I – Amplificadores Monoetapa - Polarización

Problema 16

En el circuito de la figura ICQ=10mA a temperatura ambiente (Ta=25ºC).

Utilizando los factores de estabilidad calcular la variación de ICQ si la temperatura
aumenta hasta 55ºC para:

a) Transistor de silicio (ICB0=1µA a Ta=25ºC)

b) Transistor de germanio (ICB0=100µA a Ta=25ºC)

Considerando que el circuito tiene buena estabilidad frente a las variaciones de hFE,
calcular el ∆ICQ debido a las variaciones de ICB0 y VBE.

10V

RC

RB=400
1,75V
RE=100

Calcular ∆ICQ ∆VBE

∆ICB0

Verifico la condición de apantallamiento:

RE 100
n= = = 10 OK
RB 400
β min 40

Calculo IC = f (VBE ; ICB 0)

Para variaciones pequeñas:

∆ICQ ∂ICQ
SI = ≅
∆ICB 0 ∂ICB 0

∆ICQ ∂ICQ
SV = ≅
∆VBE ∂VBE
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RE + RB 400 + 100
SI = = = 4 ,765
RB 400
RE + 100 +
1+ β 81

1 1 1
SV = =− = −9 ,412 ⋅ 10−3
RB  1 400  1 Ω
+ RE ⋅  1 +  + 100 ⋅  1 + 
β  β 80  80

ahora planteo las diferencias:

mV
VBE2 − VBE1 = −2 ,5 ⋅ ( T2 − T1 ) = −7 ,5mV
°C

Entonces para silicio tenemos:

 T 2− T1 
∆ICB 0 = ICB 02 − ICB 01 = ICB 01 ⋅  2 10 − 1 = 7 µA
 

1
∆ICQ ≅ SI ⋅ ∆ICB 0 + SV ⋅ ∆VBE = 4 ,76 ⋅ 7 µA + 9 ,41 ⋅ 10−3 ⋅ 0,075V = 0,74 mA
Ω

donde influye ∆VBE.

Para germanio sería ahora:

ICB 02 − ICB 01 = 700µA

1
∆ICQ = 4 ,76 ⋅ 700µA + 9 ,41 ⋅ 10−3 ⋅ 0,075V = 4 ,04 mA
Ω

donde influye ∆ICB0

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Problema 17

Para el siguiente circuito (polarización IB constante), encontrar las expresiones de los

factores de estabilidad para un punto de trabajo genérico en la zona activa del
transistor.
(Sv, ShFE, SI)

VCC
SI = β + 1 ≅ β

RB RC β
Sv = −
RB

VCC − VB
Sβ = − ICB 0
RB

( I ) IC = β ⋅ IB + ( β + 1) ⋅ ICB 0

( II ) VCC − IB ⋅ RB − VBE = 0

de ( I ):
IC − ( β + 1) ⋅ ICB 0
IB = (a)
β

de ( II ):
VCC − VBE
IB = (b)
RB

igualando (a) y (b):

IC − ( β + 1) ⋅ ICB 0 VCC − VBE

=
β RB

VCC − VBE
IC = + ( β + 1) ⋅ ICB 0
RB
β

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 I – Amplificadores Monoetapa - Polarización

∂IC ∂IC
Para hallar y :
∂VBE ∂ICB0

∂IC
= β + 1 = SI
∂ICB 0

∂IC β
=− = SV
∂VBE RB

 VCC − VB   VCC − VBE 

  ⋅ β 2 + ICB 0 ⋅ ( β 2 + 1) −   ⋅ β 1 − ICB 0 ⋅ ( β 1 + 1)
∆IC  RB   RB 
=
∆β β 2 − β1

∆IC VCC − VBE

= + ICB 0 = ShFE
∆β RB

Condición de estabilidad térmica:

El calor generado en la juntura de colector no debe exceder al que pueda disiparse en

régimen permanente.

∂Pdt ∂Pc
<
∂Tj ∂Tj

∂Pdt 1
<
∂Tj θja

∂Pdt ∂IC 1
⋅ <
∂IC ∂Tj θja

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Problema 18

Pa ar el circuito de la figura, implementado con el transistor BD137, analizar si puede

producirse embalamiento térmico cuando la temperatura aumenta de 25ºC a 65ºC.

VCC=42V

Rb=8Ω (resistencia estática del bobinado

primario del transformador)
R1=1K5 RL=10K
Rb

Rs

Vs

R2=82 RE=12

Datos del manual:

°C
Tjmax = 150° C Rthj − a = 100
W
°C
Rth j − mb = 10 Ptmax = 8W para Tmb=70ºC
W

VCE 0max = 60V ICB 0 ≤ 100nA para Tj=25ºC

RB = R1 R 2 = 77 ,8Ω

VBB = 2 ,17V

VBB − 0,7V 2 ,17V − 0,7V

ICQ = = = 123mA → hFE = 95
RB 12Ω + ( )
RE +
hFE

2 ,17V − 0,7V
ICQ = = 114 mA → hFE = 97
77 ,8Ω
12Ω +
95

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 I – Amplificadores Monoetapa - Polarización

2 ,17V − 0,7V
ICQ = = 115mA
77 ,8Ω
12Ω +
97

VCC = VCEQ + ICQ ⋅ ( Rb + RE ) ⇒ VCEQ = VCC − ICQ ⋅ ( Rb + RE )

VCEQ = 42V − 115mA ⋅ ( 20Ω) = 39 ,7V

1ª CONDICION

VCC
VCEQ < no se cumple !!
2

CONDICION GENERAL

∂Pdt ∂IC 1
⋅ <
∂IC ∂Tj θja

∆ICB 0 ∆VBE ∆hFE 

(VCC − 2 ⋅ ICQ ⋅ Rb) ⋅  SI ⋅
1
+ SV ⋅ + ShFE ⋅ <
∆T ∆T ∆T  θja

∂ICQ RE + RB
SI = = = 7 ,02
∂ICB 0 RE + RB
1+ β

1 1
SV = − = −77 ,3 ⋅ 10 −3 ⋅
RB  1 Ω
+ RE ⋅  1 + 
β  β

mV ∆VBE mV
∆VBE = −2 ,5 ⋅ ( T2 − T1 ) ⇒ = −2 ,5
°C ∆T °C

 T 2− T 1   65°C − 25°C 

∆ICB 0 = ICB 01 ⋅  2 10 − 1 = 100nA ⋅  2 10
 − 1 = 1,5µA
   

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∆ICB 0 ∆VBE 
(VCC − 2 ⋅ ICQ ⋅ Re st ) ⋅  SI ⋅
1
+ SV ⋅ <
∆T ∆T  θja

 1,5µA  1  mV   1
( 42V − 2 ⋅ 115mA ⋅ 20Ω) ⋅ 7,02 ⋅ +  −77 ,3 ⋅ 10 −3 ⋅  ⋅  −2 ,5  <
 40° C  Ω  ° C   100 ° C
W

mW mW
7 ,24 < 10 se cumple
°C °C

“No existe embalamiento térmico”.

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