UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE

14-2-2022
COAHUILA

ELECTRONICA ANALOGICA

Alumno: Jair Lopez Meza

Profesor: José Baldemar Rebolledo Martínez
Tema 1) Transistor Bipolar (BJT)
¿QUÉ SON LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction
Transistor), son dispositivos semiconductores de estado sólido que permiten
controlar el paso de corriente o disminuir voltaje a través de sus terminales.
¿DONDE SE UTILIZAN LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el campo de la electrónica, pero
comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de
señales o como conmutadores de baja potencia. Como ejemplo se usan para
controlar motores, accionar reveladores y producir sonidos en bocinas. Estos
transistores son muy comunes y de uso general los cueles pueden encontrarse en
cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como en radios, alarmas, automóviles,
ordenadores, etc.
¿ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES BJT?
Los transistores BJT están formados por dos uniones de tipo “P y N” o bien de dos
diodos semiconductores. Existen dos tipos transistores BJT, el de tipo NPN y el PNP.
Las letras hacen referencia a las capas de material semiconductor que están
construidos.
 Transistor tipo NPN: Está formado por dos capas de material tipo “N” y
separadas por una capa tipo “P”.
 Transistor tipo PNP: Esta formada por dos capas de material tipo “P” y
separadas por una capa tipo “N”.
Estos transistores cuentan con tres terminales, emisor, base y colector. La zona
central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Estos pines se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emisor), B (base) y C
(colector).
 La zona de E (emisor), es la más fuertemente dopada, es la zona en cargada
de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
 La B (base), tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de
emisor. Se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas
exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores
inyectados por el emisor hacia el colector.
 La zona de C (colector), es encargada de recoger o “colectar” los portadores
inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte del emisor. Es
la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
  Para diferenciar los pines y el tipo de transistor NPN o PNP, debes identificar
la terminal del emisor, ya que esta tiene una flecha que cambia de dirección.
En las imágenes 1 y 2 podrás observar el esquemático del transistor tipo NPN
– PNP y te darás cuenta que lo único que lo diferencia es la orientación de la
flecha.

Las 3 configuraciones básicas de los transistores (BJT)

Los transistores bipolares son amplificadores de corriente ideales. Cuando se aplica
una pequeña señal al terminal de entrada, en los terminales de salida aparece una
reproducción ampliada de esta corriente. Aunque la señal de entrada puede
acoplarse al dispositivo de varias formas, solamente las tres configuraciones básicas
(base común, emisor común y colector común) resultan útiles en la práctica.
Montaje en Base Común
En la figura 2 se muestra un amplificador base común práctico. La señal se inyecta al
emisor a través de Ci y se extrae amplificada por el colector vía Co. La base,
conectada dinámicamente a tierra a través de Cb, actúa como elemento común a los
circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en
fase.
Montaje en Emisor Común
La señal se inyecta a la base a través de Ci y se recibe amplificada del colector vía
Co. El emisor, conectado dinámicamente a tierra a través de ce, actúa como
elemento común a los circuitos de entrada y de salida. Observe que, en este modo
de conexión, las señales de entrada y de salida siempre están en oposición de fase.

Montaje en Colector Común

En la figura 4 se muestra un amplificador colector común práctico. La señal se
introduce por la base a través de Ci y se extrae por el emisor vía Co. El colector,
conectado dinámicamente a tierra a través de Ce, actúa como elemento común a los
circuitos de entrada y de salida. Las señales de entrada y de salida siempre están en
fase. El montaje se denomina también seguidor de emisor.
El amplificador colector común se caracteriza por tener una alta impedancia de
entrada y una baja impedancia de salida. La ganancia de voltaje es siempre menor
que 1 y la de potencia es normalmente inferior a la que se obtiene con las
configuraciones base común o emisor común. Este montaje se utiliza principalmente
como adaptador de impedancias.
Montaje como Amplificador Diferencial
Una variación importante de los tres tipos fundamentales de amplificadores
discutidos anteriormente es el amplificador diferencial. En este caso, el voltaje de
salida es proporcional a la diferencia, con respecto a tierra, entre los voltajes
aplicados a los terminales de entrada. En la figura 5, por ejemplo, se muestra un
amplificador diferencial clásico con entradas y salidas balanceadas.

