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Notas adicionales
El rizado: Para poder reducir el rizado de estas fuentes se puede incluir en su salida
un filtro RC (ver el diagrama) . La tensión de rizado dependerá de la carga que se tenga.
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Diodo avalancha
Fotodiodo
Principio de operación
Un foto diodo es una unión P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energía
llega al diodo,excita un electrón dándole movimento y crea un hueco con carga positiva.
Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de
difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de
agotamiento, produciendo una fotocorriente. Fotodiodos de avalancha Tienen una
estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los
portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del
diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo.
Composición
Fotodiodo.
El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir
sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud
de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8
µm ); o de cualquier otro material semiconductor. Material Longitud de onda (nm)
Silicio 190–1100 Germanio 800–1700 Indio galio arsénico (In Ga As?) 800–2600 sulfuro
de plomo <1000–3500 También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el
campo de los infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm), pero estos
requieren refrigeración por nitrógeno líquido. Antiguamente se fabricaban exposímetros
con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia.
Los diodos Gunn son parte esencial de la mayoría de los hornos microondas modernos.
Efecto Gunn
El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la
generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales
semiconductores. Gunn observó esta característica en el Arseniuro de Galio (Ga As) y el
Fósforo de Indio (InP) El efecto Gunn es una propiedad del cuerpo de los
semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco
depende de los valores de tensión y corriente y no es afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica una pequeña tensión continua a través de una plaquita delgada de
Arseniuro de Galio (Ga As), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo
esto bajo la condición de que la tensión en la plaquita sea mayor a los 3.3 voltios / cm.
Ahora, si esta plaquita es conectada a un circuito sintonizado (generalmente una
cavidad resonante), se producirán oscilaciones y todo el conjunto se puede utilizar como
oscilador. Este efecto sólo se da en materiales tipo N (material con exceso de
electrones) y las oscilaciones se dan sólo cuando existe un campo eléctrico. Estas
oscilaciones corresponden aproximadamente al tiempo que los electrones necesitan
para atravesar una plaquita de material tipo N cuando se aplica la tensión continua.
Resistencia negativa El Arseniuro de Galio (Ga As) es uno de los pocos materiales
semiconductores que en una muestra con dopado tipo N, tiene una banda de energía
vacía más alta que la más elevada de las que se encuentran ocupadas parcial o
totalmente. Funcionamiento de resistencia positiva: Cuando se aplica una tensión a la
plaquita (tipo N) de Arseniuro de Galio (Ga As), los electrones, que el material tiene en
exceso, circulan y producen una corriente al terminal positivo. Si se aumenta la tensión,
la velocidad de la corriente aumenta. Comportamiento típico y el gráfico tensión-
corriente es similar al que dicta la ley de Ohm. Funcionamiento de resistencia negativa:
Si a plaquita anterior se le sigue aumentando la tensión, se les comunica a los
electrones una mayor energía, pero en lugar de moverse más rápido, los electrones
saltan a una banda de energía más elevada, que normalmente esta vacía, disminuyen
su velocidad y por ende la corriente. De esta manera una elevación de la tensión en
este elemento causa una disminución de la corriente. Eventualmente, la tensión en la
plaquita se hace suficiente para extraer electrones de la banda de mayor energía y
menor movilidad, por lo que la corriente aumentará de nuevo con la tensión. La
característica tensión contra corriente se parece mucho a la del diodo Tunnel. La
aplicación más común es la del oscilador Jun
Diodo láser
El diodo láser es un dispositivo semiconductor similar a los diodos LED pero que
bajo las condiciones adecuadas emite luz láser. A veces se los denomina diodos
láser de inyección, o por sus siglas inglesas LD o ILD. Cuando un diodo
convencional o LED se polariza en directa, los huecos de la zona p se mueven
hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos están en la misma región, pueden recombinarse cayendo el
electrón al hueco y emitiendo un fotón con la energía correspondiente a la banda
prohibida (véase semiconductor). Esta emisión espontánea se produce en todos
los diodos, pero sólo es visible en los diodos LED que tienen una disposición
constructiva especial con el propósito de evitar que la radiación sea reabsorbida
por el material circundante, y una energía de la banda prohibida coincidente con
el espectro visible; en el resto de diodos, la energía se disipa en forma de
radiación infrarroja. En condiciones apropiadas, el electrón y el hueco pueden
coexistir un breve tiempo, del orden de milisegundos, antes de recombinarse, de
forma que si un fotón con la energía apropiada pasa por casualidad por allí
durante ese periodo, se producirá la emisión estimulada (véase láser), es decir,
al producirse la recombinación el fotón emitido tendrá igual frecuencia,
polarización y fase que el primer fotón. En los diodos láser, el cristal
semiconductor tiene la forma de una lámina delgada lográndose así una Los
fotones emitidos en la dirección adecuada se reflejarán repetidamente en dichas
caras estimulando a su vez la emisión de más fotones, hasta que el diodo
comienza a emitir luz láser, que al ser coherente debido a las reflexiones posee
una gran pureza espectral.
Diodo LED
Diodo PIN
Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la intermedia semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N (estructura P-I-N que da
nombre al diodo). Sin embargo, en la práctica, la capa intrínseca se sustituye bien por
una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por una capa n de alta resistividad (ν). El
diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como: • conmutador de RF • resistencia
variable • protector de sobretensiones • fotodetector Fotodiodo PIN El fotodiodo PIN es
uno de los fotodetectores más comunes, debido a que la capa intrínseca se puede
modificar para optimizar su eficiencia cuántica y margen de frecuencia. Conmutador El
diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad para
manejar alta potencia.
