ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIÓN Y CONTROL INDUSTRIAL

CP - Electrónica de Potencia

Preparatorio Desarrollo X Informe

Práctica #: 5
Tema: CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET

- Alejandro Sebastián Chicaiza Tipán

Realizado por
- Edison Santiago San Martín Ajila
CP Electrónica Potencia: GRUPO 4

(Espacio Reservado para instructor)

Fecha de entrega: 2021 / julio / 22 f. _________________________
Año mes día Recibido por:
Sanción: ____________________________________________________

PERÍODO ACADÉMICO
2021 – A
 Práctica N°5
1.- Tema:
CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET
2.- Objetivos:
2.1. Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia.
2.2. Conocer las características de conmutación de los MOSFET’s.

3.- Informe:
3.1 Presentar los respectivos circuitos, datos y formas de onda obtenidas en los diferentes
literales del procedimiento de la práctica.
Circuito 1: Simulación del disparo de un MOSFET para un circuito con carga R.

Comprobación del generador PMW:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 1 − 𝐶𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑖𝑚𝑝𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑑𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅.

Señal de salida en el PMW:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 2 − 𝑆𝑒ñ𝑎𝑙 𝑑𝑒 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑃𝑀𝑊.

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 3 − 𝐹𝑟𝑒𝑐𝑢𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 𝑒𝑛 𝑒𝑙 𝑃𝑀𝑊.

1 1
Para la obtención de la frecuencia: 𝑓 = 𝑇 = 94.498[𝑢𝑠] = 10.53[𝑘𝐻𝑧]

Se puede apreciar que el valor obtenido de frecuencia de trabajo es de 10.5[kHz], este valor es
muy parecido al valor teórico de frecuencia que es 10[kHz]. De esta forma, comprobamos que la
señal de entrada al Optoacoplador es la correcta para esta práctica.
Presentación de resultados del circuito diseñado para una carga Resistiva:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 4 − 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑉𝐷𝑆, 𝑉𝐺𝑆 𝑦 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐼𝐷𝑆 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 5 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑉𝐷𝑆, 𝑉𝐺𝑆 𝑦 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐼𝐷𝑆 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

Medición de Tiempos característicos para el caso de una carga Resistiva:

Proceso de Encendido del MSOFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 6 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

Proceso de Apagado del MOSFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 7 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

Revisión de los tiempos característicos para las etapas de encendido y apagado del MOSFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 8 − 𝑂𝑏𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑡𝑑(𝑜𝑛), 𝑡𝑟, 𝑡𝑑(𝑜𝑓𝑓) 𝑦 𝑡𝑓 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

MAGNITUD DE TIEMPO VALOR

td(on) 389.477[ns]
tr 921.235[ns]
td(off) 441.099[ns]
tf 1.153[us]
𝑇𝑎𝑏𝑙𝑎 1 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑡𝑑(𝑜𝑛), 𝑡𝑟, 𝑡𝑑(𝑜𝑓𝑓) 𝑦 𝑡𝑓 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.
Revisión de la potencia condición por el MOSFET para su encendido y apagado:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 9 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑢𝑚𝑖𝑑𝑎 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

Evaluación de los tiempos requeridos para el apagado y encendido del MSOFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 10 − 𝑂𝑏𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑖𝑐𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

VALORES DE POTENCIA
Potencia Valor
Pérdidas estáticas 21.48 [W]
Pico de apagado 520.364 [W]
Pico de encendido 433.599 [W]
VALORES DE TIEMPO
MAGNITUD DE TIEMPO VALOR
Tiempo del pico de apagado 2.3643[us]
Tiempo del pico de encendido 709.368[ns]
𝑇𝑎𝑏𝑙𝑎 2 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑖𝑐𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.
Circuito 2: Disparo del MOSFET con la conexión de una carga RL con diodo de rápida
recuperación:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 11 − 𝐶𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑖𝑚𝑝𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑑𝑜 𝑐𝑜𝑛 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑦 𝑢𝑛 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜.

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 12 − 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑉𝐷𝑆, 𝑉𝐺𝑆 𝑦 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐼𝐷𝑆 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 13 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑉𝐷𝑆, 𝑉𝐺𝑆 𝑦 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐼𝐷𝑆 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.
Medición de Tiempos para las etapas de encendido del MOSFET el caso de carga RL con
un Diodo de rápida recuperación:
Etapa de Encendido

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 14 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑐𝑜𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.

Etapa de Apagado

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 15 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑐𝑜𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.

Medición de Tiempos para las etapas de encendido y apagado del MOSFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 16 − 𝑂𝑏𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑡𝑑(𝑜𝑛), 𝑡𝑟, 𝑡𝑑(𝑜𝑓𝑓)𝑦 𝑡𝑓 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙
𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑐𝑜𝑛 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜.