Transistor BJT corte y saturación en emisor común

Las terminales de un transistor BJT son E de emisor, B de base y C de colector. El
termino bipolar hace referencia a que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado. Se puede modelar
como la unión de 2 diodos.
Para determinar la corriente de saturación, consideramos el voltaje colector emisor
de la malla de salida igual a cero. Por lo tanto:
VCC=IC*RC+VCE | VCC=IC*RC+0
IC=VCC/RC
Para determinar el corte, consideramos que la corriente de base es igual a cero, por
lo tanto, la corriente de colector es igual a cero:
VCC=IC*RC+VCE | VCC=0*RC+VCE
VCE=VCC
Con estos dos puntos determinamos la recta de carga del transistor. La región
central se llama, región activa. Las regiones del extremo son regiones de saturación
y de corte.

Por último, considerando una carga de RC=6 Ohms y un voltaje de colector VCC =
2V y requiero 400mA para activar esta carga. La señal de entrada es de 3V. Por lo
tanto, tenemos que calcular la corriente de base para un transistor con una hfe de
160.
IB=IC/hfe=400mA/160=2.5mA. Para asegurar la región de saturación se recomienda
multiplicar la IB por 5. Por lo que nos quedaría en:
IB=12.5mA
Por lo tanto, la resistencia de base
VCC = RB*IB+VBE
RB = (VCC-VBE) /IB = (3V-0.7V) /12.5mA = 184 Ohms. Debido a que no existe una
de 184 podemos bajar un poco a un valor comercial, por ejemplo 180 Ohms.
Ganancia del transistor (Beta)
La ganancia de un transistor está determinada por su configuración. Los resultados
más comunes de configuración base resultan en una ganancia de voltaje, pero no en
una ganancia de corriente. La configuración de colector común tiene una ganancia
de corriente, pero no ganancia de tensión.
El parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del
transistor, relacionando la corriente de colector con la corriente de base, cuanto
mayor es el número de Beta más eficiente es el transistor, es decir que con una
corriente de base pequeña es capaz de entregar una corriente de colector grande
(ganancia de corriente del transistor), en algunos libro se lo suele encontrar como hfe
que también se refiere a la ganancia pero analizada desde los parámetros H de
teoría de cuadripolos.
Existe otro parámetro conocido como el Alpha del transistor, y hace referencia a la
relación entre la corriente de colector y la corriente de emisor, cuanto mas cercano a
uno sea esta relación menor perdida entre los terminales tendrá el transistor, Las
ecuaciones son las siguientes.

Tanto el Beta como el Alpha del transistor son datos que nos otorga el fabricante en
la hoja de datos del componente, a la hora de comprar un transistor se supone que
tenemos conocimientos de que características tiene que tener el transistor que
necesitamos. En el caso que desconfiemos del fabricante y queramos medir nosotros
mismos el Beta y el Alpha del transistor tenemos que responder la siguiente
pregunta.
Los parámetros eléctricos de la hoja de datos técnicos
La electricidad es una forma de energía basada en que la materia posee cargas
eléctricas positivas y negativas. Cuando varias cargas eléctricas están en reposo
relativo, se ejercen entre ellas fuerzas electrostáticas. Cuando las cargas están en
movimiento relativo, se establece una corriente eléctrica (la electricidad ya no es
estática) y se crean además campos magnéticos.
Los parámetros básicos que permiten cuantificar esta forma de energía son: la
tensión o voltaje (que se mide en voltios, V), la corriente o intensidad eléctrica (que
se mide en amperios, A), la potencia eléctrica (que se mide en vatios, W) y la energía
eléctrica producida/consumida (que se mide en vatios-hora, Wh). A partir de estas
unidades de medida básicas, se definen sus múltiplos, que son más utilizados en la
práctica: kilovoltios (kV), kiloamperios (kA), kilovatios (kW), gigavatios (GW),
gigavatios-hora (GWh), etc.
Funcionamiento en configuración en emisor común (polarización fija o divisor
de tensión)

