Introducción a los Circuitos de Potencia

Introducción al Diseño de Circuitos en
Electrónica de Potencia
Jhon Jairo Prías Barragán

José Bestier Padilla Bejarano
Ramiro García Arias
Introducción al Diseño de Circuitos en Electrónica de
Potencia
Jhon Jairo Prías Barragán

José Bestier Padilla Bejarano
Ramiro García Arias
No está permitida la reproducción total

o parcial de esta obra, sin permiso de los autores.
Derechos reservados
Primera edición, Diciembre de 2009
Armenia, Quindío
Edición 200 ejemplares
ISBN: 978-958-44-6188-9
Editado e impreso por Arte Imagen
Tel. 748 51 09 – 314 853 48 72
PRESENTACIÓN
Este libro es el producto de la experiencia de los autores,

quienes han orientando por más de una década cursos de
circuitos eléctricos, electrónicos y de electrónica analógica,
incluidos los de potencia, los cuales quieren brindar al lector un
acercamiento al análisis y diseño de algunos circuitos de
potencia que involucran la tecnología de tiristores, los cuales
han contribuido de manera significativa al avance de la
electrónica de potencia de principio de siglo XXI.
En este siglo, los nuevos avances que hasta el momento

ha logrado la nanotecnología, muestran un futuro tecnológico
lleno de cambios, los cuales se encuentran sustentados en
fundamentos básicos, tales como los principios de
conservación de la energía eléctrica y la carga eléctrica. Por lo
tanto, este libro contiene información acerca de los principios
básicos de funcionamiento de los tiristores unidireccionales y
bidireccionales; además presentamos metodologías empleadas
para el análisis y diseño de circuitos de potencia que emplean
tiristores.
De esta manera, el lector podrá encontrar en el capítulo

1, aspectos de gran importancia en el entendimiento de los
principios básicos de funcionamiento de los tiristores, además,
las matemáticas necesarias en los cálculos de los valores RMS y
promedio de formas de onda en circuitos de electrónica de
potencia. Así mismo, se presenta una metodología analítica
para el análisis y diseño de disipadores de calor en circuitos de
potencia.
En el capítulo 2, encontrará aspectos básicos del

funcionamiento de los tiristores unidireccionales, algunas
aplicaciones típicas, las cuales se analizaron considerando el
concepto de ángulo de disparo, lográndose establecer
importantes criterios para el diseño de circuitos de potencia
basados en el SCR.
En el capítulo 3, encontrará información relacionada con
los diferentes métodos de disparo del SCR, empleando la
alternativa de circuitos oscilador de relajación, en la cual se
estudian los dispositivos red RC, UJT, PUT y SUS. Así mismo
algunas importantes aplicaciones de los circuitos de potencia.
Finalmente, en el capítulo 4, encontrará aspectos

importantes relacionados con el funcionamiento de los
tiristores bidireccionales y algunas aplicaciones; además,
encontrará el análisis y metodologías de diseño de circuitos que
involucran el disparo de los TRIAC empleando los tiristores
bidireccionales DIAC y SBS.
Por lo tanto, este libro es una contribución al diseño de

circuitos de potencia y además, presenta al lector metodologías
de diseño, basadas en pri meros principios, los cuales van a ser
requeridos para las nuevas tecnologías que promete el futuro
de la nanoelectrónica.
Gracias Dios por darnos la vida…

CONTENIDO
CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN A LOS CIRCUITOS DE

POTENCIA ........................................................................................... 1
1.1. GENERALIDADES DE CIRCUITOS DE POTENCIA .......................... 2
1.2. CIRCUITOS DE POTENCIA................................................................... 5
1.3. DISIPADORES DE CALOR .................................................................. 18
1.4. EJERCICIOS DE REFLEXIÓN Y CONSULTA ................................... 27
CAPÍTULO 2. TIRISTORES UNIDIRECCIONALES ........................... 29

2.1. GENERALIDADES DE LOS TIRISTORES UNIDIRECCIONALES . 30
2.2. CONDUCCIÓN POR AVALANCHA EN UNA UNIÓN PN ............... 35
2.3. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO .................................. 42
2.4. ANÁLISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS DE POTENCIA BASADOS
EN EL SCR........................................................................................... 52
CAPÍTULO 3. MÉTODOS DE DISPARO DEL SCR ............................. 67

3.1. ACTIVACIÓN DEL SCR EMPLEANDO OSCILADORES DE
RELAJACIÓN...................................................................................... 68
3.2. ACTIVACIÓN DEL SCR EMPLEANDO RED RC .............................. 69
3.3. ACTIVACIÓN DEL SCR MEDIANTE EL UJT ................................... 73
3.4. ACTIVACIÓN DEL SCR EMPLEANDO PUT .................................... 78
3.5. DISPARO DEL SCR MEDIANTE EL SUS .......................................... 83
CAPÍTULO 4. TIRISTORES BIDIRECCIONALES…………………. 91
4.1. GENERALIDADES DE LOS TIRISTORES BIDIRECCIONALES.. 92
4.2. EL TRIAC……………………………………………………………... 93
4.3. EL DIAC Y CUADRAC……………………………………………... 109
4.4. EL SBS……………………………………………………………….. 112
4.5. EJERCICIOS DE REFLEXIÓN Y CONSULTA…………………… 116
BIBLIOGRAFÍA ........................................................................................ 119

Capítulo 1
Introducción a los
Circuitos de Potencia
A manera de introducción al presente libro, en este capítulo

se presentan aspectos básicos de la electrónica de potencia,
involucrados en el análisis y diseño de circuitos. También, se
presenta un sistema básico de convertidor de potencia y sus
generalidades. Además, se presenta la matemática básica
involucrada en el análisis y diseño de circuitos de potencia. Así
mismo, se presenta una metodología analítica para el análisis,
diseño y construcción de disipadores de calor acoplados
térmicamente con dispositivos de conmutación de potencia.
Finalmente, el lector encontrará una serie de 14 ejercicios de
análisis y diseño , los cuales pretenden reforzar los temas
discutidos en este capítulo.
2 INTRODUCCIÓN A L DISEÑO DE CIRCUITOS EN ELECTRÓNICA DE POTENCIA
1.1. GENERALIDADES DE CIRCUITOS DE

POTENCIA
La electrónica de potencia, ha contribuido al desarrollo
industrial por medio de la automatización y el control
electrónico de actuadores en procesos industriales. Entre las
aplicaciones más destacadas de la electrónica de potencia se
encuentran el control de motores de dc y ac, fuentes de
alimentación, convertidores y el uso de energías limpias, entre
otras. La electrónica de potencia ha permitido el desarrollo y la
automatización de los procesos industriales, convirtiéndose
para el mundo actual, en el vínculo indisoluble entre el hombre
y la tecnología, debido a que el uso eficiente de la energía
eléctrica, requiere de la planificación, el diseño y la
administración de los sistemas de automatización y control de
la energía eléctrica en una gran diversidad de procesos
industriales.
Lo anterior ha sido posible, gracias a que sus

fundamentos son bien conocidos y que han permanecido
estables en el tiempo ; sin embargo, la aparición de nuevos
dispositivos de potencia, requieren de metodologías unificadas,
tanto para el análisis como para el diseño de circuitos
electrónicos de potencia. De esta manera, se puede conseguir
adaptar y transformar la electricidad, con la finalidad de
alimentar otros equipos, transportar energía, controlar el
funcionamiento de maquinas eléctricas, etc., todo esto bajo un
mismo enfoque donde lo que interesa es distribuir la energía
eléctrica en una determinada configuración de circuito
electrónico de potencia, respetando primeros principios como
las leyes de conservación de la energía y la carga eléctrica.
Por otro lado, el profesional en electrónica debe

comprender el funcionamiento de los dispositivos de potencia
eléctrica, analizar, diseñar, simular e implementar circuitos
electrónicos de potencia y métodos de manteni miento en
sistemas electrónicos de potencia utilizados en la
automatización y el control de procesos industriales.
J.J. Prías Barragán – J.B. Padilla Bejarano – R. García Arias

1.1. GENERA LIDADES DE CIRCUITOS DE POTENCIA 3
De esta manera, podemos decir que entre las tendencias

y oportunidades que ofrece la electrónica de potencia, en esta
primera década del siglo XXI, podemos destacar: La integración
de este campo al cuidado del medio ambiente y otros campos
del conocimiento , el diseño de balastos electrónicos, las etapas
de corrección de factor de potencia, los sistemas de generación
de ozono, los sistemas de iluminación industrial y
agroindustrial, la domótica, la robótica, los sistemas
inteligentes e interactivos, los cargadores de baterías, las
energías limpias y el uso racional de la energía , los vehículos
eléctricos y de levitación magnética, la consultoría en
tecnología industrial, el estudio de armónicos y la gestión de la
calidad en la red eléctrica y en sistemas electrónicos de
potencia, entre otros.
En vista de este panorama de oportunidades, podemos

afirmar que la electrónica de potencia, seguirá siendo una
manera exitosa de controlar altos voltajes y corrientes
eléctricas. Su estudio se basa en la adaptación y conversión de
la energía. En la Figura 1.1 se presenta la topología básica de un
sistema electrónico para la conversión de energía eléctrica.
En este esquema se puede considerar que el flujo de

potencia eléctrica entre la fuente de energía eléctrica y la carga
puede ser bidireccional, gracias a la utilización de un sistema
electrónico denominado convertidor de estado sólido, al cual se
le puede controlar la potencia eléctrica por medio de un
circuito de mando o control. El éxito de este esquema básico se
debe a la tecnología de dispositivos de estado sólido, los cuales
han aprovechado el efecto de avalancha para producir grandes
corrientes eléctricas y una baja caída de potencial en su salida,
de tal manera que la potencia eléctrica entregada a la carga
puede llegar a ser mucho mayor que la potencia eléctrica
consumida por el circuito convertidor.
Flujo de Potencia
Fuente de Convertidor
Energía Carga
de Estado
Eléctrica Sólido
Circuito de
Mando
Figura 1.1. Esquema básico de un convertidor de potencia

eléctrica.
Entre las fuentes de energía eléctrica empleados en el

esquema básico de la Figura 1.1 , tenemos: de corriente alterna
AC (Altern current) o corriente continua o directa DC (Direct
Current). Para el caso de la AC (Monofásica o Trifásica), la
fuente puede ser la red eléctrica, un generador aislado que
funcione con combustible como el diesel o puede ser eólico,
entre otros. Para el caso de las fuentes de DC, las fuentes
pueden ser las baterías, las celdas de combustible, las celdas
solares o las celdas termofotovoltaicas, entre otras.
La carga eléctrica del esquema básico de la Figura 1.1

puede ser clasificada en AC o DC. Para el caso de AC, a manera
de ejemplo, se tienen actuadores tales como Motor, Calefactor,
Iluminación, entre otros. Mientras que para el caso en DC,
tenemos los motores, los solenoides, electroválvulas, entre
otras.
El circuito de mando de la Figura 1.1, puede ser

implementado mediante microprocesadores DSP (Digital Signal
Processor), circuitos microelectrónicos, tales como: el Circuito
Integrado para Aplicaciones Específicas ASIC por sus siglas en

1.2. CIRCUITOS DE POTENCIA 5
inglés (Application Specific Integrated Circuit) y los FPGA (Field

Programmable Gate Array), entre otros.
El circuito convertidor de potencia puede ser

implementado con dispositivos de estado sólido en aplicación
de interruptor o como componente reactivo , tales como
bobinas, inductores, capacitores o transformadores. Por otro
lado, veamos aspectos importantes del análisis de circuitos de
potencia.
1.2. CIRCUITOS DE POTENCIA

El análisis y diseño de circuitos de potencia involucra n de
manera general los siguientes aspectos: Los circuitos de
potencia eléctrica presentan efectos no lineales en la
conducción eléctrica, debido a los efectos de avalancha
presentes en los dispositivos de estado sólido.
No obstante, considerando sus componentes como

elementos de conmutación ideales, el análisis en régimen
permanente de los circuitos de potencia puede realizarse
mediante la resolución de una sucesión de circuitos lineales en
régimen transitorio, cada uno de los cuales tiene validez
durante periodos de tiempo denominados intervalos. Los
límites de estos intervalos vienen fijados por los denominados
parámetros de control.
Estos parámetros de control tienen, principalmente, dos

causas:
1. Excitaciones externas, tales como fuentes que

varían su valor, disparo de tiristores o variaciones en la
polarización de base de los transistores .
2. Condiciones umbrales de conducción de los

dispositivos de potencia, las cuales, si se alcanzan, provocan un
cambio de estado del dispositivo.
Así mismo, e n todo circuito se puede escoger un

conjunto de variables (normalmente tensión en condensadores

y corriente o flujo en bobinas) representativas de una energía
almacenada, cuyo valor no puede alterarse bruscamente. Estas
variables, cuyo conjunto recibe el nombre de condiciones de
contorno, nos permiten relacionar cada intervalo con el
siguiente. El valor de estas condiciones de contorno al finalizar
un intervalo, constituyen precisamente, las condiciones
iniciales para el cálculo del intervalo siguiente.
Estas condiciones de contorno se complementan con la

condición de periodicidad característica del funcionamiento en
régimen permanente. Los valores finales en el último intervalo
de las variables de contorno deben corresponderse con sus
valores iniciales del primer intervalo.
Es usual que en la resolución de un circuito de potencia

se obtengan expresiones muy complejas para las variables de
interés, con términos exponenciales y términos senoidales de
distinta fase y frecuencia.
En la mayor parte de los casos nuestro interés se centrará

exclusivamente en una determinada componente de frecuencia
de la señal (típicamente su valor medio y su primer armónic o) o
en su valor eficaz (a efectos térmicos). En muchos casos,
incluso, el resto de las componentes serán indeseables,
debiéndose estimar su magnitud a efectos de diseño de filtros
que eliminen su presencia.
A continuación se describen algunos parámetros de gran

interés en circuitos de potencia eléctrica. Estos parámetros
pueden corresponder a voltajes o corrientes eléctricas variantes
en el tiempo o alternas. Entonces, podemos considerar que e n
general, dada una señal periódica, de período T , tal como se
presenta en la Figura 1.2, se pueden definir los siguientes
parámetros que caracterizan la señal:

100 V
I
50 Valor Pico
-3 -2 -1 1 2 3 4 5 6 t

-50
-100 T
Figura 1.2. Ejemplo de señal senoidal periódica tanto para la

corriente I como para el voltaje V en un circuito de potencia
eléctrica.
El valor pico I p de una señal corresponde al valor

máximo que alcanza la misma en un instante determinado y se
puede calcular a partir de:
I p  max it  0t T (1.1)
Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y

negativo) para considerar los casos de polarización directa e
inversa. También se le representa como I max .
El valor promedio I m o medio está dado por:
1 T
it   dt ,
T 0
Im  (1.2)
También se le representa como I AV . Para el caso de una

función dada por vt   V p sen(t ) . Siendo   2f la frecuencia

angular y f el valor de la frecuencia de la red eléctrica, el valor
medio es cero.
Para el cálculo del valor eficaz en la corriente media I ef o

el voltaje medio Vef , empleado para dimensionar la respuesta
eléctrica de un dispositivo, se calcula el valor medio del valor
absoluto de la señal; es decir, el valor de la raíz media
cuadrática RMS (Root Mean Square). El cual está dada por:
1 T 2
i t dt
T 0
I ef  (1.3)
También se le representa como I RMS . Para el caso de

señales sinusoidales I ef  I p / 2 , para una señal triangular
I ef  I p / 3 y para una señal cuadrada I ef  I p .
El factor de forma f f consiste en la comparación entre el

valor eficaz y el valor promedio, este factor varía dependiendo
la forma de onda empleada en los análisis y además se puede
calcular a partir de la expresión (1.4):
I ef I
ff   RMS (1.4)
Im I AV
El factor de pico f p consiste en la comparación entre el

valor pico y el valor eficaz, el cual varía dependiendo la forma
de onda empleada en los análisis. Este factor está dado por:
Ip I max
fp   (1.5)
I ef I RMS
Es decir, que el factor de pico indica que tan alejado se

encuentra el valor pico del valor eficaz.

La potencia media, está dada por:
1 T
vt   it   dt
T 0
P (1.6)
Si se sustituye i t  por su desarrollo en serie de Fourier y

la tensión por 2  V  sen0 t , (tensión rígida) en la expresión
(1.6), y teniendo en cuenta que las integrales en un periodo de
un seno, o de los dos productos cruzados de senos y cosenos o
productos de razones trigonométricas de diferente frecuencia
son nulas, la expresión anterior estará dada por:
1 T
2  V  sen0 t   2  I1  sen0 t  1 dt  V  I1  cos 1
T 0
P (1.7)
Donde 1 es el ángulo de desfase entre vt  y el primer

armónico de i t  . Además, los armónicos no contribuyen a la
potencia media (real o activa).
La potencia apare nte S , se define como el producto de

los valores eficaces de la tensión y la corriente , cuyo valor
depende de los armónicos presentes en la señal.
S  Vef  I ef (1.8)
El factor de potencia PF se define como:
P Vef  I1  cos 1 I I
PF    1  cos 1  1  DPF (1.9)
S Vef  I ef I ef I ef
Donde DPF es el factor de potencia debido al desfase,

la ecuación anterior puede reescribirse (para ondas cuyo valor
medio sea cero, como es habitual en sistemas de alimentación
alterna):
1
PF   DPF (1.10)
1  Dt2
En la expresión (1.10) el parámetro Dt se le denomina

distorsión armó nica total.
Esto significa que el factor de potencia disminuye ,

cuando se incrementa el número de armónicos en la red
eléctrica.
Por otro lado, como las expresiones (1.2) y (1.3)

involucran integrales de funciones seno y coseno, pre sentamos
en la Tabla 1.1 cinco integrales de uso frecuente en el cálculo
de valores promedio y RMS en circuitos de electrónica de
potencia. Estas expresiones son muy útiles porque de manera
rápida se pueden encontrar los parámetros importantes en una
forma de onda dada.
Tabla 1.1. Integrales que involucran funciones seno y

coseno
Integrales
 senxdx   cosx  c
 cosxdx  senx  c
1
 sen x dx  2 x  cosx senx   c
2
1
 cos xdx  2 x  cosx senx  c
2
1
 senxsenx   dx  4 2 x cos   sen  2 x   c
Veamos a continuación en la Tabla 1.2 algunas formas de
onda usuales y sus respectivos valores eficaces. Estos
resultados son muy importantes en el análisis y diseño de
circuitos en electrónica de potencia, debido a que permiten de
una manera rápida establecer los valores RMS y/o promedios

de formas de onda de uso frecuente en circuitos de potencia.

