En alta frecuencia el límite superior del dispositivo activo (transistor) depende o está limitado

por la capacidad interna del mismo. Si consideramos el transistor PNP de la Fig. Nº 5-1, donde
la juntura Base-Colector se polariza en sentido inverso, pasan huecos de la región de base al
colector y electrones de la región de colector a la base. Si se polariza al transistor según esa
tensión, la organización electrónica de electrones y huecos en la juntura base-colector hace
que los electrones de la base y los huecos del colector se separen de la juntura, formándose de
esta forma una región de empobrecimiento, la que en la base se carga positivamente y en el
colector se carga negativamente. La longitud “L” de esta zona de empobrecimiento o zona
desértica es función casi proporcional a la tensión inversa aplicada a la juntura base-colector.
Fig. Nº 4-1 Fig. Nº 4-2 A mediada que aumentamos o disminuimos esa tensión inversa,
aumentamos o disminuimos la longitud de esa zona. En esta zona se establece una capacidad
que es la denominada Cb·c o capacidad base colector. Esta capacidad es inversamente
proporcional a la Vcb con exponente a la 1/2 o 1/3 dependiendo de si el transistor es del tipo
de aleación o de unión. Prácticamente esa capacidad presenta un valor relativamente pequeño
del orden del pf para transistores de alta frecuencia. donde p es = ½ o 1/3 Otra capacidad que
presenta el transistor y que influencia el funcionamiento es la capacidad de difusión, esta
surge cuando consideramos la juntura base-emisor. En este caso, cuando pasan huecos desde
el emisor hacia el colector por