Sistemas Optoelectrónicos.

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3- DETECTORES DE RADIACIÓN
3.1. PARÁMETROS DE LOS DETECTORES
Para caracterizar un detector y determinar si su funcionamiento es bueno o no se utilizan diferentes
parámetros:
- Responsividad: salida eléctrica para una entrada dada de radiación infrarroja.
- Ruido: señal no deseada que tiende a enmascarar a la verdadera.
- Relación señal a ruido: medida de la fidelidad de la señal recibida.
- Potencia equivalente de ruido: mínima potencia infrarroja que se puede detectar.
- Linealidad: indica cómo de bien la salida sigue a la potencia de infrarrojos de entrada.
- Margen dinámico: margen de niveles de la señal de entrada para el cual el detector es útil.
- Respuesta en frecuencia: variación de la responsividad con la frecuencia eléctrica.
- Respuesta espectral: variación de la responsividad con la longitud de onda de la radiación de entrada.

3.2. TIPOS DE DETECTORES

Hay dos tipos principales de detectores de radiación infrarroja:
 detectores cuánticos y
 detectores térmicos.

Los detectores cuánticos o fotónicos generalmente responden a la radiación incidente a nivel

electrónico, induciéndose pares electrón-hueco en el material sensible. Como no es necesario que se
produzca un calentamiento de toda la estructura atómica estos sensores son muy rápidos y tienen una
alta sensibilidad. Sus inconvenientes son que tienen corrientes de oscuridad y que su respuesta depende
de la longitud de onda.
Existen dos clases de detectores cuánticos:
 fotoconductores y
 fotovoltaicos

En el primer caso la conductividad del material aumenta debido a la aparición de portadores generados
por la incidencia de fotones; en el segundo, el detector proporciona una fuerza electromotriz al recibir
los fotones, y esta fuerza electromotriz origina una corriente y un voltaje.

En los detectores térmicos la energía de la radiación recibida se transforma en calor. Estos sensores son
más lentos y su sensibilidad es menor, pero el hecho de que su respuesta sea igual para todo el espectro
hace que sean muy utilizados para ciertas aplicaciones, como por ejemplo la detección de infrarrojos.
Los detectores térmicos más corrientes son las termopilas y los bolómetros. Las termopilas son los
sensores de radiación más antiguos; son termopares que generan un voltaje que depende de su
temperatura, por lo que un aumento de la potencia infrarroja incidente causa un aumento de la tensión
de la termopila.
Los bolómetros son detectores térmicos cuya resistencia depende de su temperatura; así, midiendo la
variación de la resistencia del bolómetro se puede conocer la cantidad de energía radiada que está
recibiendo.
Casi todos los detectores necesitan refrigeración, bien porque no funcionan a temperatura ambiente o
bien porque lo hacen mucho mejor a bajas temperaturas, y esto complica su uso, ya que es necesario
algún método de refrigeración. Sin embargo, una de las características más importantes de los
bolómetros es que trabajan a temperatura ambiente, lo cual abarata extraordinariamente el sensor.

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3.3. DETECTORES TÉRMICOS
El efecto termoeléctrico fue observado por Thomas Seebeck a mediados del siglo XIX.
Cuando se calienta la unión entre dos materiales distintos, se crea una diferencia de potencial en los
extremos no calentados (fríos) y circula, si se juntan dichos extremos, una corriente eléctrica.

Treinta años después, Jean Peltier descubrió

que la circulación de corriente en esas
circunstancias causa absorción o liberación de
calor.
Lord Kelvin (William Thomson) relacionó
luego ambos enunciados en un tercer efecto
termoeléctrico, llamado luego “efecto
Thomson”, que establece que, al circular una
corriente en la dirección de un gradiente
térmico por un conductor homogéneo, se
establece un efecto calefactor o refrigerante
lateral.
La teoría básica de los generadores y
refrigeradores termoeléctricos se terminó de
delinear a principios del siglo XX. Para
aplicaciones prácticas se necesitaban materiales
con un alto coeficiente Seebeck, alta
conductividad eléctrica y baja conductividad Figura 1: Efecto Sheebec
térmica.
La tecnología de semiconductores permitió obtener materiales adecuados a partir de la década del 40.
Ya en la segunda guerra mundial Rusia utilizó generadores termoeléctricos a base de antimonio-zinc
para alimentar equipos de comunicaciones militares.
En la década del 50, se desarrollaron las primeras Termocuplas para sistemas de seguridad por falta de
llama, que resultaron la aplicación más masiva del efecto termoeléctrico y que se encuentran hoy en día
en casi todos los calefones, termotanques, hornos y calefactores a gas domiciliarios.
Con el correr de los años se fabricaron generadores termoeléctricos (conocidos como TEG por su sigla
en inglés: Thermo Electric Generator) con diversos materiales semiconductores y con resultados
variados.

