PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATOLICA DE CHILE

ESCUELA DE INGENIERIA

DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN
INVERSOR TRIFÁSICO MULTINIVEL
DE CUATRO ETAPAS PARA
COMPENSACIÓN ARMÓNICA Y DE
REACTIVOS

ALBERTO ANDRES BRETÓN SCHUWIRTH

Memoria para optar al título de

Ingeniero Civil Industrial, con Diploma en Ingeniería Eléctrica

Profesor Supervisor:
JUAN W. DIXON ROJAS

Santiago de Chile, 2003

PONTIFICIA UNIVERSIDAD CATOLICA DE CHILE
ESCUELA DE INGENIERIA
Departamento de (departamento)

DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN DE UN
INVERSOR TRIFÁSICO MULTINIVEL
DE CUATRO ETAPAS PARA
COMPENSACIÓN ARMÓNICA Y DE
REACTIVOS

ALBERTO ANDRÉS BRETÓN SCHUWIRTH

Memoria presentada a la Comisión integrada por los profesores:

JUAN DIXON R.

MAURICIO ROTELLA M.

LUIS MORAN T.

Para completar las exigencias del título de

Ingeniero Civil Industrial, con Diploma en Ingeniería Eléctrica

Santiago de Chile, 2003

A mi familia, especialmente a mis
Padres, Hermanos y Abuelos, que
siempre confiaron en mi.

ii
 AGRADECIMIENTOS

Quiero agradecer especialmente a mi Familia por todo el apoyo y cariño

brindado durante estos años de estudio. Gracias por su paciencia.

Una especial mención merece el profesor Juan Dixon por su ayuda y

apoyo incondicional, permitiendo desarrollar y terminar con éxito este proyecto.

También agradezco la colaboración a tantas otras personas que me

ayudaron e hicieron posible que esto se concretara. Entre ellos quiero mencionar a
Micah Ortúzar y a los funcionarios del Departamento de Ingeniería Eléctrica,
especialmente Eduardo Cea. Gracias por su apoyo incondicional.

iii
 INDICE GENERAL
Pág.

DEDICATORIA................................................................................................................ii

AGRADECIMIENTOS ...................................................................................................iii

INDICE GENERAL......................................................................................................... iv

INDICE DE TABLAS.....................................................................................................vii

INDICE DE FIGURAS .................................................................................................... ix

RESUMEN..................................................................................................................... xiv

ABSTRACT.................................................................................................................... xv

I. Introduccion ............................................................................................................. 1
1.1. Objetivos de la Memoria................................................................................. 1
1.1.1. Origen de la Memoria ........................................................................... 1
1.1.2. Cobertura de la Memoria ...................................................................... 1
1.1.3. Organización de la Memoria................................................................. 2
1.2. Inversores Multinivel ...................................................................................... 2
1.2.1. Inversor Acoplado por Diodo (Diode-Clamped Inverter)..................... 5
1.2.2. Inversor Acoplado por Condensador (Capacitor Clamped Inverter) .... 8
1.2.3. Inversor Multietapa con Puentes H e Inversores en Cascada ............. 10
1.2.4. Inversor Multietapa en Cascada con Fuente Común .......................... 16

II. Características del Inversor Multinivel de Cuatro Etapas en Cascada con

Fuente Común........................................................................................................ 19
2.1. Inversor Multinivel de Cuatro Etapas en Cascada con Fuentes
Independientes............................................................................................... 19
2.1.1. Modulación de Voltaje........................................................................ 21
2.1.2. Distribución de Potencia..................................................................... 23
2.2. Inversor Multinivel de Cuatro Etapas en Cascada con Fuente Común......... 25
2.2.1. Modulación de Voltaje........................................................................ 26

iv
 2.2.2. Distribución de Potencia..................................................................... 30
2.2.3. Forma de la Corriente. ........................................................................ 31
2.3. Comparación de Inversores ........................................................................... 32

III. Diseño y Construcción........................................................................................... 37

3.1. Circuito de Potencia ...................................................................................... 38
3.2. Descripción de los IGBTs Utilizados............................................................ 39
3.3. Circuitos Impresos del Inversor .................................................................... 40
3.3.1. Tarjeta de Potencia.............................................................................. 40
3.3.2. Tarjeta de Disparo............................................................................... 44
3.3.3. Circuito Impreso de Interconexión ..................................................... 49
3.4. Fuente de Poder............................................................................................. 50
3.5. Transformadores............................................................................................ 51
3.6. Disipador de Calor ........................................................................................ 54
3.6.1. Diseño Térmico del Disipador............................................................ 55
3.6.2. Montaje del Disipador ........................................................................ 57
3.7. Armazón y Disposición de los Componentes ............................................... 59
3.8. Conexiones Eléctricas. .................................................................................. 63
3.8.1. Conexiones de Alimentación. ............................................................. 64
3.8.2. Conexiones de Potencia...................................................................... 65
3.8.3. Conexiones de Disparo ....................................................................... 68
3.9. Montaje del Inversor. .................................................................................... 68
3.10. Inversor Construido....................................................................................... 70

IV. Resultados Experimentales.................................................................................... 73

4.1. Tensión de Salida del Inversor. ..................................................................... 74
4.2. Corriente de Salida del Inversor.................................................................... 76
4.3. Comparación con Inversor PWM.................................................................. 77

V. Conclusiones y Trabajo Futuro.............................................................................. 79

BIBLIOGRAFIA ............................................................................................................. 80

ANEXO A: Diagramas Esquemáticos Utilizados con el Software “Power

Electronics Simulator”........................................................................................... 83

v
ANEXO B: Datos Técnicos ............................................................................................ 87

ANEXO C: Detalles Circuito Impreso de Potencia. ..................................................... 119

ANEXO D: Detalles Circuito Impreso de Disparo. ...................................................... 125

ANEXO E: Detalles Circuito Impreso de Interconexion. ............................................. 127

ANEXO F: Detalles de la Fuente de Poder................................................................... 130

ANEXO G: Calculos Térmicos.................................................................................... 133

ANEXO H: Fotogracias de las Vistas Superior e Inferior del Inversor. ....................... 139

ANEXO I: Programa de Control del Inversor............................................................... 142

vi
 INDICE DE TABLAS
Pág.

Tabla 1.1 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.3(a) ............................. 6

Tabla 1.2 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.3(b)............................. 7

Tabla 1.3 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.4 (a) ............................ 9

Tabla 1.4 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.4 (b)............................ 9

Tabla 1.5 Secuencia de encendido para puente H de la figura 1.6.................................. 12

Tabla 1.6 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.7 ............................... 13

Tabla 1.7 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.8(a) ........................... 15

Tabla 1.8 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.8(b)........................... 15

Tabla 1.9 Número de niveles de tensión para inversores Simétricos y Asimétricos

de diferente número de etapas. .............................................................................. 16

Tabla 2.1 Potencias suministradas por cada puente (Inversor con Fuentes
Independientes)...................................................................................................... 25

Tabla 2.2 Potencias suministradas por cada puente (Inversor de Fuente Común).......... 31

Tabla 3.1 Voltajes en los secundarios de cada etapa....................................................... 52

Tabla 3.2 Relación de voltaje entre primarios y secundarios por etapa .......................... 53

Tabla 3.3 Potencia para los transformadores de cada etapa ............................................ 54

Tabla E.1 Descripción terminales figura E.2 ................................................................ 129

Tabla F.1 Corrientes que debe suministrar la Fuente de Poder..................................... 130

Tabla F.2 Corrientes de diseño para la Fuente de Poder. .............................................. 131

vii
Tabla G.1 Datos para cálculos térmicos........................................................................ 135

Tabla G.2 Resistencias térmicas del disipador original y el utilizado........................... 138

viii
 INDICE DE FIGURAS
Pág.

Figura 1.1: Inversor de (a) 2 niveles, (b) 3 niveles, (c) m niveles.................................... 3

Figura 1.2 Esquema de Inversor Acoplado por Diodo. (a) Tres niveles. (b) Cinco
niveles. ..................................................................................................................... 6

Figura 1.3 Esquema Inversor con Condensador de Acople. (a) Tres niveles. (b)
Cinco niveles. .......................................................................................................... 8

Figura 1.5 Configuración de un puente H de tres niveles. ............................................. 11

Figura 1.6 Inversor en Cascada Simétrico de dos Etapas................................................ 13

Figura 1.7 Inversor en Cascada Asimétrico de dos Etapas (a) operando con cinco
niveles (b) operando con siete niveles. .................................................................. 14

Figura 1.8 Inversor en Cascada Simétrico de dos Etapas con fuente común. ................. 17

Figura 1.9 Inversor en Cascada Asimétrico de dos Etapas. ............................................ 18

Figura 2.1 Una fase de Inversor de Cuatro Etapas en Cascada con Fuentes
Independientes ....................................................................................................... 20

Figura 2.3 Voltaje Modulado en cada Etapa del Inversor. .............................................. 23

Figura 2.4 Distribución de Potencia Activa. ................................................................... 24

Figura 2.5 Inversor de Cuatro Etapas en Cascada con Fuente Común. .......................... 26

Figura 2.6 Voltaje Modulado en primarios y secundarios en cada etapa del

inversor .................................................................................................................. 27

Figura 2.7 Tensión de salida del Inversor comparada con una sinusoide de
referencia. .............................................................................................................. 29

Figura 2.8 Distribución de Potencia a) Carga R b) Carga RL......................................... 30

ix
Figura 2.9 Corriente y Voltaje de salida para cargas R y RL. ......................................... 32

Figura 2.10 Corriente para carga RL en Inversor Multinivel y PWM ............................ 33

Figura 2.11 Voltajes de salida para Inversores Multinivel y PWM ................................ 34

Figura 2.12 Señal de disparo de uno los IGBT de la etapa del 3er Auxiliar .................... 35

Figura 3.1 Circuito esquemático de una fase del inversor. ............................................. 38

Figura 3.2 Dibujo del encapsulado en puente H, modelo P503-F-PM ........................... 39

Figura 3.3 Esquemático del encapsulado y asignación de pines del P503-F-PM ........... 40

Figura 3.4 Diseño del Circuito Impreso de la Tarjeta de Potencia.................................. 42

Figura 3.5 Fotografía Tarjeta de Potencia ....................................................................... 43

Figura 3.6 Diagrama esquemático del Circuito de Disparo. ........................................... 45

Figura 3.7 Diseño del Circuito Impreso de la Tarjeta de Disparo................................... 46

Figura 3.8 Fotografía Tarjeta de Disparo ........................................................................ 47

Figura 3.9 Interconexión de la Tarjeta de Potencia con las de Disparo. ......................... 48

Figura 3.10 a) Circuito Impreso b) Foto de la Tarjeta de Interconexión......................... 49

Figura 3.11 Diseño del Circuito Impreso de la Fuente de Poder .................................... 50

Figura 3.12 Fotografía Fuente de Poder.......................................................................... 51

Figura 3.13 Modelo térmico básico................................................................................. 55

Figura 3.14 Modelo térmico utilizado para los cálculos ................................................. 56

Figura 3.15 Disipador de Calor. ...................................................................................... 57

Figura 3.16 Distribución de los puentes en la base del Disipador .................................. 58

x
Figura 3.17 Corte transversal por el Disipador ............................................................... 58

Figura 3.18 (a) Planta del armazón estructural (b) Detalle esquinas.............................. 59

Figura 3.19 Esquema vista superior del Inversor. ........................................................... 60

Figura 3.20 Esquema vista inferior del inversor. ............................................................ 61

Figura 3.21 Esquema corte por la fase central del inversor. ........................................... 62

Figura 3.22 Grupo de transformadores. .......................................................................... 63

Figura 3.23 Diagrama eléctrico conexiones de alimentación de alta tensión. ................ 64

Figura 3.24 Cableado de baja tensión a) Saliendo desde la Fuente de Poder

b) Entrando a las Tarjetas de Potencia................................................................... 65

Figura 3.25 Diagrama eléctrico Alimentación DC de Potencia ...................................... 66

Figura 3.26 Conexión primarios Etapas 1er y 2do Auxiliar.............................................. 66

Figura 3.27 Diagrama eléctrico de Interconexión de Transformadores .......................... 67

Figura 3.28 Inversor Trifásico Multinivel de cuatro Etapas ........................................... 70

Figura 3.29 Sistema Integrado AC-AC con dos Inversores Multinivel .......................... 71

Figura 4.1 Esquema conexiones de pruebas.................................................................... 73

Figura 4.2 Tensión trifásica a la salida del inversor........................................................ 74

Figura 4.3 Simulación de señal de voltaje trifásico del inversor. ................................... 75

Figura 4.4 Onda de voltaje de un semiciclo .................................................................... 75

Figura 4.5 Simulación de la onda de voltaje de un semiciclo ......................................... 76

Figura 4.6 Voltaje y corriente de salida del inversor....................................................... 77

Figura 4.7 Simulación de voltaje y corriente de salida del inversor ............................... 77

xi
Figura 4.8 a)Voltaje inversor multinivel. b) Voltaje inversor PWM. ............................. 78

Figura 4.9 a) Corriente inversor multinivel. b) Corriente inversor PWM....................... 78

Figura A.1 Diagrama simulación Inversor con Fuentes Independientes......................... 84

Figura A.2 Diagrama simulación Inversor con Fuente Común....................................... 85

Figura A.3 Diagrama simulación Inversor PWM. .......................................................... 86

Figura C.1 Capacidad de líneas..................................................................................... 119

Figura C.2 Identificación de IGBTs dentro de cada puente H ...................................... 120

Figura C.3 Detalle Conectores de Potencia................................................................... 121

Figura C.4 Detalle conectores de control. ..................................................................... 122

Figura C.5 Detalle conectores de disparo...................................................................... 123

Figura D.1 Detalle Tarjeta de Disparo .......................................................................... 125

Figura D.2 Detalle ampliado terminales de disparo. ..................................................... 126

Figura D.3 Detalle conector de señales de disparo ....................................................... 126

Figura E.1 Detalle Tarjeta de Interconexión. ................................................................ 127

Figura E.2 Fotografía del conector para las señales de control..................................... 128

Figura F.1 Diagrama esquemático Fuente de Poder...................................................... 131

Figura F.2 Detalles conectores Fuente de Poder ........................................................... 132

Figura G.1 Modelo térmico utilizado para los cálculos ................................................ 134

Figura H.1 Fotografía vista superior del inversor ......................................................... 139

Figura H.2 Fotografía vista inferior del inversor .......................................................... 140

xii
Figura H.3 a) Conector de alimentación. b) Interruptor general ................................... 140

Figura H.4 a) Bornes de entrada de tensión continua. (b) Bornes de salida de

tensión alterna...................................................................................................... 141

Figura H.5 Interconexión de transformadores............................................................... 141

xiii
 RESUMEN

Los inversores multinivel son inversores de última tecnología que pueden

generar corrientes o incluso voltajes sinusoidales con mucho menor contenido
armónico que los inversores convencionales de dos niveles. Si el número de niveles
es lo suficientemente alto, se puede obtener un voltaje y corriente casi perfecto. La
tecnología multinivel permite generar señales de corriente y voltaje de mejor calidad
que las obtenidas con técnicas de modulación por ancho de pulso. Esto ha motivado
el desarrollo y construcción de un inversor de 4 etapas y 81 niveles de voltaje con
esta tecnología.

En este trabajo se detallan todos los procesos realizados durante el

período de diseño y construcción del inversor, comenzando con una presentación de
algunos tipos de inversores multinivel, siguiendo con una profundización sobre el
que se utilizará en esta memoria, para finalmente hacer una descripción completa del
proceso de construcción propiamente tal y de las características del inversor
construido.

Dada la topología utilizada en la implementación del inversor (fuente

común y uso de transformadores), éste no está pensado para aplicaciones en
frecuencia variable. Por esta razón, está pensado para la implementación de
rectificadores de corrientes sinusoidales, filtros activos de potencia, compensadores
estáticos de reactivos o inversores conectados a la red trifásica.

El inversor construido es capaz se soportar un corriente de

aproximadamente 5A por fase con un voltaje de salida de 220Vac, con lo cual es
capaz de suministrar una potencia de 1.1kVA por fase.

xiv
 ABSTRACT

Multilevel inverters are one of the latest technologies in inverters, which

can generate sinusoidal currents and voltages with much less harmonic content than
conventional two level inverters. If the number of levels is high enough, it is possible
to obtain almost perfect voltages and currents. Multilevel technology allows
generating current and voltage signals of much better quality that the ones obtained
with modulation by wide-of-pulse techniques. This motivated the development and
construction of a 4 stage inverter (81 voltage levels) with this technology.

Every step involved in the inverter’s design and construction processes

are detailed in this work, beginning with a presentation of some types of multilevel
inverters, following with a deepening on the one that will be used in this memory,
and finally a detailed description of the construction process and the inverter’s
characteristics.

Given the topology used in the implementation of the inverter (common

source and the use of transformers), this one is not designed for applications of
variable frequency. Therefore, it is designed for the implementation of sinusoidal
current rectifiers, active power filters, static VAR compensators or inverters
connected to the three-phase network.

The constructed inverter is capable of delivering currents up to 5A per

phase with a voltage output of 220Vac, by which it’s able to provide power up to
1.1kVA per phase.

xv
 1

I. INTRODUCCION

1.1. Objetivos de la Memoria

En el presente trabajo se presenta el diseño y construcción de un Inversor

Trifásico Multinivel de Cuatro Etapas utilizando semiconductores de potencia del
tipo IGBT para la conmutación.

