UNIVERSIDAD NACIONAL

SANTIAGO ANTÚNEZ DE MAYOLO

“Una Nueva Universidad para el Desarrollo”
HUARAZ-ANCASH-PERÚ

“AÑO DEL
BICENTENARIO DEL PERÚ:200 AÑOS DE INDEPENDENCIA”

FACULTAD DE INGINIERÍA CIVIL

ESCUELA PROFESIONAL DE INGINIERÍA CIVIL

CURSO: QUÍMICA GENERAL

TRABAJO DE INVESTIGACIÓN: SEMICONDUCTORES

AUTOR (es):
Jeanmark Baldomero Negreiros Yauri
Brayan Christian Mejía Popayan
Teodocio Bladimiro Vega Perez
Riño Asencios Ibarra

Huaraz-Perú
2021
GRUPO:8

ALUMNOS:

 Teodocio Bladimiro Vega Perez.

 Jeanmark Baldomero negreiros Yauri.
 Bryan Cristian Mejía Popayan.
 Riño Asencio Ibarra.

INTRODUCCIÓN:
Vivimos en mundo en la que la tecnología acompaña necesariamente al hombre en su día a
día, facilitándole infinidad de tareas que tiene que realizar, incluso muchas de ellas serian casi
imposible desarrollarlos sin el uso de una herramienta tecnológica, pero ¿Qué es lo que
sabemos de estas máquinas?, la verdad es que lo que sabemos de ellos es poco; no sabemos
cuáles son sus componentes, de que materiales están construidos, etc. El objetivo de este
trabajo ahondar un poco en este enorme mundo de la constitución de las maquinas, es así que
en esta oportunidad hablaremos brevemente de los semiconductores, que son pieza
fundamental de cualquier aparato tecnológico. La pregunta más importante vendría a ser,
¿Qué son los semiconductores y cuál es su función?; en ese sentido la investigación explicará
las características de los materiales semiconductores; y semiconductores dopados.

METODOLOGÍA:
TIPO Y NIVEL DE INVESTIGACIÓN: Explicativo

El presente trabajo tiene por objetivo entender el uso e importancia de los elementos
químicos, en este caso de los semiconductores como lo son el germanio y el Silicio, para ello
buscaremos información en fuentes escritas y audiovisuales, complementando dicha
información con los conocimientos adquiridos en la clase de química general; con los temas de
configuración electrónica propiedades periódicas, enlaces químicos. Nuestra investigación será
no experimental.

TIPO Y NIVEL DE INVESTIGACIÓN: Explicativo

DESARROLLO Y DISCUSIÓN:

TIPOS DE MATERIALES

La materia, en general, está constituida por átomos formados por un núcleo cargado
positivamente, rodeado de la misma cantidad de electrones que hacen que el átomo sea
eléctricamente neutro.

Las diferentes propiedades químicas de los materiales se deben a que están formados por
átomos distintos, mientras que las fases (solida, liquida o gaseosa) se deben a lo más o menos
fuertemente unidos que se encuentren los átomos, siendo en la fase, la distancia interatómica
menor. Es decir, en un sólido la disposición espacial de sus átomos juega un papel importante
en la determinación de sus propiedades específicas. Atendiendo a esta disposición atómica, un
sólido puede ser: Amorfo, policristalino o cristalino.

En un sólido amorfo no se reconoce ningún orden a largo alcance, o sea que la disposición
atómica en cualquier porción de un material amorfo es totalmente distinta a la de cualquier
otra porción. Los sólidos cristalinos se encuentran en el lado opuesto, es decir, en un material
cristalino los átomos están distribuidos en un conjunto tridimensional ordenado. Finalmente
están los policristalinos que se encuentran en una posición intermedia, en el cual el sólido está
formado de subsecciones cristalinas no homogéneas entre sí.

En este caso nos centraremos en los sólidos cristalinos centrándonos en sus propiedades
eléctricas y conductoras, estos solidos pueden clasificarse en: conductores, semiconductores y
aislantes. En esta ocasión nos centraremos en los semiconductores.
LOS SEMICONDUCTORES

Electrones en
Elemento Grupos la última capa

Cd 12 2 e-

Al, Ga, B, In 13 3 e-

Si, C, Ge 14 4 e-

P, As, Sb 15 5 e-

Se, Te, (S) 16 6 e-

Los semiconductores son a aquellos materiales cuyos valores de resistividad eléctrica se

encuentra entre los presentados por los aislantes y los conductores propiamente dichos
resistividad eléctrica P es una propiedad intrínseca de un material semiconductor cuyos
valores están en el rango 10−4 ≤ ρ ≤10 10(Ωm ) mientras que los aislantes presentan ρ ≥10 10, y
los conductores p ≤10−4.

