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El diagrama de Bode completo de la ecuación (7.10 (b)) se muestra en la figura 7.5. Para
F 1/2πτS , el segundo y tercer términos de la ecuación (7.10 (b)) se cancelan, y para
F 1/2πτS , domina el gran valor negativo de dB de la Figura 7.4 (b).
La función de transferencia dada por la ecuación (7.9) es para el circuito que se muestra en la figura.
ure 7.2. El condensador en serieCS es un condensador de acoplamiento entre la entrada y la salida
señales. A una frecuencia suficientemente alta, el condensadorCS actúa como un cortocircuito, y el
voltaje de salida, de un divisor de voltaje, es
Vo = [RPAG/(RS + RPAG)]VI
0 Imaginario
RP parte
20 registro10 RS + RP 3 dB
Curva real
B
+ 6 dB / octava
o
+ 20 dB / década
K
q
f= 1 fescala logarítmica)
Figura 7.5 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de Figura 7.6 Relación entre formas rectangulares y polares
voltaje para el circuito de la figura 7.2 de un número complejo
R PAG j2π F τ S
T (jf) = ·
+ RPAG ∣∣∣ 1 + j2π F τS
[∣RS ] (7.11 (a))
∣∣ RPAG [| j2π F τ |Smi
jθ2]
=∣ ∣ mi jθ1
RS + R PAG [| 1 + j2π F τS |mi jθ3]
o
]
j
][ KK1 2 mi j (θ1+θ -θ3)
T (jf) = [ [K2mi jθ2]
2
K1mi θ1 =
K 3jmi θ 3
K3 (7.11 (b))
Fase Asintótico
aproximación
90 °
45 °
Curva real
0
1 1 1
f = 10
fescala logarítmica)
f= f=
10 2ptS 2ptS 2ptS
En el límite de frecuencia cero (la señal de entrada es una tensión continua constante), la
impedancia del condensador es infinita (un circuito abierto). En este caso, la señal de salida
es un valor constante dado por un divisor de voltaje, o Vo = [RPAG/(RP + RS)] · VI .
En el límite de una frecuencia muy alta, la impedancia del condensador se vuelve
muy pequeño (acercándose a un cortocircuito). En esta situación, el voltaje de salida será cero
o la magnitud de la función de transferencia de voltaje será cero.
Por lo tanto, esperamos que la magnitud de la función de transferencia comience en un
valor constante para las frecuencias cero y bajas, y luego disminuya hacia cero en las
frecuencias altas.
R PAG 1
T (jf) = (7,13)
RS + RPAG 1 + j2π F τPAG
La magnitud ( de ecuación)(7.[13) es
]
RPAG 1
|T (jf) | = · √ (7,14)
RS + RPAG 1 + (2π F τPAG)2
0
RPAG
20 registro
10 RS + RPAG
3 dB
Curva real
- 20 dB / década
o
- 6 dB / octava
1
f= fescala logarítmica)
2ptpag
Figura 7.8 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de voltaje para el circuito de la figura 7.3.
línea recta con una pendiente de -20 dB / década, o -6 dB / octava. Las dos asíntotas
reunirse en la frecuencia f = 1/2πτPAG , que es la frecuencia de esquina, o 3 dB, para este circuito.
Nuevamente, la magnitud real de la función de transferencia en la frecuencia de esquina
difiere del valor asintótico máximo en 3 dB.
Nuevamente, la magnitud de la función de transferencia dada por la ecuación (7.14) es para
el circuito que se muestra en la Figura 7.3. El condensador paraleloCPAG es una carga, o parasitaria,
capacidad. A bajas frecuencias,CPAG actúa como un circuito abierto, y el voltaje de salida, de un
divisor de voltaje, es
Vo = [RPAG/(RS + RPAG)]VI
Fase 1⋅ 1 1
f= f= f = 10
10 2ptpag 2ptpag 2ptpag
0
- 45°
Curva real
- 90° Asintótico
aproximación
Figura 7.9 Diagrama de Bode de la fase de la función de transferencia de voltaje para el circuito de la figura 7.3
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 479
EJEMPLO 7.1
Objetivo: Determine las frecuencias de las esquinas y las asíntotas de magnitud máxima de las gráficas
de Bode para un circuito específico.
Para los circuitos de las Figuras 7.2 y 7.3, los parámetros son: RS = 1 k,
RP = 10 k, CS = 1 µF, y CP = 3 pF.
La frecuencia de esquina del diagrama de Bode que se muestra en la Figura 7.5 es entonces
1= 1
f= = 14,5 Hz
2πτS (2π) (11 × 10-3)
La magnitud máxima es
RPAG
= 10 = 0.909
RS + RPAG 1 +10
o
( )
R PAG
20 registro10 = -0,828 dB
RS + RPAG
1= 1
f= ⇒ 58,3 MHz
2πτ PAG (2π) (2,73 × 10-9)
Comentario: Dado que los dos valores de capacitancia son sustancialmente diferentes, las dos
constantes de tiempo difieren en órdenes de magnitud, lo que significa que las dos frecuencias de
esquina también difieren en órdenes de magnitud. Más adelante en este texto, aprovecharemos estas
diferencias en nuestro análisis de circuitos de transistores.
PROBLEMA DE EJERCICIO
Ej 7.1: (a) Para el circuito que se muestra en la Figura 7.2, los parámetros son RS = 2 k y
RP = 8 k. (i) Si la frecuencia de esquina esFL = 50 Hz, determine el valor de CS .
(ii) Encuentre la magnitud de la función de transferencia en f = 20 Hz, 50 Hz y 100 Hz.
(Resp. (I) CS = 0.318 µF; (ii) 0,297, 0,566 y 0,716)
(b) Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.3 con parámetros RS = 4,7 mil,
RP = 25 k, y CP = 120 pF. (i) Determine la frecuencia de esquinaFH. (ii)
Determine la magnitud de la función de transferencia en f = 0,2 FH f = fH y
f = 8 FH. (Resp. (I)FH = 335 kHz; (ii) 0,825, 0,595, 0,104)
480 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
Los dos circuitos que se muestran en las Figuras 7.2 y 7.3 contienen cada uno solo un capacitor. El
circuito de la figura 7.10 tiene la misma configuración básica pero contiene ambos capacitores.
Condensador CS es el condensador de acoplamiento y está en serie con la entrada y la salida;
condensadorCPAG es el condensador de carga y está en paralelo con la salida y la tierra.
RS CS
Vo
VI + RPAG CPAG
-
resistencia equivalente vista por un capacitor, establezca todas las fuentes independientes iguales a
Desde CPAG se hizo un circuito abierto, τS se llama un constante de tiempo de circuito abierto. El
subíndice S está asociado con el condensador de acoplamiento, o el condensador en serie con
las señales de entrada y salida.
A altas frecuencias, podemos tratar el condensador de acoplamiento. CS como un cortocircuito. La
resistencia efectiva vista por CPAG es la combinación paralela de RS y RPAG, y la constante de
tiempo asociada es
τP = (RS‖RPAG)CPAG (7,18)
que se llama el constante de tiempo de cortocircuito. El subíndice PAG está asociado con el
condensador de carga, o el condensador en paralelo con la salida y la tierra.
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 481
Vo
Vi
T (máx.)dB
FL FH F
Figura 7.11 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de voltaje para el circuito de
la figura 7.10
Ahora podemos definir las frecuencias de las esquinas del diagrama de Bode. Laesquina inferior,
o la frecuencia de 3 dB, que se encuentra en el extremo inferior de la escala de frecuencia, es una función de la
FL = 1 (7.19 (a))
2πτS
FH = 1 (7.19 (b))
2πτPAG
Desde F H FL, como hemos visto en nuestros ejemplos, el ancho de banda se da esencialmente
por
FBW =∼FH (7.20 (b))
EJEMPLO 7.2
Objetivo: Determine las frecuencias de las esquinas y el ancho de banda de un circuito pasivo
que contiene dos capacitores.
Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.10 con parámetros RS = 1 k, RP =
10 k, CS = 1 µF, y CP = 3 pF.
