Transistores de potencia

IGBT

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Comparación Del IGBT
Se puede controlar su encendido
como si fuera un MOSFET
Cuando conduce sus pérdidas son
menores que un MOSFET, se
comporta mas como un bipolar
(BJT)
Mas rápido que un bipolar (BJT)
pero menos que un MOSFET
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Como cambia un interruptor de su
posición de encendido a apagado
y viceversa considerando un
convertidor de C. D. a C. D. con
una carga altamente inductiva y
tomando en cuenta inductancias
parásitas.

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Disyuntores

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Elementos ópticos

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 LDR
Resitencia variable con la Luz
LDR símbolo eléctrico
 LDR
Modelo

 L0 
RL  R0 
 L

Parámetro Valores típicos

Ro 2K-200K @ 10lux
α 0,7-1,5
Tensión máxima 100V-150V
Potencia máxima 50mW-1W
Tiempo de respuesta >10ms a varios s.
Fotodiodos
Aplicación del Fotodiodo
Termistores
NTC y PTC Símbolo eléctrico
 NTC
Tecnología de fabricación
 NTC
Característica R-T y modelo

1 1
B(  )
RT  R 0e T T0

1 dR T B
   2
R T dT T
PTC característica R-T

© ITES-Paraninfo
 NTC
Aplicaciones

RECTIFICADOR

© ITES-Paraninfo
 PTC
Aplicaciones
Elemento a calentar

Aislante electríco
termoconductivo

V PTC

electrodos

V PTC
 VDR
Varistores
Símbolo: Aspecto físico:

 - VOLTAJE » + RESISTENCIA
+ VOLTAJE » - RESISTENCIA
Sensores de gases de óxidos
metálicos.

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Sensores de gases de óxidos
metálicos.

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 El UJT
Transitor unijuntura
Características Eléctricas del UJT
Oscilador de relajación con el UJT

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 El PUT
Transitor unijuntura Programable

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