Proyecto Fin de Carrera

Ingeniería Industrial

Almacenamiento de energía en bordes de grano en

grafeno

Autor:

Javier Ramos Peña

Tutor:

Pilar Ariza Moreno

Catedrática de Universidad

Departamento de Mecánica de Medios Continuos y Teoría de Estructuras

Escuela Técnica Superior de Ingeniería

Universidad de Sevilla
Sevilla, 2016

III
 Resumen
En este trabajo hemos hecho un breve repaso de las características del grafeno, es decir, su
estructura, propiedades, defectos y como éstos, en concreto los bordes de grano, afectan a las
anteriores.

Utilizando la Dinámica Molecular y el potencial AIREBO a través de la herramienta LAMMPS

hemos analizado bordes de grano antisimétrico tanto energética como topológicamente, buscando
llegar al resultado de mínima energía y que, topológicamente, concordase con resultados previos.
Para ello hemos ido variando la estructura de la lámina de grafeno en el borde de grano hasta
llegar a las configuraciones deseadas.

Finalmente hemos expuesto los resultados a los que hemos llegado.

XI
Índice
Resumen....................................................................................................................................... XI
Índice .......................................................................................................................................... XIII
Índice de Figuras ......................................................................................................................... XV
Índice de Tablas .......................................................................................................................... xvii
1. Introducción .......................................................................................................................... 1
1.1 Historia .......................................................................................................................... 1
1.2 Sintetización del grafeno ............................................................................................... 4
1.3 Propiedades del grafeno ............................................................................................... 5
1.4 Aplicaciones del grafeno ............................................................................................... 5
1.5 Estudio de defectos del grafeno ................................................................................... 6
2. Potenciales empíricos ........................................................................................................... 7
2.1 Introducción ........................................................................................................................ 7
2.2 Potencial AIREBO................................................................................................................. 9
3. Conjunto diferencial discreto del Grafeno .......................................................................... 17
4. Simulación computacional. MD. ......................................................................................... 21
4.1 Introducción ...................................................................................................................... 21
4.2 Dinámica molecular........................................................................................................... 22
4.3 Ecuaciones fundamentales................................................................................................ 22
4.4 Etapas de una simulación .................................................................................................. 23
4.5 Elección del potencial........................................................................................................ 24
4.6 Integración de las ecuaciones de movimiento .................................................................. 25
4.7 Cómo trabaja un programa de Dinámica Molecular ......................................................... 25
4.8 LAAMPS ............................................................................................................................. 25
4.8.1 Modelo de entrada..................................................................................................... 26
4.8.2 Información de salida ................................................................................................. 27
5. Bordes de grano .................................................................................................................. 29
5.1 Introducción ...................................................................................................................... 29
5.2 Modelo del borde de grano .............................................................................................. 29
5.3 Estructura del borde de grano .......................................................................................... 31
5.4 Características de los bordes de grano ....................................................................... 31
5.4.1 Energía de formación ................................................................................................. 31
5.4.2 Propiedades mecánicas .............................................................................................. 32
5.4.3 Propiedades electrónicas ........................................................................................... 32

XIII
6. Resultados ........................................................................................................................... 35
6.1 Configuraciones ................................................................................................................. 35
6.1.1 Configuración del borde de grano 30°|0º, a .............................................................. 35
6.1.2 Configuración del borde del grano 30°|0º,b ............................................................... 37
6.1.3 Configuración del borde de grano 4.715°|30º i1 ....................................................... 39
6.1.4 Configuración del borde de grano 4.715°|30º i2 ....................................................... 41
6.1.5 Configuración del borde de grano 6.58°|30° ............................................................. 43
6.1.6 Configuración del borde de grano 16.1°|0° ............................................................... 45
6.1.7 configuración del borde de grano 8.21°|30° ............................................................. 47
6.1.8 Configuración del borde de grano 17.2°|0° ............................................................... 49
7. Conclusiones y trabajos futuros .......................................................................................... 53
7.1 Conclusiones...................................................................................................................... 53
Referencias .............................................................................................................................. 55

XIV
Índice de Figuras
Figura 1: Estructura atómica del carbono.

Figura 2: Hibridación sp3.

Figura 3: Hibridación sp2.

Figura 4: Hibridación sp.

Figura 5: Orbitales hibridación sp2.

Figura 6: Estructura hexagonal del grafeno.

Figura 7: Grafeno visto con un microscopio de fuerza atómica.

Figura 8: Factor de peso w(rij).

Figura 9: Representación de las funciones de atracción Va y repulsión Vr del potencial

REBO.

Figura 10: Convenio de ángulos adoptados.

Figura 11: Índices para el término de torsión.

Figura 12: Celdas-0 (átomos), celdas-1(enlaces), celdas-3(celda hexagonal).

Figura 13: Representación del complejo celda hasta vecinos segundos.

Figura 14: Esquemas para la construcción de los operadores diferenciales discretos Q1 y

Q2.

Figura 15: Elementos centrales de simulación computacional.

Figura 16: Modelo del borde de grano.

Figura 17: Definición de ambas nomenclaturas.

Figura 18: Dirección y dirección armchair.

Figura 19: Ángulo de flexión.

Figura 20: Vista frontal del borde de grano 30°|0º.

Figura 21: Vista tridimensional de 30°|0º, a.

Figura 22: Gráfica energía tiempo del borde de grano 30°|0º, a.

Figura 23: Vista frontal del borde de grano 30°|0º, b.

Figura 24: Vista tridimensional del borde de grano 30°|0º, b.

Figura 25: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 30°|0º, b.

Figura 26: Vista frontal del borde de grano 4.715°|30º i1.

Figura 27: Vista tridimensional del borde de grano 4.715°|30º i1.

Figura 28: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 4.715°|30º i1.

XV
Figura 29: Vista frontal del borde de grano 4.715°|30º i2.

Figura 30: Vista tridimensional del borde de grano 4.715°|30º i2.

Figura 31: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 4.715°|30º i2.

Figura 32: Vista frontal del borde de grano 6.58°|30º.

Figura 33: Vista frontal del borde de grano 6.58°|30º.

Figura 34: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 6.58°|30º.

Figura 35: Vista frontal del borde de grano 16.1°|0º.

Figura 36: Vista tridimensional del borde de grano 16.1°|0º.

Figura 37: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 16.1°|0º.

Figura 38: Vista frontal del borde de grano 8.21°|30.

Figura 39: Vista tridimensional del borde de grano 8.21°|30º.

Figura 40: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 8.21°|30º.

Figura 41: Vista frontal del borde de grano 17.2°|0º.

Figura 42: Vista tridimensional del borde de grano 17.2°|0º.

XVI
Índice de Tablas
Tabla 1: Parámetros AIREBO para los términos de atracción, repulsión, LJ y torsión.

Tabla 2: Parámetros de corte. Enlaces CC.

Tabla 3: Valores de gc.

Tabla 4: Parámetros de ELJ y Etors. Enlaces CC.

Tabla 5: Características del borde de grano 30°|0º, a.

Tabla 6: Características del borde de grano 30°|0º, b.

Tabla 7: Características del borde de grano 4.715°|30º i1.

Tabla 8: Características del borde de grano 4.715°|30º i2.

Tabla 9: Características del borde de grano 6.58°|30º.

Tabla 10: Características del borde de grano 16.1°|0º.

Tabla 11: Características del borde de grano 8.21°|30.

Tabla 12: Características del borde de grano 17.2°|0º.

xvii
xviii
 1. Introducción

Aquél que dijo "más vale tener suerte que talento", conocía la
esencia de la vida. La gente tiene miedo a reconocer que gran
parte de la vida depende de la suerte, asusta pensar cuántas cosas
escapan a nuestro control.

-Woody Allen

-
W
1.1 Historia o
o
El carbono es uno de los elementos químicos más importantes en la naturaleza. Se encuentra
d en
todos los seres vivos y, según se distribuyan sus átomos, puede formar sustancias con distintas
y
características. En su núcleo posee 6 protones y 6 neutrones, y está rodeado por 6 electrones
a
distribuidos en dos niveles, 1s22s22p2. l
l
e
n

Figura 1: Estructura del átomo carbono.

La estructura electrónica que posee permite que forme enlaces de distinto tipo y que sea
capaz de formar compuestos diversos mediante el proceso de hibridación entre orbitales atómicos.
En este proceso se forman orbitales híbridos equivalentes, mediante la mezcla de orbitales puros
en estado excitado, con orientaciones determinadas en el espacio. En la hibridación se acomodan
los 4 electrones del segundo nivel en un orbital híbrido llamado sp. Dependiendo del número de
orbitales que se combinen, los orbitales atómicos forman tres tipos de hibridación:

Hibridación sp3

Si se combina un orbital atómico s puro con tres orbitales p, se obtienen cuatro orbitales
híbridos sp3 con un ángulo máximo de separación de 109.5º. En este estado activado un electrón
del orbital 2s pasa al orbital pz que se encuentra vacío, así la capa de valencia tendrá cuatro
electrones desapareados y tras la formación de los orbitales híbridos atómicos, cuentan con un
electrón cada uno para formar enlaces covalentes.

1
 Figura 2: Hibridación sp3.

Hibridación sp2

En la hibridación sp2 interaccionan un orbital s puro con 2 orbitales p (px y py) para
formar tres orbitales híbridos atómicos con un electrón cada uno con un ángulo máximo de
repulsión de 120° y permanece un orbital atómico p puro sin hibridar con un electrón.

Figura 3: Hibridación sp2.

Hibridación sp

Es la mezcla de un orbital atómico s con un orbital p puro (px) para formar dos orbitales
híbridos sp con un electrón cada uno y una máxima repulsión entre ellos de 180° y permanecen
dos orbitales p puros con un electrón cada uno sin hibridar.

Figura 4: Hibridación sp.

El carbono posee cinco formas alótropicas. Se denominan alótropos a las moléculas

formadas por un solo elemento y que poseen distinta estructura molecular. Esto son el grafito,
diamante, fullerenos, nanotubos y carbinos.

El grafito es uno de los alótropos más comunes del carbono. Tiene

exactamente los mismos átomos del diamante, pero por estar dispuestos en
diferente forma, tienen distintas propiedades físicas y químicas.

A muy altas presiones, el carbono adopta la forma del diamante, en el

cual cada átomo está unido a otros cuatro átomos de carbono, encontrándose los
4 electrones en orbitales sp³.

Los fullerenos tienen una estructura similar al grafito, pero el

empaquetamiento hexagonal se combina con pentágonos, lo que curva los planos
y permite la aparición de estructuras de forma esférica, elipsoidal o cilíndrica. El
constituido por 60 átomos de carbono, que presenta una estructura tridimensional
y geometría similar a un balón de fútbol, es especialmente estable.

A esta familia pertenecen también los nanotubos de carbono, que pueden

describirse como capas de grafito enrolladas de forma cilíndrica y rematada en sus
extremos por semiesferas.

El carbino es más fuerte y más rígido que cualquier otro material conocido. De hecho,
es aproximadamente 2 veces más fuerte que el grafeno y nanotubos de carbono, que hasta ahora

2
eran los materiales más fuertes. El carbino tiene una larga lista de propiedades inusuales y muy
deseables que lo convierten en un material interesante para una amplia gama de aplicaciones.

