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476 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

El diagrama de Bode completo de la ecuación (7.10 (b)) se muestra en la figura 7.5. Para
F 1/2πτS , el segundo y tercer términos de la ecuación (7.10 (b)) se cancelan, y para
F 1/2πτS , domina el gran valor negativo de dB de la Figura 7.4 (b).
La función de transferencia dada por la ecuación (7.9) es para el circuito que se muestra en la figura.
ure 7.2. El condensador en serieCS es un condensador de acoplamiento entre la entrada y la salida
señales. A una frecuencia suficientemente alta, el condensadorCS actúa como un cortocircuito, y el
voltaje de salida, de un divisor de voltaje, es

Vo = [RPAG/(RS + RPAG)]VI

Para frecuencias muy bajas, la impedancia de CS se acerca a la de un circuito


abierto, y el voltaje de salida se acerca a cero. Este circuito se llamared de paso alto
ya que las señales de alta frecuencia pasan a la salida. Ahora podemos entender la forma
del diagrama de Bode que se muestra en la Figura 7.5.

|T (jf) |dB Asintótico


aproximación

0 Imaginario
RP parte
20 registro10 RS + RP 3 dB
Curva real
B
+ 6 dB / octava
o
+ 20 dB / década
K

q
f= 1 fescala logarítmica)

2pts A Parte real

Figura 7.5 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de Figura 7.6 Relación entre formas rectangulares y polares
voltaje para el circuito de la figura 7.2 de un número complejo

El diagrama de Bode de la función de fase se puede desarrollar fácilmente recordando la


lación entre el rectangular√y forma polar de un número complejo. Podemos escribir
A + j B = Ke jθ, dónde K = A2 + B2 y θ = broncearse-1 (LICENCIADO EN LETRAS). Esta relacion es
se muestra en la figura(e 7.6.

Para la función dada)en[Ecuación (7.8]), podemos escribir la función en la forma

R PAG j2π F τ S
T (jf) = ·
+ RPAG ∣∣∣ 1 + j2π F τS
[∣RS ] (7.11 (a))
∣∣ RPAG [| j2π F τ |Smi
jθ2]
=∣ ∣ mi jθ1
RS + R PAG [| 1 + j2π F τS |mi jθ3]

o
]
j
][ KK1 2 mi j (θ1+θ -θ3)
T (jf) = [ [K2mi jθ2]
2
K1mi θ1 =
K 3jmi θ 3
K3 (7.11 (b))

La fase neta de la función T (jf) es entonces θ = θ1 + θ2 - θ3.


Desde el primer término, [RPAG/(RS + RPAG)], es una cantidad real positiva, la fase es
θ1 = 0. El segundo término, ( j2π F τS), es puramente imaginario por lo que la fase es
θ2 = 90◦. El tercer término es complejo por lo que su fase es θ3 = broncearse-1 (2π F τS). La fase
neta de la función ahora es

θ = 90 - broncearse-1 (2π F τS) (7,12)


Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 477

Fase Asintótico
aproximación

90 °

45 °
Curva real

0
1 1 1
f = 10
fescala logarítmica)
f= f=
10 2ptS 2ptS 2ptS

Figura 7.7 Diagrama de Bode de la fase de la función de transferencia de

voltaje para el circuito de la figura 7.2

Para el caso límite de F → 0, tenemos bronceado-1 (0) = 0, y para F → ∞, nosotros


tener bronceado-1 (∞) = 90◦. En la frecuencia de esquina de f = 1 / (2πτS), la fase es bronceada-1 (1)
= 45◦. El diagrama de Bode de la fase de la función dada en la ecuación (7.11 (a))
se muestra en la Figura 7.7. Se muestra el gráfico real, así como una aproximación asintótica. La fase
es especialmente importante en los circuitos de retroalimentación, ya que puede influir en la
estabilidad. Veremos este efecto en el Capítulo 12.

Diagrama de Bode para la figura 7.3

Discusión cualitativa: Nuevamente, consideraremos inicialmente la magnitud de la tensión


función de la edad versus frecuencia. El condensadorCPAG en la Figura 7.3 está en paralelo con la
salida y luego se comporta como un capacitor de carga en la salida de un circuito, o puede representar
envió la capacitancia de entrada de una etapa de amplificador de seguimiento.

En el límite de frecuencia cero (la señal de entrada es una tensión continua constante), la
impedancia del condensador es infinita (un circuito abierto). En este caso, la señal de salida
es un valor constante dado por un divisor de voltaje, o Vo = [RPAG/(RP + RS)] · VI .
En el límite de una frecuencia muy alta, la impedancia del condensador se vuelve
muy pequeño (acercándose a un cortocircuito). En esta situación, el voltaje de salida será cero
o la magnitud de la función de transferencia de voltaje será cero.
Por lo tanto, esperamos que la magnitud de la función de transferencia comience en un
valor constante para las frecuencias cero y bajas, y luego disminuya hacia cero en las
frecuencias altas.

Derivación matemática: La función de transferencia dada por la ecuación (7.7) es para el


circuito que se muestra en la figura 7.3. Si reemplazamoss por s = jω = j2π F y de fi nir un
) S‖RPAG)CPAG , la]n la función de transferencia es
tiempo constante τ(PAG como τP (=R[

R PAG 1
T (jf) = (7,13)
RS + RPAG 1 + j2π F τPAG

La magnitud ( de ecuación)(7.[13) es
]
RPAG 1
|T (jf) | = · √ (7,14)
RS + RPAG 1 + (2π F τPAG)2

En la figura 7.8 se muestra un diagrama de Bode de esta expresión de magnitud. La


asíntota de baja frecuencia es una línea horizontal y la asíntota de alta frecuencia es una
478 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

|T (jf) |dB Asintótico


aproximación

0
RPAG
20 registro
10 RS + RPAG
3 dB
Curva real
- 20 dB / década
o
- 6 dB / octava

1
f= fescala logarítmica)
2ptpag

Figura 7.8 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de voltaje para el circuito de la figura 7.3.

línea recta con una pendiente de -20 dB / década, o -6 dB / octava. Las dos asíntotas
reunirse en la frecuencia f = 1/2πτPAG , que es la frecuencia de esquina, o 3 dB, para este circuito.
Nuevamente, la magnitud real de la función de transferencia en la frecuencia de esquina
difiere del valor asintótico máximo en 3 dB.
Nuevamente, la magnitud de la función de transferencia dada por la ecuación (7.14) es para
el circuito que se muestra en la Figura 7.3. El condensador paraleloCPAG es una carga, o parasitaria,
capacidad. A bajas frecuencias,CPAG actúa como un circuito abierto, y el voltaje de salida, de un
divisor de voltaje, es

Vo = [RPAG/(RS + RPAG)]VI

A medida que aumenta la frecuencia, la magnitud de la impedancia de CPAG disminuye y


se acerca a la de un cortocircuito, y el voltaje de salida se acerca a cero. Este circuito
se llama un red de paso bajo, ya que las señales de baja frecuencia se transmiten a
La salida.
La fase de la función de transferencia dada por la ecuación (7.13) es

Fase = - broncearse-1 (2π F τPAG) (7,15)

El diagrama de Bode de la fase se muestra en la Figura 7.9. La fase es-45 grados en la


frecuencia de esquina y 0 grados en la asíntota de baja frecuencia, donde CPAG es eficaz
tivamente fuera del circuito.

Fase 1⋅ 1 1
f= f= f = 10
10 2ptpag 2ptpag 2ptpag
0

- 45°

Curva real

- 90° Asintótico
aproximación

Figura 7.9 Diagrama de Bode de la fase de la función de transferencia de voltaje para el circuito de la figura 7.3
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 479

EJEMPLO 7.1
Objetivo: Determine las frecuencias de las esquinas y las asíntotas de magnitud máxima de las gráficas
de Bode para un circuito específico.
Para los circuitos de las Figuras 7.2 y 7.3, los parámetros son: RS = 1 k,
RP = 10 k, CS = 1 µF, y CP = 3 pF.

Solución: (Figura 7.2) La constante de tiempo es

τS = (RS + RPAG)CS = (103 + 10 × 103) (10-6) = 1.1 × 10-2 s ⇒ 11 ms

La frecuencia de esquina del diagrama de Bode que se muestra en la Figura 7.5 es entonces

1= 1
f= = 14,5 Hz
2πτS (2π) (11 × 10-3)

La magnitud máxima es
RPAG
= 10 = 0.909
RS + RPAG 1 +10
o
( )
R PAG
20 registro10 = -0,828 dB
RS + RPAG

Solución: (Figura 7.3) La constante de tiempo es

τP = (RS‖RPAG)CP = (103‖ (10 × 103)) (3 × 10-12) ⇒ 2,73 ns

La frecuencia de esquina del diagrama de Bode en la Figura 7.8 es entonces

1= 1
f= ⇒ 58,3 MHz
2πτ PAG (2π) (2,73 × 10-9)

La magnitud máxima es la misma que se acaba de calcular: 0,909 o -0,828 dB.

Comentario: Dado que los dos valores de capacitancia son sustancialmente diferentes, las dos
constantes de tiempo difieren en órdenes de magnitud, lo que significa que las dos frecuencias de
esquina también difieren en órdenes de magnitud. Más adelante en este texto, aprovecharemos estas
diferencias en nuestro análisis de circuitos de transistores.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.1: (a) Para el circuito que se muestra en la Figura 7.2, los parámetros son RS = 2 k y
RP = 8 k. (i) Si la frecuencia de esquina esFL = 50 Hz, determine el valor de CS .
(ii) Encuentre la magnitud de la función de transferencia en f = 20 Hz, 50 Hz y 100 Hz.
(Resp. (I) CS = 0.318 µF; (ii) 0,297, 0,566 y 0,716)
(b) Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.3 con parámetros RS = 4,7 mil,
RP = 25 k, y CP = 120 pF. (i) Determine la frecuencia de esquinaFH. (ii)
Determine la magnitud de la función de transferencia en f = 0,2 FH f = fH y
f = 8 FH. (Resp. (I)FH = 335 kHz; (ii) 0,825, 0,595, 0,104)
480 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

7.2.4 Constantes de tiempo de cortocircuito y circuito abierto

Los dos circuitos que se muestran en las Figuras 7.2 y 7.3 contienen cada uno solo un capacitor. El
circuito de la figura 7.10 tiene la misma configuración básica pero contiene ambos capacitores.
Condensador CS es el condensador de acoplamiento y está en serie con la entrada y la salida;
condensadorCPAG es el condensador de carga y está en paralelo con la salida y la tierra.

RS CS
Vo

VI + RPAG CPAG
-

Figura 7.10 Circuito con un acoplamiento en serie y un condensador de carga en paralelo

Podemos determinar la función de transferencia de voltaje de este circuito escribiendo un KCL


ecuación en el cabeceo de salida)mi. El resultado es
(
Vo(s) RPAG
= ×[ ( ) (1 ) ] (7,16)
VI (s) RS + RPAG R PAG C PAG 1+ s
1+ + τPAG
RS + RPAG C S sτ S
dónde τS y τPAG son las mismas constantes de tiempo que se definieron previamente.
Aunque la ecuación (7.16) es la función de transferencia exacta, es incómodo tratar
con esta forma.
Sin embargo, hemos visto en el análisis anterior que CS afecta la respuesta de
baja frecuencia y CPAG afecta la respuesta de alta frecuencia. Además, siCPAG CS
y si RS y RPAG son del mismo orden de magnitud, entonces las frecuencias de esquina de
las parcelas de Bode creadas por CS y CPAG diferirá en órdenes de magnitud. (En realidad, encontramos
esta situación en circuitos reales). En consecuencia, cuando un circuito contiene tanto
condensadores de acoplamiento y carga, y cuando los valores de los condensadores difieren en órdenes de
magnitud, entonces podemos determinar el efecto de cada condensador individualmente.
A bajas frecuencias, podemos tratar el condensador de carga. CPAG como circuito abierto. Para encontrar la

resistencia equivalente vista por un capacitor, establezca todas las fuentes independientes iguales a

cero. Por lo tanto, la resistencia efectiva vista porCS es la combinación en serie de RS


y Rpag. La constante de tiempo asociada con CS es

τS = (RS + RPAG)CS (7,17)

Desde CPAG se hizo un circuito abierto, τS se llama un constante de tiempo de circuito abierto. El
subíndice S está asociado con el condensador de acoplamiento, o el condensador en serie con
las señales de entrada y salida.
A altas frecuencias, podemos tratar el condensador de acoplamiento. CS como un cortocircuito. La
resistencia efectiva vista por CPAG es la combinación paralela de RS y RPAG, y la constante de
tiempo asociada es

τP = (RS‖RPAG)CPAG (7,18)

que se llama el constante de tiempo de cortocircuito. El subíndice PAG está asociado con el
condensador de carga, o el condensador en paralelo con la salida y la tierra.
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 481

Vo
Vi

T (máx.)dB

FL FH F

Figura 7.11 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de voltaje para el circuito de
la figura 7.10

Ahora podemos definir las frecuencias de las esquinas del diagrama de Bode. Laesquina inferior,
o la frecuencia de 3 dB, que se encuentra en el extremo inferior de la escala de frecuencia, es una función de la

constante de tiempo de circuito abierto y se define como

FL = 1 (7.19 (a))
2πτS

La esquina superior, o 3 dB, la frecuencia, que se encuentra en el extremo superior de la escala de


frecuencia, es una función de la constante de tiempo de cortocircuito y se define como

FH = 1 (7.19 (b))
2πτPAG

El diagrama de Bode resultante de la magnitud de la función de transferencia de voltaje para el


circuito de la figura 7.9 se muestra en la figura 7.11.
Este diagrama de Bode es para un circuito pasivo; los diagramas de Bode para amplificadores de
transistores son similares. La ganancia del amplificador es constante en un amplio rango de frecuencias,
llamadobanda media. En este rango de frecuencia, todos los efectos de capacitancia son despreciables y
pueden despreciarse en los cálculos de ganancia. En el extremo superior del espectro de frecuencia, la
ganancia cae como resultado de la capacitancia de carga y, como veremos más adelante, los efectos del
transistor. En el extremo inferior del espectro de frecuencia, la ganancia disminuye porque los condensadores
de acoplamiento y los condensadores de derivación no actúan como cortocircuitos perfectos.
El rango de banda media, o banda ancha, se define por las frecuencias de las esquinas FL y
FH como sigue:

FBW = FH - FL (7.20 (a))

Desde F H FL, como hemos visto en nuestros ejemplos, el ancho de banda se da esencialmente
por
FBW =∼FH (7.20 (b))

EJEMPLO 7.2
Objetivo: Determine las frecuencias de las esquinas y el ancho de banda de un circuito pasivo
que contiene dos capacitores.
Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.10 con parámetros RS = 1 k, RP =
10 k, CS = 1 µF, y CP = 3 pF.

