UNIVERSIDAD NACIONAL DE PILAR

FACULTAD DE CIENCIAS APLICADAS

Tacuary c/ Palma - Telefax: 086-230019
Email: fca@edu.unp.py
INSTITUTO TECNOLOGICO

















PROFESORA: Ing. Freddy Medina


INTEGRANTES: Vctor Porfirio Riveros
Melissa Silvia Gimnez Bez


CURSO: 4 Ao


CARRERA: Ingeniera Industrial


AO: 2011
Electrnica
Cuestionario.
1. Qu nombres se asignan a los dos tipos de transistores BTJ? Dibuje la construccin
bsica de cada uno e identifique los diversos portadores minoritarios y mayoritarios en
cada uno. Dibuje el smbolo grafico junto a cada uno Se altera algn elemento de esta
informacin al cambiar de una base de silicio a una de germanio?
Los nombres que se le asignan a los dos tipos de transistores BTJ, pueden ser de
germanio o de silicio.

Smbolos y tipos de transistor Estructura interna del transistor bipolar
NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la
movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores,
permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional cuando el dispositivo est en funcionamiento
activo.
PNP: El otro tipo de transistor bipolar de juntura es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos
transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor
desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos
capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de
una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en que
la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.
No se altera ninguna informacin.
2. Cul es la diferencia ms importante entre un dispositivo bipolar y uno polar?
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor polar es el modo de actuacin sobre el
terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para
regular la corriente de colector, mientras que en el polar el control se hace mediante la
aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la
estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los
otros dos terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
En un transistor bipolar I
B
controla la magnitud de I
C
.
En un FET, la tensin V
GS
controla la corriente I
D
.
En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.

3. Cmo se deben polarizar las dos uniones del transistor para una operacin de
amplificacin correcta del transistor?
Si se reduce la polarizacin en directo de la unin base-emisor, aumenta la altura de la
barrera de potencial. A los electrones que dejan el emisor les ser ms difcil alcanzar el tope.
Los electrones que lo alcanzan son aquellos con mayor cantidad de energa, y los que
alcanzarn el colector. Por tanto, una reduccin de la polarizacin en directo provoca que la
corriente a travs del transistor se reduzca en forma considerable. Por otra parte, al aumentar
la polarizacin en directo de la unin base-emisor se reduce la barrera de potencial y se
permite el flujo de un mayor nmero de electrones a travs del transistor.
4. Cul es la corriente de fuga de un transistor?







Se dice que el transistor de la figura est en corte. Ha alcanzado su resistencia mxima entre
colector y emisor y ha cortado la corriente. La escasa comente que an fluye se debe a los
portadores minoritarios de carga en el transistor y se considera como una corriente de fuga.
5. Dibuje una figura similar a la 3.3 para la unin con polarizacin directa de un transistor
npn. Describa el movimiento resultante del portador.






6. Dibuje una figura similar a la 3.4 para la unin con polarizacin inversa de un transistor
npn. Seale el movimiento resultante del portador.







7. Dibuje una figura similar a la 3.5 para el flujo de portadores mayoritarios y minoritarios
de un transistor npn. Describa el movimiento resultante del portador.




8. Cul de las corrientes del transistor es siempre la mayor? Cul es siempre la menor?
Cules de las dos corrientes son relativamente cercanas en magnitud?
En el transistor la corriente del emisor es la mayor. La corriente de base es mucho
menor, la

son relativamente cercanas.

9. Si la corriente del emisor de un transistor es de 8mA e

es de 1/100 de

. Determine
los niveles de

Datos: I

Formula, y Solucin: I

mA I

mA

mA

mA
I

mA mA mA
10. Defina

En que son diferentes? Cmo estn relaciones? Por lo general sus

magnitudes son cercanas?

En que uno ielaciona base colectoi y el otio colectoi emisoi
En que ambos son coiiientes ue fuga y sus magnituues son ceicanas.
11. Utilizando las caractersticas de la figura 3.14:
a) Encuentre el valor

correspondiente a

b) Encuentre el valor de

correspondiente a

Datos: I

A
v

mv I

mA
v

v
v

mv
v

v
I

mA