En su mayoría, los materiales semiconductores son sólidos en condiciones atmosféricas. Los

átomos que se encuentran constituyendo el semiconductor tienden a formar enlaces
covalentes entres si, tienen altos puntos de fusión y no son solubles en solventes ordinarios.

Numerosos elementos, en especial el silicio y el germanio del grupo IV A, tienen

propiedades intermedias entre las de los metales y no metales y, por ello se les denomina
materiales semiconductores. La brecha energética entre las bandas llenas y las vacías en estos
solidos es mucho menor que en el caso de los aislantes, si se suministra la energía necesaria
para excitar electrones de la banda de valencia a la de conducción, el sólido se convierte en un
conductor. Este comportamiento es opuesto al de los metales. La capacidad de un metal para
conducir la electricidad disminuye al aumentar la temperatura, ya que se acentúa la vibración
de los átomos y esto tiende a romper el flujo de electrones.

Dentro de los sólidos semiconductores están el germanio y el silicio, los cuales cristalizan en la
estructura diamante(cúbico). En esta estructura los enlaces son predominantemente
covalentes, y en consecuencia altamente direccionales.

Los electrones de enlace pueden considerarse como localizados entre los átomos a lo largo de
la dirección del enlace. En un sólido estructuralmente perfecto e idealmente covalente, los
electrones están restringidos a los enlaces. Les es imposible moverse a través del cristal, a
menos que exista suficiente energía térmica disponible.

SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS
En los semiconductores puros (intrínseco) la conducción tiene lugar por medio de electrones
que están presentes solo a causa del material cristalina puro (por ejemplo, Ge o Si) y no causa
de elementos extraños. La única posibilidad de que haya conducción es comunicar a los
electrones una energía igual o mayor que EG- que los hace pasar a la banda de conducción, lo
que puede conseguirse mediante la excitación térmica o luminosa.

Mediante la operación de añadir a un semiconductor puro, del orden de una parte por millón,
de sustancias extrañas adecuadas o impurezas (átomos diferentes), es posible que los
semiconductores presenten conductividad eléctrica para un rango de temperaturas mayores.

Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque

solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energía térmica. En
un semiconductor intrínseco también hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente
total resultante sea cero.

> Semiconductores "intrínsecos"
– Conversión del silicio en semiconductor 
   "tipo-n" o en "tipo-p"
– Semiconductor de silicio "tipo-n"
– Semiconductor de silicio "tipo-p"
– Mecanismo de conducción de un 
   semiconductor

ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO

SEMICONDUCTORES EXTRÍNSECOS

Los semiconductores son materiales, inorgánicos u orgánicos, que tienen la capacidad de

controlar su conducción dependiendo de la estructura química, la temperatura, la iluminación
y la presencia de dopantes. Esta denominación se da por el hecho de que los materiales tienen
una conductividad eléctrica de un metal y como la de un aislante, como el plástico.

A diferencia de los conductores, los electrones en un semiconductor deben obtener energía, o

sea de la radiación ionizante, para atravesar el intervalo de banda y alcanzar la banda de
conducción. Las propiedades de los semiconductores están determinadas por la brecha de
energía entre las bandas de valencia y conducción.

Para incrementar el número de portadores el procedimiento más común consiste en

introducir, una cierta cantidad de átomos de impurezas obteniéndose lo que se denomina
semiconductor extrínseco o dopado. En un semiconductor extrínseco, son estos átomos
dopantes extraños en la red cristalina los que proporcionan principalmente los portadores de
carga que transportan corriente eléctrica a través del cristal. En general, hay dos tipos de
átomos dopantes que dan como resultado dos tipos de semiconductores extrínsecos.

• Semiconductores tipo n.

• Semiconductores tipo p.
SEMICONDUCTORES TIPO “n”

Son los que están dopadas como elementos pentavalentes, esto quiere decir que tienen cinco
electrones en la última capa, lo que hace que, al formarse la estructura cristalina, un electrón
queda fuera de ningún enlace covalente, quedándose en un nivel superior al de los otros
cuatro. Como consecuencia de la temperatura, además de la formación de pares e-h, se
liberan los electrones que no se han unido.

Como ahora en el semiconductor existe un mayor número de electrones que de huecos, se

dice que los electrones son los portadores mayoritarios, y a las impurezas se las llama
donadoras.

Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un
hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito externo entra al
semiconductor y se recombina con el hueco.

SEMICONDUCTORES TIPO “p”

En el caso de los semiconductores tipo p son los que están dopados con elementos trivalentes.
Este hecho hace que la hora de formar la estructura cristalina, dejen un vacante con un nivel
energético ligeramente superior al de la banda de valencia, pues no existe el cuarto electrón
que lo rellenaría.

Por lo tanto, esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos
en la banda de valencia, y siendo los huecos los portadores mayoritarios.
Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los huecos lo
hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo derecho del cristal se
recombinan con los electrones libres del circuito externo.

MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA

Las propiedades de los semiconductores se pueden analizar también desde un punto de vista
energético. Para ello habría que analizar las energías de los electrones, cuando estos átomos
forman un sólido. El cálculo de estas energías compete a la Mecánica Cuántica y a nosotros por
ahora solo con interesa el resultado final. Nos interesan las energías de los electrones de
valencia, que serán los más afectados, por la proximidad de otros átomos (cuando forman un
sólido).

Resulta que, en el caso de un semiconductor intrínseco, de un semiconductor puro, a

temperaturas muy bajas, es decir, cuando no hay prácticamente agitación térmica en el cristal,
desde el punto de vista energético estos e- se encuentran en una banda conocida como
“banda de valencia” que se encuentra totalmente ocupada. La banda superior de estados
permitidos se conoce con el nombre de “banda de conducción” que, en este caso, estará
totalmente vacía ya que, de momento, no disponemos de portadores libres que pueden
moverse por el cristal. Entre ambas, existe una banda de estados no permitidos denominada
“banda prohibida” o “gap de energías” en la cual no pueden encontrarse los electrones.

 La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de valencia de los átomos.

Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los átomos, pero no
intervienen en la conducción eléctrica.
 La banda de conducción (BC): está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos
que se han desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos electrones
son los responsables de conducir la corriente eléctrica.
Si no hay enlaces covalentes rotos o si la banda de valencia está totalmente ocupada, no hay
portadores. Es decir, en este caso sólo disponemos del movimiento de electrones ligados entre
enlaces covalentes, por lo cual el movimiento neto es nulo. Esta situación es la que se da en los
semiconductores a muy bajas temperaturas. De ahí que a dichas temperaturas se comportan
como aislantes. Al aumentar la temperatura, aumenta el movimiento aleatorio de agitación
térmica pudiéndose romper algunos enlaces covalentes y creándose, de esta forma electrones
portadores. Desde el punto de vista energético, esta situación aparece reflejada en la imagen
b. La rotura de un enlace covalente equivale al paso de un electrón desde la banda de valencia
hasta la banda de conducción, quedando de esta forma las dos bandas parcialmente llenas, lo
que implica que al aplicar un campo eléctrico exterior es posible obtener un movimiento
resultante en ambas es decir ya va tomando propiedades conductoras.

El modelo de bandas de energía que se acaba de presentar no es exclusivo de los

semiconductores, sino que puede aplicarse a todos los materiales. Desde el punto de vista
energético la diferencia entre un metal, aislante o semiconductor radica en el número de
portadores libres de los que se puede disponer a una misma temperatura.
En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente eléctrica debe
haber poca o ninguna separación entre la BC y la BV (que pueden llegar a superponerse), de
manera que los electrones puedan saltar entre las bandas. Cuando la separación entre bandas
sea mayor, el material se comportará como un aislante (pocos portadores libres). En una
situación intermedia se encuentran los semiconductores en los cuales a temperaturas iguales
que los otros es posible disponer de una cantidad moderada de portadores libres porque su
gap energético o separación no es excesivo. Es decir, ni son buenos aislantes ni excelentes
conductores. Para que el salto de electrones entre bandas en este caso se produzca deben
darse alguna o varias de las siguientes situaciones: que el material se encuentre a altas
presiones, a una temperatura elevada o se le añadan impurezas (que aportan más electrones).

Finalmente, falta analizar el papel de las impurezas desde un punto de vista energético.

 Impureza donadora: Posee un quinto electrón ligado a ella que no se encuentra en

ningún enlace covalente pero que tampoco tiene libertad para deambular libremente
por el cristal. Es decir, este quinto electrón posee una energía que no pertenece ni a la
banda de valencia ni a la banda de conducción del semiconductor puro. Sin embargo, a
nada que se le suministre una pequeña cantidad de energía es capaz de convertirse en
un portador libre. Por lo tanto, si queremos indicar el estado de dicho electrón en el
diagrama de bandas, lo debemos situar muy cerca de la banda de conducción
 impurezas aceptadoras: El estado energético del enlace covalente no completo o lo
que es lo mismo el quinto electrón deambulante se situará, muy próximo a la banda de
valencia para que cuando que se aporte energía puedan pasar con facilidad el electrón
a la banda de valencia, produciéndose la ionización de las impurezas.
 Normalmente, los estados energéticos de las impurezas donadoras y aceptadoras se
representan por líneas discontinuas.