Solución: Desde CPAG es menos que CS en aproximadamente seis órdenes de magnitud, podemos tratar el

efecto de cada condensador por separado. La constante de tiempo de circuito abierto es

τS = (RS + RPAG)CS = (103 + 10 × 103) (10-6) = 1.1 × 10-2 s


482 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

y la constante de tiempo de cortocircuito es

τP = (RS‖RPAG)CP = [103‖ (10 × 103)] (3 × 10-12) = 2,73 × 10-9 s

Las frecuencias de las esquinas son entonces

1 1
FL = = = 14,5 Hz
2πτS 2π (1.1 × 10-2)

y
1
FH = 1 = ⇒ 58,3 MHz
2πτPAG 2π (2,73 × 10-9)

Finalmente, el ancho de banda es

FBW = FH - FL = 58,3 MHz - 14,5 Hz ∼ = 58,3 MHz

Comentario: Las frecuencias de las esquinas en este ejemplo son exactamente las mismas que las
determinadas en el ejemplo 7.1. Esto ocurrió porque las dos frecuencias de las esquinas están muy
separadas. La magnitud máxima de la función de voltaje es nuevamente

RPAG 10
= = 0.909 ⇒ 0-.828días
B 10
RS + RPAG 1+

El diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de voltaje se muestra en la figura.


ure 7.12.

fL= 14,5 Hz FH = 58,3 MHz


Vo dB
fHz)
VI 0,1 1 10 100 106 107 108 109
1.0 0
3 dB 3 dB
Asíntotas
0,1 - 20

0,01 - 40

0,001 - 60

Figura 7.12 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de voltaje para el circuito de la figura
7.10

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.2: El circuito que se muestra en la Figura 7.10 tiene parámetros de RP = 7,5 ky CP = 80


pF. La ganancia de banda media es –2 dB y la frecuencia de esquina inferior es
FL = 200 Hz (a) Determine RS , CS , y la frecuencia de la esquina superior FH. (b) Determine
las constantes de tiempo de circuito abierto y cortocircuito. (Resp. (A)RS = 1,94 k,
CS = 0.0843µF, FH = 1,29 MHz; (B)τS = 0,796 ms, τP = 0,123µs)

Continuaremos, en las siguientes secciones del capítulo, utilizando el concepto de constantes de


tiempo de circuito abierto y de cortocircuito para determinar las frecuencias de esquina de los
diagramas de Bode de los circuitos de transistores. Una suposición implícita en esta técnica es que los
valores de capacidad de carga y acoplamiento difieren en muchos órdenes de magnitud.
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 483

Pon a prueba tu comprensión

TYU 7.1 Para el circuito equivalente que se muestra en la Figura 7.13, los parámetros son:
RS = 1 k, rπ = 2 k, RL = 4 k, gramom = 50 mA / V y CC = 1 µF. (a) Determine la expresión
de la constante de tiempo del circuito. (b) Calcule la frecuencia de 3 dB y
asíntota de ganancia máxima. (c) Dibuje el diagrama de Bode de la función de transferencia magni-
tude. (Resp. (A)τ = (rπ + RS)CC, (B) F3 dB = 53,1 Hz, |T (jω) |max = 133)

RS CC
Vo
+
VI + Vpag rpag RL
-
- gramometroVpag

Figura 7.13 Figura para el ejercicio TYU 7.1

TYU 7.2 El circuito equivalente de la figura 7.14 tiene parámetros de circuito RS = 100,
rπ = 2,4 k, gramom = 50 mA / V, RL = 10 k, y CL = 2 pF. (a) Determine la expresión
y el valor de la constante de tiempo del circuito. (b) Calcule los 3 dB
frecuencia y la ganancia de voltaje máxima. (c) Dibuje el diagrama de Bode de la transferencia
magnitud de la función. (Resp. (a) τ = RL C L= 0,02µs; (B)F3 dB = 7,96 MHz,
|Av | =480)

RS RS CC
Vo Vo
+ +
+ Vpag rpag RL CL +
VI - VI Vpag rpag RL CL
-
- gramometroVpag
- gramometroVpag

Figura 7.14 Figura del ejercicio TYU 7.2 Figura 7.15 Figura para el ejercicio TYU 7.3

TYU 7.3 Los parámetros del circuito que se muestra en la Figura 7.15 son RS = 100,
rπ = 2,4 k, gramom = 50 mA / V, RL = 10 k, CC = 5µF, y CL = 4 pF. (a) Encuentre las constantes de
tiempo de circuito abierto y cortocircuito. (b) Calcule la ganancia de voltaje de banda media.
(c) Determine las frecuencias superior e inferior de 3 dB. (Resp. (A)τS = 12,5 ms,
τP = 0,04µs; (B)Av = -480; (C)FL = 12,7 Hz, FH = 3,98 MHz)

7.2.5 Respuesta de tiempo

Hasta este punto, hemos estado considerando la respuesta de frecuencia sinusoidal de estado
estable de los circuitos. En algunos casos, sin embargo, es posible que necesitemos amplificar señales
no sinusoidales, como las ondas cuadradas. Esta situación puede ocurrir si se van a amplificar señales
digitales. En estos casos, debemos considerar la respuesta en el tiempo de las señales de salida.
Además, se pueden utilizar señales como pulsos u ondas cuadradas para probar la respuesta de
frecuencia de los circuitos.
484 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

ZC = 1 Para obtener un poco de comprensión, considere el circuito que se muestra en la figura 7.16, que es
RSS Carolina del SurS
una repetición de la figura(ure 7.2. Como se mencionó anteriormente, el condensador representa un acoplamiento
Vo (s)
condensador. La diversión de la transferencia)C[ción se dio en la ecuación]ución (7(.4) como
+ )
VI (s) -
RPAG Vo (s)= RPAG s (RS + RPAG)CS sτ S
= K2 (7,21)
VI (s) RS + RPAG 1 +s (RS + RPAG)CS 1 +sτS
donde la constante de tiempo es τS = (RS + RPAG)CS .
Si el voltaje de entrada es una función escalonada, entonces VI (s) = 1 /s. El voltaje de salida puede
Figura 7.16 Repita la
entonces se escribe como
Figura 7.2 (acoplamiento ( ) ( )
circuito del condensador), τS 1
Vo (s) = K2 = K2 s + 1 /τS (7,22)
pero mostrando complejo s 1 + sτS
parámetros
Tomando la transformada inversa de Laplace, encontramos la respuesta de tiempo de voltaje de salida como

vo (t) = K2mi-t /τS (7,23)

Si estamos tratando de amplificar un pulso de voltaje de entrada usando un capacitor de acoplamiento,


el voltaje aplicado al amplificador (carga) comenzará a disminuir. En este caso, lo haríamos
Necesito asegurar que el tiempo constante τS es grande en comparación con el ancho del pulso de entrada T.
El voltaje de salida en función del tiempo para una señal de entrada de onda cuadrada se muestra en la Figura 7.17.

Una constante de tiempo grande implica un condensador de acoplamiento grande.

Si la frecuencia de corte de la función de transferencia es F3 dB = 1/2πτS = 5 kHz, luego


la constante de tiempo es τS = 3,18 µs. Para un ancho de pulso deT = 0,1 µs, el voltaje
de salida caerá solo un 0.314 por ciento al final del pulso.
Considere ahora el circuito que se muestra en la figura 7.18, que es una repetición de la figura 7.3. En
este caso, el condensadorCPAG puede representar la capacitancia de entrada de un amplificador. La
función de transferenciaen
( fue dado)norte[en la ecuación (7.7) como]
( )
Vo(s) RPAG 1 1
= = K1 (7,24)
VI (s) RS + RPAG 1 +s (RPAG R‖S) CPAG 1 +sτPAG
donde la constante de tiempo es τP = (RPAG‖RS)CPAG .
Nuevamente, si la señal de entrada es una función escalonada, entonces VI (s) = 1 /s. El voltaje de salida
luego se puede escribir como
( ) ( )
1 K1 1 /τPAG
Vo (s) = K1 = (7,25)
s 1 +sτPAG s s +1 /τPAG
Tomando la transformada inversa de Laplace, encontramos la respuesta de tiempo de voltaje de salida como

vo (t) = K1 (1 - mi-t /τPAG ) (7,26)

Si estamos tratando de amplificar un pulso de voltaje de entrada, debemos asegurarnos de que la


constante de tiempo τPAG es corto en comparación con el ancho del pulso T, para que la señal vO (t) alcanza un

vO (t)
RS
Vo (s)

V I(s) +
-
RPAG ZC = 1
Carolina del SurPAG

0 T t

Figura 7.17 Respuesta de salida del circuito de la Figura 7.18 Repita la Figura 7.3 (carga
figura 7.16 para una señal de entrada de onda cuadrada y circuito del condensador), pero mostrando complejo
para una constante de tiempo grande s parámetros
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 485

vI vI
vO (t)

vO vO
T 2T 3T 4T t T vO 2T 3T 4T t
vI

vO vI
0 T t
(a) (B)
Figura 7.19 Respuesta de salida del

circuito de la figura 7.18 para una señal Figura 7.20 Respuesta de salida de estado estacionario para una respuesta de entrada de onda cuadrada para
de entrada de onda cuadrada y para una (a) circuito de la figura 7.16 (condensador de acoplamiento) y una constante de tiempo grande, y
constante de tiempo breve (b) circuito en la Figura 7.18 (capacitor de carga) y una constante de tiempo corta

valor de estado estacionario. El voltaje de salida se muestra en la Figura 7.19 para una onda cuadrada
señal de entrada. Una constante de tiempo corta implica un condensador muy pequeñoCPAG como
capacitancia de entrada a un amplificador.
En este caso, si la frecuencia de corte de la función de transferencia es F3 dB = 1/2πτP =
10 MHz, entonces la constante de tiempo es τP = 15,9 ns.
La figura 7.20 resume las respuestas de salida de estado estable para la entrada de onda cuadrada.
señales de los dos circuitos que acabamos de considerar. La figura 7.20 (a) muestra la respuesta de salida de
estado estable del circuito de la figura 7.16 (condensador de acoplamiento) para una constante de tiempo
prolongada, y la figura 7.20 (b) muestra la respuesta de salida de estado estable del circuito de la figura 7.18
(condensador de carga ) durante un breve período de tiempo constante.

7.3 RESPUESTA DE FRECUENCIA: AMPLIFICADORES DE


TRANSISTOR CON CONDENSADORES DE CIRCUITO

Objetivo: • Analizar la respuesta de frecuencia de circuitos de transistores con


condensadores.

En esta sección, analizaremos el amplificador básico de una etapa que incluye condensadores de
circuito. Se considerarán tres tipos de condensadores: condensador de acoplamiento, condensador
de carga y condensador de derivación. En nuestro análisis manual, consideraremos cada tipo de
condensador individualmente y determinaremos su respuesta de frecuencia. En la última parte de
esta sección, consideraremos el efecto de múltiples capacitores usando un análisis de PSpice.
La respuesta de frecuencia de los circuitos de etapas múltiples se considerará en el Capítulo 12 cuando
se considere la estabilidad de los amplificadores.

7.3.1 Efectos del condensador de acoplamiento

Condensador de acoplamiento de entrada: circuito emisor común


La figura 7.21 (a) muestra un circuito de emisor común bipolar con un capacitor de acoplamiento. La
figura 7.21 (b) muestra el correspondiente circuito equivalente de pequeña señal, con el
resistencia de salida de pequeña señal del transistor ro se supone que es infinito. Esta suposición
es válido desde ro RC y ro Rmi en la mayoría de los casos. Inicialmente, usaremos una corriente-

Análisis de voltaje para determinar la respuesta de frecuencia del circuito. Entonces, usaremos
la técnica de constante de tiempo equivalente.
Del análisis de la sección anterior, observamos que este circuito es un paso alto.
la red. A altas frecuencias, el condensadorCC actúa como un cortocircuito, y la entrada
486 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

VCC

RC RI
Rib
R1 RSi CC
vO Vo
CC +
RSi II IB Vpag
rpag
- gV
+ R B= metro pag

VI RC
- R1  R2
vI + R2
- Rmi Rmi

(a) (B)

Figura 7.21 (a) Circuito de emisor común con condensador de acoplamiento y (b) circuito equivalente
de pequeña señal

la señal se acopla a través del transistor a la salida. A bajas frecuencias, el impedimento


ance de CC se vuelve grande y la salida se acerca a cero.

Análisis de corriente-voltaje: La corriente de entrada se puede escribir como

VI
Iyo = (7,27)
RSi + 1+ R I
C del Sur
Carolina

donde la resistencia de entrada RI es dado por

Ryo = RB‖ [rπ + (1 + β)RE] = RB‖Rib (7,28)

Al escribir la ecuación (7.28), usamos la regla de reflexión de resistencia dada en el capítulo 6.


Para determinar la resistencia de entrada a la base del transistor, multiplicamos la emisión
ter resistan(ce por la fa)ctor (1 + β).
Usando un divisor de corriente, determinamos que la corriente base es

RB
Ib = II (7,29)
RB + Rib

y entonces

Vπ = IBrπ (7,30)

La tensión de salida viene dada por

Vo = -gramometroVπ RC (7,31)

Combinando las ecuaciones (7.27) a ((7.31) produ) ces

RB
Vo = -gramometro RC(IBrπ ) = - gr RC II  
RB + Rib
metro π

 
( ) (7,32)
RB   VI  
= -gramometrorπ RC    
RB + Rib   1+ R  
RSi + I
C del Sur
Carolina
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 487

Por lo tanto, la señal pequeña v( ganancia de voltaje i)s


( )
V (s ) RB Carolina del SurC
Av (s) = o = -gr R
metro π C (7,33)
VI (s ) RB + Rib 1 +s (RSi) + RI )CC
que se puede escribir en la forma
( ) (
V (s) -gramo rπ R
metro C RB sτ S
Como)
v =o = (7,34)
VI (s) (RSi + RI ) RB + Rib 1 +sτS
donde la constante de tiempo es

τS = (RSi + RI )CC (7,35)

La forma de la función de transferencia de voltaje dada en la ecuación (7.34) es la misma que la


de la ecuación (7.4), para el circuito del capacitor de acoplamiento en la figura 7.2. El Bode
Por lo tanto, el diagrama es similar al que se muestra en la Figura 7.5. La frecuencia de esquina es

1= 1
FL = (7,36)
2πτS 2π (RSi + RI )CC

y la magnitud máxima(, en decibelios)s,(es


)
gramometrorπ RC RB
|A (vmax) |dB = 20 registro10 (7,37)
RSi + RI RB + Rib

EJEMPLO 7.3
Objetivo: Calcule la frecuencia de esquina y la ganancia máxima de un circuito transmisor de comunicación

bipolar con un condensador de acoplamiento.


Para el circuito que se muestra en la Figura 7.21, los parámetros son: R1 = 51,2 mil,
R2 = 9,6 mil, RC = 2 k, RE = 0,4 k, RSi = 0,1 k, CC = 1 µF, y VCC =
10 V. Los parámetros del transistor son: VSER(encendido) = 0,7 V, β = 100 y VA = ∞.