MAGNITUD DE TIEMPO VALOR

td(on) 427.528[ns]
tr 407.421[ns]
td(off) 425.734[ns]
tf 0.992[us]
𝑇𝑎𝑏𝑙𝑎 3 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑡𝑑(𝑜𝑛), 𝑡𝑟, 𝑡𝑑(𝑜𝑓𝑓)𝑦 𝑡𝑓 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙
𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑐𝑜𝑛 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜.

Medición de la potencia en el MOSFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 17 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑢𝑚𝑖𝑑𝑎 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑐𝑜𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.

Evaluación de los tiempos empelados en los picos de apagado y encendido del MOSFET
para el caso de la carga RL con diodo de rápida recuperación:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 18 − 𝑂𝑏𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑖𝑐𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜
𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑐𝑜𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.
 VALORES DE POTENCIA
Potencia Valor
Pérdidas estáticas 22.749 [W]
Pico de apagado 1.59 [kW]
Pico de encendido 190.72 [W]
VALORES DE TIEMPO
MAGNITUD DE TIEMPO VALOR
Tiempo del pico de apagado 584.087[us]
Tiempo del pico de encendido 1.2522[us]
𝑇𝑎𝑏𝑙𝑎 4 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑖𝑐𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙
𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑐𝑜𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.

Circuito 3: Disparo del MOSFET con la conexión de una carga RL sin la implementación
de un diodo en la carga:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 19 − 𝐶𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 𝑖𝑚𝑝𝑙𝑒𝑚𝑒𝑛𝑡𝑎𝑑𝑜 𝑐𝑜𝑛 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜.

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 20 − 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑉𝐷𝑆, 𝑉𝐺𝑆 𝑦 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐼𝐷𝑆 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 21 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑢𝑛 𝑐𝑖𝑐𝑙𝑜 𝑑𝑒 𝑡𝑟𝑎𝑏𝑎𝑗𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑒𝑙 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑉𝐷𝑆, 𝑉𝐺𝑆 𝑦 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝐼𝐷𝑆 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇.

Medición de Tiempos para las etapas de encendido y apagado del MOSFET en el caso de
una carga RL sin conexión de diodo:

Para la etapa de Encendido:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 22 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.

Para la etapa de Apagado:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 23 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.
Tiempos requeridos para la conmutación de estados en el MOSFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 24 − 𝑂𝑏𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑡𝑑(𝑜𝑛), 𝑡𝑟, 𝑡𝑑(𝑜𝑓𝑓)𝑦 𝑡𝑓 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙
𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜.

MAGNITUD DE TIEMPO VALOR

td(on) 204.362[ns]
tr 501.354[ns]
td(off) 380.580[ns]
tf 1.047[us]
𝑇𝑎𝑏𝑙𝑎 5 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑡𝑑(𝑜𝑛), 𝑡𝑟, 𝑡𝑑(𝑜𝑓𝑓)𝑦 𝑡𝑓 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙
𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜.

Medición de Potencia en el MOSFET para el caso de carga estudiado:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 25 − 𝑉𝑖𝑠𝑢𝑎𝑙𝑖𝑧𝑎𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑢𝑚𝑖𝑑𝑎 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.
Medición de los Tiempos para los picos de encendido y apagado del MOSFET:

𝐹𝑖𝑔𝑢𝑟𝑎 26 − 𝑂𝑏𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖ó𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑣𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑖𝑐𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜
𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.

VALORES DE POTENCIA
Potencia Valor
Pérdidas estáticas 22.76 [W]
Pico de apagado 1.809 [kW]
Pico de encendido 193.72 [W]
VALORES DE TIEMPO
MAGNITUD DE TIEMPO VALOR
Tiempo del pico de apagado 836.035[us]
Tiempo del pico de encendido 2.09[us]
𝑇𝑎𝑏𝑙𝑎 6 − 𝑉𝑎𝑙𝑜𝑟𝑒𝑠 𝑑𝑒 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑜𝑠 𝑝𝑖𝑐𝑜𝑠 𝑒𝑛 𝑙𝑎𝑠 𝑒𝑡𝑎𝑝𝑎𝑠 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑛𝑑𝑖𝑑𝑜 𝑦 𝑎𝑝𝑎𝑔𝑎𝑑𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑀𝑂𝑆𝐹𝐸𝑇
𝑝𝑎𝑟𝑎 𝑢𝑛𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 𝑅𝐿 𝑠𝑖𝑛 𝐷𝑖𝑜𝑑𝑜.