Diodo Schottky
El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado así en honor del físico alemán
Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rápidas entre los estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en
dipositivos pequeños de 5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también
conocidas como tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como “knee”, o
sea, de rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para
que el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de
lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo
suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de
corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente. Funcionamiento A
frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización
cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de
conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. El diodo
Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky), en
lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N utilizada por los
diodos normales. Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor
“portador mayoritario”. Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) jugaran un
papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria
y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales,
con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida. Características La alta
velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias y eliminar
excesos de corriente en circuitos de alta intensidad. A diferencia de los diodos
convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral —valor de la tensión en directa
a partir de la cual el diodo conduce— de 0,6 V, los diodos Schottky tienen una tensión
umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V empleándose, por ejemplo, como protección
de descarga de células solares con baterías de plomo ácido. La limitación más evidente
del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir resistencias inversas relativamente
elevadas cuando se trabaja con altos voltajes inversos pero el diodo Schottky encuentra
una gran variedad de aplicaciones en circuitos de alta velocidad para computadoras
donde se necesiten grandes velocidades de conmutación y mediante su poca caída de
voltaje en directo permite poco gasto de energía, otra utilización del diodo Schottky es
en variadores de alta gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador
no pase por el transistor del freno y este no pierda sus facultades.
Diodo Shockley
Símbolo del diodo Shockley. El 4 en el interior del círculo hace referencia a las 4 capas.
Gráfica V-I del diodo Shockley Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales
que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No
se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Está formado por cuatro capas de
semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor. La
característica V-I se muestra en la figura. La región I es la región de alta impedancia
(OFF) y la III, la región de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se
aumenta la tensión en el diodo hasta alcanzar Vs, tensión de conmutación. La
impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese
se incremente y disminuya la tensión, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la región III
(Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de
mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todavía más la
corriente, mientras aumenta la tensión en sus terminales, cruzando la región II, hasta
que alcanza el nuevo equilibrio en la región I (Punto A). Vrb es la tensión inversa de
avalancha.
Diodo túnel
El Diodo túnel es un diodo semiconductor que tiene una unión pn, en la cual se produce
el efecto túnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto
intervalo de la característica corriente-tensión. La presencia del tramo de resistencia
negativa permite su utilización como componente activo (amplificador/oscilador).
También se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubrió que una
fuerte contaminación con impurezas podía causar un efecto de tunelización de los
portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unión. Una característica
importante del diodo túnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de
voltajes de polarización directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente
disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo túnel puede funcionar como
amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un
dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que están
relativamente libres de los efectos de la radiación.
Diodo Varicap
Diodo Zener
Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las
zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo zener
es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes con independencia de
que se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la resistencia de carga y
temperatura. Símbolo esquemático El diodo Zener se representa en los esquemas con el
siguiente símbolo: en cambio el diodo normal no presenta esa curva en las puntas
Resistencia Zener Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna
en sus zonas P y N; al circular una corriente a través de éste se produce una pequeña
caída de tensión de ruptura. En otras palabras: si un diodo zener está funcionando en la
zona zener, un aumento en la corriente producirá un ligero aumento en la tensión. El
incremento es muy pequeño, generalmente de una décima de voltio.
Los diodos Zener mantienen la tensión entre sus terminales prácticamente constante,
cuando están polarizados inversamente, en un amplio rango de intensidades y
temperaturas, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos estabilizadores o
reguladores de la tensión tal y como el mostrado en la figura. Eligiendo la resistencia R
y las características del diodo, se puede lograr que la tensión en la carga (RL)
permanezca prácticamente constante dentro del rango de variación de la tensión de
entrada VS.
Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cuál puede ser
su valor máximo y mínimo, después elegiremos una resistencia R que se adecue a
nuestros cálculos.
DIODOS ZENER.- Se emplean para producir entre sus extremos una tensión constante e
independiente de la corriente que las atraviesa según sus especificaciones. Para
conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unión PN cuando se polariza
inversamente al llegar a la tensión de ruptura (tensión de zener), pues, la intensidad
inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destrucción del diodo por la
avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia
que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mínima de
250mW. Los encapsulados pueden ser de plástico o metálico según la potencia que
tenga que disipar.
Donde:
Características
del diodo Zener
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente.
Recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus
características de polarización directa y polarización inversa), conducen siempre en el sentido de
la flecha.
En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si eldiodo zener se
polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificadorcomún.
Cuando el diodo zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus
terminales un voltaje constante.
En el gráfico se ve el símbolo de diodo zener (A - ánodo, K - cátodo) y el
sentido de la corriente para que funcione en la zona operativa
Se analizará el diodo Zener, no como un elemento ideal, si no como un elemento real y se debe
tomar en cuenta que cuando éste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en
sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor.
Curva característica
del diodo Zener
Analizando la curva del diodo zenerse ve que conforme se va aumentando negativamente
elvoltaje aplicado al diodo, la corriente que pasa por el aumenta muy poco.
Pero una vez que se llega a un determinado voltaje, llamada voltaje o tensión de Zener(Vz),
el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño, pudiendo considerarse constante.
Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo zener, puede variar en un gran rango de valores.
A esta región se le llama la zona operativa.
Esta es la característica del diodo zener que se aprovecha para que funcione comoregulador de
voltaje, pues el voltaje se mantiene practicamente constante para una gran variación de corriente. Ver
el gráfico.