Polarizaci6n de cd de los BJT OBJETIVO: Desarrollar el nivel de conocimiento del transistor BJT que permita un andlisis de ed de cualquier sistema que pudiera emplear el amplificador BUT. Elandlisis requiere conocer la respuesta del sistema El nivel de potencia de ca de salida mejorada es el resultado de una transferencia de energia de las fuentes de cd aplicadas. Elandlisis 0 disefio de cualquier amplificador se compone de una parte de ca y una de cd sla seleccién de pardmetros de niveles de cd afectardn la respuesta ca y viceversa, Factor que controla el nivel de operacién de cd de un transistor —> intervalo de posibles puntos de operacién. Relaciones bdsica importantes de un transistor: 1, = Bl, +1, = G+ DI,, como B >> 1entonces “1, = Bly como BI, = I, entonces La primera cantidad a determinar es la corriente de base /,, ya que se pueden aplicar las relaciones mencionadas para determinar las otras cantidades. PUNTO DE OPERACION (Q) Polarizacién © Aplicacién de voltajes de cd para establecer un jo de corriente y voltaje. © Asegura la correcta operacién del dispositive. La corriente y voltaje de cd resultantes de la polarizacién establecen un punto de operacién en las caracteristicas del dispositivo. Punto de operacién — punto fijo + Punto Quiescente (Punto Q) —Quiescente = inmovil. Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021Capacidades mdximas: 1, :linea horizontal que indica la corriente mdxima del colector # Veg. tinea vertical que indica el voltaje maximo del colector a emisor * P.. trestriccién de potencia nominal méxima 68 E| dispositive BJT podria ser polarizado para que opere fuera de estos limites mdximos, pero el resultado de tal operacién acortaria considerablemente la duracién del dispositivo o lo destruiria Varios puntos de operacién (A, 8, Cy D) dentro de los limites de operacién de un transistor > Punto A: Sin polarizacién — dispositive totalmente apagado — corriente y voltaje cero @ Esnecesario polarizar un dispositive para que sea capaz de responder a una seftal de entrada, Ast, este punto no es adecuado. > Punto B: Sise aplica una sefal al circuito, el dispositivo variaré el voltaje y corriente alrededor del punto de operacién — dispositive reacciona o responde a una sefial de entrada Posiblemente amplifique las excursiones/variaciones positivas o negativas de la sefial de entrada, Sise selecciona correctamente la sefial de entrada, el voltaje y la corriente del dispositivo variardn, pero no lo suficiente para llevar al dispositive a corte o saturacién. > Punto C # Permite alguna variacién positiva y negativa de la sefial de entrada, pero el valor pico a pico se verd limitado, debido a la proximidad a la regién de saturacién y de corte > tendencia a la distorsién > Punto D: @ Situado cerca al punto de operacién del nivel méximo de voltaje y de potencia — limitacién en la amplitud CONCLUSION ‘* Es preferible operar donde la ganancia del dispositive es constante o lineal para garantizar que la amplificacién a lo largo de toda la excursién o variacién de a sefial de entrada sea la misma. Es decir, se debe operar alejado de las regiones de corte o saturacién, ‘* Elpunto B es el mejor punto de operacién en funcién de la ganancia lineal y maxima excursin posible de voltaje y corriente. Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021CONFIGURACION DE POLARIZACION FA Valores de voltajes de polarizacién son constantes en el tiempo. Circuito de polarizacién fija Circuito CD equivalente '* Enc, los capacitores se comportan como un circuito abierto. ° 1 = C2, perocomov = cte, entonces! = C(0) = 0A 14 == of © Lareactancia de un capacitor en CD es X = se = sur Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021© Lafuente de ed Vec se puede dividir en dos fuentes (solo para el propésito del andlisis) separar los circuitos de entrada con los de salida POLARIZACION EN DIRECTA DE LA UNION BASE-EMISOR gh tPheente by Tennioan de Kictoyy © baton: 2 Vee - Ran —VE=0 & dapyerto Ih: | — Nec Ae = Vee —Vor © Se considera la malla del circuito base emisor. Se aplica la ley de tensiones de Kirchoff. '* Segtin la ley de Ohm, la corriente IB es el voltaje a través de RB sobre el valor de su resistencia. El voltaje a través de RB es Vec - VBE. © Como el voltaje de alimentacién VCC y el voltaje de base emisor VBE son constantes (polarizacién fija), la seleccién de un resistor de base RB establece el Limite de la corriente de base para el punto de aplicacién, ya que, de acuerdo con su valor, la corriente de base seré mayor o menor segiin la ley de Ohm. Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021MALLA COLECTOR-EMISOR ¥ by bh doing 4 Rintoye Vee =. — ue 2 © Ve * Dapp Vee pe fh + h-fle oiled ae Nees Vee flake © La magnitud de la corriente del colector estd relacionada con 18 vor Pane * Lacorriente de la base IB es controlada por la resistencia RB e IC esté relacionada con IB mediante una constante B. La magnitud de IC no es una funcién de la resistencia RC. Es decir, el valor de IC no depende de RC. © Elnivel de RC, como se puede apreciar en las ecuaciones, determina el valor de VCE. EJEMPLO: Determinar lo siguiente para la configuracién de polarizacién fija: a) IBQ y ICQ, b) VCEQ, ©) VB y VC, d) VBC Veo <2 FIG. 4. Circuito de polarizactén fija de ed para et ejemplo 4.1. Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021Tova . o lle ae OQaenea” mj tle gh "oH Adal Matte (h-Z404 (Ip) -\he = © M- 224 (2) -Ve so le= tha vex JV mm Wee = 1-2,26 (Fe) [Le= 25500 > D)Vee= Ve-te= eu 7 Veen lee =Ge5u Vee + Ve-c = seu Ot- ees ay SATURACION DEL TRANSISTOR «Saturacién» se aplica a cualquier sistema donde los niveles han aleanzado su valor méximo. Una esponja saturada de agua es aquella que no puede contener otra gota de ‘agua. Cuando se abre un cafio totalmente, este arrojaré a cantidad maxima de agua que puede pasar por la tuberia. Si se sigue girando la Ulave, seguiré pasando la misma cantidad de agua. © Enlaregién de saturacién, la corriente toma su valor méxime para el disefio en particular. La corriente de colector méxima define el nivel de saturacién maximo. Se evitan las condiciones de saturacién porque la ganancia no es lineal y la sefial amplificada de salida se distorsionard. * Lugar donde se unen las curvas de las caracteristicas '* VCE estd por debajo de VCE... Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021le Fey =| Panto @ Feuy ~ $ Punto. Votan Vee ° Vee Regién real de saturacién Regién aproximada de saturacién > Empleando la gréfica real como es una curva avce Ree-prom “ae? > Empleando gréfica aproximada vee, a wee VE Rog Te = TE, Ty, OF o pero AIC >> AVCE > Ryaoy, = or ~ ON METODO PARA CALCULAR LA CORRIENTE DE SATURACION Como se puede apreciar en los cdlculos anteriores, para determinar la corriente de saturacién de un disefio determinado, solo es necesario que la resistencia entre el emisor y colector sea 0 ohms y que el voltaje VCE sea Ov. Es decir, se debe cortocircuitar Cy Ey calcular la corriente del colector. Entonces, como VCE= OV, el voltaje a través de RC seria el de la alimentacién (VCC) y la corriente de saturacién, por ley de Ohm, seria el cociente de VCC y RC. + ReQ Yec™ Vee le rag = Vee 4 Ver me (Re Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021Una vez que se conoce la corriente de saturacién que atraviesa por el colector, se tiene una idea de la