Solución: A partir de un análisis de cd, la corriente del colector en reposo es ICQ = 1,81 mA. La
Los parámetros de pequeña señal son gramom = 69.6mA / V y rπ = 1,44 k. La
resistencia de entrada es

Ryo = R1 ‖R2‖ [rπ + (1 + β)RMI]


= 51,2 ‖9,6‖ [1,44 + (101) (0,4)] = 6,77 k

y la constante de tiempo es por tanto

τS = (RSi + RI )CC = (0,1 × 103 + 6,77 × 103) (1 × 10-6) ⇒ 6,87 ms La

frecuencia de esquina es
1
FL = 1= = 23,2 Hz
2πτS 2π (6,87 × 10-3)

Finalmente, el máximo ( ganancia de voltaje) la magnitud es

RB
|Av |max = gramometrorπ RC
(RSi + RI ) RB + Rib

dónde

Rib = rπ + (1 + β)RE = 1,44 + (101) (0,4) = 41,8 k


488 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

Por lo tanto,
( )
8.084
|Av |max = (69,6) (1,44) (2) = 4,72
(0,1 + 6,775) 8.084 +41.84

Comentario: El condensador de acoplamiento produce una red de paso alto. En este circuito, si la frecuencia de

la señal está aproximadamente dos octavas por encima de la frecuencia de la esquina, el condensador de
acoplamiento actúa como un cortocircuito.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.3: Para el circuito que se muestra en la Figura 7.21 (a), los parámetros son: VCC = 3 V,
RSi = 0, R1 = 110 k, R2 = 42 k, RE = 0,5 k, RC = 7 k, y CC =
0,47µF. Los parámetros del transistor son β = 150, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞.
(a) Determine la expresión y el valor de la constante de tiempo τS . (b) Determine la
frecuencia de esquina y la ganancia de voltaje de banda media. (Resp. (A)τS = RICC =
10,87 ms; (B)FL = 14,6 Hz, Av = -10,84)

Técnica de tiempo constante: En general, no necesitamos derivar la función de transferencia del


circuito completo, incluidos los efectos de capacitancia, para completar el diagrama de Bode y
determinar la respuesta de frecuencia. Al observar un circuito con, inicialmente, solo un capacitor,
podemos determinar si el amplificador es un circuito de paso bajo o de paso alto. Entonces podemos
especificar el diagrama de Bode si conocemos la constante de tiempo y la ganancia máxima de banda
media. La constante de tiempo determina la frecuencia de esquina. La ganancia de banda media se
encuentra de la forma habitual cuando se eliminan las capacitancias del circuito.
Esta técnica de constante de tiempo produce buenos resultados cuando todos los polos son
reales, como será el caso en este capítulo. Además, esta técnica no determina las frecuencias de
esquina debido a los ceros del sistema. El principal beneficio de usar el enfoque de constante de
tiempo es que brinda información sobre qué elementos del circuito afectan la-3 dB de frecuencia del
circuito. Un condensador de acoplamiento produce una red de paso alto, por lo que la forma del
diagrama de Bode será la misma que se muestra en la figura 7.5. Además, la ganancia máxima se
determina cuando el condensador de acoplamiento actúa como un cortocircuito, como se asumió en
los Capítulos 4 y 6.
La constante de tiempo del circuito es una función de la resistencia equivalente vista por el
capacitor. El circuito equivalente de pequeña señal se muestra en la figura 7.21 (b). Si nosotros
establecer la fuente de voltaje independiente igual a cero, la resistencia equivalente el visto por
condensador de acoplamiento CC es (RSi + RI ). La constante de tiempo es entonces

τS = (RSi + RI )CC (7,38)

Es lo mismo que la ecuación (7.35), que se determinó mediante un análisis de


corriente-voltaje.

Condensador de acoplamiento de salida: circuito de fuente común


La figura 7.22 (a) muestra un amplificador MOSFET de fuente común. Suponemos que el
La resistencia del generador de señal es mucho menor que RGRAMO y por lo tanto puede ser ignorado.
En este caso, la señal de salida se conecta a la carga a través de un condensador de acoplamiento.
El circuito equivalente de pequeña señal, asumiendo ro es infinito, se muestra en la figura
7.22 (b). El voltaje de salida máximo, asumiendoCC es un cortocircuito, es

|Vo |max = gramometroVgsRD‖RL) (7,39)


Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 489

+5V

RD = 6,7 milΩ
CC
vo CC
Vo
RL =
10 kΩ + RD = RL =
Vgs gramometroVgs
6,7 milΩ 10 kΩ
vI + RG = + R= -
- 50 kΩ RS = VI -
GRAMO

50 kΩ
5 kΩ
RS =
5 kΩ
-5V

(a) (B)

Figura 7.22 (a) Circuito de fuente común con condensador de acoplamiento de salida y (b) señal pequeña
circuito equivalente

y el voltaje de entrada se puede escribir como

Vyo = Vgs + gramometro RSVgs (7,40)

Por lo tanto, la ganancia máxima de pequeña señal es

|Av |max = gramometro(RD‖RL) (7,41)


1 + gramometro RS

Aunque el condensador de acoplamiento se encuentra en la parte de salida del circuito, el


diagrama de Bode seguirá siendo el de una red de paso alto, como se muestra en la figura 7.5. El uso
de la técnica de la constante de tiempo para determinar la frecuencia de esquina simplificará
sustancialmente el análisis del circuito, ya que no es necesario determinar específicamente la función
de transferencia para la respuesta de frecuencia.
La constante de tiempo es una función de la resistencia efectiva vista por el capacitor. CC,
que se determina estableciendo todas las fuentes independientes en cero. DesdeVyo = 0,
luego Vgs = 0 y gramometroVgs = 0, y la resistencia efectiva vista por CC es (RD + RL).
La constante de tiempo es entonces

τS = (RD + RL)CC (7,42)

y la frecuencia de esquina es FL = 1/2πτS .

EJEMPLO DE DISEÑO 7.4


Objetivo: El circuito de la figura 7.22 (a) debe usarse como un ampli fi cador de audio simple.
Diseñe el circuito de modo que la frecuencia de esquina inferior seaFL = 20 Hz.

Solución: La frecuencia de la esquina se puede escribir en términos de la constante de tiempo, de la siguiente

manera:

FL = 1
2πτS

La constante de tiempo es entonces

1
τS = 1= ⇒ 7,96 ms
2π F 2π (20)
490 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

Por lo tanto, de la ecuación (7.42) la capacitancia de acoplamiento es

τS 7,96 × 10-3
C C= = = 4,77 × 10-7 F
RD + RL 6,7 × 103 + 10 × 103
o
CC = 0,477 µF

Comentario: Usar la técnica de constante de tiempo para encontrar la frecuencia de esquina es

sustancialmente más fácil que usar el método de análisis de circuitos.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.4: Considere el circuito que se muestra en la figura 7.22 (a). Los voltajes de polarización son
cambiado a V + = 3 V y V- = -3 V.Otros parámetros del circuito son RL = 20 k y R
G = 100 k. Los parámetros del transistor sonVTN = 0,4 V, Kn = 100µAV2,
y λ = 0. (a) Diseñe el circuito de manera que IDQ = 250µA y VDSQ = 1,7 V.
(b) Si CC = 0,7µF, determine la frecuencia de esquina. (Resp. (A)RS = 4,08 mil,
RD = 13,1 k; (B)FL = 6,87 Hz)

Condensador de acoplamiento de salida: Circuito seguidor de emisor: Un seguidor emisor con


En la figura 7.23 (a) se muestra un condensador de acoplamiento en la parte de salida del circuito.
Suponemos que el condensador de acoplamiento CC1, que forma parte del seguidor emisor original,
es muy grande y actúa como un cortocircuito a la señal de entrada.
El circuito equivalente de pequeña señal, incluida la resistencia del transistor de pequeña
señal ro, se muestra en la Figura 7.23 (b). La resistencia equivalente vista por el acoplamiento
condensador CC2 es [Ro + RL], y la constante de tiempo es

τS = [Ro + RL]CC2 (7,43)

dónde Ro es la resistencia de salida como definido en la figura 7.23 (b). Como se muestra en Capítulo 6,
la resistencia de salida{e es
}
+ (RS‖ RB ) ]
Ro = Rmi‖ro‖ [rπ (7,44)
1+β

+ 10 V

CC1 → ∞
Ro
RS = 0,5 kΩ CC2 RS = 0,5 kΩ rpag
vo Vo
vI + RB = 100 kΩ
- + V-
pag CC2
RE = RL = VI + RB = ro RE = RL =
- 100 kΩ 10 kΩ 10 kΩ
10 kΩ 10 kΩ gramometroVpag

- 10 V
(a) (B)

Figura 7.23 (a) Circuito emisor-seguidor con condensador de acoplamiento de salida y (b) circuito equivalente
de pequeña señal
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 491

Si combinamos las ecuaciones (7.44) y (7.43), la expresión de la constante de tiempo se


vuelve bastante complicada. Sin embargo, el análisis de corriente-voltaje de este circuito
incluso CC2 es aún más engorroso. De nuevo, la técnica de la constante de tiempo simplifica
sustancialmente el análisis.

EJEMPLO 7.5
Objetivo: Determine la frecuencia de 3 dB de un circuito amplificador emisor-seguidor con un
capacitor de acoplamiento de salida.
Considere el circuito que se muestra en la figura 7.23 (a) con parámetros de transistor
β = 100, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = 120 V. La capacitancia de acoplamiento de salida es
CC2 = 1 µF.

Solución: Un análisis de cd muestra que ICQ = 0,838 mA. Por lo tanto, los parámetros de
pequeña señal son:rπ =
De la ecuación (7.44), la resistencia de salida Ro del seguidor emisor es
{ 3,10 k, gramom =} 32,2 mA / V y ro = 143 k.
Ro = Rmi‖ro‖ {[rπ + (RS‖RB)]
1+β
}
= 10‖143‖ [3,10 + (0,5‖100)] = 10‖143‖0,0356 k ∼ = 35,5
101
De la ecuación (7.43), la constante de tiempo es

τS = [Ro + RL]CC2 = [35,5 + 104] (10-6) ∼ = 1 × 10-2 s


La frecuencia de 3 dB es entonces

1
FL = 1= = 15,9 Hz
2πτS 2π (10- 2)

Comentario: La determinación de los 3 dB o la frecuencia de esquina es muy directa con la técnica de

constante de tiempo.

Verificación por computadora: Basado en el análisis de PSpice, la Figura 7.24 es un diagrama de Bode de la
magnitud de ganancia de voltaje del circuito emisor-seguidor que se muestra en la Figura 7.23 (a). La
frecuencia de esquina es esencialmente idéntica a la obtenida por la tecnología de constante de tiempo.
nique. Además, el valor asintótico de la ganancia de voltaje de pequeña señal esAv = 0,988, como
esperado para un circuito emisor-seguidor.

|AV |

1.0

0,1

0,01
1 10 FL 100 1000 fHz)

Figura 7.24 Resultados del análisis de PSpice para el circuito emisor-seguidor en la Figura 7.23 (a)
492 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.5: Para el circuito emisor-seguidor que se muestra en la figura 7.23 (a), determine el
valor requerido de CC2 para producir una frecuencia de esquina de 10 Hz. (Resp.CC2 = 1,59 µF)

Técnica de resolución de problemas: diagrama de Bode de magnitud de ganancia

1. Para un condensador particular en un circuito, determine si el condensador está


produciendo un circuito de paso bajo o de paso alto. A partir de esto, dibuje la forma general
del diagrama de Bode.
2. La frecuencia de esquina se encuentra a partir de f = 1/2 πτ donde la constante de tiempo es
τ = ReqC. La resistencia equivalente Req es la resistencia equivalente vista por el
condensador.
3. La magnitud de ganancia máxima es la ganancia de banda media. Los condensadores de acoplamiento y de

derivación actúan como cortocircuitos y los condensadores de carga actúan como circuitos abiertos.

7.3.2 Efectos del condensador de carga

Se puede conectar una salida de ampli fi cador a una carga, a la entrada u otro ampli fi cador.
El modelo de la impedancia de entrada del circuito de carga es generalmente una capacitancia
en paralelo con una resistencia. Además, hay una capacitancia parásita entre tierra y la línea
que conecta la salida del amplificador al circuito de carga.
La figura 7.25 (a) muestra un amplificador de fuente común MOSFET con una resistencia de carga.
tance RL y una capacidad de carga CL conectado a la salida, y la Figura 7.25 (b) muestra
el circuito equivalente de pequeña señal. La resistencia de salida de pequeña señal del transistor.ro se
supone que es infinito. Esta configuración de circuito es esencialmente la misma que en
Figura 7.3, que es una red de paso bajo. A altas frecuencias, la impedancia deCL
disminuye y actúa como una derivación entre la salida y tierra, y el voltaje de salida
tiende a cero. El diagrama de Bode es similar al que se muestra en la Figura 7.8, con una frecuencia
de esquina superior y una asíntota de ganancia máxima.

+5V

RS

Vo
gramometroVsg

+ RG = vO -
vI - V sg RD RL CL
200 kΩ
+ R= +
VI -
GRAMO

RD RL CL 200 kΩ
RS

-5V

(a) (B)

Figura 7.25 (a) Circuito de fuente común MOSFET con un condensador de carga y (b) circuito equivalente de
pequeña señal
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 493

La resistencia equivalente vista por el condensador de carga. CL es RD‖RL. Desde que establecimos
Vyo = 0, entonces gramometroVsg = 0, lo que significa que la fuente de corriente dependiente no
afectar la resistencia equivalente.
La constante de tiempo para este circuito es

τP = (RD‖RL)CL (7,45)

La asíntota de ganancia máxima, que se encuentra asumiendo CL es un circuito


abierto, es

gramometro(RD‖RL)
|Av |max = (7,46)
1 + gramometro RS

7.3.3 Condensadores de carga y acoplamiento

En la figura 7.26 (a) se muestra un circuito con un capacitor de acoplamiento y un capacitor de carga.
Dado que los valores de la capacitancia de acoplamiento y la capacitancia de carga difieren en
órdenes de magnitud, las frecuencias de las esquinas están muy separadas y pueden tratarse por
separado como se discutió anteriormente. El circuito equivalente de pequeña señal se muestra en
Figura 7.26 (b), asumiendo la resistencia de pequeña señal del transistor ro es infinito.

+5V

RC = 5 kΩ
R1 =
40 kΩ
vO
RS = 0,1 kΩ
RL = CL =
C C= 10 kΩ 15 pF
vI + 10 metroF
- R2 =
RE =
5,7 milΩ
0,5 kΩ

-5V

(a)

RI
R S= 0. 1 kΩ
Vo
CC = IB +
II
+ R1  R =2 RC = RL = CL =
VI -
10 metroF
Vpag rpag
5 kΩ 5 kΩ 10 kΩ 15 pF
- gramometroVpag

RE = 0,5 kΩ

(B)

Figura 7.26 (a) Circuito con un acoplamiento y un condensador de carga y (b) señal pequeña
circuito equivalente
494 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

El diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de voltaje es similar al que se muestra en la Figura


7.11. La frecuencia de la esquina inferiorFL es dado por

FL = 1 (7,47)
2πτS

dónde τS es la constante de tiempo asociada con el condensador de acoplamiento CC, y la frecuencia


de la esquina superior FH es dado por

FH = 1 (7,48)
2πτPAG

dónde τPAG es la constante de tiempo asociada con el condensador de carga CL. Debe
enfatizarse que las ecuaciones (7.47) y (7.48) son válidas solo mientras las dos esquinas
las frecuencias están muy separadas.