El grafeno, material bidimensional, no se encuentra como tal en la naturaleza, pero

constituye cada una de las capas que forman el grafito. Podría describirse como el elemento
generador del grafito, uniendo planos de grafeno uno encima del otro mediante fuerzas de Van
der Waals. En el grafeno, el orbital 2s hibrida con el 2px y el 2py para formar tres orbitales sp2
con un electrón en cada orbital híbrido y un electrón queda en el orbital pz. Los tres orbitales sp2
están orientados espacialmente en el mismo plano, formando entre ellos un ángulo de 120°. El
orbital pz restante está orientado perpendicularmente a este plano. El electrón del orbital hibrido
interactúa con los átomos equivalentes de los átomos de carbono vecinos para formas tres enlaces
σ, que son los enlaces covalentes más fuertes. Estos enlaces mantienen los electrones en el plano
del grafeno y son los responsable de las inusuales propiedades mecánicas. De forma similar los
dos electrones pz interactúan con los electrones equivalentes de los átomos de carbono vecino
para formar los enlaces π, los cuales son débiles. Éstos son los responsables de las propiedades
electrónicas y de transporte.

Figura 5: Orbitales hibridación sp2.

El enlace químico del grafeno y su estructura fue descrita en 1930 y la estructura de

bandas electrónicas fue calculada por primera vez en 1949 por Wallace. Durante muchos años se
consideró que era imposible obtenerlo de forma aislada pues se creía que como película
monoatómica sería termodinámicamente inestable. En 2004 dos investigadores de la Universidad
de Manchester, André Geim y Konstantin Novoselov, demostraron que era posible aislar capas
de grafeno de espesor atómico a partir de aproximaciones poco convencionales, como las que
abordaban estos científicos en lo que mismo llaman “los experimentos de los viernes por la tarde”.
Partieron de un trozo de grafito al que fueron quitándole capas por exfoliación con una cinta
adhesiva. Al trozo que quedaba adherido a la cinta lo sometían a de nuevo al mismo procedimiento
de forma que cada vez “adelgazaba” más. Finalmente, transfirieron los restos adheridos a un
soporte de microscopía y comprobaron que tenían zonas en las que había una película de espesor
monoatómico. Así pues, se demostró que era posible obtener capas aisladas de grafeno y Geim y
Novoselov recibieron por ello, y por demostrar que este material tiene unas propiedades
inesperadas, el premio Nobel de Física en el año 2010.

Antes, Auguste Bravais propuso en 1850 que algunos solidos poseen estructura cristalina,
es decir, átomos distribuidos de forma periódica. Además, esta estructura cristalina se puede
representar como una celda unidad que se repite a lo largo de todas las direcciones. En el grafeno
los átomos de carbono están distribuidos en celdas hexagonales de dos dimensiones y la celda
unidad consiste en dos tipos de átomos con una distancia interatómica entre átomos del mismo
tipo de 1.39 Å. Cada tipo de átomo se repite en dos direcciones, que son
a1 = (3a/2,−√3a/2, 0) Å y a2 = (3a/2,√3a/2, 0) Å.

3
 Figura 6: Estructura hexagonal del grafeno.

1.2 Sintetización del grafeno

Es evidente que el método de exfoliación que utilizaron Geim y Novoselov para producir las
primeras muestras de grafeno no es un método adecuado, pues se consigue grafeno de muy alta
calidad pero la cantidad producida es mínima y resulta insuficiente para su uso industrial. El reto
actual consiste en ser capaces de fabricar grandes cantidades de grafeno así como láminas de
grafeno de grandes dimensiones. Por ello se han desarrollado toda una serie de métodos
alternativos para producir grafeno y materiales de características similares, denominados
materiales de tipo grafeno o grafénicos.

El término grafeno, por definición, es aplicable a la lámina monoatómica carente de

defectos, sin embargo, coexisten con él otra serie de materiales denominados grafénicos, que se
aproximan en mayor o menor medida a esta definición, bien por estar constituidos por un número
pequeño de capas o por presentar defectos en su estructura o su composición. Dentro de los
defectos estructurales se pueden incluir vacantes atómicas o anillos de cinco o siete átomos de
carbono, mientras que los defectos de composición indican la presencia de grupos funcionales
(elementos diferentes del carbono). Esto hace que se puedan obtener una familia de materiales
aún más versátiles, puesto que los materiales grafénicos pueden presentar ciertas ventajas sobre
el grafeno para aplicaciones relacionadas con el almacenamiento de energía o la biomedicina
entre otros. Por este motivo, a la hora de seleccionar el método más adecuado para la obtención
de grafeno o materiales grafénicos es necesario considerar la aplicación para la cual se quiere
sintetizar.

El primer proceso de obtención que se ha usado es mediante la exfoliación de grafito

sobre una base. Una alternativa es la exfoliación de grafito en medio líquido, generalmente con
un paso intermedio de oxidación. En este método se introduce el grafito en un medio líquido y se
oxida químicamente. En el grafito oxidado la presencia de grupos funcionales hace aumentar la
distancia entra las láminas que lo constituyen, de forma que es más sencillo separarlas, lo que se
lleva a cabo mediante tratamientos con ultrasonidos. De esta forma se obtienen láminas de óxido
de grafeno, material grafénico con potenciales aplicaciones por sí mismo. Si este material se
somete a un proceso de reducción se obtienen láminas de grafeno, aunque generalmente presentan
diversas impurezas y defectos.

Debemos diferenciar qué extractos son de un átomo de espesor y cuáles de tan sólo unos
pocos átomos. Sabemos que el grafeno monoatómico es visible mediante microscopía óptica si
es depositado en un sustrato de SiO2 de un espesor muy concreto, aunque ligeras desviaciones de
este espesor harán invisible el grafeno.

4
 Figura 7: Grafeno visto con un microscopio de fuerza atómica.

1.3 Propiedades del grafeno

La estructura bidimensional del grafeno es la causante de sus inusuales y excelentes propiedades
tanto mecánicas como eléctricas y su alta rigidez y resistencia mecánica, siendo el material más
resistente medido hasta la fecha.

Enumeraremos brevemente algunas de sus propiedades a continuación. La tensión de

rotura del grafeno es 42 N/m2 y su módulo de Young de 42 TPa (Lee et al., 2008).Tiene una alta
conductividad térmica, mayor de 4000 W/mK (Balandin et al., 2008), baja resistividad ≈ 30 Ω−1
(Bae et al., 2010a)y alta conductividad electrónica > 15000 cm2/Vs (Geim & Novoselov, 2007).

1.4 Aplicaciones del grafeno

Las expectativas generadas por el grafeno son muy amplias y se propone su utilización para
aplicaciones muy variadas.

Hoy en día el grafeno está siendo utilizado para el desarrollo de pantallas táctiles flexibles
de grandes dimensiones y es un buen candidato para sustituir o complementar al silicio en los
futuros dispositivos electrónicos, dado que presenta una elevada movilidad electrónica y baja
resistencia eléctrica.

El desarrollo de sensores químicos de grafeno es otra de las aplicaciones que más

rápidamente se está desarrollando, gracias a sus buenas propiedades como una respuesta sensorial
alta y mejor sensibilidad. En este campo, la NASA ya está desarrollando sensores de grafeno de
bajo consumo para medir oxígeno atómico en la parte superior de la atmósfera. Y desde luego
uno de los campos con mayor potencial es el que abarca las aplicaciones relacionadas con la salud,
tanto en aplicaciones de transporte y liberación controlada de fármacos, agentes de contraste o
genes, para la detección de moléculas biológicas entre las que cabe destacar la glucosa o el
colesterol o en ingeniería de regeneración de tejidos. Cabe también destacar que los ensayos
realizados no muestran toxicidad de los materiales grafénicos y que estos materiales son
biocompatibles.

5
 1.5 Estudio de defectos del grafeno
Debemos tener en cuenta que las propiedades del grafeno están sujetas a sufrir modificaciones
cuando existen defectos topológicos en su red cristalina, provocados por imperfecciones en el
proceso de obtención del material y agravados con efectos térmicos por lo que parece fundamental
el estudio del material frente a dichos defectos.

En la ciencia de materiales es imprescindible entender la existencia, comportamiento y

evolución de los defectos que están presentes en la estructura, asociados al proceso de crecimiento
o al posterior proceso de manufactura.

La presencia de defectos suele tener influencia notable en las propiedades electrónicas,

ópticas, térmicas, mecánicas y magnéticas del material. El defecto altera la propiedad, y esto
puede ser considerado como un deterioro del material (Han et al., 2014; Xiao et al., 2010; Grantab
et al., 2010). Sin embargo, los defectos también abren un nuevo campo de propiedades, como por
ejemplo la apertura de huecos en la banda electrónica (Yazyev & Louie, 2010a). Así pues se abre
un nuevo camino de aplicaciones del grafeno con defectos en su estructura que no posee el grafeno
con estructura perfecta. Por lo tanto es evidente que existe una relación directa y clara entre las
propiedades del grafeno y los defectos en su estructura cristalina.

Así pues, el conocimiento y control de los defectos es indispensable para el diseño y

fabricación de dispositivos basados en grafeno.

6
 2. Potenciales empíricos
Desde este lejano punto de vista, la Tierra puede no parecer muy
interesante. Pero para nosotros es diferente. Considera de nuevo
ese punto. Eso es aquí. Eso es nuestra casa. Eso somos nosotros.
Todas las personas que has amado, conocido, de las que alguna
vez oíste hablar, todos los seres humanos que han existido, han
vivido en él.
-Carl Sagan

2.1 Introducción
El conocimiento de la energía total de un sistema molecular o atómico es fundamental para
abordar problemas de crecimiento de grano o la predicción de propiedades macromecánicas y
térmicas en ciencia de los materiales. En general, el conocimiento de la energía del sistema es
esencial para abordar cualquier problema de Dinámica Molecular.

La primera solución de este problema la obtenemos de la mecánica cuántica, sin embargo

las soluciones derivadas de ésta son costosas computacionalmente hablando, poco prácticas y
numéricamente inestables.

La solución propuesta en los últimos años partía de la dinámica clásica. Si consideramos

el sistema de estudio como aislado, donde el número de partículas constituyentes permanece
constante y la energía total no varía, el sistema es conservativo. Esta es la solución adoptada en
este proyecto.

Un resultado clásico de los sistemas conservativos es que las fuerzas actuantes sobre una
partícula pueden obtenerse de un potencial. Así pues, el conocimiento de la energía potencial pasa
por la construcción de un potencial interatómico que dependa sólo de las coordenadas de los
átomos que forman el sistema. De esta forma se puede decir que el potencial interatómico no
depende ni de la velocidad de los núcleos ni de la posición de los electrones.

𝐸 = 𝐸0 + ∑ 𝐸1(𝑟𝑖) + ∑ 𝐸2(𝑟𝑖, 𝑟𝑗) + ∑ 𝐸3(𝑟𝑖, 𝑟𝑗, 𝑟𝑘) + . . . ( 1)

𝑖 𝑖<𝑗 𝑖<𝑗<𝑘

Tenemos que rn es el vector posición de cada partícula y Em es el potencial m-cuerpos,

es decir, el término de la expansión que retiene contribuciones a la energía debido a la interacción
entre m partículas.

El primer término, E0, es una constante e introduce un valor del potencial de referencia.
Normalmente, el potencial se expresa en función de las posiciones relativas y no absolutas, por
lo que este término se cancela. Así mismo, el segundo término, E1, depende únicamente de la
posición de una partícula, por lo que está asociado a un potencial exterior. También podríamos
prescindir de este término si dicho campo no existiese.

