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ANALISIS DE CORRIENTE ALTERNA

EN LOS ELEMENTOS R,L y C

CIRCUITOS ELECTRICOS 2
EL RESISTOR EL RESISTOR
ANALISIS EN EL DOMINIO-t ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL
V(t) = R i (t) , ASUMIENDO i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 V(t) = R i (t) ↔ V = R I
V(t) = R 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ I = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑉𝑚 = R 𝐼𝑚 V(t) = R 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ V = 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
R2 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = R 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
0.1
V = R I ( LEY DE OHM EN EL DOMINIO FASORIAL )
V1
-311/311V
R1
0.005k
60 Hz

400.0
A: v1_1
B: r2[i]
300.0

200.0

100.0

0.000

-100.0

-200.0

-300.0

-400.0
0.000ms 10.00ms 20.00ms 30.00ms 40.00ms 50.00ms 60.00ms 70.00ms 80.00ms 90.00ms
EL INDUCTOR
ANALISIS EN EL DOMINIO-t
EL INDUCTOR
ⅆ𝑖 ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL
V(t) = L ⅆ𝑡 , ASUMIENDO i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡

V(t) = R i (t) ↔ V = R I
V(t) = L ( 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡) = L ( 𝐼𝑚 w ) sin (𝑤𝑡 + 90 ) i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ I = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
ⅆ𝑡
V (t) = wL 𝐼𝑚 sin (𝑤𝑡 + 90 ) V(t) = R 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ V = 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
V (t) = 𝑉𝑚 sin (𝑤𝑡 + 90 ) ⅆ
R1
𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = L ⅆ𝑡 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = jwL 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
0.0001k
V = jwL 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
V1_1 L1_2

V1
-10/10V
V = jwL I
60 Hz
L1
3mH V = 𝑿𝒍 I
0
V = R I ( LEY DE OHM EN EL DOMINIO FASORIAL )
EL CAPACITOR EL CAPACITOR
ANALISIS EN EL DOMINIO-t ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL
ⅆ𝑣
i(t) = C ⅆ𝑡 , ASUMIENDO V(t) = 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 ⅆ𝑣
i(t) = C ⅆ𝑡 ↔ V = R I

I(t) = C ⅆ𝑡 ( 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡) = C( 𝑉𝑚 w ) sin (𝑤𝑡 + 90 ) v(t) = 𝑉𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ V = 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
i (t) = wC 𝑉𝑚 sin (𝑤𝑡 + 90 ) i(t) = wC𝑉𝑚 cos 𝑤𝑡 ↔ I = wC 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡

i (t) = 𝐼𝑚 sin (𝑤𝑡 + 90 ) 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = Cⅆ𝑡 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = C(jw) 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
R1
V1_1 0.0001k C1_2

V1 I = JwC V ( LEY DE OHM EN EL DOMINIO FASORIAL )


-10/10V
𝑰 𝟏
V = - j𝒘𝒄 𝑰
C1
60 Hz
2mF
=
𝒋𝒘𝒄
0 V = 𝑿𝒄 𝑰
EL CIRCUITO R-L EL CIRCUITO R-L
ANALISIS EN EL DOMINIO-t
ⅆ𝑖
ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL
V(t) = Ri(t) + L ⅆ𝑡 , ASUMIENDO i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ⅆ𝑖 ⅆ𝑰
ⅆ V(t) = R i (t) + L ⅆ𝑡 ↔ V = R I + L ⅆ𝒕
V(t) = R𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 + L ⅆ𝑡 ( 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡)

V (t) = R𝐼𝑚 sin( 𝑤𝑡) + wL 𝐼𝑚 cos (𝑤𝑡) 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = R 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + L 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
ⅆ𝑡
V (t) = 𝑉𝑚 sin (𝑤𝑡 + ∅ ) 𝑗𝜔𝑡
V = R 𝐼𝑚 𝑒 + jwL 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
V(t) = 𝑉𝑚 cos ( ∅) sin( 𝑤𝑡) + 𝑉𝑚 sin(∅) cos (𝑤𝑡)
𝑉𝑚 cos ( ∅) = R𝐼𝑚 , 𝑉𝑚 sin(∅) = wL 𝐼𝑚 V = (R + jwL) 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑤𝐿
𝑉𝑚 = Im 𝑅 2 + (𝑤𝐿)2 , tan (∅) =
𝑅
V = (R + jwL) I
R1 V =𝑍I
V1_1 0.001k L1_2

V1
-10/10V

60 Hz
L1 V
3mH

IMPEDANCIA
0
I
EL CIRCUITO R-C EL CIRCUITO R-C
ANALISIS EN EL DOMINIO-t ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL
1 1 1
V(t) = R i(t) + 𝐶 ‫ 𝑡𝑑 𝑖 ׬‬, ASUMIENDO i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 V(t) = R i(t) + 𝐶 ‫ ↔ 𝑡𝑑 𝑖 ׬‬V = R I + + 𝐶 ‫𝑡𝑑 𝑰 ׬‬
1
V(t) = R𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 + 𝐶 ‫ 𝑚𝐼 ׬‬sin 𝑤𝑡 𝑑𝑡 = R 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 -
𝐼𝑚
cos 𝑤𝑡 i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ I = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑤𝐶 1
V (t) = 𝑉𝑚 sin (𝑤𝑡 − ∅ ) 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝑅𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝐶 ‫𝑡𝑑 𝑡𝜔𝑗 𝑒 𝑚𝐼 ׬‬
𝐼𝑚 𝑗𝜔𝑡
V(t) = 𝑉𝑚 cos ∅ sin 𝑤𝑡 - 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛∅ cos 𝑤𝑡 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 =𝑅𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝑒
𝐼𝑚 𝑗𝑤𝐶
𝑉𝑚 cos ∅ = R 𝐼𝑚 , 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛∅ = 𝑤𝐶 𝐼
V= RI+
1 1 𝑗𝑤𝐶
𝑉𝑚 =Im 𝑅2 + (𝑤𝑐)2 , tan ∅ = 1
V = (R + 𝑗𝑤𝐶) I V = Z. 𝑰
𝑤𝐶𝑅

