Etapas de Salida

Principales características de las etapas de salida en amplificadores:

 Baja resistencia de salida.

 Manejo de señales relativamente grandes, utilización de

modelos de gran señal.

 La linealidad suele ser un requisito muy importante, se

debe diseñar para reducida distorsión armónica.

 Se debe entregar la potencia requerida a la carga de un modo

eficiente , es decir que la potencia disipada en los dispositivos
activos de la etapa de salida debe ser lo más baja posible con
respecto a la potencia en la carga.

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Amplificadores Clase B y AB– Circuitos Electrónicos I – FI UNMDP
 Clasificación de Etapas de
Se clasifican de acuerdo con la forma de onda de corriente del o de los
dispositivos activos que controlan la salida ( en los ejemplos, Ic de
TBJs)

Clase A

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 Clasificación de Etapas de
Clase B

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 Clasificación de Etapas de
Clase AB

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 Clasificación de Etapas de
Clase C

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 Ejemplo Clase

𝐼Q 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸3 𝑀á𝑥i𝑚𝑎 e𝑥𝑐𝑢𝑟𝑠ió𝑛 𝑠i𝑚é𝑡𝑟i𝑐𝑎, 𝑠i:

≅𝐼= 𝑅 −𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝐶𝐸2𝑠𝑎𝑡
𝑣0𝑚á𝑥 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐶𝐸1𝑠𝑎𝑡 𝐼Q ≥
𝑅𝐿
𝑣0𝑚í𝑛 = −𝐼𝑞𝑅𝐿 ; 𝑐o𝑟𝑡e 𝑑e 𝑀á𝑥i𝑚o 𝑟e𝑛𝑑i𝑚ie𝑛𝑡o 𝑡eó𝑟i𝑐o:
𝑄1

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 Ejemplo Clase
{ 𝑃𝐿
𝑣0𝑚í𝑛 = −𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝐶𝐸2𝑠𝑎𝑡 ; 𝑠𝑎𝑡 𝑑e 𝑄2 5= = 𝑂, 25
𝑃𝑠

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 Etapas de Salida Clase B y
 Muy baja disipación de potencia en reposo (los dispositivos de
salida polarizados al corte o muy cerca de él).

 Para entregar la potencia a la salida se utilizan dos

dispositivos activos conduciendo medio ciclo cada uno en forma
alternada.

 El rendimiento de las etapas de salida clase B es mayor que las

de clase A, siendo idealmente el máximo rendimiento alcanzado
del 78,5 %.

 Principales aplicaciones : Etapas de salida de amplificadores de

audio discretos e integrados y en etapas de salida de circuitos
integrados en general.

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 Etapas de Salida Clase B

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 Etapas de Salida Clase B

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 Etapas de Salida Clase B

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 Rendimiento y potencia

Par calcular el rendimiento y las potencias disipadas, se parte de las

configuraciones básicas y se supone :

 Vo de C.C. es 0V.

 Q1 y Q2 son transistores complementarios de iguales características.

 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 de ambos transistores ≅ 0.

 𝑣i es senoidal y puede excursionar de modo de poder saturar a los

transistores.

 Se desprecia la distorsión que se produce en el cruce por 0V.

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 Potencia de salida

𝑣^o 2
𝑃𝐿 =
2𝑅𝐿

La potencia máxima de salida, suponiendo que 𝑣o puede excursionar ±𝑉𝑐𝑐 , es:

2
𝑉𝑐𝑐
𝑃𝐿𝑚á𝑥 =
2𝑅𝐿

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 Potencia entregada por las fuentes
de alimentación
La corriente de colector de Q1 (y de Q2) es de media onda senoidal,
entonces la corriente media será:

i𝑐1 = i𝑐2 𝑣^o

i=^𝑐 = 𝜋𝑅𝐿
𝜋

La potencia entregada por las dos fuentes de continua será:

𝑃 =𝑉 i
+𝑉 i = 2𝑉 𝑣^o
Æ𝑙i𝑚e𝑛𝑡𝑎𝑐ió𝑛 𝑐𝑐 𝑐1 𝑐𝑐 𝑐2 𝑐𝑐
𝜋𝑅𝐿

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Amplificadores Clase B y AB– Circuitos Electrónicos I – FI UNMDP
 Potencia entregada por las fuentes
de alimentación
La corriente de colector de Q1 (y de Q2) es de media onda senoidal,
entonces la corriente media será:

i𝑐1 = i𝑐2 𝑣^o

i=^𝑐 = 𝜋𝑅𝐿
𝜋

La potencia entregada por las dos fuentes de continua será:

𝑃 =𝑉 i

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+𝑉 i
= 2𝑉 𝑣^o
Æ𝑙i𝑚e𝑛𝑡𝑎𝑐ió𝑛 𝑐𝑐 𝑐1 𝑐𝑐 𝑐2 𝑐𝑐
𝜋𝑅𝐿