posible corriente maxima del colector para un disefio en particular. Ademés, se tiene idea del nivel que debe permanecer bajo si esperamos que la amplificacién sea lineal. INTERPRETACION PERSONAL Dadas las relaciones de salida y entrada de un transistor con configuracién de emisor comin: Regine sua texo™ Bien La relacién IB vs VBE se puede aproximar, como la de un diodo, a la siguiente relacién. Tg (eA) Of 02 04 06/08 1 Vge(V) 07 Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021REGION DE CORTE: Gréfica real Gréfica aproximada Siel valor de VBE es menor al valor promedio de la rodilla de la curva, ta corriente IB ird disminuyendo de forma no lineal hasta hacerse IB=OA. Cuando el valor de VBE esté alejado de 0.7V (valor promedio),la corriente IB serd OV. Es decir, la corriente a través del colector IC © 0A representaria un circuito abierto. Una sefial que atraviesa la regién de corte, a medida que entre mds en esta, disminuird © podria cortarse, Siel valor de VBE es menor a 0.7V, la corriente de la base serd IB=OA. De acuerdo con la grdfica de salida, si IB=0A, la corriente en el colector serd tan pequefia que se puede despreciar. Es decir, la corriente a través del colector IC = OArepresentaria un circuito abierto. Idealmente, una sefial que atraviesa la regién de corte, se "corta’ REGION DE SATURACION: De acuerdo con la gréfica real, si el valor de VBE es mayor al valor promedio de la rodilla de la curva (0.7), la corriente IB creceré mucho més rdpido que las cambios en VBE. Es decir, AIB >> AVBE Entonces, la resistencia promedio de la curva para valores mayores al valor promedio de la rodilla de la curva quedard determinada por: ‘otow-oe = ALEE, el valor de AIB es mucho mayor a AVBE Entonces, 2 Roron-e ~ aie = OF Entonces, la corriente IB para valores de VBE mayores al valor promedio de la rodilla de la curva (0.7V) es: 1p =—WE_ = = @A Rrowene Realmente, esto no quiere decir que la corriente aumente infinita y continuamente, sino que para valores mayores al 0.7V la corriente de IB serd tan grande que puede tender al infinito. De hecho, esa tendencia al infinito termina cuando se le proporciona un valor VBE tan grande que el dispositivo se quema Por otro lado, notamos que en la gréfica de salida, las pendientes de las grdficas respecto a un valor de IB umentan a medida que IB aumenta. Entonces, para un IB muy grande, su gréfica se podria tomar como vertical. Eso quiere decir que la relacién ace _ 0 Rew prom = ale = Asi, 1¢ = = — = 12 < wayvCr =R = 0 CORTO CKTO IC =0* IC =v Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021Eso quiere decir que cuando VCE sea OV aproximadamente, la corriente serd tan grande como pueda ser. De hecho, como para VCE =0 la gréfica es vertical, se evidencia que no existe relacién alguna entre VCE ¢ IC en dicho punto. Ast, IC podria tomar cualquier valor. ANALISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA * Las caracteristicas del BJT se sobreponen en una griifica de la ecuacién de la red definida por los mismos parémetros. © Sellama recta de carga porque el resistor de carga la define. * Se puede determinar el punto de operacién Q POLARIZACION Teta) DE CD DE LOS BIT ceo Aplicando LTK en la malla de la derecha del ckto. VCC -1,R,- VCE = 0 VCE = VCC -1,R, Entonces, se establece una ecuacién que relaciona IC y VCE. Se precisa graficar la recta, entonces, se debe hallar el intercepto con los ejes. Intercepto con eje IC > VCE=0 o= vec -1.R, Ve fp Baleay Intercepto con eje VCE > IC=0 vce = vec Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021Voom Entonces, se procede a superponer la grdfica de la recta que relaciona las variables de salida con la grdfica