Utilizando el circuito equivalente de pequeña señal de la figura 7.26 (b), establecemos la


fuente de señal igual a cero para encontrar la resistencia equivalente asociada con la ca-
pacitor. La constante de tiempo relacionada es

τS = [RS + (R1‖R2‖RI )CC (7,49)

dónde

Ryo = rπ + (1 + β)Rmi (7,50)

De manera similar, la constante de tiempo relacionada con CL es

τP = (RC‖RL)CL (7,51)

Dado que las dos frecuencias de las esquinas están muy separadas, la ganancia alcanzará un máximo
valor en el rango de frecuencia entre FL y FH que es la banda media. Podemos calcular la ganancia de
banda media asumiendo que el condensador de acoplamiento es un cortocircuito y
el condensador de carga es un circuito abierto.

Utilizando las técnicas de análisis del último capítulo, encontramos la magnitud de la


banda media gai∣n como sigue:
∣∣ ∣∣∣
|Av | =∣ Vo
VI ∣
( )( ) (7,52)
R1‖R2 1
= gramometrorπ ‖
(RC RL)
(R1 ‖R2) + RI [RS + (R1‖R2‖RI )]

EJEMPLO 7,6
Objetivo: Determine la ganancia de banda media, las frecuencias de las esquinas y el ancho de banda de un circuito que

contiene tanto un capacitor de acoplamiento como un capacitor de carga.

Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.26 (a) con parámetros de transistor. VSER(encendido) =

0,7 V, β = 100 y VA = ∞.
Solución: El análisis de cd de este circuito produce una corriente de colector en reposo de
ICQ = 0,99 mA. Los parámetros de pequeña señal songramom = 38,08 mA / V, rπ = 2.626
k, y ro = ∞.
La resistencia de entrada RI es, por lo tanto

Ryo = rπ + (1 + β)RE = 2,63 + (101) (0,5) = 53,1 k


Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 495

De Equa∣∣ción∣∣ (7.52), la banda media g (ain es


)( )
Vo∣ R1 ‖ R2 1
|A|v mamá X = ∣∣ ∣ = gramometrorπ (RRC L)
VI max (R1‖R2) + R)I ( [RS + (R1‖R2‖RI )] )
40‖5,7 1
‖ (= (38,08) (2,626) (5‖10)
(40‖5,7) + 53,1 ‖ ‖53,1)]
[0,1 +(40 5,7
o ∣∣

Av∣ max
= 6.14
La constante de tiempo τS es

τS = (RS + R1‖R2‖RI )CC


= (0,1 × 103 + (5.7 × 103)‖ (40 × 103)‖ (53,1 × 103)) (10 × 10-6)
= 4.67 × 10-2 s ⇒ 46,6 ms
y la constante de tiempo τPAG es

τP = (RC‖RL)CL = ((5 × 103)‖ (10 × 103)) (15 × 10-12) = 5 × 10-8 s


o
τP = 50 ns

La frecuencia de esquina inferior es

1
FL = 1= = 3,42 Hz
2πτS 2π (46,6×10 -3)

y la frecuencia de la esquina superior es

1
FH = 1 = ⇒ 3,18 MHz
2πτ PAG 2π(50 × 10)- 9

Finalmente, el ancho de banda es

FBW = FH - FL = 3,18 MHz - 3,4 Hz = ∼ 3,18 MHz

Comentario: Las dos frecuencias de las esquinas difieren en aproximadamente seis órdenes de
magnitud; por lo tanto, considerar un capacitor a la vez es un enfoque válido.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7,6: Considere el circuito de la figura 7.26 (a). El valor de la resistencia de carga es


cambiado a RL = 5 k, y los valores del condensador se cambian a CL = 5 pF y
CC = 5 µF. Otros parámetros de circuitos y transistores son los mismos que se dan en el ejemplo
7.6. (a) Determine los nuevos valores de la corriente del colector y de la señal pequeña.
parámetros híbridos-pi. (b) Determine el valor de la ganancia de voltaje de banda media. (c) Encuentra
las frecuencias de las esquinas del circuito. (Resp. (A)ICQ = 0,986 mA, (b) Av = -4,60,
(C) FL = 6,82 Hz, FH = 12,7 MHz)

Una figura de mérito para un amplificador es la producto de ganancia de ancho de banda. Suponiendo que las

frecuencias de las esquinas están muy separadas, el ancho de banda es

FBW = FH - F ∼ L = FH (7,53)
496 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

y la ganancia máxima es |Av |máx. Por tanto, el producto de ganancia-ancho de banda es

GB = | Av |max · FH (7,54)

Más adelante mostraremos que, para una capacitancia de carga dada, este producto es esencialmente una constante.

También describiremos cómo se deben realizar las compensaciones entre la ganancia y el ancho de banda en el diseño

de un amplificador.

7.3.4 Efectos del condensador de derivación

En los amplificadores discretos bipolares y FET, los condensadores de derivación de emisor y fuente se
incluyen a menudo para que las resistencias de emisor y fuente se puedan utilizar para estabilizar la Q-punto
sin sacrificar la ganancia de pequeña señal. Se supone que los condensadores de derivación actúan como
cortocircuitos en la frecuencia de la señal. Sin embargo, para guiarnos en la elección de un condensador de
derivación, debemos determinar la respuesta del circuito en el rango de frecuencia donde estos
condensadores no están abiertos ni en cortocircuito.
La figura 7.27 (a) muestra un circuito de emisor común con un capacitor de derivación de emisor. El
circuito equivalente de pequeña señal se muestra en la figura 7.27 (b). Podemos encontrar la ganancia de
voltaje de la señal pequeña en función de la frecuencia. Usando la regla de reflexión de impedancia,
la corriente de entrada de pequeña señal es

VI (
Ib = ∥ )
∥1
+ R∥
RS + rπ + (1 β) mi∥ Carolina del Surmi (7,55)

La impedancia total en el emisor se multiplica por el factor (1 + β). El control


el voltaje es

Vπ = IBrπ (7,56)
y el voltaje de salida es
Vo = -gramometroVπ RC (7,57)
La combinación de ecuaciones produce la ganancia de voltaje de pequeña señal, como sigue:

V (s) -gr metro


R ( ∥π C
Av (s) = o = ) (7,58)
VI (s) ∥
RS + rπ + (1 + β) Rmi∥∥ 1
Carolina del Surmi

V+

RC

vO
RS RS
Vo
+
IB Vpag rpag g Vpag
VI +
RC
metro

vI +
-
- -

Cmi
Rmi Cmi
Rmi

V-

(a) (B)

Figura 7.27 (a) Circuito con condensador de derivación de emisor y (b) circuito equivalente de pequeña señal
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 497

Ampliando la combinación paralela de Rmi y 1/Carolina del Surmi y reordenando los términos, encontramos

-gramometrorπ RC (1 + sRmiCMI)
Av = × { } (7,59)
[RS + rπ + (1 + β)RMI] sRMI(RS + rπ)Cmi
1+
[ RS + rπ + (1 + β)RMI]

La ecuación (7.59) se puede escribir{en términos o}f constantes de tiempo como

-gr metro
RC π + 1 + sτA
Av = (7,60)
[RS + rπ + (1 β)RMI] 1 + sτB

La forma de esta función de transferencia es algo diferente de la que hemos


encontrado anteriormente en que tenemos un cero y un polo.
El diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de voltaje tiene dos asíntotas horizontales
limitantes. Si ponemoss = jω, entonces podemos considerar el límite como ω → 0 y el límite
como ω → ∞. Para ω → 0, Cmi actúa como un circuito abierto; porω → ∞, Cmi actúa como un corto
circuito. De la ecuación (7.59), tenemos

gramometrorπ RC
|Av |ω→ 0 = (7,61 (a))
[RS + rπ + (1 + β)RMI]

y
gramometrorπ RC
|A|v ω→ ∞ = (7,61 (b))
RS + rπ

A partir de estos resultados, vemos que para ω → 0, R se


mi incluye en la expresión de ganancia, y
por ω → ∞, Rmi no es parte de la ganancia expresión, ya que ha sido efectivamente

cortada por CMI.


Si asumimos que las constantes de tiempo τA y τB en la ecuación (7.60) difieren sub-
sustancialmente en magnitud, entonces la frecuencia de esquina debido a τB es

1
FB = (7,62 (a))
2πτB

y la frecuencia de esquina debido a τA es

F A=1 (7,62 (b))


2πτA

El diagrama de Bode resultante de la magnitud de la ganancia de voltaje se muestra en la Figura 7.28.

|AV |

|AV |w → ∞

|AV |w → 0

FA FB F

Figura 7.28 Diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de voltaje para el circuito con un capacitor de derivación del

emisor
498 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

EJEMPLO 7.7
Objetivo: Determine las frecuencias de esquina y las asíntotas horizontales límite de un circuito
de emisor común con un capacitor de derivación de emisor.
Considere el circuito de la figura 7.27 (a) con parámetros RE = 4 k, RC = 2 k,
RS = 0,5 k, CE = 1 µF, V + = 5 V y V- = -5 V. Los parámetros del transistor son: β =
100, VSER(encendido) = 0,7 V, y ro = ∞.

Solución: A partir del análisis de cd, encontramos la corriente de colector en reposo como
ICQ = 1.06mA. Los parámetros de pequeña señal songramom = 40,77 mA / V, rπ = 2,45 k,
y ro = ∞.
La constante de tiempo τA es

τA = RmiCE = (4 × 103) (1 × 10-6) = 4 × 10-3 s

y la constante de tiempo τB es

RMI(RS + rπ)Cmi
τB =
[RS + rπ + (1 + β)RMI]

= (4 × 103) (0,5 × 103 + 2,45 × 103) (1 × 10-6)


[0.5 × 103 + 2,45 × 103 + (101) (4 × 103)]
o
τB = 2,90 × 10-5 s

Las frecuencias de las esquinas son entonces

1 1
F A= = = 39,8 Hz
2πτA 2π (4 × 10- 3)

y
1
FB = 1= ⇒ 5,49 kHz
2πτB 2π (2,9 ×10 5)-

gramo r R (40,8) (2,45) (2)


∣∣La∣∣la asíntota
= horizontal límite de baja frecuencia, dada por la ecuación (7.61 (a)) es
metro π C+

A v ω→0 = = 0,491
[RS + rπ + (1 β)RMI] [0,5 +2,45 (101)
+ (4)]

La ∣∣lim∣∣La asíntota horizontal de alta frecuencia, dada por la ecuación (7.61 (b)) es

gramometrorπ RC = (40,77) (2,45) (2)= 67,7


Av ω→ ∞ =
RS + rπ 0,5 + 2,45

Comentario: Al comparar los dos valores límite de ganancia de voltaje, vemos que incluir un capacitor
de derivación produce una gran ganancia de alta frecuencia.

Verificación por computadora: Los resultados de un análisis de PSpice se muestran en la Figura 7.29. La

magnitud de la ganancia de voltaje de pequeña señal se muestra en la figura 7.29 (a). Las dos
frecuencias de esquina son aproximadamente 39 Hz y 5600 Hz, que concuerdan muy bien con los
resultados del análisis de constante de tiempo. Las dos magnitudes límite de 0,49 y 68 también se
correlacionan extremadamente bien con los resultados del análisis de la mano.
La figura 7.29 (b) es un gráfico de la respuesta de fase frente a la frecuencia. A frecuencias
muy bajas y muy altas, donde el condensador actúa como circuito abierto o corto
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 499

|AV |

100

10

1.0

0,1
1 10 102 103 104 105 fHz)

(a)

Fase
1 10 102 103 104 105 fHz)

- 90
- 100
- 110
- 120
- 130
- 140
- 150
- 160
- 170
- 180

(B)

Figura 7.29 Resultados del análisis de PSpice para el circuito con un condensador de derivación de emisor:
(a) respuesta de magnitud de ganancia de voltaje y (b) respuesta de fase

circuito, la fase es -180 grados, como se esperaba para un circuito de emisor común.
Entre las dos frecuencias de esquina, la fase cambia sustancialmente, acercándose
-90 grados.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.7: El circuito que se muestra en la Figura 7.27 (a) tiene parámetros V + = 10 V,


V- = -10 V, RS = 0,5 k, RE = 4 k, y RC = 2 k. Los parámetros del transistor son:V
SER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞, y β = 100. (a) Determine el valor de Cmi
tal que el punto de 3 dB de baja frecuencia sea FB = 200 Hz. (b) Utilizando los
resultados del inciso a), determineFA. (Resp. (a)CE = 49,5 µF, (b) FA = 0,80 Hz)

El análisis de un amplificador FET con un capacitor de derivación de fuente es esencialmente el


mismo que para el circuito bipolar. La forma general de la expresión de ganancia de voltaje es la
misma que la ecuación (7.60), y el diagrama de Bode de la ganancia es esencialmente el mismo que se
muestra en la figura 7.28.

7.3.5 Efectos combinados: condensadores de acoplamiento y de derivación

Cuando un circuito contiene varios condensadores, el análisis de la respuesta de frecuencia se vuelve


más complejo. En muchas aplicaciones de amplificadores, el circuito es para amplificar un
500 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

señal de entrada cuya frecuencia está confinada al rango de banda media. En este caso, la respuesta
de frecuencia real fuera del rango de banda media no es de interés. Los puntos finales del rango de
banda media se definen como aquellas frecuencias en las que la ganancia disminuye en 3 dB desde el
valor máximo de banda media. Estas frecuencias de punto final son una función de los
condensadores de alta y baja frecuencia. Estos condensadores introducen un polo en la función de
transferencia del amplificador.
Si existen múltiples condensadores de acoplamiento, por ejemplo, en un circuito, un
condensador puede introducir el polo que produce la reducción de 3 dB en la ganancia máxima a baja
frecuencia. Este polo se conoce como elpolo dominante. En el capítulo 12 se ofrece un análisis más
detallado de los polos dominantes. Se puede usar un análisis de constante de tiempo de valor cero
para estimar el polo dominante en un circuito que contiene múltiples capacitores. En este punto del
texto, determinaremos la respuesta de frecuencia de los circuitos que contienen múltiples capacitores
con una simulación por computadora.
Como ejemplo, la figura 7.30 muestra un circuito con dos capacitores de acoplamiento y un capacitor de
derivación de emisor, todos los cuales afectan la respuesta del circuito a bajas frecuencias. Podríamos
desarrollar una función de transferencia que incluya todos los condensadores, pero el análisis
de tales circuitos se maneja más fácilmente por computadora.