A partir de E2 se observan interacciones entre dos partículas, asociadas, generalmente, a

la unión entre dos átomos vecinos y dependiente de la distancia entre ellos. Podría asociarse a
fuerzas de atracción y repulsión similares a las del campo eléctrico.

La energía E3 es del tipo 3-cuerpos y tiene en cuenta el ángulo existente entre enlaces.

7
 Ha existido gran interés por desarrollar potenciales de este tipo suficientemente óptimos
como para representar el estado energético de un sistema, siendo los potenciales de partículas los
más simples y los que se han usado primero con éxito, como por ejemplo en el estudio de gases
enrarecidos. Sin embargo, este tipo de potenciales no parece acertado para describir enlaces más
complejos y de mayor intensidad. Esto ha sido el motivo de investigación por varios autores.

Los materiales con base de carbono en general, y el grafeno en particular, se han estudiado
utilizando cálculos basados en primeros principios y una gran variedad de potenciales
interatómicos. Los potenciales más sencillos son lineales y se definen en términos de constantes
de fuerza.

Los potenciales interatómicos dependientes del orden de los enlaces más generales
incluyen el potencial REBO (Reactive Empirical Bond-Order) (Brenner, 1990) desarrollado para
hidrocarburos. Posteriormente fue modificado teniendo en cuenta los efectos de torsión,
dispersión y repulsión entre átomos más allá de los primeros vecinos, dando lugar a un nuevo
potencial denominado AIREBO (Adaptive Intermolecular Reactive Empirical Bond-Order)
(Stuart et al., 2000).

El modelo AIREBO es un modelo de interacción intermolecular que surge con el objetivo

de mejorar las prestaciones del modelo REBO, el cual posee inconvenientes fundamentales a la
hora de llevar a cabo problemas de dinámica molecular de muchos hidrocarburos y materiales en
general. Dichos problemas son los siguientes:

-Sólo es efectivo para describir fenómenos intramoleculares, por lo que no es adecuado

para estudiar cualquier hidrocarburo. En particular, la aportación de los efectos intermoleculares
es de gran importancia en la descripción de algunos materiales, como hidrocarburos líquidos,
polímeros o materiales de capa fina como el grafito, el grafeno y fullerenos. Dichos fenómenos
son de largo alcance y como ejemplo de fuerzas físicas que contribuyen a la aparición de este
término podemos citar las interacciones de Van der Waals, existentes en muchos hidrocarburos
que, aun siendo de un orden menor que las de corto alcance, pueden llegar a ser importantes.

-El potencial REBO incluye un radio de corte de 2Å, por lo que este potencial sólo tiene
en cuenta interacciones de corta distancia y, por lo tanto, no con átomos más allá de primeros
vecinos.

-El potencial REBO no incluye ningún término que tenga en cuenta la torsión de los
enlaces covalentes, cuya contribución es importante para muchos hidrocarburos y para el grafeno
en particular.

Por lo tanto, como hemos descrito, el potencial AIREBO (Stuart et al, 2000) nace para
paliar los errores del modelo anterior y llegar a un resultado más preciso. Debido a esto, el modelo
AIREBO es el potencial usado en este trabajo.

8
 2.2 Potencial AIREBO
En este apartado describiremos el potencial AIREBO. Éste se puede describir como la suma de
las correspondientes a cada término REBO, Lennar-Jonnes y torsión

𝐸 𝐴𝐼𝑅𝐸𝐵𝑂 = 𝐸 𝑅𝐸𝐵𝑂 + 𝐸𝐿𝐽 + 𝐸 𝑡𝑜𝑟𝑠 ( 2)

o en su forma indicial

1
𝐸 𝐴𝐼𝑅𝐸𝐵𝑂 = ∑ ∑ [𝐸𝑖𝑗𝑅𝐸𝐵𝑂 + 𝐸𝑖𝑗𝐿𝐽 ∑ ∑ 𝐸𝑘𝑖𝑗𝑙
𝑡𝑜𝑟𝑠
].
2 ( 3)
𝑖 𝑖≠𝑗 𝑘≠𝑖,𝑗 𝑙≠𝑖,𝑗,𝑘

El primero paso en la definición del modelo AIREBO es la descripción del primer

potencial del sumatorio: el potencial REBO. Como comentamos anteriormente, se trata de
interacciones de corto alcance, puesto que dos átomos i y j sólo interactuarán si la distancia rij
entre los mismos es menor que un radio de corte fijado en rijmax de 2Å, como dijimos
anteriormente.

𝐸𝑖𝑗𝑅𝐸𝐵𝑂 = 𝑉𝑖𝑗𝑅 (𝑟𝑖𝑗 ) + 𝑏𝑖𝑗 𝑉𝑖𝑗𝐴 (𝑟𝑖𝑗 ) ( 4)

VijR y VijA son términos asociados a efectos de repulsión y atracción respectivamente. El

término repulsivo tiene la siguiente forma

𝑄𝑖𝑗 ( 5)
𝑉𝑖𝑗𝑅 = 𝑤𝑖𝑗 (𝑟𝑖𝑗 ) [1 + ] 𝐴 𝑒 −𝛼𝑖𝑗𝑟𝑖𝑗
𝑟𝑖𝑗 𝑖𝑗

donde los parámetros Qij, Aij, αij son constantes que dependen de la pareja de átomos ij que se
considere (Tabla 1). Vemos como la repulsión tiende a infinito cuando la separación entre átomos
tiene a 0.

El término de atracción VijA , viene dado por la siguiente expresión

3 ( 6)
(𝑛)
(𝑛)
𝑉𝑖𝑗𝐴 = −𝑤𝑖𝑗 ∑ 𝐵𝑖𝑗 𝑒 −𝛽𝑖𝑗 𝑟𝑖𝑗
,
𝑛=1

donde Bij(n) y βij(n) son datos conocidos y dependientes del par de átomos en cuestión (Tabla 1).
Para limitar estas interacciones sólo a los primeros vecinos se usa el factor de peso wij(rij) el cual
depende de la distancia atómica, dicho peso toma la forma

𝑤𝑖𝑗 (𝑟𝑖𝑗 ) = 𝑆 ′ (𝑡𝑐 (𝑟𝑖𝑗 )) , ( 7)

9
 Tabla 1: Parámetros AIREBO para los términos de atracción, repulsión, LJ y torsión.

Parámetro CC

𝑄𝑖𝑗 (Å) 0.313460

𝛼𝑖𝑗 (Å−1 ) 4.7465391

𝐴𝑖𝑗 (eV) 10953.544

(1)
𝐵𝑖𝑗 (eV) 12388.792

(2)
𝐵𝑖𝑗 (eV) 17.567065

(3)
𝐵𝑖𝑗 (eV) 30.714932

(1)
𝐵𝑖𝑗 (Å−1 ) 4.7204523

(2)
𝐵𝑖𝑗 (Å−1 ) 1.4332132

(3)
𝐵𝑖𝑗 (Å−1 ) 1.3826913

ɛ𝑖𝑗 (𝑒𝑉) 0.00284

(2)
𝜎𝑖𝑗 (Å) 3.40

ɛ𝑖𝑐𝑐𝑗 (eV) 0.3079

donde S’(t) se expresa como

1 ( 8)
𝑆 ′ (𝑡) = Θ(−𝑡) + Θ(𝑡)Θ(1 − 𝑡)[1 − cos 𝜋𝑡]
2
y tc(rij) es función de la distancia máxima y mínima entre átomos.
𝑚í𝑛
𝑟𝑖𝑗− 𝑟𝑖𝑗 ( 9)
𝑡𝑐 (𝑟𝑖𝑗 ) = 𝑚á𝑥 𝑚𝑖𝑛
𝑟𝑖𝑗 −𝑟𝑖𝑗

Así, se anulan los efectos de interacción entre parejas de átomos cuando la distancia entre
ellos no se encuentra en el rango 1,6≤ rij ≤ 2. La figura 8 es una representación de esta función.

10
 Tabla 2: Parámetros de corte. Enlaces CC.

Parámetro Mín Máx

𝑟𝑐𝑐 (Å) 1.7 2

𝑁𝑐 3.2 3.7

N 2 3

s 0.1 0.1
′
𝑟𝑐𝑐 (Å) 1.7 2
𝐿𝐽
𝑟𝑐𝑐 (Å) 𝜎𝑐𝑐 21/6 𝜎𝑐𝑐

𝑏𝑐𝑐 0.77 0.81

Figura 8: Factor de peso w(rij).

Figura 9: Representación de las funciones de atracción Va y

repulsión Vr del potencial REBO.

11
 El término bij se trata de un término multicuerpo llamado orden del enlace y trata de
introducir la dependencia de los vecinos de i y j al propio enalce ij. Depende fundamentalmente
de la posición de los vecino de i y j, en concreto del ángulo que forman con el enlace ij, y es una
función monótonamente decreciente con el número de coordinación de la forma b ∝ N-1/2.
1 𝜎𝜋 𝜎𝜋 𝑟𝑐 𝑑ℎ ( 10)
𝑏𝑖𝑗 = [𝑝𝑖𝑗 + 𝑝𝑖𝑗 ] + 𝜋𝑖𝑗 + 𝜋𝑖𝑗
2
Los más importante de la contribución de bij es el efecto de los términos pijσπ y pjiσπ,
ecuación 10, pues introducen en el modelo la interacción entre enlaces covalentes. Así, p ijσπ
representa el efecto que introducen los vecinos de i al enlace ij, mientras que p jiσπ incluye los
efectos de los vecinos de j sobre el enlace. Así pues, los términos p ji no tienen por qué ser
simétricos.

𝜎𝜋 1 ( 11)
𝑝𝑖𝑗 =
𝜆
√1 + ∑𝑘≠𝑖,𝑗 𝑤𝑘 (𝑟𝑘 )𝑔𝑖 (cos 𝜃𝑗𝑖𝑘 ) 𝑒𝑗𝑖𝑘 + 𝑃𝑖𝑗 (𝑁𝑖𝑗𝐶 , 𝑁𝑖𝑗𝐻 )

𝜎𝜋 1 ( 12)
𝑝𝑗𝑖 =
𝜆
√1 + ∑𝑙≠𝑖,𝑗 𝑤𝑙 (𝑟𝑙 )𝑔𝑖 (cos 𝜃𝑖𝑗𝑙 ) 𝑒𝑖𝑗𝑙 + 𝑃𝑖𝑗 (𝑁𝑖𝑗𝐶 , 𝑁𝑖𝑗𝐻 )

El término gi es una función de penalización para enlaces muy próximos entre sí. La
función es un spline de quinto orden el cual toma la siguiente forma para el caso que acontece, el
carbono (i = C)
(1) (2) (1) ( 13)
𝑔𝑐 (cos 𝜃𝑗𝑖𝑘 ) = 𝑔𝑐 (cos 𝜃𝑗𝑖𝑘 ) + 𝑆 ′ (𝑡𝑁 (𝑁𝑖𝑗 )) [𝑔𝑐 (cos 𝜃𝑗𝑖𝑘 ) − 𝑔𝑐 (cos 𝜃𝑗𝑖𝑘 )] ,

siendo cosθjik y cosθijl el ángulo formado por los radiovectores (ri,rk) y (ri,rl) respectivamente.
𝑟𝑖 , 𝑟𝑘 ( 14
cos 𝜃𝑗𝑖𝑘 =
𝑟𝑖 𝑟𝑘
𝑟𝑖 , 𝑟𝑙 ( 15)
cos 𝜃𝑖𝑗𝑙 =
𝑟𝑖 𝑟𝑙

De aquí en adelante usaremos las siguientes notaciones para abreviar

cos 𝜃𝑘𝛽 = cos 𝜃𝑗𝑖𝑘𝛽 ( 16

cos 𝜃𝑙𝛽 = cos 𝜃𝑖𝑗𝑙𝛽 ( 17)

𝑔𝑐𝛼𝛽 = 𝑔𝑐 (cos 𝜃𝛼𝛽 ) ( 18)

donde α = k, l y β = 1, 2.