Termocuplas.
Las termocuplas son el sensor de temperatura más común utilizado en la industria.
Una termocupla se hace con dos alambres de distinto material unidos en un extremo (soldados
generalmente). Al aplicar temperatura en la unión de los metales se genera un voltaje muy pequeño
(efecto Seebeck) del orden de los mili volts el cual aumenta con la temperatura.
Por ejemplo, una termocupla "tipo J" está hecha con un alambre de hierro y otro de constantán
(aleación de cobre y níquel) Al colocar la unión de estos metales a 750 °C, debe aparecer en los
extremos 42.2 mili volts

Existen una infinidad de tipos de termocuplas, en la tabla aparecen algunas de las más comunes, pero
casi el 90% de las Termocuplas utilizadas son del tipo J o del tipo K.
Las termocuplas tipo J se usan principalmente en la industria del plástico, goma (extrusión e inyección)
y fundición de metales a bajas temperaturas.

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La termocupla K se usa típicamente en fundición y hornos a temperaturas menores de 1300 °C, por
ejemplo fundición de cobre y hornos de tratamientos térmicos.
Las termocuplas R, S, B se usan casi exclusivamente en la industria siderúrgica (fundición de acero)
Finalmente las tipo T eran usadas hace algún tiempo en la industria de alimentos, pero han sido
desplazadas en esta aplicación por los Pt100.

La dependencia entre el voltaje entregado por la termocupla y la temperatura no es lineal (no es una
recta), es deber del instrumento electrónico destinado a mostrar la lectura, efectuar la linealización, es
decir tomar el voltaje y conociendo el tipo de
termocupla, ver en tablas internas a que temperatura
corresponde este voltaje.

El principal inconveniente de las termocuplas es su

necesidad de "compensación de cero". Esto se debe
a que en algún punto, habrá que empalmar los cables
de la termocupla con un conductor normal de cobre.
En ese punto se producirán dos nuevas termocuplas
con el cobre como metal para ambas, generando
cada una un voltaje proporcional a la temperatura de
ambiente (Ta) en el punto del empalme.
Antiguamente se solucionaba este problema
colocando los empalmes en un baño de hielo a cero
grados para que generen cero tensión.
Actualmente todos los instrumentos modernos

miden la temperatura en ese punto (mediante

un sensor de temperatura adicional) y la
suman para crear la compensación y obtener
así la temperatura real.
El punto de empalme (llamado "unión o
juntura de referencia") es siempre en el
conector a la entrada del instrumento pues
ahí está el sensor de temperatura. De modo
que es necesario llegar con el cable de la termocupla hasta el mismo instrumento.

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Termopilas o generadores termo eléctricos
Un generador termoeléctrico convierte directamente calor en electricidad. El calor induce la circulación
de una corriente eléctrica al fluir desde el quemador de gas a través del módulo termoeléctrico
(termopila). Para generar electricidad mediante
el efecto termoeléctrico se necesitan un
módulo termoeléctrico y una diferencia de
temperatura entre ambas caras del mismo.
Dado que la circulación de corriente también
genera migración de calor, las fuentes caliente
y fría deberán aportar y disipar calor
continuamente para mantener esa diferencia.
En la práctica los elementos básicos de los
generadores termoeléctricos son tres:
• Fuente caliente: quemador o calefactor
catalítico a gas en casi todos los casos.
• Dispositivo de conversión de energía:
módulo termoeléctrico o termopila.
• Fuente fría: disipador de aluminio aletado,
tubos refrigerantes o radiadores.
Los elementos termoeléctricos generan en una
tensión muy baja (mV) pero suelen tener una
buena capacidad de corriente. Por ejemplo, en Figura 2: Esquema TEG
el caso de las termocuplas usadas en los
dispositivos de seguridad de llama domiciliarios la corriente generada en base a la llama piloto es
suficiente para mantener la válvula de seguridad abierta, oponiéndose al resorte que tiende a cerrarla.
Un módulo termoeléctrico o termopila consiste generalmente en varios elementos semiconductores (a
veces cientos de ellos) con dopaje P y N conectados eléctricamente en serie y térmicamente en paralelo
(figuras 3 y 4).
Los generadores se completan con diversos sistemas auxiliares,
como ser los de gestión de combustible, ajuste de aire,
seguridad, encendido y acondicionamiento de la tensión de
salida.
El corazón de los generadores termoeléctricos es el módulo
termoeléctrico. Se han ensayado e incluso construido
generadores con diversas mezclas de materiales
semiconductores (con sus correspondientes dopajes P y N),
como ser:
• antimonio-zinc
• silicio-germanio
• bismuto-telurio
• plomo-estaño-telurio

Respecto de la fuente de calor, hay sistemas catalíticos o de

Figura 3: Elemento termo eléctrico quemador convencional, casi siempre a gas, ya sea natural,
licuado o de boca de pozo. Actualmente alrededor del 95% del
mercado mundial se satisface con generadores a quemador convencional (no catalítico) alimentado a
gas y termopilas selladas de plomo-estaño-telurio.
Las ventajas de estas tecnologías son:
• Quemador vs. calentador catalítico. El quemador permite desarrollar temperaturas mucho más altas,
presenta una resistencia superior a impurezas en el gas y tiene mayor vida útil (hasta 20 años según el
caso).

