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Fotoresist SU-8

Es un fotoresist negativo de alto contraste, usado para fabricaciones MEMS de


capa gruesa. Fue formulado por primera vez en 1982. La primera aplicación para
litografia de capa gruesa fue en 1995 [2].

Esta basado en resina epoxica con alta funcionalidad y bajo peso molecular
(~7000), así puede ser disuelto en diferentes solventes como PGME (Propylene Glycol
Monomethyl Ether) y metil iso-butil ketona cuando no esta reticulado.

Si se quiere conseguir capas delgadas de SU-8, puede ser mezclado con


ingredientes especiales para reducir su viscosidad, el uso de PGMEA se reporto en [8].

Preparación
Para reducir las burbujas de aire que se pueden quedar del proceso inicial de
mezclado, es necesario filtrarlo; se puede usar un metodo de calentamiento a 60- 80 C
[8].

Preparación del sustrato.

Para una óptima adhesión de SU-8 al sustrato se recomiendan varios pasos de


limpieza antes de la deposición del fotoresist [9]. Inicialmente, el sustrato se debe limpiar
usando un baño acido de solvente diluido, seguido de un enjuague de agua desionizada.
En caso de ser aplicable, se puede usar un proceso de “piranha etch” para remover las
partes oxidadas y contaminantes superficiales. La adhesión del fotoresist, es en gran
medida dependiente de lo seco que se encuentre la superficie, por lo tanto, se
deshidratada la oblea por cocción a unos 180-200 C, por lo menos 5-9 minutos [9, 10].

Preparación del sustrato para óptima adhesión

Para alcanzar la mejor adhesión de SU-8, se sugiere la siguiente preparación que


se sugiere en [12]:

• Limpiar el sustrato con 2% de solución de micro jabón por 30 minutos a una


temperatura de 66 C, en un baño ultrasónico.
• Enjuagar con acetona.
• Enjuagar con IPA.
• Enjuagar con agua DI.
• Deshidratar, horneando por 30 minutos.
• Tratamiento de plasma asher por varios minutos.
Deposición de la resina
La formación de burbujas en el SU-8, mientras que se vierte sobre la oblea, se
puede reducir iniciando y terminando la deposición fuera de la oblea [13].

Spin coating

Dos de los problemas mas comunes en este proceso, son la formaron del llamado
borde de grano en la región externa de la oblea, y las burbujas de aire en la resina
reduciendo el rendimiento alcanzable. Además, problemas por mojado cuando esta girand
la oblea con el SU-8, en substratos con baja energía superficial, tales como el silicio, el
vidrio, el nitruro de titanio, y el oro nativo, lo que resulta en una capa no uniforme [6].

Cubierta (coat)

El SU-8 esta diseñado para reducir los defectos por cubierta de capa, en un amplio
rango de espesores. El espesor de la capa en relación con la velocidad se muestra en la
Figura 1. Con esta información se puede seleccionar el apropiado SU-8 y las velocidades
de ‘spin’ para alcanzar el espesor deseado.

Figura 1. Curvas velocidad de giro vs. espesor de diferentes SU-8 seleccionados.

Condiciones recomendadas de capa de cubierta:

(1) Dispensa estática: Aproximadamente 1 ml de SU-8 por pulgada de diámetro


en la oblea.
(2) Ciclo de expander el SU-8: Rampa de aceleración de 500 rpm a 100 rpm/seg.
Esto tomara 5 segundos.
(3) Ciclo de giro: Rampa final de velocidad de giro a una aceleración de 300
rpm/seg y mantener por un total de 30 segundos.

En la Tabla 1 se muestra una relación de la velocidad de giro contra el espesor


que se obtiene con la resina SU-8.

Tabla 1. Velocidad de giro contra espesor de SU-8

Horneado suave

Después de que la resina se haya aplicado al sustrato, se debe hornear para


evaporar el solvente y se densifique la capa de resina. El SU-8 se puede hornear a un
nivel de plato caliente, aunque también se puede usar un horno de convección. En la
Tabla 2 se muestran los tiempos de horneado de plato para el SU-8.

Tabla 2. Tiempos de horneado a diferentes temperaturas.

Exposición

Mientras se hace la exposición, ya sea con rayos UV, e-beam o radiación de rayos
X. El SU-8 esta optimizado para una exposición de luz UV con longitud de onda de 350-
400nm; y es casi insensible a longitudes mayores a 400 nm. La exposición ideal
dependerá del grosor del SU-8, donde a mayor grosor se requiere mayor exposición. La
figura 4 muestra recomendaciones de exposición según el grosor de la resina basado en
una longitud de onda de 365nm.
Figura 4. Exposición vs espesor de SU-8.