Solución: Desde CPAG es menos que CS en aproximadamente seis órdenes de magnitud, podemos tratar el
1 1
FL = = = 14,5 Hz
2πτS 2π (1.1 × 10-2)
y
1
FH = 1 = ⇒ 58,3 MHz
2πτPAG 2π (2,73 × 10-9)
Comentario: Las frecuencias de las esquinas en este ejemplo son exactamente las mismas que las
determinadas en el ejemplo 7.1. Esto ocurrió porque las dos frecuencias de las esquinas están muy
separadas. La magnitud máxima de la función de voltaje es nuevamente
RPAG 10
= = 0.909 ⇒ 0-.828días
B 10
RS + RPAG 1+
0,01 - 40
0,001 - 60
Figura 7.12 Diagrama de Bode de la magnitud de la función de transferencia de voltaje para el circuito de la figura
7.10
PROBLEMA DE EJERCICIO
TYU 7.1 Para el circuito equivalente que se muestra en la Figura 7.13, los parámetros son:
RS = 1 k, rπ = 2 k, RL = 4 k, gramom = 50 mA / V y CC = 1 µF. (a) Determine la expresión
de la constante de tiempo del circuito. (b) Calcule la frecuencia de 3 dB y
asíntota de ganancia máxima. (c) Dibuje el diagrama de Bode de la función de transferencia magni-
tude. (Resp. (A)τ = (rπ + RS)CC, (B) F3 dB = 53,1 Hz, |T (jω) |max = 133)
RS CC
Vo
+
VI + Vpag rpag RL
-
- gramometroVpag
TYU 7.2 El circuito equivalente de la figura 7.14 tiene parámetros de circuito RS = 100,
rπ = 2,4 k, gramom = 50 mA / V, RL = 10 k, y CL = 2 pF. (a) Determine la expresión
y el valor de la constante de tiempo del circuito. (b) Calcule los 3 dB
frecuencia y la ganancia de voltaje máxima. (c) Dibuje el diagrama de Bode de la transferencia
magnitud de la función. (Resp. (a) τ = RL C L= 0,02µs; (B)F3 dB = 7,96 MHz,
|Av | =480)
RS RS CC
Vo Vo
+ +
+ Vpag rpag RL CL +
VI - VI Vpag rpag RL CL
-
- gramometroVpag
- gramometroVpag
Figura 7.14 Figura del ejercicio TYU 7.2 Figura 7.15 Figura para el ejercicio TYU 7.3
TYU 7.3 Los parámetros del circuito que se muestra en la Figura 7.15 son RS = 100,
rπ = 2,4 k, gramom = 50 mA / V, RL = 10 k, CC = 5µF, y CL = 4 pF. (a) Encuentre las constantes de
tiempo de circuito abierto y cortocircuito. (b) Calcule la ganancia de voltaje de banda media.
(c) Determine las frecuencias superior e inferior de 3 dB. (Resp. (A)τS = 12,5 ms,
τP = 0,04µs; (B)Av = -480; (C)FL = 12,7 Hz, FH = 3,98 MHz)
Hasta este punto, hemos estado considerando la respuesta de frecuencia sinusoidal de estado
estable de los circuitos. En algunos casos, sin embargo, es posible que necesitemos amplificar señales
no sinusoidales, como las ondas cuadradas. Esta situación puede ocurrir si se van a amplificar señales
digitales. En estos casos, debemos considerar la respuesta en el tiempo de las señales de salida.
Además, se pueden utilizar señales como pulsos u ondas cuadradas para probar la respuesta de
frecuencia de los circuitos.
484 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
ZC = 1 Para obtener un poco de comprensión, considere el circuito que se muestra en la figura 7.16, que es
RSS Carolina del SurS
una repetición de la figura(ure 7.2. Como se mencionó anteriormente, el condensador representa un acoplamiento
Vo (s)
condensador. La diversión de la transferencia)C[ción se dio en la ecuación]ución (7(.4) como
+ )
VI (s) -
RPAG Vo (s)= RPAG s (RS + RPAG)CS sτ S
= K2 (7,21)
VI (s) RS + RPAG 1 +s (RS + RPAG)CS 1 +sτS
donde la constante de tiempo es τS = (RS + RPAG)CS .
Si el voltaje de entrada es una función escalonada, entonces VI (s) = 1 /s. El voltaje de salida puede
Figura 7.16 Repita la
entonces se escribe como
Figura 7.2 (acoplamiento ( ) ( )
circuito del condensador), τS 1
Vo (s) = K2 = K2 s + 1 /τS (7,22)
pero mostrando complejo s 1 + sτS
parámetros
Tomando la transformada inversa de Laplace, encontramos la respuesta de tiempo de voltaje de salida como
vO (t)
RS
Vo (s)
V I(s) +
-
RPAG ZC = 1
Carolina del SurPAG
0 T t
Figura 7.17 Respuesta de salida del circuito de la Figura 7.18 Repita la Figura 7.3 (carga
figura 7.16 para una señal de entrada de onda cuadrada y circuito del condensador), pero mostrando complejo
para una constante de tiempo grande s parámetros
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 485
vI vI
vO (t)
vO vO
T 2T 3T 4T t T vO 2T 3T 4T t
vI
vO vI
0 T t
(a) (B)
Figura 7.19 Respuesta de salida del
circuito de la figura 7.18 para una señal Figura 7.20 Respuesta de salida de estado estacionario para una respuesta de entrada de onda cuadrada para
de entrada de onda cuadrada y para una (a) circuito de la figura 7.16 (condensador de acoplamiento) y una constante de tiempo grande, y
constante de tiempo breve (b) circuito en la Figura 7.18 (capacitor de carga) y una constante de tiempo corta
valor de estado estacionario. El voltaje de salida se muestra en la Figura 7.19 para una onda cuadrada
señal de entrada. Una constante de tiempo corta implica un condensador muy pequeñoCPAG como
capacitancia de entrada a un amplificador.
En este caso, si la frecuencia de corte de la función de transferencia es F3 dB = 1/2πτP =
10 MHz, entonces la constante de tiempo es τP = 15,9 ns.
La figura 7.20 resume las respuestas de salida de estado estable para la entrada de onda cuadrada.
señales de los dos circuitos que acabamos de considerar. La figura 7.20 (a) muestra la respuesta de salida de
estado estable del circuito de la figura 7.16 (condensador de acoplamiento) para una constante de tiempo
prolongada, y la figura 7.20 (b) muestra la respuesta de salida de estado estable del circuito de la figura 7.18
(condensador de carga ) durante un breve período de tiempo constante.
En esta sección, analizaremos el amplificador básico de una etapa que incluye condensadores de
circuito. Se considerarán tres tipos de condensadores: condensador de acoplamiento, condensador
de carga y condensador de derivación. En nuestro análisis manual, consideraremos cada tipo de
condensador individualmente y determinaremos su respuesta de frecuencia. En la última parte de
esta sección, consideraremos el efecto de múltiples capacitores usando un análisis de PSpice.
La respuesta de frecuencia de los circuitos de etapas múltiples se considerará en el Capítulo 12 cuando
se considere la estabilidad de los amplificadores.
Análisis de voltaje para determinar la respuesta de frecuencia del circuito. Entonces, usaremos
la técnica de constante de tiempo equivalente.
Del análisis de la sección anterior, observamos que este circuito es un paso alto.
la red. A altas frecuencias, el condensadorCC actúa como un cortocircuito, y la entrada
486 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
VCC
RC RI
Rib
R1 RSi CC
vO Vo
CC +
RSi II IB Vpag
rpag
- gV
+ R B= metro pag
VI RC
- R1 R2
vI + R2
- Rmi Rmi
(a) (B)
Figura 7.21 (a) Circuito de emisor común con condensador de acoplamiento y (b) circuito equivalente
de pequeña señal
VI
Iyo = (7,27)
RSi + 1+ R I
C del Sur
Carolina
RB
Ib = II (7,29)
RB + Rib
y entonces
Vπ = IBrπ (7,30)
Vo = -gramometroVπ RC (7,31)
RB
Vo = -gramometro RC(IBrπ ) = - gr RC II
RB + Rib
metro π
( ) (7,32)
RB VI
= -gramometrorπ RC
RB + Rib 1+ R
RSi + I
C del Sur
Carolina
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 487
1= 1
FL = (7,36)
2πτS 2π (RSi + RI )CC
EJEMPLO 7.3
Objetivo: Calcule la frecuencia de esquina y la ganancia máxima de un circuito transmisor de comunicación
Solución: A partir de un análisis de cd, la corriente del colector en reposo es ICQ = 1,81 mA. La
Los parámetros de pequeña señal son gramom = 69.6mA / V y rπ = 1,44 k. La
resistencia de entrada es
frecuencia de esquina es
1
FL = 1= = 23,2 Hz
2πτS 2π (6,87 × 10-3)
RB
|Av |max = gramometrorπ RC
(RSi + RI ) RB + Rib
dónde
Por lo tanto,
( )
8.084
|Av |max = (69,6) (1,44) (2) = 4,72
(0,1 + 6,775) 8.084 +41.84
Comentario: El condensador de acoplamiento produce una red de paso alto. En este circuito, si la frecuencia de
la señal está aproximadamente dos octavas por encima de la frecuencia de la esquina, el condensador de
acoplamiento actúa como un cortocircuito.
PROBLEMA DE EJERCICIO
Ej 7.3: Para el circuito que se muestra en la Figura 7.21 (a), los parámetros son: VCC = 3 V,
RSi = 0, R1 = 110 k, R2 = 42 k, RE = 0,5 k, RC = 7 k, y CC =
0,47µF. Los parámetros del transistor son β = 150, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = ∞.
(a) Determine la expresión y el valor de la constante de tiempo τS . (b) Determine la
frecuencia de esquina y la ganancia de voltaje de banda media. (Resp. (A)τS = RICC =
10,87 ms; (B)FL = 14,6 Hz, Av = -10,84)
+5V
RD = 6,7 milΩ
CC
vo CC
Vo
RL =
10 kΩ + RD = RL =
Vgs gramometroVgs
6,7 milΩ 10 kΩ
vI + RG = + R= -
- 50 kΩ RS = VI -
GRAMO
50 kΩ
5 kΩ
RS =
5 kΩ
-5V
(a) (B)
Figura 7.22 (a) Circuito de fuente común con condensador de acoplamiento de salida y (b) señal pequeña
circuito equivalente
manera:
FL = 1
2πτS
1
τS = 1= ⇒ 7,96 ms
2π F 2π (20)
490 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
τS 7,96 × 10-3
C C= = = 4,77 × 10-7 F
RD + RL 6,7 × 103 + 10 × 103
o
CC = 0,477 µF
PROBLEMA DE EJERCICIO
Ej 7.4: Considere el circuito que se muestra en la figura 7.22 (a). Los voltajes de polarización son
cambiado a V + = 3 V y V- = -3 V.Otros parámetros del circuito son RL = 20 k y R
G = 100 k. Los parámetros del transistor sonVTN = 0,4 V, Kn = 100µAV2,
y λ = 0. (a) Diseñe el circuito de manera que IDQ = 250µA y VDSQ = 1,7 V.
