Supongamos que es positiva 𝑃2 con relación a 𝑁1 , entonces las uniones J1 y J3 emiten

portadores positivos y negativos respectivamente hacía las regiones 𝑁2 𝑦 𝑃1 ; estos

portadores tras difundirse en las bases de los transistores, llegan a la unión J2 donde la
carga espacial crea un intenso campo eléctrico.
Siendo ∝2 la ganancia corriente que da la fracción de la corriente de huecos inyectadas
en el emisor y que llegan al colector del transistor PNP, y siendo por otro lado ∝1 la
ganancia de corriente que da la fracción de corriente de electrones inyectados en el emisor
que llega al colector del transistor NPN entonces se puede afirmar que:

𝐼𝐶2 =∝2 𝐼𝐸2 = ∝2 𝐼𝐴 ; 𝐼𝐶1 =∝1 𝐼𝐸1 =∝1 𝐼𝐴

La corriente total de ánodo 𝐼𝐴 , es evidentemente la suma de 𝐼𝐶1 𝑒 𝐼𝐶2 , a la que hay que
agregar la corriente fuga residual que pasa por la unión J2 (𝐼𝐶𝐵𝑂1 𝑒 𝐼𝐶𝐵𝑂2 ) que lo llamaremos
𝐼𝐶𝑥 , entonces:

𝐼𝐴 = 𝐼𝐶1 + 𝐼𝐶2 + 𝐼𝐶𝑥 , 𝐼𝐶𝑥 = 𝐼𝐶𝐵𝑂1 + 𝐼𝐶𝐵𝑂2

𝐼𝐶𝑥
𝐼𝐴 =∝1 𝐼𝐴 +∝2 𝐼𝐴 + 𝐼𝐶𝑥 → 𝐼𝐴 =
[1 − (∝1 +∝2 )]

Pero en muchos transistores de silicio la ganancia ∝ baja para valores reducidos de

corriente y aumenta cuando crece la corriente. Por lo tanto, sí ∝1 + ∝2 <<1, 𝐼𝐴 ≡
𝐼𝐶𝑥 , en este caso se dice que el tiristor está bloqueado.
Pero si 𝐼𝐶𝑥 , aumenta también ∝1 +∝2 , de tal manera que se acerca a 1 y la corriente
𝐼𝐴 tiende a infinito, en este caso el tiristor se dispara o se activa.