3.2 Comentar los resultados obtenidos en el literal anterior.

Análisis: Mediante la implementación de los cursores en las formas de ondas obtenidas para los
voltajes del MOSFET, se puede apreciar como la etapa de encendido y apagado requieren de un
determinado tiempo para poder efectuar la conmutación entre estos dos comportamientos. Al tener
estos valores de tiempos, podemos notar que existe un mayor tiempo de trabajo para la etapa de
apagado del MOSFET. De igual forma, al evaluar los resultados que se obtuvieron en la medición
de potencia en el MOSFET, podemos notar que existe la presencia de una potencia debido a las
perdidas estáticas, estas pérdidas tienen un valor de entre 21 y 22[kW]. Este valor resulta ser muy
bajo al compararlo con los valores de los picos de potencias para la etapa de encendido y apagado.
De igual forma se pudo notar que, al colocar una bobina (L) en serie a la carga, los tiempos, tanto
para la etapa de encendido, así como para la etapa de apagado, tienen una mayor magnitud. Este
fenómeno ocurre debido a la implementación del elemento almacenador de energía presente en la
carga.

3.3 Calcular analíticamente la potencia de perdidas dinámicas, considerando que la corriente

de fugas y el voltaje drain-source (región óhmica) son despreciables. De igual manera
considerar despreciables los tiempos de retardo.

Para la carga R:
Consideramos que: 𝑉𝐷𝑆 = 𝐼𝑙𝑒𝑎𝑘 = 0 → 𝑆𝑜𝑛 𝑑𝑒𝑠𝑝𝑟𝑒𝑐𝑖𝑎𝑏𝑙𝑒𝑠
Sabemos que: 𝑓 = 10[𝑘𝐻𝑧].
 1 𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝐼𝐷 𝑡𝑜𝑛
𝑃𝑎𝑟𝑎 𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑛𝑐𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜: 𝑃𝑜𝑛 = ∗( )∗( )
1𝑇 4 3

1 120[𝑉] ∗ 6[𝐴] 709.368[us]

𝑅𝑒𝑒𝑚𝑝𝑙𝑎𝑧𝑎𝑛𝑑𝑜: 𝑃𝑜𝑛 = ∗( )∗( ) = 425.718[𝑊]
1 4 3
10[𝑘𝐻𝑧]

VALORES DE POTENCIA CARGA R

Potencia Valor
Calculada 425.718 [W]
Pico de apagado 520.364 [W]
Pico de encendido 433.599 [W]

Comentario: Se puede apreciar que, para el circuito con carga resistiva, el valor de la potencia
calculada, es muy similar al pico de la potencia de encendido del MOSFET.

Conclusiones:

Alejandro Chicaiza
1. Se logró comprobar el principio de funcionamiento y la importancia que tiene el correcto
diseño y dimensionamiento del circuito de control y de alimentación para realizar el
disparo de un MOSFET de potencia para distintos escenarios de carga (R y RL). Esto se
pudo comprobar al evaluar las señales de voltaje, tanto a la salido del generador PMW, así
como el voltaje rectificado por el puente de diodos y el filtro capacitivo. De esta forma se
logró conseguir un correcto disparo de un MMOSFET para poder estudiar y analizar la
conmutación entre estados de este elemento.

2. Se comprobó que el cambio en la implementación de diferentes tipos y complementos para

la carga conectada al MOSFET producirá que la etapa de apagado y la etapa de
recuperación del MOSFET cambie en función de la variación que se haya colocado en la
carga. De manera particular, al realizar estos cambios en el modelo implementado para esta
práctica, se consiguió variar el tiempo de duración y la magnitud del pico existente en las
etapas de encendido y apagado para el MOSFET de potencia.

3. Se logró comprender las diferencias que existen en el funcionamiento de los dispositivos

TBJ’s y MOSFET’s (ambos elementos de potencia) en lo que se refiere a tiempo de
conmutación. De manera analítica se comprobó que el tiempo de conmutación de los TBJ’s
está en el rango de los micro segundos (us), mientras que, los tiempos de conmutación de
los dispositivos MOSFET’s, está en el rango de los nano segundos [ns].

Edison San Martín:

1. Los tiempos de conmutación en un MOSFET a comparación a los TBJ son más rápido y
con un menor consumo de potencia, además de soportar grandes cantidades de voltaje y en
algunos casos corriente esta relación dependerá del modelo, convirtiéndolos en
conmutadores ideales para un control de potencia.

2. El uso de un diodo de alta frecuencia es necesario para controlar los niveles de sobretensión
que se producirá en el tiempo de apago.
 3. Se debe tener en cuenta las condiciones a las cuales se va a trabajar antes de seleccionar un
MOSFET, ya que si es seleccionado de forma errónea este producirá daños en el circuito
de control o potencia.

Recomendaciones:
1. Para este tipo de prácticas, en donde se tiene frecuencias muy altas, y periodos de trabajos
muy cortos, además de la implementación de elementos almacenadores de energía, resulta
beneficioso realizar una simulación con un tiempo de evaluación de amenos 1 segundo.
Esto ayudara a poder visualizar la estabilización del sistema, evitando estudiar magnitudes
en un estado transitorio de las mismas.