12
 Figura 10: Convenio de ángulos adoptados.

En cuanto al factor de escalado t-N (Nij)

𝑁𝑖𝑗 − 𝑁𝑖𝑗𝑚í𝑛 ( 19)

𝑡𝑁 (𝑁𝑖𝑗 ) = ,
𝑁𝑖𝑗𝑚á𝑥 − 𝑁𝑖𝑗𝑚í𝑛

siendo Nij el número de coordinación local, cuyo valor es la suma de los números de coordinación
particulares de Carbono, es decir, el número de átomos de Carbono enlazados con i en el contexto
de la unión ij, donde ξ= C.

𝑁𝑖𝑗 = 𝑁𝑖𝑗𝐶 ( 20)

𝜉
( 21)
𝑁𝑖𝑗 = (∑ 𝛿𝑘𝜉 𝑤𝑘 (𝑟𝑘 )) − 𝛿𝑗𝜉 𝑤𝑖 (𝑟𝑖 )
𝑘≠𝑖

2 2
( 22
𝑐𝑜𝑛𝑗 ′ ′
𝑁𝑖𝑗 = 1 + [ ∑ 𝛿𝑘𝐶 𝑤𝑖𝑘 (𝑟𝑖𝑘 )𝑆 (𝑡𝑐𝑜𝑛𝑗 (𝑁𝑘𝑖 ))] + [ ∑ 𝛿𝑙𝐶 𝑤𝑗𝑙 (𝑟𝑗𝑙 )𝑆 (𝑡𝑐𝑜𝑛𝑗 (𝑁𝑖𝑗 ))]
𝑘≠𝑖,𝑗 𝑙≠𝑖,𝑗

𝑐𝑜𝑛𝑗
𝑁𝑖𝑗𝐶 = 2 𝑁𝑖𝑗 =9 ( 23)

Los valores de gc(1) (cosθjik) y gc(2) (cosθjik) y sus derivadas primera y segunda respecto
del ángulo son valores conocidos.

13
 Tabla 3: Valores de gc.

cos 𝜃 𝑔𝑖 𝜕𝑔𝑖 /𝜕 cos 𝜃 𝜕 2 𝑔𝑖 /𝜕(cos 𝜃)2

-1 -0.010000 0.104000 0.000000

-2/3 0.028207 0.131443 0.140229

(1) -1/2 0.052804 0.170000 0.370000
𝑔𝑐
-1/3 0.097321 0.400000 1.98000

1 1.00000 2.83457 10.2647

1 -0.010000 0.104000 0.000000

-2/3 0.028207 0.131443 0.140229

(2) -1/2 0.052804 0.170000 0.370000
𝑔𝑐
-1/3 0.097321 0.400000 1.98000

1 8.00000 20.2436 40.9336

Vamos ahora a definir los términos λjik

𝜆𝑗𝑖𝑘 = 4𝛿𝑖𝐻 [(𝛿𝑘𝐻𝜌𝐻𝐻 + 𝛿𝑘𝐶𝜌𝐶𝐻 − 𝑟𝑖𝑘 ) − (𝛿𝑗𝐻𝜌𝐻𝐻 + 𝛿𝑗𝐶𝜌𝐶𝐻 − 𝑟𝑖𝑗 )] ( 24)

el cual introduce mejoras en el potencial cuando hay presencia de hidrocarburos, es decir nulo en
este caso. Para nuestros cálculos hemos tomado el valor

Pij (Nijc = 2, NijH = 0, Niconj = 9) = -0,27606.

Continuamos definiendo bij, el parámetro πijrc depende de si el enlace ij tiene un carácter

radical y si forma parte de un sistema conjugado. En nuestro caso tomamos πijrc = 0.

Por último, las ecuaciones siguientes se incluyen para describir fuerzas que surgen como
consecuencia del giro de torsión alrededor de enlaces C-C dobles.

𝑑ℎ
𝜋𝑖𝑗
𝑐𝑜𝑛𝑗
= 𝑇𝑖𝑗 (𝑁𝑖𝑗 , 𝑁𝑗𝑖 , 𝑁𝑖𝑗 ′
)x ∑ ∑ (1 − cos 2 𝑤𝑘𝑖𝑗𝑙 ) 𝑤𝑖𝑘 (𝑟𝑖𝑘 ) 𝑤𝑗𝑙′ (𝑟𝑗𝑙 )𝛩(sin 𝜃𝑗𝑖𝑘 ( 25)
𝑘≠𝑖,𝑗 𝑙≠𝑖.𝑗
− 𝑠 𝑚𝑖𝑛 )𝛩(sin 𝜃𝑖𝑗𝑙 − 𝑠 𝑚í𝑛 )

𝑤𝑖𝑗′ (𝑟𝑖𝑗 ) = 𝑆 ′ (𝑡𝑐′ (𝑟𝑖𝑗 )) ( 26)

𝑟𝑖𝑗 − 𝑟𝑖𝑗𝑚𝑖𝑛 ( 27)

𝑡𝑐′ (𝑟𝑖𝑗 ) =
𝑟𝑖𝑗𝑚á𝑥 − 𝑟𝑖𝑗𝑚í𝑛

14
 Tenemos que el ángulo formado por los vectores (rji, rik) y (rij, rjl) se denota como wkijl.
Escrito como producto escalar se tiene
𝑟𝑗𝑖 ˄𝑟𝑖𝑘 𝑟𝑖𝑗 ˄𝑟𝑗𝑙 ( 28)
cos 𝑤𝑘𝑖𝑗𝑙 = . .
𝑟𝑗𝑖 𝑟𝑖𝑘 𝑟𝑖𝑗 𝑟𝑗𝑙

Observamos que la ecuación 25 es un término que incluye interacciones entre cuatro

cuerpos.

Ahora vamos a definir la contribución del potencial que tiene en cuenta interacciones de
largo alcance, el término EijLJ

𝐸𝑖𝑗𝐿𝐽 = 𝑆 (𝑡𝑟 (𝑟𝑖𝑗 )) 𝑆 (𝑡𝑏 (𝑏𝑖𝑗

∗ 𝐿𝐽 𝐿𝐽
)) + [1 − 𝑆 (𝑡𝑟 (𝑟𝑖𝑗 ))] 𝐶𝑖𝑗 (𝑟𝑖𝑗 )𝑉𝑖𝑗 . ( 29)

El término VijLJ es un potencial de Lennar-Jones 6-12

12 6 ( 30)
𝜎𝑖𝑗 𝜎𝑖𝑗
𝑉𝑖𝑗𝐿𝐽 = 4є𝑖𝑗 [( ) −( ) ].
𝑟𝑖𝑗 𝑟𝑖𝑗

Las funciones de corte son

𝑆(𝑡) = Θ(−𝑡) + Θ(𝑡)Θ(1 − 𝑡)[1 − 𝑡 2 (3 − 2𝑡)] ( 31)

𝐿𝐽𝑚í𝑛 ( 32)
𝑟𝑖𝑗 − 𝑟𝑖𝑗
𝑡𝑟 (𝑟𝑖𝑗 ) =
𝑟𝑖𝑗𝐿𝐽𝑚á𝑥 − 𝑟𝑖𝑗𝐿𝐽𝑚í𝑛

𝐿𝐽𝑚í𝑛 ( 33)
𝑏 − 𝑏𝑖𝑗
𝑡𝑏 (𝑏𝑖𝑗 ) = 𝐿𝐽𝑚á𝑥 𝐿𝐽𝑚í𝑛
𝑏𝑖𝑗 − 𝑏𝑖𝑗
∗
𝑏𝑖𝑗 = 𝑏𝑖𝑗 |𝑟𝑚𝑖𝑛 ( 34)
𝑖𝑗

𝑤𝑖𝑗 (𝑟𝑖𝑗 ) ( 35)

𝐶𝑖𝑗 = 1 − 𝑚𝑎𝑥 { 𝑤𝑖𝑘 (𝑟𝑖𝑘 )𝑤𝑘𝑗 (𝑟𝑘𝑗 ) ∀𝑘 }.
𝑤𝑖𝑘 (𝑟𝑖𝑘 )𝑤𝑘𝑗 (𝑟𝑘𝑗 )𝑤𝑙𝑗 (𝑟𝑙𝑗 ) ∀𝑘, 𝑙

Tabla 4: Parámetros de ELJ y Etors. Enlaces CC.

Parámetro Mín Máx

𝐿𝐽
𝑟𝑐𝑐 (Å) 𝜎𝑐𝑐 21/6 𝜎𝑐𝑐

𝑏𝑐𝑐 0.77 0.81

15
 En las ecuaciones 29 y 35 vemos que esta contribución del potencial se anulará cuando ij
estén fuera del radio de acción o estén conectados a través de 3 o menos enlaces (vecinos 1 a 4).

Para finalizar con la explicación del modelo AIREBO, es necesario describir el término
debido a la torsión, el cuál es el nuevo término incluido por Stuart y en el que se engloban cuatro
cuerpos

𝐸𝑖𝑗𝑡𝑜𝑟𝑠 = ∑ ∑ 𝑤𝑖𝑗 (𝑟𝑖𝑗 )𝑤𝑗𝑘 (𝑟𝑗𝑘 )𝑤𝑘𝑙 (𝑟𝑘𝑙 )𝑉𝑖𝑗𝑘𝑙

𝑡𝑜𝑟𝑠 ( 36)
𝑘≠𝑖,𝑗 𝑙≠𝑖,𝑗,𝑘

con

𝑡𝑜𝑟𝑠 256 𝑤𝑖𝑗𝑘𝑙 1 ( 37)

𝑉𝑖𝑗𝑘𝑙 = 𝜀𝑖𝑗𝑘𝑙 [ cos10 ( )− ].
405 2 10

De la ecuación 36 puede deducirse que Eijtors tiene en cuenta las fuerzas de torsión
alrededor de los enlaces jk, donde los vecinos de i son los átomos j, éstos comparten enlace con
los átomos k y a su vez los k con los átomos l. Es necesario tener en cuenta como mínimo átomos
pertenecientes a la cuarta fila de vecinos respecto al átomo i para incluir estas interacciones.

Figura 11: Índices para el término de torsión.

16
 3. Conjunto diferencial discreto del Grafeno

Todo lo que se hace por amor, se hace más allá del bien y del mal.
-Nietzsche

En muchas ocasiones las simulaciones atomísticas son demasiado costosas computacionalmente

hablando, además de que existen problemas de convergencia al incluirse en las ecuaciones el
parámetro tiempo. Por ello en ocasiones es ventajoso, gracias a elementos de la topología
algebraica, el estudio de redes cristalinas y sus defectos usando una teoría de modelo discreto,
como la que vamos a desarrollar a continuación, en este caso en particular para el grafeno.