###
10
Tabla 1.2. Formas de onda usuales y valores eficaces.
8
Onda completa senoidal

6
IP
4
Ip
2 I ef 
### 2
010
t
T=
8 0 2 4
X Axis Title 6 8 10
6 Onda senoidal recortada por

nivel
D
4
IP
I ef  I p , siendo
2

2
### D
10 T
0
 t
8 T
X Axis Title
0 2 4 6 8 10
6
Onda senoidal recortada por
ángulo de fase D sen 1  D  cos  1  D 
I ef  I p 
2 2
4
IP 
D  1
, considerar

2
 que los ángulos  y 
son en radianes
0
 t
X Axis Title
0 2 4 6 8 10
###
10
Onda rectangular
IP
I ef  I p D , siendo

D
T
0 ###
 t
10 0 10
Onda Trapezoidal
Ib
Ia 
I ef  D I b2  I a I b  I a2 
3
,

siendo D 
T
###
0
10
0  t 10
T
Onda triangular
IP D
I ef  I p , siendo
3

D
T
0
0  t 10
Ejercicio 1.1 Determinar el factor de forma y el factor de

pico, para las siguientes formas de onda de voltaje: a) senoidal,
b) rectificada de media onda y c) rectificada de onda completa.
Desarrollo 1.1 Caso a) En la Figura 1.3 se presenta una

forma de onda senoidal parecida a la señal alterna de la red

eléctrica, en donde se ha considerado únicamente el primer

armónico.
Figura 1.3. Voltaje senoidal periódico.
Empleando la expresión (1.2), se puede determinar que el

valor promedio o medio toma el valor de cero voltios, para una
forma de onda senoidal dada por vt   V p sen(t ) . Siendo   2f
la frecuencia angular y f el valor de la frecuencia de la red
eléctrica. Considerando la expresión (1.2) y la solución de la
Tabla 1.2, se puede demostrar lo anterior, así:
2
1 2 V p  Vp
Vm 
T0 V p sen (t )  dt  
T
(  cos( x )) 
0

T
( cos(2 )  cos(0))  0V
Ahora, determinemos el valor eficaz considerando la

expresión (1.3).

1 1  Vp 1 
v 2 t dt   2 x  cosx senx 
T
Vef 
T 
0  
0
(V p sen(t )) 2 dt 
2  0
Como sen(2 x)  2 cos( x)sen( x) y reemplazando en la

expresión anterior, tenemos que:
sen2 x  
 
Vp 1  Vp 1 
Vef   x  cos  x sen x  2 2  x  
2 2
 0   2  0
Sustituyendo límites, tenemos:
Vp 1 V
Vef     p  0,707V p
 2
2 2
Entonces podemos determinar el valor del factor de

forma, empleando la expresión (1.4), encontrándose que:
Vef VRMS 0,707V p

ff    
Vm V AV 0V
### la
El resultado es indeterminado; sin embargo, a partir de
expresión (1.5), el factor de pico se obtiene así:
10
Vp Vmax Vp
fp     1,414
Vef V RMS 0,707V p
Este resultado implica que siempre el valor eficaz o RMS,

tomará valores inferiores al valor máximo o pico.
Caso b) en la Figura 1.4 se presenta una forma de onda de

voltaje rectificado en media onda. El valor promedio del voltaje,
se puede determinar mediante la expresión (1.11).
Vm0,3535=Vef 0,318Vp=Vm
Vm
0
t
Figura 1.4. Voltaje senoidal rectificado media onda.
X Axis Title
0 2 4 6 8 10
La cual se puede escribir de la siguiente manera:
1 T
vt   dt
T 0
Vm  (1.11)
Si vt   V p sen(t ) , entonces la expresión (1.11), se puede

resolver empleando la Tabla 1.2 y por consiguiente podemos
obtener:

1  V p  Vp 2V p
Vm 
T 
0
V p sen(t )  dt   ( cos( x)) 
 0 
( cos( )  cos(0)) 

Por tratarse de un voltaje rectificado en media onda, el

voltaje promedio debe ser el correspondiente a un solo ciclo; es
decir, el resultado anterior se debe dividir en 2; es decir:
2V p Vp
Vm    0,318V p
2 

expresión (1.3).

1 1  Vp 1 
v t dt   2 x  cosx senx 
T
Vef    (V p sen(t )) dt 
2 2
T 0  0 2  0

sen2 x  
 
Vp 1  Vp 1 
Vef   x  cos  x sen x  2 2  x  
2 2
 0   2  0
Vp 1 V
Vef     p  0,707V p
2 2 2
Por tratarse de un solo ciclo, el valor eficaz calculado

anteriormente, se debe dividir a la mitad y por lo tanto,
obtenemos:
0,707
Vef  V p  0,3535V p
2
Ahora, podemos determinar el valor del factor de forma,

empleando la expresión (1.4), encontrándose que:
Vef VRMS 0,3535V p

ff     1,112
Vm V AV 0,318V p
### de la
El resultado es indeterminado; sin embargo, a partir
10 expresión (1.5), el factor de pico se obtiene así:
Vp Vmax Vp
fp     3,145
Vef V RMS 0,3535V p
Vemos que para un voltaje rectificado en media onda, el

factor de forma es menor que el factor de pico.
Caso c) en la Figura 1.5 se presenta una forma de onda de

voltaje rectificado de onda completa. El valor promedio del
voltaje, se puede determinar mediante la expresión (1.11).
0,636Vp=Vef
Vp/1,414=Vef
0
t
Figura 1.5. Voltaje senoidal rectificado en onda completa.
X Axis Title
0 2 4 6 8 10
La cual está dada por:
1 T
vt   dt
T 0
Vm 
Si vt   V p sen(t ) , entonces la expresión (1.11), se puede

resolver empleando la Tabla 1.2 y por consiguiente podemos
obtener:

1  V p  Vp 2V p
Vm 
T 0
V p sen(t )  dt   ( cos( x)) 
 0 
( cos( )  cos(0)) 

Por tratarse de un voltaje rectificado en onda completa, el

voltaje promedio es:
2V p Vp
Vm    0,636V p
 

expresión (1.3).

1 1  Vp 1 
v t dt   2 x  cosx senx 
T
Vef    (V p sen(t )) dt 
2 2
T 0  0 2  0

sen2 x  
 
Vp 1  Vp 1 
Vef   x  cos  x sen x   2  x  
2 2


0 
2
  2  0
Vp 1 V
Vef     p  0,707V p
 2
2 2
Ahora, podemos determinar el valor del factor de forma,

empleando la expresión (1.4), encontrándose que:
Vef VRMS 0,707V p

ff     1,112
Vm V AV 0,636V p
El resultado es indeterminado; sin embargo, a partir de la

expresión (1.5), el factor de pico se obtiene así:
Vp Vmax Vp
fp     1,414
Vef V RMS 0,707V p
Vemos que para un voltaje rectificado de onda completa ,

el factor de forma es menor que el factor de pico. Este
resultado es similar para las tres diferentes formas de onda, tal
como era de esperarse.
Hemos visto el cálculo de algunos parámetros básicos en

el análisis y diseño de circuitos de potencia. Por otro lado,
veamos a continuación otro aspecto muy importante en la
construcción de circuitos de potencia eléctrica y es el tema de
los disipadores de calor. Al respecto es importante mencionar
que muy pocos libros de electrónica de potencia tratan el tema
con la simplicidad que se presenta a continuación, lo cual
constituye un aporte de este libro al campo de la electrónica de
potencia.
1.3. DISIPADORES DE CALOR

Cuando por un circuito de potencia en electrónica pasa
una corriente eléctrica considerable, dispositivos de
conmutación tales como los tiristores y los transistores, entre
otros, incrementan la temperatura de sus uniones
semiconductoras, este incremento en la temperatura del
dispositivo , genera un flujo de calor entre la unión
semiconductora y el ambiente .

1.3. DISIPADORES DE CA LOR 19
Este flujo de calor se debe acoplar térmicamente al

ambiente, lo cual se logra empleando disipadores de calor.
Estos se pueden conseguir comercialmente de diferentes
formas y tamaños (geometrías); sin embargo, presentamos a
continuación una metodología que permite de manera analítica
y sencilla, el diseño de disipadores de calor, que permitan el
acople térmico entre el dispositivo de conmutación y el
ambiente.
En la Figura 1.6 se presenta un diagrama del acople

mecánico entre el dispositivo de conmutación de potencia y el
disipador con geometría que involuc ra aletas.
Figura 1.6. Dispositivo de conmutación con disipador de calor

con geometría que involuc ra aletas.
La transferencia de calor entre el dispositivo de

conmutación y el disipador de calor, se mejora empleando
silicona térmica y un tornillo para de sujeción de las partes. El
comportamiento termodinámico de sistemas térmicos, como el
presentado en la Figura 1.6, se pueden representar

esquemáticamente, mediante la utilización de circuitos
térmicos. En estos diagramas de circuito térmico, las
diferencias de temperatura se pueden representar como
fuentes de voltaje y la oposición al paso del calor como
resistencias térmicas. En la Figura 1.7, se presenta el diagrama
de circuito térmico para el dispositivo conmutador de potencia,
acoplado térmicamente al disipador de calor.
En este circuito térmico, se puede observar que cuando la

temperatura de la unión del material semiconductor T j es
mayor que la temperatura ambiente T A , se establece un flujo de
calor  j , por la resistencia térmica de la unión semiconductora
R j , tal como era de esperarse de la segunda ley de la
termodinámica.
Figura 1.7. Circuito térmico equivalente, del disipador de calor

acoplado térmicamente al dispositivo de conmutación de
potencia.
El dispositivo de conmutación de potencia trae una

lámina metálica en contacto con la unión semiconductora y el
encapsulado del dispositivo, esto genera un efecto de
resistencia térmica a la cual por simplicidad, denominaremos
resistencia térmica del encapsulado RE . Cuando no se ha
realizado el acople térmico del disipador, en el circuito
equivalente de la Figura 1.7, el flujo de calor por la unión
semiconductora y el encapsulado es el mismo ; es decir  j   E .
Sin embargo, cuando se acopla térmicamente el disipador de
calor al dispositivo de conmutación de potencia, aparece un

efecto de resistencia térmica Rd entre la unión semiconductora

y el disipador de calor. Por lo tanto, el flujo de calor  j se
divide en los flujos de calor por la resistencia térmica del
encapsulado  E y por la resistencia térmica del disipador  d ; es
decir  j   E  d .
En el circuito equivalente de la Figura 1.7, también se

puede observar que para lograr la máxima transferencia de
calor al disipador y por consiguiente al ambiente, el flujo de
calor por el disipador, debe ser mayor que el flujo de calor por
el encapsulado. Es decir, que  d >>  E . Esto se puede lograr si se
cumple la condición:
Rd  RE o Rd  0,1RE (1.12)
El valor de la resistencia del encapsulado RE es

suministrado por el fabricante del dispositivo de conmutación
de potencia, en los datasheets. Así que mediante la expresión
(1.12), se puede determinar el valor de la resistencia térmica del
disipador Rd . Por tratarse de una resistencia térmica, Rd puede
describirse mediante:
L
Rd  (1.13)
A
En donde  es la resistividad térmica del material

empleado como disipador de calor y sus unidades de medida
son Km W , L la longitud o espesor del disipador y A el área de
sección recta. La expresión (1.13), describe la resistencia
térmica de un material conductor térmico, la cual depende del
tipo de material y de su geometría. Al respecto vemos que si se
utiliza un disipador de calor sin aletas, L  l 0 corresponde al
espesor de la lámina de material conductor térmico (por
ejemplo: aluminio o cobre) y el área de sección recta, se
encuentra determinado por A  ab , tal como se puede observar
en la Figura 1.6.
En la expresión (1.13), la resistencia térmica está dada en

las unidades de medida K W . En las hojas de especificaciones
que ofrece el fabricante del dispositivo conmutador, se puede
observar que la resistencia térmica del encapsulado, también se
suele llamar resistencia térmica de la unión semiconductora al
ambiente. Así que mediante la expresión (1.13), se puede
determinar las dimensiones del disipador de calor sin aletas.
Por otro lado, si se considera un disipador de calor con

aletas, estas jugarán un papel importante en la extracción de
calor al ambiente, esto se debe a que ejercen un efecto de
alargamiento del espesor del disipador y además permiten
corrientes de aire que podrían favorecer la disipación de calor.
Sin embargo, el tratamiento termodinámico de estas

corrientes de aire es complejo y por lo tanto, en este análisis no
se considerarán efectos de transferencia de calor por
convección, sino que se tratará únicamente los efectos de
transferencia de calor por conducción entre el disipador de
calor y el ambiente. Esta aproximación puede ser muy fuerte,
pero si asumimos que el disipador de calor está a una
temperatura mayor que la temperatura ambiente, el calor fluirá
del disipador hacia el ambiente, como es de esperarse por la
segunda ley de la termodinámica y el efecto de las corrientes de
aire puede despreciarse.
Por lo tanto, la determinación de la geometría del

disipador que involucra aletas, puede ser establecida,
empleando la expresión (1.13). Las aletas del disipador de calor
contribuyen a un incremento promedio del espesor del
disipador, el cual está dado por:
L  l 0  l AV (1.14)
Siendo l AV el espesor promedio aportado por las aletas. Si

consideramos que la geometría de las aletas, está dada por: h la
longitud de la aleta, C el espesor de la aleta y d la separación
entre las aletas, tal como se puede observar en la Figura 1.6.

A partir de esta geometría, podemos establecer el corte

transversal del disipador de calor con aletas presentado en### la
Figura 1.8. Se10 puede observar que en la dirección paralela al
ancho b del disipador de calor, podemos establecer la
coordenada x, como variable independiente.
L(x)
l0
0
x
d
C
Figura 1.8. Corte 0transversal del disipador de calor con 10

aletas.
Por lo tanto, considerando el esquema de la Figura 1.8, El

valor del espesor promedio proporcionado por las aletas, está
dado por:
1 d
Lx dx
d 0
L AV  (1.16)
Nótese la similitud entre las expresiones (1.16) y (1.11),

en donde la primera depende de la variable independiente
posición, mientras que la segunda depende del tiempo.
Ahora, e mpleando la Tabla 1.2, la expresión (1.16) puede

ser resuelta y obtenemos que:
C 
L AV  h  (1.17)
d
Se puede observar que la expresión (1.17) es

independiente del número de aletas considerado en el

disipador de calor. Ahora sustituyendo la expresión (1.17) en la
expresión (1.14), tenemos:
C 
L  l 0  h  (1.18)
d
Luego sustituyendo la expresión (1.18) en la expresión

(1.13), obtenemos:
 l 0  hC d 
Rd  (1.19)
ab
La expresión (1.19), relaciona la resistencia térmica con la

geometría del disipador de calor con aletas.
Veamos a continuación ejemplos del diseño de

disipadores de calor empleando el método analítico presentado
en este libro.
Ejercicio 1.2 Diseñar un disipador de calor en Aluminio y

sin aletas, para una dispositivo de conmutación de potencia
cuya resistencia térmica de encapsulado es de 0,6 K W .
Desarrollo 1.2 Considerando el criterio de la expresión

(1.12), se encuentra que:
Rd  0,1RE  0,1(0,6K W )  0,0 6K W
Ahora, empleando la expresión (1.13) y considerando que

el disipador de calor será construido en aluminio, entonces la
resistividad térmica del aluminio es  Al  4,2194 x10 3 Km W . Este
valor es calculado a partir de mediciones de la conductividad
térmica del Al, cuyo valor aceptado es de 237W Km en el rango
de temperaturas comprendidas desde 25C hasta 100C . Por lo
tanto, tenemos:

 Al L
Rd  (1.20)
A
Escogemos por criterio de diseño un área de sección recta

de A  0,0004m 2 ; es decir a  b  0,02m  2cm . Por consiguiente,
despejando para L , a partir de la expresión (1.20), tenemos:
Rd A (0,06 K W )(0,0004m 2 )
L   0.00568m  5,68mm
 Al 4,2194 x10 3 Km W
Este resultado quiere decir que una lámina de aluminio

cuya área sea A  0,0004m 2 y un espesor inferior a L  5,68mm , es
el indicado para realizar el acople térmico entre el disipador de
calor y el dispositivo de conmutación de potencia.
Ejercicio 1.3 Diseñar un disipador de calor en Aluminio y

con aletas, para una dispositivo de conmutación de potencia
cuya resistencia térmica de encapsulado es de 6 K W .
Desarrollo 1.3 Considerando el criterio de la expresión

