4. Transistor MOSFET tipo enriquecimiento.

1. En multisim, construya el circuito de la figura 4.1.

Figura 4.1

2. Mediante el analisis DC Sweep de Multisim, en la ventana Analysis Parameters,

elija como Source 1 la fuente VDS y haga que varie de 0 a 12V con incrementos de
1V. Para Source 2, elija a la fuente VGS y haga que varie de 0 a 6V con incrementos
de 0.5V . En la ventana Otuput haga doble click en I(VDS) y haga click en run. Si la
curva sale invertida, añada la expresion –I(VDS) en DC Sweep/Output/Add
expression y elimine I(VDS). Cada incremento de VGS es una nueva curva
caracteristica. Grafique las caracteristicas del transistor MOSFET e identifique las
caracteristicas mas importantes del MOSFET en la grafica.
3. Construya el circuito de la figura.
4. Mediante el analisis DC Sweep de Multisim, en la ventana Analysis Parameters,
elija como Source 1 la fuente VGS y haga que varia de 0 a 15V con incrementos de
0.5 V. Quite el checkmark de la casilla de Source 2. En la ventana de output haga
doble click en I(Vf). Grafique la respuesta del transistor MOSFET.Analice en que
punto de la grafica el transistor entra en saturacion.

Figura 4.2