ETAPAS TRANSISTORIZADAS 5.-ETAPAS TRANSISTORIZADAS 1) El transistor como regulador de corriente 0 tensién. En modo activo, la uni6n emisor-base del transistor se polariza directamente, de modo que su tension, entre 0,6 y 0,)¥ en Si, resulta précticamente independiente de las corrientes de base. y Saicee, Por tanto, si se fija la tensi6n de base mediante una Fed exterior quedard fijada la tensién Ge emisor, lo que posibilita el funcionamiento del transistor como regulador de coriente o tensi6n dependiente de la tensién de base. El establecimiento de una tensién en la base puede realizarse mediante un par de resistencias Ry y Ro , tal como se indica en la fig.1. Teniendo en cuenta el equivalente Thevenin Visto desde la base (fig.2), la tensién de ésta, Vp . viene dada por : Vp=Vap- InR = Voc Ceetgsy J Ral RD) En consecuencia, dicha tensién resulta independiente de las corrientes por el transistor y, por tanto, de Ip, si el término IpRp resulta despreciable, lo que sucede si Ry y Rz no son vemuciado elevadas, dado que la corriente de base, Ip, es gencralmente pequeiia. Ow forma de fijar la tension de base de forma précticamente independiente de las corrientes por el transistor, ¢s mediante un diodo Zener (fig.3). Vec Vee Ri Va Rp pe = Ves | Te 7 5 | R= Vz (fig-1) (fig.2) (Big.3) Si la tensién de emisor se aplica en una resistencia fija, quedard determinada la corriente de emisor del transistor y, por tanto, a un valor practicamente igual a ésta, la corriente de colector, Siempre que el transistor permanezca polarizado en modo activo. En estas condiciones, el transistor acta como REGULADOR DE CORRIENTE respecto del colector, dependiente de 1a tensidn de base. Fijando la tensién de base mediante un diodo Zener (fig.4), la corriente de colector, Ic, vendré dada por: (Wz- Ves), (Vz-0.7v) RE RE Ic = Ig- Ip = IE = Esta corriente de colector se mantendré independientemente de la carga Re siempre que ésta no aleance un valor limite que fuerce la saturacién del transistor ( en saturaci6n, Vec < 0,7¥ ) De este modo, la condicién de funcionamiento del transistor en modo activo impone un valor mifximo de Ia carga Re: Vac = Vec-IeRe - IcRe = Vee = IcRe - (Vz - 0,7¥) Vec>0.7v : Re< Weg Vz) -43-ETAPAS TRANSISTORIZADAS ‘Asf pues, para carges Rc inferiores a este valor limite, la corriente de colector ic no depende de la magnitue de le carga y coincide précticamente cor !a de emisor Jp. 1a cual qued2 fijada mediante el diodo Zener y la resistencia RE . Por otra parte, la resistencia R se elige de modo que garantice la corriente minima de polarizacién del Zener asf como la corriente de base del transistor, es decir: (Wee -¥. z)min + 7 ‘Alcanzado el valor limite de carga calculado anteriormente, el transistor entra forzosamente en saturacion (VEC < 0,7¥), disminuyendo la corriente de colector conforme aumenta la magnitud Ge la carga y aumentando consecueniemente la corriente de base. En estas condiciones, se pierde Ja regulacién de corriente de la etapa transistorizada, de modo que sila carga Rc es elevada, la solucign estriba en disminuir al méximo la tensidn del diodo Zener, Vz - "Andlogamente, puede utilizarse un transistor NPN (fig.5), en cuyo caso, la carga Rc no admite conexién a masa. Wee-V2) 5 Gy)min + IB R a R< Nec Voc R tf 1 t RE je E {* Ri Re (ea) Vz Re (fig.4) (fiz.5) Puesto que fijando la tensién de base queda fijada la tensién de emisor, puede tomarse éste como excitacién de una carga, De este modo, el transistor actéa como REGULADOR DE TENSION respecto del emisor, dependiente de la tensién de base. Utilizando un par de resistencias Ry y Ro para fijar la tension de base (fig.6) y despreciando la corriente a través de ésia, la tensién de emisor vendré dada por: Ro Ve=Vp-VaE = Voc R +p 7¥ La conexién directa del colector a la alimentacién V¢c asegura el funcionamiento en modo activo del transistor (VcE > 0,7¥), lo que determina que la corriente de base sea pequefia frente ala de emisor, Ip= Ig/B. De este modo, eligiendo Ry y Ro