(1.12), se encuentra que:
Rd  0,1RE  0,1(6K W )  0, 6K W
Ahora, empleando la expresión (1.13) y considerando que

el disipador de calor será construido en aluminio, entonces
 Al  4,2194 x10 3 Km W . Por lo tanto, tenemos:
 Al L  Al L
Rd   (1.20)
A ab
Escogemos por criterio de diseño un área de sección recta

de A  0,0004m 2 ; es decir a  b  0,02m  2cm . Por consiguiente,
despejando para L , a partir de la expresión (1.20), tenemos:
Rd A (0,6 K W )(0,0004m 2 )
L   0.0568m  5,68cm
 Al 4,2194 x10 3 Km W
Este resultado quiere decir que una lámina de aluminio

cuya área sea A  0,0004m 2 y un espesor inferior a L  5,68cm , es
el indicado para realizar el acople térmico entre el disipador de
calor y el dispositivo de conmutación de potencia. Por supuesto
un tamaño de aleta del orden de L  5,68cm , es
desproporcionado para el montaje mecánico del disipador; por
lo tanto, asu mi mos basados en el cálculo anterior, que las
aletas pueden presentar un tamaño de L  1,5cm , este resultado
sigue siendo consistente con el criterio de la expresión (1.12).
Por comodidad en los cálculos, seguiremos trabajando en el
resto del presente ejercicio, con unidades de longitud en mm.
Así que la geometría de la aleta se escoge de la siguiente
manera. Considerando la expresión (1.18), tenemos que:
C 
L  l 0  h 
d
Escogemos por criterio de diseño l 0  5mm , esto quiere

decir que el espesor promedio del disipador LAV  10mm . Ahora
despejando para h de la expresión (1.17), tenemos que :
L d
h   AV  (1.21)
 C 
Si escogemos un disipador de cuatro aletas, d  5mm

debido a que b  20mm  2cm y el espesor de las aletas, lo
asumimos por c riterio de diseño C  3mm , entonces
sustituyendo valores en la expresión (1.21), obtenemos:
 L d   10mm5mm 
h   AV      16,7mm  1,67cm
 C   3mm 
Hemos determinado en los ejercicios 1.2 y 1.3, la

1.4. EJERCICIOS DE REFLEXIÓN Y CONSULTA 27
geometría de disipadores de calor acoplados a dispositivos de

conmutación de potencia. Así mismo, hemos visto en este
capítulo, conceptos básicos involucrados en el análisis y diseño
de circuitos de potencia.
1.4. EJERCICIOS DE REFLEXIÓN Y CONSULTA
Por otro lado, con el fin de ayudar al lector en el

entendimiento de los conceptos básicos expuestos en el
presente capítulo, se propone la realización de los siguientes
ejercicios de reflexión y consulta:
1.1. ¿A qué se debe que en un sistema convertidor de potencia,

el flujo de potencia pueda ser bidireccional?
1.2. ¿Cómo afecta la frecuencia de las fuentes de energía a un

circuito convertidor de estado sólido?
1.3. ¿De qué manera se podría modelar el comportamiento

eléctrico de una carga, en un convertidor de potencia
eléctrica, cuando el voltaje logra adelantar la corriente
eléctrica?
1.4. ¿Qué aspectos se deben considerar en el análisis y diseño

de circuitos de potencia?
1.5. Qué se debe hacer en una fábrica, cuando el factor de

potencia presenta un valor diferente al aceptado por la
empresa que le suministra la energía eléctrica.
1.6. ¿Qué le sucede al factor de potencia eléctrica, cuando

aumenta la distorsión armónica total?
1.7. ¿Debido a qué los dispositivos de conmutación de potencia,

requieren el uso de disipadores de calor?
1.8. ¿Cuál es el criterio de diseño, que permite un acople

térmico favorable, entre el dispositivo de conmutación de
potencia y el disipador de calor?
1.9. ¿Cuál es el papel de las aletas en un disipador de calor?
1.10. ¿Cuáles son los métodos de transferencia de calor que

involucra el acople térmico de disipadores de calor con los
dispositivos de conmutación de potencia?
1.11. Determinar el valor promedio y el valor eficaz de un

voltaje cuya forma funcional es:
vi (t )  (V p sen(t )) 2
1.12. Determinar el factor de forma y el factor de pico de un

voltaje cuya forma funcional es:
###
10
vi (t )  (V p sen(t )) 2
1.13. Si la forma de onda de la corriente eléctrica en un circuito

de potencia, es como la presentada en la Figura 1.9.
Determinar el factor de forma y el factor de pico,
considerando que: I p  1A ,   10ms y T  15ms .
IP
0
0
 t 10
Figura 1.9. Forma de onda de la corriente eléctrica.
1.14. Diseñar un disipador de calor para un dispositivo de

conmutación de potencia, considerando una resistencia
térmica de encapsulado RE  1K / W .

Capítulo 2
Tiristores
Unidireccionales
P resentamos en este capítulo el principio básico de

funcionamiento de los tiristores y una metodología básica para
el análisis y diseño de circuitos de potencia que involuc ren
tiristores unidireccionales como el SCR. Así mismo, se
presentan ejemplos básicos del análisis y diseño de circuitos de
potencia basados en el SCR. Finalmente, el lector encontrará
una serie de 10 ejercicios de análisis y diseño, los cuales
pretenden reforzar los temas discutidos en este capítulo.
2.1. GENERALIDADES DE LOS TIRISTORES

UNIDIRECCIONALES
Los tiristores unidireccionales son dispositivos de
conmutación de potencia que permiten el control de la
corriente para un ciclo de la fuente de alimentación de la carga.
El éxito de esta tecnología se debe a que presentan voltajes de
conducción muy bajos y por lo tanto la máxima energía
eléctrica es entregada a la carga. Los tiristores unidireccionales,
también han contribuido al desarrollo industrial, debido a que
han facilitado la automatización y el control electrónico de
actuadores en procesos industriales.
El tiristor fue desarrollado por primera vez, por

ingenieros de General Electric en los años 1960. Aunque un
origen más remoto de este dispositivo lo encontramos en el
SCR (Silicon Controller Rectifier), patentado por primera vez
por William Shockley (premio Nobel de física en 1956) en 1950,
el cual fue defendido y desarrollado en los laboratorios Bell en
1956. Gordon Hall lideró el desarrollo en Morgan Stanley para
su posterior comercialización por G.E.'s Frank W. "Bill"
Gutzwiller.
La primera aplicación a gran escala de los tiristores fue

para controlar la tensión de entrada proveniente de una fuente
de voltaje alterno. Por ejemplo, a principios de los 70’s se
usaron los tiristores para estabilizar el flujo de voltaje de
entrada de los receptores de televisión en color.
Por otro lado, entre las aplicaciones más destacadas de

estos dispositivos, tenemos: el control de motores de dc y ac,
fuentes de alimentación, convertidores y el uso de energías
limpias, entre otras. Los tiristores de estado sólido, basan su
funcionamiento en el efecto de avalancha, el cual consiste en la
fuerte aceleración de portadores de carga por un campo
eléctrico externo, en una unión PN polarizada en inversa.

2.1. GENERA LIDADES DE LOS TIRISTORES UNIDIRECCIONA LES 31
Así mis mo, los tiristores normalmente han sido

empleados en diseños donde existen corrientes o voltajes muy
grandes, también son de uso frecuente en el control de la
corriente alterna , donde el cambio de polaridad de la corriente
revierte en la conexión o desconexión del dispositivo. Una vez
que el dispositivo está abierto, comienza a conducir corriente
en fase con el voltaje aplicado sobre la unión ánodo-cátodo,
aún en ausencia de una corriente en la puerta; es decir, el
dispositivo tiende de forma completa al estado de encendido.
Este funcionamiento, no se debe confundir con la

operación simétrica, ya que la salida es unidireccional y va
solamente del cátodo al ánodo, por tanto en sí misma es
asimétrica.
Los tiristores, también pueden ser utilizados como

elementos de control en sistemas electrónicos de potencia
denominados controladores accionados por ángulos de fase,
esto es una modulación por anc ho de pulsos para limitar el
voltaje alterno.
En circuitos digitales también se pueden encontrar

tiristores como fuente de energía o potencial, de forma que
pueden ser usados como interruptores automáticos magneto-
térmicos; es decir, pueden interrumpir un circuito eléctrico,
abriéndolo, cuando la intensidad que circula por él se excede de
un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente
de entrada para evitar que los componentes en la dirección del
flujo de corriente queden dañados.
Además, el tiristor se puede usar en conjunto con un

diodo zener conectado a terminal de compuerta , de forma que
cuando el voltaje de la fuente supera el voltaje del diodo zener,
el tiristor conduce, acortando el voltaje de entrada proveniente
de la fuente a tierra y ofreciendo protección al circuito.
Así mismo, se suelen usar para controlar la rectificación

en corriente alterna ; es decir, para transformar esta corriente
alterna en corriente continua (siendo en este punto los
tiristores onduladores o inversores), para la realización de

conmutaciones de baja potencia en circuitos electrónicos.
Otras aplicaciones comerciales son en electrodomésticos,

en sistemas de iluminación, calentadores, controladores de
temperatura, de activación de alarmas, de control de velocidad
de ventiladores, cargadores de baterías, aspersores de agua, de
encendido de motores de gas y pantallas electrónicas.
Por otro lado, el tiristor es un componente electrónico

constituido por materiales semiconductores. Son dispositivos
unidireccionales porque solamente transmiten la corriente e n
una única dirección. Se emplea generalmente para el control de
potencia eléctrica.
Estos dispositivos electrónicos constan de un ánodo y un

cátodo, donde las uniones semiconductoras son del tipo PNPN.
Por lo tanto, se pueden modelar como 2 transistores típicos
PNP y NPN, por eso se dice también que el tiristor funciona con
tensión realimentada. Se crean así 3 uniones (denominadas J1,
J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está conectado a
la unión J2 (unión NP).
Estos dispositivos presentan la característica de pasar

rápidamente al estado de encendido al recibir un pulso
momentáneo de corriente en su terminal de control,
denominada puerta (o en inglés, gate), cuando existe una
voltaje positivo entre los pines denominados ánodo y cátodo;
es decir, el voltaje en el ánodo es mayor que en el cátodo, lo
cual permite que el pulso de corriente eléctrica avance del
ánodo al cátodo. Solo puede ser apagado con la interrupción de
la fuente de voltaje de alimentación, abriendo el circuito, o
bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el
dispositivo. Si se polariza inversamente en el tiristor existirá
una débil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el
punto de tensión inversa máxima, provocándose la destrucción
del elemento.

2.1. GENERA LIDADES DE LOS TIRISTORES UNIDIRECCIONA LES 33
Para que el dispositivo de potencia pase del estado de

bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente de
enganche positiva en el ánodo, y además , debe existir una
pequeña corriente en la compuerta o puerta capaz de provocar
una ruptura por avalancha en la unión J2 para hacer que el
dispositivo entre en conducción eléctrica. El estado activo se
logra, mediante una corriente de sostenimiento desde el ánodo,
la cual debe ser mucho menor que la de enganche, sin la cual el
dispositivo dejaría de conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta o

compuerta, se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar
así el voltaje necesario entre los pines del ánodo y el cátodo
para la transición de apagado a encendido, usando la corriente
de puerta adecuada. El voltaje entre ánodo y cátodo dependen
directamente del voltaje de puerta, pero solamente para la
transición de apagado encendido. Cuanto mayor sea la
corriente suministrada al circuito de puerta I G (intensidad de
puerta), tanto menor será el voltaje de ánodo-cátodo necesario
para que el tiristor entre en el estado de conducción.
También, es posible la conducción eléctrica en el tiristor

unidireccional si no existe corriente de compuerta, mediante un
voltaje ente ánodo-cátodo mayor al voltaje de bloqueo del
dispositivo .
Por otro lado, existen diferentes mecanismos para

producir la activación de un tiristor, veamos a continuación
algunos de ellos.
La luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un

tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el número de pares
electrón-hueco aumentará pudiéndose activar el tiristor.
La Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en

directa, la inyección de una corriente de compuerta al aplicar
un voltaje positivo entre los terminales compuerta y cátodo lo
activará. Si aumenta esta corriente de compuerta, disminuirá el
voltaje de bloqueo directo, lo cual produce la activación del
dispositivo.
La Temperatura: Una temperatura alta en el tiristor

produce el aumento del número de pares electrón-hueco en las
uniones semiconductoras. Estos portadores de carga eléctrica
pueden ser acelerados por el alto campo eléctrico de las
uniones y producir el encendido del dispositivo electrónico.
El Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el ánodo hacia

el cátodo es mayor que el voltaje de ruptura directo, se creará
una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se
inicie la activación con retroalimentación. Normalmente este
tipo de activación puede dañar el dispositivo, hasta el punto de
la destrucción del mis mo.
La Variación del Voltaje dv/dt: Si la velocidad en la

elevación del voltaje ánodo-cátodo es lo suficientemente alta,
entonces la corriente de las uniones puede ser suficiente para
activar el tiristor. Este método también puede dañar el
dispositivo.
Por otro lado, entre los métodos de fabricación de estos

dispositivos, tenemos:
La Técnica de Difusión-Aleación: La parte principal del

tiristor está compuesta por un disco de silicio de material tipo
N, 2 uniones se obtienen en una operación de difusión con
galio, el cual dopa con impurezas tipo P las 2 caras del disco.
En la cara exterior se forma una unión, con un contacto de oro-
antimonio. Los contactos del ánodo y el cátodo se realizan con
molibdeno. La conexión de puerta se fija a la capa intermedia
(tipo P) usando aluminio. Esta técnica se usa solamente para
dispositivos que requieren gran potencia.
Técnica "Todo Difusión": Se trata de la técnica más usada,

sobre todo en dispositivos de mediana o baja intensidad, el
problema principal de esta técnica reside en los contactos, cuya
construcción resulta más delicada y problemática que en el
caso de difusión-aleación. Las 2 capas tipo P se obtienen por
difusión del galio o el aluminio, mientras que las capas N se
obtienen mediante el sistema de máscaras de óxido. El

2.2. CONDUCCIÓN POR A VA LANCHA EN UNA UNIÓN PN 35
problema principal de este método consiste en la multitud de

fases que hay que realizar. Aunque ciertas técnicas permiten
paralelizar este proceso.
Técnica de Barrera Aislante: Esta técnica es una variante

de la anterior. Se parte de un sustrato de silicio tipo N que se
oxida por las dos caras, después en cada una de las 2 caras se
hace la difusión con material tipo P. Una difusión muy duradera
y a altas temperaturas produce la unión de las 2 zonas tipo P.
Después de este proceso se elimina todo el óxido de una de las
caras y se abre una ventana en la otra, de esta manera se realiza
en orden hasta aislar más zonas de tipo N, mediante una
difusión de impurezas tipo P. Después de una última difusión
de impurezas tipo N, el tiristor ya está terminado a falta de
establecer las metalizaciones, cortar los dados y encapsularlos.
Después de haber visto las generalidades que implican

los tiristores, veamos a continuación el principio de conducción
por avalancha que rige el comportamiento eléctrico de los
tiristores, alternativas de dispositivos tiristores
unidireccionales y sus métodos de activación.
2.2. CONDUCCIÓN POR AVALANCHA EN UNA

UNIÓN PN
Estudiamos la conducción eléctrica por avalanc ha en una
unión PN, debido a que es el mecanismo de conducción
eléctrica que se presenta en los tiristores. Por lo tanto, para
lograr su entendimiento, de los mecanismos de conducción en
las uniones PN, veamos a continuación, lo que sucede cuando
una unión PN es polarizada en directa y en inversa.
En la figura 2.1 se presenta un diagrama esquemático de

un modelo pedagógico de la conducción eléctrica en un
semiconductor sin impurificación. Se puede observar, que
cuando se aplica un voltaje a un semiconductor, los electrones
libres son acelerados por el campo eléctrico externo, hacia el
lado positivo de la fuente de polarización, tal como sucede en
un conductor ordinario.
Además, los electrones de valencia se mueven hacia el

lado positivo , recombinándose en los huecos (efecto colectivo
de todos los electrones, debidos a la ausencia de un electrón) y
por consiguiente, los huecos parecen moverse hacia el lado
negativo.
Figura 2.1. Esquema básico de semiconductor extrínseco.
El flujo de la corriente de huecos depende del

desplazamiento de los electrones de valencia que tienen un
nivel de energía muy bajo. Por lo tanto, a los voltajes pequeños,
hay muy poca corriente y el flujo sólo se hace más lineal,
cuando aumenta el valor del voltaje.
Por otra parte la corriente electrónica de los electrones

libres tiende a ser lineal, pero la curva de corriente total
demuestra que el semiconductor es un dispositivo no lineal , tal
como se puede observar en la Figura 2.2, en la cual
presentamos las dependencias con el voltaje de las corrientes
debidas a los electrones y las debidas a los huecos.
Cuando el material semiconductor es impurificado con

una especie química diferente a la del semiconductor
intrínseco, las impurezas se ionizan, provocando un fuerte
campo eléctrico en los portadores de carga eléctrica.
Para el caso en el cual se utilizan impurezas que pueden

aportar o donar portadores de carga eléctrica como los
electrones, a este tipo de impurificación, se le denomina tipo N,
mientras que cuando se utilizan impurezas aceptoras de carga
eléctrica como los huecos, a este tipo de impurificación se
denomina tipo P.

###
Corriente
Corriente
Total Corriente
Electrónica
Corriente
huecos
Voltaje
Figura
0 0 2.2. Curvas corriente voltaje en un semiconductor sin
impurificación.
En la Figura 2.3, se puede observar en un modelo

pedagógico, que en los materiales con impurificación tipo N, las
impurezas se pueden asumir como iones con carga positiva y
los portadores mayoritarios son los electrones, luego los
huecos son los portadores minoritarios, mientras que en el
material con impurificación tipo P, las impurezas se pueden
asumir como iones con carga negativa, los portadores
mayoritarios son los huecos y los minoritarios son los
electrones.
Figura 2.3. Esquema pedagógico de la impurificación de

materiales semiconductores.
Cuando a un material semiconductor se le incorporan

impurezas donadoras y aceptoras de portadores en extremos
diferentes del material semiconductor huésped, se genera una
zona o región de empobrecimiento de cargas eléctricas, debida
a los mecanismos de difusión y recombinación de portadores
de carga eléctrica, lo cual permite que las impurezas se ionicen

y por lo tanto, aparece un campo eléctrico interno debido a la
distribución de impurezas en la región de empobrecimiento, tal
como se puede observar en la Figura 2.4
Figura 2.4. Unión PN en un material semiconductor.
Debido al campo eléctrico producido por la ionización de

las impurezas, se establece un voltaje de barrera o voltaje del
diodo semiconductor Vd , tal como se puede observar
### en la
Figura
10 2.5.
Vd
8
6
- + - + - + +- +-
- + - + - + +- +-
Y Axis Title
Tipo P Tipo N
2
Figura 2.5. Voltaje de barrera en una unión PN.