(b) Si CC = 0,7µF, determine la frecuencia de esquina. (Resp. (A)RS = 4,08 mil,
RD = 13,1 k; (B)FL = 6,87 Hz)
dónde Ro es la resistencia de salida como definido en la figura 7.23 (b). Como se muestra en Capítulo 6,
la resistencia de salida{e es
}
+ (RS‖ RB ) ]
Ro = Rmi‖ro‖ [rπ (7,44)
1+β
+ 10 V
CC1 → ∞
Ro
RS = 0,5 kΩ CC2 RS = 0,5 kΩ rpag
vo Vo
vI + RB = 100 kΩ
- + V-
pag CC2
RE = RL = VI + RB = ro RE = RL =
- 100 kΩ 10 kΩ 10 kΩ
10 kΩ 10 kΩ gramometroVpag
- 10 V
(a) (B)
Figura 7.23 (a) Circuito emisor-seguidor con condensador de acoplamiento de salida y (b) circuito equivalente
de pequeña señal
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 491
EJEMPLO 7.5
Objetivo: Determine la frecuencia de 3 dB de un circuito amplificador emisor-seguidor con un
capacitor de acoplamiento de salida.
Considere el circuito que se muestra en la figura 7.23 (a) con parámetros de transistor
β = 100, VSER(encendido) = 0,7 V, y VA = 120 V. La capacitancia de acoplamiento de salida es
CC2 = 1 µF.
Solución: Un análisis de cd muestra que ICQ = 0,838 mA. Por lo tanto, los parámetros de
pequeña señal son:rπ =
De la ecuación (7.44), la resistencia de salida Ro del seguidor emisor es
{ 3,10 k, gramom =} 32,2 mA / V y ro = 143 k.
Ro = Rmi‖ro‖ {[rπ + (RS‖RB)]
1+β
}
= 10‖143‖ [3,10 + (0,5‖100)] = 10‖143‖0,0356 k ∼ = 35,5
101
De la ecuación (7.43), la constante de tiempo es
1
FL = 1= = 15,9 Hz
2πτS 2π (10- 2)
constante de tiempo.
Verificación por computadora: Basado en el análisis de PSpice, la Figura 7.24 es un diagrama de Bode de la
magnitud de ganancia de voltaje del circuito emisor-seguidor que se muestra en la Figura 7.23 (a). La
frecuencia de esquina es esencialmente idéntica a la obtenida por la tecnología de constante de tiempo.
nique. Además, el valor asintótico de la ganancia de voltaje de pequeña señal esAv = 0,988, como
esperado para un circuito emisor-seguidor.
|AV |
1.0
0,1
0,01
1 10 FL 100 1000 fHz)
Figura 7.24 Resultados del análisis de PSpice para el circuito emisor-seguidor en la Figura 7.23 (a)
492 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
PROBLEMA DE EJERCICIO
Ej 7.5: Para el circuito emisor-seguidor que se muestra en la figura 7.23 (a), determine el
valor requerido de CC2 para producir una frecuencia de esquina de 10 Hz. (Resp.CC2 = 1,59 µF)
derivación actúan como cortocircuitos y los condensadores de carga actúan como circuitos abiertos.
Se puede conectar una salida de ampli fi cador a una carga, a la entrada u otro ampli fi cador.
El modelo de la impedancia de entrada del circuito de carga es generalmente una capacitancia
en paralelo con una resistencia. Además, hay una capacitancia parásita entre tierra y la línea
que conecta la salida del amplificador al circuito de carga.
La figura 7.25 (a) muestra un amplificador de fuente común MOSFET con una resistencia de carga.
tance RL y una capacidad de carga CL conectado a la salida, y la Figura 7.25 (b) muestra
el circuito equivalente de pequeña señal. La resistencia de salida de pequeña señal del transistor.ro se
supone que es infinito. Esta configuración de circuito es esencialmente la misma que en
Figura 7.3, que es una red de paso bajo. A altas frecuencias, la impedancia deCL
disminuye y actúa como una derivación entre la salida y tierra, y el voltaje de salida
tiende a cero. El diagrama de Bode es similar al que se muestra en la Figura 7.8, con una frecuencia
de esquina superior y una asíntota de ganancia máxima.
+5V
RS
Vo
gramometroVsg
+ RG = vO -
vI - V sg RD RL CL
200 kΩ
+ R= +
VI -
GRAMO
RD RL CL 200 kΩ
RS
-5V
(a) (B)
Figura 7.25 (a) Circuito de fuente común MOSFET con un condensador de carga y (b) circuito equivalente de
pequeña señal
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 493
La resistencia equivalente vista por el condensador de carga. CL es RD‖RL. Desde que establecimos
Vyo = 0, entonces gramometroVsg = 0, lo que significa que la fuente de corriente dependiente no
afectar la resistencia equivalente.
La constante de tiempo para este circuito es
τP = (RD‖RL)CL (7,45)
gramometro(RD‖RL)
|Av |max = (7,46)
1 + gramometro RS
En la figura 7.26 (a) se muestra un circuito con un capacitor de acoplamiento y un capacitor de carga.
Dado que los valores de la capacitancia de acoplamiento y la capacitancia de carga difieren en
órdenes de magnitud, las frecuencias de las esquinas están muy separadas y pueden tratarse por
separado como se discutió anteriormente. El circuito equivalente de pequeña señal se muestra en
Figura 7.26 (b), asumiendo la resistencia de pequeña señal del transistor ro es infinito.
+5V
RC = 5 kΩ
R1 =
40 kΩ
vO
RS = 0,1 kΩ
RL = CL =
C C= 10 kΩ 15 pF
vI + 10 metroF
- R2 =
RE =
5,7 milΩ
0,5 kΩ
-5V
(a)
RI
R S= 0. 1 kΩ
Vo
CC = IB +
II
+ R1 R =2 RC = RL = CL =
VI -
10 metroF
Vpag rpag
5 kΩ 5 kΩ 10 kΩ 15 pF
- gramometroVpag
RE = 0,5 kΩ
(B)
Figura 7.26 (a) Circuito con un acoplamiento y un condensador de carga y (b) señal pequeña
circuito equivalente
494 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
FL = 1 (7,47)
2πτS
FH = 1 (7,48)
2πτPAG
dónde τPAG es la constante de tiempo asociada con el condensador de carga CL. Debe
enfatizarse que las ecuaciones (7.47) y (7.48) son válidas solo mientras las dos esquinas
las frecuencias están muy separadas.
dónde
τP = (RC‖RL)CL (7,51)
Dado que las dos frecuencias de las esquinas están muy separadas, la ganancia alcanzará un máximo
valor en el rango de frecuencia entre FL y FH que es la banda media. Podemos calcular la ganancia de
banda media asumiendo que el condensador de acoplamiento es un cortocircuito y
el condensador de carga es un circuito abierto.
EJEMPLO 7,6
Objetivo: Determine la ganancia de banda media, las frecuencias de las esquinas y el ancho de banda de un circuito que
Considere el circuito que se muestra en la Figura 7.26 (a) con parámetros de transistor. VSER(encendido) =
0,7 V, β = 100 y VA = ∞.
Solución: El análisis de cd de este circuito produce una corriente de colector en reposo de
ICQ = 0,99 mA. Los parámetros de pequeña señal songramom = 38,08 mA / V, rπ = 2.626
k, y ro = ∞.
La resistencia de entrada RI es, por lo tanto
1
FL = 1= = 3,42 Hz
2πτS 2π (46,6×10 -3)
1
FH = 1 = ⇒ 3,18 MHz
2πτ PAG 2π(50 × 10)- 9
Comentario: Las dos frecuencias de las esquinas difieren en aproximadamente seis órdenes de
magnitud; por lo tanto, considerar un capacitor a la vez es un enfoque válido.
PROBLEMA DE EJERCICIO
Una figura de mérito para un amplificador es la producto de ganancia de ancho de banda. Suponiendo que las
FBW = FH - F ∼ L = FH (7,53)
496 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
GB = | Av |max · FH (7,54)
Más adelante mostraremos que, para una capacitancia de carga dada, este producto es esencialmente una constante.
También describiremos cómo se deben realizar las compensaciones entre la ganancia y el ancho de banda en el diseño
de un amplificador.
En los amplificadores discretos bipolares y FET, los condensadores de derivación de emisor y fuente se
incluyen a menudo para que las resistencias de emisor y fuente se puedan utilizar para estabilizar la Q-punto
sin sacrificar la ganancia de pequeña señal. Se supone que los condensadores de derivación actúan como
cortocircuitos en la frecuencia de la señal. Sin embargo, para guiarnos en la elección de un condensador de
derivación, debemos determinar la respuesta del circuito en el rango de frecuencia donde estos
condensadores no están abiertos ni en cortocircuito.
