Cuestionario de trabajo del Tema 3º.

El transistor bipolar (BJT)

1.- Describe y comenta brevemente la estructura física típica de un BJT PNP

enfatizando las diferencias entre los terminales de colector y emisor y las consecuencias
que tiene esto en las zonas de operación activa e inversa del transistor.

2.- Describe en forma resumida las zonas de operación del BJT y sus principales
características.

3.- Dibuja un esquema con las corrientes que circulan por un BJT PNP polarizado en
zona activa y describe la naturaleza de cada una de las componentes de las intensidades
de emisor, base y colector.

4.- Considerando un BJT PNP operando en el extremo de la zona de saturación (IC > 0),
(VEB > VCB), repite el ejercicio anterior.

5.- Repite el ejercicio anterior para un BJT PNP operando en zona de corte.

6.- Explica por qué en un BJT PNP la corriente IBC0 no tiene componente apreciable de
corriente de huecos de la base hacia el colector.

7.- Describe lo que se conoce como “efecto transistor” de forma detallada, basándote en
las intensidades circulantes por un BJT PNP polarizado en zona activa.

8.- Define los coeficientes “factor de transporte de la base” (αT) y “eficiencia de

inyección” (γ) de un BJT polarizado en zona activa, indicando los parámetros físicos del
transistor de los que dependen y cuáles son sus valores máximo y mínimo.

9.- Consideremos un BJT PNP en equilibrio térmico con NE = 5 · 1017 cm-3, NB = 1015
cm-3 y NC = 1014 cm-3. (ni = 1010 cm-3; kT = 0,026 eV)

a) Traza el diagrama de bandas de energía e indica las posiciones de los niveles EC y EV

con respecto a EF en cada región (en unidades kT)
b) Representa las densidades de carga y calcula los campos eléctricos máximos.
c) Dibuja la curva del potencial considerando que éste es nulo en la región de emisor.
d) Calcula la diferencia de potencial interno entre el emisor y el colector.

10.- Consideremos el transistor del problema anterior con una polarización de VEB = 0,5
V y VCB = -2 V.

a) Representa el diagrama de bandas de energía con respecto al diagrama de equilibrio

térmico.
b) ¿ Cuál es la barrera de potencial para la difusión de huecos desde el colector hacia la
base ?.
c) ¿ Cuál es la barrera de potencial para la difusión de huecos desde el emisor hacia la
base ?.

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11.- Para un BJT PNP con IEp = 1 mA, IEn = 0,01 mA, ICp = 0,98 mA e ICn = 0,1 µA,
calcula:

a) El factor de transporte de la base.

b) La eficiencia de inyección de emisor.
c) αcc y βcc y el valor de IB
d) IBC0 e IEC0
e) Si ICp = 0,99 mA, calcula βcc e IB
f) Si e IEn = 0,005 mA, calcula βcc e IB
g) ¿ Cómo cambiará βcc si aumenta IEn ?

12.- Si el transistor del ejercicio 9 tiene una longitud de la base metalúrgica de WBB = 2
µm:

a) ¿ Cuál es la longitud W de la zona casi neutra de la base ?

b) ¿ Cuál es la tensión inversa máxima que puede aplicarse a la unión base-colector ?.
(Suponiendo VBE = 0 V)

13.- Un BJT PNP tiene una longitud de base W mucho menor que la longitud de
difusión de sus portadores minoritarios. Deduce una ecuación que calcule la eficiencia
de inyección de emisor para VCB = 0 y suponiendo que todas las uniones son abruptas y
que los dopados de las tres regiones son uniformes. ¿ Cómo afecta a βcc una
disminución de la longitud de la base ?

14.- Indica la relación que debe existir entre VEB y VCB para que en un B.J.T. que opera
en zona de saturación se verifique:

a) IE = 0
b) IC = 0

15.- Comenta brevemente el modelo de circuito de Ebers-Moll del BJT PNP resaltando
las diferencias entre el BJT y dos diodos en serie con el cátodo común. ¿ Cuál de los dos
parámetros, αF o αR, es mayor ?. Razónalo en base a sus expresiones algebraicas.

16.- Calcula IBC0 en función de los coeficientes de Ebers-Moll.

17.- Calcula IEC0 en función de los coeficientes de Ebers-Moll. Obtén la relación entre
IBC0, IEC0 y βcc.

18.- Explica por qué la corriente IEC0 es mayor que IBC0.