+ 10 V

|AV |

R mi
= 10 kΩ
100
R1 = 320 kΩ
6 dB / octava

R S=0,1 kΩ CC1 Cmi C2 = 2 metroF


10
C1 = 1 metroF
CC2
vs + vo
- C1 = 1 metroF
R2 = 280 kΩ
RC = 1 C2 = 2 metroF

5 kΩ RL = 2 kΩ
12 dB / octava

0,1
- 10 V 0,1 1 10 102 103 104 fHz)

Figura 7.30 Circuito con dos condensadores de acoplamiento y un Figura 7.31 Resultados de PSpice para cada condensador de acoplamiento, y
condensador de derivación de emisor efecto combinado para el circuito de la figura 7.30 (Cmi → ∞)

La figura 7.31 es el diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de voltaje para el circuito


de ejemplo, teniendo en cuenta los efectos de los dos condensadores de acoplamiento. En este caso,
Se supone que el condensador de derivación es un cortocircuito. Las parcelas consideranC1 y C2
individualmente, así como juntos. Como era de esperar, con dos condensadores ambos actuando en
al mismo tiempo, la pendiente es de 40 dB / década o 12 dB / octava. Dado que los polos no están
muy separados, en el circuito real, no podemos considerar el efecto de cada condensador
individualmente.
La figura 7.32 es el diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de voltaje, teniendo en
cuenta el capacitor de derivación del emisor y los dos capacitores de acoplamiento. El gráfico muestra
el efecto del condensador de derivación, el efecto de los dos condensadores de acoplamiento y el
efecto neto de los tres condensadores juntos. Cuando se tienen en cuenta los tres condensadores, la
pendiente cambia continuamente; no hay una frecuencia de esquina de fi nitiva. Sin embargo,
aproximadamentef = 150 Hz, la curva está 3 dB por debajo del máximo asintótico
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 501

|AV |

100

C1 = 1 metroF

10 C2 = 2 metroF

CE = 50 metroF
CE = 50 metroF
1 C1 = 1 metroF

C2 = 2 metroF

0,1
0,1 1 10 102 103 104 fHz)

Figura 7.32 Resultados de PSpice para los dos condensadores de acoplamiento, el condensador de derivación y los
efectos combinados

valor, y esta frecuencia se define como el frecuencia de esquina inferior, o frecuencia de corte más
baja.

Pon a prueba tu comprensión

TYU 7.4 Considere el circuito de base común que se muestra en la figura 7.33. ¿Se pueden tratar los dos
condensadores de acoplamiento por separado? (a) A partir de un análisis por computadora, determine el
frecuencia de corte. Suponga que los valores de los parámetros sonβ = 100 y IS = 2 × 10-15 UNA.
(b) Determine la ganancia de voltaje de la pequeña señal de banda media. (Resp. (A)F3 db = 1,2 kHz,
(B) Av = 118)

+5V

RC = 2,3 milΩ
R1 = 20 kΩ
vO
CC1 = 1 metroF

CC1 = 4,7 metroF CC2 = 4,7 metroF


vo +
vs
- R2 =
+ RE = 10 kΩ RC = 5 kΩ RL = 20 kΩ RE = CE = 10 metroF
vs
- 10 kΩ
+ - 5 kΩ
VEE = 10 V VCC = 10 V
- +

-5V

Figura 7.33 Figura para el ejercicio TYU 7.4 Figura 7.34 Figura para el ejercicio TYU 7.5

TYU 7.5 El circuito de emisor común que se muestra en la figura 7.34 contiene un capacitor de acoplamiento y

un capacitor de derivación del emisor. (a) A partir de un análisis por computadora, determine
la frecuencia de 3 dB. Suponga que los valores de los parámetros sonβ = 100 y IS =
2 × 10-15 A. (b) Determine la ganancia de voltaje de la pequeña señal de banda media. (Resp. (A)F3 dB ≈
575 Hz, (b) |Av |max = 74,4)
502 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

7.4 RESPUESTA FRECUENTE:


TRANSISTOR BIPOLAR

Objetivo: • Determine la respuesta de frecuencia del transistor bipolar


y determine el efecto Miller y la capacitancia Miller.

Hasta ahora, hemos considerado la respuesta de frecuencia de los circuitos como una función
de resistencias y condensadores externos, y hemos asumido que el transistor es ideal. Sin
embargo, tanto los transistores bipolares como los FET tienen capacitancias internas que
influyen en la respuesta de alta frecuencia de los circuitos. En esta sección, primero
desarrollaremos un híbrido de pequeña señal expandido.π modelo del transistor bipolar,
teniendo en cuenta estas capacidades. Luego usaremos este modelo para analizar las
características de frecuencia del transistor bipolar.

7.4.1 Híbrido expandidoπ Circuito equivalente

Cuando se usa un transistor bipolar en un circuito ampli fi cador lineal, el transistor está
polarizado en la región activa hacia adelante, y los pequeños voltajes y corrientes sinusoidales
se superponen a los voltajes y corrientes de cd. La figura 7.35 (a) muestra un transistor bipolar
npn en una configuración de emisor común, junto con los voltajes y corrientes de pequeña
señal. La figura 7.35 (b) es una sección transversal del transistor npn en una configuración
clásica de circuito integrado. Los terminales C, B y E son las conexiones externas al transistor y
el C′, B′, y E′ los puntos son las regiones de colector, base y emisor internas idealizadas.

Para construir el circuito equivalente del transistor, primero consideraremos varios pares
de terminales. La figura 7.36 (a) muestra el circuito equivalente para la conexión entre el
terminal de entrada de la base externa y el terminal del emisor externo. Resistencia
rB es la resistencia en serie de la base entre el terminal B de la base externa y la región B de la base
interna′. El b′-MI′ la unión está sesgada hacia adelante; por lo tanto,Cπ es la capacitancia de la unión
polarizada hacia adelante y rπ es la resistencia de difusión de la unión polarizada hacia adelante
tance. Ambos parámetros son funciones de la corriente de unión. Finalmente,rex es la
resistencia en serie del emisor entre el terminal del emisor externo y el emisor interno
región. Esta resistencia suele ser muy pequeña, del orden de 1 a 2.
La figura 7.36 (b) muestra el circuito equivalente mirando hacia el terminal del colector.
Resistencia rC es la resistencia en serie del colector entre el exterior y el interior

C B mi B C

IC norte

IB pag MI'
C
+ pag
norte
pag
B B'
+ Vce
Vser C'
- -
n + capa enterrada
mi

(a) (B)

Figura 7.35 (a) Transistor bipolar npn de emisor común con corrientes y voltajes de pequeña
señal y (b) sección transversal de un transistor bipolar npn, para el híbrido-π modelo
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 503

rB B'
B
+
Vpag rpag Cpag
C' rC
-
MI' C
rmetro

gramometroVpag ro Cs
rex B' C'

mi MI' Cmetro

(a) (B) (C)

Figura 7.36 Componentes del híbridoπ circuito equivalente: (a) base a emisor, (b) colector
al emisor, y (c) base al colector

rmetro

rB rC
B' C'
B C
Cmetro
+
Vpag rpag Cpag ro Cs
-
gramometroVpag

MI'

rex

mi

Figura 7.37 Híbrido-π circuito equivalente

conexiones del colector y capacitancia Cs es la capacitancia de unión de la unión colector-


sustrato polarizado inversamente. La fuente de corriente dependiente,gramometroVπ, es la
corriente del colector del transistor controlada por el voltaje interno base-emisor. Resistenciaro
es la inversa de la conductancia de salida gramoo y se debe principalmente al efecto Early.
Finalmente, la figura 7.36 (c) muestra el circuito equivalente del B con polarización inversa.′-C′
unión. CapacidadCµ es la capacitancia de la unión con polarización inversa, y rµ es la resistencia a la
difusión con polarización inversa. Normalmente,rµ es del orden de los megaohmios y puede pasarse
por alto. El valor deCµ suele ser mucho más pequeño que Cπ; sin embargo, debido a
un fenómeno conocido como efecto Miller, Cµ por lo general, no se puede descuidar. (Consideraremos
el efecto Miller más adelante en este capítulo).
El híbrido completoπ El circuito equivalente para el transistor bipolar se muestra en la figura
7.37. Las capacitancias provocan efectos de frecuencia en el transistor. Un resultado es que la
ganancia es función de la frecuencia de la señal de entrada. Debido a la gran cantidad de elementos,
una simulación por computadora de este modelo completo es más fácil que un análisis manual. Sin
embargo, podemos hacer algunas simplificaciones para evaluar algunos efectos de frecuencia
fundamentales de los transistores bipolares.

7.4.2 Ganancia de corriente de cortocircuito

Podemos comenzar a comprender los efectos de frecuencia del transistor bipolar determinando
primero la ganancia de corriente de cortocircuito, después de simplificar el híbridoπ modelo.
504 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

Cmetro

B C

+ IC
IB Vpag rpag Cpag ro
- gramometroVpag

mi

Figura 7.38 Híbrido simplificadoπ circuito equivalente para determinar la ganancia de corriente de
cortocircuito

La figura 7.38 muestra un circuito equivalente simplificado para el transistor, en el que necesitamos
observar las resistencias parasitarias rB, rC, y rex , la resistencia a la difusión de B – C rµ, y el
capacitancia del sustrato Cs. Además, el colector está conectado a tierra de señal. Tenga en cuenta que
el transistor aún debe estar polarizado en la región activa hacia adelante. Lo haremos
determinar la ganancia de corriente de pequeña señal A
Escribir una ecuación KCL en la entradanodo,
[yo = IC/encontramos
IB. que ]

V VV
π π 1+ jω (Cπ +Cµ)
Ib = π+ + = Vπ rπ (7,63)
rπ 1 1
jωCπ jωCµ
Vemos eso Vπ ya no es igual a IBrπ, ya que una parte de IB ahora se desvía a través de
Cπ y Cµ.
De una ecuación KCL en el nodo de salida, obtenemos


+ Ic = gramometroVπ (7,64 (a))
1
jωCµ
o
Ic = Vπ (gramometro - jωCµ) (7,64 (b))

El voltaje de entrada Vπ luego se puede escribir como

IC
Vπ = (7,64 (c))
(gramometro - jωCµ)

Sustituyendo th[es expresión para Vπ I]nto la ecuación (7.63) produce

1+ jω (Cπ +Cµ)

Ib = I C · (7,65)
(gramometro - jωCµ)
La ganancia de corriente de pequeña señal generalmente designada como h fe se convierte en

I µ
AI= C= h fe = [(gramo - jωC ) ] (7,66)
metro

IB 1+ jω (Cπ +Cµ
)

Si asumimos valores típicos de los parámetros del circuito de Cµ = 0,05 pF, gramom = 50 mA / V,
y una frecuencia máxima de f = 500MHz, luego vemos que ωCµ gramom. Allí-
Por lo tanto, para una buena aproximación, la ganancia de corriente de pequeña señal es

h fe ∼= [
gramometro gramometrorπ +
]=+ (7,67)
1+ 1 jωrπ (Cπ Cµ)
jω (Cπ + Cµ)

Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 505

|hfe |

Bo Fase
3 dB
FB F
0

- 45°

1 - 90°
FB FT F

(a) (B)

Figura 7.39 Diagramas de Bode para la ganancia de corriente de cortocircuito: (a) magnitud y (b) fase

Desde gramometrorπ = β, entonces la ganancia de corriente de baja frecuencia es solo β, como


asumimos previamente. La ecuación (7.67) muestra que, en un transistor bipolar, la magnitud y la fase
de la ganancia de corriente son ambas funciones de la frecuencia.
La figura 7.39 (a) es un diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de corriente de cortocircuito. La

frecuencia de esquina, que es también la frecuencia de corte beta Fβ en este caso, viene dado por

1
Fβ = (7,68)
2πrπ (Cπ +Cµ)

La figura 7.39 (b) muestra la fase de la ganancia de corriente. A medida que aumenta la frecuencia, la
corriente del colector de pequeña señal ya no está en fase con la corriente de base de pequeña señal. A altas
frecuencias, la corriente del colector retrasa la corriente de entrada en 90 grados.

EJEMPLO 7.8
Objetivo: Determine la frecuencia de 3 dB de la ganancia de corriente de cortocircuito de un transistor
bipolar.
Considere un transistor bipolar con parámetros rπ = 2,6 k, Cπ = 0,5 pF,
y Cµ = 0,025 pF.
Solución: De la ecuación (7.68), encontramos

1 1
Fβ = =
2πrπ (Cπ +Cµ) 2π (2.6 × 103) (0,5 + 0,025) (10-12)

o
Fβ = 117 MHz

Comentario: Deben utilizarse pequeños los transistores deben tener pequeñas capacitancias; por lo tanto,
dispositivos de alta frecuencia.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.8: Un transistor bipolar tiene parámetros βo = 120, Cµ = 0,02 pF y Fβ =


90MHz y está sesgado a ICQ = 0,2 mA. (a) DetermineCπ. (b) ¿Cuál es la magnitud de
la ganancia de corriente de cortocircuito en (i) f = 50 MHz, (ii) f = 125 MHz,
y (iii) f = 500 MHz. (Resp. (A)Cπ = 0,093 pF; (b) (i) 105, (ii) 70,1, (iii) 21,3)
506 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

7.4.3 Frecuencia de corte

La figura 7.39 (a) muestra que la magnitud de la ganancia de corriente de pequeña señal disminuye
cada vez con mayor frecuencia. En frecuenciaFT, Cuál es el frecuencia de corte, esta ganancia va a 1.
La frecuencia de corte es una cifra de mérito para los transistores.
De Equati(en (7).67), podemos escribir la ganancia de corriente de pequeña señal en la forma

βo
hfe= (7,69)
F
1+j

dónde Fβ es la frecuencia de corte beta definida por la ecuación (7.68). La magnitud de
h fe I∣∣s
∣ βo
hfe∣ = √ ( ) (7,70)
2
F
1+

En th∣e cu∣frecuencia de toff FT, |h fe | =1, y la ecuación (7.70) se convierte en

∣ h∣ fe = 1 = βo(
√ ) (7,71)
2
FT
1+

Normalmente,√βo 1, lo que implica que FT Fβ. Entonces la ecuación (7.71) se puede escribir como

βo Fβ
1 ∼= (βo ) = (7.72 (a))
FT
2 FT

o
FT = βo Fβ (7.72 (b))

Frecuencia Fβ también se denomina ancho de banda del transistor. Por lo tanto, de


Ecuación (7.72 (b)), la frecuencia de corte FT es el producto ganancia-ancho de banda del transistor, o
más comúnmente el ancho de banda de ganancia unitaria. De la ecuación (7.68), el
ganancia unitaria ba[ndwidth es
]
1 gramo
FT = βo = (7,73)
metro

2πrπ (Cπ + Cµ) 2π (Cπ +Cµ)

Dado que las capacitancias son una función del tamaño del transistor, vemos nuevamente que los
transistores de alta frecuencia implican tamaños de dispositivo pequeños.
La frecuencia de corte FT también es una función de la corriente del colector de CC IC, y la
FT característica general de FT versus IC se muestra en la Figura 7.40. La transconductanciagramometro es
directamente proporcional a IC, pero solo una parte de Cπ está relacionado con IC. Por lo tanto, la frecuencia de
corte es menor a niveles bajos de corriente de colector. Sin embargo, la frecuencia de corte también
pliegues a altos niveles de corriente, de la misma manera que β disminuye con grandes corrientes.
La frecuencia de corte o el ancho de banda de ganancia unitaria de un transistor generalmente se especifica

IC en las hojas de datos del dispositivo. Dado que también se da la ganancia de corriente de baja frecuencia, la beta
la frecuencia de corte, o ancho de banda, del transistor se puede determinar a partir de
Figura 7.40 Cortar
frecuencia versus corriente de
Fβ = FT (7,74)
colector βo
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 507

La frecuencia de corte del transis-


tor es FT = 300 MHz. Para el transistor bipolar discreto MSC3130, que tiene un
paquete de montaje en superficie cial, la frecuencia de corte es FT = 1,4 GHz. Esto nos dice que los
transistores muy pequeños fabricados en circuitos integrados pueden tener frecuencias de corte en
el rango bajo de GHz.

