EL TRANSISTOR

INTRODUCCIÓN

El transistor es un dispositivo de estado sólido de tres terminales, el cual está

constituido por los dos tipos de material semiconductor conocidos: tipo P y tipo N. Un
transistor presenta dos diferentes tipos de estructura: PNP y NPN, según se muestra
en la figura 1

A cada una de las terminales del transistor se les ha asignado un nombre: EMISOR,
BASE y COLECTOR. De la fig. 1 se puede observar que la terminal de la base
corresponde a la capa central de la estructura, que es de material diferente a las otras;
sus dimensiones físicas son menores que las del colector y del emisor, que son las
capas colocadas a los lados de la base.

Es de notarse que entre el emisor y el colector prácticamente no hay diferencia alguna,

obteniéndose del transistor un rendimiento satisfactorio. Este rendimiento puede
mejorarse notablemente si se tiene una pequeña diferencia en las dimensiones físicas
y en la conductividad de las capas del emisor y del colector.

La figura 2 nos muestra el símbolo de un transistor, en donde se tiene perfectamente

identificadas las terminales del transistor y es la misma para los dos tipos de
estructuras. La única diferencia se encuentra en la dirección asignada a la flecha de la
terminal del emisor: cuando a dirección de la flecha indica hacia dentro, se trata de un
transistor PNP y si indica hacia fuera, se trata de un transistor NPN.
La dirección de la flecha de la terminal del emisor, también nos sirve para indicar el
sentido convencional asignado a las componentes de corriente del transistor, cuando
se está operando en condiciones normales.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

El funcionamiento de un transistor se puede analizar a partir de cualquiera de los dos

tipos de estructuras conocidas ya que para ambas se cumple el mismo principio de
operación, diferenciándose únicamente en la polaridad aplicada a cada una de sus
terminales.

Considerando que se tiene una estructura PNP, se va a observar su comportamiento

cuando no se tiene ningún potencial externo aplicado (fig. 3).

En el emisor existe una gran cantidad de huecos libres, que son los que actúan como
portadores de carga. En la base, que está constituida por una capa muy delgada de
material tipo N, hay un gran número de electrones libres, que son los que actúan
como portadores de carga.
Al formar la unión emisor-base, los huecos de la región P se difunden en gran cantidad
hacia la región N y van a ser ocupados o neutralizados por los electrones libres de
esta región. De igual manera, los electrones libres de la región N se difunden hacia la
región P, donde son neutralizados por los huecos de esta región; este proceso de
difusión continua hasta el punto en el que las fronteras de la unión no hay electrones
libres ni huecos móviles, únicamente átomos ionizados positiva y negativamente en
cada región. Este fenómeno provoca la aparición de un campo eléctrico de origen
interno, que se opone a la difusión de huecos hacia la base y de electrones hacia el
emisor.

Sucede el mismo fenómeno cuando se forma la unión base-colector desarrollándose

también un campo eléctrico de origen interno pero de sentido contrario al desarrollado
en la unión emisor-base (fig. 3).

Considérese ahora la aplicación de un potencial externo a cada una de las uniones del
transistor. Para su mejor funcionamiento, la unión emisor-base se polariza
directamente, es decir en el sentido de conducción, y la unión base-colector se
polariza inversamente, es decir en el sentido de no conducción (fig. 4).

Al polarizar en forma directa la unión emisor-base, se produce un campo eléctrico

externo que va a contrarrestar al campo eléctrico de origen interno que aparece en
esta unión. Los huecos que son los portadores mayoritarios en el emisor, alcanzan la
energía suficiente para pasar a la base, donde se recombinan los electrones libres,
que son los portadores mayoritarios; por ser el emisor físicamente más grande que la
base, los huecos están en una cantidad mucho mayor que los electrones, por lo que
muchos de ellos quedan sin recombinarse en la base.

La polarización inversa aplicada en la unión base-colector, produce un campo eléctrico

externo que viene a reforzar al campo eléctrico interno de esta unión, de tal manera
que no va a existir ninguna difusión de electrones hacia el colector ni de huecos hacia
la base. Esto quiere decir que no hay conducción en esta unión, sólo va a existir una
corriente de saturación.
Esta polarización inversa en el colector, va a ayudar a que los huecos que no se
recombinaron en la base, continúen su camino y circulen a través del colector. Con
esto se logra que la mayoría de los huecos inyectados por el emisor, circulen por todo
el transistor.
Del funcionamiento de un transistor, se puede observar que es un dispositivo
controlado por corriente. Las componentes de corriente del transistor están
relacionadas por la expresión:

I E = IC + I B

En donde, la corriente de base es de un valor muy pequeño comparado con los

valores de las corrientes de emisor y colector. El valor de la corriente de colector es un
poco menor que el de la corriente de emisor. Estas dos componentes de corriente
están relacionadas por α que es la ganancia en corriente del transistor y cuya
expresión es:

IC
= ; es decir I C = I E
IB
De aquí se puede ver que presenta un valor menor que la unidad y que normalmente
varía de 0.9 a 0.99.

