSI. La desventaja de esta tecnologa es su gran susceptibilidad al dao por la electricidad esttica.

NMOS
El NMOS (Negative-channel Metal-Oxide Semiconductor) es un tipo de semiconductor que se carga negativamente de modo que los transistores se enciendan o apaguen con el movimiento de los electrones. En contraste, los PMOS (Positive-channel MOS) funcionan moviendo las valencias de electrones. El NMOS es ms veloz que el PMOS, pero tambin es ms costosa su fabricacin. Actualmente es el tipo de tecnologa que ms se usa en la fabricacin de circuitos integrados. Regin de saturacin de un MOSFET de canal N (NMOS) El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin VGS. Verifica las siguientes ecuaciones

siendo el parmetro descrito en la ecuacin 1.24. Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal En esta regin, la relacin cuadrtica entre VGS e ID se representa en la grfica de la izquierda de la figura 1.16 (Ver: MOSFET en regiones de corte y lineal), y de una manera similar a los

transistores JFET, puede ser utilizada para determinar por mtodos grficos el punto de polarizacin de los transistores aunque rara vez se recurre a ellos. Regin de ruptura de un MOSFET de canal N (NMOS) Un transistor MOS puede verse afectado por fenmenos de avalancha en los terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de xido fino de la puerta que pueden daar irreversiblemente al dispositivo.

Por ltimo, sealar que en la tabla 1.3 se indican las diferencias en el signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores NMOS y PMOS Regiones de operacin del NMOS FET Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente pero sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores MOS se definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y ruptura. En la figura 1.16 se muestran las curvas de caractersticas elctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operacin que son descritas brevemente a continuacin Regin de corte Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula. Regin lineal El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por tensin. Verifica las siguientes ecuaciones:

un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la anchura y L la longitud).

C-MOSFET (Complementary MOS FET)

Principio de operacin. C-MOS FET es la abreviacin de Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Complementary MOS FET MOSFET complementario. Este circuito es la combinacin de un MOSFET de canal P y un MOSFET de canal N. Funcionamiento:

- Cuando la entrada tiene un nivel de tensin negativo (L), el MOSFET de canal P conduce y el MOSFET de canal N no lo hace - Cuando la entrada tiene un nivel de tensin positivo (H), el MOSFET de canal N conduce y el MOSFET de canal P no lo hace

Se puede ver que el funcionamiento de ambos es siempre opuesto. Una caracterstica importante de este circuitos es que la corriente de salida, que se puede considerar relativamente alta, es controlada con facilidad.

Cuando la entrada est en nivel bajo (L), la salida est conectada directamente a la fuente de alimentacin a travs del MOS FET de canal P y se tiene un nivel alto (H). Cuando la entrada est en nivel alto (H), la salida est conectada directamente a la tierra a travs del MOS FET de canal N y se tiene un nivel bajo (L).

El nivel de salida de la salida es siempre el inverso que el de la entrada (hay inversin de fase).

En el circuito C-MOS FET el MOSFET de canal P y el de canal N podran no iniciar o dejar la conduccin bajo las mismas condiciones, esto debido a que la tensin en la compuerta, que hace que el MOSFET deje de conducir, tiene un valor que va de 1 a 2 voltios. Esta caracterstica depende de cada MOSFET en particular y es comn observar que la corriente de drenaje de un MOSFET es cero (MOSFET en corte) an cuando la tensin en la compuerta no lo sea.

Diferencias entre las familias CMOS y TTL Las diferencias ms importantes entre ambas familias son: En la fabricacin de los circuitos integrados se usan transistores bipolares par el TTL y transistores MOSFET para la tecnologa CMOS Los CMOS requieren de mucho menos espacio (rea en el CI) debido a lo compacto de los transistores MOSFET. Adems debido a su alta densidad de integracin, los CMOS estn superando a los CI bipolares en el rea de integracin a gran escala, en LSI - memorias grandes, CI de calculadora, microprocesadores-, as como VLSI. Los circuitos integrados CMOS es de menor consumo de potencia que los TTL. Los CMOS son ms lentos en cuanto a velocidad de operacin que los TTL. Los CMOS tienen una mayor inmunidad al ruido que los TTL. Los CMOS presenta un mayor intervalo de voltaje y un factor de carga ms elevado que los TTL. En resumen podemos decir que: TTL: diseada para una alta velocidad. CMOS: diseada para un bajo consumo. Actualmente dentro de estas dos familias se han creado otras, que intentan conseguir lo mejor de ambas: un bajo consumo y una alta velocidad. La familia lgica ECL se encuentra a caballo entre la TTL y la CMOS. Esta familia naci como un intento de conseguir la rapidez de TTL y el bajo consumo de CMOS, pero en raras ocasiones es empleada.