0
Cuando la
2 unión PN
0 4 es polarizada6 en directa
8 mediante
10 un
voltaje externo, el campo eléctrico tiende a debilitarse y por lo
X Axis Title
tanto los portadores de carga pueden pasar la zona de
empobrecimiento, de tal manera que se establece la conducción
eléctrica en el diodo semiconductor. En la Figura 2.6, se
presenta un esquema pedagógico de la conducción eléctrica en
la unión PN.

Figura 2.6. Conducción eléctrica en una unión PN polarizada en

directa.
En la Figura 2.6 a), se puede observar que la fuente de

voltaje proporciona electrones en el terminal negativo, los
cuales son acelerados hacia la región de empobrecimiento por
el campo eléctrico externo aportado por la fuente de voltaje,
donde algunos de los portadores cercanos a esta zona, se
pueden recombinar con las impurezas y por esta razón
disminuye el campo eléctrico interno.
En el terminal positivo, algunos de los portadores

minoritarios del material impurificado tipo P, son acelerados y
estos electrones se pueden recombinar con los huecos
proporcionados por el terminal positivo.
Así mismo, el campo eléctrico externo acelera los

portadores mayoritarios en el material tipo P y los huecos
también van hacia la zona de empobrecimiento, tal como se
puede observar en la Figura 2.6 b).
En la Figura 2.6 c), se puede observar que los huecos y

electrones se aproximan a la zona de agotamiento o
empobrecimiento debido al campo eléctrico externo, donde se
pueden recombinar tal como se puede observar en la Figura 2.6
d), de tal manera que se establece una corriente eléctrica en
todo el dispositivo electrónico.
Cuando la unión PN es polarizada inversamente, la región

de agotamiento es ensanchada a consecuencia de la aceleración
de portadores minoritarios hacia la zona de agotamiento y a la
presencia de las impurezas ionizadas. Los portadores
mayoritarios son acelerados hacia los terminales de la fuente
de polarización y por lo tanto, no es posible la conducción
eléctrica, tal como se puede observar en la Figura 2.7. Por otro
lado, la aceleración de portadores minoritarios, puede producir
una corriente mínima del orden de los microamperios; sin
embargo, para efectos prácticos, esta corriente se puede
considerar cero o nula.
Figura 2.7. Polarización en inversa de una unión PN.

En polarización inversa de la unión PN el campo eléctrico

externo aportado por la fuente de polarización puede presentar

valores muy altos, esto puede producir un efecto de conducción
eléctrica muy importante denominada descarga por avalancha
de portadores de carga eléctrica. Veamos en qué consiste este
mecanismo de conducción eléctrica.
La gran fuerza de atracción que ejerce un voltaje excesivo

hace que muc hos electrones de valencia rompan sus enlaces. Si
el voltaje aplicado es considerable, los electrones de valencia
salen de sus uniones, a tal velocidad, que chocan con los
átomos vecinos y originan la liberación de otros electrones de
valencia; estos a su vez al liberarse continúan el proceso y
como resultado se produce una multiplicación acumulativa de
electrones; es decir, una avalancha de nuevos portadores , tal
como se puede observar en la Figura 2.8 .
De este modo, el número de portadores minoritarios

puede aumentar hasta el punto en que, de hecho, supere al de
los portadores mayoritarios y por lo tanto se establece una alta
corriente eléctrica en el dispositivo electrónico.
La avalancha también puede ser producida por

desbordamiento térmico o por absorción de la luz en la unión
PN.
Figura 2.8. Efecto de descarga de avalancha en una unión PN

polarizada en inversa.
El efecto de descarga por avalanc ha de portadores de

carga eléctrica, es el mecanismo predomínante en la
conducción eléctrica de los tiristores. Ahora veamos a
continuación como se puede utilizar este efecto en diferentes
alternativas de dispositivos unidireccionales para realizar
control de la corriente eléctrica en circuitos de potencia.
2.3. RECTIF ICADOR CONTROLADO DE SILICIO

Un SCR (Silicon Controller Rectifier) posee tres
terminales: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la
encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el
cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador
controlado, permitiendo circular la corriente en un solo
sentido.
Mientras no se aplique ningún voltaje en el terminal de

puerta o compuerta del SCR no se inicia la conducción y en el
instante en que se aplique dicho voltaje, el tiristor comienza a
conducir. Trabajando en corriente alterna , el SCR se desactiva
en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente
continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien
interrumpir el circuito de polarización.
El pulso de disparo para activar un SCR, ha de ser de una

duración considerable, o bien, repetitivo si se está trabajando
en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en
el que la corriente pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos
anular la tensión de puerta y el tiristor continuará conduciendo
hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la
corriente de mantenimiento (en la práctica, cuando la onda
senoidal cruza por cero).
Cuando se produce una variación brusca del voltaje entre

ánodo y cátodo en un tiristor, éste puede dispararse y entrar en
conducción aún sin corriente de puerta. Por ello se da como
característica la tasa máxima de subida de voltaje que permite
mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al

2.3. RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO 43
condensador parásito existente entre la puerta y el ánodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrónica de

potencia, en el campo del control, especialmente control de
motores, debido a que puede ser usado como interruptor de
tipo electrónico. Su funcionamiento se basa en el efecto de
avalancha.
En la Figura 2.9 a), se presenta el diagrama de las tres

uniones semiconductoras. Podemos observar que entre las
terminales de ánodo y cátodo tenemos un diodo de cuatro
capas, mientras que entre los terminales denominados puerta y
cátodo, tenemos una unión PN. Vemos que en el centro del
dispositivo se tiene una unión NP la cual queda polarizada
inversamente, es en esta unión donde se presenta el efecto de
conducción eléctrica por avalancha, cuando por el terminal
puerta es ingresada una pequeña cantidad de portadores de
carga eléctrica.
Por otro lado, en la Figura 2.9 b) se presenta el circuito

equivalente basado en transistores bipolares. Podemos observar
que si por el terminal puerta se inyecta un pulso de corriente,
los transistores Q1 y Q2 entran en conducción y si la corriente
en la puerta desaparece, los transistores siguen en conducción.
Figura 2.9. Terminales del SCR a) Configuración interna b)

Circuito equivalente en tecnología BJT.
En la Figura 2.10, se presenta la curva característica de

corriente voltaje para el SCR. Se puede observar para el caso de
la conducción eléctrica en directa, que cuando el voltaje entre

las terminales ánodo cátodo V AK es cero, la corriente eléctrica
por el terminal de ánodo I A también es cero.
iA
Corriente de
Corriente de enganche Caida de voltaje (Conducción)
mantenimiento
Voltaje
iL Disparo de Compuerta
Inverso de ruptura iH
VBo VAK
Corriente de Voltaje de
fuga inversa ruptura directa
Figura 2.10. Curva característica corriente voltaje del SCR.
Un pequeño incremento en el V AK produce un rápido

incremento en la I A hasta que ésta se estabiliza, luego si el V AK
se incrementa hasta el voltaje de ruptura directa, se observa un
efecto de aumento en la corriente y una disminución del
voltaje; es decir, un efecto de resistencia negativa aparece,
hasta que la corriente de ánodo toma el valor de corriente de
mantenimiento I H .
Luego, la corriente eléctrica se incrementa de manera

lineal conforme se incrementa el voltaje V AK , esta región lineal
es la que se busca, cuando se quiere una aplicación de este
dispositivo. Es en esta región de trabajo es donde se
proporciona la corriente requerida por la carga eléctrica en un
determinado circuito de potencia.
En la Figura 2.11 a), se puede observar el diagrama

utilizado en los circuitos electrónicos. El funcionamiento del
SCR se establece para corrientes eléctricas de puerta ent re los
valores de 0,1mA  20mA dependiendo de la referencia de
dispositivo empleada. Además entre los terminales puerta

cátodo, por tratarse de una unión PN, se establece un voltaje de

0,7V y entre los terminales ánodo-cátodo aparece un voltaje
aproximado a 1V , cuando se presenta la conducción eléctrica en
el dispositivo SCR.
Figura 2.11. Curva característica corriente voltaje del SCR.
Por otro lado, con el fin de entender el comportamiento

no lineal de este dispositivo y sus características estáticas,
presentamos en la Figura 2.11 b), un circuito equivalente de
transistores bipolares y sus respectivas corrientes. Se puede
observar que aplicando ley de corrientes de Kirchhoff, al
circuito en mención, tenemos:
I A  I C1  I C 2 (2.1)
Donde I A es la corriente de ánodo, I C1 es la corriente de

colector por el transistor 1 y I C 2 es la corriente por el transistor
2. Ahora, la corriente por el colector del transistor 1 presenta la
contribución debida a la corriente de compuerta y a la corriente
de saturación en inversa I CB01 la cual se presenta entre los
terminales del colector y la base del transistor 1. Por
consiguiente, tenemos:
I C1  1 I A  I CB01 (2.2)
Luego para la corriente I C 2 , también tenemos dos

contribuciones, la primera debida a la corriente de cátodo y la
segunda debida a la corriente de saturación en inversa I CB02

establecida entre los terminales de colector y base del
transistor 2; Entonces:
I C 2   2 I K  I CB02 (2.3)
Ahora, aplicando ley de corrientes de Kirchhoff, vemos

que I K  I G  I A , siendo I G la corriente de puerta y como ésta
presenta un valor muc ho menor que la corriente de ánodo,
tenemos que I K  I A . Por lo tanto, sustituyendo las expresiones
(2.2) y (2.3) en la expresión (2.1), tenemos que:
I A  1 I A  I CB01   2 I G   2 I A  I CB02 (2.4)
Reacomodando términos en la expresión (2.4) y

despejando para I A , obtenemos:
 2 I G  I CB01  I CB02
IA  (2.5)
1   1   2 
Como las corrientes inversas en cada uno de los

transistores, experimentalmente pueden tomar los valores
I CB01  10 6 A y I CB02  10 6 A , y como la corriente de compuerta es
I G  10 3 A . Entonces el primer término del denominador de la
expresión (2.5) predomina y la expresión en mención, se puede
escribir como:
2 IG
IA  0  1   2   1 (2.6)
1   1   2 
2
Si consideramos   , entonces la expresión
1   1   2 
(2.6), queda como:
I A  I G (2.7)

La expresión (2.7) nos indica que se trata de una fuente

de corriente controlada por corriente como era de esperarse;
sin embargo, la singularidad presente en el factor de ganancia
de corriente  indica un comportamiento no lineal del
dispositivo, debido a que 1   2  1 y cuando 1   2 tiende al
valor de 1 ,  se toma valores muy grandes.
Por lo tanto, un pequeño cambio en la corriente I G puede

producir una gran corriente por el terminal de ánodo I A . Este
comportamiento no lineal del SCR, ofrece las ventajas de una
rápida conmutación de una alta corriente eléctrica y es por esta
razón uno de los dispositivos más utilizados en circuitos de
potencia eléctrica.
Por otro lado entre las características dinámicas, tenemos

un efecto capacitivo entre ánodo y cátodo del orden d e los
10 pf , tal como se puede observar en la Figura 2.12 a). Este
resultado también se obtendría en el circuito equivalente
basado en tecnología BJT, tal como el que se presenta en la
Figura 2.12 b).
Este comportamiento capacitivo entre las terminales de

ánodo cátodo, restringe el comportamiento eléctrico en
frecuencia. Así que dependiendo de la interconexión de la carga
eléctrica, se puede tener una respuesta en baja frecuencia o alta
frecuencia.
Figura 2.12. Comportamiento dinámico del SCR a) efecto

capacitivo entre ánodo y cátodo b) efecto capacitivo en circuito
equivalente.
En la Figura 2.13 a) se puede observar un circuito donde

la carga eléctrica se encuentra conectada en serie con el SCR,
esto quiere decir que al considerar el efecto capacitivo del SCR,
se puede obtener una respuesta en la carga similar a la de una
circuito pasa alta, mientras que en el circuito de la Figura 2.13
b), se puede obtener un comportamiento en frecuencia similar a
un circuito pasa bajas.
Figura 2.13. Comportamiento dinámico del circuito a) pasa

altas b) pasa bajas si la salida para V AK .
Por otro lado, en un circuito de potencia con SCR se debe

tener en cuenta lo siguiente :
1) La señal de compuerta debe eliminarse después de

activarse el tiristor. Una señal continua de compuerta
aumentaría la pérdida de potencia en la unión de la compuerta.
2) Mientras el tiristor esté en polarización inversa, no

debe haber señal de compuerta; de lo contrario el tiristor puede
fallar debido a una corriente de fuga incrementada.
3) El ancho del pulso de la compuerta debe ser mayor

que el tiempo requerido para que la corriente del ánodo se
eleve al valor de corriente de mantenimiento.
Para poner en funcionamiento un SCR en corriente

directa, el circuito de potencia debe polarizarse en cualquiera
de las alternativas de circuito que se presentan en las Figuras
2.14. Es importante considerar un interruptor normalmente
abierto en serie con el terminal de puerta para evitar que el SCR

consuma corriente en la puerta de manera innecesaria después

de activado.
Si asumimos estas alternativas de configuración de
circuito de polarización de potencia, tal como pueden obtener
con la tecnología BJT, entonces estas configuraciones pueden
denominarse de la mis ma manera. Es decir, se puede observar
en la Figura 2.14:
a) polarización fija y carga conectada en serie con el

ánodo. b) polarización fija y carga conectada en serie con el
cátodo, c) polarización por divisor de voltaje y carga conectada
en serie con el ánodo, d) polarización por divisor de voltaje y
carga conectada en serie con el cátodo, e) polarización por
divisor de voltaje, carga conectada en serie con el ánodo y
resistencia en serie con el cátodo, f) polarización por
retroalimentación de voltaje y carga conectada en serie con el
ánodo, g) polarización por retroalimentación de voltaje, divisor
de voltaje y carga conectada en serie con el ánodo y h)
polarización por retroalimentación de voltaje, divisor de
voltaje, carga conectada en serie con el ánodo y resistencia en
serie con el cátodo.
Figura 2.14. Alternativas de configuración de circuito de

potencia en DC basadas en el SCR.
Veamos ahora alternativas de activación del SCR en AC.
En la Figura 2.15 a) se presenta un circuito de control de

corriente alterna, en donde el SCR es activado mediante una
fuente de DC. Esta configuración es poco usual; sin embargo,
presenta la ventaja de controlar la activación del SCR, mediante
un pulso en la compuerta, la desventaja de esta configuración
se debe a que se consume potencia entre la puerta y el cátodo
de manera innecesaria para el ciclo en el cual se desactiva el
SCR. Además, no se puede garantizar sinc ronis mo entre la
entrada y la salida del circuito y por lo tanto, no permite
control del ángulo de conducción.
En la Figura 2.15 b) se presenta un circuito de control de

resistencia en serie con la puerta. Esta configuración permite
un control de la corriente en la carga R L , tal como se puede
observar en la Figura 2.16, para ángulos de conducción
inferiores a 90 . Es una configuración simple, la cual se logra
sincronizar con el voltaje alterno de la fuente, presenta la
ventaja de un análisis y diseño de circuito senc illo; sin
embargo, su ángulo de conducción está restringido.
En la Figura 2.15 c) se presenta un circuito de control de

resistencia en serie con la puerta y un capacitor en paralelo con
los terminales de puerta y cátodo. Esta configuración permite
un control de la corriente en la carga R L , tal como se puede
observar en la Figura 2.16, para ángulos de conducción
superiores a 90 e inferiores a 180 en el primer ciclo de la
fuente de voltaje alterno.