Todas estas características que se mencionan para un transistor PNP, también se

cumplen para un transistor NPN. Lo único que varía es la polaridad aplicada a cada
una de sus terminales (fig.5)

En los transistores, al colector y a la base siempre se les asigna una tensión del
mismo signo:
Si es PNP, colector y base son negativos respecto al emisor.
Si es NPN, colector y base son positivos respecto al emisor.
Para este ejemplo, se aprecia que la relación de la corriente de salida sobre la
corriente de entrada es muy baja, y no se puede obtener buena ganancia en tensión,
ya que los portadores de carga pasan a través de una región de baja impedancia una
región de alta impedancia. Con esto también se puede obtener, buena ganancia en
potencia.
CONFIGURACIONES BÁSICAS DE UN TRANSISTOR.

Siempre que se desea emplear a un transistor para que desarrolle una función
específica en un determinado circuito, una de sus terminales se puede designar para
el circuito de entrada otra para el circuito de salida y la tercera terminal se toma común
para ambos circuitos.
De esta manera, es posible lograr seis diferentes conexiones para un transistor, de las
cuales, sólo tres han probado ser útiles y así mismo, son las más empleadas.
El nombre con que se denomina a cada configuración, depende de la terminal que se
ha designado común para los circuitos de entrada y salida.
Estas configuraciones son:

• BASE COMÚN
• EMISOR COMÚN
• COLECTOR COMÚN

Cada una de estas configuraciones tiene características propias que los hacen más
adecuadas que las demás, en determinadas circunstancias.

En el circuito de carga de cada configuración aparecerá una versión amplificada de la

señal de entrada (tensión y corriente); por lo tanto, un transistor se considera
amplificador de potencia, no se debe esperar que en todas las configuraciones
también se produzca ganancia en tensión y corriente. (fig. 6)

De la fig. 6 se observa que cada configuración presenta un factor propio que

determina su ganancia en corriente. Estas tres ganancias, en forma general, son datos
técnicos que debe proporcionar el fabricante.
De estos tres factores, los más empleados son los que corresponden a los circuitos de
base común y emisor común; pero no necesariamente, el fabricante debe proporcionar
los dos valores, conociendo el valor de uno de ellos es suficiente. Esto nos quiere
decir que se debe tener una expresión que nos sirva para calcular el valor de una de
ellas en función de la otra y viceversa. Estas expresiones son:

 
= =
 +1 1−
 CONFIGURACIONES BÁSICAS.
a) base común
b) emisor común
c) colector común

CORRIENTES DE FUGA.

Al trabajar con circuitos de transistores pueden surgir algunos problemas debido a las
variaciones producidas por cambios en la temperatura. El más notorio de estos
cambios es el que se produce en las corrientes de fuga de todos los transistores.
Estas corrientes siempre estarán presentes debido a que la unión base-colector está
polarizada inversamente, no habiendo corriente de recombinación, solo la corriente de
saturación.
Esta corriente es indeseable porque su valor aumenta al aumentar la temperatura, lo
que ocasiona un desplazamiento del punto de operación y que trabaje en una región
indeseable. En cualquier transistor se puede determinar tres componentes de corriente
de fuga, polarizado en forma inversa dos de sus terminales y dejando abierta la
tercera.
1) Si se deja desconectado al emisor y se aplica una tensión para polarizar
inversamente a la unión B-C, se tiene una corriente denominada ICBO, que es la
corriente de fuga o inversa de la unión B-C con polarización inversa. ICBO constante
para variaciones de la tensión de colector.

FIG. 7

2) Si se deja abierto al colector y se aplica una tensión inversa en la unión E-B con
polarización inversa. Esta corriente de fuga se considera, ya que para que sea
apreciable, se alteran las condiciones normales de operación de un transistor. Esto
quiere decir que la unión E-B nunca debe polarizarse en forma inversa.

FIG. 8

3) Finalmente, si se deja desconectada a al base y se aplica una tensión entre emisor

y colector para que quede polarizada en forma inversa ala unión B-C, aparecerá una
corriente ICEO, es la corriente de fuga o inversa del colector con respecto al emisor con
la unión B-C polarizada en forma inversa.

FIG.9
De las tres corrientes de fuga que pueden aparece r durante la operación del
transmisor, solo dos pueden producir un efecto apreciable durante su operación. Esta
son la ICBO y la ICEO, debido a que se presentan entre las terminales de base colector
que normalmente están polarizadas inversamente.
La corriente IEBO nunca se va a producir, ya que la unión base emisor siempre debe
estar polarizada directamente.
De la misma manera que las ganancias α y β las corrientes de fuga ICBO e ICEO están
relacionadas entre sí por una expresión matemática, que es :

ICEO = ( β+1 ) ICBO.

Esto nos indica que el valor de ICEO siempre va a ser mucho mayor que la ICBO y sus
variaciones con respecto a variaciones en la temperatura van a ser más apreciables.
CURVAS CARACTERