Universidad Nacional de Ingeniería

Facultad de Ingeniería Eléctrica, Electrónica y Telecomunicaciones

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INFORME DE LABORATORIO DE
ELECTRONICA I – EE 428

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

DOCENTE: ING. VIRGINIA ROMERO F.

ALUMNOS: CCOICCA LEIVA JHONATHAN JOSÉ

2021-1

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Ing. Virginia Romero F. UNI – FIEE 1

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INFORME FINAL N° 2

TRANSISTOR BIPOLAR – BASE COMÚN, COLECTOR

COMÚN Y EMISOR COMÚN
Docente: Ing. Virginia Romero Fuentes
Grupo N° : 5
Alumnos: 1. Ccoicca Leiva Jhonathan José. .; email: jccoiccal@uni.pe

RESUMEN
En este informe hemos visto las características del amplificador en base común, en lo cual se verificará que tiene baja impedancia
de entrada, alta ganancia de tensión y baja ganancia de corriente.
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I. DATOS EXPERIMENTALES

Análisis en DC:

𝐕 𝐕𝐚𝐥𝐨𝐫 𝐄𝐱𝐩𝐞𝐫𝐢𝐦𝐞𝐧𝐭𝐚𝐥 (V)

𝐕𝐁 1.611
𝐕𝐂 6.724
𝐕𝐄 0.948
𝐕C𝐄 5.776

Análisis en AC:

VL (Vpico )
Vin (Vpico ) f(Hz)
EXPERIMENTAL
10mV 100 33.310mV
10mV 500 33.320mV
10mV 1k 33.337mV
10mV 2k 33.337mV
10mV 5k 33.337mV
10mV 10k 33.337mV
10mV 15k 33.337mV
10mV 20k 33.337mV
10mV 25k 33.337mV
10mV 30k 33.337mV
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10mV 35k 33.337mV
10mV 50k 33.337mV

Teórico 3.518 0.34 1kΩ 3.589kΩ

Experimental 3.37 0.346 1kΩ 3.589kΩ

II. ANALISIS

Se midió la relación de fases entre Vin y VL.

Fig. 1. 1 Gráfica obtenida por el osciloscopio en la simulación.

Se observa en la gráfica que la tensión de entrada y de salida están en fase, y adicionalmente que la
señal de salida está siendo amplificada.

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III. RESULTADOS

Análisis en DC:
Error relativo
𝐕 𝐕𝐚𝐥𝐨𝐫 𝐓𝐞ó𝐫𝐢𝐜𝐨 (V) 𝐕𝐚𝐥𝐨𝐫 𝐄𝐱𝐩𝐞𝐫𝐢𝐦𝐞𝐧𝐭𝐚𝐥 (V)
(%)
𝐕𝐁 1.639 1.611 1.708 %
𝐕𝐂 6.741 6.724 0.252 %
𝐕𝐄 0.939 0.948 0.958 %
𝐕C𝐄 5.802 5.776 0.448 %

Análisis en AC:

VL (Vpico ) VL (Vpico ) Error relativo

Vin (Vpico ) f(Hz)
TEÓRICO EXPERIMENTAL (%)
10mV 100 33.289mV 33.310mV 0.0041%
10mV 500 33.315mV 33.320mV 0.0021%
10mV 1k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 2k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 5k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 10k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 15k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 20k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 25k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 30k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 35k 33.450mV 33.337mV 0.010%
10mV 50k 33.450mV 33.337mV 0.010%

Ganancia de tensión vs frecuencia:

VL (Vpico )
Vin (Vpico ) f(Hz)
TEÓRICO
10mV 100 33.289mV 10.446
10mV 500 33.315mV 10.45
10mV 1k 33.450mV 10.488
10mV 2k 33.450mV 10.488
10mV 5k 33.450mV 10.488
10mV 10k 33.450mV 10.488
10mV 15k 33.450mV 10.488
10mV 20k 33.450mV 10.488
10mV 25k 33.450mV 10.488
10mV 30k 33.450mV 10.488
10mV 35k 33.450mV 10.488
10mV 50k 33.450mV 10.488
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IV. RESPUESTAS A PREGUNTAS

1. ¿Qué porcentaje de error hay entre los valores experimentales y los

teóricos? ¿Cómo los explica?
Debido a que estamos tomando valores aproximados y además que nos estamos
referenciando de la hoja de datos del datasheet, por eso hay pequeños errores.

Fig. 1. 2. Datasheet del transistor 2N3904.

2. D
i
b
u
j
e

e
l

g
r
á
f
i
c
o
Fig. 1. 3. Diagrama de Bode obtenida en la simulación.
d
e respuesta en frecuencia indicando la ganancia de tensión, usando escala
semilogarítmica (Curva de Bode).

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Fig. 1. 4 Gráfica obtenida a partir de los datos

teóricos.
Se observa la similitud de las gráficas y que hay un rango
de frecuencias en la cual se dará la amplificación.

3. ¿Qué impedancia de entrada tiene el amplificador?

4. ¿Qué impedancia de salida tiene el amplificador?

5. OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES
 Ob.1 Cabe notar que la ganancia de tensión va disminuyendo mientras la frecuencia
aumenta su valor.

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 Con.1 Se logró comprobar la alta ganancia de tensión del transistor BJT en configuración Base
Común, la baja ganancia de corriente y la baja impedancia de entrada.

6. BIBLIOGRAFÍA USADA

Colocar la bibliografia que han usado para presentar su informe final

[1] Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky, Electroni devices and circuit theory, 10th edition.
[2] G. E. TOBEY, "Operational Amplifiers; Design and Applications", Publisher: McGraw-
Hill.
[3] JACOB MILLMAN, "Microelectronics: Digital and Analog Circuits.

7. FECHA
Lima, dd/mm/2021

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