EJEMPLO 7,9
Objetivo: Calcule el ancho de banda Fβ y capacitancia Cπ de un transistor bipolar.
Considere un transistor bipolar que tiene parámetros FT = 20 GHz a IC = 1 mA,
βo = 120, y Cµ = 0,08 pF.

Solución: De la ecuación (7.74), encontramos el ancho de banda como

Fβ = FT= 20 × 109 → fβ= 167 MHz


βo 120
La transconductancia es

gramom = IC= 1= 38,46 mA / V


VT 0,026

La Cπ la capacitancia se determina a partir de la ecuación (7.73). Tenemos

gramo
FT =
metro

2π (Cπ + Cµ)

o
38,5 × 10-3
20 × 109 =
2π (Cπ + 0,08 × 10-12)

cuyos rendimientos Cπ = 0,226 pF.

Comentario: Aunque el valor de Cπ puede ser mucho más grande que el de Cµ, Cµ no se puede
descuidar en aplicaciones de circuitos como veremos en la siguiente sección.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.9: Un BJT está sesgado en IC = 0.15mA y tiene parámetros βo = 150,


Cπ = 0,8 pF y Cµ = 0,012 pF. DeterminarFβ y FT. (Resp. Fβ = 7,54 MHz,
FT = 1,13 GHz)

El hibrido-π circuito equivalente para el transistor bipolar utiliza discretos o agrupados


elementos. Sin embargo, cuando las frecuencias de corte son del orden deF T∼ = 10 GHz y
el transistor funciona a frecuencias de microondas, otros elementos parásitos y
parámetros distribuidos deben incluirse en el modelo de transistor. Para simplificar,
asumiremos en este texto que el híbridoπ modelo es suficiente para modelar las
características del transistor hasta la frecuencia de corte beta.

7.4.4 Efecto Miller y capacitancia Miller

Como se mencionó anteriormente, el Cµ En realidad, la capacitancia no puede ignorarse. LaEfecto Miller, o


efecto de retroalimentación, es un efecto de multiplicación de Cµ en aplicaciones de circuitos.
508 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

VCC

RC
R1 CC2
vo
CC1 Io
Cmetro

RL Vo
Io
Is rs R2 R B= +
Rmi Cmi
Is Vpag rpag Cpag RC RL
rs  R 1  R  2
- gramometroVpag

(a) (B)

Figura 7.41 (a) Circuito emisor común con entrada de fuente de corriente; (b) circuito equivalente
de pequeña señal con híbrido simplificadoπ modelo

La figura 7.41 (a) es un circuito de emisor común con una fuente de corriente de señal en
la entrada. Determinaremos la ganancia de corriente de pequeña señal.Ayo = Io /Is del circuito. La
figura 7.41 (b) es el circuito equivalente de pequeña señal, asumiendo que la frecuencia es
suficientemente alto para que los condensadores de acoplamiento y de derivación actúen como
cortocircuitos. El modelo de transistor es el híbrido simplificadoπ circuito que se muestra en la Figura 7.38
(asumiendo ro = ∞). Condensador Cµ es un elemento de retroalimentación que conecta la
salida a la entrada. Por tanto, la tensión y la corriente de salida influirán en la entrada
caracteristicas.
La presencia de Cµ complica el análisis. Anteriormente, podíamos escribir ecuaciones
KCL en los nodos de entrada y salida y derivar una expresión para la ganancia actual.
I1 Cmetro I2 Aquí, sin embargo, abordaremos el problema de manera diferente. Trataremos el condensadorCµ
como una red de dos puertos y desarrollará un circuito equivalente, con elementos entre
+ + la base de entrada y tierra y entre el colector de salida y tierra. Este procedimiento
Vpag Vo Puede parecer más complicado, pero demostrará el efecto de Cµ mas claro.
- -

Considere el segmento de circuito entre las dos líneas de puntos en la figura 7.41 (b). Podemos tratar
esta sección como una red de dos puertos, como se muestra en la Figura 7.42. El voltaje de entrada
Figura 7.42 Red de condensador la edad es Vπ y el voltaje de salida es Vo. Además, las corrientes de entrada y salida, I1 y I2,
de dos terminales Cµ se definen como se muestra en la figura.
Escritura(KVL eq)uations en los terminales de entrada y salida, ahora tenemos

1
Vπ = I1 + Vo (7.75 (a))
jωCµ
y
( )
1
Vo = I2 + Vπ (7.75 (b))
jωCµ
Usando las ecuaciones (7.75 (a)) y (7.75 (b)), podemos formar un circuito equivalente de dos puertos, como se
muestra en la figura 7.43 (a). Luego, convertimos el circuito equivalente de Thevenin en la salida en un
circuito equivalente de Norton, como se muestra en la figura 7.43 (b).
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 509

I1 Cmetro Cmetro I2 I1 Cmetro I2

+ + + +
+ + + Vpag
Vpag Vo Vpag Vo Vpag Vo Isc = Vo
- - - (1 / jwCmetro)
Cmetro

- - - -

(a) (B)

Figura 7.43 (a) Circuito equivalente de dos puertos de condensador Cµ con circuitos de salida equivalentes:
(a) Equivalente de Thevenin y (b) Equivalente de Norton

I1 I2
Vo
+
Cmetro
Io
Is RB Vpag rpag Cpag
+
Cmetro RC RL
- Yo =
- Carolina del Sur

Vo
gramometroVpag
jwCmetroVpag

Figura 7.44 Circuito equivalente de pequeña señal, incluido el modelo equivalente de dos puertos de

capictor Cµ

El circuito equivalente de la figura 7.43 (b) reemplaza el segmento de circuito entre las
líneas punteadas de la figura 7.41 (b), y el circuito modificado se muestra en la figura 7.44. Para
evaluar este circuito, haremos algunas aproximaciones simplificadoras.
Valores típicos de gramometro y Cµ están gramom = 50 mA / V y Cµ = 0,05 pF. A partir de estos
valores, podemos calcular la frecuencia a la que las magnitudes de los dos dependientes
las fuentes actuales son iguales. Si

ωCµVπ = gramometroVπ (7.76 (a))

luego

50 × 10- 3
f=
gramometro
= = 1,59 × 1011 Hz ⇒ 159 GHz (7.76 (b))
2πCµ 2π (0,05×10 12)-

Dado que la frecuencia de funcionamiento de los transistores bipolares es mucho menor de 159 GHz, el
fuente actual Isc = jωCµVπ es insignificante en comparación con el gramometroVπ fuente.
Ahora podemos calcular la frecuencia a la que la magnitud de la impedancia de
Cµ es igual a RC‖RL. Si

1= RC‖RL
(7.77 (a))
ωCµ

luego

1
F= (7.77 (b))

2πCµ (RC RL)

Si asumimos RC = RL = 4 k, que son valores típicos para bipolar discreto


circuitos, entonces

1
f= = 1,59 × 109 Hz (7,78)
2π (0,05×10 - [(4
12) 103)× (4 103)]
‖ ×
510 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

I1
Vo
+
Cmetro Io
Is RB Vpag rpag Cpag + RC RL
- -
Vo
gramometroVpag

Figura 7.45 Circuito equivalente de pequeña señal, incluidas aproximaciones

Si la frecuencia de funcionamiento del transistor bipolar es mucho menor que


1,59 GHz, entonces la impedancia de Cµ será mucho mayor que RC‖RL y Cµ puede considerarse
un circuito abierto. Usando estas aproximaciones, el circuito de la figura 7.44
se reduce al que se muestra en la Figura 7.45.
La I1 versus Vπ La característica del segmento de circuito entre las líneas punteadas es

V-V o = jωCµ (Vπ - Vo)


Yo
1 = π (7,79)
1
jωCµ

El voltaje de salida es

Vo = -gramometroVπ (RC‖RL) (7,80)

Sustituyendo la ecuación (7.80) en (7.79), obtenemos

I1 = jωCµ [1 + gramometro(RC‖RL)]Vπ (7,81)

En la figura 7.45, el segmento de circuito entre las líneas punteadas se puede reemplazar por
una capacitancia equivalente dada por

CM = Cµ [1 + gramometro(RC‖RL)] (7,82)

como se muestra en la Figura 7.46. CapacidadCMETRO se llama el Capacitancia Miller, y el


efecto multiplicador de Cµ es el efecto Miller.
Para el circuito equivalente de la figura 7.46, la capacitancia de entrada ahora es Cπ +CM,
en lugar de solo Cπ Si Cµ había sido ignorado.

Vo
Io
+
Is RB Vpag rpag Cpag CMETRO RC RL
- gramometroVpag

Figura 7.46 Circuito equivalente de pequeña señal, incluida la capacitancia Miller equivalente

EJEMPLO 7,10
Objetivo: Determine la frecuencia de 3 dB de la ganancia de corriente para el circuito que se muestra en

Figura 7.46, con y sin el efecto de CMETRO.


Los parámetros del circuito son: RC = RL = 4 k, rπ = 2,6 k, RB = 200 k,
Cπ = 0,8 pF, Cµ = 0,05 pF y gramom = 38,5 mA / V.
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 511

Solución: La salida (t actual puede) n escribirse como

RC
Io = - (gramometroVπ)
RC + RL

Además, el inp [ut voltag∥


∥ ]
∥e es1 ∥ 1
Vπ= IRBs‖ [ rπ ∥∥jωCπ ∥
∥j ωCMETRO
]
R B‖rπ
= Is
1 + jω (RB‖rπ) (Cπ +CMETRO)

Por lo tanto, la corriente (ganancia es


)[ ]
RC RB‖rπ
Ayo = Io= -gramometro
Is RC + RL 1 + jω (RB r‖π) (Cπ + CMETRO)

La frecuencia de 3 dB es

1
F3 dB =
2π (RB‖rπ) (Cπ + CMETRO )

Descuidando el efecto de Cµ (CM = 0), encontramos que

1
Fβ = ⇒ 77,5 MHz
2π [(200 × 103)‖ (2.6 × 103)] (0,8 × 10-12)
La capacitancia de Miller es

CM = Cµ [1 + gramometro(RC‖RL)] = (0,05) [1 + (38,5) (4‖4)] = 3,9 pF

Teniendo en cuenta la capacitancia de Miller, la frecuencia de 3 dB es

1
F3 –dB =
2π (RB‖rπ) (Cπ +CMETRO)
1
= ⇒ 13,2 MHz
2π [(200 ×103) (2,6
‖ 103)]
× [0,8 3,9] (10
+ -12)

Comentario: El efecto Miller, o factor de multiplicación de Cµ, es 78, dando una capacitancia de
Miller de CM = 3,9 pF. La capacitancia de Miller, en este caso, es aproximadamente un factor
cinco más grande queCπ. Esto significa que el ancho de banda real del transistor es
aproximadamente seis veces menos que el ancho de banda esperado si Cµ está descuidado.
La capacitancia de Miller, de la ecuación (7.82), se puede escribir en la forma

CM = Cµ (1 + |Av |) (7,83)

dónde Av es la ganancia de voltaje interna de la base al colector. El origen físico del efecto Miller está
en el factor de ganancia de voltaje que aparece en el elemento de retroalimentación.Cµ.
Un pequeño voltaje de entrada Vπ produce una gran tensión de salida Vo = - |Av | · Vπ de la
polaridad opuesta a la salida de Cµ. Por lo tanto, el voltaje a travs Cµ es (1 + |Av |)Vπ,
que induce una gran corriente a través Cµ. Por esta razón, el efecto de Cµ en la parte de
entrada del circuito es significativo.
Ahora podemos ver una de las compensaciones que se pueden realizar en un diseño de amplificador.
La compensación es entre la ganancia del amplificador y el ancho de banda. Si se reduce la ganancia, se
reducirá la capacitancia de Miller y se aumentará el ancho de banda. Consideraremos esta compensación
nuevamente cuando consideremos el amplificador de cascodo más adelante en este capítulo.
512 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

Discusión: En E(cita (7.80), asumimos que | jωCµ | gramom que es valido incluso
para frecuencias en los 100 MHz corrieron) ge. SijωCµ no es despreciable, podemos escribir

1
gramometroVπ + Vo RC‖RL + jωCµ =0 (7,84)

La ecuación (7.84) implica que una capacitancia Cµ debe estar en paralelo con RC y RL
en la parte de salida del circuito equivalente de la figura 7.44. ParaRC = RL = 4 k y Cµ
= 0.05 pF, indicamos que esta capacitancia es insignificante para F 1,5 GHz.
Sin embargo, en circuitos especiales que involucran, por ejemplo, cargas activas, el equivalente RC
y RL las resistencias pueden ser del orden de 100 k. Esto significa que elCµ La capacitancia
en la parte de salida del circuito no es despreciable para las frecuencias incluso en los
rango de megahercios. Consideraremos algunos casos especiales en los queCµ en el circuito de salida
no es despreciable.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.10: Para el circuito de la figura 7.41 (a), los parámetros son R1 = 200 k,
R2 = 220 k, RC = 2,2 k, RL = 4,7 mil, RE = 1 k, rs = 100 k, y
VCC = 5 V. Los parámetros del transistor son βo = 100, VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞,
y Cπ = 1 pF. Considere el híbrido simplificadoπ modelo del transistor. (a) Determine la
ganancia de corriente de banda mediaAyo = Io /II . (b) Encuentra la capacitancia de Miller CMETRO
para (i) Cµ = 0 y (ii) Cµ = 0,08 pF. (c) Determine la frecuencia superior de 3 dB para
(I) Cµ = 0 y (ii) Cµ = 0,08 pF. (Resp. (A)Ayo = -30,24; (b) (i)CM = 0,
(ii) CM = 4,38 pF; (c) (i)F3dB = 60,2 MHz, (ii) F3dB = 11,2 MHz)

7.4.5 Origen físico del efecto Miller

La figura 7.47 (a) muestra el híbrido-π circuito equivalente del transistor bipolar con un
resistencia de carga RC conectado en la salida. La figura 7.47 (b) muestra el circuito equivalente
con la capacitancia de Miller. Como primera aproximación, el voltaje de salida es
vo = -gramometrovπ RC . Suponiendo señales sinusoidales, la Figura 7.48 muestra la señal de entrada vπ

y la señal de salida vo. Como hemos señalado anteriormente, la señal de salida está
desfasada 180 grados con respecto a la señal de entrada. Además, debido a la ganancia,
la magnitud del voltaje de salida es mayor que el voltaje de entrada. La diferencia
entrevπ y vo es el voltaje en el Cµ capacitor como se ve en la Figura 7.47 (a).