Figura 2.15. Alternativas de activación de un SCR por: a) fuente

DC de entrada, b) Resistencia en serie con la puerta y c )
Capacitor en paralelo con la puerta y el cátodo.
Un diagrama de las formas de onda de un circuito de

potencia con SCR como el que se puede observar en la Figura
2.15 a), se presenta en la Figura 2.16. Se puede observar que el
voltaje alterno presenta la forma funcional VS  vt   V p sen(t ) .
Ahora cuando aparece en el terminal de la puerta un voltaje
VGG , se establece la corriente eléctrica que requiere el SCR para
activarse y por lo tanto, aparece el voltaje en la carga eléctrica,
dado por VRL , nótese como en el medio ciclo donde entra a

conducir el SCR, aparece una porción de la onda, en la cual el
voltaje es cero, a consecuencia de que el SCR todavía no se ha
activado y por lo tanto se comporta como un circuito abierto.
Después el SCR se activa y en la carga aparece la misma forma
10 de onda de entrada.
VS
8
10
6 VS t
Y Axis Title Y Axis Title
VRL t
V
4
6 RL
2
2
0
VGG 10
0 10
Figura 2.16. Formas de onda obtenidas en un circuito de

potencia con SCR.
Esta gráfica de la evolución del voltaje en la carga es

ideal, en la práctica para el ciclo en el cual no conduce el SCR,
existe un voltaje de recuperación en inversa que entrega una
buena porción de la onda de entrada a la carga.
Este efecto se debe a las características dinámicas del

SCR y puede ser minimizado empleando redes de resistencia y
capacitor en paralelo entre los terminales de ánodo y cátodo. A
este tipo de redes se les denomina redes Snubber. El análisis y
diseño de estas redes lo abordaremos más adelante. Por lo
tanto, veamos a continuación una metodología de análisis y
diseño de circuitos de potencia basados en el SCR.
2.4. ANÁLISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS DE

POTENCIA BASADOS EN EL SCR
Por tratarse de un sistema de conmutación no lineal, la
metodología empleada tanto para el análisis como para el

2.4. A NÁLISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS DE POTENCIA BASADOS EN EL SCR 53
diseño de circuitos, consistirá en distribuir la energía en

términos de los voltajes de Kirchhoff tanto para la malla de
salida como para la entrada.
En el caso de la malla de salida, los cálculos se harán en

términos de los valores eficaces de los voltajes en cada uno de
los elementos, mientras que para la malla de entrada, los
cálculos se harán en términos de valores de voltajes
instantáneos, sin necesidad de relacionar la malla de salida con
la entrada y de esta manera evitar la singularidad presente en la
expresión (2.6) (Efecto no lineal del SCR).
Ahora consideremos el circuito de la Figura 2.15 b) y las

formas de onda de los voltajes en cada uno de los elementos de
la malla de salida, las cuales se pueden observar en la Figura
2.17.
En esta última, nótese que el SCR se activa para un valor

de ángulo  , el cual se denomina ángulo de activación o de
disparo del SCR. Después de activado el SCR, aparece corriente
eléctrica por la carga R L . Luego el SCR deja de conducir y
aparece el efecto de recuperación en inversa del SCR, en la
forma de onda del VRL . En el siguiente ciclo positivo del voltaje
de entrada sucede de la misma manera y por lo tanto, la
potencia eléctrica entregada a la carga puede ser cambiada, por
medio de la variación del ángulo  del SCR.
Vs
10
 t
VRL
8
Recuperación
en inversa
6  t
Y Axis Title
VAK
4
t
2
0 Figura 2.17. Formas de onda del circuito de potencia de la

0 2 Figura42.15 b). 6 8 10
X Axis Title
Ahora aplicando ley de voltajes de Kirchhoff (LVK ) para la
malla de salida del circuito de la Figura 2.15 b), tenemos:
VS  VRL  V AK  0 (2.8)
Y en términos de sus valores RMS, la expresión (2.8)
puede ser escrita como:
VSef  VRLef  V AKef  0 (2.9)
En donde V AKef es el voltaje eficaz o RMS entre los

terminales ánodo y cátodo. Entonces veamos el cálculo de los

valores eficaces para cada uno de los elementos de la malla de

salida. Para el voltaje alterno de alimentación en la entrada del
circuito, de acuerdo a la expresión (1.3), tenemos:
Vp 1 V
VSef     p  0,707V p (2.10)
 2
2 2
Siendo V p la amplitud del voltaje de alimentación o

voltaje alterno de entrada. Por otro lado, como el VRL presenta
la forma de onda presentada en la Figura 2.16, el valor eficaz se
puede determinar a partir de la expresión (1.3), en términos de
la variable voltaje y considerando que x  t , de la siguiente
manera:

Vp 1
 V  x  cos x 
1 
sent 
2
VRLef  dt   (2.11)
  2
p

Ahora, sustituyendo límites en la expresión (2.11), y

considerando que el SCR cumple el papel de rectificador
controlado de media onda (el resultado se divide entre 2 ),
podemos encontrar que:
Vp  sen2 
VRLef  1  (2.12)
2 2  2
La expresión (2.12), nos indica que una variación en el  ,

puede modificar el valor del voltaje VRLef y por lo tanto, variar la
potencia entregada a la carga. Es decir, que se trata de un
circuito de control de potencia eléctrica por ángulo de disparo
del SCR. Luego, despejando para V AKef de la expresión (2.9),
tenemos:
V AKef  VSef  VRLef (2.13)
Sustituyendo las expresiones (2.10) y (2.12), en la

expresión (2.13), podemos encontrar que:
Vp  1  sen2  
V AKef  1  1   (2.14)
2 2  2 
Obsérvese en la expresión (2.14) que si   0 el

Vp
V AKef  , valor eficaz que corresponde al obtenido en el
2 2
ejercicio 1.1, para un rectificador de media onda. Luego, si
V  1 
  90 entonces V AKef  p 1   ; es decir, que el valor eficaz
2  2 2
se hace mayor al esperado para un rectificador de media onda.
Y si el ángulo de activación tiende al valor de   180 entonces
Vp
V AKef  , este resultado concuerda con el valor eficaz
2
esperado para una onda senoidal, tal como se determinó en el
ejercicio (1.1).
Por ahora hemos conocido los valores eficaces de los

voltajes en cada uno de los elementos de la malla de salida.
Por lo tanto, si se conoce el valor eficaz de la corriente

eléctrica en la carga I RLef , es posible determinar los valores RMS
de las potencias en cada uno de los elementos, mediante:
PRLef  I RLef VRLef
PAKef  I AKef V AKef (2.15)
PSef  PRLef  PAKef
Las expresiones (2.15), nos permiten estimar la potencia

eficaz presente en la malla de salida, es importante mencionar
que en busca de hacer un uso racional de la energía en los
diseños de circuitos de potencia, es muy importante minimizar
el consumo energético; de tal manera, que la carga eléctrica
presente el funcionamiento esperado.
Además, es importante considerar que la carga eléctrica

puede ser cualquier actuador de uso industrial y estos a su vez

pueden exhibir efectos capacitivos o inductivos, tal como suele

pasar en motores, electroválvulas y calefactores, entre otros.
Por otro lado, veamos el respectivo análisis para la malla

de entrada (recordar que se trata de valores instantáneos).
Aplicando LVK para la malla de entrada, tenemos:
VS  iG RG  VGK  0 (2.16)
Siendo iG valores instantáneos de la corriente eléctrica

por el terminal de puerta o compuerta, RG la resistencia de
puerta y VGK el voltaje establecido entre los terminales puerta
cátodo, después de activado el SCR, para efectos prácticos, de
ahora en adelante se asumirá, tanto para los análisis como para
los diseños de circuitos de potencia, que VGK  1,5V una vez que
el SCR entre en funcionamiento.
Ahora, si sustituimos VS  vt   V p sen(t ) en la expresión

(2.16) y despejamos para RG , obtenemos:
V p sen  VGK
RG  (2.17)
I Gon
Nótese que en la expresión (2.17)   t ; es decir, el

ángulo de activación o disparo del SCR y que iG  I Gon , lo cual
quiere decir que se toma como valor instantáneo, el valor de la
corriente de activación del SCR, el cual se puede determinar
experimentalmente o es especificado por el fabricante del
dispositivo de potencia en las hojas de especificaciones
técnicas. La expresión (2.17) es muy útil para el análisis y
diseño de la malla de entrada. Si tenemos un ejercicio de
análisis, buscamos dar obtener corrientes o el ángulo de
disparo del SCR y si se trata de un ejercicio de diseño, damos
por criterio de diseño la I Gon y obtenemos el valor de circuitos
de RG .
La Expresión (2.17) también nos muestra que si RG es

variable, se puede modificar  y por lo tanto, variar la potencia
eléctrica entregada a la carga.
Por otro lado, la potencia máxima consumida por RG y

entre los terminales puerta cátodo, se puede determinar a
partir de:
PRGmáx  V p2 RG
 Vp 
PGKmáx  I pVGK   VGK (2.18)
R
 G
PSmáxin  PRGmáx  PGKmáx
Nótese que PSmáxin es la potencia máxima en la fuente de

alimentación, debida a la malla de entrada. Veamos a
continuación ejercicios de análisis y diseño de circuitos que
involucren el SCR
Ejercicio 2.1 Diseñar un circuito de potencia eléctrica

para un calefactor cuyo valor de corriente RMS sea I RLef  1A , un
ángulo de disparo del SCR   60 y para la red eléctrica de
VSRMS  110V .
Desarrollo 2.1 Consideremos el circuito de la Figura 2.18,

cuyas formas de onda en la malla de salida, son similares a las
presentadas en la Figura 2.17, en donde la resistencia del
calefactor es R L .
RG RL
VS
60 Hz
Figura 2.18. Circuito de potencia para calefactor.
Por lo tanto, aplicando LVK en la malla de salida,

obtenemos la expresión (2.9), dada por:

VSef  VRLef  V AKef  0
Luego, de la expresión (2.14), tenemos que:
Vp  1  sen2  
V AKef  1  1  
2 2  2 
Ahora sustituyendo los valores de   60   3 en

radianes y V p  155,6V , obtenemos:
V AKef  60,7V
Luego despejado de la expresión (2.9), tenemos:
VRLef  VSef  VAKef  110V  60,7V  49,3V
Con estos valores del voltaje RMS en cada elemento de la

malla de salida, podemos determinar las potencias en cada uno
de los elementos, empleando las expresiones (2.15), de la
siguiente manera:
PRLef  I RLef VRLef  (1A)(49,33V )  49,33W

PAKef  I AKef V AKef  (1A)(60,7V )  60,7W
PSef  PRLef  PAKef  49,3W  60,7W  110W
Se puede observar en estos cálculos que la potencia RMS

total en la malla de salida, concuerda con lo esperado y
además, se puede observar que la potencia entre ánodo y
cátodo es mayor que en la carga eléctrica, esto se debe a que la
mayor parte del tiempo el dispositivo SCR no está conduciendo.
Así que el valor de gran importancia es el valor RMS en la carga.
Veamos ahora los cálculos para la malla de entrada.

Asumimos I Gon  1mA (lo recomendado es conocer
experimentalmente el valor de ésta corriente eléctrica) y
sustituimos valores en la expresión (2.17) así:
V p sen  VGK (155,6V )( 3 2)  0,7V

RG    134 K
I Gon 1mA
Por otro lado, la potencia máxima consumida por RG ,

partir de las expresiones (2.18):
PRGmáx  V p2 RG  (155,6V ) 2 134K  180mW

 Vp   155,6V 
PGKmáx  I pVGK   VGK   0,7V  5,25W
 RG   133,25K 
PSmáxin  PRGmáx  PGKmáx  180mW
Nótese que la potencia entre los terminales puerta y

cátodo es despreciable comparada con la potencia máxima en
la resistencia RG . Además, la malla de salida consume una
potencia mucho mayor que la malla de entrada, tal como era de
esperarse. Este resultado nos permite entender la respuesta del
SCR y los tiristores en general como dispositivos electrónicos
que permiten acoplar y amplificar potencia eléctrica.
Por otro lado, si se desea el control de la potencia en la

carga, la resistencia de puerta puede ser reemplazada por un
potenciómetro y éste permitirá variar el ángulo de disparo del
SCR y por lo tanto, la potencia eléctrica en la carga o calefactor.

ángulo de disparo del SCR   120 y para la red eléctrica de
VSRMS  110V .
Desarrollo 2.2 Por tratarse de un   120 , Consideremos

el circuito de la Figura 2.19, cuyas formas de onda en la malla
de salida, son similares a las presentadas en la Figura 2.17, en
donde la resistencia del calefactor es R L .

###
2.4. A NÁLISIS
10 Y DISEÑO DE CIRCUITOS DE POTENCIA BASADOS EN EL SCR 61
6 iRG R
RL
Y Axis Title
iG iL VS
4 60 Hz
iC C
Figura 2.19. Circuito de potencia para el calefactor.

0
0 2 4 6 8 10
X Axis Title
VSef  VRLef  V AKef  0
Vp  1  sen2  
V AKef  1  1  
2 2  2 
Ahora sustituyendo los valores de   120  3 2 en

V AKef  85,7V
VRLef  VSef  VAKef  110V  85,7V  24,3V

siguiente manera:

PAKef  I AKef VAKef  (1A)(85,7V )  85,7W

además, se puede observar que la potencia entre ánodo y
cátodo es mayor que en la carga eléctrica, esto se debe a que la
mayor parte del tiempo el dispositivo SCR no está conduciendo.
Así que el valor de gran i mportancia en los cálculos

anteriores, es el valor RMS en la carga.

V p sen  VGK (155,6V )( 3 2)  0,7V

RG    134 K
I Gon 1mA

PRGmáx  V p2 RG  (155,6V ) 2 134K  180mW

 Vp   155,6V 
PGKmáx  I pVGK   VGK   0,7V  5,25W
 R G   133, 25 K 
PSmáxin  PRGmáx  PGKmáx  180mW

cátodo es despreciable comparada con la potencia máxima en
la resistencia RG . Además, la malla de salida consume una
potencia mucho mayor que la malla de entrada, tal como era de
esperarse.

Este resultado nos permite entender la respuesta del SCR

y los tiristores en general como dispositivos electrónicos que
permiten acoplar y amplificar potencia eléctrica.
Además, el valor de la capacitancia se puede determinar a

partir de la constante de tiempo, del circuito en la malla de
entrada, dada por   RG C  t      (2f ) .
Esta constante aparece como consecuencia de la

resistencia de puerta y el capacitor de entrada. Por lo tanto,
sustituyendo valores y considerando la frecuencia de la red
f  60Hz , tenemos:
 2
RG C    5,55ms
 3(2 (60 Hz))
Despejando para el valor del capacitor, obtenemos:
 5,55ms
C   0.041F
RG 134 K
De esta manera hemos determinado los valores de todos

los elementos del circuito de la Figura 2.19.
Hemos presentado el principio básico de funcionamiento

del SCR y se analizaron y diseñaron configuraciones básicas de
circuitos para activar o disparar SCR’s en circuitos de potencia.

2.1. Explicar el funcionamiento de un SCR.
2.2. Explicar el efecto de avalancha.


eléctrico del SCR?

de circuitos de potencia que involucran como dispositivo
conmutador de potencia el SCR?
2.5. Pregunta de selección múltiple con única respuesta.

R1 Amperímetro
6V 120Ω
Figura 2.20. Circuito de prueba del SCR
Mediante el circuito de la Figura 2.20, se realiza la

siguiente prueba al SCR:
a. Corriente de manteni miento.
b. Desconectar la carga en los semiciclos positivos.
c. Proteger el sistema de conmutación y recuperar la
energía almacenada.
d. Conmutación.
e. Mide la corriente máxima del dispositivo.
2.6. Identificar ventajas y desventajas en el funcionamiento de

cada uno de los circuitos de disparo del SCR presentados
en la Figura 2.21

Figura 2.21. Circuito de disparo del SCR
2.7. Explicar el funcionamiento y encontrar cada una de las

características eléctricas del circuito presentado en la
Figura 2.22.
Figura 2.22. Circuito de control de potencia.
2.8. Diseñar un circuito electrónico de potencia con SCR que

permita que un motor ac de 220V (RMS), funcione a 1 A
(RMS) cuando el ángulo de disparo sea de 60°.

(RMS) para un ángulo de disparo de 60° y a 0,5 A (RMS)
para un ángulo de disparo de 120°.

permita que un horno de uso industrial de 220V (RMS),
funcione a 10 A (RMS) para un ángulo de disparo de 40°.

permita que un calefactor de 220V (RMS), funcione a 1A
(RMS) para un ángulo de disparo de 80°.

Capítulo 3
Métodos de Disparo del
SCR
Existen diferentes alternativas para hacer que un SCR entre en

conducción, denominados métodos de disparo del SCR. En este
capítulo, se presenta el análisis y diseño de algunas alternativas
de circuitos electrónicos para la activación o el disparo de
tiristores unidireccionales como el SCR, las cuales se basan en
el principio de funcionamiento del oscilador de relajación. Se
estudian las configuraciones de circuitos de red RC, UJT, PUT y
SUS. Finalmente, el lector encontrará una serie de 10 ejercicios
de análisis y diseño de circuitos de disparo del SCR, los cuales
pretenden reforzar los temas tratados en este capítulo.
3.1. ACTIVACIÓN DEL SCR EMPLEANDO

OSCILADORES DE RELAJACIÓN
Los SCR también pueden ser activados por un circuito
electrónico que ofrezca un pulso de corriente en la entrada.
En términos generales, éste método evita que se consuma

potencia en la puerta, cuando el SCR no está activado y además,
presenta la ventaja de que se puede implementar, considerando
sincronismo entre las señales de entrada y salida.
La principal desventaja de estas alternativas de disparo

del SCR se basa en el incremento de componentes electrónicos,
lo cual implica un aumento de los costos de realización del
circuito de potencia y además inc rementa los cálculos, lo cual
influencia el tiempo de desarrollo de circuitos de potencia.
Por otro lado, en vista de las oportunidades que ofrecen

las diferentes alternativas de disparo del SCR. En la Figura 3.1,
se presenta el principio de funcionamiento del método de
disparo de SCR, considerando el método de circuitos
osciladores de relajación.
Se puede observar que en la puerta del SCR, se entrega un

pequeño pulso de corriente eléctrica, el cual se encarga de
activar el SCR. El circuito oscilador de relajación, se polariza
con una fuente en DC y después de un tiempo determinado
produce el pulso de corriente en su salida, el cual define el
ángulo de disparo del SCR y por lo tanto la potencia eficaz
entregada a la carga tal como se estudió en el capítulo anterior.
La fuente de DC es proporcionada por la misma red

eléctrica a la cual está conectada la carga eléctrica. Esto es
posible gracias al diodo zener y al diodo rectificador, el cual se
encarga de aislar eléctricamente, el diodo zener del circuito
oscilador.

3.2. A CTIVA CIÓN DEL SCR EMPLEANDO RED RC 69
Figura 3.1. Disparo del SCR mediante circuito básicos de

oscilador de relajación.
Veamos a continuación, la opción más simple, en la cual

se considera una red resistencia condensador, tal como se
puede observar en la Figura 3.2.
3.2. ACTIVACIÓN DEL SCR EMPLEANDO RED

RC
En el circuito de la Figura 3.1, cuando el voltaje en el
capacitor se hace igual al voltaje puerta cátodo, el SCR entra en
conducción y el capacitor se descarga a través de la puerta y el
cátodo.
Entonces, como la red RC comprende un circuito

electrónico descrito matemáticamente, por una ecuación
diferencial de primer orden, la solución de esta ecuación
diferencial, para el caso en el cual se carga el capacitor, está
dada por:
VC (t )  VDC 1  exp  t    VGK (3.1)
Donde   RC es la constante de tiempo del circuito y la

variable independiente t es el tiempo.
Figura 3.2. Disparo del SCR mediante red RC
Despejando de la expresión (3.1), tenemos:
 VDC 
t  Ln  T (3.2)
VDC  VGK 
La expresión (3.2), se interpreta como el tiempo necesario

para que el capacitor alcance el voltaje de puerta cátodo T . Este
tiempo, se encuentra relacionado con el ángulo de conducción
mediante :
 
T t   (3.3)
 2f
La expresión (3.3) fue vista en la realización del ejercicio

2.2. En este tema, el cálculo se realizó de una manera similar al
realizado en el ejercicio en mención. Por otro lado, en el
circuito de la Figura 3.3, la fuente VDC  VZ  VD , siendo VD  0,7V
el voltaje del diodo rectificador de silicio. Es importante
mencionar que mientras el SCR no se ha activado, el voltaje
ánodo cátodo es el mismo de la fuente y por lo tanto, la
resistencia limitadora de corriente por el zener puede ser
calculada a partir de:

3.2. A CTIVA CIÓN DEL SCR EMPLEANDO RED RC 71
(3.4)
Vs (t )  iRD RD  VZ  0
La expresión (3.4), se obtiene de aplicar LVK a la rama

comprendida por la resistencia y el diodo zener. Ahora,
despejando para R D , tenemos:
V p sen( )  VZ
RD  (3.5)
iRD
Así que estableciendo el valor de la corriente por R D ,

mediante la expresión (3.5) podemos obtener el valor de la
resistencia.
Veamos un ejercicio de análisis y diseño de circuito de

potencia basado en el circuito de la Figura (3.2).