La figura 7.27 (a) muestra un circuito de emisor común con un capacitor de derivación de emisor. El
circuito equivalente de pequeña señal se muestra en la figura 7.27 (b). Podemos encontrar la ganancia de
voltaje de la señal pequeña en función de la frecuencia. Usando la regla de reflexión de impedancia,
la corriente de entrada de pequeña señal es
VI (
Ib = ∥ )
∥1
+ R∥
RS + rπ + (1 β) mi∥ Carolina del Surmi (7,55)
Vπ = IBrπ (7,56)
y el voltaje de salida es
Vo = -gramometroVπ RC (7,57)
La combinación de ecuaciones produce la ganancia de voltaje de pequeña señal, como sigue:
V+
RC
vO
RS RS
Vo
+
IB Vpag rpag g Vpag
VI +
RC
metro
vI +
-
- -
Cmi
Rmi Cmi
Rmi
V-
(a) (B)
Figura 7.27 (a) Circuito con condensador de derivación de emisor y (b) circuito equivalente de pequeña señal
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 497
Ampliando la combinación paralela de Rmi y 1/Carolina del Surmi y reordenando los términos, encontramos
-gramometrorπ RC (1 + sRmiCMI)
Av = × { } (7,59)
[RS + rπ + (1 + β)RMI] sRMI(RS + rπ)Cmi
1+
[ RS + rπ + (1 + β)RMI]
-gr metro
RC π + 1 + sτA
Av = (7,60)
[RS + rπ + (1 β)RMI] 1 + sτB
gramometrorπ RC
|Av |ω→ 0 = (7,61 (a))
[RS + rπ + (1 + β)RMI]
y
gramometrorπ RC
|A|v ω→ ∞ = (7,61 (b))
RS + rπ
1
FB = (7,62 (a))
2πτB
|AV |
|AV |w → ∞
|AV |w → 0
FA FB F
Figura 7.28 Diagrama de Bode de la magnitud de la ganancia de voltaje para el circuito con un capacitor de derivación del
emisor
498 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
EJEMPLO 7.7
Objetivo: Determine las frecuencias de esquina y las asíntotas horizontales límite de un circuito
de emisor común con un capacitor de derivación de emisor.
Considere el circuito de la figura 7.27 (a) con parámetros RE = 4 k, RC = 2 k,
RS = 0,5 k, CE = 1 µF, V + = 5 V y V- = -5 V. Los parámetros del transistor son: β =
100, VSER(encendido) = 0,7 V, y ro = ∞.
Solución: A partir del análisis de cd, encontramos la corriente de colector en reposo como
ICQ = 1.06mA. Los parámetros de pequeña señal songramom = 40,77 mA / V, rπ = 2,45 k,
y ro = ∞.
La constante de tiempo τA es
y la constante de tiempo τB es
RMI(RS + rπ)Cmi
τB =
[RS + rπ + (1 + β)RMI]
1 1
F A= = = 39,8 Hz
2πτA 2π (4 × 10- 3)
y
1
FB = 1= ⇒ 5,49 kHz
2πτB 2π (2,9 ×10 5)-
A v ω→0 = = 0,491
[RS + rπ + (1 β)RMI] [0,5 +2,45 (101)
+ (4)]
La ∣∣lim∣∣La asíntota horizontal de alta frecuencia, dada por la ecuación (7.61 (b)) es
Comentario: Al comparar los dos valores límite de ganancia de voltaje, vemos que incluir un capacitor
de derivación produce una gran ganancia de alta frecuencia.
Verificación por computadora: Los resultados de un análisis de PSpice se muestran en la Figura 7.29. La
magnitud de la ganancia de voltaje de pequeña señal se muestra en la figura 7.29 (a). Las dos
frecuencias de esquina son aproximadamente 39 Hz y 5600 Hz, que concuerdan muy bien con los
resultados del análisis de constante de tiempo. Las dos magnitudes límite de 0,49 y 68 también se
correlacionan extremadamente bien con los resultados del análisis de la mano.
La figura 7.29 (b) es un gráfico de la respuesta de fase frente a la frecuencia. A frecuencias
muy bajas y muy altas, donde el condensador actúa como circuito abierto o corto
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 499
|AV |
100
10
1.0
0,1
1 10 102 103 104 105 fHz)
(a)
Fase
1 10 102 103 104 105 fHz)
- 90
- 100
- 110
- 120
- 130
- 140
- 150
- 160
- 170
- 180
(B)
Figura 7.29 Resultados del análisis de PSpice para el circuito con un condensador de derivación de emisor:
(a) respuesta de magnitud de ganancia de voltaje y (b) respuesta de fase
circuito, la fase es -180 grados, como se esperaba para un circuito de emisor común.
Entre las dos frecuencias de esquina, la fase cambia sustancialmente, acercándose
-90 grados.
PROBLEMA DE EJERCICIO
señal de entrada cuya frecuencia está confinada al rango de banda media. En este caso, la respuesta
de frecuencia real fuera del rango de banda media no es de interés. Los puntos finales del rango de
banda media se definen como aquellas frecuencias en las que la ganancia disminuye en 3 dB desde el
valor máximo de banda media. Estas frecuencias de punto final son una función de los
condensadores de alta y baja frecuencia. Estos condensadores introducen un polo en la función de
transferencia del amplificador.
Si existen múltiples condensadores de acoplamiento, por ejemplo, en un circuito, un
condensador puede introducir el polo que produce la reducción de 3 dB en la ganancia máxima a baja
frecuencia. Este polo se conoce como elpolo dominante. En el capítulo 12 se ofrece un análisis más
detallado de los polos dominantes. Se puede usar un análisis de constante de tiempo de valor cero
para estimar el polo dominante en un circuito que contiene múltiples capacitores. En este punto del
texto, determinaremos la respuesta de frecuencia de los circuitos que contienen múltiples capacitores
con una simulación por computadora.
Como ejemplo, la figura 7.30 muestra un circuito con dos capacitores de acoplamiento y un capacitor de
derivación de emisor, todos los cuales afectan la respuesta del circuito a bajas frecuencias. Podríamos
desarrollar una función de transferencia que incluya todos los condensadores, pero el análisis
de tales circuitos se maneja más fácilmente por computadora.
+ 10 V
|AV |
R mi
= 10 kΩ
100
R1 = 320 kΩ
6 dB / octava
5 kΩ RL = 2 kΩ
12 dB / octava
0,1
- 10 V 0,1 1 10 102 103 104 fHz)
Figura 7.30 Circuito con dos condensadores de acoplamiento y un Figura 7.31 Resultados de PSpice para cada condensador de acoplamiento, y
condensador de derivación de emisor efecto combinado para el circuito de la figura 7.30 (Cmi → ∞)
|AV |
100
C1 = 1 metroF
10 C2 = 2 metroF
CE = 50 metroF
CE = 50 metroF
1 C1 = 1 metroF
C2 = 2 metroF
0,1
0,1 1 10 102 103 104 fHz)
Figura 7.32 Resultados de PSpice para los dos condensadores de acoplamiento, el condensador de derivación y los
efectos combinados
valor, y esta frecuencia se define como el frecuencia de esquina inferior, o frecuencia de corte más
baja.
TYU 7.4 Considere el circuito de base común que se muestra en la figura 7.33. ¿Se pueden tratar los dos
condensadores de acoplamiento por separado? (a) A partir de un análisis por computadora, determine el
frecuencia de corte. Suponga que los valores de los parámetros sonβ = 100 y IS = 2 × 10-15 UNA.
(b) Determine la ganancia de voltaje de la pequeña señal de banda media. (Resp. (A)F3 db = 1,2 kHz,
(B) Av = 118)
+5V
RC = 2,3 milΩ
R1 = 20 kΩ
vO
CC1 = 1 metroF
-5V
Figura 7.33 Figura para el ejercicio TYU 7.4 Figura 7.34 Figura para el ejercicio TYU 7.5
TYU 7.5 El circuito de emisor común que se muestra en la figura 7.34 contiene un capacitor de acoplamiento y
un capacitor de derivación del emisor. (a) A partir de un análisis por computadora, determine
la frecuencia de 3 dB. Suponga que los valores de los parámetros sonβ = 100 y IS =
2 × 10-15 A. (b) Determine la ganancia de voltaje de la pequeña señal de banda media. (Resp. (A)F3 dB ≈
575 Hz, (b) |Av |max = 74,4)
502 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
Hasta ahora, hemos considerado la respuesta de frecuencia de los circuitos como una función
de resistencias y condensadores externos, y hemos asumido que el transistor es ideal. Sin
embargo, tanto los transistores bipolares como los FET tienen capacitancias internas que
influyen en la respuesta de alta frecuencia de los circuitos. En esta sección, primero
desarrollaremos un híbrido de pequeña señal expandido.π modelo del transistor bipolar,
teniendo en cuenta estas capacidades. Luego usaremos este modelo para analizar las
características de frecuencia del transistor bipolar.