19.- Considérese un BJT ideal con los siguientes parámetros:

nE0 = 2,56·102 cm-3 pB0 = 6,39·103 cm-3 nC0 = 4,92·105 cm-3

LE = 22,8·10-4 cm LB = 46,9·10-4 cm LC = 39,5·10-4 cm
DE = 5,18 cm2s-1 DB = 22 cm2s-1 DC = 15,6 cm2s-1
W = 4 µm

a) Calcula IEn, IEp, IE, ICn, ICp e IC

b) Calcula IB1 e IB3. ¿ Qué porcentaje de IB total es IB3 ?
c) Calcula γ, αcc y βcc.

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20.- Si en el problema anterior se reduce la longitud de la base a la mitad, 2 µm:

a) Calcula los nuevos valores de αcc y βcc.

b) Calcula el nuevo valor de IEp y compáralo con su valor original.
c) ¿ Cómo afectó este cambio a la eficiencia de inyección de emisor ?

21.- Para el transistor del ejercicio 18, calcula sus coeficientes de Ebers-Moll y analiza
la característica I-V de salida en emisor común desde la región activa hasta la de
saturación profunda, con IB = 2 µA, representando IC en función de VEC para los
siguientes valores de VCB:

a) VCB = -1 V b) VCB = 0 V c) VCB = + 0,45 V

¿ Qué se puede decir sobre el valor de polarización directa en VCB necesaria para reducir
significativamente IC desde su valor en la región activa ?.

22.- Considera un transistor ideal en el que se ha reducido drásticamente la longitud

(WE) del emisor, de forma que WE << LE. Teniendo en cuenta que, debido al contacto
metálico de emisor, el incremento de portadores minoritarios en su extremo es nulo
(∆n (x”= WE) = 0) y considerando que el transistor está en zona activa, calcula:

a) La componente IEn de la corriente de emisor y la corriente total de emisor.

b) La eficiencia de inyección.
c) El valor de βcc. ¿ Es mayor o menor que la de un transistor con espesor de emisor
grande ?.
d) Si se añade una capa de polisilicio entre el emisor y el contacto metálico con un
grosor mucho mayor que LE, se verifica que ∆n (x”= WE) = K. Calcula para este nuevo
dispositivo IEn, IE y βcc. ¿ Cómo varía el valor de este último parámetro en comparación
con el del transistor descrito anteriormente ?.

23.- Consideremos un BJT PNP con recombinación en la base, cuya longitud es W. Si W

es mucho mayor que LB:

a) Describe cómo se comportaría el dispositivo.

b) Qué ecuaciones de IE, IC e IB describirían el comportamiento del dispositivo ?.

24.- Consideremos un BJT PNP con ∆pB (0) = 7,883·1014 cm-3 y ∆pB (W) = -6,39·103
cm-3. Representa en una misma gráfica ∆pB (x) para el dispositivo ideal y para el caso en
que se considere la recombinación en la base. Como ejemplo, tomar W = 25,4 µm y LB
= 46,9 µm. ¿ Qué se puede decir sobre la pendiente de ∆pB en x = 0 y x = W en
comparación con el caso ideal ?. ¿ Qué representa el área entre los dos diagramas ?.

25.- Considerando los datos del ejercicio 19 y considerando el modelo “casi ideal”:

a) Calcula IB2 y compárala con IB1 e IB3

b) ¿ Es significativa la recombinación en la base ?.
c) Calcula αcc y βcc considerando el dispositivo “casi ideal”.

26.- Un BJT PNP ideal en la región activa tiene IE = 961,3 mA, VEB = 0,65 V y W = 3
µm.

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a) Si se incluyen los efectos de modulación de la longitud de la base, ¿ cuál es la
variación de IE con respecto a W ?.
b) Si W queda únicamente determinado por WB – xn, donde xn ≈ K (-VCB)1/2, ¿ cuál es la
variación de IE respecto a VCB ?.
c) Para VEB fijo, determinar la ecuación que proporcione la variación de IB respecto a
VEC si el transistor es casi ideal.

27.- La variación de IC frente a VEC de un BJT PNP en su zona activa con IB constante
es consecuencia de la modulación de la longitud de la base. Deduce una expresión de
dicha variación suponiendo una unión B-C abrupta y que | VCB | >> Vbi.

28.- Explica cómo afecta la recombinación en la base a ICE0 del dispositivo casi ideal
respecto al ideal.

29.- Dos transistores PNP, BJT1 y BJT2 son idénticos, con excepción de la anchura de
sus bases, que cumplen que WB1 > WB2. Bajo idénticas condiciones de polarización,
explica cuál de ellos tendrá mayor:

a) Eficiencia de inyección.
b) factor de transporte de base.
c) βdc
d) sensibilidad a la modulación de la anchura de la base.
e) tensión de perforación VCB.