ángulo de disparo del SCR   120 y considerar que el voltaje
de la red eléctrica es VSRMS  110V .

presentadas en la Figura 2.17, en donde la resistencia del
calefactor es R L . Los cálculos de la malla de salida son los
mismos del ejercicio 2.2 por lo tanto no se realizarán en este
ejercicio, y pasaremos a los cálculos que involucran la malla de
entrada. Así que mediante la expresión (3.3), obtenemos:
 (2 / 3)
T t    5,55ms
 2f
Considerando un diodo zener de VZ  5,1V , tenemos que
VDC  VZ  VGK  5,1V  0,7V  4,4V

Luego de la expresión (3.2), obtenemos:
1
  VDC 
  T  Ln   RC  32ms
 VDC  VGK 
Por otro lado, considerando la expresión (2.17) del

capítulo 2 y asumiendo por criterio de diseño I Gon , tenemos:
V p sen  VGK (155,6V )( 3 2)  0,7V

RG  R    134 K
I Gon 1mA
Luego el valor del capacitor, puede ser obtenido a partir

de
 32ms
C   0,24F
R 134 K
Ahora empleando la expresión (3.5) y asumiendo por

criterio de diseño una corriente por la resistencia de protección
del zener mucho mayor a la corriente por el diodo rectificador
iRD  10mA , podemos obtener:
V p sen( )  VZ (155,6V )( 3 / 2)  5,1V

RD    13K
iRD 10mA
La potencia máxima más importante en el circuito de

entrada, es la potencia en la resistencia de protección del zener
R D , la cual se puede determinar mediante:
Vs2 (V p sen( ))
2
(155,6V ( 3 / 2)) 2
PRDmáx     1,40W
RD RD 13K
Es importante tener en cuenta que este valor se trata de

una potencia instantánea y que no corresponde a un valor de
potencia eficaz.
Veamos otra alternativa de circuito electrónico de

3.3. A CTIVA CIÓN DEL SCR M EDIANTE EL UJT 73
potencia, para lograr el disparo del SCR, el cual se basa en el

transistor de mono unión.
3.3. ACTIVACIÓN DEL SCR MEDIANTE EL UJT

El transistor de uniunión UJT (Unijunction Transistor),
puede ser configurado como circuito osc ilador de relajación y
activar el SCR, tal como se presenta en el circuito de la Figura
3.1. El UJT Tiene tres terminales denominados emisor (E), base
uno (B1) y base dos (B2). Está formado por una barra
semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que se
difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo
de la barra, lo que determina el valor del parámetro  , stand
off ratio, conocido como razón de resistencias o factor
intrínseco, ), tal como se presenta en las Figuras 3.3.
Cuando el voltaje Veb1 sobrepasa un valor Vrup de ruptura,

el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que,
al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la
resistencia de éste baja y por lo tanto, también baja el voltaje
en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia
negativa, este es un proceso reiterativo, por lo que esta región
no es estable, lo que lo hace un excelente candidato para
conmutar señales eléctricas en circuitos de disparo de tiristores
como el SCR y en circuitos osciladores de relajación.
Figura 3.3. UJT: a) terminales y estructura, b) configuración de

circuito y c) Circuito equivalente.
En la Figura 3.4 se presenta un circuito ejemplo de la

activación o disparo del SCR, empleando el UJT. Como se puede
observar en esta Figura, el UJT permite un pulso de corriente
cuando el voltaje en el capacitor alcanza el voltaje de ruptura
del circuito de UJT. A este circuito se le denomina oscilador de
relajación.
Figura 3.4. Disparo del SCR mediante el UJT.
En la Figura 3.5, se presenta la evolución de los voltajes

en la entrada V S , el voltaje en el diodo zener VZ , el voltaje en el
###
capacitor VC , el voltaje entre puerta cátodo VGK  VR1 y el voltaje

10
en la carga.
10
vS
10
0 0
t 10
vz
0
10
0
t 10
vc
10
0
0 t 10
vR1
0
0
t 10
VRL
0 
0
t 10
Figura 3.5. Formas de onda en el circuito de disparo del SCR

mediante UJT.

También se puede observar en esta Figura 3.5, como el

circuito funciona de manera sinc ronizada con el voltaje de
entrada y la influencia del voltaje del capacitor en el disparo
del SCR lo cual produce que la carga entre en conducción.
Ahora, consideremos el circuito equivalente de la Figura

3.3 c). Encontramos que el voltaje de ruptu ra, está dado por:
Vrup  VEE1  VrB1 (3.6)
En donde VEE1  VD  0,7V es el voltaje de la unión pn y

VrB1 es el voltaje en la resistencia del terminal 1. Si suponemos
que entre las terminales B2 y B1 conectamos una fuente de
voltaje VDC , tenemos que:
rB1VDC r V
VrB1   B1 DC  VDC (3.7)
rB1  rB 2 rBB
Siendo  un factor de resistencias del UJT. Este

parámetro es ofrecido por el fabricante del dispositivo en las
hojas de especificaciones técnicas. Este es el valor del voltaje
que se debe superar para que el UJT entre en estado de
conducción eléctrica.
En la Figura 3.3 c), también encontramos que

rBB  rB1  rB 2 , de acuerdo a lo reportado en la literatura
especializada podemos decir que rBB  (5  10) K .
Luego, si consideramos el circuito de la Figura 3.4, el

voltaje en el capacitor, está dado por:
VC  VDC (1  exp( t /  ))  Vrup (3.8)
La expresión (3.8) es la condición para que el UJT entre en

conducción. Entonces, tenemos que:
Vrup  VEE1  VrB1  VRB1 (3.9)
Asumiendo RBB  RB1  RB 2 , podemos obtener que:
 rB1 R B1 
Vrup  VEE 1  VDC    (3.10)
 RBB  rBB RBB  rBB 
Y consideramos el factor de resistencias en la malla de

salida como:
 rB1 R B1 
*    
R
 BB  rBB RBB  rBB 
Entonces la expresión (3.9) puede escribirse como:
Vrup  VEE1   *VDC (3.11)
Ahora despejando para la variable independiente en la

expresión (3.8), obtenemos:
 VDC 
t  Ln  (3.12)

 VDC  Vrup 

Siendo   RE C . La expresión (3.12) permite determinar el

tiempo en el cual se requiere la conducción del UJT y por lo
tanto el disparo del SCR. Obsérvese la similitud entre las
expresiones (3.2) y (3.12). Esto se debe al efecto predominante
de la carga del capacitor en la producción del pulso de
corriente eléctrica.
Veamos un ejemplo de análisis y diseño de circuitos de

disparo del SCR considerando el UJT.

para una carga cuyo valor de corriente RMS sea I RLef  1A , un

ángulo de disparo del SCR   120 , considerando que el voltaje
de la red eléctrica es VSRMS  110V y que el SCR se dispara
mediante la utilización de un UJT.

cuyas formas de onda en las mallas de salida y entrada, son
similares a las presentadas en la Figura 3.5, en donde la
resistencia de carga es R L . Los cálculos de la malla de salida
son los mismos del ejercicio 2.2 por lo tanto, no se realizarán
en este ejercicio, y pasaremos a los cálculos que involucran la
malla de entrada. Así que mediante la expresión (3.3), tenemos:
 (2 / 3)
T t    5,55ms
 2f

VDC  VZ  VGK  5,1V  0,7V  4,4V .
Ahora como VRB1  VGK  0,7V y suponemos un dispositivo

UJT con las siguientes características: rBB  10K y   0,3 ,
entonces de la expresión (3.7), obtenemos:
VrB1  VDC  0,3(4,4V )  1,32V
Así que reemplazando valores en la expresión (3.9),

podemos obtener:
Vrup  0,7V  1,32V  0,7V  2,72V
Luego despejando para  de la expresión (3.12),

obtenemos:
1
  V 
  T  Ln DC
   RE C  5,76ms
 VDC  Vrup  
Así que damos por criterio de diseño el valor del
capacitor C  0,1F y por lo tanto RE  57,6K . Ahora

empleando la expresión (3.5) y asumiendo por criterio de
diseño una corriente por la resistencia de protección del zener
muc ho mayor a la corriente por el diodo rectificador iRD  10mA ,
podemos obtener:
V p sen( )  VZ (155,6V )( 3 / 2)  5,1V

RD    13K
iRD 10mA

Vs2 (V p sen( ))
2
(155,6V ( 3 / 2)) 2
PRDmáx     1,40W
RD RD 13K
Es importante tener en cuenta que este valor se trata de

potencia eficaz. Veamos otra alternativa de circuito electrónico
de potencia, para lograr el disparo del SCR, el cual se basa en el
PUT.
3.4. ACTIVACIÓN DEL SCR EMPLEANDO PUT

El transistor uniunión programable PUT por sus siglas en
inglés (Programmable Unijunction Transistor) es un dispositivo
semiconductor de cuatro capas (PNPN) cuyo funcionamiento es
similar al del UJT. Es un tipo de tiristor unidireccional, al cual
algunas veces, se le llama "tiristor disparado por ánodo" debido
a su configuración, la cual se presenta en la Figura 3 .6. En
donde  es el factor de resistencias de programación. Las
resistencias R1 y R 2 son externas y se encargan de definir el
voltaje de programación V prog .
Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de

tiempos, pero es más flexible, ya que la puerta se conecta a un
divisor de voltaje el cual permite variar la frecuencia del

3.4. A CTIVA CIÓN DEL SCR EMPLEANDO PUT 79
oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.
Figura 3.6. PUT: a) terminales y estructura, b) configuración de

circuito y c) Circuito equivalente.
En la Figura 3.7 se presenta el diagrama de circuito, el

circuito equivalente y la curva característica del PUT. En esta
última se puede observar que existe una región de resistencia
negativa la cual una vez superada, permite que el PUT entre en
conducción de manera estable.
Figura 3.7. PUT: a) terminales y símbolo electrónico, b) circuito

equivalente en tecnología BJT c) Curva característica.
El PUT entra en funcionamiento cuando el voltaje de

programación en el terminal puerta excede en 0,7V al voltaje en
el terminal ánodo, tal como se puede observar en la Figura 3.7
En la Figura 3.8, se presenta el circuito de potencia de
disparo del SCR mediante PUT. Se puede observar que este

dispositivo se encarga de enviar un pulso de corriente
establecido por el voltaje de programación así cuando el voltaje
en el capacitor sea mayor en 0,7V el voltaje de programación.
Figura 3.8. Disparo del SCR mediante el PUT.
La evolución de los voltajes en el circuito de la Figura 3.8,

10
###
se presenta en la Figura 3.9.
10
vS
10
0 0
t 10
vz
0
10
0 t 10
vc
10
0
0 t 10
vRs
0
0
t 10
VRL
0 
0
t 10
Figura 3.9. Formas de onda en el circuito de disparo del

SCR mediante PUT.

3.4. A CTIVA CIÓN DEL SCR EMPLEANDO PUT 81
Así que aplicando un análisis al circuito divisor de voltaje

comprendido por las resistencias R1 y R 2 , encontramos que el
voltaje de programación, está dado por:
R 2VDC
V prog   VDC (3.13)
R1  R 2
R2
Siendo   el factor de resistencias.
R1  R 2
Realizando un análisis muy similar al de las expresiones

(3.2) y (3.12), podemos encontrar para el circuito de la Figura
3.8 que el tiempo en el cual se cumple que
VC  V AG  V prog  0,7V  V prog , está dado por:
 VDC 
t  Ln  (3.14)
VDC  V prog 
La similitud entre estas expresiones permite realizar bajo

metodologías unificadas análisis y diseños basados
exclusivamente en la respuesta del circuito que activa o dispara
el SCR.
Veamos un ejemplo de análisis y diseño de circuitos de

disparo del SCR considerando el PUT.

mediante la utilización de un PUT.


 (2 / 3)
T t    5,55ms
 2f

VDC  VZ  VGK  5,1V  0,7V  4,4V .
Ahora como VRs  VGK  0,7V y suponemos un dispositivo

PUT en el cual asumimos por criterio de diseño que
R1  10K  R2 , por lo tanto   0,5 , entonces de la expresión
(3.13), obtenemos:
Vprog  VDC  0,5(4,4V )  2,2V
Así que reemplazando valores en la expresión (3.14) y

despejando para  , podemos obtener:
1
  VDC 
  T  Ln   RC  8ms
 VDC  V prog  

capacitor C  1F y por lo tanto R  8K .

V p sen( )  VZ (155,6V )( 3 / 2)  5,1V

RD    13K
iRD 10mA

3.5. DISPA RO DEL SCR M EDIANTE EL SUS 83

Vs2 (V p sen( ))
2
(155,6V ( 3 / 2)) 2
PRDmáx     1,40W
RD RD 13K
Es importante tener en cuenta que este valor se asocia a

potencia eficaz. Veamos otra alternativa de circuito electrónico
de potencia, para lograr el disparo del SCR, el cual se basa en el
principio de funcionamiento del SUS.
3.5. DISPARO DEL SCR MEDIANTE EL SUS

El SUS (Silicon Unilateral Switch) es un interruptor
unilateral de silicio, el cual se construye basado en un diodo de
cuatro capas de materiales PNPN, tal como se puede observar
en la Figura 3.10 a); el SUS también está compuesto por las
terminales ánodo, cátodo y puerta, tal como se presenta en la
Figura 3.10 b).
En la Figura 3.10 c) se puede observar que su circuito

equivalente en tecnología BJT, en donde se puede observar que
si se establece entre las terminales ánodo y cátodo un voltaje
igual al voltaje de ruptura Vsus , el dispositivo entra en
conducción.
Además, este dispositivo también puede ser entendido

como un PUT con un diodo zener en paralelo, tal como se
presenta en la Figura 3.10, el cual establece un voltaje de
ruptura o conducción cuyos valores reportados en la literatura
especializada se encuentran comprendidos desde Vsus  6V
hasta Vsus  10V .
Figura 3.10. SUS: a) estructura, b) configuración de circuito, c)

Circuito equivalente en BJT y d ) en PUT.
En la Figura 3.11, se presenta la curva característica del

SUS, se puede observar que a partir del voltaje de rupturaA Vsus ,
el dispositivo puede
10 entrar fácilmente en conducción eléctrica,
para una corriente estable. G
A
K
IA
G
K
Ir=IH
IP
0
Vsus VAK
0 10
Figura 3.11. Curva característica I-V del SUS
Una configuración de circuito oscilador de relajación, se

presenta en la Figura 3.12. Se puede observar que cuando el
voltaje en el capacitor se hace mayor al voltaje de ruptura del
SUS, éste entra en conducción eléctrica y aparece un pulso de
corriente eléctrica en la resistencia Ro .

10 V
+VDC
8
R Vsus
(6-10)V V
6 C
Y Axis Title
t
4 Ro
Figura 3.12. Oscilador de relajación con SUS.

0
0 2 4 6 8 10
El principio de funcionamiento del circuito de la Figura
X Axis Title
3.12, se puede aprovechar para lograr la activación o disparo de
un circuito de potencia que involucre el SCR, tal como se
presenta en el circuito de la Figura 3.13.
En esta Figura se puede observar que el pulso de

corriente proporcionado por el circuito oscilador de relajación
considerando el SUS, permite el disparo del SCR y por lo tanto,
el control de la potencia eléctrica entregada a la carga . De esta
manera es posible obtener ángulos de disparo considerables.
Figura 3.13. Disparo del SCR mediante el SUS.
Las formas de onda de los voltajes en el circuito de la

Figura 3.13, se presentan en la Figura 3.14. Se puede observar

que los picos del voltaje en la salida del circuito oscilador de
relajación coinciden con el ángulo de disparo del SCR y de esta
manera se logra el control de la potencia en la carga.
###
Se puede establecer que el valor del pico de voltaje en la

10
resistencia de salida del SUS VRo  VGK  0,7V .

10
vS
10
0 0
t 10
vz
0
10
0 t 10
vc
10
0
0 t 10
vRo
0
0
t 10
VRL
0 
0 t 10
Figura 3.14. Formas de onda en el circuito de disparo del

SCR empleando el SUS.
Como la condición para que se produzca el pulso de

corriente en el circuito oscilador de relajación, es que el voltaje
en el capacitor sea VC  VSUS  VRo  VSUS  VGK  Vr .
Ahora, realizando un análisis muy similar al de las

expresiones (3.2) y (3.12), podemos encontrar para el circuito
de la Figura 3.13 que el tiempo en el cual se cumple que VC  Vr ,
está dado por:
 VDC 
t  Ln  (3.15)
VDC  Vr 
La similitud entre estas expresiones permite realizar bajo

metodologías unificadas análisis y diseños basados

exclusivamente en la respuesta del circuito que activa o dispara
el SCR.
Veamos a continuación un ejemplo de análisis y diseño

de un circuito de disparo del SCR considerando el SUS.

mediante la utilización de un SUS.