no demasiado elevadas para que la corriente de base produzca una caida despreciable de tensin en ellas (fig.2), se puede regular cualquier tensién inferior a Voc en-la carga Re de forma précticamente independiente de le magnitud de ésta. Sin embargo, para cargas suficientemente bajas el-consiguiente aumento de la corriente de emisor y, por tanto, de base, daré lugar a una caida de tensién en Ja base y, por consiguiente, en el emisor, perdiéndose la regulacién de la etapa. “Aunque el problema podria solucionarse disminuyendo suficientemente Ry y Ro , ello no resulta adecuado por el coste de corriente que pueden requerir dichas resistencias, de modo que la solucién estriba en sustituir Ro por un diado Zener, o bien, utilizar un par Darlington (fig.7). En este iiltimo caso, la relacién entre la corriente de emisor del segundo transistor (I) y de base del primero (Ip) viene dada por In= Iz /B2. De este modo, a pesar de que el factor B es inferior al de un transistor convencional, B? resulta varias veces superior, con lo cual, aunque la carga RE sea baja y, por consiguiente, requiera una corriente Ig elevada, la correspondiente corriente de base IpETAPAS TRANSISTORIZADAS serd mucho menor que en el caso de un solo transistor. Despreciando dicha corriente, la tensién del emisor vendré dada por: Nec - Veo — R R, Z y, Br Yat Ip v, Ip 1s VE i | 5 R, = R, (corn) R= SR (fig.6) (fig.7) 2) El transistor como interruptor. Las curvas caracteristicas Ic (VcE i Ip) de la fig. 8 (magnitudes positivas para un transistor NPN y negativas para un PNP) definen las tres regiones tipicas de funcionamiento del transistor (Come, activa, sattraci6n), de modo que actuando sobre la corriente de base se pueden establecer los estados extremos de cone y saturacién. CORTE: Ip=0: Ic =Blco=0 SATURACION: — Ip> Ic/B.: Vee <0,7v Por consiguiente, si la comriente de base es nula la corriente de colector resulta despreciable y el transistor se encuentra en corte, mientras que si supera el valor correspondiente al modo activo {dc /B) el estado del transistor es el de saturacién, con una tensién colector-emisor inferior a unos O.7v. De acuerdo con las curvas caracterfsticas, cuanto mayor sea la corriente de base en saturacién, para una determinada corriemte de colector, menor serd la tensién colector-emisor, de modo que una corriente de base relativamente importante causard una fuerte saturacién del transistor y, por tanto, que dicha tensién sea muy pequefia. To Tarte? ly a, \ : voc IB Re: | le Ip, Rp Vp ‘ Ip { Bllco (CORTE) 0 Vee SAT. ACTIVO (fig.8) (fig.9) -45-EVAPAS TRANS IURIZALA, El contro! por base de! sensistor entre corte y saturacién suele realizarse por tensién, tal como se indica en la fig.9, donde la aplicacién de sendos valores de tensién Vp llevard al transistor a los estados extremos de funcionamiento. CORTE. $i Va <0,7¥, la unién base-emisor se encontraré en corte, de modo que las corrientes por el transistor serén_ précticamente nulas y, por consiguiente, VcE = Vcc - SATURACION. Si Vp es algo superior a la tensi6n caracteristica de la uni6n base-emisor € interesa que el transistor se encuentre en saturacién: tp -VecVer . Ya=02 . Va a =Vec: Re ) Bip =? Vo b i nee 4 E e © ig.10) (gl) Dado el efecto amplificador de la corriente de base en e} colector debido al factor B (Gig.10), Ia excitacién externa Vj se aplica al terminal de base mientras que la carga RL, que puede 6ETAPAS TRANSISTORIZADAS representar une carga explicitao la resistencia de entrada de una etapa subsiguiente, se conccta 8) Terinal de colecior. Por otra pare, dado el nivel de continua existente en la base, la sefial externa Vi deberd conectarse forzosamente a través de un condensador, Cy, mientras que la conexién de Ia carga Ri, al colector mediante un condensador, C2, aisla de la carga el nivel de continua existente Het coiector. Estos condensadores, Cy y C2, se denominan de ACOPLO del generador a la entrada y de la carga a la salida, respectivamente, debiendo elegirse suficientemente elevados para fie sus ympedancias sean despreciables alas frecuencias de trabajo, por Jo que se utlizan de tipo clectrolitico. De cste modo, excitando la etapa con una tensién sinusoidal Vj, las tensiones en la base, Vp .y colector, Vc, Tesultan de la superposicién a sus correspondientes niveles de continua de scidas componentes sinusoidales que coinciden con las tensiones de entrada, Vi » y de salida, Vo ; Fespectivamente, tal como se indica en las figs.12. Debe tenerse en cuenta que la continua en el eae Sktor no Gene més misiOn que posibilitar la operacién amplificadora del mismo respecto de la Tahal de exeitacién Vj y, en este sentido, la eleccién del punto de operacién de continua tiene por objeto optimizar dicha operacién (figs.12) Por otra parte, para que la salida Vo se encuentre amplificada respecto de la entrada Vi ¢] emisor del transistor deberd ser una masa para las frecuencias de trabajo (EMISOR COMUN), lo ue se realiza mediante un condensador de DESACOPLO Cy (fig.11),¢1 cual, andlogamente a C1 } Co, deberd ser de valor suficientemente elevado y, por consiguiente, electrolitico, Dada la superposicién de continua y ‘sinusoidal en la etapa, el andlisis de su comporamiento frente a las sefales sinusoidales aplicadas se obtendré anulando (cortocirouitando) Ta fuente de tensign continua Vcc . De este modo, utilizando el circuito equivalente del transistor Gig.10) y teniendo en cuenta que el emisor constituye una masa para sefiales, se indica en la fig.13 el circuito equivalente para seftales de la etapa de la fig.11. Ri) B c {Ro + we |! , Vi Ry: n= Pl Res Ri = |%o E Ra= RyllR2) (6.13) (fig.14) Por consiguiente, la resistencia de entrada (Ri) y de salida (Ro) y la ganancia en tensién de la etapa (Vo/V)) vienen dadas por las siguientes expresiones: -47-Ri=Rplihie= Ri Ma) bie 3 RO=Re B Ro NRL) / bie De acuerdo con valores tipicos, las resistencias de entrada y de salida son del orden de unos pocos K&2, mientras que la ganancia en tensién es muy elevada debido al factor B. Sin embargo, le ganancia calculada no se mantiene constante en todo el rango de frecuencias sino que a frecuencias algo elevadas decrece como consecuencia de los efectos capacitivos del transistor, tal ‘como se representa esquematicamente en el correspondiente diagrama de Bode de la fig.14. ‘De ‘este modo, la ANCHURA DE BANDA de la etapa (zona plana en e] diagrama de Bode) se puede aproximar por la correspondiente frecuencia de come fe, la cual depende del tipo de transistor utilizado a través de su frecuencia de transicién, Dado que la etapa en emisor comiin constituye la configuracién amplificadora bésica del transistor, resulta fundamental establecer las condiciones de operacién que posibilitan el mayor aprovechamiento de la funcién amplificadora. En este sentido, de la fig.13 se deduce la relacién entre la tensi6n incremental colector-emisor,Vce , y 1a corriente incremental de colector, ic : VoVd, vee=Vo=-ictd 5 d= RollRt donde estos valores incrementales estén referidos a sus correspondientes del punto de operaci6n en continua (VcE. Ic) y. por otra parte, el signo negativo indica un desfase de 180° entre ambas magnitudes, . A (SATURACION) i otf ve i+ aqETAPAS TRANS!STORIZADAS De este mode. ta! como se indica en la fig 15. l2 ecvacién vee = -ictd representa una recta referida al punto de operacién QCVcE . Ic), denominada RECTA DINAMICA DE CARGA y Constituye la trayectoria de las variaciones incrementales en tomo al punto Q debidas a la aplicacién Sooner Estacion sinusoidal. La pendiente de esa recta viene dada por (-1/td), siendo rd la esistencia entre colector y emisor en el circuito equivalente para sefiales (fig.13) de modo que, en la situaci6n considerada, t4 = Rel RL ‘Como consecuencia de Ia aplicacién a la etapa de una sefial externa sinusoidal, las magnitudes incrementales Vce,ic exhiben sendas variaciones temporales sinusoidales que Conresponden al desplazamiento del punto de operacién Q entre dos puntos genéricos Ay y By dele cone