1. Defina los parámetros híbridos del transistor.

Explique los modelos de pequeña

señal del transistor en emisor común, base común y colector común.

MODELO HÍBRIDO DEL BJT:

El modelo híbrido o equivalente híbrido del transistor es un modelo circuital que

combina impedancias y admitancias para describir al dispositivo, de allí el nombre de
híbrido.

La obtención de los parámetros híbridos involucrados dentro del modelo se hace en

base a la teoría de cuadripolos o redes de dos puertos.

La sustitución del símbolo del BJT por su modelo híbrido durante el análisis en c.a.
permite la obtención de ciertos valores de interés como son: la ganancia de voltaje
(Av), ganancia de corriente (Ai), impedancia de entrada (Zi) y la impedancia de salida
(Zo).

Estos valores dependen de la frecuencia y el símbolo circuital por sí solo no considera

este aspecto, de allí la utilidad del modelo híbrido quien si lo considera.

NOTA: los parámetros hie, hre, hfe y hoe se denominan parámetros híbridos y son
componentes de un circuito equivalente de pequeña señal que se describirá en breve.
Los parámetros que relacionan las cuatro variables se denominan parámetros “h”
debido a la palabra “hibrido”. El parámetro hibrido se selecciono debido a la mezcla
de variables “V e I” en cada ecuación, ocasiona un conjunto “hibrido” de unidades de
medición para los parámetros h

Modelo Híbrido del BJT en Configuración Emisor Común:

El transistor BJT NPN en configuración emisor común se muestra en la figura 1.

Se observa de la figura 1 que el transistor en esta configuración es una red de dos
puertos, un puerto de entrada y un puerto de salida, por tanto puede tratarse como tal.

Una red de dos puertos en general (figura 2) se describe por el siguiente juego de
ecuaciones:

Vi = h11ii + h12 Vo

io = h21ii + h22 Vo

Las variables involucradas dentro de la red son vi, ii, vo e io y los parámetros que
relacionan estas variables son los parámetros híbridos, h.

Una analogía del BJT con la red de dos puertos general resulta en:

V BE = h11iB + h12 VCE Ecuación 1

iC = h21iB + h22 VCE Ecuación 2

El cálculo de los parámetros híbridos (h) se hace a partir del manejo de las variables.

Si Vce=0 (salida en corto) en la ecuación 1, se tiene que h11 =

Este parámetro híbrido se mide en Ω y se conoce como impedancia de entrada con

salida en corto y en BJT en configuración emisor común recibe el nombre de hie.
De la ecuación 2, se tiene el cual es un parámetro hibrido sin unidades.

Conocido como relación de transferencia directa entre la corriente de salida y la

corriente de entrada, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el
nombre de hfe.

Si ib=0 (entrada en circuito abierto) en la ecuación 1 se tiene h 12 =

Este parámetro h es adimensional y se conoce como relación de transferencia inversa

de voltajes, en el transistor BJT en configuración emisor común recibe el nombre de
hre.

De la ecuación 2, se tiene h22 = el cual es un parámetro híbrido medido en ° y se

conoce como admitancia de salida con entrada en circuito abierto, en el transistor BJT
en configuración emisor común recibe el nombre de hoe.

Las ecuaciones 1 y 2 se reescriben y quedan como:

VBE = hie iB + hre VCE Ecuación 3

iC = h fe iB + hoe VCE Ecuación 4

Cada ecuación puede representarse circuitalmente y la unión de los circuitos
resultantes corresponde al equivalente o modelo híbrido.

La ecuación 3 se representa a través de circuito en serie (malla), mientras que la

ecuación 4 se representa a través de un circuito en paralelo (nodo), tal como muestra
la figura 3.

La unión de los dos circuitos (Figura 4) se hace tomando en cuenta que i E = iC + iB y

en c.c. se tiene IE = IC + IB = (β + 1)I B . El valor de β medido en c.c es aproximado al
valor de hfe el cual es un parámetro híbrido medido en c.a., así: β ≅ h fe con lo que
ahora i E = (hfe + 1)iB.

Los valores de hoe y hre son tan pequeños que pueden despreciarse originando un
modelo híbrido simplificado como el que se muestra en la figura 5.
El valor de vBE en hre es muy pequeño comparado con vCE, por lo que hre≈0. Este
hecho anula la fuente de voltaje dependiente hrevCE del modelo híbrido de la figura
4.