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• Material y tecnología del módulo termoeléctrico. Los módulos de Pb-Sn-Te sellados e inertizados
trabajan a mayor temperatura que las termopilas abiertas, con mayor durabilidad (por estar inertizadas),
densidad de potencia y eficiencia (debido al mayor salto térmico).

La figura 4 muestra una termopila de Pb-Sn-Te a medio

construir. Genera 120 W a 6.7 V y cuenta con 80
termocuplas (160 elementos). Cada termocupla genera 84
mV, con una corriente de 18 A y con una temperatura de
540ºC en la cara caliente y 140ºC en la fría.

Figura 4: Termo pila a medio construir

Celdas Peltier
El efecto Peltier consiste en hacer pasar una corriente por un circuito compuesto de materiales
diferentes cuyas uniones están a la misma temperatura, se produce el efecto inverso al Seebeck (efecto
termoeléctrico). En este caso, se absorbe calor en una unión y se desprende en la otra. La parte que se
enfría suele estar cerca de los 10º C., mientras que la parte que absorbe calor puede alcanzar
rápidamente los 80º C.

Lo que lo hace aún más interesantes es el

hecho de que, al invertir la polaridad de
alimentación, se invierta también su
funcionamiento; es decir: la superficie que
antes generaba frío empieza a generar calor,
y la que generaba calor empieza a generar
frío.

Gracias a los inmensos avances en el campo

de semiconductores, hoy en día, se
construyen sólidamente y en tamaño de una
moneda. Los semiconductores están
fabricados con Teluro y Bismuto para ser
Figura 5: Detalle celda Peltier
tipo P o N (buenos conductores de
electricidad y malos del calor) y así facilitar el trasvase de calor del lado frío al caliente por el efecto de
una corriente continua

Como todo en esta vida, las unidades Peltier también tienen algunos inconvenientes a tener en cuenta.
Con el alto consumo eléctrico, o dependiendo de la temperatura y la humedad puede producirse
condensación y en determinadas condiciones incluso puede formarse hielo.

Este efecto es reversible e independiente de las dimensiones del conductor. Depende solo del tipo de
metal y de la temperatura de la unión.

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Bolómetro
Instrumento muy sensible, ideado por S. P. Langley para descubrir o medir cantidades muy pequeñas
de energía radiante, especialmente en la región del infrarrojo. En una de sus modalidades, el dispositivo
detector se compone de dos láminas cortas, estrechas y muy delgadas, de metal, generalmente de
platino, que tienen la misma resistencia eléctrica. Dichas láminas, ennegrecidas por una de sus caras,
están conectadas a las ramas opuestas de un Puente de Wheatstone, de manera que la radiación incida
sobre la cara ennegrecida de una de las láminas,
pero no sobre la otra lámina que se ha protegido
convenientemente. Al absorber la radiación, la
temperatura de la lámina se eleva algo y su
resistencia eléctrica experimenta un pequeño
aumento, que se mide por la desviación de la
aguja de un galvanómetro muy sensible,
intercalado en el circuito. En el
espectrobolómetro, las láminas empleadas son
lo suficientemente estrechas para descubrir las
rayas en un espectro.

Figura 6: Bolómetro de Langley

Los bolómetros son detectores térmicos de radiación infrarroja
que trabajan a temperatura ambiente. Están formados por un elemento absorbente capaz de calentarse
cuando incide sobre él radiación infrarroja y un elemento sensor formado por un material con alguna
propiedad física que varíe
sensiblemente con la temperatura.
Normalmente esta propiedad es la
resistencia eléctrica, cuya
dependencia con la temperatura
viene caracterizada por el
coeficiente de temperatura α. En
los bolómetros semiconductores
el termosensor es un material
semiconductor, y puesto que la
sensibilidad del bolómetro es
mayor cuanto mayor sea α,
habitualmente se utilizan
materiales con un coeficiente de
variación eléctrica con la
temperatura lo más elevado
posible, aunque normalmente
Figura 7: Bolómetro moderno
inferior al 2 %/°C.
Actualmente es muy deseable que
el proceso de producción de los bolómetros sea compatible con las tecnologías de fabricación de
circuitos integrados de silicio, ya que la investigación en el área de sensores se orienta cada vez más
hacia el desarrollo de sensores inteligentes en los cuales la electrónica asociada se encuentre integrada
sobre el mismo sustrato para evitar problemas de interconexión. En la figura 7, se muestra un
bolómetro moderno, implementado con tecnología TSV (Through Sillicon Vias) para producción de
MEMS (Sistemas Micro-Electromecánicos) a gran escala.