B IC Cmetro
C B C
vo vo
+ + IC
+ vC -
CMETRO

vpag rpag Cpag RC vpag rpag RC


Cmetro
gramometrovpag gramometrovpag

- -

mi mi

(a) (B)

Figura 7.47 (un híbrido-π circuito equivalente de un transistor bipolar con una resistencia de carga RC
conectado a la salida. (b) Circuito equivalente a la capacitancia de Miller.
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 513

vo

vpag

vC

Figura 7.48 Voltaje de la señal de entrada vπ y voltaje de la señal de salida vo para los circuitos de la
figura 7.47

Podemos escribir las señales sinusoidales como vπ = Vπmi jωt, vo = Vomi jωt, y vc =
VCmi jωt. La corriente IC a través del condensador Cµ Se puede escribir como

DvC
IC = C µ dt (7.85 (a))

Usando la notación fasorial, encontramos

Ic = jωCµVC (7.85 (b))

Esta corriente influye en la impedancia de entrada que mira hacia el terminal base del
transistor.
Para que los dos circuitos mostrados en las Figuras 7.47 (a) y 7.47 (b) sean equivalentes, el
Actual IC en los dos circuitos debe ser el mismo. De la Figura 7.47 (b), podemos escribir

Dvπ
IC = CMETRO (7.86 (a))
dt
o usando fasores, tenemos

Ic = jωCMETROVπ (7.86 (b))

Para que las dos corrientes de condensador en las ecuaciones (7.85 (b)) y (7.86 (b)) sean iguales,
debemos tener

CµVc = CMETROVπ (7,87)

De las señales que se muestran en la Figura 7.48, vemos que Vπ < VC para que tengamos CM> Cµ.
Debido al cambio de fase de 180 grados y la ganancia de voltaje, el voltaje a través Cµ es bastante
grande, lo que lleva a un valor relativamente significativo de la corriente del condensador
IC. Para tener la corriente en el condensador Miller CMETRO ser lo mismo con un menor
voltaje a través CMETRO, El valor de CMETRO debe ser relativamente grande. Este, entonces, es el origen
físico del efecto de multiplicación de Miller.

Pon a prueba tu comprensión

TYU 7,6 Un transistor bipolar está polarizado en ICQ = 120µA y sus parámetros son
βo = 120, Cµ = 0,08 pF y Fβ = 15 MHz. Determine la capacitanciaCπ. (Resp.
Cπ = 0,328 pF)
514 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

TYU 7.7 Fo∣∣r el∣ transistor descrito en el ejemplo 7.9 y polarizado al mismo Q-punto,
dete∣rmine h fe∣ y th∣e fase ∣ ∣en (a) f = 150 MHz ∣ f∣ = 500 MHz y (c)
(B)
f = 4GHz. (Resp. (A) h ∣ fe = 89,3, φ = -41,9 °; (B)
∣ h fe ∣ = 38,0, φ = -71,5 °;

(C) ∣h ∣fe = 5,0, φ = -87,6 °)
TYU 7.8 Los parámetros de un transistor bipolar son: βo = 150, FT = 1 GHz,
rπ = 12 k, y Cµ = 0,15 pF. (a) DetermineCπ y Fβ. (b) ¿Cuál es la corriente de polarización
en el transistor? (Resp. (A)Cπ = 1,84 pF, Fβ = 6,67 MHz; (B)ICQ = 0,325 mA)

7.5 RESPUESTA DE FRECUENCIA: EL FET

Objetivo: • Determine la respuesta de frecuencia del transistor MOS y


determine el efecto Miller y la capacitancia Miller.

Hemos considerado el híbrido expandidoπ circuito equivalente del transistor


bipolar que modela la respuesta de alta frecuencia del transistor. Ahora
desarrollaremos el circuito equivalente de alta frecuencia del FET que tiene en
cuenta varias capacitancias en el dispositivo. Desarrollaremos el modelo para un
MOSFET, pero también se aplica a JFET y MESFET.

7.5.1 Circuito equivalente de alta frecuencia

Construiremos el circuito equivalente de pequeña señal de un MOSFET a partir de la geometría


básica del MOSFET, como se describe en el Capítulo 3. La Figura 7.49 muestra un modelo
basado en las capacitancias y resistencias inherentes en un MOSFET de canal n, así como los
elementos que representan la ecuaciones básicas del dispositivo. Hacemos una suposición
simplificadora en el circuito equivalente: la fuente y el sustrato están conectados a tierra.
Dos capacitancias conectadas a la puerta son inherentes al transistor. Estos ca-
pacitancias, Cgs y Cgd, representar la interacción entre la puerta y el canal

GRAMO

S D
Cgsp Cpib
Cgs Cgd

rs rD
n+ n+
gramometroV 'gs Cds

pag

Figura 7.49 Resistencias y capacitancias inherentes en la estructura del MOSFET de canal n


Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 515

carga de inversión cerca de las terminales de fuente y drenaje, respectivamente. Si el dispositivo es


sesgado en la región de no saturación y vDS es pequeña, la carga de inversión del canal es
aproximadamente uniforme, lo que significa que
)
C gs =∼ C gd =∼2 ( 1WL Cbuey

dónde Cbuey(F / cm2) = εbuey/ tbuey. El parámetro εbuey es la permitividad del óxido, que para
MOSFET de silicio es εbuey = 3.9εo, dónde εo = 8,85 × 10-14 F / cm es la permitividad
de espacio libre. El parámetrotbuey es el espesor del óxido en cm.
Sin embargo, cuando el transistor está polarizado en la región de saturación, el canal es
pellizcado en el drenaje y la carga de inversión ya no es uniforme. El valor de
Cgd esencialmente va a cero, y Cgs aproximadamente es igual a (2/3)WLCbuey. Por ejemplo, si un
dispositivo tiene un espesor de óxido de 100 Å, una longitud de canal de L = 0,18µmetro,
y un ancho de canal de W = 20µm, el valor de Cgs es C gs
∼ = 8,3 fF. El valor de
Cgs cambia a medida que cambia el tamaño del dispositivo, pero los valores típicos están en el rango de las decenas de

femtofaradios.

Las dos capacitancias restantes de la puerta, Cgsp y Cpib son parásitos o Capacidades superpuestas,
llamado así porque, en los dispositivos reales, el óxido de la puerta se superpone a la fuente
y contactos de drenaje, debido a tolerancias u otros factores de fabricación. Como veremos,
la capacitancia de superposición de drenaje Cpib reduce el ancho de banda del FET. El parámetro
Cds es la capacitancia de la unión pn de drenaje a sustrato, y rs y rD son las resistencias en
serie de los terminales de fuente y drenaje. El voltaje interno de puerta a fuente
Controla la corriente del canal de pequeña señal a través de la transconductancia.
El circuito equivalente de pequeña señal para el MOSFET de fuente común de canal n
se muestra en la Figura 7.50. VoltajeV ′ gs es el voltaje interno de puerta a fuente que
controla la corriente del canal. Asumiremos que la puerta a la fuente y la puerta al drenaje
capacitancias, Cgs y Cgd, contienen las capacitancias de superposición parásitas. Un parámetro,ro,
que se muestra en la Figura 7.50 no se muestra en la Figura 7.49. Esta resistencia está asociada
con la pendiente deID versus VDS. En el MOSFET ideal sesgado en la saturación res
gion, ID es independiente de VDS, Lo que significa que ro es infinito. Sin embargo,ro es finito en
dispositivos de longitud de canal corta, debido a la modulación de longitud de canal, y
incluido en el circuito equivalente.
Resistencia de la fuente rs puede tener un efecto significativo en las características del transistor.
Para ilustrar, la figura 7.51 muestra un circuito equivalente de baja frecuencia simplificado en
incluyendo rs pero no ro. Para este circuito, la corriente de drenaje es


Id = gramometroVgs (7,88)

GRAMO
Cgd rD D GRAMO D

+ + + +
ID
V 'gs
V 'gs Cgs ro Cds
g V 'gs
gramometroV 'gs
Vgs - metro

-
Vgs
rs
- S
rs
-

S Figura 7.51 Circuito equivalente de baja


frecuencia simplificado del MOSFET de
Figura 7.50 Circuito equivalente del MOSFET de fuente común de canal n que incluye
fuente común de canal n resistencia de la fuente rs pero no resistencia ro
516 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

y la relación entre Vgs y V ′ gs es

Vgs = V ′ gs + (gramometroV ′gs) rs = (1 + gramometrors)V ′ gs (7,89)

De Equ( ación (7.88)), la corriente de drenaje ahora se puede escribir como

gramo
Id = Vgs = Vgs (7,90)
metro

gramo′
metro
1 + gramometrors

La ecuación (7.90) muestra que la resistencia de la fuente reduce la transconductancia efectiva


o la ganancia del transistor.
El circuito equivalente de un MOSFET de canal p es exactamente el mismo que el de un
dispositivo de canal n, excepto que todas las polaridades de voltaje y direcciones de corriente están
invertidas. Las capacitancias y resistencias son las mismas para ambos modelos.

7.5.2 Ancho de banda de ganancia de unidad

En cuanto al transistor bipolar, la frecuencia de ganancia unitaria o el ancho de banda es una figura de
mérito para los FET. Si descuidamosrs , rD , ro, y Cds, y conecte el drenaje a tierra de la señal, el
circuito de pequeña señal equivalente resultante se muestra en la Figura 7.52. Desde
la impedancia de la puerta de entrada ya no es infinita a alta frecuencia, podemos definir la ganancia
de corriente de cortocircuito. A partir de eso podemos de fi nir y calcular la ganancia unitaria
banda ancha.
Escribiendo una ecuación KCL en el nodo de entrada, encontramos que

Vgs V gs
Iyo = + = Vgs [ jω (Cgs +Cgd)] (7,91)
1 1
jωCgs jωCgd

De una ecuación KCL en el nodo de salida, obtenemos

Vgs
+ Id = gramometroVgs (7.92 (a))
1
jωCgd

o
Id = Vgsgramometro - jωCgd) (7,92 (b))

Resolver la ecuación (7.92 (b)) para Vgs produce

ID
Vgs= (7,93)
- jωCgd)
(gramometro

Cgd
GRAMO
D
+
II ID
Vgs Cgs
gramometroVgs

- S

Figura 7.52 Circuito de pequeña señal de alta frecuencia equivalente de un MOSFET, para calcular la ganancia de
corriente de cortocircuito
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 517

Sustituyendo la ecuación (7.93) en (7.91) se obtiene

Iyo = ID · [ jω (Cgs +Cgd)] (7,94)


(gramometro - jωCgd)

Por lo tanto, la ganancia de corriente de pequeña señal es

Ayo = ID= gramometro - jωCgd (7,95)


II jω (Cgs +Cgd)
Si asumimos valores típicos de Cgd = 10 fF y gramom = 1 mA / V y un máximo
frecuencia de f = 1 GHz, encontramos que ωCgd gramom. La ganancia de corriente de pequeña señal, para

una buena aproximación, es entonces

I D=∼ gramometro
Ayo = (7,96)
II jω (Cgs +Cgd)
La frecuencia de ganancia unitaria FT se define como la frecuencia a la que la magnitud de la
ganancia de corriente de cortocircuito va a 1. De la ecuación (7.96) encontramos que

gramo
FT = (7,97)
metro

2π (Cgs +Cgd)

La frecuencia de ganancia unitaria o el ancho de banda es un parámetro del transistor y es


independiente del circuito.

EJEMPLO 7.11
Objetivo: Determine el ancho de banda de ganancia unitaria de un FET.

Considere un MOSFET de canal n con parámetros Kn = 1,5 mA / V2,


VTN = 0,4 V, λ = 0, Cgd = 10 fF, y Cgs = 50 fF. Suponga que el transistor está polarizado en
VGS = 0,8 V.

Solución: La transconductancia es

gramom = 2Knorte(VGS - VTN) = 2 (1,5) (0,8 - 0,4) = 1,2 mA / V

De la ecuación (7.97), el ancho de banda de ganancia unitaria, o frecuencia, es

gramo 1.2 × 10-3


fT= = = 3,18 × 109 Hz
metro

2π (Cgs +Cgd) 2π (50 + 10) × 10-15


o
FT = 3,18 GHz

Comentario: Al igual que con los transistores bipolares, los FET de alta frecuencia requieren capacidades pequeñas y un

tamaño de dispositivo pequeño.

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.11: Los parámetros de un MOSFET de canal n son Kn = 1,2 mA / V2,


VTN = 0,5 V, λ = 0, Cgd = 8 fF, y Cgs = 60 fF. Se encuentra que la frecuencia de ganancia
unitaria esFT = 3 GHz. Determine la transconductancia y la corriente de polarización del
MOSFET. (Resp.gramom = 1,282 mA / V, IDQ = 0.342mA)

Normalmente, los valores de Cgs para MOSFET están en el rango de 10 a 50 fF y los valores
de Cgd son típicamente de 0,1 a 0,5 fF.
518 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

Como se indicó anteriormente, el circuito equivalente es el mismo para MOSFET, JFETS,


y MESFET. Para JFET y MESFET, capacitanciasCgs y Cgd son agotamiento
capacitancias en lugar de capacitancias de óxido. Normalmente, para JFET,Cgs y Cgd son mayores que
los de los MOSFET, mientras que los valores de los MESFET son más pequeños. También por
Los MESFET fabricados en arseniuro de galio, los anchos de banda de ganancia unitaria pueden estar en el
rango de decenas de GHz. Por esta razón, los MESFET de arseniuro de galio se utilizan a menudo en
amplificadores de microondas.

7.5.3 Efecto Miller y capacitancia Miller

En cuanto al transistor bipolar, el efecto Miller y la capacitancia Miller son factores en las
características de alta frecuencia de los circuitos FET. La figura 7.53 es un diagrama alto simplificado.
modelo de transistor de frecuencia, con una resistencia de carga RL conectado a la salida.
Determinaremos la ganancia actual para demostrar el impacto del efecto Miller.

GRAMO
Cgd D

+ +
II ID
Vgs Cgs RL Vds
gramometroVgs

- S -

Figura 7.53 Circuito de pequeña señal de alta frecuencia equivalente de un MOSFET con una resistencia

de carga RL

Al escribir una ecuación de la ley de la corriente de Kirchhoff (KCL) en el nodo de la puerta de entrada, tenemos

Iyo = jωCgsVgs + jωCgdVgs - Vds) (7,98)

dónde II es la corriente de entrada. Asimismo, sumando corrientes en el nodo de drenaje de salida,


tenemos

Vds+ gramometroVgs + jωCgdVds - Vgs) = 0


(7,99)
RL
Podemos combinar las ecuaciones (7.98) y (7.99) para eliminar el voltaje Vds. La corriente de entrada
el alquiler es entonces

{ [ ]}
1 + gramometro RL
II = jω Cgs + Cgd Vgs (7.100)
1 + jωRLCgd

Normalmente, (ωRLCgd) es mucho menor que 1; por lo tanto, podemos descuidar (jωRLCgd)
y la ecuación (7.100) se convierte en

Iyo = jω [Cgs +Cgd1 + gramometro RL)]Vgs (7.101)

La figura 7.54 muestra el circuito equivalente descrito por la ecuación (7.101). El parámetroC
METRO es la capacitancia de Miller y está dada por

CM = Cgd1 + gramometro RL) (7.102)

La ecuación (7.102) muestra claramente el efecto de la capacitancia de superposición de drenaje


parásito. Cuando el transistor está polarizado en la región de saturación, como en un circuito amplificador,
la mayor contribución a la capacitancia total de puerta a drenaje Cgd es la superposición
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 519

GRAMO
ID D

+ +
II
Vgs Cgs CMETRO RL Vds
gramometroVgs

S
- -

Figura 7.54 Circuito de alta frecuencia MOSFET, incluida la capacitancia Miller equivalente

capacidad. Esta capacitancia de superposición se multiplica debido al efecto Miller y puede convertirse
en un factor significativo en el ancho de banda de un amplificador. Minimizar la capacitancia de
superposición es uno de los desafíos de la tecnología de fabricación.
La frecuencia de corte FT de un MOSFET se define como la frecuencia a la que la magnitud de la
ganancia de corriente de cortocircuito es 1, o la magnitud de la corriente de entrada II es
igual a la corriente ideal ID . En la Figura 7.54, vemos que

Iyo = jω (Cgs +CMETRO)Vgs (7.103)

y la corriente de salida de cortocircuito ideal es

Id = gramometroVgs (7.104)

La magnitu∣∣de la ganancia actual es por lo tanto

|AI | =∣ ∣ID∣∣∣= ∣
gramometro
(7.105)
II 2π F(Cgs +CMETRO)

Estableciendo la ecuación (7.105) igual a 1, encontramos la frecuencia de corte

gramometro
FT = = gramometro (7.106)
2π (Cgs +CMETRO) 2πCGRAMO

dónde CGRAMO es la capacitancia de la puerta de entrada equivalente.

EJEMPLO 7.12
Objetivo: Determine la capacitancia Miller y la frecuencia de corte de un circuito FET.
El MOSFET de canal n descrito en el ejemplo 7.11 está polarizado a la misma
corriente y una carga de 10 k está conectada a la salida.

Solución: Del ejemplo 7.11, la transconductancia es gramom = 1,2 mA / V. Por tanto, la


capacitancia de Miller es

CM = Cgd1 + gramometro RL) = (10) [1 + (1.2) (10)] = 130 fF

De la ecuación (7.106), la frecuencia de corte es

gramo 1.2 × 10-3


FT = = = 1.06 × 109 Hz
metro

2π (Cgs +C METRO) 2π (50 + 130) × 10-15

o
FT = 1,06 MHz

Comentario: El efecto Miller y Miller equivalente capacitancia reducir el corte


frecuencia de un circuito FET, tal como lo hacen en un circuito bipolar.
520 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

PROBLEMA DE EJERCICIO

Ej 7.12: Para el circuito de la figura 7.55, los parámetros del transistor son
Kn = 0,8 mA / V2, VTN = 2 V, λ = 0, Cgs = 100 fF y Cgd = 20 fF. Determinar
(a) la ganancia de voltaje de banda media, (b) la capacitancia de Miller y (c) la frecuencia superior de 3 dB
frecuencia de la ganancia de voltaje de pequeña señal. (Resp. (A)Av = -6.69, (b) CM = 167,6 fF,
(C) F3dB = 1,32 GHz)

VDD = 10 V

RD = 4 kΩ
R1 = 234 milΩ
vo
C C→2 ∞
Ryo = 10 kΩ

CC1 → ∞
RL =
20 kΩ
vI + R2 = 166 milΩ
-
RS =
CS → ∞
0,5 kΩ

Figura 7.55 Figura para el ejercicio Ej 7.12

Pon a prueba tu comprensión

TYU 7,9 Un MOSFET de canal n tiene parámetros Kn = 0,4 mA / V2, VTN = 1 V y


λ = 0. (a) Determine la resistencia máxima de la fuente tal que el transconductor
tancia se reduce en no más del 20 por ciento de su valor ideal cuando VGS = 3 V.
(b) Usando el valor de rs calculado en el inciso a), determine cuánto gramometro se
reduce de su valor ideal cuando VGS = 5 V. (Resp. (A) rs = 156, (b) 33,3%)

TYU 7.10 Un MOSFET de canal n tiene un ancho de banda de ganancia unitaria de FT = 1,2 GHz. Como-

sume capacitancias de superposición de Cgsp = Cgdp = 3 fF y asumir k′ n = 100µAV2,


W / L = 15, y VTN = 0,4 V. Si el transistor está polarizado en IDQ = 100µA, determinar
Cgs. (Asumir Cgd es igual a cero.) (Resp. Cgs = 66,6 fF)

TYU 7.11 Para un MOSFET, suponga que gramom = 1,2 mA / V. Las capacitancias básicas de la puerta.

están Cgs = 60 fF, Cgd = 0, y las capacitancias de superposición son Cgsp = Cpib. Determine la capacitancia
de superposición mínima para un ancho de banda de ganancia unitaria de 2.5 GHz. (Resp.
Cgsp = Cgdp = 8.2 fF)

7,6 RESPUESTA DE ALTA FRECUENCIA


DE CIRCUITOS DE TRANSISTOR

Objetivo: • Determine la respuesta de alta frecuencia de las configuraciones


básicas del circuito de transistores, incluido el circuito en cascodo.
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 521

En las últimas secciones, desarrollamos los circuitos equivalentes de alta frecuencia para los
transistores bipolares y de efecto de campo. También discutimos el efecto Miller, que ocurre cuando
los transistores están operando en una configuración de circuito. En esta sección, ampliaremos
nuestro análisis de las características de alta frecuencia de los circuitos de transistores.
Inicialmente, veremos la respuesta de alta frecuencia de las configuraciones de emisor
común y fuente común. Luego examinaremos los circuitos de base común y de puerta común,
y un circuito en cascodo que es una combinación de los circuitos de emisor común y de base
común. Finalmente, analizaremos las características de alta frecuencia de los circuitos emisor-
seguidor y fuente-seguidor. En los siguientes ejemplos, usaremos el mismo circuito de
transistor bipolar básico para poder hacer una buena comparación entre las tres
configuraciones de circuito.

7.6.1 Circuitos de emisor común y de fuente común

Las capacitancias del transistor y la capacitancia de carga en el amplificador de emisor común


que se muestra en la figura 7.56 afectan la respuesta de alta frecuencia del circuito.
Inicialmente, usaremos un análisis manual para determinar los efectos del transistor en la alta
respuesta frecuente. En este análisis, asumiremos queCC y Cmi son de cortocircuito
cuits, y CL es un circuito abierto. Luego se utilizará un análisis por computadora para determinar el
efecto tanto del transistor como de las capacitancias de carga.
El circuito equivalente de pequeña señal de alta frecuencia del emisor común
El circuito se muestra en la Figura 7.57 (a) en el que CL se supone que es un circuito abierto. Nosotros
reemplazar el condensador Cµ con la capacitancia de Miller equivalente CMETRO como se muestra en la
Figura 7.57 (b). De nuestro análisis anterior de la capacitancia de Miller, podemos escribir

CM = Cµ (1 + gramometro RL) (7.107)

donde la resistencia de salida R′ L es ro‖RC‖RL.


La frecuencia superior de 3 dB se puede determinar utilizando la tecnología de constante de tiempo.
nique. Podemos escribir

FH = 1 (7.108)
2πτPAG

V+

RC
R1

vo
RS
RL CL
+ CC1
vI
-
R2
Rmi Cmi

V-

Figura 7.56 Amplificador de emisor común


522 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

RS Cmetro RS
Vo Vo
+ +
+ R B= V I+-
VI Vpag rpag Cpag ro RC RL RB Vpag rpag Cpag R 'L
R1    R2 -
CMETRO
- gramometroVpag
gramometroVpag
-

(a) (B)

Figura 7.57 (a) Circuito equivalente de alta frecuencia de amplificador de emisor común; (b) alto
circuito equivalente de frecuencia del amplificador de emisor común, incluida la capacitancia Miller

dónde τP = ReqCeq. En este caso, la capacitancia equivalente es Ceq = Cπ +CM, y la


resistencia equivalente es la resistencia efectiva vista por la capacitancia, Req =
|AV |
rπ‖RB‖RS . Por tanto, la frecuencia de la esquina superior es
|AV | M
1
FH = (7.109)
2π [rπ‖RB‖RS](Cπ +CMETRO)

Determinamos la magnitud de la ganancia de voltaje de banda media asumiendo Cπ y CMETRO están


FH F circuitos abiertos. ∣∣Nosotros ∣encontrar eso
∣ ∣∣ = [ ]
Figura 7.58 Diagrama de Bode del R B‖rπ
|Av |M = ∣ Vo∣ g RL′ (7.110)
Vestoy RB r‖π + RS
metro
Magnitud de ganancia de voltaje de
alta frecuencia para el amplificador del
transmisor común
El diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de voltaje de alta frecuencia se muestra en la Figura 7.58.

EJEMPLO 7.13
Objetivo: Determine la frecuencia de la esquina superior y la ganancia de banda media de un circuito transmisor de

comunicaciones.

Para el circuito de la figura 7.56, los parámetros son: V + = 5 V, V- = -5 V,


RS = 0,1 k, R1 = 40 k, R2 = 5,72 k, RE = 0,5 k, RC = 5 k, y RL =
10 k. Los parámetros del transistor son:β = 150, VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞, Cπ =
35 pF y Cµ = 4 pF.
Solución: A partir de un análisis de cd, encontramos ICQ = 1.03mA. Los parámetros de pequeña señal

son por lo tanto gramom = 39,6 mA / V y rπ = 3,79 k. La


capacitancia de Miller es entonces

CM = Cµ (1 + gramometro R′ L) = Cµ [1 + gramometro(RC‖RL)]

o
CM = (4) [1 + (39,6) (5‖10)] = 532 pF

y la frecuencia superior de 3 dB es por lo tanto

1
FH =
2π [rπ‖RB‖RS](Cπ +CMETRO)
1
= ⇒ 2,94 MHz
2π [3,79‖40
‖ 5,72‖0,1] (103) (35 532)
+ (10 12)-
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 523

Finalmente, la ganancia de banda media [es

]
RB‖rπ
|Av |M = gramometro R′ L
RB‖rπ [+ RS
]
40‖5.72‖3,79
= (39,6) (5‖10) = 126
40‖5,72 ‖3,79 0,1
+

Comentarios: Este ejemplo demuestra la importancia del efecto Miller. La


capacitancia de retroalimentación Cµ se multiplica por un factor de 133 (de 4 pF a 532 pF), y
la capacitancia de Miller resultante CMETRO es aproximadamente 15 veces más grande que Cπ. Por lo
tanto, la frecuencia de esquina real es aproximadamente 15 veces menor de lo que sería.
Si Cµ fueron descuidados.

Verificación de PSpice: La figura 7.59 muestra los resultados de un análisis de PSpice de este
circuito de emisor común. Los valores de la computadora son:Cπ = 35,5 pF y Cµ = 3,89 pF. La
curva marcada "Cπ sólo ”es la respuesta de frecuencia del circuito si Cµ está descuidado; la
curva marcada "Cπ y Cµ sólo "es la respuesta debido a Cπ, Cµ, y el efecto Miller. Estas curvas
ilustran que el ancho de banda de este circuito se reduce drásticamente por la
Efecto Miller.
La frecuencia de esquina es de aproximadamente 2,5 MHz y la ganancia de banda media es de 125, lo
que concuerda muy bien con los resultados del análisis manual.

|AV |

200
100

Cpag solo

CL = 150 pF
10

Cpag y Cmetro CL = 5 pF
solo
1
104 105 106 107 108 109 fHz)

Figura 7.59 Resultados del análisis de PSpice para amplificador de emisor común

Las curvas marcadas "CL = 5 pF ”y“CL = 150 pF ”muestra la respuesta del circuito si el
transistor es ideal, con cero Cπ y Cµ capacitancias y una capacitancia de carga conectada a
la salida. Estos resultados muestran que, paraCL = 5 pF, la respuesta del circuito está
dominada por Cπ y Cµ capacitancias del transistor. Sin embargo, si una gran capacidad de
carga, comoCL = 150 pF, está conectado a la salida, la respuesta del circuito está
dominada por el CL capacidad.

PROBLEMA DE EJERCICIO

*Ej 7.13: El transistor en el circuito de la figura 7.60 tiene parámetros β = 125,


VSER(encendido) = 0,7 V, VA = 200 V, Cπ = 24 pF y Cµ = 3 pF. (a) Calcule la capacitancia
de Miller. (b) Determine la frecuencia superior de 3 dB. (c) Determine el
ganancia de voltaje de banda media de señal pequeña. (Resp. (A)CM = 155 pF, (b) FH = 1,21 MHz,
(c) |Av | =37,3)
524 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas

+5V

RC = 2,3 milΩ
R1 = 20 kΩ
vo
CC1 → ∞ CC 2 → ∞
RL = 5 kΩ
RS = 1 kΩ
vI +
-
R2 =
20 kΩ RE = Cmi → ∞
5 kΩ

-5V

Figura 7.60 Figura para el ejercicio Ej 7.13

La respuesta de alta frecuencia del circuito de fuente común es similar a la del


circuito de emisor común, y la discusión y las conclusiones son las mismas.
Capacidad Cπ es reemplazado por Cgs, y Cµ es reemplazado por Cgd. El circuito equivalente
de pequeña señal de alta frecuencia del FET es entonces esencialmente idéntico al del
transistor bipolar.

7.6.2 Circuitos Common-Base,


Common-Gate y Cascode

Como acabamos de ver, el efecto Miller reduce el ancho de banda de los circuitos de
emisor común y de fuente común. Para aumentar el ancho de banda, el efecto Miller o
la Cµ factor de multiplicación, debe minimizarse o eliminarse. Las configuraciones de
amplificador de base común y de puerta común logran este resultado. Analizaremos un
circuito de base común; el análisis es el mismo para el circuito de puerta común.

Circuito de base común


La figura 7.61 muestra un circuito de base común. La configuración del circuito es la misma que la del
circuito de emisor común considerado anteriormente, excepto que se agrega un capacitor de
derivación a la base y la entrada se acopla capacitivamente al emisor.
La figura 7.62 (a) muestra el circuito equivalente de alta frecuencia, con el acoplamiento
y condensadores de derivación reemplazados por cortocircuitos. ResistenciasR1 y R2 son entonces efectivos
en cortocircuito. Además, resistenciaro se supone que es infinito. CapacidadCµ,
que dio lugar al efecto multiplicador, ya no se encuentra entre la entrada y la salida ter-
minals. Un lado del condensadorCµ está vinculado a la señal de tierra.
Escribiendo una ecuación KCL en el emisor, encontramos que

Vπ Vπ= 0
Ie + gramometroVπ + + (7.111)
(1 /Carolina del Surπ) rπ
Desde Vπ = -Ve, La ecuación (7.111) se convierte en

Imi= 1= 1+ g + sC V r
π (7.112)
ZI
metro

mi π
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 525

V+

RC
R1
vO

RL CL
CC RS
CB

R2
Rmi + vI
-

V-

Figura 7.61 Ampli fi cador de base común

B
Cmetro
C
Vo
+
Vpag rpag Cpag RC RL CL
- gramometroVpag

mi
ZI
RS
Imi
+
Vmi rpag
RS VI + Rmi Ve = -Vpag Cpag
- 1+B
Rmi ++ VI
-- -

(a) (B)

Vo

gV metro pag
Cmetro RC RL CL

(C)

Figura 7.62 (a) Circuito equivalente de base común de alta frecuencia, (b) circuito de entrada
equivalente y (c) circuito de salida equivalente

dónde ZI es la impedancia mirando hacia el emisor. Reordenando los términos, tenemos

1= 1 + rgm + Carolina del Sur


π π= 1 +β + Carolina del Sur

π (7.113)
ZI rπ rπ
La porción de entrada equivalente del circuito se muestra en la Figura 7.62 (b).
La figura 7.62 (c) muestra la porción de salida equivalente del circuito. De nuevo, un lado
de Cµ está vinculado a tierra, lo que elimina la retroalimentación o el efecto de multiplicación de Miller.

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