CONDUCCION DE METALES Y SEMICONDUCTORES

Como ya se ha comentado anteriormente, en un metal todos los e- exteriores (de valencia) se

encuentran compartidos por todos los átomos de la red cristalina. Estos e - constituyen una
“nube electrónica” pudiéndose mover libremente a través de todo el cristal.

Estadísticamente, en su movimiento, el número de e- que se mueven en un sentido será el

mismo que los que lo hacen en sentido contrario, es decir, no habrá un movimiento neto de
carga y por lo tanto no habrá corriente eléctrica. Si ahora aplicamos un campo eléctrico
exterior aparecerá una corriente de desplazamiento.

Un aumento de la temperatura provocará un aumento del número de choques que en su

movimiento tienen los e-, esto se traducirá en una disminución de la velocidad neta de los
mismos, con lo cual la intensidad de corriente disminuirá.

En un semiconductor, sucederá algo similar. Los e- libres se moverán como respuesta a la

acción del campo aplicado. Sin embargo, en un semiconductor y, a diferencia de los metales,
tenemos otro tipo de portadores que son los h+, de forma que cuando aplicamos un campo
eléctrico tendremos un movimiento de e- en dirección contraria al campo y un movimiento de
h+ en la misma dirección del campo. Es decir, la corriente de arrastre tendrá dos componentes,
una debida al movimiento de los e- y otra debida al movimiento de los huecos.
Por otra parte, si tenemos un semiconductor dopado de forma no uniforme (situación muy
habitual en las aplicaciones de semiconductores) tendremos una conducción por difusión. La
difusión es un conocido fenómeno de la cinética de gases de partículas clásicas que tiene su
origen en el movimiento aleatorio de agitación térmica que las hace recorrer todo el recinto
que las encierra. Después de un choque, cada partícula tiene la misma probabilidad de dirigirse
en cualquier dirección, lo que hace que haya un flujo neto de partículas de las regiones más
pobladas a las menos pobladas con el fin de homogeneizar su concentración. Es decir, la
difusión se produce siempre que existan variaciones espaciales (gradientes) de la
concentración de partículas. Si las partículas tienen carga, los flujos por difusión transportan
carga eléctrica y constituyen, por tanto, corrientes eléctricas.

En un semiconductor la corriente total será la suma de las corrientes debidas al movimiento de

los dos tipos de portadores presentes (huecos y electrones). Y estas corrientes podrán ser de
arrastre (debidas a la aplicación de un campo eléctrico) y de difusión (debidas a un gradiente
de impurezas).

Si en un semiconductor aumentamos la temperatura, se aumenta la generación de pares e- -

h+ debido a la agitación térmica. Por tanto, si aumenta el número de portadores, también
aumentará la corriente.

CONCLUSIONES:
En conclusión, los semiconductores son sólidos cristalinos que se comportan como aislantes en
ciertas condiciones y como conductor en otras; y para poder controlar este tipo de
comportamiento se le dopa de impurezas (donadoras y aceptadoras), como lo son el fosforo y
arsénico(donadores)y el Boro; aluminio y Galio(aceptadores). Entonces los semiconductores
tienen una aplicación real, en el desarrollo de la tecnología, existe la posibilidad de crear y
estudiar más aplicaciones para estos materiales, a fin de complementar la enseñanza de la
electrónica. El desarrollo y la enseñanza de este tema crean resultados como:

- Un semiconductor tiene propiedades de conductor o aislante.

- Se obtienen herramientas como: Transistores, Circuitos integrados, Diodos eléctricos,

Sensores ópticos, Láseres de estado sólido, etc.

Referencias
desconocido. (s.f.). ehu. Recuperado el 18 de Marzo de 2021, de ehu:
https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema1.pdf

Desconocido. (s.f.). Preguntale al inge. Recuperado el 18 de Marzo de 2021, de Preguntale al

inge: https://www.youtube.com/watch?v=cy50YR7kr8c

Desconocido. (s.f.). uv. Recuperado el 17 de Marzo de 2021, de uv:

https://www.uv.es/~navasqui/Tecnologia/Tema3.pdf