Cuando se usa un transistor bipolar en un circuito ampli fi cador lineal, el transistor está
polarizado en la región activa hacia adelante, y los pequeños voltajes y corrientes sinusoidales
se superponen a los voltajes y corrientes de cd. La figura 7.35 (a) muestra un transistor bipolar
npn en una configuración de emisor común, junto con los voltajes y corrientes de pequeña
señal. La figura 7.35 (b) es una sección transversal del transistor npn en una configuración
clásica de circuito integrado. Los terminales C, B y E son las conexiones externas al transistor y
el C′, B′, y E′ los puntos son las regiones de colector, base y emisor internas idealizadas.
Para construir el circuito equivalente del transistor, primero consideraremos varios pares
de terminales. La figura 7.36 (a) muestra el circuito equivalente para la conexión entre el
terminal de entrada de la base externa y el terminal del emisor externo. Resistencia
rB es la resistencia en serie de la base entre el terminal B de la base externa y la región B de la base
interna′. El b′-MI′ la unión está sesgada hacia adelante; por lo tanto,Cπ es la capacitancia de la unión
polarizada hacia adelante y rπ es la resistencia de difusión de la unión polarizada hacia adelante
tance. Ambos parámetros son funciones de la corriente de unión. Finalmente,rex es la
resistencia en serie del emisor entre el terminal del emisor externo y el emisor interno
región. Esta resistencia suele ser muy pequeña, del orden de 1 a 2.
La figura 7.36 (b) muestra el circuito equivalente mirando hacia el terminal del colector.
Resistencia rC es la resistencia en serie del colector entre el exterior y el interior
C B mi B C
IC norte
IB pag MI'
C
+ pag
norte
pag
B B'
+ Vce
Vser C'
- -
n + capa enterrada
mi
(a) (B)
Figura 7.35 (a) Transistor bipolar npn de emisor común con corrientes y voltajes de pequeña
señal y (b) sección transversal de un transistor bipolar npn, para el híbrido-π modelo
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 503
rB B'
B
+
Vpag rpag Cpag
C' rC
-
MI' C
rmetro
gramometroVpag ro Cs
rex B' C'
mi MI' Cmetro
Figura 7.36 Componentes del híbridoπ circuito equivalente: (a) base a emisor, (b) colector
al emisor, y (c) base al colector
rmetro
rB rC
B' C'
B C
Cmetro
+
Vpag rpag Cpag ro Cs
-
gramometroVpag
MI'
rex
mi
Podemos comenzar a comprender los efectos de frecuencia del transistor bipolar determinando
primero la ganancia de corriente de cortocircuito, después de simplificar el híbridoπ modelo.
504 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
Cmetro
B C
+ IC
IB Vpag rpag Cpag ro
- gramometroVpag
mi
Figura 7.38 Híbrido simplificadoπ circuito equivalente para determinar la ganancia de corriente de
cortocircuito
La figura 7.38 muestra un circuito equivalente simplificado para el transistor, en el que necesitamos
observar las resistencias parasitarias rB, rC, y rex , la resistencia a la difusión de B – C rµ, y el
capacitancia del sustrato Cs. Además, el colector está conectado a tierra de señal. Tenga en cuenta que
el transistor aún debe estar polarizado en la región activa hacia adelante. Lo haremos
determinar la ganancia de corriente de pequeña señal A
Escribir una ecuación KCL en la entradanodo,
[yo = IC/encontramos
IB. que ]
V VV
π π 1+ jω (Cπ +Cµ)
Ib = π+ + = Vπ rπ (7,63)
rπ 1 1
jωCπ jωCµ
Vemos eso Vπ ya no es igual a IBrπ, ya que una parte de IB ahora se desvía a través de
Cπ y Cµ.
De una ecuación KCL en el nodo de salida, obtenemos
Vπ
+ Ic = gramometroVπ (7,64 (a))
1
jωCµ
o
Ic = Vπ (gramometro - jωCµ) (7,64 (b))
IC
Vπ = (7,64 (c))
(gramometro - jωCµ)
1+ jω (Cπ +Cµ)
rπ
Ib = I C · (7,65)
(gramometro - jωCµ)
La ganancia de corriente de pequeña señal generalmente designada como h fe se convierte en
I µ
AI= C= h fe = [(gramo - jωC ) ] (7,66)
metro
IB 1+ jω (Cπ +Cµ
)
rπ
Si asumimos valores típicos de los parámetros del circuito de Cµ = 0,05 pF, gramom = 50 mA / V,
y una frecuencia máxima de f = 500MHz, luego vemos que ωCµ gramom. Allí-
Por lo tanto, para una buena aproximación, la ganancia de corriente de pequeña señal es
h fe ∼= [
gramometro gramometrorπ +
]=+ (7,67)
1+ 1 jωrπ (Cπ Cµ)
jω (Cπ + Cµ)
rπ
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 505
|hfe |
Bo Fase
3 dB
FB F
0
- 45°
1 - 90°
FB FT F
(a) (B)
Figura 7.39 Diagramas de Bode para la ganancia de corriente de cortocircuito: (a) magnitud y (b) fase
frecuencia de esquina, que es también la frecuencia de corte beta Fβ en este caso, viene dado por
1
Fβ = (7,68)
2πrπ (Cπ +Cµ)
La figura 7.39 (b) muestra la fase de la ganancia de corriente. A medida que aumenta la frecuencia, la
corriente del colector de pequeña señal ya no está en fase con la corriente de base de pequeña señal. A altas
frecuencias, la corriente del colector retrasa la corriente de entrada en 90 grados.
EJEMPLO 7.8
Objetivo: Determine la frecuencia de 3 dB de la ganancia de corriente de cortocircuito de un transistor
bipolar.
Considere un transistor bipolar con parámetros rπ = 2,6 k, Cπ = 0,5 pF,
y Cµ = 0,025 pF.
Solución: De la ecuación (7.68), encontramos
1 1
Fβ = =
2πrπ (Cπ +Cµ) 2π (2.6 × 103) (0,5 + 0,025) (10-12)
o
Fβ = 117 MHz
Comentario: Deben utilizarse pequeños los transistores deben tener pequeñas capacitancias; por lo tanto,
dispositivos de alta frecuencia.
PROBLEMA DE EJERCICIO
La figura 7.39 (a) muestra que la magnitud de la ganancia de corriente de pequeña señal disminuye
cada vez con mayor frecuencia. En frecuenciaFT, Cuál es el frecuencia de corte, esta ganancia va a 1.
La frecuencia de corte es una cifra de mérito para los transistores.
De Equati(en (7).67), podemos escribir la ganancia de corriente de pequeña señal en la forma
βo
hfe= (7,69)
F
1+j
Fβ
dónde Fβ es la frecuencia de corte beta definida por la ecuación (7.68). La magnitud de
h fe I∣∣s
∣ βo
hfe∣ = √ ( ) (7,70)
2
F
1+
Fβ
En th∣e cu∣frecuencia de toff FT, |h fe | =1, y la ecuación (7.70) se convierte en
∣ h∣ fe = 1 = βo(
√ ) (7,71)
2
FT
1+
Fβ
Normalmente,√βo 1, lo que implica que FT Fβ. Entonces la ecuación (7.71) se puede escribir como
βo Fβ
1 ∼= (βo ) = (7.72 (a))
FT
2 FT
Fβ
o
FT = βo Fβ (7.72 (b))
Dado que las capacitancias son una función del tamaño del transistor, vemos nuevamente que los
transistores de alta frecuencia implican tamaños de dispositivo pequeños.
La frecuencia de corte FT también es una función de la corriente del colector de CC IC, y la
FT característica general de FT versus IC se muestra en la Figura 7.40. La transconductanciagramometro es
directamente proporcional a IC, pero solo una parte de Cπ está relacionado con IC. Por lo tanto, la frecuencia de
corte es menor a niveles bajos de corriente de colector. Sin embargo, la frecuencia de corte también
pliegues a altos niveles de corriente, de la misma manera que β disminuye con grandes corrientes.
La frecuencia de corte o el ancho de banda de ganancia unitaria de un transistor generalmente se especifica
IC en las hojas de datos del dispositivo. Dado que también se da la ganancia de corriente de baja frecuencia, la beta
la frecuencia de corte, o ancho de banda, del transistor se puede determinar a partir de
Figura 7.40 Cortar
frecuencia versus corriente de
Fβ = FT (7,74)
colector βo
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 507
EJEMPLO 7,9
Objetivo: Calcule el ancho de banda Fβ y capacitancia Cπ de un transistor bipolar.
Considere un transistor bipolar que tiene parámetros FT = 20 GHz a IC = 1 mA,
βo = 120, y Cµ = 0,08 pF.
gramo
FT =
metro
2π (Cπ + Cµ)
o
38,5 × 10-3
20 × 109 =
2π (Cπ + 0,08 × 10-12)
Comentario: Aunque el valor de Cπ puede ser mucho más grande que el de Cµ, Cµ no se puede
descuidar en aplicaciones de circuitos como veremos en la siguiente sección.