 (2 / 3)
T t    5,55ms
 2f
VDC  VZ  VGK  10,2V  0,7V  9,5V .
Ahora como VRo  VGK  0,7V y suponemos un dispositivo

SUS el cual presenta un VSUS  6V , por lo tanto, el voltaje de
ruptura será Vr  VSUS  VRo  6V  0,7V  6,7V .
Así que reemplazando valores en la expresión (3.15) y

despejando para  , podemos obtener:
1
  VDC 
  T  Ln   RC  2ms
 VDC  Vr 

capacitor C  1F y por lo tanto R  2K .

V p sen( )  VZ (155,6V )( 3 / 2)  5,1V

RD    13K
iRD 10mA

Vs2 (V p sen( ))
2
(155,6V ( 3 / 2)) 2
PRDmáx     1,40W
RD RD 13K

de los tiristores unidireccionales UJT, PUT y SUS. Así mismo, se
estudiaron alternativas de circuitos de disparo del SCR, las
cuales se analizaron y diseñaro n bajo el enfoque de oscilador
de relajación

3.1. Explicar el funcionamiento de los tiristores

unidireccionales UJT, PUT y SUS.
3.2. Explicar cómo se presenta el efecto de avalancha en los

tiristores UJT, PUT y SUS.


eléctrico de los dispositivos UJT, PUT y SUS?

de circuitos de potencia que involucran osciladores de
relajación?
3.5. ¿Qué le sucedería al circuito de la Figura 3.15, si la

resistencia de protección del zener R D se conecta antes de
la carga?
Figura 3.15. Disparo del SCR mediante un circuito oscilador de

relajación.
cada uno de los circuitos de disparo del SCR presentados
en las Figuras 3.2, 3.4, 3.8 y 3.13.

Figura 3.16.
Figura 3.16. Circuito oscilador de relajación empleando PUT.

(RMS) cuando el ángulo de disparo sea de 60°,
considerando un circuito de disparo del SCR empleando
una red RC.

funcione a 10 A (RMS) para un ángulo de disparo de 40°,
empleando como método de disparo del SCR un circuito
oscilador de relajación.

(RMS) para un ángulo de disparo sea de 80°, empleando un
SUS en configuración de oscilador de relajación para
activar el SCR. Considerar que el VSUS  8V .

Capítulo 4
Tiristores
Bidireccionales
En este capítulo se presenta el principio básico de

funcionamiento de los tiristores bidireccionales de uso
frecuente en circuitos de potencia. Así mis mo, se presentan
ejemplos del análisis y diseño de circuitos de control de
potencia empleando los dispositivos TRIAC, DIAC, CUADRAC y
SBS. Finalmente, el lector encontrará una serie de 11 ejercicios
de análisis y diseño de circuitos de disparo del SCR, los cuales
pretenden reforzar los temas tratados en este capítulo.
4.1. GENERALIDADES DE LOS TIRISTORES

BIDIRECCIONALES
Los tiristores bidireccionales son dispositivos
electrónicos, los cuales permiten la conmutación de la corriente
alterna en ambos ciclos, a esto se debe el término bidireccional.
La conmutación en ambos ciclos les permite un control de la
potencia eléctrica entregada a la carga mayor que para el caso
de los tiristores unidireccionales.
Presentan características eléctricas, que les permiten la

conmutación de corrientes en DC y AC, con ventajas
comparativas muy superiores a los interruptores
convencionales y los relés. Entre los dispositivos tiristores
comerciales, tenemos: el TRIAC, el DIAC, el CUADRAC y el SBS.
El éxito de estos dispositivos de conmutación, los cuales

han sido empleados en la construcción de c ircuitos de potencia
eléctrica, se debe a que la mayor cantidad de potencia puede
ser entregada a la carga, cuando el dispositivo entra en
conducción, esto se debe a los bajos voltajes de conmutación
que presentan los tiristores.
Los tiristores bidireccionales al igual que los tiristores

unidireccionales, pueden ser activados por un circuito
electrónico que ofrezca un pulso de corriente en la entrada.
En términos generales, éste método evita que se consuma

potencia en la puerta del dispositivo, cuando el tiristor no está
activado y además, presenta la ventaja de que se puede
implementar, considerando sincronismo entre las señales de
entrada y salida.
La principal desventaja de estas alternativas de disparo

de los tiristores bidireccionales se basa en el incremento de
componentes electrónicos, lo cual implica un aumento de los
costos de realización del circuito de potencia y además
incrementa los cálculos, lo cual influencia el tiempo de

4.2. EL TRIA C 93
desarrollo de circuitos de potencia.
Por otro lado, en vista de las oportunidades tecnológicas

que ofrecen los tiristores bidireccionales, veamos a
continuación aspectos básicos de su funcionamiento y
alternativas de análisis y diseño de circuitos que permitan
hacer un uso racional de la energía.
4.2. EL TRIAC
El Tríodo para Corriente Alterna (TRIAC) es un
dispositivo semiconductor, el cual permite la conducción
eléctrica, para ambos ciclos de la corriente alterna, por lo cual
se le denomina tiristor bidireccional; es decir, que se trata de
un dispositivo que permite la conmutación de la corriente
alterna.
Su estructura interna es similar en cierto modo, a la

disposición que formarían dos SCR en configuración de circuito
antiparalelo, tal como se puede observar en las Figuras 4.1 .
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la

denominación de ánodo y cátodo) y puerta G. El disparo del
TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta o
compuerta. Su versatilidad lo hace ideal para el control de
corrientes alternas.
Entre las aplicaciones más sobresalientes de este

dispositivo, tenemos la de interruptor estático, la cual ofrece
ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y
los relés, tales como bajo ruido de conmutación, sin inercia y
desgaste mecánico.
Estos dispositivos también se utilizan en circuitos de baja

potencia tales como: atenuadores de luz, controles de velocidad
para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros.
No obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas

G A G
como
1 motores eléctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse10 que el TRIAC se apaga
correctamente al final de cada semiciclo
Rmod de la onda de
Corriente alterna. P1
A1 A2 8
P1 G
n1
REE
-
n1 P
6 n3
Y Axis Title
P1
-
REE
P A2 A2
n3 n1 MT2
4
P
- G
A2 n3
2 G
A2 A1 Main Terminal
A1 MT1
a) b) 0
c)
0 2 4 6 8
X Axis Title
Figura 4.1. TRIAC: a) Estructura, b) circuito equivalente y c )
Símbolo de circuito.
2 4 6 8 10
6 8 En
X Axis Title
la Figura
10 4.2 a) se presentan las curvas I-V
características del TRIAC, se puede observar la simetría que
s Title
exhiben estos dispositivos en la conducción eléctrica. Una vez
superado el voltaje de conducción el dispositivo puede permitir
el paso de una alta corriente eléctrica de manera estable.
En el circuito de la Figura 4.2 b), se puede observar las

condiciones de polarización del TRIAC, las cuales permiten el
funcionamiento del dispositivo. Para el caso del voltaje entre la
puerta y cualquiera de las terminales principales, tenemos
VGA  (0,6  2,0)V , la corriente de puerta I G  (0,1  20)mA y el
voltaje entre las terminales V AA  (1  2,0)V .

4.2. EL TRIA C 95
Figura 4.2. TRIAC: a) curva I-V, b) condiciones de

funcionamiento y c ) símbolo de circuito.
El TRIAC puede ser empleado en circuitos interruptores

de potencia en DC, en la Figura 4.3 presentamos ejemplos de la
configuración de circuitos en DC.
Los diodos en inversa se utilizan para proteger el

dispositivo de conmutación, contra voltajes autoinducidos por
la carga inductiva, en este caso se trata de un motor de
corriente continua o DC, sin embargo la carga puede ser
cualquier tipo de actuador eléctrico o electrónico.
Es importante tener presente que estos circuitos siempre

entraran en funcionamiento, si se logra garantizar que la
corriente eléctrica en la carga sea mayor que la corriente de
mantenimiento I Ho  100mA del dispositivo. Esto quiere decir
que cargas de menor corriente no podrán ser activadas con este
tipo de tecnología electrónica, para tal caso recomendamos los
transistores de potencia. En la Figura 4.3 a) se puede observar
una activación del TRIAC por medio de una resistencia de
puerta, esta configuración es la más sencilla y de bajo costo de
implementación, sin embargo si el voltaje de polarización es
alto esta puede llegar a presentar un alto valor.
En la Figura 4.3 b) se presenta la alternativa de divisor de

voltaje en la puerta, esta configuración de disparo del TRIAC
puede ofrecer la ventaja de disminuir los valores de las

resistencias pero presenta el inconveniente de elevar los costos
de implementación. En la Figura 4.3 c) se presenta la alte rnativa
de disparo de TRIAC empleando la retroalimentación, es una
configuración útil y de bajo costo de implementación. En la
Figura 4.3 d) se presenta una configuración de circuito por
retroalimentación y divisor de voltaje en el terminal puerta, la
resistencia adicional puede incrementar los costos de
implementación.
En la Figura 4.3 e) se presenta una configuración de

circuito, que sirve para temporizar el encendido de la carga; es
decir, una vez conectada la fuente de voltaje en DC, el circuito
se retarda un tiempo determinado para activar o disparar el
TRIAC y por lo tanto la corriente eléctrica es entregada a la
carga un tiempo después de establecido el voltaje en el circuito
de potencia.
Aun que son muy pocas las ocasiones en las que se

utiliza un TRIAC en DC, se trata de un dispositivo de gran
versatilidad, el bajo voltaje entre las terminales principales A1
y A2, le permiten entregar la mayor cantidad de potencia
eléctrica a la carga y por lo tanto, contribuyen a incrementar la
eficiencia del circuito electrónico de potencia.

4.2. EL TRIA C 97
Figura 4.3. Configuraciones de circuitos interruptores en DC

con TRIAC’s. a) Resistencia de puerta, b) divisor de voltaje en la
puerta c) retroalimentación de puerta d) retroalimentación de
puerta y divisor de voltaje e) interruptor temporizado.
Por otro lado, su gran acogida se encuentra en la

conmutación de la corriente alterna. En los circuitos de la
Figura 4.4, se puede observar diferentes alternativas para
configurar un circuito en AC de TRIAC’s.
En la Figura 4.4 a ) se puede observar que el disparo del

TRIAC se puede realizar empleando una resistencia en la
terminal de puerta, basta con una pulso de corriente en la
puerta y el dispositivo en mención, entra en funcionamiento.
Esta configuración presenta la ventaja de la sencillez sin
embargo la potencia demandada por la resistencia de puerta
puede llegar a ser alta. Una alternativa que presenta una bajo
consumo de potencia en la resistencia de puerta, se presenta en
la Figura 4.4 b). Estas configuraciones de circuito permiten la
conducción de corriente en la carga para ángulos de disparo
0    90 .
En la Figura 4.4 c) se presenta se presenta una

configuración de circuito, la cual emplea un capacitor en
paralelo con las terminales puerta y terminal principal, la cual
ofrece la posibilidad de incrementar el rango del ángulo de
disparo, hasta valores cercanos a 180 ; es decir, que ofrece la
posibilidad de variar el ángulo de disparo del TRIAC para los

valores 0    180 .
Figura 4.4. Configuraciones de circuitos interruptores en

AC con TRIAC’s. a) Resistencia de puerta, b) retroalimentación
c) red RC en el terminal puerta
Veamos a continuación ejemplos de análisis y diseño de

circuitos con este dispositivo.
Por tratarse de un sistema de conmutación no lineal, la

metodología empleada tanto para el análisis como para el
diseño de circuitos, consistirá en distribuir la energía en
términos de los voltajes de Kirchhoff tanto para la malla de
salida como para la entrada.
En el caso de la malla de salida, los cálculos se harán en

términos de los valores eficaces de los voltajes en cada uno de
los elementos, mientras que para la malla de entrada, los
cálculos se harán en términos de valores de voltajes
instantáneos, sin necesidad de relacionar la malla de salida con
la entrada y de esta manera evitar la singularidad presente en la
expresión (2.6) (Efecto no lineal del SCR, el cual puede ser
extendido al caso del TRIAC).

4.2. EL TRIA C 99
Ahora consideremos el circuito de la Figura 4.4 a) y las

formas de onda de los voltajes en cada uno de los elementos de
la malla de salida, las cuales se pueden observar en la Figura
4.5.
En esta última, nótese que el TRIAC se activa para un

valor de ángulo  , el cual se denomina ángulo de activación o
de disparo del TRIAC. Después de activado el TRIAC, aparece
corriente eléctrica por la carga R L .
Por lo tanto, la potencia eléctrica entregada a la carga

puede ser cambiada, por medio de la variación del ángulo  del
TRIAC, lo cual se puede lograr variando la resistencia de puerta.
Ahora aplicando ley de voltajes de Kirchhoff (LVK ) para la

malla de salida del circuito de la Figura 4.4 a), tenemos:
VS  VRL  V AA  0 (4.1)
Y en términos de sus valores RMS, la expresión (2.8)

puede ser escrita como:
VSef  VRLef  V AAef  0 (4.2)
En donde V AAef es el voltaje eficaz o RMS entre los

terminales ánodo y cátodo. Entonces veamos el cálculo de los
valores eficaces para cada uno de los elementos de la malla de
salida.
Vs
10
 t
VRL
8
6  t
Y Axis Title
VAK
4
t
2
0
Figura 4.5. Formas de onda del circuito de potencia de la Figura
0 2 4
4.4 a). 6 8 10
X Axis Title
Para el voltaje alterno de alimentación en la entrada del
circuito, de acuerdo a la expresión (1.3), tenemos:
Vp 1 V
VSef     p  0,707V p (4.3)
 2
2 2
Siendo V p la amplitud del voltaje de alimentación o

voltaje alterno de entrada. Por otro lado, como el VRL presenta
la forma de onda presentada en la Figura 4.5, el valor eficaz se
puede determinar a partir de la expresión (1.3), en términos de
la variable voltaje y considerando que x  t , de la siguiente

4.2. EL TRIA C 101
manera:

Vp 1
 V  x  cos x 
1 
sent 
2
VRLef  dt 
   2 (4.4)
p

Ahora, sustituyendo límites en la expresión (4.4), y

considerando que el TRIAC cumple el papel de rectificador
controlado en ambos ciclos, podemos encontrar que:
Vp  sen2 
VRLef  1  (4.5)
2  2
La expresión (4.5), nos indica que una variación en el  ,

puede modificar el valor del voltaje VRLef y por lo tanto, variar la
potencia entregada a la carga. Es decir, que se trata de un
circuito de control de potencia eléctrica por ángulo de disparo
del TRIAC. Luego, despejando para V AAef de la expresión (4.2),
tenemos:
V AAef  VSef  VRLef (4.6)
Sustituyendo las expresiones (4.3) y (4.5), en la expresión

(4.6), podemos encontrar que:
Vp   sen2  
V AAef  1  1    (4.7)
2  2 
Obsérvese en la expresión (4.7) que si   0 el V AAef  0V ;

este resultado concuerda con el valor eficaz esperado para una
onda senoidal, tal como se determinó en el ejercicio (1.1).
Vp  1 
Luego, si   90 entonces V AAef  1   ; es decir, que el
2 2
valor eficaz se hace mayor. Y si el ángulo de activación tiende al
valor de   180 entonces V AAef  0V , así que no es posible
entregar corriente a la carga porque no se activó el TRIAC.
Por ahora hemos conocido los valores eficaces de los

voltajes en cada uno de los elementos de la malla de salida.
Luego, si se conoce el valor eficaz de la corriente eléctrica

en la carga I RLef , es posible determinar los valores RMS de las
potencias en cada uno de los elementos, mediante:
PRLef  I RLef VRLef
PAAef  I AKef V AKef (4.8)
PSef  PRLef  PAKef
Las expresiones (4.8), nos permiten estimar la potencia

eficaz presente en la malla de salida. Es importante mencionar
que en busca de hacer un uso racional de la energía en los
diseños de circuitos de potencia, es muy importante minimizar
el consumo energético; de tal manera, que la carga eléctrica
presente el funcionamiento esperado.
Además, es importante considerar que la carga eléctrica
puede ser cualquier actuador de uso industrial y estos a su vez
pueden exhibir efectos capacitivos o inductivos, tal como suele
pasar en motores, electroválvulas y calefactores, entre otros.
Por otro lado, veamos el respectivo análisis para la malla

de entrada (recordar que se trata de valores instantáneos).
Aplicando LVK para la malla de entrada, tenemos:
VS  iG RG  VGK  0 (4.9)
Siendo iG valores instantáneos de la corriente eléctrica

por el terminal de puerta o compuerta, RG la resistencia de
puerta y VGA el voltaje establecido entre los terminales puerta
terminal principal, después de activado el TRIAC, para efectos
prácticos, de ahora en adelante se asumirá, tanto para los
análisis como para los diseños de circuitos de potencia, que

4.2. EL TRIA C 103
V AA  1,5V una vez que el SCR entre en funcionamiento.
Ahora, si sustituimos VS  vt   V p sen(t ) en la expresión

(4.9) y despejamos para RG , obtenemos:
V p sen  VGA
RG  (4.10)
I Gon
Nótese que en la expresión (4.10)   t ; es el ángulo de

activación o disparo del TRIAC y que iG  I Gon , lo cual quiere
decir que se toma como valor instantáneo, el valor de la
corriente de activación del TRIAC, el cual se puede determinar
experimentalmente o es especificado por el fabricante del
dispositivo de potencia en las hojas de especificaciones
técnicas. La expresión (4.10) es muy útil para el análisis y
diseño de la malla de entrada. Si tenemos un ejercicio de
análisis, buscamos dar obtener corrientes o el ángulo de
disparo del TRIAC y si se trata de un ejercicio de diseño, damos
por criterio de diseño la I Gon y obtenemos el valor de RG .
La Expresión (4.10) también nos muestra que si RG es

variable, se puede modificar  y por lo tanto, variar la potencia
eléctrica entregada a la carga.
Por otro lado, la potencia máxima consumida por RG y

entre los terminales puerta terminal principal, se puede
determinar a partir de:
PRGmáx  V p2 RG
 Vp 
PGKmáx  I pVGK   VGK (4.11)
 RG 
PSmáxin  PRGmáx  PGKmáx
Nótese que PSmáxin es la potencia máxima en la fuente de

alimentación, debida a la malla de entrada. Veamos a
continuación ejercicios de análisis y diseño de circuitos que

involucren el TRIAC.

para una carga lumínica cuyo valor de corriente RMS sea
I RLef  1A , un ángulo de disparo del SCR   60 y para la red
eléctrica de VSRMS  110V .

presentadas en la Figura 4.5, en donde la resistencia de la carga
lumínica es R L .
+
RL VS
110V
RG
Figura 4.6. Circuito de potencia para carga lumínica.