de las caracteristicas del dispositive, Punto @ CONFIGURACION DE POLARIZACION DE EMISOR © Resistor emisor —+ mejorar estabilidad del nivel en relacién con la configuracién de polarizacién fija a). a ng * Re " L. toe Circuito de polarizacién de un BJT con as resistor de emisor Equivalente de cd Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021MALLA BASE-EMISOR ¢ Api 1TK _ |) Pade = y+ ne 3a & ot =(pente Vee KaSs Use -he(Orille, =e Vue — Ip[2o+ Reexyl a > '* Una diferencia entre esta ecuacién y la ecuacién para IB de la configuracién de polarizacién fija es el término (B + 1)R, * De acuerdo ala ley de Ohm, la ecuacién anterior puede interpretarse como un Circuito que tiene dos resistores en serie ((B + 1), y R,) yuna diferencia de potencial entre ellos de Vj. — Vige * Elresistor RE se refleja de nuevo enelcircuito de entrada multiplicado por (6 + 1). * Elresistor emisor (RE), el cual forma parte de la malla colector-emisor, “aparece como” (8 + 1)RE en la malla base-emisor. ‘* Como beta, por lo general, es un valor grande, el resistor emisor RE parece con un valor mucho més grande en el circuito de la base. Circuito de entrada equivalente derivado de la ecuacién anterior Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021R= (B + 1)Re entonces, Nivel de impedancia reflejado de RE MALLA COLECTOR-EMISOR at lomo Um Za wet hele ae + Aptior Lik Vee Bek -Ver = Rela eo V Cowo we = lee take -Teke tec - TR, - tes ReTene Ve-Ue = Vee SR “Ver Veen Vee —Ze(Revke) Ve = eS EJEMPLO: Para la red de polarizacién de emisor, determine a) IB, b) IC, ¢) VCE, d) VC, e)VE, f) VB, g)VBC Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021490 ko tour our TK: Ia ~ seh ig — Ver - te / Ve noee Guo f+ Thy Je-K+Te arden helps f-5O 3 IR - toklg—97- 14(61) le =s C6 Be eh le Va Whe ae [zyme | Gum he = Ve— ve [lazer Ge Kah yAAda ate Me OF He [te seere De - New ke AK 4IK)ES = Vee = 2o- Zot (Simm —NeAHVO | Crm Vee = Une. Vace Z.as- Sve 7] Cue Ve-o- th(Te)= (ROA) = W200) Men -8,0@ os Kone Uee le -e 2 c= bet Ve Ves (erste Ty Gems © Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021ESTABILIDAD DE POLARIZACION MEJORADA * Laadicién de un resistor emisor a la polarizacién en cd del BUT mejora la estabilidad. © Las corrientes de polarizacién en cd y los voltajes permanecen préximos a los valores establecidos por el circuito cuando Las condiciones externas, como la temperatura y la beta del transistor cambian, + al agregar dicho término a las ecuaciones las hace depender también de este y, si este valor es grande, una variacién en el VBE 0 en el beta del transistor no afectaré mucho. Lacorriente IC cambia en un 100% FGA) a) | 6 VCEse reduce en 76% x0 708 2 683 100 708 471 16 Circuito sin resistor emisor La corriente del colector inerementa ™) en81% 50 wo 201 ba 1B se reduce para mantener el valor 100 363 363 Sul de Ic rs El cambio de VCE se reduce al 35% B In (BA) To(mA) Circuito con resistor emisor NIVEL DE SATURACION Nivel de saturacién del colector > corriente mdxima que atraviesa el colector © Aplicar un corto circuito entre el colector y emisor * Calcular la corriente resultante del colector Determinacién de 1, para elcircuito de polarizacién estabilizado por e Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021ANALISIS POR RECTA DE CARGA * Elnivel IBQ esté determinado por la ecuacién: Vee V yp 1, = Fae, * Laecuacién de la malla-colector emisor que relaciona VCE con IC determina la recta: Veg = Vee ~ MelRy + RD * Intercepto con eje IC (Vee=0V): Veg Recta de carga para la configuracién de polarizacién de emisor CONFIGURACION DE POLARIZACION POR MEDIO DE DIVISOR DE VOLTAJE © Enlas configuraciones anteriores, la corriente de