1.1.1. Origen de la Memoria

Esta memoria nace como respuesta a la necesidad de realizar proyectos

de investigación con aplicaciones prácticas, donde se puedan obtener resultados
reales del comportamiento de los Inversores Multinivel. Es parte de una serie de
proyectos, con los cuales en conjunto, se pretende construir un sistema rectificador-
inversor, que conectado a la red, pueda controlar un motor de inducción trifásico
regulando el voltaje y la frecuencia de alimentación. Este trabajo ha desarrollado el
lado rectificador, el cual podrá funcionar como compensador estático de reactivos y
como filtro activo de potencia (rectificador activo).

1.1.2. Cobertura de la Memoria

El trabajo abarcó todo lo que se refiere a la construcción del inversor

propiamente tal, incluyendo, a grandes rasgos, los transformadores de potencia de
salida, la electrónica de potencia (IGBT) y los circuitos de disparo necesarios para
integrar el control con los elementos de potencia.

Se dejó para un trabajo futuro el diseño del control del inversor, el que
será específico para la aplicación ya definida en 1.1.1.
 2

1.1.3. Organización de la Memoria

En el presente capítulo se presenta una introducción del trabajo realizado,

además se muestra una descripción de los Inversores Multinivel, sus aplicaciones,
ventajas y desventajas y su comparación con otros tipos de inversores que existen,
como aquellos de dos niveles modulados en ancho de pulso (PWM).

En un segundo capítulo se describe el Inversor Multinivel desarrollado,

basado en una configuración de cuatro etapas. Se muestran sus características de
operación y se simula su comportamiento. Todos las simulaciones se realizaron
utilizando el programa de simulación computacional Power Electronics Simulator
(PSIM) [1].

En el tercer capítulo se describen los procesos de diseño y construcción

del Inversor, detallándose cada una de las partes que lo componen y las funciones de
estas.

En el cuarto capítulo se muestran los resultados experimentales

obtenidos con el inversor, los que son comparados con una simulación bajo
características de operación similares.

Finalmente, en el quinto capítulo, se presentan las conclusiones del

presente trabajo y se hace una descripción del trabajo futuro.

1.2. Inversores Multinivel

La función general de un Inversor Multinivel es generar un voltaje

alterno a partir de diferentes niveles de voltaje continuo [2]. Estos inversores
multinivel pueden ser conectados en serie (con fuentes DC flotantes galvánicamente
aisladas) o en paralelo (con fuente DC común y galvánicamente aislados con
transformadores de potencia en la carga).

Un inversor multinivel individual se caracteriza por generar cierto

número de niveles de tensión en la salida. Un inversor de dos niveles genera dos
 3

niveles voltaje de salida, uno de tres niveles generará tres niveles de tensión y así
sucesivamente. En la figura 1.1 se muestra un esquema básico de inversores con (a)
dos (b) tres y (c) m niveles, donde los semiconductores de potencia están
representados por interruptores ideales de varias posiciones.

+
VC(m-1)

+
VC(m-2)

+ a
VC(2)
+
VC a a
+ + Va
VC(1) VC(1)
Va Va

0 0 0
(a) (b) (c)

Figura 1.1: Inversor de (a) 2 niveles, (b) 3 niveles, (c) m niveles.

Generalizando, para este tipo de configuración, el número de niveles de

la onda de voltaje de salida m de un inversor con n fuentes de voltaje queda
determinado por la siguiente fórmula:

m = n +1 (1.1)

Mientras mayor es el número de niveles de un inversor, mayor será el

número de componentes y más complicado resulta el control para éste, pero por otro
lado, el voltaje de salida tendrá mayor cantidad de pasos, formando una sinusoide
escalonada con menor distorsión armónica. En la figura 1.2 se muestra la señal
obtenida con distintos números de niveles de tensión de salida (3, 11, 31 y 81) y sus
respectivas distorsiones armónicas, las que claramente disminuyen con el aumento
del números de niveles.
 4

Figura 1.2 Número de niveles y su distorsión armónica

Por otro lado, para aumentar el número de niveles es necesario incorporar

mayor número de componentes, tanto en la electrónica de potencia como en la de
control, lo que influye en la confiabilidad del equipo.

Entre las principales ventajas de los Inversores Multinivel se pueden

destacar [3]:

a) Pueden generar voltajes de salida con distorsión extremadamente pequeña.

b) Las corrientes de salida son de muy baja distorsión.

c) Pueden operar con baja frecuencia de conmutación.

Además de lo anterior, los inversores multinivel son muy adecuados en

accionamientos, pues solucionan los problemas presentados por los variadores de
velocidad para motores con inversores de 2 niveles, controlados por modulación por
ancho de pulso (PWM) [4]. Debido a la alta frecuencia de conmutación y los grandes
dv/dt que genera la PWM, los motores sufren daños principalmente en los
 5

rodamientos y en la aislación de los enrollados. Por esto es necesario utilizar motores

especialmente diseñados, con aislaciones reforzadas y rodamientos aislados, para
evitar el envejecimiento prematuro de la aislación y la corriente a través de los
rodamientos. Además, las altas frecuencias de conmutación (10 kHz a 100 kHz)
producen interferencia en los sistemas de comunicaciones y equipos electrónicos.

Otro problema que presentan los variadores de velocidad convencionales

es la eficiencia. Debido a que el inversor debe conmutar a altas frecuencias
(supersónicas), las pérdidas asociadas a la conmutación son normalmente más altas
que las pérdidas por conducción. Además, un mayor contenido armónico de corriente
genera mayores pérdidas en el motor, ya que aumenta su tempera de trabajo. Esto se
traduce en una pérdida de eficiencia en la transformación de continua en alterna.

A continuación es describen algunas de las topologías más comunes para

inversores multinivel.

1.2.1. Inversor Acoplado por Diodo (Diode-Clamped Inverter)

Este inversor se caracteriza por dividir el voltaje de la barra DC en una

cierta cantidad de niveles por medio de condensadores conectados en serie. La
cantidad de diferentes niveles de voltaje caracteriza al inversor. En la figura 1.3(a) se
muestra un Inversor de tres niveles, obtenidos con los condensadores C1 y C2
conectados en serie y en la 1.2(b) uno de cinco niveles.
 6

Vdc
S1
2
C1
D1 S2

Vdc
4

van D1'
D2
S3

C2

S4
Vdc
D3 a
n

Vdc
S1 S1'
2
C1 C3
D2'
D1 S2 S2'
Vdc
n a Vdc
−
4
D1' S1' D3' S3'

C2 C4

Vdc S '
Vdc S4'
− 2 −
2 2
0 0

(a) (b)

Figura 1.3 Esquema de Inversor Acoplado por Diodo. (a) Tres niveles. (b)
Cinco niveles.

El punto medio n entre los dos condensadores se puede definir como

punto neutro. El voltaje de salida van se caracteriza por tener tres estados o niveles:
Vdc/2, 0, y –Vdc/2 con respecto al punto neutro. En la tabla 1.1 se muestra la
secuencia de encendido de los semiconductores que se debe utilizar para generar los
diferentes voltajes de salida para el inversor de la figura 1.3(a).

Tabla 1.1 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.3(a)

Van S1 S2 S1’ S2’

Vdc / 2 1 1
0 1 1
- Vdc / 2 1 1
 7

En este tipo de inversor, los diodos (D1 y D1’) son componentes clave que
no se encuentran en los inversores de dos niveles comunes. Estos diodos acoplan el
voltaje de conmutación para dividir el nivel de voltaje de la barra DC. Cuando S1 y
S2 están simultáneamente cerrados, el voltaje entre a y 0 es Vdc. En este caso, D1’
balancea el voltaje entre S1’ y S2’ haciendo que S1’ bloquee el voltaje en C1 y que S2’
bloquee el voltaje en C2.

La figura 1.3(b) representa un Inversor de cinco niveles, generados por

los condensadores C1, C2, C3 y C4 conectados en serie. Para una barra DC de voltaje
Vdc, el voltaje de cada condensador será Vdc/4.

Considerando el punto n como referencia del voltaje, se puede explicar

mediante la tabla 1.2 como se forman los diferentes nivel de tensión para el Inversor
de la figura 1.3(b).

Tabla 1.2 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.3(b)

Van S1 S2 S3 S4 S1’ S2’ S3’ S4’

Vdc / 2 1 1 1 1
Vdc / 4 1 1 1 1
0 1 1 1 1
- Vdc / 4 1 1 1 1
- Vdc / 2 1 1 1 1

Asumiendo que el voltaje inverso de cada diodo es el mismo que el de

los semiconductores, el número de diodos que se requiere para una fase del inversor
será: (m-1)*(m-2). Este número crece cuadráticamente a medida que aumenta m y
por lo tanto, cuando m se hace suficientemente grande, el número de diodos
necesarios para implementar el inversor lo hacen impracticable.
 8

1.2.2. Inversor Acoplado por Condensador (Capacitor Clamped

Inverter)

Vdc
S1
2
C4

S2
C3
Vdc

van 4

C2
S3

C4

S4
Vdc
n C3 C1 a

Vdc
S1 S1'
2
C1 C4 C2

S2 S2'
Vdc
C1
n a Vdc
− C3
4
'
S1 S3'

C2 C4

Vdc S 2' Vdc S4'

− −
2 2
0 0

(a) (b)

Figura 1.4 Esquema Inversor Acoplado por Condensador. (a) Tres niveles. (b)
Cinco niveles.

En la figura 1.4 se muestra el diagrama esquemático de un inversor

acoplado por Condensador. El inversor de la figura 1.4 (a) corresponde a uno de tres
niveles, el cual genera entre los terminales a y n los siguientes voltajes: Vdc/2, 0,
–Vdc/2. En la tabla 1.3 se pueden ver las combinaciones de los semiconductores que
deben estar conduciendo para generar los diferentes niveles de tensión.
 9

Tabla 1.3 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.4 (a)

Van S1 S2 S1’ S2’

Vdc / 2 1 1
0 1 1
0 1 1
- Vdc / 2 1 1

La forma de conseguir los diferentes niveles de tensión en el inversor

acoplado por condensador es más flexible comparado con el Inversor acoplado por
diodo. Esto se nota aún más en el caso del inversor de cinco niveles, en el cual
existen diferentes combinaciones de encendido para obtener un mismo nivel de
tensión. Utilizando como ejemplo la figura 1.4(b), el voltaje del inversor de cinco
niveles, van, puede ser obtenido con las combinaciones de la tabla 1.4.

Tabla 1.4 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.4 (b)

Van S1 S2 S3 S4 S1’ S2’ S3’ S4’

Vdc / 2 1 1 1 1
Vdc / 4 1 1 1 1
Vdc / 4 1 1 1 1
Vdc / 4 1 1 1 1
0 1 1 1 1
0 1 1 1 1
0 1 1 1 1
0 1 1 1 1
0 1 1 1 1
0 1 1 1 1
- Vdc / 4 1 1 1 1
- Vdc / 4 1 1 1 1
- Vdc / 4 1 1 1 1
- Vdc / 2 1 1 1 1
 10

Similarmente a como ocurre con el inversor acoplado por diodo, el

inversor acoplado por condensador requiere un gran número de condensadores para
hacer flotar el voltaje. De esta forma, un Inversor de m-niveles requerirá un total de
(m-1)x(m-2)/2 condensadores de flotación, además del condensador de alto voltaje
que seguramente se requerirá como filtro de entrada. Este último deberá ser
implementado con una cadena de condensadores en serie si el voltaje continuo es
demasiado alto. En la figura 1.4(b) se observan cadenas de condensadores en serie,
esto se debe a que los tensión continua obligan hacer esto para aumentar la tensión
soportada por los condensadores.

1.2.3. Inversor Multietapa con Puentes H e Inversores en Cascada

Se puede casi duplicar el número de niveles de las topologías anteriores

sin hacer crecer el número de fuentes de voltaje, utilizando la estrategia de los
Puentes H. Estos puentes se construyen utilizando dos inversores multinivel
idénticos, de alguno de los tipos mostrados en la figura 1.1. Esto permite a la carga
evitar el retorno directo hacia las fuentes de tensión continua y elevar el número de
niveles de n+1 a 2n+1. Una configuración generalizada de un puente H como el
mencionado se ilustra en la figura 1.5.
 11

CARGA

Figura 1.5 Puente H Generalizado, con n fuentes y m=2n+1 niveles.

El puente H más sencillo es aquél formado por ramas de dos niveles cada
una, como el mostrado en la figura 1.6. Puede observarse que este puente genera tres
niveles con sólo una fuente de tensión continua. La configuración de este puente H se
muestra en la figura 1.6.

S1 S2
a +
Vdc
Van
n -
S3 S4

Figura 1.6 Configuración de un puente H de tres niveles.

 12

El puente H de la Figura 1.6, genera tres voltajes de salida (Van)

diferentes, +Vdc, 0 y –Vdc, conectando el voltaje de entrada al de salida con diferentes
combinaciones de los cuatro semiconductores S1, S2, S3 y S4. Para obtener +Vdc, los
semiconductores S1 y S4 se ponen en conducción (1), mientras que S2 y S3 están en
estado de no conducción (0). Encendiendo los semiconductores S2 y S3 y apagando
S1 y S4, se obtiene –Vdc. Con las combinaciones (S1 y S2) ó (S3 y S4) en estado
encendido se obtiene un voltaje de salida de amplitud Cero. Cualquier otra
combinación no es permitida pues provocará un corto circuito en la fuente DC del
módulo. El funcionamiento de este puente H se resume en la tabla 1.5:

Tabla 1.5 Secuencia de encendido para puente H de la figura 1.6

Van S1 S2 S3 S4
Vdc 1 1
0 1 1
0 1 1
- Vdc 1 1

Estos puentes H pueden conectarse en cascada (serie o paralelo), y

dependiendo del número de puentes (etapas) que se conecten, se podrá obtener un
número diferente de niveles de tensión. La relación que existe entre el número de
niveles de tensión y el de etapas se verá más adelante.

Este tipo de inversores se puede separar en simétricos y asimétricos. Los

simétricos tienen todas las fuentes independientes con la misma tensión, en cambio
los asimétricos poseen fuentes de diferentes tensiones.

En la figura 1.7 se muestra el diagrama de conexión para un Inversor en

Cascada Simétrico de dos etapas. Este inversor puede generar voltajes de salida que
van desde –2Vdc a +2Vdc con cinco niveles diferentes (dos en el semiciclo positivo,
dos en el semiciclo negativo y el cero, con escalones iguales a Vdc). Para conseguir
los diferentes niveles de tensión se debe utilizar la secuencia de conmutación que se
muestra en la tabla 1.6, la que se construyó siguiendo la secuencia de la sinusoide de
 13

la figura 1.7. Además, se puede apreciar que para generar los diferentes niveles de
tensión hay más de una combinación posible.

2Vdc

S1B S2 B
Vdc a
−2Vdc
' '
S 1B S 2B

Vdc

S1 A S2 A
−Vdc
Vdc
n Vdc
' '
S 1A S 2A

−Vdc

Figura 1.7 Inversor en Cascada Simétrico de dos Etapas.

Tabla 1.6 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.7

Van S1A S2A S1A’ S2A’ S1B S2B S1B’ S2B’

0 1 1 1 1
Vdc 1 1 1 1
2 Vdc 1 1 1 1
Vdc 1 1 1 1
0 1 1 1 1
- Vdc 1 1 1 1
-2 Vdc 1 1 1 1
- Vdc 1 1 1 1
 14

En la figura 1.8 se muestra el diagrama de conexión para un Inversor en

Cascada Asimétrico de dos etapas. Este inversor puede generar voltajes de salida que
van desde –1.5Vdc a +1.5Vdc con cinco niveles diferentes (dos en el semiciclo
positivo, dos en el semiciclo negativo y el cero) de la misma forma que para el
Inversor Simétrico, según se muestra en la figura 1.8(a).

S1B S2B Vdc Vdc

Vdc
2 a

' '
−Vdc −Vdc
S1B S 2B

Vdc Vdc
2 2
V V
S1 A S2 A − dc − dc
2 2
Vdc Vdc Vdc
n
' '
S1A S 2A
−Vdc −Vdc
(a) (b)

Figura 1.8 Inversor en Cascada Asimétrico de dos Etapas (a) operando con
cinco niveles (b) operando con siete niveles.

Para conseguir los diferentes niveles de tensión se debe utilizar la misma

secuencia de conmutación que la mostrada en la tabla 1.6, pero con una diferencia en
los niveles de tensión. En la tabla 1.7 se pueden apreciar los niveles de tensión
correspondientes al Inversor en Cascada Asimétrico.