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Pirómetros
La palabra pirómetro se deriva de la palabra griega Pyros, que significa Fuego y Metron que significa
Medida.
La teoría de los pirómetros se basa en el hecho de que todos los cuerpos cuya temperatura esté por
arriba del cero absoluto irradian energía, de lo cual se parte para medir la temperatura de los cuerpos.
Existen 3 tipos de pirómetros:
 de radiación
 ópticos
 infrarrojos
El primero acepta un muestreo controlado de la radiación total y mediante determinación del efecto
calorífico del muestreo obtenido, un sensor térmico como una termopila determina le medición de
temperatura.
El pirómetro óptico usa el ojo humano como el medio de detección estimando el cambio en el ancho
de banda de radiación visual con temperatura.
Finalmente el infrarrojo maneja un principio similar que al de radiación total, solo que las mediciones se
restringen al segmento infrarrojo.
Ninguno de los 3 necesita contacto directo con el objeto a analizar ni una distancia particular.

Pirómetros Ópticos
Los pirómetros ópticos se emplean para medir temperaturas de objetos sólidos que superan los 700ºC.
A esas temperaturas los objetos sólidos irradian suficiente energía en la zona visible para permitir la
medición óptica a partir del llamado fenómeno del color de incandescencia. El color con el que brilla
un objeto caliente varía con la temperatura desde el rojo oscuro al amarillo y llega casi al blanco a unos
1 300º C. Este tipo de pirómetros utilizan un método de comparación como base de operación. En
general, una temperatura de referencia es proporcionada en forma de un filamento de lámpara
eléctricamente calentada, y la medición de temperatura es obtenida comparando de manera óptica la
radiación visual del filamento contra la de la fuente de calor a medir. En principio, la radiación de una
de las fuentes, como la ve el observador, es ajustada hasta coincidir con la radiación de la otra fuente.
Existen dos métodos: 1) La corriente a través del filamento es controlada eléctricamente mediante un
ajuste de corriente, o 2) la radiación aceptada por el pirómetro de la fuente desconocida es ajustada
ópticamente mediante algún aparato absorbente como un filtro polarizante. En ambos casos el ajuste es
requerido para la lectura de la
temperatura.
La siguiente figura ilustra de forma
esquemática la estructura de un
pirómetro de intensidad variable.
En uso, el pirómetro es puesto en
dirección de la fuente u objeto a analizar
a una distancia adecuada para que la
lente del pirómetro enfoque la fuente en
el plano del filamento. La ventanilla de
enfoque es ajustada de tal forma que el
filamento y la fuente aparezcan uno
puesto sobre otro.
En general, el filamento aparecerá más
Figura 8: Esquema pirómetro radiación visible caliente que la fuente o más frío que ella
como se muestra en la figura 9.
Ajustando la corriente en la batería, el filamento debe de hacerse desparecer como se ejemplifica en la
figura 4b. La corriente medida en el indicador conectado a la lámpara y a la batería es usado para
asignar la temperatura de la fuente.

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Un filtro rojo es generalmente usado para obtener aproximadamente condiciones monocromáticas, y el
filtro de absorción es utilizado para que el filamento opere a una intensidad reducida y así prolongar su
vida.

Figura 9: Apariencia del filamento

Este pirómetro es de uso manual, pero existen los pirómetros ópticos automáticos, los cuales son
parecidos a los de radiación infrarrojos y consisten esencialmente en un disco rotatorio que modula
desfasadas la radiación del objeto y la de una lámpara estándar que inciden en un fototubo
multiplicador. Éste envía una señal de salida en forma de onda cuadrad de impulsos de corriente
continua que convenientemente acondicionada modifica la corriente de alimentación de la lámpara
estándar hasta que coinciden en brillo la radiación del objeto y la lámpara. En ese momento, la
intensidad de corriente que pasa por la lámpara es función de la temperatura.

Pirómetros de radiación
Los pirómetros de radiación se emplean para medir temperaturas mayores de 550°C hasta un poco más
de 1600°C captando toda o gran parte de la radiación emitida por el cuerpo a analizar. Este tipo de
pirómetros se fundamenta en la ley de Stefan−Boltzmann, que dice que la intensidad de energía
radiante emitida por la superficie de un cuerpo negro aumenta proporcionalmente a la cuarta potencia
de la temperatura absoluta del cuerpo, es decir,

W = KT4

Donde:

W (potencia emitida)= Flujo radiante por unidad de área.