V
R6
10

V5
-311/311V
C2
0.4mF
60 Hz

IMPEDANCIA

I
LA CORRIENTE ESTA ADELANTADA RESPECTO AL EL VOLTAJE ESTA RETRAZADO RESPECTO A LA
VOLTAJE UN ANGULO CORRIENTE UN ANGULO
EL CIRCUITO R-L-C EL CIRCUITO R-L-C
ANALISIS EN EL DOMINIO-t ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL
ⅆ𝑖 1 ⅆ𝑖 1 ⅆ𝑰 1
V(t) = R i(t) +L ⅆ𝑡 + 𝐶 ‫ 𝑡𝑑 𝑖 ׬‬, ASUMIENDO i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 V(t) = R i(t) +L ⅆ𝑡 + 𝐶
‫𝑖׬‬ 𝑑𝑡 ↔ V = R I +L ⅆ𝑡
+ 𝐶 ‫𝑡𝑑 𝑰 ׬‬

V(t) = R𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 +L ⅆ𝑡 (𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡)+
1
‫𝑚𝐼 ׬‬ sin 𝑤𝑡 𝑑𝑡 i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ I = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝐶
𝐼𝑚 𝑗𝜔𝑡 𝑗𝜔𝑡ⅆ(𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 ) 1 𝑗𝜔𝑡
V(t) = R𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 + wL𝐼𝑚 cos 𝑤𝑡 - cos 𝑤𝑡 𝑉𝑚 𝑒 = 𝑅𝐼𝑚 𝑒 +L + ‫׬‬ 𝐼𝑚 𝑒 𝑑𝑡
𝑤𝐶 ⅆ𝑡 𝐶
1 𝐼𝑚 𝑗𝜔𝑡
V(t) = R𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 + (wL - )𝐼
𝑤𝐶 𝑚
cos 𝑤𝑡 𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 =𝑅𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + jwL𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝑗𝑤𝐶 𝑒
V (t) = 𝑉𝑚 sin (𝑤𝑡 + ∅ ) 1
V = R I + jwLI + 𝑗𝑤𝐶 I
V(t) = 𝑉𝑚 cos ∅ sin 𝑤𝑡 - 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛∅ cos 𝑤𝑡
1 1
𝑉𝑚 cos ∅ = R 𝐼𝑚 , 𝑉𝑚 𝑠𝑖𝑛∅ = (wL - 𝑤𝐶 ) 𝐼𝑚 V = R + j(wL− ) I
𝑤𝐶
1
1 2
(𝑤𝐿 −
𝑤𝐶
) V = Z. 𝑰
𝑉𝑚 =Im 𝑅2 + (𝑤𝐿 − ) , tan ∅ =
𝑤𝑐 𝑅
R1 L1
V1_1 0.001k L1_1 3.1mH L1_2
V
V1
-10/10V

C1 𝑰
60 Hz 2.1mF

IMPEDANCIA
Xl MAYOR QUE Xc Xl ES IGUAL A Xc Xl MENOR QUE Xc
ES RESISTIVA-INDUCTIVA ES RESISTIVA ES RESISTIVA-CAPACITIVA
ADMITANCIA DEL CIRCUITO R-C
ADMITANCIA DEL CIRCUITO R-L
ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL
ANALISIS EN EL DOMINIO-FASORIAL 1 1
ⅆ𝑖 ⅆ𝑰 V(t) = R i(t) + 𝐶 ‫ ↔ 𝑡𝑑 𝑖 ׬‬V = R I + + 𝐶 ‫𝑡𝑑 𝑰 ׬‬
V(t) = R i (t) + L ↔ V =RI+L
ⅆ𝑡

ⅆ𝒕 i(t) = 𝐼𝑚 sin 𝑤𝑡 ↔ I = 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡
𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = R 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + Lⅆ𝑡 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 1
𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 = 𝑅𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝐶 ‫𝑡𝑑 𝑡𝜔𝑗 𝑒 𝑚𝐼 ׬‬
V = R 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + jwL 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝐼𝑚 𝑗𝜔𝑡
𝑉𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 =𝑅𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 + 𝑒
V = (R + jwL) 𝐼𝑚 𝑒 𝑗𝜔𝑡 𝑗𝑤𝐶
𝐼
V = (R + jwL) I V= RI+ 𝑗𝑤𝐶
V =𝑍I 1
V = (R + 𝑗𝑤𝐶) I
𝑰
Y = = (𝑹+ 𝟏𝑱𝑾𝑳) = 𝑹
(𝑹𝟐 + 𝑾𝟐 𝑳𝟐 )
𝑾𝑳
- J (𝑹𝟐 +𝑾𝟐 𝑳𝟐 )
V = Z. 𝑰 I
𝑽 𝑰
𝑰 Y= = 𝟏𝟏
Y = = G + JB V 𝑽 (𝑹+ 𝑱𝑾𝑪)
𝑽 V

CONDUCTANCIA
I

ADMITANCIA
SUSCEPTANCIA

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