Aindresca de carga (fig.15). Sin embargo, dada la muy alta ganancia en tensi6n de la etapa, Teel Clmente esos desplazamientos se producirén entre los puntos extremos A y B. Comespondientes a los estados extremos de saturacién y corte del transistor, respectivamente, De core odo. para posibilitar el miximo desplazamiento del punto de operacién SIN DISTORSION, fo que asegara el mayor aprovechamiento de la caracterfstica amplificadora de Ia etapa, se deberd imponer la condicién de que los desplazamientos QA y QB sean de la misma magnitud, 1¢ ave Signifiea que el punto de operacién Q se encuentre en el PUNTO MEDIO DE LA RECTA DINAMICA DE CARGA. Dado el pequezo valor de la tensién colector-emisor en saturacién (inferior a 0.7v) se puede aproximar el extremo A de la recta por A” (fig.15), de modo que la condicién de punte aero. QA-~ OB, impone le siguiente relacién entre las magnitudes del punto de operacién de continua Q(VcE Ic): Vee=Ierd Jo que significa que la amplitud maxima de tensién sobre la carga (figs.11.13) coincide con la tensién colector-emisor del punto Q. De acuerdo con estos resultados, el disefio de la etapa amplificadora en emisor comin (fig.11) se realiza mediante las siguientes ecuaciones CONDICION DE PUNTO MEDIO: Vee = Ic (Re !!RL) MALLA DE SALIDA: Vee = Ie Re +Re) + Vee MALLA DE ENTRADA: (Voc R2/ (Ri + Ra)] = 0,7v + I1CRE despreciando la corriente de base en las dos titimas. Puesto que si la etapa estd polarizada en el punto medio de la recta dindmica de carga 1a amplitud méxima de salida sin distorsiOn coincide con la tensién de polarizacién Ve , esta tensiGn queda determinada sise establece el valor de aquella amplitud. Por otra parte, Rc se suele clegir para un determinado ‘valor de la ganancia en tensi6n de la etapa, De este modo, prefijadas VCE y Tey puesto que la carga Ry, serd un dato conocido, la primera ecuacién permite determinar 1a corriente Ic del punto de operacién. Finalmente, de la segunda ecuacién se deduce el valor de Re: y de la tercera, una relacién entre Ry y R3, de modo que para su determinacién se precisa clegir una de ellas aunque, en Cualquier ¢aso, ambas resistencias deben ser relasivamente poco elevadas para poder fijar le tension de base independientemente de la corriente de base del transistor. ‘Aunque la etapa en emisor comin tiene una alta ganancia, presenta importantes inconvenientes, tales como: a) La resistencia de entrada Rj = Rp Il hie es relativamente pequefia, tanto por lo que respecta al parémetro caracterisico del transistor en régimen dindmico hje como a la resistencia Cquivalente’ Rp = Ry Il Rz, 10 que puede entrafiar problemas de adaptacién cuando la resistencia interna del generador de excitacién no sea demasiado baja. t) Las ganancias son totalmente dependientes tanto de los pardmetros caracteristicos de! transistor (, hje) como de la magnitud de la carga R, lo que dificulta notablemente su control mediante elementos externos. ©) La operacion en el punto medio de la recta dindmica de carga no resulta de forma automitica sino que debe ser impuesta como condicién de disefio. 49-ELAvAD InANS.2 URIEAAD 4) El acoplo de la excitaci6n y de 1a carge 2 le etapa debe hace:se mediante condensadores, dado que en los correspondientes terminales de conexién existen niveles de continua y. por otra pane, debe utilizarse un condensador de desacoplo para posibilitar la ganancia de la etapa ‘Todos estos problemas se resuelven mediante la utiizacin de estructuras integradas, como es el caso de los amplificadores operacionales, aunque éstos requieren una doble tensién de Slimmentaci6n (positive y negativa) cuando manejan sefiales externas de ambas polaridades. 