Aunque no es el método usado en este trabajo, para trabajos futuros, en este capítulo
vamos a presentar una herramienta analítica y computacional para la evaluación de defectos
topológicos en el grafeno, particularmente dislocaciones. Ésta se basa en la teoría de la elasticidad
de una red desarrollada por Ariza & Ortíz (2005, 2010), la teoría de autodeformaciones de Mura
(1987) y la teoría de dinámica de red en su aproximación lineal.

Se puede ver la estructura armónica del grafeno como un conjunto de átomos

interconectados, enlaces atómicos y áreas elementales. Llamamos a este conjunto con el nombre
de Complejo Simplicial (CS). Cuando un objeto como los anteriores (átomos, enlaces, áreas)
pertenece al complejo celda se denominan celdas-p (ep), donde p indica la dimensión del objeto.
Así, los objetos átomos serán elementos e0, los enlaces serán e1 y una celda hexagonal un
elemento e2. Denominaremos Ep al conjunto de celdas p que existen en la red.

Figura 12: Celdas-0 (átomos), celdas-1(enlaces), celdas-3(celda hexagonal).

Sobre cada celda existirán funciones que denomiraemos formas. Así, a la función definida
sobre celdas-0 la denominamos una forma-0, a la definida sobre celdas-1 forma-1 y finalmente a
la definida sobre celdas-2 las llamaremos forma-2.

Otro concepto importante es el del entorno local de ep, es decir, el conjunto de complejos
que interactúan con ep. Partiendo de esta idea, podemos agrupar elementos de una misma
dimensión y tipo, entendiendo que dos elementos ep y ep’ son del mismo tipo cuando los entornos
C(ep) y C(ep’) están relacionados de forma que uno es la traslación del otro.

17
 Como base se usaran las coordenadas enteras de la red de Bravais l = (l1, l2) ∈ Z2, donde
se definirán las direcciones ε1 = (1;0), ε2 = (0;1), ε3 = (-1;1), cumpliéndose que ε3 = ε2 - ε1.

Gracias a la definición de entorno local, se puede observar que el complejo simplicial está
formado por

- dos tipos de átomos E0 = {e0 (l, α), l ∈ Z2 , α = 1, 2}

- tres tipos de enlaces E1 = {e1 (l, α), l ∈ Z2 , α = 1, 2, 3}

- un tipo de celda hexagonal E2 = {e2 (l, α), l ∈ Z2 }.

Así toda la estructura reticular del material puede ser generada a partir de repeticiones del
complejo anterior, mediante traslaciones en las direcciones base a1 y a2. Por tanto decimos que
la red es armónica y que no existiría una varianza ante traslaciones. En la figura 13 está
representado el esquema general de dicho complejo, particularizado hasta segundos vecinos, con
los elementos básicos y coordenadas.

Figura 13: Representación del complejo celda hasta vecinos segundos.

Sabemos que para operar con redes que cumplen la invarianza traslacional, es de gran
utilidad trabajar con la Transformada de Fourier Discreta (DFT), la cual se define

̂(𝜃, 𝛼) = ∑ 𝑤(𝑙, 𝛼) 𝑒 −𝑖𝜃.𝑙 .

𝑤 ( 38)
𝑙∈𝑍2

De igual forma, la antitransformada se define

𝜋 𝜋
1 ( 39)
𝑤(𝑙, 𝛼) = ∫ ∫ ̂(𝜃, 𝛼)𝑒 𝑖𝜃.𝑙 𝑑𝜃1 𝑑𝜃2 .
𝑤
(2𝜋)2 −𝜋 −𝜋

También es necesario definir los operadores diferenciales para la teoría discreta que se
desarrolla. La DFT del diferencial de una forma-p puede describirse como

18
Figura 14: Esquemas para la construcción de los operadores diferenciales discretos Q1 y Q2.

𝑁𝑝 ( 40)
̇ (𝜃, 𝛼) = ∑ 𝑄 ( 𝜃 ) 𝑤̇ (𝜃, 𝛼)
𝑑𝑤
𝛼 𝛽
𝛽=1

1 − 𝑒 𝑖𝜃2 ( 41)
𝑄1 = (1 − 1 )
1 − 𝑒 𝑖𝜃3
𝑄2(𝜃) = (𝑒 𝑖𝜃3 − 1 1 − 𝑒 𝑖𝜃1 𝑒 𝑖𝜃1 − 𝑒 𝑖𝜃3 ) ( 42)

donde la matriz Q representa la estructura diferencial del grafeno. Se puede observar como al
átomo tipo 1 de referencia e0 (0, 1) llegan las aristas e1 (0, 1), e1 (0, 2) y e1 (0, 3), todas ellas de
referencia, por lo que la primera columna estará formada por unos. Por otro lado, del átomo de
referencia e0 (0, 2) salen las aristas e1 (-ε2, 1), e1 (0, 2) y e1 (-ε3, 3), por lo que la matriz se puede
expresar de la forma 41. Así mismo Q1* denota la matriz conjugada de Q1. Análogamente, el
operador Q2 relaciona los elementos e1 y e2.

19
20
 4. Simulación computacional. MD.
La muerte de cualquier hombre me disminuye porque estoy ligado
a la humanidad; por consiguiente nunca hagas preguntar por
quién doblan las campanas: doblan por ti.
- Ernest Hemingway

4.1 Introducción

A partir de la década de los 50’, el desarrollo de ordenadores y su aplicación a la resolución de

problemas científicos ha introducido lo que algunos han llamado “una tercera metodología” a la
investigación científica; la simulación computacional.

Este método, de carácter complementario y a veces alternativo a los modos

convencionales de hacer ciencia, el experimental y el teórico, ha ejercido un fuerte impacto en
prácticamente todos los campos de la ciencia. El objetivo de la simulación computacional es
resolver los modelos teóricos en su total complejidad, mediante la resolución numérica de las
ecuaciones involucradas, haciendo uso intensivo (y extensivo) de ordenadores.

En el área de la física, la simulación computacional fue introducida como una herramienta

para tratar sistemas de muchos cuerpos, a comienzos de la década de los 50’, con el trabajo
pionero de Metropolis et al,. Más tarde, resultados iniciales favorables obtenidos en mecánica
estadística clásica, en particular en el estudio de líquidos, dieron credibilidad a la simulación
computacional, extendiéndose rápidamente su usa a temas tan diversos como cromodinámica
cuántica, física de fluidos, relatividad general, física del plasma, materia condensada, física
nuclear y ciencia de materiales.

Actualmente, gracias al rápido desarrollo de la tecnología en los ordenadores, cuya

velocidad crece aproximadamente un factor 2 cada año y medio, la simulación computacional se
ha consolidado como herramienta de cálculo esencial, tanto para científicos experimentales como
para teóricos. Con un buen modelo computacional podemos no sólo reproducir experimentos de
laboratorio sino que además, gracias a que se pueden variar libremente los parámetros usados,
podemos probar o falsear modelos teóricos existentes en rangos de parámetros imposibles de
alcanzar experimentalmente por ahora, resolviendo así conflictos entre explicación teórica y
observación.

Hoy día la visualización de los resultados obtenidos también juega un papel fundamental.
No sólo obtenemos datos numéricos que pueden ser contrastados con experimentes, también
obtenemos una imagen gráfica del proceso en cuestión.

Los dos métodos de simulación computacional más usados en física actualmente son la
dinámica molecular, que es de carácter determinista y el de Montercarlo, que es de carácter
probabilístico. Ambos se pueden considerar como métodos para generar configuraciones
diferentes de un sistema de partículas, es decir, puntos en el espacio de fases compatibles con las
condiciones externas.

21
 El método de la Dinámica molecular y el de Montecarlo han sido empleados con éxito
para simular gases, líquidos y sólidos, ampliándose tanto su uso como el desarrollo de técnicas
específicas en forma paralela al avance tecnológico de los ordenadores. Los sistemas estudiados
van de ciento a miles y últimamente incluso a decenas de millones de átomos Los aspectos
estudiados incluyen propiedades estructurales, termodinámicas, mecánicas y cinéticas.

4.2 Dinámica molecular

La dinámica molecular (MD, Molecular dynamics) es un tipo de simulación molecular
computacional que permite analizar el comportamiento o evolución de un sistema (físico, químico
o biológico) a través del tiempo, calculando las fuerzas entre los átomos que lo conforman
mediante las ecuaciones del movimiento de Newton.

Operacionalmente, es un método para generar las trayectorias de un sistema compuesto

de N partículas por integración numérica directa de las ecuaciones de movimiento de Newton,
con especificaciones de un potencial de interacción interatómico de condiciones iniciales y de
frontera adecuadas.

La dinámica molecular es un método de modelado y simulación a nivel atomístico cuando

las partículas en cuestión son los átomos que constituyen el material o sistema de estudio. Por
medio de dinámica molecular, se pueden calcular diferentes propiedades fisicoquímicas del
sistema como la energía libre, entropía, solubilidad, viscosidad, presión, temperaturas de cambio
de fase, etc.

La información que genera de salida la Dinámica Molecular es la posición y la velocidad

de cada partícula del sistema en cada instante de tiempo. Empleando las técnicas tradicionales de
la Mecánica Estadística podemos pasar esta información microscópica a magnitudes
macroscópicas que nos permitan conectar con el experimento, a través de la termodinámica.

El conjunto convencional en Dinámica Molecular es el conjunto microcanónico (N, V,E),

donde el número de átomos, el volumen y la energía permanecen constantes, mientras que en
Montecarlo es el canónico (N,V,T), aquí intercambiamos la energía por la temperatura como
constante en los cálculos. También se han desarrollado técnicas para llevar a cabo simulaciones
de Montecarlo con el conjunto microcanónico, así como simulaciones de dinámica molecular en
conjunto canónico.

El estudio de los bordes de grano lo hemos realizado a través de simulaciones moleculares

usando la dinámica molecular.

4.3 Ecuaciones fundamentales

En las simulaciones de MD se asume que la dinámica de partículas está gobernada por las leyes
de la mecánica clásica, es decir, el movimiento de las partículas se realiza de acuerdo con las leyes
del movimiento de Newton.

Para un sistema aislado de N partículas, la segunda ley de Newton indica:

𝑑2 ⃗𝑟𝑖 ( 43)
⃗⃗𝐹𝑖 (𝑟1 , … , 𝑟𝑁 ) = 𝑚𝑖
𝑑𝑡 2
𝜕𝑉(𝑟⃗⃗⃗1 , … , 𝑟⃗⃗⃗⃗𝑁 ) ( 44)
⃗⃗𝐹𝑖 = −∇𝑖 𝑉(𝑟⃗⃗⃗1 , … , 𝑟⃗⃗⃗⃗𝑁 ) = − .
𝜕𝑟𝑖

22
 En estas ecuaciones, mi y ri son la masa y el vector de posición de la partícula
respectivamente. Fi es la fuerza que actúa sobre la partícula i y Vi es el potencial, del cual ya
hemos hablado.