polarizacién IC y el voltaje VCE eran funciones de la ganancia de corriente del transistor. ¥, ° 1, = Far, © Veg = Veg — Blg(R, + R,)—> depende de beta © Bes sensible ala temperatura © Elvalor real de B no estd bien definido © Configuracién de polarizacién que dependa menos o sea independiente de la ganancia de corriente 3 del transistor. * La sensibilidad a los cambios en beta es muy pequefia. © Nivel de IC es casi independiente a beta © Nivel de VCE es casi independiente a beta * Unnivelfijo de IC y VCE definen un punto de operacién Q. © Elnivel de IB puede cambiar con el cambio de beta, pero el punto de operacién en las caracteristicas definido por IC y VCE puede permanecer fijo. © 2tipos de andlisis: © Exacto — aplicable a cualquier configuracién de divisor de voltaje © Aproximado —> aplicable solo si se satisfacen condiciones especificas © Elandlisis aproximado se puede aplicar a la mayoria de situaciones. — depende de beta Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021fe CCONFIGURACION DE POLARIZACION POR MEDIO DEL DWVISOR DE VOLTAIE Configuracién de polarizacién por medio di see enna Definicién del punto Q para la divisor de voltaje configuracién de polarizacién por medio de divisor de voltaje ANALISIS EXACTO Fetsbyorr. + Tt D hem Rib Lan aca (Ew) henort ri & Pla BR ae ae & g ZEEE, o8G mT fe ote © Bem Uh = = a fee Vy = Vw Re te we fe! Bay * ne ec Nie te ae foinece - Sigl Gost eae eaecaeale | | rage ronan) any ad hake eS ot Tene flo = ilps) ess ‘ied fe ie Nee? hy hy j= Vee Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021EJEMPLO: Determine el voltaje de polarizacién VCE y la corriente IC para la configuracién de polarizacién del siguiente divisor de voltaje. 10 nF 1s enue 18 = sour Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021peiebusen oo D : = a i ee p\ a lee ie fo we EG ANG a St ji oT Tet. THaS.. Ro Ri ee, Bla. eK saKa av ” the (SemsX ashe’ Behe sgaka Pechpree 2y- Ma (094) Vag — fefusaee | ne Oe hen 00 3 eeplantpe te | le 8 ge saree Fue, een tole us): ne a Pe * sing aon ae (ne pe oh Mote oka Be Aas | AL —10K( le) ~ Vee - Asct4) => Vee = 22 - fe( cons tok) [ e= 8 8388 Ve = 27- (a ete) sk) Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021ANALISIS APROXIMADO ROR: Gan) Circuito con el resistencia reflejada entre la base y emisor R, = (8 + )R, 6 Se hace ese cambio de RE a Ri para que en la malla de la derecha solo pase una corriente: IB, ya que esa es una Circuito de entrada componente del circuito de entrada. * SiR, es mucho més grande que &, (se puede interpretar como un circuito abierto en R), la corriente /, seré mucho menor que 12 seré aproximadamente igual a 11 @ Entonces, se puede aproximar IB=0A — I4=12 Rt y R2 se pueden considerar elementos en serie. © Elvoltaje en R2 (el voltaje VB) se puede determinar me voltaje. inte un divisor de CONDICION Como R, = (B + 1)R,, Se puede aproximar aR, = BR, entonces, si el método se puede aplicar. Es decir, si BR, es, por lo menos, 10 veces el valor de R2, se puede aplicar el método aproximado con un alto grado de precisién. © Elvoltaje VE, se calcular a partir de Ver =V_-Y, V, =Vy =VgyV, Se puede determinar y V,,€s conocido Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021‘© Lacorriente del emisor se determina con la ley de Ohm Ys abe thee ada comoa = fa = 12g 060 iC on pu pwn corriente que sale aqui es la corriente IC en el punto de operacién, ya que no depende de beta. Es decir, serd aproximadamente la misma siempre) * Elvoltaje colector-emisor serd Veg = Veo bBo Tee Me = Ne SATURACION DEL TRANSISTOR Valor maximo de corriente de colector + IC_sat=IC_max Cortocircuito en VCE Veo 9 9 Voc ANALISIS POR RECTA DE CARGA v, Ecuacién de salida: V..