K =Constante de Stefan − Boltzman (cuyo valor es 5.67 10−8 W / m2 K4).
T =Temperatura en Kelvin

La figura 10 muestra, de forma simplificada, la forma de operación de un pirómetro de radiación. La

parte esencial del dispositivo consiste en una especie de lente de pírex sílice o fluoruro de calcio que
concentra la radiación del objeto caliente en una termopila formada por varios termopares de pequeñas
dimensiones y montadas en serie. La radiación está enfocada incidiendo directamente en las uniones
calientes de los termopares. Su reducida masa los hace muy sensibles a pequeñas variaciones de energías
radiantes y además muy resistentes a vibraciones o choques. La parte de los termopares expuesta a la
radiación está ennegrecida para comportarse como un cuerpo negro, aumentando así sus propiedades
de absorción de energía y propiciando la fuerza electromotriz máxima

La f.e.m. que proporciona la termopila depende de la diferencia de temperaturas entre la unión caliente
(radiación procedente del objeto enfocado) y la unión fría. Esta última coincide con la de la caja del
pirómetro, es decir, con la temperatura del ambiente. La compensación de esta se lleva a cabo mediante
una resistencia de níquel conectada en paralelo con los bornes de conexión del pirómetro y colocada en

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su interior de modo que su temperatura es siempre igual a la del cuerpo de éste. Al aumentar la
temperatura ambiente aumenta el valor de la resistencia de la bobina de níquel, lo que compensa la
pérdida de f.e.m. de la termopila que acompaña el calentamiento del cuerpo del instrumento. Esta
compensación se utiliza en temperaturas ambientes mínimas a 120°C, a mayor temperatura se emplean
dispositivos de refrigeración

Figura 10: Esquema simplificado de un pirómetro de radiación

El medio de enfocar la radiación que le llega puede ser una lente o un espejo cóncavo. El espejo
cóncavo es a veces preferido como medidor para enfocar por dos razones:
 La imagen de la fuente se enfoca igualmente bien en el receptor para todas las longitudes de
onda, puesto que el espejo no produce aberración cromática, en tanto que la lente puede dar
una imagen neta para una sola longitud de onda.

 Las lentes de vidrio o de sílice vítrea absorben completamente una parte considerable de la
radiación de largas longitudes de onda. La radiación reflejada por el espejo difiere poco en
longitud de onda media de la que en él incide.

Figura 11: Diagrama esquemático de un pirómetro de radiación total (Fery)

Pirómetros infrarrojos
La tecnología infrarroja no es un fenómeno nuevo, se ha utilizado con éxito en entornos industriales y
de investigación durante décadas, pero las nuevas innovaciones han reducido los costes, aumentado la
fiabilidad y han dado lugar a sensores infrarrojos sin contacto que ofrecen unidades de medida más
pequeñas.

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Los pirómetros infrarrojos permiten medir la temperatura en aplicaciones donde los sensores
convencionales no pueden ser empleados.

Ventajas ofrecidas por la medición de temperatura sin contacto:

 Es rápido (en el rango ms). Ahorra tiempo, lo que permite más mediciones y acumulación de
datos.
 Facilita la medición de objetivos en movimiento (procesos de transporte).
 Se pueden tomar medidas de objetos peligrosos o físicamente inaccesibles.
 Las mediciones de altas temperaturas (hasta 3000 ° C) no presentan problemas. En casos
similares, los termómetros de contacto no se pueden usar o tienen una vida útil limitada.
 No hay interferencia y no se pierde energía del objetivo. Por ejemplo, en el caso de un
conductor de calor pobre como plástico o madera, las mediciones son extremadamente precisas
sin distorsión de los valores medidos, en comparación con las mediciones con termómetros de
contacto.
 No hay riesgo de contaminación ni efecto mecánico en la superficie del objeto; por lo tanto, sin
desgaste.

El método de medición de la temperatura del pirómetro utiliza el hecho de que los objetos emiten
radiación térmica en una cantidad que corresponde directamente a su propia temperatura y emisividad
superficial.
Un pirómetro o termómetro IR se puede
comparar con el ojo humano. La lente del
ojo representa la óptica a través de la cual
la radiación (flujo de fotones) del objeto
alcanza la capa fotosensible (retina) a
través de la atmósfera. Esto se convierte
en una señal que se envía al cerebro. La
Figura 12 muestra un flujo de proceso del
sistema de medición infrarrojo.
Figura 12: Principio de medición IR
Cada forma de materia con una temperatura (T) superior al cero absoluto emite radiación infrarroja de
acuerdo con su temperatura. Esto se llama radiación característica. La causa de esto es el movimiento
mecánico interno de las moléculas. La intensidad de este movimiento depende de la temperatura del
objeto. Dado que el movimiento de la molécula representa el desplazamiento de carga, se emite
radiación electromagnética (partículas de
fotones). Estos fotones se mueven a la
velocidad de la luz y se comportan de
acuerdo con los principios ópticos
conocidos. Por lo tanto, se pueden
desviar, enfocar con una lente o
reflejarse desde superficies reflectantes.
El espectro de esta radiación varía de 0,7
a 1000 μm de longitud de onda. Por esta
razón, esta radiación normalmente no se
puede ver a simple vista. Esta área se
encuentra dentro del área roja de la luz
visible y, por lo tanto, se ha denominado
Figura 13: Espectro electromagnético, con un rango de alrededor 'infrarrojo' (después del rojo – latín).
de 0,7 a 14 μm útil para fines de medición
(figura 13)