PROBLEMA DE EJERCICIO
VCC
RC
R1 CC2
vo
CC1 Io
Cmetro
RL Vo
Io
Is rs R2 R B= +
Rmi Cmi
Is Vpag rpag Cpag RC RL
rs R 1 R 2
- gramometroVpag
(a) (B)
Figura 7.41 (a) Circuito emisor común con entrada de fuente de corriente; (b) circuito equivalente
de pequeña señal con híbrido simplificadoπ modelo
La figura 7.41 (a) es un circuito de emisor común con una fuente de corriente de señal en
la entrada. Determinaremos la ganancia de corriente de pequeña señal.Ayo = Io /Is del circuito. La
figura 7.41 (b) es el circuito equivalente de pequeña señal, asumiendo que la frecuencia es
suficientemente alto para que los condensadores de acoplamiento y de derivación actúen como
cortocircuitos. El modelo de transistor es el híbrido simplificadoπ circuito que se muestra en la Figura 7.38
(asumiendo ro = ∞). Condensador Cµ es un elemento de retroalimentación que conecta la
salida a la entrada. Por tanto, la tensión y la corriente de salida influirán en la entrada
caracteristicas.
La presencia de Cµ complica el análisis. Anteriormente, podíamos escribir ecuaciones
KCL en los nodos de entrada y salida y derivar una expresión para la ganancia actual.
I1 Cmetro I2 Aquí, sin embargo, abordaremos el problema de manera diferente. Trataremos el condensadorCµ
como una red de dos puertos y desarrollará un circuito equivalente, con elementos entre
+ + la base de entrada y tierra y entre el colector de salida y tierra. Este procedimiento
Vpag Vo Puede parecer más complicado, pero demostrará el efecto de Cµ mas claro.
- -
Considere el segmento de circuito entre las dos líneas de puntos en la figura 7.41 (b). Podemos tratar
esta sección como una red de dos puertos, como se muestra en la Figura 7.42. El voltaje de entrada
Figura 7.42 Red de condensador la edad es Vπ y el voltaje de salida es Vo. Además, las corrientes de entrada y salida, I1 y I2,
de dos terminales Cµ se definen como se muestra en la figura.
Escritura(KVL eq)uations en los terminales de entrada y salida, ahora tenemos
1
Vπ = I1 + Vo (7.75 (a))
jωCµ
y
( )
1
Vo = I2 + Vπ (7.75 (b))
jωCµ
Usando las ecuaciones (7.75 (a)) y (7.75 (b)), podemos formar un circuito equivalente de dos puertos, como se
muestra en la figura 7.43 (a). Luego, convertimos el circuito equivalente de Thevenin en la salida en un
circuito equivalente de Norton, como se muestra en la figura 7.43 (b).
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 509
+ + + +
+ + + Vpag
Vpag Vo Vpag Vo Vpag Vo Isc = Vo
- - - (1 / jwCmetro)
Cmetro
- - - -
(a) (B)
Figura 7.43 (a) Circuito equivalente de dos puertos de condensador Cµ con circuitos de salida equivalentes:
(a) Equivalente de Thevenin y (b) Equivalente de Norton
I1 I2
Vo
+
Cmetro
Io
Is RB Vpag rpag Cpag
+
Cmetro RC RL
- Yo =
- Carolina del Sur
Vo
gramometroVpag
jwCmetroVpag
Figura 7.44 Circuito equivalente de pequeña señal, incluido el modelo equivalente de dos puertos de
capictor Cµ
El circuito equivalente de la figura 7.43 (b) reemplaza el segmento de circuito entre las
líneas punteadas de la figura 7.41 (b), y el circuito modificado se muestra en la figura 7.44. Para
evaluar este circuito, haremos algunas aproximaciones simplificadoras.
Valores típicos de gramometro y Cµ están gramom = 50 mA / V y Cµ = 0,05 pF. A partir de estos
valores, podemos calcular la frecuencia a la que las magnitudes de los dos dependientes
las fuentes actuales son iguales. Si
luego
50 × 10- 3
f=
gramometro
= = 1,59 × 1011 Hz ⇒ 159 GHz (7.76 (b))
2πCµ 2π (0,05×10 12)-
Dado que la frecuencia de funcionamiento de los transistores bipolares es mucho menor de 159 GHz, el
fuente actual Isc = jωCµVπ es insignificante en comparación con el gramometroVπ fuente.
Ahora podemos calcular la frecuencia a la que la magnitud de la impedancia de
Cµ es igual a RC‖RL. Si
1= RC‖RL
(7.77 (a))
ωCµ
luego
1
F= (7.77 (b))
‖
2πCµ (RC RL)
1
f= = 1,59 × 109 Hz (7,78)
2π (0,05×10 - [(4
12) 103)× (4 103)]
‖ ×
510 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
I1
Vo
+
Cmetro Io
Is RB Vpag rpag Cpag + RC RL
- -
Vo
gramometroVpag
El voltaje de salida es
En la figura 7.45, el segmento de circuito entre las líneas punteadas se puede reemplazar por
una capacitancia equivalente dada por
CM = Cµ [1 + gramometro(RC‖RL)] (7,82)
Vo
Io
+
Is RB Vpag rpag Cpag CMETRO RC RL
- gramometroVpag
Figura 7.46 Circuito equivalente de pequeña señal, incluida la capacitancia Miller equivalente
EJEMPLO 7,10
Objetivo: Determine la frecuencia de 3 dB de la ganancia de corriente para el circuito que se muestra en
RC
Io = - (gramometroVπ)
RC + RL
La frecuencia de 3 dB es
1
F3 dB =
2π (RB‖rπ) (Cπ + CMETRO )
1
Fβ = ⇒ 77,5 MHz
2π [(200 × 103)‖ (2.6 × 103)] (0,8 × 10-12)
La capacitancia de Miller es
1
F3 –dB =
2π (RB‖rπ) (Cπ +CMETRO)
1
= ⇒ 13,2 MHz
2π [(200 ×103) (2,6
‖ 103)]
× [0,8 3,9] (10
+ -12)
Comentario: El efecto Miller, o factor de multiplicación de Cµ, es 78, dando una capacitancia de
Miller de CM = 3,9 pF. La capacitancia de Miller, en este caso, es aproximadamente un factor
cinco más grande queCπ. Esto significa que el ancho de banda real del transistor es
aproximadamente seis veces menos que el ancho de banda esperado si Cµ está descuidado.
La capacitancia de Miller, de la ecuación (7.82), se puede escribir en la forma
CM = Cµ (1 + |Av |) (7,83)
dónde Av es la ganancia de voltaje interna de la base al colector. El origen físico del efecto Miller está
en el factor de ganancia de voltaje que aparece en el elemento de retroalimentación.Cµ.
Un pequeño voltaje de entrada Vπ produce una gran tensión de salida Vo = - |Av | · Vπ de la
polaridad opuesta a la salida de Cµ. Por lo tanto, el voltaje a travs Cµ es (1 + |Av |)Vπ,
que induce una gran corriente a través Cµ. Por esta razón, el efecto de Cµ en la parte de
entrada del circuito es significativo.
Ahora podemos ver una de las compensaciones que se pueden realizar en un diseño de amplificador.
La compensación es entre la ganancia del amplificador y el ancho de banda. Si se reduce la ganancia, se
reducirá la capacitancia de Miller y se aumentará el ancho de banda. Consideraremos esta compensación
nuevamente cuando consideremos el amplificador de cascodo más adelante en este capítulo.
512 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
Discusión: En E(cita (7.80), asumimos que | jωCµ | gramom que es valido incluso
para frecuencias en los 100 MHz corrieron) ge. SijωCµ no es despreciable, podemos escribir
1
gramometroVπ + Vo RC‖RL + jωCµ =0 (7,84)
La ecuación (7.84) implica que una capacitancia Cµ debe estar en paralelo con RC y RL
en la parte de salida del circuito equivalente de la figura 7.44. ParaRC = RL = 4 k y Cµ
= 0.05 pF, indicamos que esta capacitancia es insignificante para F 1,5 GHz.
Sin embargo, en circuitos especiales que involucran, por ejemplo, cargas activas, el equivalente RC
y RL las resistencias pueden ser del orden de 100 k. Esto significa que elCµ La capacitancia
en la parte de salida del circuito no es despreciable para las frecuencias incluso en los
rango de megahercios. Consideraremos algunos casos especiales en los queCµ en el circuito de salida
no es despreciable.
PROBLEMA DE EJERCICIO
Ej 7.10: Para el circuito de la figura 7.41 (a), los parámetros son R1 = 200 k,
R2 = 220 k, RC = 2,2 k, RL = 4,7 mil, RE = 1 k, rs = 100 k, y
VCC = 5 V. Los parámetros del transistor son βo = 100, VSER(encendido) = 0,7 V, VA = ∞,
y Cπ = 1 pF. Considere el híbrido simplificadoπ modelo del transistor. (a) Determine la
ganancia de corriente de banda mediaAyo = Io /II . (b) Encuentra la capacitancia de Miller CMETRO
para (i) Cµ = 0 y (ii) Cµ = 0,08 pF. (c) Determine la frecuencia superior de 3 dB para
(I) Cµ = 0 y (ii) Cµ = 0,08 pF. (Resp. (A)Ayo = -30,24; (b) (i)CM = 0,
(ii) CM = 4,38 pF; (c) (i)F3dB = 60,2 MHz, (ii) F3dB = 11,2 MHz)
La figura 7.47 (a) muestra el híbrido-π circuito equivalente del transistor bipolar con un
resistencia de carga RC conectado en la salida. La figura 7.47 (b) muestra el circuito equivalente
con la capacitancia de Miller. Como primera aproximación, el voltaje de salida es
vo = -gramometrovπ RC . Suponiendo señales sinusoidales, la Figura 7.48 muestra la señal de entrada vπ
y la señal de salida vo. Como hemos señalado anteriormente, la señal de salida está
desfasada 180 grados con respecto a la señal de entrada. Además, debido a la ganancia,
la magnitud del voltaje de salida es mayor que el voltaje de entrada. La diferencia
entrevπ y vo es el voltaje en el Cµ capacitor como se ve en la Figura 7.47 (a).