— Ril. — Rela — Vee 0 Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021© Intercepto con eje IC: VCE=0 Veg ~ Rel Ryle = 0 '® Intercepto con eje VCE: IC=0 Veo — Vor = CONFIGURACION DE REALIMENTACION DEL COLECTOR © Mejor nivel de estabilidad — trayectoria de retroalimentacién desde el colector ala base Circuito de polarizacién de cd con retroalimentacién de voltaje MALLA BASE-EMISOR her y'vv- trey Term? 1 No HE nlEeesn Vow te Aaa dle yom te wo te alec fe fhe Ve — Khe — Key Ue ~ fee == Shi. nh oP. fakes lesan kote Mak . tpt the ve Nc one A= hal here we el 7 Ve Aah toh te -Feplaws { Vue tel 8 + Peake] =© > Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021El denominador es la resistencia de la base mds los resistores del colector y emisor reflejados por beta, La trayectoria de realimentacién produce una reflexién de la resistencia RC de vuelta al circuito de entrade, COMPARACION CON OTRAS CONFIGURACIONES La ecuacién de IB se puede escribir de la siguiente manera, Polarizacién fija Polarizacién de emisor Realimentacién del colector RC+RE — 8 Rn RD 1a Ry ABR AR) En general, cuanto mayor sea BR’comparada con RB, menor serd la sensibilidad de ICQ a las variaciones de beta. Asi, ICQ seria précticamente independiente a las variaciones de beta. Como se puede observar, R’ es mayor para la configuracién de realimentacién de voltaje. Es decir, es més estable (menos sensible a beta). entonces, Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021MALLA COLECTOR EMISOR Vee = Ike -Vee - be =0 ou? {ike mahine — kat To Geo ale (a4 9 4h Me Ue — lie leate, pos ble > hilge le ee Leno X=, he foes a hele Va-Reher - ke -0 ANALISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA comoi', =I, +1, .Pero I, >>, 1, +1, * ly ost i, = I, entonees, aplicando LTK en la malla colector-emisor Veg = Vee eRe + RD '® Intercepto con eje IC: VCE=0 0 = Ve TR. + RD '@ Intercepto con eje VCE:IC=0 Veg = Vee OR, + RD Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021DIVERSAS CONFIGURACIONES TIPO | CONFIGURACION ECUACIONES yee Veo — Var Re ae Pol Aa Jo = Bly le = (B+ Vly B Vee = Vee = teRe qlee Re = Veen 3% Ry + B+ Re Pol. de Je= Bly le = (B+ Diy emisor i hob bk Veo ~ te(Re + Re) Re pve Pol. por ina Ve divisién de is Mg B+ DR voltaje Je=Blnle=(B+ Dy ® Ve Vr ~ lle * b + 3% % Le ie Realiment A Ry + BRc + Rp acién de « p Tc = Bly ly = (B + Diy colector i = Veo ~ Ie(Re + Re) Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021Ver ~ Vat ip = ee 5 Rs + (B+ 1 Emisor _ _ seguidor be Je = Bll = (B+ Dip Re Ver= Vex — TeRe - oWVee Be I tn = py ase A vle = Bly comin ee Ver = Vex + Veco ~ Ip (Re + Re) Vea = Vee ~ Te Re Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021CIRCUITO DE ESPEJOS DE CORRIENTE dB y Circuito espejo de corriente Corrientes para el circuito espejo de corriente * Produce una corriente constante -» se utiliza principalmente en circuitos integrados * Corriente constante —> corriente de salida —» reflexién o espejo de una corriente constante desarrollada en un lado det circuito © Los transistores tienen caidas de voltaje idénticas entre la base y el emisor * Lacorriente Ix establecida por Q1 y Rx se reflejan en la corriente | mediante el transistor Q2. © Se supone que la corriente del emisor IE en ambos transistores es la misma Vi com bevleste [Pm fe = BBIp —te~ ZE ~~ ‘lt EBs — le ia FS Gme peh > poizpe wv pee fal la w@rrvie kas fe +266 eres Ce eu ey: i@hedoet, | Sc es 2 - ») LIK > Cond porn Aree + ua se s 96 Q1 se conoce como transistor conectado como diodo, porque la base y el colector estdn en corto circuito y solo esté en funcionamiento la juntura base-emisor. Silva Mora, Carlos Andres - UPC 2021