Analizando el caso del Inversor Asimétrico, es posible generar mayor

número de niveles de tensión de salida con esta misma configuración. Para ello es
necesario agregar más combinaciones a las que se mostró anteriormente. Como se
muestra en la figura 1.8(b), con este inversor se pueden generar hasta siete niveles de
tensión diferentes, los que se mantienen dentro del mismo rango antes mencionado.
En la tabla 1.8 se agregan los niveles adicionales y sus respectivas combinaciones de
conmutación.
 15

Tabla 1.7 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.8(a)

Van S1A S2A S1A’ S2A’ S1B S2B S1B’ S2B’

0 1 1 1 1
Vdc 1 1 1 1
1.5 Vdc 1 1 1 1
Vdc 1 1 1 1
0 1 1 1 1
- Vdc 1 1 1 1
-1.5 Vdc 1 1 1 1
- Vdc 1 1 1 1

Tabla 1.8 Secuencia de encendido para el inversor de la figura 1.8(b)

Van S1 S2 S3 S4 S1’ S2’ S3’ S4’

0 1 1 1 1
0.5 Vdc 1 1 1 1
Vdc 1 1 1 1
1.5 Vdc 1 1 1 1
Vdc 1 1 1 1
0.5 Vdc 1 1 1 1
0 1 1 1 1
- 0.5 Vdc 1 1 1 1
- Vdc 1 1 1 1
-1.5 Vdc 1 1 1 1
- Vdc 1 1 1 1
- 0.5 Vdc 1 1 1 1

Se puede apreciar que el Inversor Asimétrico permite generar una

sinusoide escalonada que se asemeja mejor a una sinusoide real que el Inversor
Simétrico. Esto porque un inversor Asimétrico, como el la figura 1.8 puede generar
 16

un número mayor de niveles que uno Simétrico. En la tabla 1.9 se muestra una
comparación entre utilizar el esquema simétrico frente al asimétrico, aquí se puede
observar que el aumento del número de niveles es considerablemente importante.

Tabla 1.9 Número de niveles de tensión para inversores Simétricos y

Asimétricos de diferente número de etapas.

Nº Etapas Simétrico Asimétrico

2 5 7
3 7 15
4 9 31
5 11 63

Es necesario mencionar que en el ejemplo de la tabla 1.9, las fuentes de

voltaje que se agregan en el caso del Inversor Asimétrico, son la mitad del valor de la
anterior. Es decir, la fuente adicional que se le agrega al Inversor Asimétrico de 3
etapas con respecto al de dos etapas es de 0.25Vdc, por lo tanto este inversor tendría
las siguientes fuentes independientes: Vdc, 0.5Vdc y 0.25Vdc. De esta forma, los
niveles de tensión de salida para este inversor serian: 0, 0.25Vdc, 0.5Vdc, 0.75Vdc,
Vdc, 1.25Vdc, 1.5Vdc, 1.75Vdc y los respectivos valores negativos. Más adelante se
verá que el número de niveles puede aumentarse aún más, escogiendo relaciones de
tensión entre las fuentes independientes diferentes de una reducción a la mitad.

1.2.4. Inversor Multietapa en Cascada con Fuente Común

Utilizando un esquema similar al del inversor con fuentes

independientes, pero poniendo transformadores en la salida, se puede construir un
Inversor Multietapa con Fuente Común. En la figura 1.9 se puede observar el
diagrama de un inversor de este tipo de dos etapas. Como puede observarse, a
diferencia del inversor con fuentes independientes, ambos puentes están alimentados
desde una misma fuente DC, y además los transformadores utilizados poseen la
 17

misma razón de transformación. Este inversor sería equivalente al Inversor

Multietapa en Cascada con Fuentes Independientes y Simétrico y por lo tanto, es
capaz de generar cinco niveles de tensión (dos positivos, dos negativos y el cero).
Para generar estos niveles de tensión se debe utilizar la misma secuencia de
combinación que la mostrada en la tabla 1.6.

2Vdc

1:1
S1B S2B a

−2Vdc
' '
S1B S 2B

Vdc

1:1
S1 A S2 A
−Vdc
Vdc
Vdc
' '
S1A S 2A n

−Vdc

Figura 1.9 Inversor en Cascada Simétrico de dos Etapas con fuente común.

La ventaja de esta configuración frente a la que no utiliza

transformadores es que con una sola fuente DC se pueden alimentar todos los
puentes del inversor. Esta ventaja es más evidente al aumentar el número de etapas
del inversor. Por ejemplo, en un inversor trifásico de cuatro etapas con fuentes
independientes, se necesitan doce fuentes DC para construir un inversor de las
mismas características que uno de fuente común, que sólo utiliza una fuente DC. No
obstante hay que mencionar que la topología de fuente común no es muy práctica en
aplicaciones en frecuencia variable. Por esta razón ella está pensada para la
implementación de rectificadores, filtros activos de potencia, compensadores
estáticos de reactivos o inversores conectados a la red trifásica.
 18

Utilizando transformadores de distinta razón de transformación se puede

construir un inversor Asimétrico de Fuente común, como el de dos etapas mostrado
en la figura 1.10. Para generar los diferentes niveles de tensión se deben utilizar las
mismas combinaciones que las mostradas anteriormente en las tablas 1.7 y 1.8.
Dependiendo del número de niveles de tensión de salida utilizados, se obtienen las
formas mostradas en las figuras 1.10(a) y 1.10(b), con 5 o 7 niveles respectivamente.

2 :1
S1B S2B a Vdc Vdc

' '
−Vdc −Vdc
S1B S 2B

Vdc Vdc
2 2
1:1 V V
S1 A S2 A − dc − dc
2 2
Vdc Vdc Vdc

'
S1A S 2'A n
−Vdc −Vdc
(a) (b)

Figura 1.10 Inversor en Cascada Asimétrico de dos Etapas.

En el siguiente capítulo de profundizará en este tipo de inversor, Cascada

Asimétrico de fuente común y con transformadores de salida, que es el que se
desarrolló y construyó en este trabajo. Particularmente, se describirá el multinivel de
cuatro etapas, capaz de generar con un número reducido de semiconductores, 81
niveles de voltaje.
 19

II. CARACTERÍSTICAS DEL INVERSOR MULTINIVEL DE CUATRO

ETAPAS EN CASCADA CON FUENTE COMÚN

El inversor en Cascada con Fuente Común corresponde a una

modificación del Inversor en Cascada con Fuentes Independientes. Es por esto que se
comenzará describiendo al de Fuentes Independientes, para continuar con el de
Fuente Común.

2.1. Inversor Multinivel de Cuatro etapas en Cascada con Fuentes

Independientes

En la figura 1.6 se mostró el módulo básico utilizado para la

implementación del Inversor Multietapa, cada etapa del inversor está constituida por
uno de estos módulos, los que también son conocidos como puentes H. Como se dijo
anteriormente, cada uno de estos módulos es capaz de generar tres niveles distintos
de tensión (Vdc, 0, - Vdc), los que combinados con los de las demás etapas del
Inversor generan la tensión de salida del inversor.

El Inversor de Cuatro Etapas en Cascada con Fuentes Independientes se

caracteriza por utilizar cuatro etapas conectadas en serie por cada fase, lo que
significa que para implementar un inversor trifásico de este tipo, se requieren doce
fuentes DC independientes para alimentar las secciones de potencia del inversor.

Utilizar diferentes niveles de tensión en cada una de las etapas del

inversor mejora la calidad de la forma de onda obtenida con este. Además, si los
niveles de tensión de las diferentes etapas del inversor son obtenidos de acuerdo a la
ecuación (2.1), se puede maximizar el número de niveles del inversor [5].

ni − 1
v dc (i −1) = ⋅ v dc (i ) i = 1, 2, ...( p − 1) (2.1)
ni ⋅ (ni −1 − 1)

donde vdc(i) es el voltaje de la etapa i, ni el número de niveles de voltaje

que la i-ésima etapa del inversor es capaz de producir y p el número de etapas. Como
 20

los puentes H utilizados en las diferentes etapas del inversor generan 3 niveles de
tensión, se obtiene que:

ni = 3 ∀i (2.2)

Reemplazando (2.2) en (2.1) se obtiene la relación que se muestra a

continuación:

v dc x ( i ) = 3 ⋅ v dc x (i −1)
(2.3)

Con el resultado de (2.3) se deduce que para maximizar el número de

niveles de tensión del inversor se debe utilizar voltajes escalonados en potencia de 3
para las diferentes etapas.

Vdc
3er Auxiliar

3 × Vdc
2er Auxiliar
CARGA

9 × Vdc
1er Auxiliar

27 × Vdc
Principal

Figura 2.1 Una fase de Inversor de Cuatro Etapas en Cascada con Fuentes
Independientes
 21

En la figura 2.1 se muestra un diagrama esquemático de una de las fases

de un inversor de estas características. Como se puede apreciar, las cuatro fuentes DC
de las diferentes etapas están aisladas y los niveles de tensión están escalados en
potencia de tres, dejando la fuente de mayor tensión (27·Vdc) para alimentar la etapa
correspondiente al inversor denominado “Principal” (por poseer la más alta tensión
de alimentación) y las tres restantes para los denominados “Auxiliares”. Por lo tanto,
este inversor corresponde a uno del tipo asimétrico, ya que las fuentes que alimentan
cada una de las etapas poseen diferentes niveles de tensión.

2.1.1. Modulación de Voltaje

Al escalar en potencia de 3 se obtienen 81 (34) (niveles por etapa elevado

al número de etapas) niveles de tensión con solo cuatro etapas, generando una forma
de onda sinusoidal de manera muy precisa, como se puede apreciar en la simulación
de la figura 2.2, donde se muestra el semiciclo positivo. De estos 81 niveles, 40 son
para los valores positivos, 40 para los negativos y uno para el cero [6].

Figura 2.2 Voltaje modulado en amplitud

 22

En la simulación de la figura 2.2 se pueden observar diferentes niveles de

tensión, los cuales se obtienen controlado los disparos de los semiconductores de
potencia. De este modo, el inversor se comporta como un dispositivo de Modulación
por Amplitud. Para el caso del 100% se utilizan todos los niveles que posee el
inversor, el resto de los voltajes posee menor número de niveles, manteniendo la
misma diferencia de tensión entre niveles.

Todas las simulaciones realizadas al Inversor con Fuentes Independientes

fueron ejecutadas con el programa de simulación “PSIM” mencionado en el capítulo
anterior. En el Anexo A se muestra el diagrama utilizado para este efecto.

Para obtener un voltaje de salida sinusoidal de 220Vac (RMS), se deben

utilizar fuentes dc tales que:

Vdc + 3 ⋅ Vdc + 9 ⋅ Vdc + 27 ⋅ Vdc = 220 ⋅ 2

40 ⋅ Vdc = 220 ⋅ 2 (2.4)
Vdc ≈ 8

Con la relación obtenida en (2.4) se pueden obtener los voltajes para las
diferentes etapas del inversor, siendo estos los siguientes: La Principal debe estar
alimentada con 216Vdc, el 1er Auxiliar con 72Vdc, el 2do Auxiliar con 24Vdc y
finalmente el 3er Auxiliar con 8Vdc.

En la figura 2.3 se muestra una simulación de la modulación de voltaje en

cada una de las etapas del Inversor, donde se pueden apreciar los diferentes voltajes
de cada etapa, obtenidos anteriormente con la relación (2.4). En este caso, la figura
muestra la modulación en los diferentes puentes para un voltaje de salida del 100%.
Se puede observar que la frecuencia de la etapa Principal es la más baja, coincidiendo
con la frecuencia fundamental del voltaje de salida del inversor. En este caso, las
válvulas se abren y cierran solo una vez por ciclo, por lo tanto, la frecuencia de
conmutación del Principal es de 50Hz. El Auxiliar más rápido opera a 54 veces la
frecuencia fundamental, es decir, 2700 Hz.
 23

Figura 2.3 Voltaje Modulado en cada Etapa del Inversor.

2.1.2. Distribución de Potencia

En la figura 2.4 se muestra una simulación de la distribución de potencia,

para una fase, entre las diferentes etapas del inversor, alimentando una carga resistiva
pura de 3Ω con tensión sinusoidal de 220V. El 80% de la potencia activa la
suministra el Principal y solo el 20% restante lo aportan todos los Auxiliares en
conjunto.

Como se puede apreciar en la figura 2.4, la etapa correspondiente al

Principal es la que toma la mayor parte de la potencia, pero por otro lado es la que
opera a menor frecuencia. Esto es una ventaja, la que permite utilizar en aplicaciones
de elevada potencia, semiconductores “lentos” en esta etapa, los que pueden soportar
 24

mayores potencias. Por ejemplo el Principal puede ser implementado con GTOs o
IGCTs y los Auxiliares con IGBTs.

Figura 2.4 Distribución de Potencia Activa.

Para calcular la distribución de potencia, en la figura 2.4 se graficó el

producto de la corriente que circula en cada puente por su voltaje de alimentación
respectivo y luego se obtuvo el valor promedio en cada gráfico. En la tabla 2.1 se
muestran los valores de las potencias suministradas por cada puente.
 25

Tabla 2.1 Potencias suministradas por cada puente (Inversor con Fuentes
Independientes).

Carga R
(P en kW)
Auxiliar 3 0,072
Auxiliar 2 0,487
Auxiliar 1 2,711
Principal 13,813
TOTAL 17,084

2.2. Inversor Multinivel de Cuatro etapas en Cascada con Fuente

Común

Como se adelantó en el Capítulo I, este tipo de Inversores utiliza una sola

fuente DC de la cual se abastece toda la sección de potencia del inversor. El inversor
en cascada con fuente común se caracteriza por utilizar cierto número de etapas
conectadas en paralelo, las que determinan el número de niveles del inversor.

Utilizando el mismo módulo básico que el inversor de fuentes

independientes (figura 1.6), y una conexión similar a la de éste, pero agregando
transformadores en la salida, se obtiene un Inversor de Cuatro Etapas en Cascada con
Fuente Común. En la figura 2.5 se puede observar el esquema de conexión de este
Inversor.
 26

27 : 1

3er Auxiliar

9:1

2er Auxiliar

CARGA
3:1

1er Auxiliar

1:1

Vdc
Principal

Figura 2.5 Inversor de Cuatro Etapas en Cascada con Fuente Común.

2.2.1. Modulación de Voltaje

Como se puede observar, los primarios de los transformadores están

todos alimentados con la misma tensión, debido a que todas la etapas se alimentan
desde la misma fuente. Esto hace necesario que la relación de transformación de los
transformadores de cada etapa sea tal que los secundarios mantengan la misma
relación de la ecuación (2.3), para maximizar el número de niveles del inversor. Por
esto es que las razones de transformación están escalonadas en potencia de tres. Así,
conectando los secundarios en serie, se suman sus tensiones de modo similar a como
se suman en los puentes del inversor de fuentes independientes.

Además de la ventaja que representa el utilizar solo una fuente de tensión

continua para el inversor (para las tres fases), se elimina el problema de requerir
bidireccionalidad individual para esas fuentes.
 27

En la figura 2.6 se muestra una simulación de la modulación de voltaje en

las diferentes etapas del inversor, para un voltaje de salida del 100%. En este caso se
muestran los voltajes antes y después de los transformadores de salida. Como se
puede apreciar en la figura, las respectivas formas de onda del Principal y los
Auxiliares son las mismas que para el Inversor de fuentes independientes, pero el
voltaje de los puentes (en los primarios de los transformadores) es de la misma
magnitud para todas las etapas. Una vez que se transforman (voltaje en los
secundarios) estos quedan escalados en potencias de tres, y como están conectados en
serie se suman obteniendo el voltaje de salida del inversor.

Igualmente como se hizo con el inversor de fuentes independientes, las

simulaciones realizadas al inversor con fuente común fueron ejecutadas con el
programa de simulación “PSIM”. En el Anexo B se muestra el diagrama utilizado
para este efecto.

Figura 2.6 Voltaje Modulado en primarios y secundarios en cada etapa del inversor
 28

Para determinar el voltaje de la fuente DC necesaria para obtener un

voltaje de salida de 220 Vac (RMS) se procedió de la siguiente forma. Se utilizó una
razón de transformación 1:1 en el transformador correspondiente a la etapa Principal,
con lo que las razones de los transformadores de las etapas Auxiliares fueron: 3:1,
9:1 y 27:1. En otras palabras, se utilizó a=27 en la figura 2.5. Dado que el
transformador Principal tiene razón 1:1 y que las razones de transformación están
escalonadas en potencias de tres, se puede hacer el siguiente cálculo:

Vdc Vdc Vdc

Vdc + + + = 220 ⋅ 2
3 9 27
40 ⋅ Vdc = 27 ⋅ 220 ⋅ 2 (2.4)
Vdc ≈ 210

Por lo tanto, para obtener los gráficos de la figura 2.6 se simuló

utilizando una fuente de 210Vdc y generando un voltaje de salida del 100%, vale
decir 220Vac (RMS). En la figura 2.7 se muestra el voltaje de salida en las
condiciones antes descritas. En la figura superior se muestra el voltaje escalonado
generado por el inversor y una sinusoide de referencia, los que se confunden en la
misma curva. Para poder comparar mejor, en la figura inferior se han separado las
dos señales sumándole una componente continua de 20Vdc a la sinusoide de
referencia (curva azul), con lo que se consigue desplazar hacia arriba la señal. Aquí
se puede observar que con los 81 niveles del inversor se puede generar que la señal
escalonada con forma sinusoidal muy precisa, con bajo contenido armónico. En la
figura 2.8 se muestra el contenido armónico del voltaje generado por el inversor,
donde se puede apreciar que es muy bajo.
 29

Figura 2.7 Tensión de salida del Inversor comparada con una sinusoide de
referencia.

Figura 2.8 Contenido armónico de la señal de voltaje

 30

2.2.2. Distribución de Potencia.

La distribución de potencia en este Inversor es la misma que en el de

Fuentes Independientes, es decir, el 80% de la potencia la suministra la etapa
Principal y solo el 20% restante lo aportan las etapas de los Auxiliares en conjunto.