La fuerza que actúa sobre la partícula i viene dada por la expresión

( 45)
𝐹 = ∑ ⃗⃗⃗⃗
𝐹𝑖𝑗
𝑖>𝑗

𝜕𝑉𝑖𝑗 (𝑟⃗⃗⃗𝑖𝑗 ) ( 46)

⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗𝑗𝑖 = −
𝐹𝑖𝑗 = −𝐹 .
𝜕𝑟𝑖𝑗

La simulación de Dinámica Molecular consiste en resolver el sistema de N ecuaciones

diferenciales, ecuación 43, teniendo en cuenta que la fuerza viene dada por las ecuaciones 45 y
46.

4.4 Etapas de una simulación

Una simulación general de MD normalmente consta de tres etapas:

En la primera etapa, la iniciación. Elegimos el modelo, es decir, el conjunto del sistema

y el potencial de interacción, entre otros, se debe hacer una descripción molecular del sistema en
cuestión. Cada partícula se coloca en un lugar determinado del espacio y se le aplica una velocidad
al azar, dependiendo de la temperatura que tenga el sistema. Se deja evolucionar el sistema con
el tiempo, normalizando las velocidades de las partículas para que el momento lineal del sistema
sea cero y las velocidades sean consecuentes con la temperatura del sistema. Esto último tiene
como propósito relajar el sistema eliminando el exceso de energía (se impone al sistema un control
de la temperatura).

La segunda etapa es una continuación de la primera pero sin normalizar las velocidades,
con el fin de estar seguro que se ha alcanzado el verdadero equilibrio. Durante este proceso se
obtiene y conserva la información sobre la historia de las partículas, fundamentalmente sus
trayectorias, es decir, posiciones y velocidades de las partículas en función del tiempo. A partir
de esto se podrá obtener diferentes propiedades del sistema.

En la tercera etapa obtenemos los resultados. En esta etapa se realiza un análisis de las
trayectorias para poder determinar algunas de las propiedades dinámicas y estáticas del sistema.

Resumiendo, se puede decir que las simulaciones de MD consisten en la integración de

las ecuaciones de movimiento de Newton para determinar cómo varía la posición de las partículas
en función del tiempo.

Mediante la adición de cierta energía cinética mediante la temperatura, las partículas que
forman el sistema pueden sobrepasar ciertas barreras de potencial.

Estos tipos de cálculo pueden realizarse con dos propósitos diferentes:

- La determinación de propiedades macroscópicas. El conocimiento de las

trayectorias de las partículas del sistema permite la predicción de muchas propiedades
macroscópicas. Este suele ser el propósito de investigaciones centradas en el estudio de
fluidos (gases reales, líquidos).

23
 - La salida de mínimos locales. La adición de una energía adicional al sistema puede
permitir que se salga de un mínimo local para alcanzar un mínimo global. En sistemas
complicados como granes moléculas o agregados moleculares es muy fácil que se llegue a un
mínimo local y es muy difícil salir de él. Mediante simulaciones de MD se puede intentar
salir de este mínimo local.

Figura 15: elementos centrales de simulación computacional.

4.5 Elección del potencial

Si se quiere resolver la ecuación de movimiento de las partículas, se debe poseer de una expresión
del potencial del sistema que exprese correctamente las fuerzas de interacción entre partículas.

Se puede intentar obtener información sobre esas fuerzas aplicando estrictamente los
principios de química cuántica, considerando un potencial de interacción que se obtiene mediante
la química cuántica, como los que se emplea en cálculos ab initio. Este método es el que permite
obtener mejores resultados pero en la práctica sólo es aplicable a sistemas muy pequeños.

Generalmente se suelen emplear los denominados potenciales empíricos o semiempíricos.

Estos potenciales ya han sido descritos anteriormente. Aunque no permiten tratar correctamente
las interacciones entre átomos y moléculas, estos potenciales son los suficientemente sencillos
como para permitir su aplicación a sistemas relativamente complejos. Es por esto que en muchos
casos se emplean en MD.

24
 4.6 Integración de las ecuaciones de movimiento
En MD es muy importante el método empleado para la resolución del sistema de ecuaciones
diferenciales. La ecuación 1 es una ecuación diferencial de segundo orden. A partir de las
posiciones y velocidades de las partículas en un tiempo t hay que obtener con suficiente precisión
esas posiciones y velocidades para un tiempo t + Δt.

⃗𝑟𝑖 (𝑡), ⃗⃗⃗

𝑣𝑖 (𝑡) ⇒ ⃗𝑟𝑖 (𝑡 + ∆𝑡), ⃗⃗⃗
𝑣𝑖 (𝑡 + ∆𝑡) ( 47)

La elección de Δt es muy importante. Si Δt →0 la resolución del sistema de ecuaciones

será muy buena pero también muy lenta. Si Δt → ∞ ocurrirá lo contrario.

Existen fundamentalmente dos métodos para la resolución de este tipo de problemas, el

método Gear y el algoritmo de Verlet. Para pequeños valores de Δt el algoritmo de Gear da
menores fluctuaciones en la energía total que el de Verlet. Para pasos intermedios ambos
presentan parecida exactitud y para intervalos de tiempo grande el algoritmo de Verlet es el de
uso predominante.

4.7 Cómo trabaja un programa de Dinámica Molecular

Describiremos brevemente la forma en que trabajan los programas de DM:

1. Se leen los parámetros que especifican las condiciones que el programa va a correr, tales
como la temperatura inicial, el número de partículas, la posición de las partículas
(estructura fcc, bcc, etc), la densidad el paso de tiempo Δt, el tiempo total de simulación
etc.

2. Se inicializa el sistema, es decir, se asignas las posiciones y las velocidades iniciales

3. Se calculan las fuerzas sobre todas las partículas

4. Se integran las ecuaciones de movimiento de Newton. Este paso y el anterior forman el

loop central de la simulación. Se repiten hasta haber calculado la evolución del sistema
durante el tiempo total de simulación que se desea. Se van guardando las posiciones,
velocidades, fuerzas, etc, durante cada paso en un archivo para ser procesadas
posteriormente.

5. Una vez acabo el paso anterior, se calculan e imprimen los diferentes promedios
relevantes

4.8 LAAMPS
LAMMPS (“Large-scale Atomic/Molecular Massively Parallel Simulator”) es un programa de
dinámica molecular de los Laboratorios Nacionales Sandia. LAMMPS hace uso de MPI para la
comunicación en paralelo y es un código libre/abierto, distribuido bajo los términos de la
Licencia Pública General de GNU.

LAMMPS es un código de dinámica molecular clásica que modela conjuntos de

partículas en estado líquido, sólido o gaseoso. Puede modelar sistemas atómicos, poliméricos,
biológicos, sistemas metálicos, granulados, y de grano grueso usando una variedad de campos de
fuerza y condiciones de contorno.

25
 En sentido más general, LAMMPS integra las ecuaciones de movimiento de
Newton para las colecciones de los átomos, moléculas o partículas macroscópicas que
interactúan a través de fuerzas de corto o de largo alcance con una variedad de
condiciones iniciales y/o de contorno.

Para lograr eficiencia computacional, LAMMPS utiliza listas de vecinos para realizar un
seguimiento de las partículas cercanas. Las listas están optimizadas para sistemas de partículas
que son repulsivas en las distancias cortas, por lo que la densidad local de partículas nunca se
vuelve demasiado grande. En las máquinas en paralelo, LAMMPS utiliza técnicas
de descomposición espacial de la partición del dominio de simulación 3D en pequeños sub-
dominios, uno de los cuales se asigna a cada procesador. Los procesadores comunican y
almacenan la información de átomos “fantasma” que rodean a sus sub-
dominios. LAMMPS es más eficiente (en el sentido de cálculos en paralelo) para sistemas cuyas
partículas llenan una caja rectangular en 3D con una densidad más o menos uniforme. Artículos
con los detalles técnicos de los algoritmos utilizados en LAMMPS se enumeran en esta sección.

En este trabajo hemos estudiado los bordes de grano, a través de la dinámica molecular,
empleando el software LAMMPS. Utilizando la energía potencial obtenida del modelo AIREBO
hacemos uso de la dinámica newtoniana para obtener la energía final del sistema así como la
posición.

4.8.1 Modelo de entrada

Como hemos explicado en el capítulo 5, debemos introducir unas condiciones iniciales para la
simulación. En nuestro caso asignamos periodicidad al modelo en ejes X e Y, una temperatura de
0.01 K y fijamos como constantes el número de átomos, el volumen y la temperatura (NVT). Para
estas condiciones, relajamos cada modelo dándole un periodo de tiempo largo. Se correrá cada
modelo cada 0.1 picosegundo (Δt=0.1 ps) hasta que veamos que la energía cae, con el comando
timestep. Según el modelo, tardan más o menos en relajarse así que no hay un número de pasos
igual para cada uno. El número mínimo de pasos utilizado ha sido 500.000, y para algunos
modelos hemos necesitado 4 o 5 veces más, aquí usamos el comando run. Estas condiciones se
introducen en un archivo llamado .in. En este archivo también indicamos qué información
queremos que nos devuelva en la salida.

Las posiciones iniciales que introducimos en un archivo llamado .data, en el que damos
también información sobre el tipo de átomo que va en cada posición (en nuestro caso todos los
átomos son carbono), y también, un punto muy importante, introducimos la caja, el espacio que
queremos que ocupe nuestro modelo final. Esta herramienta es con la que hemos trabajado más
como paso final, una vez que los átomos estaban relajados de forma visible, para disminuir la
energía hasta llegar a la energía mínima.

También es la herramienta con la que podemos hacer que un modelo que presente
mismatch, llegue a una configuración final de relajación. El procedimiento a seguir en este caso
es llegar a un término medio entre las alturas que presentan ambas periodicidades. De esta forma
un dominio quedará un poco estirado y el otro dejará de ser plano para curvarse y así llegar a una
configuración adecuada y cómoda para ambos dominios y que sea estable.

26
 4.8.2 Información de salida
Lammps nos devuelve dos archivos de salida, con la información que le pedimos. Estos archivos
son .dump y .log.

En el archivo .dump, nos devuelve las diferentes posiciones que va tomando el modelo,
en su camino a la posición de mínima energía. Nosotros le decimos cada cuantos pasos queremos
que nos saque una posición, en nuestro caso cada 2000 pasos, mediante el comando thermo. Este
es el archivo que usamos posteriormente en el programa de visualización VMD (Visual Molecular
Dynamics). Este programa añade los enlaces entre átomos para que sea más sencillo comprobar
que el modelo final está bien relajado y compuesto por hexágonos pentágonos y heptágonos.
También en él podemos cambiar la representación, aumentar el tamaño de los átomos, color, etc,
a nuestro gusto. Para obtener la imagen final utilizamos un archivo de salida de VMD,
configurado para visualizarse en POV-RAY, un programa más potente y que permite una imagen
de mayor calidad.

En el archivo .log obtenemos, en nuestro caso, la energía en cada paso y, por tanto, la
energía final.

27
28
 5. Bordes de grano
Ninguna fortaleza es tan inexpugnable que no puede entrar en ella un mulo
cargado de oro.

-Alejandro Magno

5.1 Introducción
En el grafeno, se observan frecuentemente defectos unidimensionales (1D) como los bordes de
grano (GBs). Especialmente en la fabricación de éste a gran escala usando el método CVD, que
es el más adecuado y eficiente para la producción en grandes cantidades a bajo coste y alta calidad.
Otra ventaja principal de la técnica CVD es la gran variedad de capas de grafeno que puede
sintetizar con diferentes propiedades.