2
obtenemos la expresión
4 6 8
(4.2), dada
10
por:
X Axis Title
VSef  VRLef  V AAef  0
Vp  sen2 
VRLef  1 
2  2
Ahora sustituyendo los valores de   60   3 en

VRLef  89,8V

4.2. EL TRIA C 105
VAAef  VSef  VRLef  110V  89,8V  20,2V

siguiente manera:


además, se puede observar que la potencia entregada a la carga
es mayor que la disipada por el TRIAC, esto le permite al
circuito de potencia incrementar la eficiencia.

V p sen  VGA (155,6V )( 3 2)  0,7V

RG    134 K
I Gon 1mA

entre los terminales puerta terminal principal A1, se puede
determinar a partir de las expresiones (2.18):
PRGmáx  V p2 RG  (155,6V ) 2 134K  180mW

 Vp 
VGA  
155,6V 
PGAmáx  I pVGA   0,7V  0,81mW
 RG   134 K 
PSmáxin  PRGmáx  PGAmáx  180,81mW
Nótese que la malla de salida consume una potencia

muc ho mayor que la malla de entrada, tal como era de
esperarse. Este resultado nos permite entender la respuesta del
TRIAC y los tiristores en general como dispositivos electrónicos
que permite n acoplar y amplificar potencia eléctrica.
Por otro lado, si se desea el control de la potencia en la

carga, la resistencia de puerta puede ser reemplazada por un
potenciómetro y éste permitirá variar el ángulo de disparo del
TRIAC y por lo tanto, la potencia eléctrica en la carga lumínica.

para una carga de iluminación cuyo valor de corriente RMS sea
I RLef  1A , un ángulo de disparo del TRIAC   120 y para la red

el circuito
10 de la Figura 4.7, cuyas formas de onda en la malla de
salida, son similares a las presentadas en la Figura 4.5, en
+
donde la resistencia de la carga lumínica es R L .

8
VS 110V
6 RL
110V
Y Axis Title
RG
4
+
C
2
Figura 4.7. Circuito de potencia para carga lumínica.

0
0 2 4 6 8 10
X Axis Title

4.2. EL TRIA C 107
VSef  VRLef  V AAef  0
Vp  sen2 
VRLef  1 
2  2
Ahora sustituyendo los valores de   120  2 3 en

VRLef  43,4V
VAAef  VSef  VRLef  110V  43,4V  66,6V

siguiente manera:


además, se puede observar que la potencia entregada a la carga
es menor que la disipada por el TRIAC, este resultado
aparentemente, contradice lo encontrado en el ejercicio (4.1),
sin embargo se debe entender que el TRIAC, gran parte del
tiempo se encuentra sin conducir y por lo tanto el valor eficaz
se hace mayor. Así que el valor de gran importancia en los
cálculos anteriores, es el valor RMS en la carga.


V p sen  VGA (155,6V )( 3 2)  0,7V

RG    134 K
I Gon 1mA

PRGmáx  V p2 RG  (155,6V ) 2 134K  180mW

 Vp 
VGA  
155,6V 
PGAmáx  I pVGA   0,7V  0,81mW
 RG   134 K 
PSmáxin  PRGmáx  PGAmáx  180,81mW

terminal principal es despreciable comparada con la potencia
máxima en la resistencia RG . Además, la malla de salida
consume una potencia mucho mayor que la malla de entrada,
tal como era de esperarse.
Además, el valor de la capacitancia se puede determinar a


 2
RG C    5,55ms
 3(2 (60 Hz))

4.3. EL DIA C Y CUA DRAC 109
 5,55ms
C   0.041F
RG 134 K


del TRIAC y se analizaron y diseñaron configuraciones básicas
de circuitos para activar o disparar TRIAC’s en circuitos de
potencia.
Veamos ahora otros dispositivos tiristores bidireccionales

que se utilizan para activar TRIACS.
4.3. EL DIAC Y CUADRAC

Se trata de un diodo semiconductor para corriente
alterna (DIAC, Diode Altern Current) de dos terminales
denominados ánodo y cátodo. Es un diodo que puede conducir
en ambos ciclos de la corriente alterna, una vez superado el
voltaje de diodo y siempre y cuando la corriente no sea inferior
al valor característico, tal como se puede observar en el
comportamiento simétrico de las curvas I-V de la Figura 4.8 a).
La mayoría de los DIAC tienen un voltaje de disparo de

alrededor de 30 V, dicho voltaje puede estar entre 20 y 36 volts
según la referencia. En este sentido, su comportamiento es
similar a una lámpara de neón. Los DIAC son una clase de
tiristor, y se usan normalmente para disparar los TRIAC.
Cuando se utilizan de esta manera, reciben el nombre de
CUADRAC.
Por otro lado, existen dos tipos de DIAC:
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin

conexión de base y con las regiones de colector y emisor
iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado
hasta que se alcanza la tensión de avalancha en la unión del
colector. Esto inyecta corriente en la base que vuelve el

transistor conductor, produciéndose un efecto regenerativo.
Por tratarse de un dispositivo simétrico, tal como se puede
observar en la Figura 4.8 c), funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley

conectados en antiparalelo, lo que le da la característica
bidireccional. El símbolo de este dispositivo se presenta en la
Figura 4.8 b).
MT1 MT1
I
VS VS
N
N
P1
+
N2
-
10 V
Figura 4.8. DIAC: a) estructura, V c) curva
b) símbolo de circuito P2
característica I-V. N
8
VeamosMT2
a continuación la manera como el DIAC permite
MT2
la activación del TRIAC mediante la configuración CUADRAC

presentada en la Figura 4.9
6
Y Axis Title
RG RL
4 32+-4V VS
110V
2
C
0
0 2 4 6 8 10
Figura 4.9. Circuito de potencia CUADRAC.
X Axis Title

4.3. EL DIA C Y CUA DRAC 111
Cuando el voltaje del capacitor alcanza el voltaje de

conducción del DIAC más el voltaje puerta terminal A1,
entonces el TRIAC recibe un pulso de corriente eléctrica que le
permite la conducción eléctrica. Si RG se hace variable,
entonces es posible controlar el ángulo de d isparo del TRIAC y
por lo tanto la potencia entregada a la carga eléctrica.
Veamos a continuación un ejercicio de diseño.

para una carga de iluminación cuyo valor de corriente RMS sea

el circuito de la Figura 4.9, cuyas formas de onda en la malla de
salida, son similares a las presentadas en la Figura 4.5, en
Los cálculos en la malla de salida son los mismos del

ejercicio 4.2, por lo tanto remitimos al lector para que
encuentre los respectivos cálculos de la malla de salida. Así que
nos centraremos en los cálculos de la malla de entrada.
aplicando LVK en la malla de entrada tenemos:
VS  iG RG  VMT12  VGA  0 (4.12)
En donde VMT12 es el voltaje de conducción del DIAC.

Ahora despejando para RG , tenemos:
V p sen  VMT 12  VGA

RG  (4.13)
I Gon
Luego sustituyendo valores en la expresió n (4.13),

obtenemos que:
134,75V  32V  0,7

RG   102 K
1mA
Ahora, el valor de la capacitancia se puede determinar a


 2
RG C    5,55ms
 3(2 (60 Hz))
 5,55ms
C   0.041F
RG 134 K

los elementos del circuito de la Figura 4.9. Hemos presentado
un ejemplo de la activación del TRIAC empleando el DIAC.
Veamos a continuación la utilización de otro dispositivo tiristor
bidireccional que se utiliza para activar el TRIAC el cual se
denomina SBS.
4.4. EL SBS
El interruptor bilateral de silicio SBS (Silicon Bilateral
Switch), es una clase de tiristor bidireccional , el cual está
formado por dos SUS conectados en antiparalelo, su símbolo se
presenta en la Figura 4.10 a). Se trata de un circuito integrado
que incorpora diodos Zener conectados a la puerta, transistores
y resistencias, tal como se puede observar en la Figura 4.10 b).

4.4. EL SBS 113
Esto le da la ventaja de presentar una alta simetría en los

voltajes de conducción inferior a medio voltio . Esta es una
ventaja comparado con el DIAC, ya que la mayor precisión en el
voltaje de conducción del dispositivo, le permite al SBS mayor
precisión en los ángulos de disparo del TRIAC. La simetría en la
respuesta eléctrica del SBS se puede observar en la Figura 4.10
1 c). MT1
I
VS V
Por otro lado, S aunque PelN N SBS funciona como un
1
dispositivo de dos puertas, se ha incorporado un electrodo de
N2
puerta
- para una mayor flexibilidad
+ en el uso del dispositivo.
VEste terminal de puertaVpuede ser utilizado para interconectar
P
N 2
diodos externos de tal manera que se logre mini mizar las
MT2 diferencias entre los voltajes
MT2 entre
MT2 MT1 y MT2, tal como
aparece en la FiguraA1
4.10
A1 d). I
G VMT2 VS R
MT2 S
32+-4V GG
110V
G
10 V
MT1G
A2 A2 C
10 8
MT1 MT1
2 4 6 a) 8 10 b)
MT2 6
X Axis Title
Y Axis Title
8 I MT2
VS VS
G
4
8V
6 V
Y Axis Title
MT1
2
MT1
4
c) c)
0
0 2 4 6 8 10
Figura 4.10. SBS: a) símbolo de circuito, b) circuito equivalente
X Axis Title
y2 c) curva característica I-V, d) terminal de puerta adicional.
0
0 2 4 6 8
El SBS puede ser empleado para activar TRIACS, la

manera de interconectarse se presenta en la Figura 4.11.
Cuando el voltaje del capacitor alcanza el voltaje de conducción
del SBS cuyo valor típico es VSBS  8V más el voltaje puerta
terminal A1, e ntonces el TRIAC recibe un pulso de corriente
eléctrica que le permite la conducción eléctrica.
I
VS
Si RG se hace variable, entonces es posible controlar el
ángulo de disparo del TRIAC y por lo tanto la potencia
V eléctrica.
entregada a la carga
RG
R RL
VS
VSBS
C
2
Figura 4.11. Circuito de potencia de TRIAC activado por SBS.
Veamos a continuación un ejercicio de diseño que

1 involucra el circuito de la Figura 4.11.
6 8 Ejercicio 4.410Diseñar un circuito de potencia eléctrica

le para una carga de iluminación cuyo valor de corriente RMS sea

el circuito de la Figura 4.11, cuyas formas de onda en la malla
de salida, son similares a las presentadas en la Figura 4.5, en
Los cálculos en la malla de salida son los mismos del

ejercicio 4.2, por lo tanto remitimos al lector para que
encuentre los respectivos cálculos de la malla de salida en este

4.4. EL SBS 115
ejercicio. Así que nos centraremos en los cálculos de la malla

de entrada.
aplicando LVK en la malla de entrada tenemos:
VS  iG RG  VSBS  VGA  0 (4.14)
En donde VSBS es el voltaje de conducción del SBS. Ahora

despejando para RG , tenemos:
V p sen  VSBS  VGA

RG  (4.15)
I Gon
Luego sustituyendo valores en la expresión (4.15),

obtenemos que:
134,75V  8V  0,7
RG   126 K
1mA
Ahora, el valor de la capacitancia se puede determinar a


 2
RG C    5,55ms
 3(2 (60 Hz))
 5,55ms
C   0.041F
RG 134 K

Hemos presentado en este capítulo el principio básico de

funcionamiento de los tiristores bidireccionales TRIAC, DIAC,
CUADRAC y SBS. Así mismo, se estudiaron alternativas de
circuitos de disparo del TRIAC, las cuales se analizaron y
diseñaron bajo el enfoque de circuito de control de potencia

Por otro lado, con el fin de contribuir al entendimiento de
los conceptos básicos expuestos en el presente capítulo, se
propone la realización de los siguientes ejercicios de reflexión y
consulta:
4.1. Explicar el funcionamiento de los tiristores bidireccionales

TRIAC, DIAC, CUADRAC y SBS.
4.2. Explicar cómo se presenta el efecto de avalancha en los

tiristores TRIAC, DIAC y SBS.
eléctrico de los dispositivos TRIAC, DIAC y SBS?

de circuitos de potencia que involucran tiristores
bidireccionales?
4.5. ¿Qué le sucedería al circuito de la Figura 4.12, si la

resistencia de puerta RG se conecta al terminal principal
MT2 del TRIAC?

Figura 4.12. Disparo del TRIAC mediante DIAC.

cada uno de los circuitos de disparo del TRIAC
presentados en las Figuras 4.6, 4.7, 4.9 y 4.11.
4.7. Diseñar los siguientes circuitos con la ayuda de Tiristores

Bidireccionales.
a. Temporizador de encendido.
b. Control de potencia eléctrica en corriente continua.
c. Control de potencia eléctrica en corriente alterna.
d. Oscilador de relajación con DIAC y SBS.

Figura 3.16.
Figura 4.13. Circuito de potencia de TRIAC y SBS.
4.9. Diseñar un circuito electrónico de potencia con TRIAC que

(RMS) cuando el ángulo de disparo sea de 60°.
4.10. Diseñar un circuito electrónico de potencia con TRIAC que

funcione a 10 A (RMS) para un ángulo de disparo de 40°,
empleando el CUADRAC.

(RMS) para un ángulo de disparo sea de 80°, empleando un
SBS para activar el TRIAC. Considerar que el VSBS  8V .

BIBLIOGRAFÍA 119
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Guzman Liliana. Electrónica Analógica II. Fussión Creativa,
Colombia. 2006.
Recursos Didácticos:
1. www.powerdesigners.com
2. www.pspice.com
3. Interactive Power Electronics Seminar (iPES)
http://www.ipes.ethz.ch.
4. Programa Simeep de simulación on-line de convertidores
para afianzar conceptos. http://www.iie.edu.uy
5.Tutorial de electrónica de potencia de html Venkat
Ramaswamy http://www.powerdesigner.com.
6.Curso de electrónica de potencia (Portugués)
http://www.dee.feis.unesp.br/gradua/elepot/principal.html
7.http://jas.eng.buffalo.edu
Fabricantes:
1. International rectifie r: (My Power home) http://www.irf.com
(diseño on-line)
2. National semiconductor (Webench. Simulación on-line)
http://www.national.com
3. www.onsemi.com
4. www.semikron.com

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Jhon Jairo Prías Barragán

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Edición 200 ejemplares

Este libro es el producto de la experiencia de los autores,

En este siglo, los nuevos avances que hasta el momento

De esta manera, el lector podrá encontrar en el capítulo

En el capítulo 2, encontrará aspectos básicos del

Finalmente, en el capítulo 4, encontrará aspectos

Por lo tanto, este libro es una contribución al diseño de

Gracias Dios por darnos la vida…

CAPÍTULO 1. INTRODUCCIÓN A LOS CIRCUITOS DE

CAPÍTULO 2. TIRISTORES UNIDIRECCIONALES ........................... 29

CAPÍTULO 3. MÉTODOS DE DISPARO DEL SCR ............................. 67

BIBLIOGRAFÍA ........................................................................................ 119

A manera de introducción al presente libro, en este capítulo

1.1. GENERALIDADES DE CIRCUITOS DE

Lo anterior ha sido posible, gracias a que sus

Por otro lado, el profesional en electrónica debe

J.J. Prías Barragán – J.B. Padilla Bejarano – R. García Arias

De esta manera, podemos decir que entre las tendencias

En vista de este panorama de oportunidades, podemos

En este esquema se puede considerar que el flujo de

Figura 1.1. Esquema básico de un convertidor de potencia

Entre las fuentes de energía eléctrica empleados en el

La carga eléctrica del esquema básico de la Figura 1.1

El circuito de mando de la Figura 1.1, puede ser

J.J. Prías Barragán – J.B. Padilla Bejarano – R. García Arias

inglés (Application Specific Integrated Circuit) y los FPGA (Field

El circuito convertidor de potencia puede ser

1.2. CIRCUITOS DE POTENCIA

No obstante, considerando sus componentes como

Estos parámetros de control tienen, principalmente, dos

1. Excitaciones externas, tales como fuentes que

2. Condiciones umbrales de conducción de los

Así mismo, e n todo circuito se puede escoger un

conjunto de variables (normalmente tensión en condensadores

Estas condiciones de contorno se complementan con la

Es usual que en la resolución de un circuito de potencia

En la mayor parte de los casos nuestro interés se centrará

A continuación se describen algunos parámetros de gran

J.J. Prías Barragán – J.B. Padilla Bejarano – R. García Arias

Figura 1.2. Ejemplo de señal senoidal periódica tanto para la

El valor pico I p de una señal corresponde al valor

I p  max it  0t T (1.1)

Pueden distinguirse dos valores de pico (positivo y

El valor promedio I m o medio está dado por:

También se le representa como I AV . Para el caso de una

función dada por vt   V p sen(t ) . Siendo   2f la frecuencia

Para el cálculo del valor eficaz en la corriente media I ef o

También se le representa como I RMS . Para el caso de

El factor de forma f f consiste en la comparación entre el

El factor de pico f p consiste en la comparación entre el

Es decir, que el factor de pico indica que tan alejado se

J.J. Prías Barragán – J.B. Padilla Bejarano – R. García Arias

La potencia media, está dada por:

Si se sustituye i t  por su desarrollo en serie de Fourier y

Donde 1 es el ángulo de desfase entre vt  y el primer

La potencia apare nte S , se define como el producto de

El factor de potencia PF se define como:

Donde DPF es el factor de potencia debido al desfase,

En la expresión (1.10) el parámetro Dt se le denomina