Polarización fija: El circuito estará formado por un transistor NPN, dos resistencias
fijas: una en la base RB (podría ser variable) y otra en el colector RC, y una batería o
fuente de alimentación Vcc. Este circuito recibe el nombre de circuito de polarización
fija y determina el punto Q de reposo del transistor para unos valores dados de Vcc,
RB y RC. Es el circuito más sencillo, pero también el más inestable con las
variaciones de la temperatura.
Concepto amplificación de corriente
El concepto de amplificación tiene que ver no solo con la capacidad para aumentar
de tamaño una señal eléctrica (en forma de voltaje o corriente) sino con la capacidad
entregarla a otra instancia (denominada carga) con más energía de la que tenía
originalmente. Por ejemplo, un transformador eléctrico que reciba en el devanado
primario una señal de voltaje senoidal con una amplitud de 5 volts puede entregar en
la salida otra señal de voltaje senoidal con una amplitud 50 volts si el número de
vueltas del devanado secundario es 10 veces mayor que el del primario. Sin
embargo, esta señal de salida no contiene más energía que la señal de la entrada,
sino que es menor. Por esta razón el transformador no se considera un elemento de
amplificación sino de transformación.
Lo que hace realmente útil al transistor como elemento de circuito es su capacidad
de amplificar señales. A diferencia de los elementos clásicos de dos terminales (la
resistencia, el capacitor y el inductor) las tres terminales del transistor lo convierten
en un sistema que incluye una fuente de energía en su operación. Esta fuente, que
sirve para polarizar el transistor tal como se vio en la unidad anterior, permiten que la
corriente del colector disponga de más energía que la corriente de la base a la vez
que guarda una dependencia lineal con ella (el factor beta).
El funcionamiento del BJT como conmutador
En un transistor BJT configurado como conmutador se hace que el voltaje colector
emisor VCE salte entre dos zonas: zona de saturación (voltaje de polarización) y
zona de corte (cero voltios). Para lograr esto se debe hallar una resistencia de base
que nos garantice dicha conmutación. Las ecuaciones de diseño para hallar esta
resistencia son las siguientes:

Donde IC es corriente de colector, IB es corriente de base, Vcc es el voltaje de

polarización, β es la ganancia en corriente del transistor también llamada hfe, VBE es
el voltaje base-emisor que tiene un valor típico de 0.7 voltios, VIN es el voltaje de
entrada al transistor, RL es la resistencia de carga y RB es la resistencia de base.
Tema 2) Transistor de efecto de campo (FET).
Hay dos variedades fundamentales de FET: el transistor de efecto de campo de
juntura (JFET) y el transistor de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), o
más comúnmente transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor
(MOSFET). Ambos están disponibles en dos clases (canal N y canal P). Dentro de
los MOSFET se distinguen los de enriquecimiento o normalmente abiertos y los de
empobrecimiento o normalmente en conducción.
Identificar las regiones de operación del MOSFET y su polarización.
Cuando ya existe canal inducido y V DS va aumentando, el canal se contrae en el lado
del Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, más
baja y la zona de transición más ancha. Es decir, siempre que exista canal
estaremos en región óhmica y el dispositivo presentará baja resistencia.

La operación de un transistor MOSFET se puede dividir en tres regiones de

operación diferentes, dependiendo de las tensiones en sus terminales. Para un
transistor MOSFET N de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones: región de
corte, región óhmica y región de saturación.
Región de corte: El transistor estará en esta región, cuando VGS < Vt. En estas
condiciones el transistor MOSFET, equivale eléctricamente a un circuito abierto,
entre los terminales del Drenador-Surtidor. De acuerdo con el modelo básico del
transistor, en esta región, el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción
entre Drenador y Surtidor, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto.
Región óhmica: Cuando un MOSFET está polarizado en la región óhmica, el valor de
RDS(on) viene dado por la expresión:
VDS(on) = ID(on) x RDS(on)
En casi todas las hojas de datos, asocian el valor de R DS(on) a una corriente de
Drenaje (ID) específica y el voltaje Puerta-Surtidor.
Por ejemplo, si V DS(on)=1V y ID(on)=100mA = 0’1 A; entonces,
Rds(on)=    1V     = 10 Ohms
100mA
Así mismo, el transistor estará en la región óhmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS –
Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia varía dependiendo del valor que tenga la tensión
entre la Puerta y el Surtidor (V GS).
Región de Saturación: El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento
cuando la tensión entre el Drenador y el Surtidor (V DS) supera un valor fijo
denominado tensión de saturación (V ds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene
determinado en las hojas características proporcionadas por el fabricante. En esta
zona, el MOSFET mantiene constante su corriente de Drenador (I D),
independientemente del valor de tensión que haya entre el Drenador y el Surtidor
(VDS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de corriente continua de
valor ID.
Es decir; el MOSFET estará en esta región, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS – Vt ).
O sea, estaremos en la región de saturación cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
VDS ≥ VGS – VT → Región de saturación
Cuando la tensión entre Drenador y Fuente supera cierto límite, el canal de
conducción, bajo la Puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del Drenador
y desaparece. La corriente entre Fuente y Drenador no se interrumpe, es debido al
campo eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de
potencial entre ambos terminales.