La simulación de la figura 2.9 muestra la distribución para una carga

resistiva pura y una carga resistiva inductiva. Las mediciones se realizaron con la
corriente instantánea consumida por cada puente, la que se multiplicó por los
210Vdc de los que están alimentados y a esta curva se le tomó el valor medio. En la
figura 2.9(a) se muestra la simulación utilizando la misma carga que la de la figura
2.4 (carga resistiva de 3Ω), en la figura 2.9(b) se muestra la distribución de potencia
para una carga inductiva (3Ω y 6mH).

Figura 2.9 Distribución de Potencia a) Carga R b) Carga RL.

 31

Al alimentar una carga resistiva pura o una resistiva inductiva, la

distribución de potencia se mantiene. En la tabla 2.2 se muestran las potencias
suministradas por los puentes en cada caso.

Tabla 2.2 Potencias suministradas por cada puente (Inversor de Fuente

Común).

Carga R Carga RL % de
(P en kW) (P en kW) Carga
Auxiliar 3 0,069 0,049 0,4
Auxiliar 2 0,461 0,331 2,9
Auxiliar 1 2,563 1,839 15,9
Master 13,056 9,375 80,9
TOTAL 16,148 11,594 100%

2.2.3. Forma de la corriente.

Este tipo de inversor, por generar el voltaje de salida por modulación de

amplitud, genera corrientes muy limpias en la carga. En la figura 2.10 se muestran las
corrientes y el voltaje para dos tipos de carga diferente (las mismas utilizadas en la
figura 2.9), donde se puede observar que estas son prácticamente puras.
 32

Figura 2.10 Corriente y Voltaje de salida para cargas R y RL.

2.3. Comparación de Inversores

A continuación se hace una comparación entre los inversores multinivel

con los de dos niveles (PWM) y se compara el inversor multinivel de fuente común
con el de fuentes independientes.

El inversor multinivel, sea de fuentes independientes o de fuente común,

posee ciertas ventajas frente al inversor PWM. Las corrientes generadas por los
inversores multinivel son bastante más puras que las de los inversores PWM y están
libres de armónicas. En la figura 2.11 se muestra una simulación con las corrientes en
una carga RL para los dos tipos de inversor, donde se puede apreciar que la corriente
del inversor PWM posee rizado, y la del inversor multinivel es prácticamente
sinusoidal.
 33

Figura 2.11 Corriente para carga RL en Inversor Multinivel y PWM

Los inversores PWM modulan el voltaje por ancho de pulso, lo que hace
que el voltaje de salida no sea perfectamente sinusoidal y se mueva bruscamente,
generando grandes dV/dt. Esto puede causar problemas en las aislaciones, y en el
caso de los motores, producir daños a los rodamientos. Por el contrario, como los
inversores multinivel generan la tensión modulando la amplitud del voltaje de salida,
éste varía desde cero al valor máximo de la sinusoide de forma suave y escalonada.
En la figura 2.12 se muestra los voltajes de salida para estos inversores, para el caso
del inversor PWM se ha utilizado uno de dos niveles operando a 10kHz, con el
esquema que se muestra en el Anexo C.
 34

Figura 2.12 Voltajes de salida para Inversores Multinivel y PWM

Por otro lado, la frecuencia de conmutación de los inversores multinivel

es bastante más baja que la frecuencia de conmutación de los inversores PWM. Estos
últimos utilizan frecuencias de conmutación desde 10kHz a 100kHz, en cambio el
inversor multinivel desarrollado en este trabajo en la etapa más lenta (Principal)
conmuta a la frecuencia fundamental (50 Hz) y el más rápido (3er Auxiliar) lo hace a
un promedio 54 veces más rápido que la frecuencia fundamental (2,7 kHz), con la
ventaja adicional de que esta etapa es la que aporta la menor potencia del inversor
(alrededor del 1%).

La etapa del 3er Auxiliar opera a una frecuencia promedio de 2,7 kHz,
pero alcanza una frecuencia máxima de 4,3 kHz. La obtención de este valor se
realizó midiendo la señal de disparo, en un período fundamental del Inversor, de uno
de los IGBT de la etapa del 3er Auxiliar. En la figura 2.13 se muestra esta señal
(figura superior), junto con una ampliación (figura inferior), donde se realizó la
medición del periodo más corto de esta señal. En la figura superior se puede apreciar
 35

que la frecuencia de los disparos varía, alcanzado el máximo en su centro, el que se

encuentra ampliado en la parte inferior de la figura 2.13.

Figura 2.13 Señal de disparo de uno los IGBT de la etapa del 3er Auxiliar

Comparando entre los inversores multinivel, los de fuentes

independientes con los de fuente común, el de fuentes independientes tiene la ventaja
de poder generar tensiones sinusoidales de salida desde cero Hz en adelante. En
cambio, como el Inversor de Fuente Común utiliza transformadores para escalar la
tensión, al operar a bajas frecuencias se comienzan a saturar sus núcleos, impidiendo
llegar a cero Hz. Por lo tanto, este inversor esta diseñado para operar a una frecuencia
fija. Además, los transformadores son componentes pesados y voluminosos, sobre
todo si se trata de altas potencias.
 36

Por otro lado, la construcción e implementación del inversor de fuentes

independientes es bastante más compleja, debido a que este requiere un gran número
de fuentes independientes (12 para un inversor trifásico de 81 niveles), las que
además pueden, como se mencionó, pueden requerir características de operación
bidireccionales.
 37

III. DISEÑO Y CONSTRUCCIÓN

Una vez hecho el estudio previo y las simulaciones, se comenzó el diseño

y construcción del inversor, para lo cual se hizo una división de las etapas de
construcción. En una primera instancia se realizó el diseño de los circuitos impresos
que se requerirían y se especificaron los transformadores. La construcción definitiva
del inversor se basó en la utilización de un disipador especial de muy baja resistencia
térmica, el cual fue definiendo la forma y tamaño del sistema completo.

Una vez montados estos elementos se procedió a realizar las conexiones

eléctricas entre los diferentes componentes y a emplazar los terminales de entrada y
salida del inversor. En el diagrama secuencial de la figura 3.1 se muestra la forma de
proceder para la construcción del inversor.

Estudio Previo y Simulaciones

Diseño Circuitos Impresos Calculo de Transformadores

Ensamble del Disipador

Diseño del Armazón

Conexiones y Terminales Eléctricos

Figura 3.1 Diagrama secuencial de las etapas de construcción

En los siguientes puntos de este capítulo se detallan la etapas recién

mencionadas.
 38

3.1. Circuito de potencia

El circuito de potencia de este inversor se construyó en base al diagrama

para una fase mostrado en la figura 2.5, el cual es nuevamente mostrado en la figura
3.2. Cada fase del Inversor está montada sobre un disipador, el cual es común a las
tres fases. Los cuatro módulos IGBT en puente H de cada fase, van conectados a una
tarjeta común, en la que se disponen todos los elementos de potencia, y que además
posee los terminales necesarios para el control de los IGBTs.

27 : 1

3er Auxiliar

9:1

2er Auxiliar CARGA

3:1

1er Auxiliar

1:1

Vdc
Principal

Figura 3.2 Circuito esquemático de una fase del inversor.

 39

3.2. Descripción de los IGBTs utilizados

Como se dijo anteriormente, para construir el inversor se utilizaron

semiconductores de potencia del tipo IGBT. Específicamente se utilizó un módulo
integrado fabricado por Tyco Electronics (modelo P503-F-PM), que corresponde a
un arreglo de cuatro IGBTs en configuración puente H, con los que se construyó cada
etapa del inversor. Estos IGBTs soportan 30A y un voltaje de 600V, otras
características se pueden encontrar en las hojas datos técnicos de este componente,
incluida en el Anexo B de esta memoria.

En la figura 3.3 se muestran dos fotos del módulo IGBT utilizado, con
los que se formará cada una de las tapas del inversor. Como el inversor es de tres
fases y de cuatro etapas, se requieren 12 de estos módulos para su construcción. Para
simplicidad del diseño y para unificar el material utilizado, se utilizaron puentes de la
misma potencia en todas las etapas del inversor.

Figura 3.3 Dibujo del encapsulado en puente H, modelo P503-F-PM

En la figura 3.4 se muestra una vista de los pines de conexión,

codificados por números, y un diagrama esquemático de las conexiones internas de
este encapsulado.
 40

Figura 3.4 Esquemático del encapsulado y asignación de pines del P503-F-PM

3.3. Circuitos Impresos del Inversor

El inversor consta de dos circuitos impresos básicos: la “Tarjeta de

Potencia” y la “Tarjeta de Disparo”. En la primera se disponen los IGBT con sus
conexiones de control y potencia de acuerdo a los pines del módulo, mientras que en
la segunda se localizan todos los componentes para activar y desactivar los IGBT.

3.3.1. Tarjeta de Potencia

En la figura 3.5 se muestra el diseño realizado para la Tarjeta de

Potencia, viéndola desde su parte superior, es decir, por el lado donde se montan los
componentes. Lo que se ve en color rojo corresponde a la capa superior de la tarjeta y
lo que está en color azul es la capa inferior. Los dibujos que figuran en color negro
representan los componentes que se soldarán a la tarjeta. Esta misma simbología se
utilizará en el resto de los circuitos impresos que se muestren en la presente
memoria. El diseño fue realizado con el software “Traxmaker”, y la tarjetas se
mandaron a hacer con el archivo generado por este software.
 41

En la parte superior de la figura 3.5 se puede observar que hay siete

terminales, los que cumplen las funciones que se describen a continuación
(ordenados de izquierda a derecha):

MASTER: Terminal para el transformador de la etapa Principal.

SLAVE 3: Terminal para el transformador de la etapa del 3er Auxiliar.

POWER A, POWER B, POWER C: Terminales para alimentar la parte

de potencia en tensión continua del Inversor (corresponde a Vdc de la
figura 2.5)

SLAVE 1: Terminal para el transformador de la etapa del 1er Auxiliar.

SLAVE 2: Terminal para el transformador de la etapa del 2er Auxiliar.

En la parte central de la figura 3.5 están representados los cuatro

encapsulados de los puentes H, con los que se forman las cuatro etapas de una fase
del inversor. El que está en la parte superior en disposición horizontal corresponde a
la etapa del 1er Auxiliar, luego de izquierda a derecha se encuentran los que
corresponden a las etapas Principal, 3er Auxiliar y 2do Auxiliar. Finalmente, en la
parte inferior de esta figura hay cuatro conectores: dos grandes dispuestos en forma
horizontal y dos pequeños en forma vertical. Los grandes son para interconectar la
Tarjeta de Potencia a la Tarjeta de Disparo y los pequeños son para conectar la
alimentación de esta última tarjeta, la que se transmite a través del conector grande.
Cabe mencionar que por cada Tarjeta de Potencia se utilizan dos Tarjetas de Disparo,
lo que se explicará más adelante. En el Anexo C se muestran con mayor detalle las
características del Circuito Impreso de Potencia.
 42

Figura 3.5 Diseño del Circuito Impreso de la Tarjeta de Potencia

 43

En la figura 3.6 se muestra una fotografía de la Tarjeta de Potencia con

sus componentes definitivos instalados.

Figura 3.6 Fotografía Tarjeta de Potencia

 44

La disposición física de los puentes H en esta tarjeta obedece a la

necesidad de aprovechar el disipador de calor común que ya se ha mencionado. Con
esta distribución se consiguió que todos los puentes H cupieran dentro del área del
disipador. Lo detalles del disipador se muestran más adelante en este capítulo.

3.3.2. Tarjeta de Disparo

Para que los IGBTs conduzcan es necesario generar una señal de voltaje
de alrededor de 15V entre la puerta y el emisor. Como se puede observar en la figura
3.2, en cada puente hay tres referencias de disparo diferentes (los dos IGBTs
inferiores del puente H tienen la misma referencia). Por lo tanto, al cambiar de estado
los IGBTs generan tierras flotantes en las fuentes de disparo, lo que hace necesaria la
implementación de un circuito de disparo que sea capaz de generar los 15V
independientemente para cada uno [7].

Para solucionar esto se utilizó el circuito integrado IR2113 de

International Rectifier. Este circuito es capaz de manejar dos válvulas utilizando una
sola fuente de voltaje, sin tener la preocupación de aislación de tierras flotantes. Por
lo tanto, por cada etapa se utilizaron dos de estos circuitos, sumando un total de ocho
en cada fase del inversor. En el Anexo B se encuentran las hojas de datos técnicos de
este circuito integrado.

En la figura 3.7 se muestra un diagrama esquemático del circuito de

disparo. Como puede verse, el circuito posee una aislación de tierras entre el lado de
control y el de disparo, lo que se nota por el cambio de simbología entre las dos
tierras. Esta aislación tiene por objeto mantener el lado de potencia en corriente
continua del inversor aislado de los circuitos de control. El elemento que genera la
aislación galvánica es la optocupla digital modelo 6N137, de las cuales se ha
ocupado una por cada IGBT del inversor. Para mayor información, en el Anexo B se
agregan las hojas de datos técnicos de este circuito integrado. En este circuito se han
destacado las fuentes de voltaje que se utilizan, a las que se hará mención más
adelante.
 45

Además de los componentes mencionados anteriormente, el circuito

utiliza dos negadores, para lo cual se utilizó el circuito integrado 74LS04, que consta
de seis negadores independientes (ver Anexo B).

CONTROL DISPARO POTENCIA

150p 10k IGBT

HID
10k
Optocupla

6N137

HIC
680 10u

Driver
IR-2113 Vcc
0.1u 5V
47u
10u 15V

IGBT
150p LOD
Optocupla

10k
6N137

LOC
680

0.1u

Figura 3.7 Diagrama esquemático del Circuito de Disparo.

Como se puede observar, con el circuito de disparo de la figura 3.7 se

pueden controlar solo dos IGBTs, por lo que se requieren dos de estos circuitos por
cada etapa, sumando un total de ocho por cada fase del inversor.

Utilizando el diagrama esquemático de la figura 3.7 se diseñó la Tarjeta

de Disparo para disponer los componentes necesarios para implementar el Circuito
de Disparo. Como se dijo anteriormente, por cada fase del inversor se requieren ocho
circuitos como los mostrados en la figura 3.7. Para reducir el tamaño de la tarjeta, se
diseño un circuito impreso que contiene solo cuatro de estos circuitos. Por lo tanto,
cada fase del inversor utiliza dos Tarjetas de Disparo para controlar todos los IGBTs.

En la figura 3.8 se muestra el diseño realizado en Traxmaker de la Tarjeta

de Disparo, la simbología utilizada es la misma que la explicada anteriormente.
 46

Figura 3.8 Diseño del Circuito Impreso de la Tarjeta de Disparo

En la parte superior de la figura 3.8 se puede observar que hay un

conector de 16 pines, en el cual se agrupan los terminales del lado de control de esta
tarjeta en donde deben conectarse las señales de control del inversor. En la parte
inferior se observa una serie de líneas gruesas, las que se utilizan para interconectar
esta tarjeta directamente a la Tarjeta de Potencia. Por estas líneas se transmiten las
señales de disparo hacia la Tarjeta de Potencia, y desde esta se alimenta la Tarjeta de
Disparo. En el Anexo D se pueden encontrar mayores detalles del Circuito Impreso
de Disparo.

A continuación, en la figura 3.9, se muestra una fotografía de esta tarjeta

con todos sus elementos.
 47

Figura 3.9 Fotografía Tarjeta de Disparo

Ambos circuitos impresos (Tarjeta de Potencia y Tarjeta de Disparo) se

conectan directamente en forma perpendicular gracias a un conector para este
propósito, el cual puede observarse en la figura 3.10. Con este sistema se eliminan
cables y conectores minimizando las probabilidades de falla por malas conexiones.
Además, de esta forma se aprovecha el espacio físico, ya que las Tarjetas de disparo,
ubicadas en forma vertical en la figura 3.10, quedan a un costado del Disipador que
se ubicará sobre los puentes H (que no aparece en la figura).
 48

Figura 3.10 Interconexión de la Tarjeta de Potencia con las de Disparo.

 49

3.3.3. Circuito Impreso de Interconexión

Como se dijo anteriormente, el inversor utiliza dos Tarjetas de Disparo

por fase, lo que implica que en cada fase quedan dos conectores por los que deberían
llegar las señales de control. Para hacer más fácil la interconexión entre el control y
el inversor se diseñó la Tarjeta de Interconexión, la que tiene por finalidad agrupar
los conectores de las dos Tarjetas de Disparo de cada fase en uno solo. En la figura
3.11(a) se muestra el diseño realizado de la Tarjeta de Interconexión y en la figura
3.11(b) se muestra una fotografía de esta misma, una vez soldados sus componentes
y con los cables con los que se conectará a cada una de las Tarjetas de Disparo. El
conector que se ve a la derecha de esta figura (sin cables conectados) es el que
finalmente tiene agrupadas todas las señales de control de cada fase.

Figura 3.11 a) Circuito Impreso b) Foto de la Tarjeta de Interconexión.

