Aspectos Generales sobre Memorias: Las unidades de memoria son módulos conformados por

un conjunto de cerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias palabras
binarias de n bits. Cada una de ellas tienen la capacidad de almacenar un bit de información (1 o
0), y se conocen con el nombre de celdas de memoria. Las celdas o bits de memoria se ubican
mediante la fila y la columna en la que se encuentra. El parámetro básico de una memoria es su
capacidad, la cual corresponde al total de unidades que puede almacenar. El tiempo de acceso es
otro parámetro importante en las memorias. Este corresponde al tiempo que tarda la memoria en
acceder a la información almacenada en una dirección.
Operaciones básicas de una Memoria: La función básica de las memorias es almacenar
información. Sin embargo las memorias tienen la función específica de escribir y leer los datos
en su interior. Las operaciones básicas de una memoria consisten en leer y almacenar
información mediante el uso del bus de datos y direcciones.

Dispositivo Programable (PLD )

Un dispositivo programable por el usuario (programmable logic devices) es aquel que contiene
una arquitectura general predefinida en la que el usuario puede programar el diseño final del
dispositivo empleando un conjunto de herramientas de desarrollo.
Un dispositivo lógico programable es un chip LSI que contiene una estructura de circuito
“regular”, pero que permite al diseñador adecuarlo para una aplicación específica.

Matriz PAL
Una matriz lógica programable o Programmable Array Logic o PAL, es un término utilizado
para describir una familia de dispositivos programables usados para implementar funciones
lógicas en circuitos digitales.
Los dispositivos PAL consisten de un núcleo pequeño PROM (memoria programable de solo
lectura) y una lógica de salida adicional para implementar funciones lógicas deseadas con pocos
componentes.
Cada dispositivo PAL sólo podía programarse una vez, no podían ser actualizados ni reusados
luego de su programación inicial.

MEMORIAS DE ACCESO ALEATORIO

Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como memorias RAM de la sigla en inglés
Random Access Memory. Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un
conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de
forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre.
Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se
clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica.
Memoria RAM estática: Este tipo de memoria
conocida como SRAM (Static Random Access
Memory) se compone de celdas conformadas por
flip-flops construidos generalmente con
transistores MOSFET, aunque también existen
algunas memorias pequeñas construidas con
transistores bipolares.
 SRAM Sincrónica: Este tipo de memoria
tiene una entrada de reloj, la cual le permite
operar en sincronía con otros dispositivos.
Esta característica simplifica enormemente el
diseño de sistemas de alta prestaciones, ya que una única señal controla todos los
dispositivos involucrados.
 SRAM de Ráfaga: Las memorias de ráfagas (burst) son sincrónicas y se caracterizan por
incluir un contador que permite que la memoria genere internamente la dirección a la que
debe acceder, consiguiendo de esta forma accesos hasta cuatro posiciones de memoria con
 una sola dirección de referencia. Esto permite acceder de forma más rápida a la información
en memoria.
Memoria RAM dinámica: Este tipo de memoria conocida
como DRAM (Dinamic Random Access Memory), a diferencia
de la memoria estática se compone de celdas de memoria
construidas con condensadores. Las celdas de memoria son de
fabricación más sencillas en comparación a las celdas a base
de transistores, lo cual permite construir memorias de gran
capacidad.

MEMORIAS DE SOLO LECTURA

Las memorias de solo lectura son conocidas como memorias
ROM de la sigla en inglés Read Only Memory. Se caracterizan
por ser memorias de lectura y contienen celdas de memoria no volátiles, es decir que la
información almacenada se conserva sin necesidad de energía. Este tipo de memoria se emplea
para almacenar información de forma permanente o información que no cambie con mucha
frecuencia. Actualmente se dispone de varios tipos de memorias ROM.
Memoria ROM de Máscara: Esta memoria
se conoce simplemente como ROM y se
caracteriza porque la información contenida
en su interior se almacena durante su
construcción y no se puede alterar. Son
memorias ideales para almacenar
microprogramas, sistemas operativos, tablas
de conversión y caracteres.
Memoria PROM: Esta memoria es
conocida como ROM programable de la sigla
en inglés Programmable Read Only Memory.
Este tipo de memoria a diferencia de la ROM
no se programa durante el proceso de
fabricación, en vez de ello la programación
la efectúa el usuario y se puede realizar una
sola vez, después de la cual no se puede
borrar o volver a almacenar otra
información.
Memoria EPROM: Este tipo de memoria es similar a la
PROM con la diferencia que la información se puede borrar y
volver a grabar varias veces. Su nombre proviene de la sigla en
inglés Erasable Read Only Memory.El borrado de la memoria se
realiza mediante la exposición del dispositivo a rayos
ultravioleta durante un tiempo aproximado de 10 a 30
minutos. Este tiempo depende del tipo de fabricante y para
realizar el borrado, el circuito integrado dispone de una
ventana de cuarzo transparente.
Memoria EEPROM:La memoria EEPROM es programable y
borrable eléctricamente y su nombre proviene de la sigla en
inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se
construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-
Oxide Silicon). Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la
diferencia básica se encuentra en la capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, la cual
es más delgada y no es fotosensible.