En hoe, iC<<VCE por lo que hoe resulta en una admitancia cero h oe≈0 y una admitancia
nula es equivalente a una resistencia infinita; por esta razón en el modelo híbrido
simplificado no aparece hoe.

MODELOS EN PEQUEÑA SEÑAL

Emisor común:

C1 y C2: condensadores de acoplamiento.

CE: condensador de desacoplo de RE2

Circuito de polarización

Recta de carga estática

Punto de trabajo

Equivalente de pequeña señal

Caso particular RE1 = 0

Caso particular sin CE

Recta de carga dinámica

 Recta de carga en pequeña señal:

  Las componentes de señal se encuentran superpuestas a las de continua:

 Recta de carga dinámica:

Punto de máxima excursión simétrica

 La máxima amplitud de oscilación se obtiene cuando el punto de trabajo está

centrado en la recta de carga dinámica:

 Punto de máxima excursión simétrica (ICmes,VCEmes)

Colector Común:
No es necesaria RC para la polarización del transistor ni para el buen funcionamiento del
amplificador.

Punto de máxima excursión simétrica

Base Común:
Punto de máxima excursión simétrica:

8.- Que función tiene el condensador Cb del circuito de la fig 2.

C3 desacopla R1 y R2 en pequeña señal, del mismo modo que lo hace C E con RE en el

amplificador en emisor común.

9.- Indique y explique ejemplos prácticos de aplicación de los circuitos implementados

Problema.

Diseñe un amplificador seguidor de emisor con resistencia de emisor, empleando un

transistor NPN (=300). Utilice Vcc=18V. El circuito debe tener Ai=15 y una RL=200
acoplada capacitivamente. Calcule también Av, Zi y Zo. Determine su punto de operación
teórico, incluya las líneas de carga de ca y cd.

Figura 1.AmplificadorSeguidor de Emisor

Cálculos de RB para el amplificador empleando la formula larga

26 mV 26 mV
hib = =
I CQ 60 mA

hib =0.4333

RB RE
A i=
( RB
β
+ hib + ( R E ∨¿ RL ) )( RE+ RL )
RB
15=
( RB
300
+0.4333+ ( 100 ) )( 0.5 )

300 R B
30= ( R B +30129.99 )
30 R B +903899.7=300 RB
 903899.7
RB =
300−30

RB =3.3478 KΩ

Cálculos de R1y R2

Vcc 18
I CQ = =
Rca+ Rcd 100+200

I CQ =60 mA

Vcc 18
V CEQ = =
Rcd 200
1+ 1+
Rca 100

V CEQ =6 V

V BB =( I CQ ) ( Rβ + R )+0.7=( 60 mA ) ( 3.3478
B
E
300
k
+ 200) + 0.7

V BB =13.3696V

V CC 18
R 1= ( R B ) ( V CC −V BB ) (
=( 3.3478 k )
18−13.3696 )
R1=13.0141 k

V CC 18
R 2= ( R B ) ( ) V BB (
=( 3.3478 k )
13.3696 )
R2=4.5073 k

Rectas de carga

V CC 18
Ic= =
R E 200

Ic= 90mA

V CEQ 6
I’c= + I CQ = +60 mA
RCA 100

I’c=120mA
 V’cc= V CEQ + I CQ RCA =6+ ( 60 mA ) ( 100 )

V’cc=12v

Recta dc Recta ac
140

120 120

100
90
80
Ic (mA)
60 60

40

20

0 0 0 0
0 1 2 3 4 5 6
Vce (V)

R E ∨¿ R L 100
AV = =
hib +(R E∨¿ R L ) .4333+100

A V =0.9956

hib +( R E ∨¿ R l)
¿
RB ¿
R¿ =¿

R¿ =3.013 k

10. Indique sus conclusiones

 Podemos concluir que en esta práctica profundizamos el conocimiento de la

amplificación, determinando el punto de operación y las impedancias de entrada y
salida, con lo cual observamos evidentemente que no es posible obtener una
amplificación sin una adecuada polarización DC
 Concluimos también que en la configuración emisor común se obtienen elevadas
ganancias de tensión y corriente, haciéndolo el circuito ideal para amplificación de
pequeñas señales.

 Se encuentra que cuando se realiza el diseño del circuito es conveniente que el punto
Q esté situado en el centro de la recta de carga y que la ganancia no sea
excesivamente alta para dar estabilidad al circuito y evitar distorsiones
respectivamente.

 Se puede observar que un circuito conectado en la opción de colector común se

comporta como un seguidor, no presenta amplificación a su salida.