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 Rendimiento
El rendimiento de la etapa de salida, definido como el cociente de la
potencia de alterna en la salida sobre la potencia total entregada por las
fuentes de Alimentación es:

𝑃𝐿
5= 𝑣^o 2
𝑃Æ𝑙i𝑚e𝑛𝑡𝑎𝑐ió𝑛 2𝑅𝐿 𝜋𝑣^o
= = 4𝑉𝑐𝑐
2𝑉𝑐𝑐
𝑣^o 𝜋
𝑙

El rendimiento máximo se da para el caso de máxima excursión de

salida (⌃𝑣o = 𝑉𝑐𝑐 ) y es de:

5𝑚á𝑥 𝜋
4
=
1
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 (78,54 %)

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 Potencia disipada en los
𝑃𝐷(Q1+Q2) = 𝑃Æ𝑙i𝑚e𝑛𝑡𝑎𝑐ió𝑛 − 𝑃𝐿

𝑣^o 𝑣^o 2
𝑃𝐷(Q1+Q2) = 2𝑉𝑐𝑐 −
𝜋𝑅𝐿 2𝑅𝐿
La 𝑣^o para máxima potencia disipada en los transistores es:

𝑑𝑃𝐷(Q1+Q2) 𝑉𝑐𝑐
2𝑉𝑐𝑐 =0 → 𝑣^ = 2
𝑑𝑣^o = 𝑣^o − o 𝜋
𝜋𝑅𝐿 𝑅𝐿

La potencia disipada máxima en los dos transistores será:

2𝑉𝑐𝑐2
𝑃𝐷(Q1+Q2) =
𝜋2𝑅𝐿
Por simetría, la potencia disipada máxima en cada transistor será la
mitad de este valor.
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 Potencia disipada en los

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 Etapas de Salida Clase B básicas, con
fuente simple

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Potencia disipada y rendimiento, fuente
simple
En el caso de fuente simple y suponiendo máxima excursión posible
de la tensión de salida 𝑉𝑐𝑐/2 :

𝑣^o 2 𝑉𝑐𝑐
2
𝑃𝐿 =
𝑃𝐿𝑚á𝑥 = 8𝑅𝐿
2𝑅𝐿

𝑃Æ𝑙i𝑚e𝑛𝑡𝑎𝑐ió𝑛
= 𝑉𝑐𝑐 i𝑐1 = 𝑉𝑐𝑐 𝑣^o
𝜋𝑅𝐿
𝑃𝐿
5= � 𝜋 𝑉𝑐𝑐
𝑃Æ𝑙i𝑚e𝑛𝑡𝑎𝑐ió𝑛 5𝑚á𝑥 𝑣
^o=
=
�𝑣^o =4 2
2𝑉𝑐
𝑐
𝑉
2 𝑐𝑐 = 𝑉𝑐𝑐
𝑣
^o
𝑃𝐷Q1𝑚á𝑥 = 𝑃𝐷Q2𝑚á𝑥 = 𝜋
4𝜋2𝑅𝐿
2
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 Reducción de la distorsión por

2
Amplificadores Clase B y AB– Circuitos Electrónicos I – FI UNMDP
 Reducción de la distorsión por
cruce Clase AB

2
Amplificadores Clase B y AB– Circuitos Electrónicos I – FI UNMDP
 Reducción de la distorsión por
cruce Clase AB
𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐵𝐸1 + 𝑉𝐵𝐸2

𝑉𝐵𝐵 = 𝐼Q𝑅 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐷1 + 𝑉𝐷2 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐸3 ≅ 2𝑉𝐵𝐸3

2
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 Etapas de salida, AO
𝑅𝐿 = 10𝐾 𝑅𝐿 = 1𝐾

En reposo 𝑉o = 𝑉1 ≅ 0 ; 𝐼𝐶Q3 = 𝐼Q ≅ 𝑉𝑐𝑐

𝐵 = 0,5 𝑚𝐴
�

2
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 Etapas de salida, AO

Semiciclo negativo de la tensión de

salida Máxima excursión

Q1 cortado, Q2 en zona activa

𝑣0 = −𝑉𝑐𝑐 + 𝑣𝐸𝐵2 + 𝑉𝐶𝐸2𝑠𝑎𝑡

𝑚á𝑥

2
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 Etapas de salida, AO
Semiciclo positivo de la tensión de salida
Máxima excursión

El corte de Q3 limita la excursión

𝑉𝑐𝑐 = i𝐵1𝑅𝐵 + 𝑣𝐵𝐸1 + 𝑣0𝑚á𝑥

𝑣0𝑚á𝑥 = i0𝑅𝐿 = 𝛽1 + 1 i𝐵1𝑅𝐿

𝑣0𝑚á𝑥 𝑉𝑐𝑐 − 𝑣𝐵𝐸1

= 𝑅𝐵
1+
𝑅𝐿 𝛽1 + 1

𝑅𝐿 = 10𝐾; 𝑣o𝑚á𝑥 ≅ 0,98 𝑉𝑐𝑐 − 𝑣𝐵𝐸1 − 𝑅𝐿 = 1𝐾; 𝑣o𝑚á𝑥 ≅ 0,88 𝑉𝑐𝑐 − 𝑣𝐵𝐸1

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 Etapas de salida, Clase
𝐼𝐶Q4 ≅ 𝐼𝐶Q3

𝑆e𝑚i𝑐i𝑐𝑙o − → 𝑣0 𝑚á𝑥 = −𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝐶𝐸3𝑠𝑎𝑡 + 𝑣𝐸𝐵2

𝑆e𝑚i𝑐i𝑐𝑙o
𝑣0𝑚á𝑥 = 𝐼𝐶Q4 𝛽1 + 1 𝑅𝐿 (𝑐o𝑟𝑡e 𝑑e 𝑄3)
+ → {
𝑣0𝑚á𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑣𝐵𝐸1 − 𝑉𝐸𝐶4𝑠𝑎𝑡 − 𝐼𝐶Q4𝑅3 (𝑠𝑎𝑡𝑢𝑟𝑎𝑐ió𝑛 𝑑e 𝑄4)

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 Factores térmicos a tener en

3
Amplificadores Clase B y AB– Circuitos Electrónicos I – FI UNMDP
 Factores térmicos a tener en

3
Amplificadores Clase B y AB– Circuitos Electrónicos I – FI UNMDP
 Factores térmicos a tener en

3
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 Factores térmicos a tener en

2𝑉𝑐𝑐2 𝜃𝑐𝑎
𝑃𝐷1𝑚á𝑥 + 𝑃𝐷2𝑚á𝑥 =
𝜃𝐷 ≪ 2
𝜋2𝑅𝐿
Par asegurar 𝑇j < 𝑇j𝑚á𝑥 se debe cumplir que:

𝑇j𝑚á𝑥 − 𝑇𝑎𝑚á𝑥 𝜃j𝑐

𝜃𝑑 < 𝑃 − 2
𝐷1𝑚á𝑥 +
𝑃𝐷2𝑚á𝑥
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 Estabilización
𝑃𝐷𝑇
= 𝑃𝐷1 + 𝑃𝐷2 = 𝑇𝜃j − 𝑇𝑎
𝑡o𝑡𝑎𝑙

𝜃j𝑐
𝜃𝑡o𝑡𝑎𝑙 ≅ 𝜃𝐷 + 2

La evacuación de calor está dada por:

𝑑𝑃𝐷𝑇 =1
𝑑𝑇j 𝜃𝑡o𝑡𝑎𝑙

La generación de calor está dada por:

𝑑𝑃𝐶 = ∂𝑃𝐶 ∂𝐼𝐶

𝑑𝑇j ∂𝐼𝐶 ∂𝑇j

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 Estabilización
Pc e Ic son la potencia disipada y la corriente de colector
de reposo de ambos transistores

𝑃𝐶
≅ 2𝑉𝐶𝐸Q 𝐼𝐶 ∂𝑃𝐶 ≅ 2𝑉
→ 𝑐𝑐 (𝑉𝐶𝐸Q ≅ 𝑉𝑐𝑐)
∂𝐼𝐶

𝐼Q𝑅
− 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 ≅ 𝐼 𝐸 = 2
𝑅𝐸

∂𝐼𝐶 1 ∂𝑉
∂𝐼𝐶 ∂𝑉𝐵𝐸
=− 𝐵𝐸 1 ∂𝑉𝐵𝐸
∂𝑇j = ∂𝑉𝐵𝐸 ∂𝑇j 𝑅𝐸 ∂𝑇j = 𝑅𝐸 ∂𝑇j

∂𝑉𝐵𝐸
2𝑉𝑐𝑐∂𝑇j
𝑑𝑃𝑐 = ∂𝑃𝐶𝐶∂𝐼
=
𝑑𝑇j ∂𝐼𝐶 ∂𝑇j 𝑅𝐸
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 Estabilización

Evacuación de calor Generación de calor

∂𝑉𝐵𝐸
𝑑𝑃𝐷𝑇 =1 2𝑉𝑐𝑐
> 𝑑𝑃𝑐 =𝐶𝐶
∂𝑃= ∂𝐼 ∂𝑇j
𝑑𝑇j 𝜃𝑡o𝑡𝑎𝑙 𝑅𝐸
𝑑𝑇j ∂𝐼𝐶 ∂𝑇j

∂𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐸 > 𝜃𝑡o𝑡𝑎𝑙 ∂𝑇j 2𝑉𝑐𝑐

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