La estructura que se forma en la interfaz entre granos tiene gran importancia en la fractura
mecánica (Grantab et al., 2010; Zhang et al., 2012b., Han et al., 2014) y en el transporte
electrónico (Van Tuan et al., 2013), esto es especialmente importante en el grafeno. Dependiendo
de la estructura del borde de grano, se distinguen dos comportamientos diferentes respecto al
transporte electrónico. Puede comportarse de forma transparente y actuar como conductor o puede
oponerse y bloquear el paso de corriente para un rango de energía. Así pues, se abre una nueva
vía de estudio de los bordes de grano en el grafeno, con el propósito de diseñar bandas de
transporte ajustables, permitiendo el control del transporte mediante dispositivos basados en
grafeno, como transistores.

Los bordes de grano también juegan un papel esencial en la estabilidad térmica, en el

diseño de nanocomponentes electrónicos, ya que la temperatura está presente durante el
rendimiento de estos dispositivos.

5.2 Modelo del borde de grano

Un borde de grano de grafeno se puede describir por su llamado “misorientation angle”, es decir,
la diferencia de orientación de cada dirección cristalográfica que forma la “línea” del GB. Este
ángulo es θ = θ1 + θ2, siendo θ1 el ángulo formado por la lámina izquierda y el borde de grano y
θ2 el ángulo formado por el borde y la lámina derecha.

Figura 16: Modelo del borde de grano.

29
 Para estudiar todas las posibles configuraciones de los bordes de grano, solo es necesario
estudiar un rango entre 0° y 30° para θ1 y θ2. Cuando θ1= θ2, hablamos de bordes de grano
simétricos. Cuando esto no se cumple, son bordes de grano asimétricos, los cuales estudiamos en
este trabajo. Para láminas de grafeno con bordes de grano distribuidos de forma periódica, una
definición más apropiada la tenemos usando el vector de traslación (nL, mL) y (nR, mR) de los
dominios a la izquierda y a la derecha del defecto, respectivamente.

Figura 17: Definición de ambas nomenclaturas

Estas dos definiciones se pueden relacionar a través de la fórmula

𝜃 = tan−1 (√3𝑚𝐴 /(𝑚𝐴 + 2𝑛𝐴 )) + tan−1 (√3𝑚𝐵 /(𝑚𝐵 + 2𝑛𝐵 ) . ( 48)

Cuando nos encontramos en un caso asimétrico, aparece lo que llamamos “mismatch”, es

decir una diferencia en la longitud de la periodicidad de las dos láminas de grafeno enfrentadas.
Este mismatch se define como

δ = | LL – LR | / min (LL, LR).

Para formar un borde de grano asimétrico estable la periodicidad de ambas láminas deben
ser cercanas. El límite de mismatch para que se dé la estabilidad está entorno al 5%.

El grafeno posee dos direcciones altamente simétricas, a las que llamamos zig-zag y
armchair. La dirección zig-zag se da cuando la orientación del grano θi (i = 1,2) es 0° y llamamos
armchair a la dirección cuando la orientación del grano θi (i = 1,2) es 30°.

Figura 18: Dirección zig-zag y dirección armchair.

30
 5.3 Estructura del borde de grano
Gracias al microscopio electrónico de transmisión (TEM), hemos observado que los bordes de
granos suelen formar estructuras periódicas de defectos enlazados. Principalmente se forman
pares formados por pentágono-heptágono y también aparecen pares de octágonos-pentágono,
aunque estos últimos no son de estudio en este trabajo debido a su alta energía de formación.

Podemos catalogar los bordes de granos estudiados hasta la fecha, según la distribución
de pentágonos y heptágonos, en cuatro clases:

I - Pares pentágono-heptágono periódicamente separados por uno o más hexágonos

II - Pentágonos o heptágonos individuales con o sin otros defectos distribuidos

periódicamente a lo largo de la “línea” del borde de grano

III - Dos o más heptágonos-pentágonos unidos separados por hexágonos

IV - Repetición periódica del para pentágono-heptágonos y que ocupa la “línea” del

borde de grano completamente.

También influye el ángulo formado por las dos direcciones cristalográficas a la hora de
que se forme tipo de estructura u otra. En ángulos menores de 30°, predomina la clase I. Los
modelos con ángulo cercano a 30°, favorecen la clase IV, es decir, la de mayor densidad de
defecto. La clase II y III se encuentra concentrada de 30° a 50° y ambas tienen similar energía de
formación, lo que sugiere que esas estructuras de grano complicadas quizá puedan coexistir.

5.4 Características de los bordes de grano

5.4.1 Energía de formación
Para evaluar la estabilidad térmica de los bordes de grano en grafeno, nos ayudamos de la energía
de formación (Ef), definida como:

Ef = (EGB – N x Egr ) / 2L,

donde Egr es la energía por átomo de carbono en una lámina perfecta de grafeno, N es el número
de átomos de carbono en el modelo de grafeno que usamos, L indica la longitud de la simetría, es
decir, la altura del modelo. Usamos el factor 2 ya que existen dos bordes en cada modelo. La
energía de formación para GBs estable se encuentra en el rango que va de 2.5 a 7 eV/nm.

Bordes de grano con el mismo ángulo pero diferente configuración del defecto, tienen
similar energía de formación y, por lo tanto, parecida posibilidad de formación. Esto sugiere que
la energía de formación no está dominada por la configuración del defecto. Por lo tanto bordes de
grano con alta densidad de defecto, no tiene que necesariamente tener alta energía de formación
si la configuración del defecto es apropiada para acomodar las tensiones.

La existencia de bordes de grano puede hacer que la lámina de grafeno deje de ser plana,
como lo es originalmente, apareciendo un ángulo de inflexión entre ambos dominios. Este arreglo
se produce para minimizar la energía al generar una estructura cómoda del defecto.

31
 Figura 19: Ángulo de flexión.

Podemos relacionar la energía de formación con el ángulo de inflexión (Zhang et al,

2012), por lo que éste influye en Ef, mediante la fórmula

Eform(eV/nm) = Eedge – 7.2 x sin(2α -10°)

donde Eedge= 10 eV/nm.

La energía de formación de un GB tiene dos contribuciones. La energía asociada al

mismatch debido al arreglo que debe hacer el modelo asimétrico por las distintas periodicidades
y la que procede del defecto debido a la inclusión de anillos no hexagonales. Obviamente los GB
simétricos solo cuentan esta última. Es interesante encontrar que se ha propuesto una dependencia
lineal entre el mismatch y la energía de formación (referencia):

Eform(eV/nm) = 0.325 δ + 2.25.

De aquí deducimos que Gbs antisimétricos con mismatch bajo tiene mucha más
posibilidad de formación que los que tienen un alto mismatch.

5.4.2 Propiedades mecánicas

Describiremos brevemente cómo afecta a las propiedades mecánicas del grafeno los GB.
Se ha comprobado que la resistencia intrínseca del GB no guarda relación con el ángulo θ. Sin
embargo, se puede ver que existe una relación con el ángulo de inflexión para aquellos granos
que salen del plano (Zhang et al, 2012). Dicha relación es

τ(GPa) = τ0 – 0.75α(°) ,

donde τ0 = 102 GPa es la resistencia intrínseca del grafeno en la dirección zig-zag.

5.4.3 Propiedades electrónicas

Como ya comentamos al inicio de este capítulo, algunos GBs pueden abrir una pequeña banda de
transporte electrónico. Hasta ahora la relación entre este comportamiento y la estructura atómica
del GBs no está clara. Yazyev y Louie (Yazyev et al, 2010) propusieron que la banda de transporte
sólo dependía en la periodicidad del GBs (L) y sólo existía en GBs asímetricos, por lo que se
atribuía al mismatch. Sin embargo otras investigaciones (Zhang et al, 2015) han encontrado la
existencia de gap en Gbs simétricos. Este estudio atribuía esta banda de transporte a la topología
del defecto, la variación en la longitud de los enlaces y la rehibridación local de orbitales σ y π de
sp2 a sp3.

Si bien la fórmula propuesta por Yazyev

Et (eV/nm)≈ 1.38/L(nm),

32
sigue siendo válida para por dar resultados cercanos a los obtenidos por simulación, se desmarcan
de su teoría finalmente por haber encontrado tres isómeros (misma configuración (nL,mL)|(nR,mR)
y distinta estructura del grano) con distinta banda de transporte.

33
34
 6. Resultados

Me atrevo a hacer todo lo que sea digno de un hombre, quien a

más se atreve, no lo es.
- William Shakespeare

Como hemos comentado previamente, en este trabajo hemos analizado la estabilidad energética
de bordes de grano asimétricos.

Tenemos ocho casos, entre los que hay bastante diversidad. Hemos analizado granos
isómeros, granos con el mismo ángulo pero diferentes periodicidades, granos sin mismatch y
granos con un mismatch cercano al límite.

Para cada caso se analizará la topología y calcularemos la resistencia intrínseca y ángulo

de flexión. Estas propiedades quedarán a falta de comprobación. Podemos observar en cada
gráfica Energía-Tiempo como la energía va disminuyendo hasta llegar al mínimo y, ahí,
estabilizarse.

6.1 Configuraciones
Comenzamos con los modelos 30°|0º. Son dos modelos con el mismo ángulo pero hemos
encontrado dos configuraciones con diferentes periodicidades.

6.1.1 Configuración del borde de grano 30°|0º, a

Figura 20: Vista frontal del borde de grano 30°|0º

35
Figura 21: Vista tridimensional del borde de grano 30°|0º,a

Figura 22: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 30°|0º, a

36
 Tabla 5: Características del borde de grano 30°|0º, a.

Este trabajo Zhang, 2012

Energía formación 6.33 (eV/nm) 5.03 (eV/nm)

Zmáx 7.9 (nm)

δ 3.77

α 25.79 (º) 0 (º)

τ 82.66 (MPa) 76 (MPa)

En este modelo vemos como topológicamente se corresponde con lo descrito en el punto

5.3, siendo el borde de grano una repetición de pentágonos-heptágonos dispuestos de distinta
forma a lo largo de toda la interfase.

Vemos que tiene un mismatch alto y una energía de formación alta, la más alta de todas.
Por lo tanto en este último punto se corresponde con lo apuntado en el punto 5.4.1.

6.1.2 Configuración del borde del grano 30°|0º,b

Figura 23: Vista frontal del borde de grano 30°|0º, b

37
Figura 24: Vista tridimensional del borde de grano 30°|0º, b.

Figura 25: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 30°|0º, b.

38
 Tabla 6: Características del borde de grano 30°|0º, b.

θ 30°|0º

Energía formación 5.2 (eV/nm)

Zmáx 5.6 (nm)

δ 0.27

α 29.30 (º)

τ 86.76 (MPa)

En el segundo modelo 30°|0º vemos como también obtenemos una topología predecible.
Este modelo se diferencia del anterior en la longitud del defecto. En el primer modelo la altura
del defecto es de 12.573 Å y en el último modelo, de menor energía de formación, es de
46.101 Å. En este caso, al tener menor mismatch se corresponde con menor energía de formación
al compararlos entre ellos. También observamos como este último llega antes a la estabilidad
energética. En este último caso vemos que la densidad de defectos no influye en la energía de
formación, al ser ésta menor aquí que en modelos siguiente con menor densidad de defecto.

Ahora presentaremos el caso de dos isómeros, es decir, mismo ángulo, misma altura en
la periodicidad del defecto pero distinta configuración de éste.