Caractersticas de las series CMOS Existen varias series en la familia CMOS de circuitos integrados digitales, estudiaremos las principales caractersticas de cada una. Series 4000/14000 Las primeras series CMOS fueron la serie 4000, que fue introducida por RCA y la serie14000 por Motorola. La serie original es la 4000A; la 4000B representa mejora con respecto a la primera y tiene mayor capacidad de corriente en sus salidas. A pesar de la aparicin de la nueva serie CMOS, las series 4000 siguen teniendo uso muy difundido. La serie 4000A es la lnea ms usada de Circuitos Integrados digitales CMOS, contiene algunas funciones disponibles en la serie TTL 7400 y est en expansin constante. Algunas caractersticas ms importantes de esta familia lgica son: a) La disipacin de potencia de estado esttico de los circuitos lgicos CMOS es muy baja. b) Los niveles lgicos de voltaje CMOS son 0 V para 0 lgico y VDD para 1 lgico. El suministro VDD puede estar en el rango 3 V a 15 V para la serie 4000. La velocidad de conmutacin de la familia CMOS 4000A vara con el voltaje de la fuente.(consultar el apartado de los niveles de voltaje). c) Todas las entradas CMOS deben estar conectadas a algn nivel de voltaje. Serie 74C Esta serie CMOS su caracterstica principal es que es compatible terminal por terminal y funcin por funcin, con los dispositivos TTL que tienen el mismo nmero (muchas de las funciones TTL, aunque no todas, tambin se encuentran en esta serie CMOS). Esto hace posible remplazar algunos circuitos TTL por un diseo equivalente CMOS. Por ejemplo, 74C74 contiene dos flip-flops tipo D disparados por flanco y tiene la misma configuracin de terminales que el CI TTL 7474, que tambin ofrece dos flipflops tipo D disparados por flanco. El resto de las caractersticas son iguales a la serie 74C. Las series HC/ HCT tienen como caracterstica principal su alta velocidad. Serie 74HC (CMOS de alta velocidad) Esta es una versin mejor de la serie 74C. La principal mejora radica en un aumento de diez veces en la velocidad de conmutacin (comparable con la de los dispositivos de la serie 74LS de TIL). Otra mejora es una mayor capacidad de corriente en las salidas. La serie 74HC son los CMOS de alta velocidad, tienen un aumento de 10 veces la velocidad de conmutacin. La serie 74HCT es tambin de alta velocidad, y tambin es compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL. Serie 74HCT

Esta serie tambin es una serie CMOS de alta velocidad, y est diseada para ser compatible en lo que respecta a los voltajes con los dispositivos TTL, es decir, las entradas pueden provenir de salidas TTL (esto no es cierto para las dems series CMOS.)

Compuertas OR
Modelo bsico

Datasheer Fabricante TEXAS INSTRUMENTS

Compuertas AND
Modelo bsico

Datasheet

Compuerta NOT
Modelo bsico

Conclusiones:
y y y y y Los dispositivos MOS se han convertido en parte dominante del mercado SSI y MSI La desventaja de esta tecnologa es su gran susceptibilidad al dao por la electricidad esttica La gran ventaja que presenta esta tecnologa es la que su fabricacin es relativamente simple y econmica Si se compara con la tecnologa TBJ, los dispositivos MOS ocupan mucho menos espacio. Esta es una tecnologa alterna a TTL, pero como se observ que debido a que ocupan un menor espacio y consumen menor potencia actualmente son muy usados.

BIBLIOGRAFIA
y y y y Sistemas Digitales principios y aplicaciones, Decima edicin, Ronald J Tocci pg. 518-525 http://www.unicrom.com/Tut_transistores_NMOS_region_corte_lineal.asp http://www.unicrom.com/Tut_transistores_NMOS_region_saturacion_ruptura.asp http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso0405/ftc/pdf/trab_familia_cmos.pdf y y y y http://www.kpsec.freeuk.com/components/cmos.htm http://pdf1.alldatasheet.es/datasheet-pdf/view/99446/TI/CD4075BF.html http://www.el.bqto.unexpo.edu.ve/~ltarazona/digitales/tema4A_4.pdf http://translate.google.com.ec/translate?hl=es&sl=en&u=http://www.allaboutcircuits.co m/vol_4/chpt_3/7.html&ei=5zzCTfKDFs