En la figura anterior, la parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte

casi horizontal corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento, puede
funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una
resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal está en la zona óhmica.
Región de Ruptura: Esta zona apenas se utiliza porque el transistor MOSFET pierde
sus propiedades semiconductoras y se puede llegar a romper el componente físico.
La palabra ruptura hace referencia a que se rompe la unión semiconductora de la
parte del terminal del drenador.
Los transistores unipolares están limitados en tres magnitudes eléctricas:
 En tensión: no se puede superar el valor máximo de tensión entre la puerta y
el surtidor. Este valor se denomina BVgs. Tampoco se puede superar un valor
máximo de tensión entre el drenador y el surtidor denominado BVds.
 En corriente: no se puede superar un valor de corriente por el drenador,
conocido como Idmax.
 En potencia: este límite viene marcado por Pdmax, y es la máxima potencia
que puede disipar el componente.
Parámetros eléctricos del MOSFET en la hoja de datos técnicos
Las características fundamentales de los MOSFETS son las siguientes:
 Máxima tensión drenador-fuente
 Máxima corriente de drenador
 Resistencia en conducción
 Tensiones umbral y máximas de puerta
 Velocidad de conmutación
1. Máxima tensión drenador-fuente: Corresponde a la tensión de ruptura de la unión
que forman el substrato (unido a la fuente) y el drenador. Se mide con la puerta
cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué pequeña circulación de corriente
corresponde (por ejemplo, 0,25 mA). Ayuda a clasificar los MOSFETS en:
Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V
Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V
Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V
La máxima tensión drenador-fuente de representa como VDSS o como V(BR)DSS.
2. Máxima corriente de drenador: El fabricante suministra dos valores (al menos):
 Corriente continua máxima ID
 Corriente máxima pulsada IDM
La corriente continua máxima ID depende de la temperatura de la cápsula, Por
ejemplo: a 100ºC, ID=23·0,7=16, 1A.
3. Resistencia de conducción: Es uno de los parámetros más importante en un
MOSFET. Cuanto menor sea, mejor es el dispositivo.
Se representa por las letras RDS (on).
Para un dispositivo particular, crece con la temperatura Para un dispositivo particular,
decrece con la tensión de puerta. Este decrecimiento tiene un límite.
Comparando distintos dispositivos de valores de ID semejantes, RDS (on) crece con
el valor de VDSS.
En los últimos tiempos se han mejorado sustancialmente los valores de RDS (on) en
dispositivos de VDSS relativamente alta (600-1000 V).
4. Tensiones umbral y máximas de puerta: La tensión puerta fuente debe alcanzar un
valor umbral para que comience a haber conducción entre drenador y fuente. Los
fabricantes definen la tensión umbral VGS(TO) como la tensión puerta-fuente a la
que la corriente de drenador es 0,25 mA, o 1 mA Las tensiones umbrales suelen
estar en el margen de 2-4 V.
La tensión umbral cambia con la temperatura.
La máxima tensión soportable entre puerta y fuente es típicamente de ± 20V.
5. Velocidad de conmutación: Los MOSFET de potencia son más rápidos que otros
dispositivos usados en electrónica de potencia (tiristores, transistores bipolares,
IGBT, etc.). Los MOSFET de potencia son dispositivos de conducción unipolar. En
ellos, los niveles de corriente conducida no están asociados al aumento de la
concentración de portadores minoritarios, que luego son difíciles de eliminar para
que el dispositivo deje de conducir.
La limitación en la rapidez está asociada a la carga de las capacidades parásitas del
dispositivo. Se pueden distinguir esencialmente tres:
Capacidad de lineal, CGS
Capacidad de transición, CDS
Capacidad Miller, no lineal, CDG (muy importante)
Los fabricantes de MOSFET de potencia suministran información de tres
capacidades distintas de las anteriores, pero relacionadas con ellas:
 Ciss = Cgs + Cgd con Vds=0 (aproximadamente capacidad de entrada)
 Crss = Cdg (capacidad Miller)
 Coss = Cds + Cdg (aproximadamente capacidad de salida)
La carga y la descarga de estas capacidades parásitas generan pérdidas que
condicionan las máximas frecuencias de conmutación de los MOSFET de potencia.
Además, en general estas capacidades parásitas retrasan las variaciones de tensión,
ocasionando en muchos circuitos convivencia entre tensión y corriente, lo que
implica pérdidas en el proceso de conmutación.