Para mayores detalles del Circuito Impreso de Interconexión, referirse al

Anexo E de esta memoria.
 50

3.4. Fuente de Poder

Como se pudo observar en la figura 3.7, el circuito de disparo requiere

una alimentación de 5 y 15 Vdc, para lo cual fue necesario diseñar una fuente que
suministrara estas tensiones. Esta fuente alimenta los consumos de las tarjetas de
disparo de las tres fases del inversor. En la figura 3.12 se muestra el diseño realizado
en Traxmaker de la Fuente de Poder.

Figura 3.12 Diseño del Circuito Impreso de la Fuente de Poder

El diseño de esta fuente se hizo en base a rectificadores puente de diodos,

filtrados con condensador y regulados con los siguientes circuitos integrados:
LM7805, LM7812 y LM7815. Las hojas de datos técnicos de estos circuitos
integrados se pueden ver en el Anexo B. En la figura 3.13 se muestra una fotografía
de la Fuente de Poder lista para ser instalada en el inversor.
 51

Figura 3.13 Fotografía Fuente de Poder

En el Anexo F de esta memoria se encuentra información adicional de la

Fuente de Poder.

3.5. Transformadores

Como se dijo anteriormente, los IGBTs utilizados para la construcción

del inversor son de 30A y por lo tanto, para sacarles el máximo provecho, los
primarios de los transformadores (lado conectado a los puentes H) de la etapa
Principal deberían ser diseñados para esta misma corriente. Sin embargo, para
disminuir los costos del inversor, se utilizaron transformadores de menor corriente,
que por un lado son de menor tamaño y más bajo costo, pero por otro impiden
aprovechar al máximo la capacidad de los IGBTs.
 52

Los transformadores requeridos deben tener una razón de transformación

y potencia específica para cada etapa del inversor. Para dimensionar las tensiones se
determinaron las relaciones de voltaje en cada etapa del inversor, utilizando un
raciocinio similar al de la ecuación 2.4. En la ecuación 3.1 se muestra el cálculo
utilizado para obtener el voltaje que debe aportar el transformador de la etapa de
tensión mas pequeña, es decir, del 3er Auxiliar. Como el inversor de cuatro etapas
diseñado es de 81 niveles (cuarenta positivos, cuarenta negativos y el cero), para
generar una tensión de salida de 220Vac, se tiene que

40 ⋅ V3er Auxiliar = 220

(3.1)
V3er Auxiliar = 5,5

Cifra que se ha redondeado a un valor de 6 V en el 3er Auxiliar. Por lo

tanto, como los voltajes deben estar escalados en potencia de 3, los voltajes de los
secundarios de los transformadores (lado de salida del inversor) deben ser los que se
muestran en la tabla 3.1

Tabla 3.1 Voltajes en los secundarios de cada etapa

Voltaje Secundario (Vac)

3er Auxiliar 6
2er Auxiliar 18
er
1 Auxiliar 54
Principal 162

Ahora, la relación de voltaje entre primarios y secundarios dependerá del

valor de tensión asignado a la barra continua de alimentación de los inversores, la
cual es común a todos ellos. Como se muestra en la ecuación 3.2, basta que los
primarios de los transformadores soporten 220Vac. Por lo tanto, las relaciones de
voltaje de los transformadores deben ser las que se muestran en la tabla 3.2.
 53

Tabla 3.2 Relación de voltaje entre primarios y secundarios por etapa

Transformador Relación de Voltajes

3er Auxiliar 220:6
2er Auxiliar 220:18
er
1 Auxiliar 220:54
Principal 220:162

El voltaje de alimentación continua que es necesario utilizar para que el

inversor genere una tensión de salida de 220 Vac se obtiene con la ecuación 3.2

162 54 18 6
Vdc + + + = 220 ⋅ 2
220 220 220 220
220 ⋅ 220 ⋅ 2
Vdc = (3.2)
162 + 54 + 18 + 6
Vdc ≈ 285

Como los secundarios de los transformadores están conectados en serie,

la corriente que pasa por esos enrollados es la misma para los cuatro. Así, definiendo
la potencia de uno de los transformadores se puede determinar la de los otros tres. Lo
que se hizo fue, considerando esencialmente los costos, definir arbitrariamente la
potencia para el transformador más grande (el de la etapa Principal) y luego calcular
la potencia de los otros tres en base a la corriente y voltaje del secundario.

Así, se fijó la potencia aparente del transformador de la etapa Principal

en 800VA, y utilizando el voltaje de su secundario (162Vac) se calculó la corriente
de diseño para este enrollado, la cual es la misma para todos los secundarios de los
transformadores, pues ellos están conectados en serie. De esta forma se obtuvo la
potencia aparente requerida para cada transformador, las que se muestran en la tabla
3.3.
 54

Tabla 3.3 Potencia para los transformadores de cada etapa

Transformador Potencia (VA)

3er Auxiliar 30
2er Auxiliar 90
er
1 Auxiliar 265
Principal 800

La potencia de los transformadores en definitiva es la que define la

potencia del inversor. Como los cálculos se hicieron en base a la corriente de los
enrollados secundarios (aproximadamente 5A) y un voltaje de salida de 220 Vac, el
inversor puede suministrar 1.1kVA por cada fase.

Por cada fase se requiere de un paquete de transformadores compuesto

por uno de cada uno de los de la tabla 3.3. Por lo tanto, para la construcción del
inversor fue necesario mandar a hacer tres transformadores de cada tipo (uno para
cada fase del inversor).

Así, cada paquete de transformadores está compuesto por un grupo de

cuatro transformadores, todos distintos, los que poseen sus secundarios
interconectados en serie.

3.6. Disipador de Calor

El disipador de calor en los circuitos de electrónicos es una pieza clave,

sobre todo si se trata de electrónica de potencia, donde las elevadas corrientes por los
semiconductores, IGBTs en este caso, pueden causar su destrucción. Tanto así, que
en muchas aplicaciones, la potencia máxima de un circuito de potencia está limitada
por el diseño térmico del sistema.
 55

3.6.1. Diseño Térmico del Disipador

Durante la operación de los IGBTs se generan pérdidas por conducción y

por conmutación, las que se transforman en calor, el que debe ser evacuado para no
dañarlos. Este calor generado debe ser conducido desde la juntura del semiconductor
hacia el ambiente en forma adecuada, para no sobrepasar el límite máximo de
temperatura de los IGBTs.

La temperatura máxima de juntura especificada por el fabricante para los

IGBTs utilizado es de 150ºC. Para asegurar un funcionamiento correcto y sin
interrupciones, se ha considerado que bajo condiciones normales de operación, la
temperatura de juntura no deberá sobrepasar los 125ºC.

En la figura 3.14 se muestra un modelo térmico básico, donde PDIS

representa la potencia de pérdida disipada en cada IGBT, RJC representa la resistencia
térmica entre la juntura y la carcasa del IGBT, RCD la resistencia térmica entre la
carcasa del IGBT y el disipador de calor y RDA la resistencia térmica entre el
disipador y el ambiente. Además, TJ representa la temperatura de la juntura del
IGBT, TC la temperatura de la carcasa, TD la temperatura del disipador y TA la
temperatura ambiente.

RTH (JC) RTH (CD) RTH (DA)

TJ TC TD

PDIS TA

Figura 3.14 Modelo térmico básico.

 56

Este modelo se aplica para una configuración en la que hay un

semiconductor montado en un disipador, pero en este caso son varios los
semiconductores montados sobre un mismo disipador. Como se vio anteriormente,
en cada módulo “P-503” hay cuatro IGBTs, por lo que para los cálculos se utilizó el
modelo térmico que se muestra en la figura 3.15.

RTH (JC+CD)
PDIS

12 IGBTs
Maestros
RTH (JC+CD)
PDIS
RTH (DA)

RTH (JC+CD)
PDIS TA
36 IGBTs
Auxiliares
RTH (JC+CD)
PDIS

Figura 3.15 Modelo térmico utilizado para los cálculos

Así, con este modelo se obtuvo que la resistencia térmica entre el

disipador y el ambiente (RTH(DA)) debía ser menor que 0.077 ºC/W, lo que se cumple,
ya que este valor para el disipador utilizado es de 0.064 ºC/W. En el Anexo G se
muestran los cálculos y supuestos realizados para determinar los valores de las
resistencia térmica, tanto del circuito térmico como del disipador propiamente tal.
 57

3.6.2. Montaje del Disipador

El disipador utilizado, mencionado en el párrafo anterior, fue el punto de

partida para el diseño del inversor trifásico. Sus características térmicas eran
excelentes, y sus dimensiones útiles, 40,5cm x 10,5cm (largo y ancho), eran
suficientes para lograr ubicar dentro de esta área los puentes H de las tres fases del
Inversor. En la figura 3.16 se muestra un dibujo esquemático del disipador. Este
disipador corresponde a un fragmento de uno utilizado en un proyecto anterior
realizado por el memorista Mauricio Rotella [8]. En el Anexo B se muestra la hoja de
datos técnicos de este disipador. La altura de sus aletas disipadoras es de 13cm.

Figura 3.16 Disipador de Calor.

Dado el tamaño y solidez del Disipador, este se transformó en pieza

clave, ya que a él se adosaron los puentes H y a su vez las Tarjetas de Potencia. Para
Aprovechar de mejor forma el área del Disipador, se dispuso los puentes H en tres
grupos de a cuatro, uno para cada fase, bajo la base del Disipador, y de tal manera
que quedaran repartidos en forma simétrica. Así, se llegó finalmente a la disposición
que se muestra en la figura 3.17, en que hay tres puentes en sentido vertical y uno
horizontal por fase (la figura esta mirada desde arriba, con las aletas de disipador
hacia abajo).
 58

Fase A Fase B Fase C

1º Auxiliar 1º Auxiliar 1º Auxiliar

2º Auxiliar 3º Auxiliar Maestro 2º Auxiliar 3º Auxiliar Maestro 2º Auxiliar 3º Auxiliar Maestro

Figura 3.17 Distribución de los puentes en la base del Disipador

Tarjetas de
Disparo

Disipador

Conectores
de Potencia

Tarjeta de
Potencia Puentes “H”

Figura 3.18 Corte transversal por el Disipador

Como se dijo anteriormente, el disipador, aparte de cumplir su función

como disipador de calor, resultó ser una estructura fundamental del inversor. En la
figura 3.18 se muestra un corte de éste de tal forma que se pueden observar los
puentes H adosados a la parte inferior. Además se muestran las Tarjetas de Potencia
 59

y Disparo, observándose la disposición física con respecto al disipador. Así, con el

disipador se construyó un módulo que agrupa prácticamente todas las partes de la
electrónica de potencia y disparo del inversor, quedando fuera solamente las Tarjetas
de Interconexión, las que se montan directamente sobre el Armazón. Esto tiene la
gran ventaja de que para ensamblar el inversor, este bloque se puede armar como una
unidad compacta e independiente, la cual posteriormente es instalada y conectada a
los terminales correspondientes.

3.7. Armazón y Disposición de los Componentes

El armazón del inversor se construyó sobre una base cuadrada de perfiles

de aluminio, formando una estructura sobre la cual posteriormente se montan todas
las partes del inversor. Los perfiles utilizados en esta parte de la estructura fueron del
tipo U de 24x75x24mm con un espesor de 1mm y las dimensiones externas del
armazón son de 45,0x52,5cm. En la figura 3.19(a) se muestra un dibujo de la planta,
con sus dimensiones totales en centímetros.

52,5

16,0

45,0

(b)

(a)

Figura 3.19 (a) Planta del armazón estructural (b) Detalle esquinas.
 60

Todas las uniones de los perfiles se realizaron utilizando remaches “pop”,

reforzando interiormente con un perfil L, también de aluminio, de 25x25mm.
Además, en las esquinas se puso un refuerzo de forma triangular, que se puede
observar en la figura 3.18(b).

Como se dijo anteriormente, sobre este armazón se dispusieron todas

partes que conforman el inversor. Para lograr esto se organizaron los diferentes
componentes para aprovechar de la mejor forma el espacio disponible, y conseguir
que el equipo quede lo más compacto posible. Así, se dejaron a un lado del inversor
todos los transformadores, agrupados por fase, y al otro el disipador con toda la
circuitería de Potencia y Disparo. En la figura 3.20 se muestra un dibujo esquemático
de la vista superior del inversor, donde se puede ver la disposición de los
componentes recién mencionados.

Transformadores 1er Auxiliar Transformadores Maestros

Disipador Tarjetas de
Potencia

Ventilador

Tarjetas de
Disparo
Tarjetas de
Interconexión

Figura 3.20 Esquema vista superior del Inversor.

 61

Como se puede observar en esta figura, los componentes de cada fase se

han ordenado en el sentido vertical de la figura. Así cada fase queda perfectamente
agrupada, permitiendo una construcción ordenada y compacta del inversor. En la
figura H.1 del Anexo H se encuentra una fotografía de la parte superior del Inversor,
donde se pueden observar todos los componentes descritos anteriormente.

Por la parte inferior del inversor se han ubicado los transformadores de

las etapas 2 y 3er Auxiliar, y la Fuente de Poder para los circuitos de Disparo. En la
do

figura 3.21 se muestra un dibujo esquemático de esta parte del inversor.

Transformadores 3er Auxiliar Transformadores 2er Auxiliar

Disipador

Tarjetas de
Fuente de
Potencia
Poder

Figura 3.21 Esquema vista inferior del inversor.

Nuevamente, se puede ver que se ha mantenido el orden en la

construcción del equipo, los nuevos transformadores que se ven en la figura 3.21 con
respecto a la 3.19 (transformadores 2do y 3er Auxiliares) están justo debajo de sus
respectivos Principales y 1er Auxiliar de cada fase. La Fuente de Poder, que es una
 62

sola para todo el inversor, se ha ubicado en la parte central bajo las Tarjetas de
Potencia. En la figura H.2 del Anexo H se encuentra una fotografía de la parte
inferior del inversor, donde se pueden observar estos componentes.

Finalmente, en la figura 3.22 se muestra un dibujo esquemático de un

corte transversal del inversor, la idea es poder mostrar agrupados todos los elementos
de una de las fases, se eligió hacer el corte por la fase central de modo que también
aparezca la Fuente de Poder.

Transformador Transformador Tarjetas de Tarjeta de

Maestro 1er Auxiliar Disparo Interconexión

Disipador

Conector
de Control

Tarjeta de
Potencia

Barras Transformador Transformador Fuente

Transversales 2er Auxiliar 3er Auxiliar de Poder

Figura 3.22 Esquema corte por la fase central del inversor.

El corte por las otras fases (las de los extremos), es exactamente igual al
mostrado en la figura 3.22, pero con la diferencia de que bajo éstas no se encuentra la
Fuente de Poder. En la figura también se pueden ver una barras transversales, las
superiores son utilizadas para montar los transformadores a la estructura de aluminio
y las inferiores para darle mayor rigidez al Armazón del inversor.

Sobre las barras transversales superiores se montaron los transformadores

correspondientes a las etapas Principal, 1er y 2do Auxiliar, formando una unidad
compacta e independiente para cada fase. Los transformadores de la Etapa del 3er
 63

Auxiliar quedaron montados directamente sobre el perfil U de aluminio de la

estructura. En la Figura 3.23 se muestra un dibujo esquemático del conjunto de los
tres transformadores de mayor potencia de cada fase, los que se montan y desmontan
del inversor como módulos independientes, formando un “grupo de
transformadores”.

Transformador Transformador
Principal 1er Auxiliar

Barra
Transversal

Transformador
2er Auxiliar

Figura 3.23 Grupo de transformadores.

3.8. Conexiones Eléctricas.

Las conexiones eléctricas del inversor se pueden dividir en tres grupos

diferentes: Conexiones de Alimentación, de Potencia y de Disparo, las que se
detallarán a continuación.
 64

3.8.1. Conexiones de Alimentación.

El inversor esta diseñado para ser conectado directamente a la red de

220Vac, la cual suministra la alimentación a todos los circuitos que la requieran. Para
ser más específico, los ventiladores y la Fuente de Poder, a través de la cual se
alimentan los Circuitos de Disparo.

La alimentación de 220V se realiza a través de un conector, el que se

encuentra a un costado del inversor (ver figura H.3 del Anexo H), y un interruptor
general. Este interruptor posee una luz piloto para indicar funcionamiento (luz
encendida indica inversor operativo). En la figura 3.24 se muestra un diagrama
eléctrico de las conexiones de alimentación de 220Vac.

Conector de Interruptor
Alimentación General

220 Vac
~
Tierra
~
Conectado
al Armazón Conector
Ventilador 1

Conector Fuente
de Poder

Conector
Ventilador 2

Figura 3.24 Diagrama eléctrico conexiones de alimentación de 220V.

Las conexiones de alimentación de baja tensión son las que llevan la

tensión continua generada por la Fuente de Poder a las Tarjetas de Potencia, para
pasar a través de ellas a las de Disparo. Por lo tanto, estas conexiones son
 65

básicamente tres grupos de cables, un grupo para cada fase, de tres conductores cada
uno. Por cada uno de estos conductores se suministra los 5 y 15 Vdc además de la
referencia para estas tensiones. En la figura 3.25(a) se muestra una fotografía de este
cableado saliendo desde la Fuente de poder, y en la figura 3.25(b) se muestra el
cableado llegando a las Tarjetas de Potencia.

Figura 3.25 Cableado de baja tensión a) Saliendo desde la Fuente de Poder

b) Entrando a las Tarjetas de Potencia.

3.8.2. Conexiones de Potencia

Las conexiones de Potencia se dividen es tres grupos separados:

Alimentación DC de Potencia, Conexión de los Primarios de los Transformadores e
Interconexión de Transformadores.