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En la Figura 14 se puede ver un diagrama de bloques que muestra la construcción general de un
pirómetro infrarrojo.
Mediante el uso de la óptica de
entrada, la radiación del objeto emitido
se enfoca en un detector de infrarrojos.
El detector genera una señal eléctrica
correspondiente que luego se amplifica
y puede usarse para más tratamiento.
El procesamiento digital de la señal
transforma la señal en un valor de
salida proporcional a la temperatura del Figura 14: Diagrama en bloques de un pirómetro IR
objeto. El resultado de la temperatura
se muestra en una pantalla. En consecuencia, la temperatura del objeto medido se genera
principalmente en tres pasos:
1. transformación de la radiación infrarroja recibida en una señal eléctrica;
2. compensación de la radiación de fondo del pirómetro y el objeto
3. linealización y salida de información de temperatura.

La emisividad es la medida de la capacidad de un objeto para absorber, transmitir y emitir energía

infrarroja.
La energía emitida indica la temperatura del objeto. Puede tener valores que van desde 0 (espejo
brillante) a 1.0 (cuerpo negro). Si un valor de emisividad es más alto que el valor real establecido, la
salida será baja, siempre que la temperatura objetivo esté por encima de la temperatura ambiente.

Detectores Cuánticos
La absorción de un fotón permite a un electrón del detector cambiar de estado. La creación de este
fotoelectrón por absorción de un fotón caracteriza los detectores cuánticos.
La conversión (fotón + electrón) a fotoelectrón proviene de varios efectos
Efecto Descripción Receptor
Fotoquímico Cambio de estado químico Placas fotográficas (casi no
utilizadas actualmente). Los
fotoelectrones activados por la
radiación reducen los iones Ag+ en
plata metálica
Fotoeléctrico Extracción de un electrón de un metal hacia el vacío Fototubos, fotomultiplicadores
Fotoconductor Dentro de un semiconductor, la absorción de un Fotodiodo
fotón permite a un electrón pasar de la banda de
valencia a la banda de conducción
Efecto Efecto fotoconductor dentro de un enlace PN. Un
fotovoltaico fotón crea un par hueco-electrón. Ello se traduce por
una diferencia de potencial en el enlace; Infrarrojo -->
radio
Rendimiento cuántico
La probabilidad n de creación de un fotoelectrón (a menudo llamada rendimiento cuántico) depende de
varios parámetros y varía fuertemente con la longitud de onda:
𝑛(𝜆) = (1 − 𝑟)𝜀[1 − 𝑒 ]
Con las definiciones siguientes:
𝑟.= Coeficiente de reflexión en la superficie del detector. Los fotones reflejados no pueden crear un
fotoelectrón
𝜀 = Fracción de portadores de cargas que participan en la corriente medida
𝛼 =Coeficiente de absorción del material: un detector tiene que absorber
𝑙= Ancho del detector: cuanto más aumenta el producto 𝛼 𝑙, mayor es la probabilidad de absorción de
un fotón

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Fotodiodo
Si se ilumina una unión p-n polarizada en sentido inverso, la corriente varía casi linealmente con el flujo
luminoso. Este efecto se emplea en los fotodiodos semiconductores. Estos elementos consisten en
uniones p-n encapsuladas en un plástico
transparente como muestra la figura 15.
La radiación incide sobre la unión a través de la
superficie transparente. Los lados restantes del
plástico se “pintan” de negro o se encierran en una
caja metálica.
Algunos fotodiodos se fabrican solamente con una
unión p-n, mientras que otros se fabrican
interponiendo una región semidopada entre las
uniones p-n para aumentar su velocidad de
respuesta. Este tipo de unión se conoce como unión
PIN.
Este tipo de uniones, al tener la zona de
recombinación más ancha, son más sensibles que los
Figura 15: Estructura de un fotodiodo P-N
diodos de unión p-n, su sensibilidad está en el orden
de 1nW aproximadamente, y su respuesta está en el
orden de 0,6A/W (1mA/Lm), tienen una respuesta
lineal desde los 10-4 a 10-9W y su velocidad de
respuesta anda en el orden de 1ns.
Este tipo de diodos de unión p-i-n, son ideales para
comunicaciones y se han alcanzado velocidades de
respuesta en frecuencias de 10GHz.