4) Adaptacién de impedancias: Etapas en colector comin. La conexién de generadores de tensién a cargas resulta bastante problemética en los casos en que la resistencia interna del generador no &s bastante inferior a la magnitud de la carga (problema de ADAPTACION DE IMPEDANCIAS) dado que e! generador no puede surinistrar la corriente requerida por la carga. En este sentido, puesto que en modo activo la corriente de base de un transistor es muy inferior a la de emisor 0 colector, un primer paso en la soluci6n del problema consistiré en utilizar tuna simple etapa en COLECTOR COMUN (colector a una tensién fija) tal como se muestra en las figs.16., donde la utilizaci6n de un transistor NPN o PNP depende de que se trabaje con sefiales Ve positivas 0 negativas, respectivamente. De este modo, la corriente por la carga RL serd suministrada por el transistor, mientras que el generador deberé proporcionar dnicamente la correspondiente corriente de base, es decir, una fraccién (1/B) de la corriente requerida por le carga. En el caso de que ésta resulte todavia superior a la que puede suministrar el generador, deberfa sustituirse el transistor por un par Darlington, dado su mayor factor B. Vee Veco s- ~Vec +, + + + * Wy>0 R * Vs<0 ML Vs ML “Veo (figs.16) (fig.17) En las etapas de las figs.16, las tensiones de entrada Vs deberdn ser inferiores a la de alimentacién Voc ( IVs|0, Ti ‘conduce y Tp permanece en corte, mientras que si Vs <0, T2 conduce y Ty se encuentra en corte. En ausencia de sefial de entrada, Vs = 0 , ambos transistores permanecen en corte por lo que a tensin Vien la carga seré nula. El mayor inconveniente de estas etapas radica en que mientras la tensién Vs no supere 1a tensién de conduccién de la unién base-emisor, del orden de 0,7v, la tensiOn Vy en la carga seré nla (distorsin de cruce por-cero), aunque puede evitarse mediante la utilizacién de una etapa previa de amplificador operacional. -50-ETAPAS TRANSISTORIZADAS En estas etapas adaptadoras deberdn observarse los valores mAximos de la corriente y potencia del transistor en conduccién ({igs.16,17), asi como de la tensién colector-emisor del transistor en cone (fig.17). 5) Conmutacién del transistor. Transistor Schottky. Como se ha analizado anteriormente (aptdo.2), mediante la aplicacién de sendos niveles de tensién, uno alto y otro bajo, en el circuito de base (fig.18), el transistor puede Uevarse a los tatados extremos de saturacién y corte, respectivamente. De este modo, aplicando un tren de Ondas cuadradas de tensién entre Vj y V2en la entrada Vj, con Vj; > 0 y suficiente para saturar el transistor y V2 < 0, en la salida de colector, Wo, se obtendré otro tren entre unos Ov, despreciando Ta pequefa tensiGn colector-emisor en saturacién, y la tensién de alimentacién Vcc (figs.19), actuando la etapa como INVERSOR LOGICO. ‘Sin embargo, las transiciones entre los niveles de tensién de salida correspondientes a le CONMUTACION del transistor entre los estados de corte y saturacién no pueden ser, ‘Sbviamente, instantdneas, como no lo son en ningiin componente electrénico. Dichas transiciones son del tipo indicado en las figs.20 y se explican en base a los efectos capacitivos del transistor y ala carga de portadores minoritarios en la base (fig.21). Fn modo activo la uni6n emisor-base se encuentra polarizada en directo y la unién colector- base en inverso de modo que, por lo que respecta a la regién de base, se producird un exceso de portadores minoritarios respecto de la situacién de equilibrio (electrones para un transistor NPN) tn las proximidades del emisor y una extraccién en las proximidades del colector. En corte, la polarizacién inversa de las uniones emisor-base y colector-base produce una extraccién de Fortadores minoritarios en ambos extremos de la base, de modo que ésta queda précticamente Pacis de dichos portadores. En saturaci6n, ambas uniones se encuentran directamente polarizadas, por lo que en los extremos de emisor y colector de la base se producen sendos excesos de Poradores minoritarios. De acuerdo con estas ideas, caracterfsticas del funcionamiento de la unién PN se indican en la fig.21 las distribuciones espaciales de portadores minoritarios en le base en las tres regiones tipicas de operacién del transistor. Por consiguiente, la conmutacién del transistor de corte a