Horneado después de la exposición.

Este paso se puede llevara a cabo ya sea en las placas de calor o usando un horno
de conveccion. Para obtener optimos resultados se tiene que hacer cuidadosamente
algunos ajustes en la exposición y la post exposición.

En la tabla 4, muestra los resultados obtenidos con un plato de contacto caliente.

Tabla 4. Parámetros de exposición recomendados.

Revelado

Reposo de pre-revelado

Para lograr una superficie muy plana de SU-8, por ejemplo si se quiere lograr una
superficie muy plana, es necesario dejarlo en reposo por hasta 48 horas.
Recalentamiento de pre-revelado

Después del reposo de pre-revelado, las capas gruesas de SU-8 no siempre son
completamente planas, incluso hasta se pueden ver onduladas. Esto puede reducirse con
un recalentado de la oblea por unos pocos minutos a 65 C.

Revelado
En este paso, el SU-8 no reticulado es removido sumergiendo en solvente. Para
lograr una amplia relación de aspecto, se requiere una agitación de mediana a fuerte para
asegurarse que lo que no haya quedado expuesto se disuelva.

En la Tabla 5 se muestra los tiempos recomendados de revelado para los procesos


de inmersión.

Tabla 5. Tiempos recomendados para el revelado.

Enjuagado y secado

Después del revelado, el sustrato debe ser enjuagado por un tiempo corto con
alcohol isopropílico, para posteriormente secarlo con aire o nitrógeno a baja presión.
Si al momento de enjuagar se observa una capa blanca en el sustrato, esto indica que el
sustrato no ha sido revelado completamente, simplemente repita el paso del revelado
sobre el sustrato, y vuelva a comenzar con el enjuague.

Horneado fuerte (curado)

Debido a que el SU-8 tiene buenas propiedades mecánicas, normalmente esta


paso no es requerido. Solo que sea para aplicaciones donde el resist se tenga que dejar
como parte del dispositivo final, el resist debe hornearse en una rampa de temperatura de
150 a 200 C, en una placa de contacto caliente o en un horno de conveccion.

Remoción

Después del PEB, el SU-8 es una resina endurecida muy difícil de remover del
sustrato. Sin embargo, si en el primer paso antes de recubrir el sustrato con SU-8
aplicamos una capa de “OmniCoat” entonces podemos remover las estructuras de SU-8
con una inmersión en “Remover PG”.
Almacenamiento

Los sustratos deben ser almacenados en contenedores cerrados, a temperatura


baja, en ambiente seco y libre de luz solar.

Disposición

La resina SU-8 debe ser dispuesta en recipientes que contengan químicos


similares, en centros especiales para su deposición. Es responsabilidad del usuario
asegurarse que la disposición del SU-8 se lleva a cabo dentro de las normas de regulación
ambiental de su país.

La receta obtenida y que se llevo a cabo en el laboratorio es:

Step Vel. Rampa Tiempo


Spread Cycle 500 100 5 seg
Spin Cycle 2000 300 30 seg

Bake 2 min @ 65 C 5 min @ 95 C


PEB 1 min @ 65 C 2 min @ 95C
Develop 1 min

Referencias

[1] A. L. Bogdanov, "Use of SU-8 negative photoresist for optical mask manufacturing,"
presented at Advances in Resist Technology and Processing XVII, pp. 1215-1225, 2000.

[2] M. Shaw, D. Nawrocki, R. Hurditch, and D. Johnson, "Improving the process


capability of SU-8," Microsystem Technologies, vol. 10, pp. 1-6, 2003.

[3] MEMS-talk: SU-8 air bubble problem, MEMS-talk, 04.05.2005 00:39

[4] Microchem, Ltd., NANO SU-8: Negative Tone Photoresist Formulations 2-25,
www.Microchem.com, Accessed: 09.06.05.

[5] T. Kohlmeier and H. H. Gatzen, "Challenges in using photosensitive embedding


material to planarize multi-layer coils for actuator systems," Journal of Magnetism and
Magnetic Materials, vol. 242-245, pp. 1149-1152, 2002.

[6] J. Oberth, MEMS-talk:SU-8 air bubble problem, MEMS-talk, 30.04.2005 17:17