Polarización
Si se aplica una tensión inversa de unas pocas décimas
de voltios en exceso, se obtiene una corriente
constante (independiente de la magnitud de la
Figura 16: Estructura de un fotodiodo PIN polarización inversa). Esta corriente en la oscuridad
corresponde a la corriente de saturación inversa debida
a los portadores minoritarios generados térmicamente. Ahora bien, si la luz incide en la superficie se
forman pares de electrón-hueco adicionales. Esta inyección de portadores minoritarios se difunden
hacia la unión, la cruzan, y contribuyen a la conducción.
La corriente de saturación inversa IO en un diodo p-n en proporcional a la concentración de portadores
minoritarios pno y npo , en las regiones n y p respectivamente. Si iluminamos la unión, polarizada
inversamente, el número de nuevos pares electrón-hueco es proporcional al número de fotones
incidentes. De ahí que la corriente para
una elevada polarización inversa sea
I=IO+IS, donde IS es la corriente en corto
circuito, y es proporcional a la intensidad
de luz. En consecuencia, la característica
de tensión corriente viene dada por:
𝐼 = 𝐼 + 𝐼 (1 − 𝑒 )

Donde I, IS, e IO representan el valor de la

corriente inversa, y V es positiva para
tensiones directas y negativa para
tensiones inversas. El parámetro n es 1
Figura 17: Curva característica de un fotodiodo para el germanio y 2 para el silicio, y VT es
la tensión equivalente a la temperatura

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definida por:
𝑇
𝑉 ≡
11600

Donde T es la temperatura ambiente en grados Kelvin.

En el circuito de la figura 18, se usa un amplificador operacional como amplificador de transimpedancia

donde la tensión de salida viene dada por:
𝑉 = −𝑖 ∙ 𝑅

Donde VS será negativa si la tensión de polarización

del fotodiodo es positiva como se indica en la figura.
Si se invierten la polarización del fotodiodo y las
conexiones del mismo, la salida será:
𝑉 =𝑖 ∙𝑅
O sea que VS cambia de signo y tendrá valores
positivos.

Los amplificadores de baja corriente de polarización

Figura 18: : Amplificador de transimpedancia de entrada se pueden usar para detectar con precisión
con fotodiodo la cantidad de corriente que fluye en un fotodiodo. Se
crea una tensión de salida, 1 V / uA, forzando a la
corriente inversa del diodo a fluir desde la salida del amplificador a través de una resistencia de
realimentación de gran valor.

Figura 19: Ejemplo practico

Fototransistor
El fototransistor es un dispositivo semiconductor mucho más sensible que el fotodiodo. El
fototransistor se conecta normalmente en emisor común con la base abierta, y la radiación se concentra
en la región cercana a la juntura de colector. El funcionamiento de este dispositivo puede entenderse si
admitimos que la juntura base-emisor está ligeramente polarizada en sentido directo, y que la juntura
base-colector lo está en sentido inverso (es decir, el transistor esta polarizado en la región activa).
Supongamos primero que no hay excitación radiante, es decir en la oscuridad. En estas circunstancias,
los portadores minoritarios están generados térmicamente, y los electrones que atraviesan la base,
constituyen la corriente inversa de saturación ICO de colector viene dada por:
𝐼 = (𝛽 + 1)𝐼

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Si se hace incidir luz, se fotogeneran portadores minoritarios adicionales y contribuyen a la corriente de
saturación inversa exactamente de la misma manera como los portadores minoritarios generados
térmicamente. Si la componente de la corriente inversa de saturación debida a la luz se designa por IL, la
corriente total de colector será:
𝐼 = (𝛽 + 1)(𝐼 + 𝐼 )

Observamos que debido a la acción del transistor, la corriente provocada por la radiación se multiplica
por el factor (𝛽 + 1), que es bastante más grande que la del fotodiodo.

Emisor h·f Colector El fototransistor, como dijimos, tiene mucha más

sensibilidad que el fotodiodo, lo que lo hace ideal
para detectar radiaciones muy pequeñas. Pero esto
tiene un costo, desgraciadamente debido a que la
ganancia es muy elevada, la conducción de corriente
N+ P (base) N+ en oscuridad es alta, debido a que la corriente de
oscuridad también se amplifica por el factor (𝛽 + 1)
Asimismo, la respuesta en frecuencia es, en general,
N mala, debido al alto valor de la capacidad parásita
P (substrato) colector-base del transistor. En fototransistores de
homounión, el ancho de banda está limitado a
valores por debajo de 250 kHz.
Figura 20: Fototransistor
Un dispositivo cuya interface está formada por el
mismo tipo de material semiconductor, pero con distinto tipo de dopaje, a esto se le llama homounión.
Se puede mejorar la respuesta en frecuencia acudiendo al uso de heterouniones. En este caso se pueden
conseguir altas ganancia (de varios miles) y también anchos de banda muy grandes (hasta 1 GHz). Sin
embargo, estos dispositivos son difíciles de conseguir (acaban siendo caros), por lo que son poco
usados.
La ganancia (beta) del transistor puede llegar a ser bastante alta (por encima de 50), por lo que la
sensibilidad es alta.