saturaciOn y de saturaci6n a corte puede interpretarse en términos de acumulaci6n 0 Gliminacién, respectivamente, de portadores minoritarios en la base y puesto que tales variaciones Ge carga no pueden realizarse de forma instanténea es por lo que resultan los RETARDOS en la Conmmutacién (figs.20), los cuales, determinan la existencia de una frecuencia maxima de operacién no lineal. Veo s- . vi>0v Cp Re vi my Vo V2 S0v v5 a tT R vo Ye o —I L_ (fig. 18) (figs.19) Los procesos de acumulacién o eliminaci6n de carga en la base, que pueden representarse circuitalmente por la carga o descarga, respectivamente, de las capacidades equivalentes de la base, estén controlados mediante la corriente de base Ip (fig.18). En este sentido, las respuestas temporales de base y colector en la etapa inversora cuando se fuerza una tansicién de saturacién a cone se muestran en las figs.22 y son consecuentes con los resultados correspondientes a la conmutacién de la unién PN (fema'2), : -51-z gs : a 4 3 : a = z ai - 5 z 3 a & « s Vi (Gigs.22) -52-ETAPAS TRANSISTORIZADAS Como puede observarse, la unién base-emisor continia inicialmente polarizada en directo y la corriente de base se invierte (sentido de salida), eliminando la carge excedentaria almace: dicha regi6n; en estas condiciones, el transistor précticamente no responde (Vo ~ 0) hasta que pare de esa carga se haya eliminado en el proceso de salida de saturaci6n hacia la regién activa, en fa que Vo> 0.7». Aleanzado el modo activo, el transistor evoluciona hacia Ia regién de corte, en i gue lag corvientes se anulan y todas las tensiones caen en el transistor. De los varios retardos ave ee clenean la conmutacién del transistor, el mAs significativo es el denominado TIEMPO DE Se MACENAMIENTO, ta (figs.20, 22), asociado a la no respuesta de la tensién Vo a la anulacién de la excitacién Vj. ‘La conmutacién mejora drésticamente si se introduce un condensador en paralelo con la resistencia de base Rp (ig. 18). En estas condiciones, el circuito equivalente de entrada de la etapa wesistGiea en la fig.23, en el que se ha extrapolado al régimen de conmutaci6n el circuito quivalente para pequetias sefiales del transistor donde C representa la correspondiente capacidad de difusi6n, De este modo, eligiendo Cy tal que RaCp = 7, siendo t= hieC un parémetro Caracteristico del transistor, la onda de tensién en la base tiene la misma forma que la de entada {J.-To que fuerza variaciones mucho més répidas de le tensiGn en la base y, por consiguiente, de le carga almacenada en ella. Cc Ce c B B hie E E (fig.23) (fig.24) (fig.25) Sin embargo, la conmutaci6n también puede mejorarse sin recurrir a Ja introduccién de un condensador en el circuito de excitacién de base. En efecto, puesto que el retardo més importante S'la conmutacion del transistor es el tiempo de almacenamiento ta (figs.20), asociado al abandono Gel estado de saturaci6n en la transicién hacia corte, cuanto menor sea la entrada en saruraci6n y, por consiguiente, mayor la tensi6n colector-emisor en dicho estado, la conmutacién del transistor eens mds Fépida, De acuerdo con las curvas caractersticas (fig 8), una menor entrada en saturacién para cualquier corriente de base se consigue aumentando la corriente de colector y. Por Ponsiguiente, disminayendo Rc (fig.18), de modo que una conmutaci6n més répida se alcanza a costa de un mayor consumo. Esta situacién se solventa mediante la utilizacién de un TRANSISTOR SCHOTTKY (Gig.24), consistente en un transistor bipolar con un diodo Schottky entre base y colector (fig.25). De reste modo y teniendo en cuenta que la tensién tipica de conduccién del diodo Schottky es de Dos 0,3¥, la tension minima colector-emisor del transistor, que tene Iugar cuando el dicdo conduce, vendré dada por : Vee = Ves +Vse = -Vac+ VBE = -0,3v +0,7v = 0.4v Esta limitacién de la entrada del transistor en_saturacién junto con la muy répida conmutacién del diodo Schottky debida a 1a muy pequefia magnitud de sus efectos capacitivos explican la utilizacién de transistores Schottky en procesos de alta velocidad. 