B IC Cmetro
C B C
vo vo
+ + IC
+ vC -
CMETRO
- -
mi mi
(a) (B)
Figura 7.47 (un híbrido-π circuito equivalente de un transistor bipolar con una resistencia de carga RC
conectado a la salida. (b) Circuito equivalente a la capacitancia de Miller.
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 513
vo
vpag
vC
Figura 7.48 Voltaje de la señal de entrada vπ y voltaje de la señal de salida vo para los circuitos de la
figura 7.47
Podemos escribir las señales sinusoidales como vπ = Vπmi jωt, vo = Vomi jωt, y vc =
VCmi jωt. La corriente IC a través del condensador Cµ Se puede escribir como
DvC
IC = C µ dt (7.85 (a))
Esta corriente influye en la impedancia de entrada que mira hacia el terminal base del
transistor.
Para que los dos circuitos mostrados en las Figuras 7.47 (a) y 7.47 (b) sean equivalentes, el
Actual IC en los dos circuitos debe ser el mismo. De la Figura 7.47 (b), podemos escribir
Dvπ
IC = CMETRO (7.86 (a))
dt
o usando fasores, tenemos
Para que las dos corrientes de condensador en las ecuaciones (7.85 (b)) y (7.86 (b)) sean iguales,
debemos tener
De las señales que se muestran en la Figura 7.48, vemos que Vπ < VC para que tengamos CM> Cµ.
Debido al cambio de fase de 180 grados y la ganancia de voltaje, el voltaje a través Cµ es bastante
grande, lo que lleva a un valor relativamente significativo de la corriente del condensador
IC. Para tener la corriente en el condensador Miller CMETRO ser lo mismo con un menor
voltaje a través CMETRO, El valor de CMETRO debe ser relativamente grande. Este, entonces, es el origen
físico del efecto de multiplicación de Miller.
TYU 7,6 Un transistor bipolar está polarizado en ICQ = 120µA y sus parámetros son
βo = 120, Cµ = 0,08 pF y Fβ = 15 MHz. Determine la capacitanciaCπ. (Resp.
Cπ = 0,328 pF)
514 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
TYU 7.7 Fo∣∣r el∣ transistor descrito en el ejemplo 7.9 y polarizado al mismo Q-punto,
dete∣rmine h fe∣ y th∣e fase ∣ ∣en (a) f = 150 MHz ∣ f∣ = 500 MHz y (c)
(B)
f = 4GHz. (Resp. (A) h ∣ fe = 89,3, φ = -41,9 °; (B)
∣ h fe ∣ = 38,0, φ = -71,5 °;
∣
(C) ∣h ∣fe = 5,0, φ = -87,6 °)
TYU 7.8 Los parámetros de un transistor bipolar son: βo = 150, FT = 1 GHz,
rπ = 12 k, y Cµ = 0,15 pF. (a) DetermineCπ y Fβ. (b) ¿Cuál es la corriente de polarización
en el transistor? (Resp. (A)Cπ = 1,84 pF, Fβ = 6,67 MHz; (B)ICQ = 0,325 mA)
GRAMO
S D
Cgsp Cpib
Cgs Cgd
rs rD
n+ n+
gramometroV 'gs Cds
pag
dónde Cbuey(F / cm2) = εbuey/ tbuey. El parámetro εbuey es la permitividad del óxido, que para
MOSFET de silicio es εbuey = 3.9εo, dónde εo = 8,85 × 10-14 F / cm es la permitividad
de espacio libre. El parámetrotbuey es el espesor del óxido en cm.
Sin embargo, cuando el transistor está polarizado en la región de saturación, el canal es
pellizcado en el drenaje y la carga de inversión ya no es uniforme. El valor de
Cgd esencialmente va a cero, y Cgs aproximadamente es igual a (2/3)WLCbuey. Por ejemplo, si un
dispositivo tiene un espesor de óxido de 100 Å, una longitud de canal de L = 0,18µmetro,
y un ancho de canal de W = 20µm, el valor de Cgs es C gs
∼ = 8,3 fF. El valor de
Cgs cambia a medida que cambia el tamaño del dispositivo, pero los valores típicos están en el rango de las decenas de
femtofaradios.
Las dos capacitancias restantes de la puerta, Cgsp y Cpib son parásitos o Capacidades superpuestas,
llamado así porque, en los dispositivos reales, el óxido de la puerta se superpone a la fuente
y contactos de drenaje, debido a tolerancias u otros factores de fabricación. Como veremos,
la capacitancia de superposición de drenaje Cpib reduce el ancho de banda del FET. El parámetro
Cds es la capacitancia de la unión pn de drenaje a sustrato, y rs y rD son las resistencias en
serie de los terminales de fuente y drenaje. El voltaje interno de puerta a fuente
Controla la corriente del canal de pequeña señal a través de la transconductancia.
El circuito equivalente de pequeña señal para el MOSFET de fuente común de canal n
se muestra en la Figura 7.50. VoltajeV ′ gs es el voltaje interno de puerta a fuente que
controla la corriente del canal. Asumiremos que la puerta a la fuente y la puerta al drenaje
capacitancias, Cgs y Cgd, contienen las capacitancias de superposición parásitas. Un parámetro,ro,
que se muestra en la Figura 7.50 no se muestra en la Figura 7.49. Esta resistencia está asociada
con la pendiente deID versus VDS. En el MOSFET ideal sesgado en la saturación res
gion, ID es independiente de VDS, Lo que significa que ro es infinito. Sin embargo,ro es finito en
dispositivos de longitud de canal corta, debido a la modulación de longitud de canal, y
incluido en el circuito equivalente.
Resistencia de la fuente rs puede tener un efecto significativo en las características del transistor.
Para ilustrar, la figura 7.51 muestra un circuito equivalente de baja frecuencia simplificado en
incluyendo rs pero no ro. Para este circuito, la corriente de drenaje es
′
Id = gramometroVgs (7,88)
GRAMO
Cgd rD D GRAMO D
+ + + +
ID
V 'gs
V 'gs Cgs ro Cds
g V 'gs
gramometroV 'gs
Vgs - metro
-
Vgs
rs
- S
rs
-
gramo
Id = Vgs = Vgs (7,90)
metro
gramo′
metro
1 + gramometrors
En cuanto al transistor bipolar, la frecuencia de ganancia unitaria o el ancho de banda es una figura de
mérito para los FET. Si descuidamosrs , rD , ro, y Cds, y conecte el drenaje a tierra de la señal, el
circuito de pequeña señal equivalente resultante se muestra en la Figura 7.52. Desde
la impedancia de la puerta de entrada ya no es infinita a alta frecuencia, podemos definir la ganancia
de corriente de cortocircuito. A partir de eso podemos de fi nir y calcular la ganancia unitaria
banda ancha.
Escribiendo una ecuación KCL en el nodo de entrada, encontramos que
Vgs V gs
Iyo = + = Vgs [ jω (Cgs +Cgd)] (7,91)
1 1
jωCgs jωCgd
Vgs
+ Id = gramometroVgs (7.92 (a))
1
jωCgd
o
Id = Vgsgramometro - jωCgd) (7,92 (b))
ID
Vgs= (7,93)
- jωCgd)
(gramometro
Cgd
GRAMO
D
+
II ID
Vgs Cgs
gramometroVgs
- S
Figura 7.52 Circuito de pequeña señal de alta frecuencia equivalente de un MOSFET, para calcular la ganancia de
corriente de cortocircuito
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 517
I D=∼ gramometro
Ayo = (7,96)
II jω (Cgs +Cgd)
La frecuencia de ganancia unitaria FT se define como la frecuencia a la que la magnitud de la
ganancia de corriente de cortocircuito va a 1. De la ecuación (7.96) encontramos que
gramo
FT = (7,97)
metro
2π (Cgs +Cgd)
EJEMPLO 7.11
Objetivo: Determine el ancho de banda de ganancia unitaria de un FET.
Solución: La transconductancia es
Comentario: Al igual que con los transistores bipolares, los FET de alta frecuencia requieren capacidades pequeñas y un
PROBLEMA DE EJERCICIO
Normalmente, los valores de Cgs para MOSFET están en el rango de 10 a 50 fF y los valores
de Cgd son típicamente de 0,1 a 0,5 fF.
518 Parte 1 Dispositivos semiconductores y aplicaciones básicas
En cuanto al transistor bipolar, el efecto Miller y la capacitancia Miller son factores en las
características de alta frecuencia de los circuitos FET. La figura 7.53 es un diagrama alto simplificado.
modelo de transistor de frecuencia, con una resistencia de carga RL conectado a la salida.
Determinaremos la ganancia actual para demostrar el impacto del efecto Miller.
