Universidad de Guanajuato

División de Ciencias Naturales, Campus Guanajuato

Transferencia de Masa
Mtro. Agustín Ramón Uribe Ramírez
Tarea 6
 Tarea 6
En la fabricación de dispositivos microelectrónicos de estado sólido y células solares
fotovoltaicas, pueden obtenerse películas delgadas semiconductoras impregnando fósforo
o boro en una oblea de silicio. Este proceso se llama dopaje. El dopaje de los átomos de
fósforo en el silicio cristalino produce un semiconductor de tipo n, mientras que el
dopaje de los átomos de boro en el silicio cristalino produce un semiconductor de tipo p.
La formación de la película delgada semiconductora se controla mediante la difusión
molecular de los átomos dopantes a través de una matriz de silicio cristalino.

Los métodos para suministrar átomos de fósforo a la superficie de la oblea de silicio

incluyen la deposición química de vapor y la implantación de iones. En un proceso típico,
se evapora el oxicloruro de fósforo (cloruro de fosforilo), POCl3, que tiene un punto de
ebullición normal de 105oC. Los vapores de POCl3 se alimentan a un reactor de
deposición química de vapor (CVD) a temperatura elevada y presión reducida del
sistema (por ejemplo, 0.10 atm), donde POCl 3 se descompone en la superficie de silicio
de acuerdo con la reacción
Si (s) + 2POCl3 (g) = SiO2 (s) + 3Cl2 + 2P (s)
Un recubrimiento de SiO2 rico en fósforo molecular (P) se forma sobre la superficie de
silicio cristalino. El fósforo molecular luego se difunde a través del silicio cristal para
formar la película delgada de Si – P. Así que el recubrimiento es la fuente para la
transferencia de masa de fósforo, y la oblea de silicio es el sumidero para la transferencia
 de masa de fósforo.
Como se puede ver en la Figura, el proceso para hacer películas delgadas de Si – P
puede ser bastante complejo, ya que muchas especies se difunden y reaccionan
simultáneamente, pero considere un caso simplificado donde la concentración del átomo
de P es constante en la interfaz. Como el coeficiente de difusión de los átomos de P en el
silicio cristalino es muy bajo, y solo se desea una película delgada de Si – P, los átomos
de fósforo no penetran mucho en el silicio. Por lo tanto, los átomos de fósforo no pueden
"ver" a través de todo el grosor de la oblea, y el sólido de Si sirve como un sumidero
semi-infinito para el proceso de difusión. Es deseable predecir las propiedades de la
película delgada de Si – P en función de las condiciones de dopaje. El perfil de
concentración de los átomos de fósforo dopados es particularmente importante para
controlar la conductividad eléctrica de la película delgada semiconductora.

Considere el dopaje de fósforo del silicio cristalino a 1100oC, una temperatura lo

suficientemente alta como para promover la difusión del fósforo. La concentración
superficial de fósforo (cAs) en el silicio es 2.5 x 1020 átomos P/cm3 Si sólido, que está
relativamente diluido, ya que el silicio sólido puro tiene una concentración de 5.0 x 1022
átomos Si/cm3 sólido. Además, el recubrimiento rico en fósforo se considera una fuente
infinita en relación con la cantidad de átomos de P transferidos, por lo que cAs es
constante. Calcule la profundidad de la película delgada Si – P después de 1 h, si la
concentración objetivo es 1% del valor de la superficie (2.5 x 1018 átomos P/cm3 Si
sólido), y el perfil de concentración de átomos de P después de 1.0 h.