6.1.3 Configuración del borde de grano 4.715°|30º i1

Figura 26: Vista frontal del borde de grano 4.715°|30º i1.

39
 Figura 27: Vista tridimensional del borde de grano 4.715°|30º i1.

Figura 28: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 4.715°|30º i1.

40
 Tabla 7: Características del borde de grano 4.715°|30º i1.

Este trabajo Zhang, 2012

Energía formación 5.74 (eV/nm) 4.72 (eV/nm)

Zmáx 12.3 (nm)

δ 1.378

α 23.13 (º) 0 (º)

τ 84.64 (MPa) 78.4 (MPa)

En este modelo, y en el siguiente, nos encontramos ante una desorientación mayor de

34,715º, algo mayor que 30º. En este caso nos encontramos ante el tipo III, es decir, repeticiones
de pentágonos-heptágonos continuas, separadas por hexágonos, en este caso por un hexágono
cada tres parejas 5-7.

6.1.4 Configuración del borde de grano 4.715°|30º i2

Figura 29: Vista frontal del borde de grano 4.715°|30º i2.

41
Figura 30: Vista tridimensional del borde de grano 4.715°|30º i2.

Figura 31: Gráfica energía-tiempo del borde de grano de 4.715°|30º i2.

42
 Tabla 8: Características del borde de grano 4.715°|30º i2.

θ 4.715°|30ºi2

Energía formación 5.43 (eV/nm)

(trabajo)

Energía formación 5.75 (eV/nm)

(Zhang, 2012)

Zmáx 20.2 (nm)

δ 1.378

α 24.7 (º)

τ 83.475 (MPa)

En este segundo modelo de 4.715°|30º tenemos una configuración del defecto diferente
que para 4.715°|30ºi1. En este último caso tenemos mayor desplazamiento en Z y a la vista se
intuye una configuración del defecto menos cómoda que en el primer caso. Sin embargo el último
modelo tiene menor energía de formación, aunque similar, que el primero. Ambos tienen mismo
mismatch.

En 4.715°|30ºi2 la configuración topológica es del tipo II, se corresponde con la teoría,

es decir, parejas de pentágonos y heptágonos unidos y separados por hexágonos y, en este caso,
un heptágono aislado.

Los modelos a continuación no guardan relación entre ellos.

6.1.5 Configuración del borde de grano 6.58°|30°

Figura 32: Vista frontal del borde de grano 6.58°|30º.

43
Figura 33: Vista frontal del borde de grano 6.58°|30º.

Figura 34: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 6.58°|30º.

44
 Tabla 9: Características del borde de grano 6.58°|30º.

θ 6.58°|30º

Energía formación 6.12 (eV/nm)

(trabajo)

Energía formación 5.91 (eV/nm)

(Zhang, 2012)

Zmáx 19.8 (nm)

δ 0.36

α 21.30 (º)

τ 86.02 (MPa)

Aquí, la topología vuelve a corresponderse con la esperada, tipo III, para ángulos entre
30º y 50º. Tenemos una alta energía de formación junto con un bajo mismatch. Vemos que tiene
un alto desplazamiento en Z. También se observan grandes ondulaciones en la parte izquierda del
borde de grano. Esto puede ser la causa de la alta energía de formación.

6.1.6 Configuración del borde de grano 16.1°|0°

Figura 35: Vista frontal del borde de grano 16.1°|0º.

45
Figura 36: Vista tridimensional del borde de grano 16.1°|0º.

Figura 37: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 16.1°|0º.

46
 Tabla 10: Características del borde de grano 16.1°|0º.

Este trabajo Zhang

Energía formación 4.62 (eV/nm) 4.82 (eV/nm)

Zmáx 9.99 (nm)

δ 3.92

α 29.17 (º) 42 (º)

τ 80.118 (MPa) 74 (MPa)

Aquí nos encontramos con una energía de formación baja y un mismatch alto. A pesar del
mismatch alto, vemos que no hay excesivo desplazamiento en Z y a simple vista la configuración
del borde de grano parece sencilla. En cuanto a la topología vuelve a ser correcta, tipo I, para
ángulos menores de 30º.

6.1.7 configuración del borde de grano 8.21°|30°

Figura 38: Vista frontal del borde de grano 8.21°|30°.

47
 Figura 39: Vista tridimensional del borde de grano 8.21°|30º.

Figura 40: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 8.21°|30º.

48
 Tabla 11: Características del borde de grano 8.21°|30º.

Este trabajo Zhang

Energía formación 5.14 (eV/nm) 4.57 (eV/nm)

Zmáx 3.96 (nm)

δ 0

α 6.22 (º) 40 (º)

τ 82.33 (MPa) 74 (MPa)

Este caso es algo peculiar, nos encontramos con un mismatch nulo, como los que tienen los
modelos simétricos. No por ello tiene la menor energía de formación. Corresponde a los bordes
de grano de tipo II, como marca la teoría.

6.1.8 Configuración del borde de grano 17.2°|0°

Figura 41: Vista frontal del borde de grano 17.2°|0º.

49
Figura 42: Vista tridimensional del borde de grano 17.2°|0º.

Figura 43: Gráfica energía-tiempo del borde de grano 17.2°|0º.

50
 Tabla 12: Características del borde de grano 17.2°|0º.

θ 17.2°|0º

Energía formación 5.25 (eV/nm)

(trabajo)

Energía formación - (eV/nm)

(Zhang, 2012)

Zmáx 10.8 (nm)

δ 1.242

α 25.63 (º)

τ 82.77 (MPa)

Por último nos encontramos con un modelo con un mismatch medio y una energía de formación
media también. Este es el primer caso en que la topología no se corresponde con lo predominante,
no siendo esto un problema.

En general podemos ver que la energía de formación y el mismatch no son directamente

proporcionales. Si bien para modelos con la misma desorientación se corresponde mayor
mismatch con mayor energía de formación, para comparar modelos con desorientación diferente
no es válido el uso del mismatch para predecir qué modelo tendrá mayor energía de formación.
También se confirma que la densidad del defecto no influye en la energía de formación.

Podemos apreciar que los resultados obtenidos para el ángulo de inflación y la fuerza
intrínseca no se corresponden con los obtenidos por Zhang. Esto puede ser debido a que nuestro
cálculo ha sido realizado con fórmulas empíricas y no de forma experimental.

51
52
 7. Conclusiones y trabajos futuros

He ofendido a Dios y a la humanidad porque mi trabajo no tenía

la calidad que debía

-Leonardo da Vinci

7.1 Conclusiones
En este trabajo hemos obtenido distintas configuraciones de bordes de grano asimétricos. Para
realizar las simulaciones hemos usado una herramienta computacional, LAMMPS, cuya base
teórica se centra en los modelos atomísticos de tipo Dinámica Molecular.

El punto de partida para el análisis de cada borde de grano ha sido las posiciones atómicas.
Éstas han servido para el cálculo de la energía potencial inicial. Una vez realizadas las
simulaciones, hemos analizado la posición atómica final, usando el software de visualización
molecular VMD y la energía del sistema. En caso de solución errónea hemos modificado la
configuración inicial, eliminando átomos a lo largo de los borde de grano y variando la posición
relativa entre granos.

Una vez llegados a una solución válida, que sea similar topológica y energéticamente a
soluciones de otros autores, hemos modificado de forma muy suave cada configuración, ajustando
tanto el parámetro tiempo como las dimensiones del modelo, hasta llegar al estado de mínima
energía.

En comparación con otros autores, topológicamente hemos llegado a resultados iguales,

siendo similares en la cuestión energética.

La mayor dificultad encontrada ha sido ser capaz de definir una configuración inicial del
modelo que sea válida para que, a partir de ésta, empecemos a iterar en busca de un resultado final
satisfactorio o, también, fallido pero que aportase información para mejorar esa configuración
inicial. Esto se debe a que al enfrentar dos orientaciones diferentes, la interfase resultante suele
estar bastante desestructurada y no siempre es intuitiva la configuración correcta.

7.2 Trabajos futuros

De este proyecto se pueden plantear una serie de líneas de investigación que enumero a
continuación.

Las simulaciones se han realizado a una temperatura muy baja, simulando el cero
absoluto. Se propone el estudio de la estabilidad térmica de cada borde de grano, aumentando la
temperatura de cada simulación, hasta que no sea capaz de alcanzar un estado de equilibrio.

Queda pendiente el estudio de las propiedades electrónicas de cada borde de grano

asimétrico. Este estudio es muy interesante, siendo importante el conocimiento de estas
propiedades, básica en este material, para múltiples aplicaciones.

El análisis del almacenamiento de energía en bordes de grano no coplanarios. En este

trabajo sólo se han analizado bordes de grano que comparte el mismo plano, por lo que resulta de
interés qué características tendría un borde de grano así.

53
54
Referencias
Ariza, M. and Ortiz, M. (2005). Discrete Crystal Elasticity and Discrete Dislocations in
Crystals.Archive for Rational Mechanics and Analysis, 178(2), pp.149-226.

Brenner, D. (1990). Empirical potential for hydrocarbons for use in simulating the chemical
vapor deposition of diamond films. Phys. Rev. B, 42(15), pp.9458-9471.

Han, J., Ryu, S., Sohn, D. and Im, S. (2014). Mechanical strength characteristics of asymmetric
tilt grain boundaries in graphene. Carbon, 68, pp.250-257.

Liu, L., Zhang, J., Gao, H., Wang, L., Jiang, X. and Zhao, J. (2016). Tailoring physical
properties of graphene: Effects of hydrogenation, oxidation, and grain boundaries by
atomistic simulations.Computational Materials Science, 112, pp.527-546.

Méndez Granado, J. (2015). Harmonic/nonharmonic model of graphene and its structural

defects based on a tight binding interatomic potential. Doctorado. Universidad de Sevilla.

Stuart, S., Tutein, A. and Harrison, J. (2000). A reactive potential for hydrocarbons with
intermolecular interactions. The Journal of Chemical Physics, 112(14), p.6472.

Tersoff, J. (1988). New empirical approach for the structure and energy of covalent
systems. Phys. Rev. B, 37(12), pp.6991-7000.

Vancsó, P., Márk, G., Lambin, P., Mayer, A., Kim, Y., Hwang, C. and Biró, L. (2013). Electronic
transport through ordered and disordered graphene grain boundaries. Carbon, 64, pp.101-
110.

Ventura Piazza, C. (2010). Modelo de fuerzas para el grafeno a partir del potencial AIREBO.
Licenciatura. Universidad de Sevilla.

Yazyev, O. and Louie, S. (2010). Electronic transport in polycrystalline graphene. Nature

Materials, 9(10), pp.806-809.

Zhang, J. and Zhao, J. (2013). Structures and electronic properties of symmetric and
nonsymmetric graphene grain boundaries. Carbon, 55, pp.151-159.

Zhang, J., Gao, J., Liu, L. and Zhao, J. (2012). Electronic and transport gaps of graphene opened
by grain boundaries. J. Appl. Phys., 112(5), p.053713.

Zhang, J., Zhao, J. and Lu, J. (2012). Intrinsic Strength and Failure Behaviors of Graphene
Grain Boundaries. ACS Nano, 6(3), pp.2704-2711.

Zhang, X., Xu, Z., Yuan, Q., Xin, J. and Ding, F. (2015). The favourable large misorientation
angle grain boundaries in graphene. Nanoscale, 7(47), pp.20082-20088.

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