La Alimentación DC de Potencia se refiere al cableado utilizado para

conectar los bornes de tensión continua del inversor con los conectores de continua
de cada una de las Tarjetas de Potencia (ver figura H.4(a) del Anexo H). En la figura
3.26 se muestra un diagrama eléctrico de estas conexiones.
 66

Conector DC de
Potencia Fase 1

Bornes de
Conector DC de
Tensión
Potencia Fase 2
Continua

Conector DC de
Potencia Fase 3

Figura 3.26 Diagrama eléctrico Alimentación DC de Potencia

La Conexión de los Primarios de los Transformadores se realiza mediante

conectores, ubicados en los cables de cada enrollado primario de cada transformador,
los que se conectan a las Tarjetas de Potencia. Es necesario tener cuidado en estas
conexiones, ya que todos los conectores utilizados son del mismo tipo, pero se debe
conectar cada transformador con su correspondiente terminal en la Tarjeta de
Potencia.

1er Auxiliar

2er Auxiliar

Figura 3.27 Conexión primarios Etapas 1er y 2do Auxiliar

 67

El terminal que esté puesto en los cables provenientes del transformador

Principal debe ir conectado con el terminal correspondiente de la Tarjeta de Potencia
y así sucesivamente con cada uno. En la fotografía de la figura 3.27 se muestra la
conexión de los primarios de los transformadores correspondientes a las Etapas del
1er y 2do Auxiliar.

La Interconexión de Transformadores se refiere a las conexiones

realizadas en los enrollados secundarios de los transformadores, para ello se utilizó
una regleta de conexión para cada fase, la cual se fijó a cada uno de los
transformadores de la Etapa del 1er Auxiliar. Es importante destacar que en estas
conexiones es imprescindible conocer la polaridad de los transformadores, para que
la suma y resta de las tensiones se haga en forma adecuada. Por lo anterior, antes de
interconectar los transformadores, se determinó la polaridad de cada uno de ellos,
marcando con una cinta distintiva los terminales “punto” de cada transformador.

Luego se procedió a realizar la interconexión respetando la polaridad, de

modo de conectar los enrollados secundarios en serie, un terminal “punto” de un
transformador con uno “no punto” de otro. Luego, una vez conectados todos los
transformadores, los extremos de esta interconexión se deben conectar a los bornes
de salida AC de cada fase del Inversor (ver figura H.4(b) del Anexo H). En la figura
3.28 se muestra un diagrama eléctrico de estas conexiones.

Regleta de Distintivos
Conexión Terminales “punto”

Secundario Trafo
Principal

Secundario Trafo
Bornes de 1er Auxiliar
Tensión
Alterna Secundario Trafo
2er Auxiliar

Secundario Trafo
3er Auxiliar

Figura 3.28 Diagrama eléctrico de Interconexión de Transformadores

 68

El diagrama que se muestra en la figura 3.28 corresponde a la

interconexión de los cuatro transformadores de una de las fases del inversor. Para el
resto de ellas se procede de la misma forma, repitiéndose las mismas conexiones. En
el Anexo G, en la figura G.5, se muestra una fotografía de esta interconexión para
una de las fases.

3.8.3. Conexiones de Disparo

Las Conexiones de Disparo son las que se realizan entre las Tarjetas de
Disparo y las Tarjetas de Interconexión, para ello se utilizó un cable plano de 16
conductores. En la figura 3.11(b) se mostró una Tarjeta de Interconexión con sus
respectivos cables, uno para cada Tarjeta de Disparo.

En la conexión de estos cables se debe tener en cuenta que cada conector

de la Tarjeta de Interconexión debe estar conectado con su respectiva tarjeta de
Disparo. Para esto hay que leer en la propias tarjetas a qué terminal se están
conectando los cables.

3.9. Montaje del Inversor.

Ya que se han detallado todas las partes del inversor, ahora se puede
hacer una descripción de los pasos y secuencia de montaje a seguir para armar y
desarmar el inversor. Para mayor claridad, el proceso de ensamble del inversor se
describe con el diagrama de flujos de la figura 3.29 (para desarmar el inversor se
debe procede de forma inversa).
 69

Armazón

Cableado de Alimentación de alta Tensión

Montaje Transformadores 3er Auxiliar

Montaje Grupo de Transformadores

Interconexión de Transformadores

Montaje Tarjeta de Interconexión

Montaje Disipador

Montaje Fuente de Poder

Alimentación DC Potencia y Conexiones Primarios Transformadores

Conexiones de Disparo

Montaje Ventiladores

Figura 3.29 Diagrama de flujo del proceso de ensamble del inversor

El montaje de los Grupos de Transformadores debe hacerse desde el

centro del Inversor hacia fuera, es decir, primero debe montarse el Grupo de la fase
central y luego los de las laterales.

El montaje del Disipador se refiere a todo el grupo formado por el propio

Disipador, los IGBT, las Tarjetas de Potencia y Disparo, tal como se muestra en el
corte de la figura 3.18.

Durante todo el proceso de construcción se fueron realizando diferentes

pruebas para ir determinando que todas las partes funcionaban por separado, de
manera que al hacer el ensamble se tuviera a certeza de que todo funcionaría como se
 70

esperaba. Como el control definitivo no estaba terminado, cosa que se explica en el

próximo capítulo, para estas pruebas se utilizó un control monofásico, con el que se
probaron independientemente las tres fases del inversor (ver Anexo I).

3.10. Inversor construido.

En la figura 3.30 se muestra una fotografía del inversor construido, donde

se le están haciendo algunas mediciones de prueba. En la parte superior de la figura
se puede observar el control provisorio utilizado para las pruebas realizadas
(mencionado en el próximo capítulo).

Figura 3.30 Inversor Trifásico Multinivel de cuatro Etapas

 71

La Figura 3.31 muestra el inversor instalado en una estructura

especialmente diseñada para ser acoplado con otro inversor multinivel de 4 etapas y
81 niveles, diseñado por el memorista Felipe Ríos [9] (el que aparece en la parte
superior de la figura), con el fin de implementar un sistema integrado AC-AC.

Figura 3.31 Sistema Integrado AC-AC con dos Inversores Multinivel

Este sistema consiste en conectar el inversor construido en esta memoria

a la red alterna operando como rectificador de corriente sinusoidal, el cual no ensucia
la red como lo hace un rectificador de onda completa convencional. La salida
continua de este inversor (operando como rectificador), servirá como entrada DC al
inversor multinivel construido por Felipe Ríos, entregando, gracias al control, una
onda de voltaje alterna de frecuencia variable que será utilizada en el control de
 72

motores de corriente alterna. Como se dijo anteriormente, la característica del

inversor construido en esta memoria es que trabaja a frecuencia fija (debido a los
transformadores de salida), por lo que no puede ser usado en la etapa de inversión del
sistema AC-AC, mientras que el inversor construido por Felipe Ríos no presenta este
tipo de limitaciones. El sistema puede operar en los cuatro cuadrantes de P y Q.
 73

IV. RESULTADOS EXPERIMENTALES

Una de las razones para construir el inversor fue la realización de pruebas

prácticas que demostraran y comprobaran las características de este tipo de
inversores. En el presente capitulo se muestra una serie de pruebas realizadas al
inversor, junto con sus respectivas simulaciones, de modo de poder hacer un paralelo
entre la teoría y práctica.

Debido a que el control definitivo para este inversor, que corresponde a

otro trabajo que se está desarrollando en forma paralela, aún no está terminado, las
pruebas realizadas son preliminares. Se pudo probar con buenos resultados el sistema
operando las tres fases simultáneamente, pero a baja tensión, debido a que el control
no se comportaba del todo confiable para seguir aumentando la tensión DC de
alimentación del inversor. El trabajo del control corresponde al memorista Carlos
Schwartz [10].

Control

Fuente Motor
INVERSOR
DC Inducción
Resistencia de
Protección

Figura 4.1 Esquema conexiones de pruebas.

Para realizar las pruebas al inversor, se conectó a una Fuente de 60Vdc

ajustable por medio de una resistencia de protección de 2Ω, para limitar la corriente
en el inversor en caso de fallas en el control. Así, la máxima corriente que circula en
caso de falla es de 30A (en el caso de que la fuente esté a 60Vdc). Por otro lado, la
 74

salida de tensión alterna del inversor se conectó a un motor de inducción trifásico de

enrollados independientes de 3,7kW. En la Figura 4.1 se muestra un esquema de la
configuración utilizada para las pruebas.

Las pruebas realizadas al inversor consistieron principalmente en

mediciones de la forma de onda del voltaje y la corriente de salida del inversor.

4.1. Tensión de Salida del Inversor.

En la figura 4.2 se muestran los voltajes trifásicos generados por el

inversor, donde se puede apreciar que la tensión de salida es bastante limpia,
corroborando la teoría explicada anteriormente.

Figura 4.2 Tensión trifásica a la salida del inversor

En la señal se pueden observar pequeños “peaks” que ensucian la señal,

los que se deben a que el sistema de control que se utilizó aún estaba en su fase de
prueba. Estos errores en la señal probablemente son debido a ruidos en el control y a
un mal manejo de los tiempos muertos, lo que puede producir que dos o mas puentes
H no generen sus voltajes en los momentos adecuados. En la Figura 4.3 se muestra
una simulación de esta misma señal, en la que se puede ver que la señal obtenida con
el inversor es muy parecida a la experimental.
 75

Figura 4.3 Simulación de señal de voltaje trifásico del inversor.

Para apreciar en mayor detalle la onda de voltaje, se midió un semiciclo.

En la figura 4.4 se puede observar esta señal, donde nuevamente aparecen los
”peaks” antes mencionados.

Figura 4.4 Onda de voltaje de un semiciclo

Para comparar esta señal medida en el inversor con la señal teórica, en la

figura 4.5 se muestra una simulación de esta misma señal, la que coincide
 76

perfectamente con la obtenida en las pruebas prácticas. Claro está que en la

simulación no están presentes los ruidos descritos anteriormente.

Figura 4.5 Simulación de la onda de voltaje de un semiciclo

4.2. Corriente de Salida del Inversor.

La medición de corriente se hizo con el motor trifásico mencionado al

principio de este capítulo, el que fue alimentado con el inversor, y se midió la tensión
y el voltaje en una de las fases. En la figura 4.6 se muestra esta medición, en la que se
puede observar el atraso de la corriente con respecto al voltaje. Como se puede ver, la
corriente resulta ser prácticamente sinusoidal, lo que comprueba las simulaciones
mostradas anteriormente en esta memoria. Como en los casos anteriores, en la figura
4.7 se muestra una simulación con las misma características de la figura 4.6,
comprobando nuevamente que los resultados prácticos se ajustan a las simulaciones.
 77

Voltaje

Corriente

Figura 4.6 Voltaje y corriente de salida del inversor

Voltaje

Corriente

Figura 4.7 Simulación de voltaje y corriente de salida del inversor

En resumen, se puede apreciar que las curvas de voltaje y corriente

obtenidas en las pruebas prácticas y en las simulaciones, son de características
similares, lo que nos demuestra la veracidad de las simulaciones realizadas en esta
memoria.

4.3. Comparación con Inversor PWM.

La Figura 4.8 muestra, aunque no a la misma escala, una comparación

cualitativa entre el voltaje generado por un inversor PWM, y el generado por el
inversor multinivel desarrollado en esta memoria. Se puede observar claramente que
 78

la onda generada por el inversor multinivel es prácticamente perfecta comparada con

la del inversor PWM.

Figura 4.8 a)Voltaje inversor multinivel. b) Voltaje inversor PWM.

Por su parte, en la figura 4.9 se muestra esta misma comparación, pero

para la corriente en los dos tipos de inversores, donde nuevamente se ven las buenas
propiedades de la corriente generada con el inversor multinivel.

Figura 4.9 a) Corriente inversor multinivel. b) Corriente inversor PWM.

Con estas comparaciones queda claro el gran aporte de la tecnología

multinivel al perfeccionamiento de los convertidores estáticos.
 79

V. CONCLUSIONES Y TRABAJO FUTURO

Se diseñó y construyó un inversor trifásico Multinivel de Cuatro Etapas,

obteniéndose un equipo de potencia de estructura compacta y robusta gracias al
disipador de calor utilizado que posee una resistencia térmica teórica menor que
0.064 ºC/W. Una vez construido el equipo, este fue sometido a pruebas prácticas con
resultados exitosos.

El inversor construido está basado en la utilización de cuatro puentes H

por fase, los cuales se interconectan por medio de transformadores, y junto a un
sistema de control permiten obtener una señal sinusoidal de tensión de ochenta y un
niveles (40 valores positivos, 40 negativos y el cero). Aunque el sistema de control
no era parte de esta memoria, fue necesario programar un software de disparo básico
para realizar las pruebas. Los puentes H se han formado empleando IGBTs como
semiconductores de potencia.

Los resultados obtenidos en las pruebas realizadas fueron satisfactorios

en todo sentido, pudiéndose comprobar prácticamente las buenas propiedades de la
tecnología de los inversores multinivel, comparado con los tradicionales inversores
de dos niveles con modulación por ancho de pulso. Este efecto se nota tanto en las
señales de voltaje como en las de corriente, lo que se puede observar en el capítulo
IV de esta memoria.

Actualmente se está trabajando en un control para operar el inversor

como un filtro activo de potencia, el que será conectado directamente a la red
trifásica. Además, existen planes para realizar un sistema integrado AC-AC como el
mencionado en el punto 3.10 de esta memoria, con el que se pretende controlar un
motor de inducción trifásico controlando la frecuencia y el voltaje de alimentación.
En este sistema, el inversor estaría siendo utilizado como un rectificador de
corrientes sinusoidales. Otra aplicación de este inversor es como compensador
estático de reactivos.
 80

BIBLIOGRAFIA

[1] Powersim Technologies. PSIM Version 4.1, for Power Electronics

Simulations. User Manual. Powersim Technologies, Vancouver, Canada,
Web: http://www.powersimtech.com.

[2] Leon M. Tolbert, Fang Z. Peng (2000) Multilevel Converters as a Utility

Interface for Renewable Energy Systems. IEEE Power Engineering
Society Summer Meeting, July 15-20, 2000, Seattle, Washington, pp.
1271-1274

[3] J. Rodríguez, J.-S. Lai, and F. Z. Peng (2002) Multilevel Inverters: A

Survey of Topologies, Controls, and Applications. IEEE Transactions
on, Industrial Electronics, August 2002 Vol. 49 Num. 4.

[4] Leon M. Tolbert, Fang Z. Peng (1999) Multilevel Converters for Large
Electric Drives. IEEE Transactions on Industry Applications. vol. 35, no.
1, pp. 36-44, Jan/Feb 1999.

[5] Keith Corzine, Yakov Familiant (2002) A New Cascaded Multilevel H-

Bridge Drive. IEEE Transactions on Power Electronics, January 2002
Vol. 17, Num. 1.

[6] Dixon, J; Morán, L; Bretón, A; Ríos, F; (2002) Multilevel Inverter,

Based on Multi-Stage Connection of Three-Level Converters, Scaled
in Power of Three. IEEE Industrial Electronics Conference, IECON'
02,
5-8 Nov. 2002

[7] Contardo, José; (1997) Filtro activo Paralelo con Control Difuso en la
Barra Continua, Memoria para optar al Título de Ingeniero Civil de
Industrias, con Mención en Electricidad, Pontificia Universidad Católica
de Chile.

[8] Rotella, Mauricio; (1999) Diseño Asistido por Computador para la

Construcción de un Inversor Compacto de Alta Potencia, Memoria
 81

para optar al Título de Ingeniero Civil de Industrias, con Mención en

Electricidad, Pontificia Universidad Católica de Chile.

[9] Ríos, Felipe; (2003) Diseño y Construcción de un Inversor Trifásico

Multinivel, Memoria para optar al Título de Ingeniero Civil Industrial,
con Diploma en Ingeniería Eléctrica, Pontificia Universidad Católica de
Chile.

[10] Schwartz, Carlos; (2003) Sistema de Control para Inversor Multinivel

de Cuatro Etapas, Memoria para optar al Título de Ingeniero Civil
Eléctrico, Pontificia Universidad Católica de Chile.

[11] PCB-SHOP (Current at different temperature rises for 35µ Cu

external conductors) http://www.isbiel.ch/E/Laboratories/Telematic/
PCBShop/route-pcb/standards.htm
 82

ANEXOS
 83

ANEXO A : DIAGRAMAS ESQUEMATICOS UTILIZADOS CON EL

SOFTWARE “POWER ELECTRONICS SIMULATOR”

En este Anexo se incluyen los diagramas esquemáticos utilizados en

Power Electronics Simulator para realizar las simulaciones presentadas en este
trabajo:

• Diagrama para simular Inversor con Fuentes Independientes, ver

figura A.1

• Diagrama para simular Inversor con Fuente Común, ver figura

A.2

• Diagrama para simular Inversor PWM, ver figura A.3

 84

Diagrama para Simular Inversor con Fuentes Independientes.

Figura A.1 Diagrama simulación Inversor con Fuentes Independientes.

 85

Diagrama para Simular Inversor con Fuente Común.

Figura A.2 Diagrama simulación Inversor con Fuente Común.

 86

Diagrama para Simular Inversor PWM.

Figura A.3 Diagrama simulación Inversor PWM.