Se puede entender mejor el funcionamiento de este dispositivo si lo comparamos con un transistor y un

fotodiodo conectados como se muestra en la figura siguiente:
Fotodiodo

Figura 21: Circuito equivalente fototransistor

En el circuito equivalente, vemos que el fotodiodo genera la corriente de base, para polarizar el
transistor. Al incidir la luz sobre el fotodiodo (como vimos en la sección correspondiente a fotodiodo),
la corriente inversa en el diodo aumenta y hace circular más corriente por la base del transistor que
amplifica esta corriente por el factor (𝛽 + 1).

Fotoconductores
Si una radiación actúa sobre un semiconductor, su conductividad aumenta, y este efecto fotoconductivo
se explica de la siguiente manera.
La energía radiante aplicada al semiconductor ioniza los enlaces covalentes, por lo que estos enlaces se
rompen, y aparecen pares electrón hueco que se añaden a los generados térmicamente.

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Este incremento de corriente de portadores reduce la resistencia del material, y por esto el dispositivo
se denomina fotoresistencia o fotoconductor. Para un cambio de 1000Lux en el nivel de iluminación, la
resistencia de un fotoconductor puede variar varios kilohms.

Figura 22 Fotoexitación en los semiconductores

En la figura 22 indicamos el diagrama de energía de un semiconductor que tenga impurezas de los dos
tipos, donadores y aceptadores. Si iluminan este semiconductor fotones con suficiente energía, tiene
lugar la fotogeneración y son posibles las siguientes transiciones: un par electron-hueco puede crearse
con un fotón de energía elevada y se denomina excitación intrínseca (1); un fotón puede excitar un
electrón donador hacia la banda de conducción; o bien un electrón de valencia puede ir hacia el estado
de aceptador. Las dos últimas transiciones (2) (3) son conocidas como excitaciones de impurezas o
extrínsecas. Como la densidad de estados en las bandas de conducción y de valencia excede grandemente
la densidad e estados de impurezas; la fotoconductividad se debe principalmente a la excitación
intrínseca.

Respuesta Espectral. La energía mínima para que un fotón de lugar a la excitación intrínseca, es la
energía de la banda prohibida EG (electrón-volt) del material semiconductor. La longitud de onda de un
fotón cuya energía corresponda a EG viene dada por:
12400
𝜆=
𝐸 −𝐸

Con E2-E1=EG. Si λCse expresa en micrones y EG en electrón-volt:

1,24
𝜆 =
𝐸

Si la longitud de onda λ de la radiación

excede a λC, entonces la energía del
fotón es menor que EG y no puede ser
causa de que un electrón de valencia
entre en la banda de conducción. Por
esta razón a λC se le denomina longitud de
onda crítica, o de corte, o longitud de onda
umbral, del material. Para el Si,
EG=1.1eV y λC=1.73μm a la
temperatura ambiente.
En la figura 23 se indican distintas
curvas de sensibilidad espectral para
distintos tipos de materiales, y queda
Figura 23 Respuesta espectral

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claro que un fotoconductor es un dispositivo selector de frecuencias. Esto significa que, con una
determinada intensidad de luz, una longitud de onda no generará el mismo número de portadores libres
que otra. En otras palabras, la respuesta espectral, depende de la frecuencia de la radiación incidente.
h·f

Semiconductor
Terminales de
conexión

Aislante
Figura 25 Fotocelda real
Figura 24 Diagrama de Fotoconductor

El elemento fotoconductor con mayor número de aplicaciones es la célula de sulfuro de cadmio. La

superficie sensitiva de este dispositivo contiene en una capa de deposición química de SCd, que puede
contener pequeñas cantidades de plata, antimonio o indio como impurezas. En la oscuridad absoluta, la
resistencia puede elevarse a valores de 2MΩ y cuando se ilumina con una luz potente, la resistencia
puede ser inferior a 10Ω.
Las ventajas de los semiconductores de SCd son su elevada capacidad de disipación, su excelente
sensibilidad al espectro visible, y su baja resistencia cuando se le ilumina con luz. A estos
semiconductores se les diseña para poder disipar unos 300mW y pueden construirse para manipular
varios wats sin peligro. Los fotoconductores de SCd pueden funcionar directamente sobre relés, sin
necesidad de circuitos amplificadores intermediarios.
La célula de SPb tiene un pico en la curva de sensibilidad en la frecuencia de 2,9μm y se emplea para
detectar o medir absorción de radiaciones infrarrojas. Las células de selenio son bastantes sensibles al
final del espectro visible, y particularmente hacia el final del azul.

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