6) Etapas optoacopladoras. Tanto el fotodiodo como el fototransistor se utilizan ampliamente en la conversi6n luz- tensién, aunque el ultimo resulta ventajoso en muchas aplicaciones debido a su carécter amplificador. Las curvas caracterfsticas Ic(Vce) del fototransister son andlogas a las de un “53EVAPAS TRAN transistor convencional (fig.8), sin m4s que reemplazar la corriente de base Ip por la corriente primaria I, generada en le uni6n colector-base por una radiacién luminosa, donde esa corriente Bumenta con la intensidad L de la radiacién. Normalmente, el fototransistor se suele utilizar en conmutacién entre los estados de corte y saturacién con la base en circuito abierto, de modo que la etapa inversora de la fig.26 permite la conversién de un tren de pulsos de luz en su correspondiente de tensién en colector Vo , tal como se indica en las figs.27, donde se han obviado los retardos de conmutacién. CORTE: L=0 :1=0, Ic=0: Vo=Vec SATURACION: L=Ly: IL1> (Icha /B = Voc/BRc : Vo~ Ov Vee L Cc L 0 L x aS Ve vy ve / ov 7 E (fig.26) (figs.27) (fig.28) Por consiguiente, el fototransistor puede actuar como interruptor controlado por luz siempre que el nivel Ly sea suficiente para saturar el transistor, lo que no resulta dificil dado el efecto amplificador de la corriente I en el colector debido al factor B. No obstante, para aumentar la sensibilidad a la radiaci6n luminosa puede utilizarse un fotopar Darlington (fig.28). Como en un transistor convencional, deberé observarse que la corriente de colector (Vcc /Rc) y la tensin inversa colector-emisor en corte, Vcc , sean inferiores a los comrespondientes valores limite dados por el fabricante para el componente utilizado. ‘Una de las aplicaciones més t{picas de los dispositivos optoclectrénicos se refiere al acoplamiento éptico entre sistemas aislados eléctricamente, lo que resulta muy ventajoso en situaciones especfficas, Estas estructuras de acoplamiento éptico (OPTOACOPLADORES) constan de un emisor de luz (normalmente, un diodo emisor de infrarrojo, IRED), un receptor de luz (un fotodiodo, un fototransistor 0 un fotopar Darlington) y un dispositivo de conmutacién, que puede ser el propio receptor. Asi, cuando se utiliza un fototransistor 0 un fotopar Darlington como Teceptor, éste acta también como elemento de conmutacién (fig.29), mientras que cuando se utiliza un fotodiodo el elemento de conmutacién es un transistor bipolar (fig.30).. Las curvas caracteristicas de salida de un optoacoplador en funcién de la corriente de entrada, Ip (Vo ; Ig ), se muestran en la fig.31. Estas curvas son del mismo tipo que las de un transistor bipolar (fig.8), sin mAs que reemplazar la corriente de base Ip por la de entrada Ip , con Jo que se posibilitan los modos de operacién de saturacién, activo y corte. En este sentido, se define en modo activo una relaci6n de transferencia de corriente entrada-salida de la forma CTR (Current transfer ratio) = Ip / Ip, similarmente al factor B de un transistor bipolar. La operacién normal del transistor de la etapa de salida es en los estados de saturaci6n y corte dependiendo de la aplicacién 0 no, respectivamente, de tensién Vj en la etapa de entrada (Gigs.32). En ausencia de tensién de entrada (Vj=0), no existe corriente a través del diodo IRED por lo que éste no emite radiacién, de modo que el transistor de salida se encontraré en conte y Vo = Vc. Cuando se aplica en la entrada Vj un nivel suficiente de tensién V, la corriente por el diodo IRED origina una radiaci6n luminosa sobre el fototransistor (fig.29) 0 sobre el fotodiodo (fig.30), 1a cual, genera una corriente primaria de radiacién o una cortiente de base, respectivamente, que deberé producir la saturacién , con lo cual, Vo = Ov. En cualquier caso, deberdn tenerse en cuenta las especificaciones del fabricante relativas a los rangos de corriente directa y de tensién inversa en los circuitos de entrada y salida. Ademés, “54.