GRAMO
Cgd D
+ +
II ID
Vgs Cgs RL Vds
gramometroVgs
- S -
Figura 7.53 Circuito de pequeña señal de alta frecuencia equivalente de un MOSFET con una resistencia
de carga RL
Al escribir una ecuación de la ley de la corriente de Kirchhoff (KCL) en el nodo de la puerta de entrada, tenemos
{ [ ]}
1 + gramometro RL
II = jω Cgs + Cgd Vgs (7.100)
1 + jωRLCgd
Normalmente, (ωRLCgd) es mucho menor que 1; por lo tanto, podemos descuidar (jωRLCgd)
y la ecuación (7.100) se convierte en
La figura 7.54 muestra el circuito equivalente descrito por la ecuación (7.101). El parámetroC
METRO es la capacitancia de Miller y está dada por
GRAMO
ID D
+ +
II
Vgs Cgs CMETRO RL Vds
gramometroVgs
S
- -
Figura 7.54 Circuito de alta frecuencia MOSFET, incluida la capacitancia Miller equivalente
capacidad. Esta capacitancia de superposición se multiplica debido al efecto Miller y puede convertirse
en un factor significativo en el ancho de banda de un amplificador. Minimizar la capacitancia de
superposición es uno de los desafíos de la tecnología de fabricación.
La frecuencia de corte FT de un MOSFET se define como la frecuencia a la que la magnitud de la
ganancia de corriente de cortocircuito es 1, o la magnitud de la corriente de entrada II es
igual a la corriente ideal ID . En la Figura 7.54, vemos que
Id = gramometroVgs (7.104)
|AI | =∣ ∣ID∣∣∣= ∣
gramometro
(7.105)
II 2π F(Cgs +CMETRO)
gramometro
FT = = gramometro (7.106)
2π (Cgs +CMETRO) 2πCGRAMO
EJEMPLO 7.12
Objetivo: Determine la capacitancia Miller y la frecuencia de corte de un circuito FET.
El MOSFET de canal n descrito en el ejemplo 7.11 está polarizado a la misma
corriente y una carga de 10 k está conectada a la salida.
o
FT = 1,06 MHz
PROBLEMA DE EJERCICIO
Ej 7.12: Para el circuito de la figura 7.55, los parámetros del transistor son
Kn = 0,8 mA / V2, VTN = 2 V, λ = 0, Cgs = 100 fF y Cgd = 20 fF. Determinar
(a) la ganancia de voltaje de banda media, (b) la capacitancia de Miller y (c) la frecuencia superior de 3 dB
frecuencia de la ganancia de voltaje de pequeña señal. (Resp. (A)Av = -6.69, (b) CM = 167,6 fF,
(C) F3dB = 1,32 GHz)
VDD = 10 V
RD = 4 kΩ
R1 = 234 milΩ
vo
C C→2 ∞
Ryo = 10 kΩ
CC1 → ∞
RL =
20 kΩ
vI + R2 = 166 milΩ
-
RS =
CS → ∞
0,5 kΩ
TYU 7.10 Un MOSFET de canal n tiene un ancho de banda de ganancia unitaria de FT = 1,2 GHz. Como-
TYU 7.11 Para un MOSFET, suponga que gramom = 1,2 mA / V. Las capacitancias básicas de la puerta.
están Cgs = 60 fF, Cgd = 0, y las capacitancias de superposición son Cgsp = Cpib. Determine la capacitancia
de superposición mínima para un ancho de banda de ganancia unitaria de 2.5 GHz. (Resp.
Cgsp = Cgdp = 8.2 fF)
En las últimas secciones, desarrollamos los circuitos equivalentes de alta frecuencia para los
transistores bipolares y de efecto de campo. También discutimos el efecto Miller, que ocurre cuando
los transistores están operando en una configuración de circuito. En esta sección, ampliaremos
nuestro análisis de las características de alta frecuencia de los circuitos de transistores.
Inicialmente, veremos la respuesta de alta frecuencia de las configuraciones de emisor
común y fuente común. Luego examinaremos los circuitos de base común y de puerta común,
y un circuito en cascodo que es una combinación de los circuitos de emisor común y de base
común. Finalmente, analizaremos las características de alta frecuencia de los circuitos emisor-
seguidor y fuente-seguidor. En los siguientes ejemplos, usaremos el mismo circuito de
transistor bipolar básico para poder hacer una buena comparación entre las tres
configuraciones de circuito.
FH = 1 (7.108)
2πτPAG
V+
RC
R1
vo
RS
RL CL
+ CC1
vI
-
R2
Rmi Cmi
V-
RS Cmetro RS
Vo Vo
+ +
+ R B= V I+-
VI Vpag rpag Cpag ro RC RL RB Vpag rpag Cpag R 'L
R1 R2 -
CMETRO
- gramometroVpag
gramometroVpag
-
(a) (B)
Figura 7.57 (a) Circuito equivalente de alta frecuencia de amplificador de emisor común; (b) alto
circuito equivalente de frecuencia del amplificador de emisor común, incluida la capacitancia Miller
EJEMPLO 7.13
Objetivo: Determine la frecuencia de la esquina superior y la ganancia de banda media de un circuito transmisor de
comunicaciones.
CM = Cµ (1 + gramometro R′ L) = Cµ [1 + gramometro(RC‖RL)]
o
CM = (4) [1 + (39,6) (5‖10)] = 532 pF
1
FH =
2π [rπ‖RB‖RS](Cπ +CMETRO)
1
= ⇒ 2,94 MHz
2π [3,79‖40
‖ 5,72‖0,1] (103) (35 532)
+ (10 12)-
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 523
]
RB‖rπ
|Av |M = gramometro R′ L
RB‖rπ [+ RS
]
40‖5.72‖3,79
= (39,6) (5‖10) = 126
40‖5,72 ‖3,79 0,1
+
Verificación de PSpice: La figura 7.59 muestra los resultados de un análisis de PSpice de este
circuito de emisor común. Los valores de la computadora son:Cπ = 35,5 pF y Cµ = 3,89 pF. La
curva marcada "Cπ sólo ”es la respuesta de frecuencia del circuito si Cµ está descuidado; la
curva marcada "Cπ y Cµ sólo "es la respuesta debido a Cπ, Cµ, y el efecto Miller. Estas curvas
ilustran que el ancho de banda de este circuito se reduce drásticamente por la
Efecto Miller.
La frecuencia de esquina es de aproximadamente 2,5 MHz y la ganancia de banda media es de 125, lo
que concuerda muy bien con los resultados del análisis manual.
|AV |
200
100
Cpag solo
CL = 150 pF
10
Cpag y Cmetro CL = 5 pF
solo
1
104 105 106 107 108 109 fHz)
Figura 7.59 Resultados del análisis de PSpice para amplificador de emisor común
Las curvas marcadas "CL = 5 pF ”y“CL = 150 pF ”muestra la respuesta del circuito si el
transistor es ideal, con cero Cπ y Cµ capacitancias y una capacitancia de carga conectada a
la salida. Estos resultados muestran que, paraCL = 5 pF, la respuesta del circuito está
dominada por Cπ y Cµ capacitancias del transistor. Sin embargo, si una gran capacidad de
carga, comoCL = 150 pF, está conectado a la salida, la respuesta del circuito está
dominada por el CL capacidad.
PROBLEMA DE EJERCICIO
+5V
RC = 2,3 milΩ
R1 = 20 kΩ
vo
CC1 → ∞ CC 2 → ∞
RL = 5 kΩ
RS = 1 kΩ
vI +
-
R2 =
20 kΩ RE = Cmi → ∞
5 kΩ
-5V
Como acabamos de ver, el efecto Miller reduce el ancho de banda de los circuitos de
emisor común y de fuente común. Para aumentar el ancho de banda, el efecto Miller o
la Cµ factor de multiplicación, debe minimizarse o eliminarse. Las configuraciones de
amplificador de base común y de puerta común logran este resultado. Analizaremos un
circuito de base común; el análisis es el mismo para el circuito de puerta común.
Vπ Vπ= 0
Ie + gramometroVπ + + (7.111)
(1 /Carolina del Surπ) rπ
Desde Vπ = -Ve, La ecuación (7.111) se convierte en
Imi= 1= 1+ g + sC V r
π (7.112)
ZI
metro
mi π
Capítulo 7 Respuesta de frecuencia 525
V+
RC
R1
vO
RL CL
CC RS
CB
R2
Rmi + vI
-
V-
B
Cmetro
C
Vo
+
Vpag rpag Cpag RC RL CL
- gramometroVpag
mi
ZI
RS
Imi
+
Vmi rpag
RS VI + Rmi Ve = -Vpag Cpag
- 1+B
Rmi ++ VI
-- -
(a) (B)
Vo
gV metro pag
Cmetro RC RL CL
(C)
Figura 7.62 (a) Circuito equivalente de base común de alta frecuencia, (b) circuito de entrada
equivalente y (c) circuito de salida equivalente
π (7.113)
ZI rπ rπ
La porción de entrada equivalente del circuito se muestra en la Figura 7.62 (b).
La figura 7.62 (c) muestra la porción de salida equivalente del circuito. De nuevo, un lado
de Cµ está vinculado a tierra, lo que elimina la retroalimentación o el efecto de multiplicación de Miller.