 87

ANEXO B: DATOS TÉCNICOS

En este anexo se presentan todas las hojas de datos técnicos de los

Circuito Integrados utilizados para la implementación del Inversor. A continuación se
muestra una lista de las hojas de datos técnicos incluidos en este Anexo.

• P503-F-PM (IGBT de Potencia)

• IR2113 (Controladores de Compuerta)

• 6N137 (Optocupla)

• 74LS04 (Negador)

• LM7805, LM7812, LM7815 (Reguladores de 5, 12 y 15 volts)

• Disipador 0.024Cº/W (AABID Engineering)

 88

P503-F-PM (IGBT de Potencia)

89
90
91
92
93
94
 95

IR2113 (Controladores de Compuerta)

96
97
98
99
100
 101

6N137 (Optocupla)
102
103
104
105
 106

74LS04 (Negador)
107
108
 109

LM7805, LM7812, LM7815 (Reguladores de 5, 12 y 15 volts)

110
111
112
113
114
 115

Disipador 0.024Cº/W (AABID Engineering)

116
117
118
 119

ANEXO C: DETALLES CIRCUITO IMPRESO DE POTENCIA.

Este circuito impreso, como se dijo anteriormente, se utiliza para

disponer los IGBTs de potencia del inversor, por lo tanto por el circulan grandes
corrientes, para las cuales las líneas de este deben estar diseñadas de tal forma que las
soporten sin sufrir daños.

Dado que el espacio disponible entre los terminales de los diferentes

IGBTs y que el software utilizado permite un ancho máximo de líneas de 255mills,
se resolvió diseñar las líneas de mayor corriente en esta medida. En la figura C.1 se
muestra un cálculo, para dos temperaturas diferentes, utilizando un software de libre
acceso en internet, que indica la corriente que soportaría una línea de estas
características [11].

Figura C.1 Capacidad de líneas

Las líneas diseñadas soportan una corriente de 15A a unos 30ºC de

operación, aunque a medida que sube la temperatura aumenta la capacidad de la
línea, estas se reforzaron con estaño, de modo de permitir que soporten sin problemas
los 20A para los cuales se hicieron los cálculos del diseño térmico (Ver Anexo G).

En este Circuito Impreso se utiliza la misma simbología mostrada en la

figura 3.5 en lo que se refiere a los IGBTs, es decir, se les asignó nombres
dependiente de su posición en el puente H, tal como se muestra en la figura C.2.
 120

Como se puede ver, a los IGBTs de la parte de arriba del puente se los llamó HI1 y
HI2, y la los de la parte inferior se los llamó LO1 y LO2, estando alineados
verticalmente los con índice 1 y 2. De esta forma quedan perfectamente identificados
todos los IGBT del Inversor (determinados por la etapa a la que pertenecen y su
ubicación dentro del puente)

HI1 HI2

LO1 LO2

Figura C.2 Identificación de IGBTs dentro de cada puente H

Así, las señales de control para cada uno de los diferentes IGBTs del
inversor se identificarán de esta misma forma.

Esta Tarjeta posee diversos conectores a través de los cuales se conectan

los componentes del inversor. En la figura C.3 se muestra un detalle de los
conectores de potencia. Es importante destacar que estos conectores tienen polaridad,
es decir se deben conectar de una sola forma tanto los de alimentación (Suministro de
tensión continua) como los que conectan a los transformadores. Esto último es
esencial debido a que se debe respetar la polaridad de los transformadores para que la
“suma y resta” de tensiones se haga de la forma correcta.

En la figura C.3 se pueden observar los conectores para suministrar la

tensión continua para alimentar los cuatro puentes H que forman cada fase del
inversor. Nótese que se dejaron 3 terminales en paralelo, lo que fue realizado para
permitir cierta flexibilidad en el montaje del inversor. Además se a indicado cuales
 121

corresponden a los terminales positivos y negativos de esta alimentación. Para

generar una tensión de salida de 220 Vac, se debe suministrar una tensión de 285 Vdc,
según lo calculado en la ecuación 3.2.

Como ya se dijo, los conectores para los transformadores tienen

polaridad, por lo tanto, para mantener un orden entre todos ellos se diseñó la Tarjeta
de manera que en los terminales superiores de cada uno de estos quedó el terminal
correspondiente al punto entre los IBGT HI2 y LO2 de la figura C.2 y en el terminal
inferior el punto entre los IGBT HI1 y LO1.

3er Auxiliar Conectores para los 1er Auxiliar

Transformadores
Negativo Positivo
Principal Conectores de 2er Auxiliar
Entrada DC

Figura C.3 Detalle Conectores de Potencia.

Por otro lado, esta tarjeta posee los terminales de las puertas para disparar
los IGBTs. En la figura C.4 se muestra en detalle esta sección de la tarjeta, como se
dijo anteriormente, los terminales para estos efectos (centro de la figura) poseen la
 122

misma nomenclatura que la mostrada en la figura C.2, los que se detallarán más
adelante. Además, en los extremos de la figura se destacan los terminales por los
cuales se suministra la alimentación para la Tarjeta de Disparo, se puede observar
que se debe suministrar una tensión de 5Vdc y 15Vdc los que están referidos a la
misma tierra que la alimentación de potencia de esta tarjeta. Indistintamente de cual
de estos conectores se utilice, la tarjeta queda completamente alimentada.

5 Vdc 5 Vdc
15 Vdc 15 Vdc
Negativo Negativo

Alimentación para Alimentación para

Tarjeta de Disparo Conectores de Disparo Tarjeta de Disparo

Figura C.4 Detalle conectores de control.

En la tarjeta construida están debidamente señalados todos los

terminales, pero para poder observarlos con mayor detalle, en la figura C.5 se
muestran solo los conectores de las señales de disparo. Por estos conectores, además
de las señales de disparo también se transmiten algunas referencias de voltajes y la
alimentación para la Tarjeta de Disparo.
 123

Figura C.5 Detalle conectores de disparo

En la figura C.5 se puede ver que los terminales de los conectores están
clasificados en cuatro grupo, los que se describen a continuación.

• Master Drivers: Disparo para la etapa Principal

• Slave 1 Drivers: Disparo para la etapa del 1er Auxiliar

• Slave 2 Drivers: Disparo para la etapa del 2er Auxiliar

• Slave 3 Drivers: Disparo para la etapa del 3er Auxiliar

Además se utiliza una serie de abreviaciones para cada uno de los

terminales, las que se describen a continuación.

• HI1, HI2, LO1, LO2: Estos terminales corresponden a las

compuertas de disparo de los IGBTs, con la misma configuración
que se muestra en la figura C.2.

• REF: Terminales para transmitir el voltaje de referencia entre los

IGBTs HI1 y LO1 y los IGBTs HI2 y LO2 de la figura C.2, Esta
referencia es necesaria para la Tarjeta de Disparo, pues con ella
 124

logra generar la tensión de 15V para disparar los IGBTs HI1 y

HI2.

• GND: Terminal conectado a la tierra de la fuente de potencia y a

las fuentes de 5Vdc y 15Vdc de modo que están todas referidas al
mismo potencial. Además, esta referencia es utilizada por la
Tarjeta de Disparo para generar la tensión de 15V para encender
los IGBTs LO1 y LO2.

• 5V, 15V: Terminales por los cuales se transmiten los tensiones de

alimentación de la Tarjeta de Disparo.

• T: Terminales a los cuales están conectados los termistores de los

diferentes puentes de la Tarjeta de Potencia.
 125

ANEXO D: DETALLES CIRCUITO IMPRESO DE DISPARO.

La Tarjeta de Disparo posee dos conectores, uno que empalma

directamente con el Conector de Disparo de la Tarjeta de Potencia, y otro para
introducir las señales de control a los IGBTs. En la figura D.1 se muestra un detalle
de este primer conector, que no es más que una serie de líneas dejadas en el circuito
impreso que se introducen en el conector de la Tarjeta de Potencia.

Figura D.1 Detalle Tarjeta de Disparo

En la figura D.2 se muestra este mismo detalle, pero se han dejado solo
las líneas que conforman el conector, modo que se pueda apreciar con mayor claridad
la caracterización de cada línea de conexión. La nomenclatura utilizada es la misma
que la utilizada en el conector de disparo de la figura C.5, en esta tarjeta se han
agrupado en dos los contactos (Master con Slave 2 Driver y Slave 1 con Slave 3
Driver). Esto, porque dependiendo en cual ranura de la Tarjeta de Potencia se
introduzca la Tarjeta de Disparo, esta controlará diferentes etapas del inversor.

Además, tanto en la figura D.1 como en la D.2, se puede observar que en

esta parte de la Tarjeta de Disparo se a dejado una muesca, la que sirve para que se
pueda introducir solo de una forma en el conector de la Tarjeta de Potencia.
 126

Figura D.2 Detalle ampliado terminales de disparo.

El otro conector de esta tarjeta, que es por el que ingresan las señales a la
Tarjeta de Disparo, se muestra detalladamente en la figura D.3. Nuevamente la
nomenclatura utilizada en este conector es la misma que la descrita anteriormente.

En esta figura hay cuatro terminales que no poseen descripción, estos

corresponden a la tierra de referencia para las señales de control, esta está aislada del
resto del circuito de disparo por medio de las optocuplas (ver figura 3.5).

Figura D.3 Detalle conector de señales de disparo

 127

ANEXO E: DETALLES CIRCUITO IMPRESO DE INTERCONEXION.

Como se dijo anteriormente, la finalidad de este circuito es agrupar todas

las señales de control en cada fase en un solo conector. Dado que para realizar esta
labor no se necesitan circuitos integrados, esta tarjeta está compuesta solo por
conectores de diferente cantidad de terminales.

Básicamente posee dos conectores de las mismas características a los de

la figura D.3, a través de ellos se conectan las dos Tarjetas de Disparo a la Tarjeta de
Interconexión. La disposición de las diferentes señales que transmiten estos
conectores y la nomenclatura utilizada es equivalente a la del conector de señales de
disparo. En la figura E.1 se puede observar la ubicación de estos conectores en el
circuito impreso. Además se muestran los conectores para los termistores y el
conector de control, que es a través del cual se ingresan las señales de control al
inversor.

Conectores para
Señales de
Disparo

Conectores para Conectores para

los Termistores los Termistores

Conector para
Señales de
Control

Figura E.1 Detalle Tarjeta de Interconexión.

 128

Como se puede observar, esta tarjeta posee dos conectores para los
termistores, uno al lado derecho y otro al lado izquierdo de la figura E.1. En cada uno
de ellos hay dos pares de terminales, que corresponden a cada uno de los puentes.
Los dos terminales superiores del conector del lado derecho son los de la etapa del
2do Auxiliar, y los dos inferiores del 1er Auxiliar. Por otro lado, los dos terminales
superiores del conector del lado izquierdo son los de la etapa Principal, y los dos
inferiores del 3er Auxiliar.

En la parte inferior de la figura E.1 se encuentra el conector principal de

esta tarjeta, el conector para las señales de control. En cada fase de inversor se
encuentra uno de estos conectores, los que para cada una de ellas poseen todos los
terminales de las señales de control de esa fase. La figura E.2 se una fotografía de
frente y ampliada de este conector, para detallar cada uno de los terminales que
posee. Se prefirió una fotografía para evitar confusiones, ya que este es el único
conector externo del inversor y sobre esta se conectarán los diferentes sistemas de
control que se diseñen a futuro, aunque en la tarjeta están debidamente indicados
todos los terminales.

14 10 6 2 4 8 12 16

13 9 5 1 3 7 11 15

Figura E.2 Fotografía del conector para las señales de control

 129

Utilizando la misma nomenclatura de siempre, se construyó la tabla E.1,

donde se detalla cada uno de los terminales numerados en las figura E.2, por otro
lado, todos los terminales que no poseen numeración en la figura están conectados
entres sí y corresponden a la referencia de tensión para las señales de control.

Tabla E.1 Descripción terminales figura E.2

LO1 HI1 LO2 HI2

3er Auxiliar 1 2 3 4
2er Auxiliar 5 6 7 8
er
1 Auxiliar 9 10 11 12
Principal 13 14 15 16
 130

ANEXO F: DETALLES DE LA FUENTE DE PODER.

La fuente de poder de este inversor alimenta simultáneamente los

consumos de las seis Tarjetas de Disparo (dos por cada fase). Como se dijo
anteriormente, estas tarjetas requieren una tensión de alimentación de 5Vdc y 15Vdc.

Para diseñar esta fuente, inicialmente se construyó las Tarjetas de

Disparo, las que una vez probadas se sometieron a pruebas para determinar la
corriente que consumían. Así, conectadas las dos Tarjetas de Disparo a una de las
Tarjetas de Potencia, se determinó que por cada fase del inversor (es decir, para dos
Tarjetas de Disparo), la fuente debía suministrar una corriente de 130mA en la
alimentación de 5Vdc y una corriente de 2mA en la alimentación de 15Vdc.
Multiplicando estos valores por tres (las tres fases del Inversor), se obtuvo la
corriente total que debía aportar la Fuente de Poder, lo que se muestra en la tabla F.1

Tabla F.1 Corrientes que debe suministrar la Fuente de Poder.

mA
5Vdc 6
15Vdc 390

Además, la Fuente genera una tensión de 12Vdc, la que se dejó como

capacidad ociosa de ésta para otras aplicaciones futuras. Finalmente, la Fuente fue
diseñada para soportar corrientes algo superiores a las mostradas en la tabla F.1, de
manera de garantizar se buen funcionamiento, estos valores se muestran en la tabla
F.2.
 131

Tabla F.2 Corrientes de diseño para la Fuente de Poder.

mA
5Vdc 200
12Vdc 200
15Vdc 500

Como se dijo anteriormente, el funcionamiento de esta fuente se basa en

puentes rectificadores de diodos y circuito integrados reguladores de tensión. En
detalle, para generar la tensión de 5Vdc se utilizó un transformador de 18Vdc con
punto medio, el que se conectó a un rectificador de media onda y luego esta tensión
fue regulada por el circuito integrado LM7805. Por otro lado, como la tensión de
15Vdc requiere de muy baja corriente, con un transformador de 24Vac, y un puente
rectificador de onda completa se alimentó en forma paralela a los reguladores de
12Vdc y 15Vdc (LM7812 y LM7815). En la figura F.1 se muestra un diagrama
esquemático de la fuente.

220Vac 2200uF LM7805 5Vdc

220Vac
750uF LM7815 15Vdc

LM7812 12Vdc

Figura F.1 Diagrama esquemático Fuente de Poder.

 132

En la figura F.2 se muestran dos fotografías en las cuales están

destacados los terminales de conexión de la fuente. En la imagen de la izquierda se
muestra el conector que se utiliza para alimentar la fuente directamente de los 220Vac
de la red. Por otro lado, en la imagen de la derecha se aprecian los terminales de
salida de la fuente, se puede ver que hay tres conectores de 5Vdc y 15Vdc, los cuales
mediante cables se conectan a las Tarjetas de Potencia de cada fase. Finalmente, se
observa un conector de 12Vdc, el cual queda disponible para otra aplicaciones.
Adicionalmente, se dejó una serie de orificios para poner otros conectores por los
cuales se podrían obtener las diferentes tensiones de la fuente.

Conector 220 Vac Conectores 5 y 15 Vdc Conector 12 Vdc

Figura F.2 Detalles conectores Fuente de Poder

 133

ANEXO G: CALCULOS TERMICOS.

En este anexo se incluyen los cálculos del modelo térmico y el cálculo de

la resistencia térmica del disipador.

I. Cálculos y supuestos del modelo térmico.

El modelo térmico depende de la potencia disipada por los

semiconductores, de los valores de las resistencias térmicas del semiconductor, de la
superficie de contacto del semiconductor y del disipador propiamente tal.

La potencia disipada por el semiconductor se debe separar en dos, la

disipada en conducción y la disipada por el diodo. La potencia disipada por el
semiconductor se calcula de la siguiente forma:

PDIS = PDIS _ Conduccion _ Semiconductor + PDIS _ Conmutación

( Conducción ) (G.1)
PDIS _ Conduccion _ Semiconductor = VDS ⋅ I D ⋅ ( Duty Cycle)
(G.2)
PDIS _ Conmutación = ( EON + EOFF ) ⋅ f
(G.3)
PDIS ( Conducción ) = VDS ⋅ I D ⋅ ( Duty Cycle) + ( EON + EOFF ) ⋅ f

Así, con G.1, G.2 y G.3 se obtiene:

PDIS ( Conducción ) = VDS ⋅ I D ⋅ ( Duty Cycle) + ( EON + EOFF ) ⋅ f (G.4)

Y la potencia disipada por el diodo se obtiene con la ecuación G.5

PDIS ( Diodo ) = VD ⋅ I D (G.5)

El modelo térmico utilizado es el que se muestra en la figura G.1, donde

se han dejado 12 IGBTs Principales y 36 IGBTs Auxiliares. Para simplificar los
cálculos se consideró que la potencia disipada por los Auxiliares es la misma para
todos, considerando la disipada por uno de los 1ros Auxiliares, que es mayor que la
 134

del resto. Así los cálculos resultan más simples y no se cometen errores, debido a que
se está sobrestimando la potencia disipada.

RTH (JC+CD)
PDIS M
TJ
12 IGBTs
Maestros
RTH (JC+CD)
M
PDIS
TJ RTH (DA)

RTH (JC+CD) TD
A
PDIS TA
TJ
36 IGBTs
Auxiliares
RTH (JC+CD)
PDIS A
TJ

Figura G.1 Modelo térmico utilizado para los cálculos

Para realizar los cálculos se consideró que por los IGBTs Principales
circulará como máximo una corriente de 20A, por lo tanto por los Auxiliares
circulará 3A (15% de la corriente de los Principales). Es importante considerar que el
inversor no está diseñado para operar con 20A en los Principales, ya que los
transformadores utilizados limitan la potencia. Pero los cálculos se realizaron con
este valor para garantizar que el inversor podría operar en el futuro sin problemas
térmicos a esa corriente, para lo cual solo se requeriría un cambio de los
transformadores de salida.

La variable desconocida en la figura G.1 es RTH(DA), la que se calcula con

la ecuación que se muestra a continuación.

T J = T A + RTH ( DA) ( M
PDIS + A
PDIS ) M
+ RTH ( JC + CD ) ⋅ PDIS (G.6)
 135

Con esta ecuación se obtiene el valor de la temperatura de juntura del

disipador, la que debe ser menor que 125ºC, para garantizar el buen funcionamiento
de los IGBTs. Así, formando la desigualdad antes mencionada, se puede obtener el
valor máximo de la resistencia térmica entre el disipador y el ambiente, este valor se
obtiene con la ecuación G.7.
M
125 − T A − RTH ( JC +CD ) ⋅ PDIS
RTH ( DA) ≤ M A
(G.7)
PDIS + PDIS

En la tabla G.1 se muestra un resumen con todos los datos utilizados para
los cálculos.

Tabla G.1 Datos para cálculos térmicos

Dato Valor
VDS 2.6V
VD 1.26V
EON 0.28mWs
EOFF 0.75mWs
IGBT
RJC 0.9ºC/W
Diodo
RJC 1.7ºC/W
RCD 0.34ºC/W
ID 20A
TA 40ºC
TJ max 125ºC
fPrincipal 50Hz
fAuxiliar 250Hz
Duty Cycle (Principal) 40%
Duty Cycle (Auxiliar) 37%
 136

A continuación se procederá con los cálculos para cuando el IGBTs está

en conducción. En este caso, la potencia disipada se calcula con la ecuación G.4,
obteniéndose:
M
PDIS ( Conducción ) = 2.6 ⋅ 20 ⋅ 0.4 + (0.00028 + 0.00075) ⋅ 50
M
(G.8)
PDIS ( Conducción ) = 20.8515

A
PDIS ( Conducción ) = 2.6 ⋅ 3 ⋅ 0.37 + (0.00028 + 0.00075) ⋅ 250
A
(G.9)
PDIS ( Conducción ) = 3.1435

La sumatoria de la potencia disipada se calcula de la siguiente forma:

M M
PDIS = 12 ⋅ PDIS ( Conducción ) = 250.218
A A
(G.10)
PDIS = 36 ⋅ PDIS ( Conducción ) = 113.166

Por lo tanto, reemplazando G.8, G.9 y G.10 en G.7 se obtiene el valor

máximo de la resistencia térmica para cuando el IGBT está en conducción

RTH ( DA) (Conducción ) ≤ 0.163 ºC / W (G.11)

Ahora se continuará con los cálculos para cuando el diodo esta

conduciendo. En este caso, la potencia disipada se calcula con la ecuación G.5,
obteniéndose:
M
PDIS ( Diodo ) = 1.26 ⋅ 20
M
(G.12)
PDIS ( Diodo ) = 25.2

A
PDIS ( Diodo ) = 1.26 ⋅ 3
A
(G.13)
PDIS ( Diodo ) = 3.78

Por su parte, la sumatoria de la potencia disipada se calcula de la

siguiente forma:
M M
PDIS = 12 ⋅ PDIS ( Diodo ) = 302.4
A A
(G.14)
PDIS = 36 ⋅ PDIS ( Diodo ) = 136.08
 137

Por lo tanto, reemplazando G.12, G.13 y G.14 en G.6 se obtiene el valor

máximo de la resistencia térmica para cuando el diodo esta en conducción:

RTH ( DA) ( Diodo ) ≤ 0.0766 ºC / W (G.15)

Los cálculos se realizaron sobre la base de que por el diodo circula la

misma corriente que por el IGBT propiamente tal, esta suposición hace que los
cálculos sean bastante sobredimensionados, ya que esto supone la operación a un
factor de potencia de 0.5.

I. Cálculo de la Resistencia Térmica del Disipador.

El disipador utilizado corresponde a un trozo de un disipador fabricado

por AAVID Engineering de 0.024ºC/W. En el Anexo B se muestra la hoja de datos
técnicos de este disipador. A continuación se muestran los cálculos realizados para
determinar la resistencia térmica del disipador utilizado.

La resistencia térmica del disipador se calcula con la siguiente fórmula:

PerformanceFactor ( PF )
RTH ( DA) = (G.16)
SurfaceArea ( SA)

El PF depende de la velocidad del aire por las aletas del disipador y del
largo de este, para el caso del disipador utilizado, este tiene un valor de 10.0435. El
SA dependen del números de aletas de éste (NF), de la altura de éstas (FH) y del
ancho del disipador (W), los que se relacionan de la siguiente forma:

SA = NF ⋅ FH ⋅ 2 + W (G.17)

Por lo tanto, reemplazando G17 en G16 se obtiene:

PF
RTH ( DA) = (G.18)
NF ⋅ FH ⋅ 2 + W
 138

Utilizando la relación G.18 se obtuvo la resistencia térmica del disipador

original y la del utilizado en la construcción del inversor. Estos valores se resumen en
la tabla G.2.

Tabla G.2 Resistencias térmicas del disipador original y el utilizado

Factor Símbolo Original Utilizado Unidades

Performance Factor PF 10.0435 10.0435 -
Numero de Aletas NF 45 17 -
Altura de Aletas FH 4.53 4.53 Pulgadas
Ancho W 10.78 4.13 Pulgadas
Resistencia Térmica RTH(DA) 0.024 0.064 ºC/W

Considerando los resultados obtenidos en G.11 y en G.15 y

contrastándolos con el valor de la tabla G.2, se puede concluir que el disipador de
calor utilizado es capaz de evacuar todo el calor que generan los IGBTs en las peores
condiciones de operación. En resumen, llevando estos datos a ecuaciones, se puede
observar que las condiciones se cumplen.

RTH ( DA) = 0.064ºC / W ≤ 0.163 ºC / W = RTH ( DA) (Conducción )

(G.19)
RTH ( DA) = 0.064ºC / W ≤ 0.0766 ºC / W = RTH ( DA) ( Diodo )
 139

ANEXO H : FOTOGRACIAS DE LAS VISTAS SUPERIOR E INFERIOR

DEL INVERSOR.

Figura H.1 Fotografía vista superior del inversor

 140

Figura H.2 Fotografía vista inferior del inversor

Figura H.3 a) Conector de alimentación. b) Interruptor general

 141

Figura H.4 a) Bornes de entrada de tensión continua. (b) Bornes de salida de

tensión alterna

Figura H.5 Interconexión de transformadores

 142

ANEXO I: PROGRAMA DE CONTROL DEL INVERSOR.

En este Anexo se hace una pequeña explicación del control que se

desarrolló para poner en funcionamiento el inversor. Para esto se programó un DSP
(Digital Signal Processor) de Texas Instruments, modelo TMS320F241, el cual se
encarga de generar las señales de encendido de los transistores en los puentes H, para
sintetizar la onda sinusoidal deseada.

El control se basa en sacar una tabla predeterminada de 16 bits (uno para

cada uno de los cuatro transistores de los cuatro puentes H), grabada en la memoria
del DSP, por los puertos de salida de éste, a una frecuencia fija, dada por
interrupciones de timer. Debido a que los puertos del DSP son de 8 bits, se tuvo que
ocupar dos de estos para sintetizar la onda.

A continuación se presenta el código del programa de control usado para

las pruebas, escrito en ASSEMBLER. Éste código es válido para los DSP de Texas
Instruments modelo TMS320F241. Este programa permitió generar las tensiones
escalonadas para el inversor.

********************************************************************************
;
; Programa de tablas, pruebas de inversor multinivel
; TMS320F241
;
********************************************************************************
; Este programa entregará una tabla en secuencia para disparar las compuertas de
; un inversor multinivel. La frecuencia de salida se puede dejar fija (modificable
; en el programa si el pinXXX del puerto XX se encuentra en 0) o se puede modificar
; variando la entrada del conversor Analogo/Digital Nº1.
;
; Para indagar acerca de los detalles de configuración consultar manual: "systems
; and periferals" del TMS320F241
;
********************************************************************************
.include "243_dsk.h" ; Incluye la librería que contine las definiciones
; de los nombres para este DSP. Con esta el copilador
; interpreta cada nombre o instrucción como el número
; correspondiente.
 143

;=======================================================================
; Definición de variables.
; Estas variables se manejarán en la memoria RAM, se ubicarán en la misma posición
; correlativa en que se ponen aquí, pero en la mem RAM, comenzando desde la dirección
; inicial del bloque que les corresponde (B1B2, expresado en el linker), 0202hex en
; este caso.
.bss CONTADOR1, 1 ; El 1 después de la coma indica que
; la variable ocupa un registro (16 bits)
.bss TEMP, 1
.bss TEMP1, 1
.bss TEMP2, 1
.bss ACCBAJO, 1
.bss ACCALTO, 1
.bss ANA0, 1
.bss ANA1, 1
.bss ANA2, 1
.bss ANA3, 1
;=======================================================================
; Definición de variable global. Esta es visible desde cualquier parte del programa. INICIO
; indica el comienzo del programa de usuario.
.global INICIO
;=======================================================================
; Definición de vectores de reset e interrupciones.
; RSVECT es el vector de reset, cuando se inicia el funcionamiento del DSP, este parte
; en la posición que indica este vector. En este caso la posición 1F00h es la posición
; del punto de partida del bootloader, este detecta el estado del BIO pin y según esto
; pasa al modo de programación de la mem. flash o pasa al punto inicial del programa
; grabado anteriormente.
; Los vectores INIT1..INIT6 inican las posiciones de las rutinas de interrupción de
; cada una de las 6 distintas interrupciones posibles.
.sect "vectors"
RSVECT B 1F00h
INT1 B PHANTOM
INT2 B RUTINA_INT2
INT3 B PHANTOM
INT4 B PHANTOM
INT5 B PHANTOM
INT6 B PHANTOM
;=======================================================================
; Inicio del programa.
;=======================================================================
.text
;=======================================================================
; Configuraciones generales.
INIC
LDP #0h
CLRC SXM
CLRC OVM ; Overflow mode, 0=resultado de overfl va al acc.
SPLK #0000h, IMR ; Mascaras de interrupción (1-6).
LDP #0E0h
 144

SPLK #068h, WDCR ; Desabilita el Watch Dog timer.

CLRC XF
;=======================================================================
; Configuración Timers
LDP #0E8h
SPLK #00000h, T1CNT ; Inicializo contadores en 1.
SPLK #00000h, T2CNT
SPLK #00031h, T1PR ; Seteo Período timer a 650 ciclos
SPLK #00000h, T2CON ; Seteo de control del contador 2. Deshabilitado
SPLK #01540h, T1CON ; Seteo de control del contador 1.
SPLK #00000h, GPTCON ; enciendo los pwm.
;=======================================================================
; Bloque de Configuración Puertos I/O
LDP #0E1h
SPLK #00000h, OCRA ; Registro de control de puertos de entrada y
SPLK #00003h, OCRB ; salida.
SPLK #0FF00h, PBDATDIR
SPLK #0FF00h, PCDATDIR
;=======================================================================
; Bloque de Configuración Conversores A/D
LDP #00E0h
SPLK #00000h, ADCTRL2
SPLK #3910h, ADCTRL1 ; Se inicia conversión de datos 0 y 1
ESPERA10 BIT ADCTRL1, 7
BCND ESPERA10, NTC
LACL ADCFIFO1 ; Clear ADC FIFOs
LACL ADCFIFO1
LACL ADCFIFO2 ; Clear ADC FIFOs
LACL ADCFIFO2
;=======================================================================
; Seteo de interrupciones
LDP #0h
LACC IFR ; Load ACC with Interrupt flags
SACL IFR ; Clear all pending interrupt flags
CLRC INTM ; Enable interrupts
SPLK #000010b, IMR ; Desenmascaro INT2
LDP #0E8h
SPLK #080h, EVIMRA ; habilita interrupción de periodo1.
;=======================================================================
; Loop principal.
LDP #04h
SPLK #0FDh, CONTADOR1
SPLK #00, TEMP
LOOP
B LOOP
;=======================================================================
; Rutina de iterrupción de timer 1.
RUTINA_INT2
MAR *,AR0 ; Almacenaje de datos para la int.
lAR AR0,#0200h
SST #1, *+ ; save ST1
 145

SST #0, * ; save ST0

LDP #04h
SACL ACCBAJO
SACH ACCALTO
LDP #0E1h
LDP #0E8h
SPLK #00031h, T1PR
B FINRUT
MANUAL
NEXT1 LDP #0E0h
SPLK #00000h, ADCTRL2
SPLK #3910h, ADCTRL1 ; Se inicia conversión de datos 0 y 1
ESPERA1 BIT ADCTRL1, 7
BCND ESPERA1, NTC
SPLK #3934h, ADCTRL1 ; Se inicia conversión de datos 2 y 3
ESPERA2 BIT ADCTRL1, 7
BCND ESPERA2, NTC
LACC ADCFIFO1, 10 ; Se guardan datos 0 y 2
LDP #04h
SACH ANA0
LDP #0E0h
LACC ADCFIFO1, 10
LDP #04h
SACH ANA2
LDP #0E0h
LACC ADCFIFO2, 10 ; Se guardan datos 1 y 3
LDP #04h
SACH ANA1
LDP #0E0h
LACC ADCFIFO2, 10
LDP #04h
SACH ANA3
LACL ANA0
ADD #09h
LDP #0E8h
SACL T1PR
FINRUT LDP #04h
LACL CONTADOR1
SUB #1
BCND RESET, NC
SACL CONTADOR1
B NORESET
RESET SPLK #0FDh, CONTADOR1
NORESET LACC #TABLA
ADD CONTADOR1
TBLR TEMP
LACL TEMP1
XOR TEMP
XOR #0FFFFh
AND TEMP1
SACL TEMP1
 146

OR #0FF00h
LDP #0E1h
SETC XF
SACL PBDATDIR
LDP #04h
LACL TEMP1
RPT #07
SFR
OR #0FF00h
LDP #0E1h
SACL PCDATDIR
LDP #04h
LACL TEMP
OR #0FF00h
SACL TEMP1
LACL TEMP
RPT #07
SFR
OR #0FF00h
SACL TEMP2
LACC TEMP2,16
OR TEMP1
LDP #0E1h
CLRC XF
SACL PBDATDIRDIR
SACH PCDAT
LDP #04
LACL TEMP
SACL TEMP1
LDP #0E8h ; este pedacito de rutina es el que finaliza
LACL EVIFRA ; la interrupción, borra los flags y ese
SACL EVIFRA ; tipo de cosas.
LDP #04h
LACL ACCBAJO ; recupera el acumulador y los registros
LACC ACCALTO, 16 ; de estado
MAR *,AR0
LAR AR0,#0201h
LST #0, *-
LST #1, *
CLRC INTM
RET
TABLA
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39321
.word 39317
.word 39317
 147

.word 39317
.word 39317
.word 39318
.word 39318
.word 39318
.word 39318
.word 39257
.word 39257
.word 39253
.word 39253
.word 39253
.word 39254
.word 39254
.word 39273
.word 39273
.word 39269
.word 39270
.word 39270
.word 38297
.word 38297
.word 38293
.word 38294
.word 38294
.word 38233
.word 38229
.word 38230
.word 38230
.word 38249
.word 38245
.word 38246
.word 38553
.word 38553
.word 38549
.word 38550
.word 38489
.word 38485
.word 38486
.word 38505
.word 38501
.word 38502
.word 38502
.word 22937
.word 22933
.word 22934
.word 22873
.word 22869
.word 22870
.word 22889
.word 22885
.word 22886
.word 21913
 148

.word 21909
.word 21910
.word 21849
.word 21845
.word 21846
.word 21865
.word 21861
.word 21862
.word 22169
.word 22165
.word 22166
.word 22105
.word 22101
.word 22102
.word 22121
.word 22117
.word 22118
.word 27033
.word 27029
.word 27030
.word 26969
.word 26965
.word 26965
.word 26966
.word 26985
.word 26981
.word 26982
.word 26009
.word 26005
.word 26005
.word 26006
.word 25945
.word 25941
.word 25941
.word 25942
.word 25961
.word 25957
.word 25957
.word 25958
.word 25958
.word 26265
.word 26261
.word 26261
.word 26262
.word 26262
.word 26201
.word 26201
.word 26197
.word 26197
.word 26198
.word 26198
 149

.word 26198
.word 26217
.word 26217
.word 26217
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26214
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26213
.word 26217
.word 26217
.word 26217
.word 26217
.word 26198
.word 26198
.word 26197
.word 26197
.word 26197
.word 26201
.word 26201
.word 26262
.word 26262
.word 26261
.word 26265
.word 26265
.word 25958
.word 25958
.word 25957
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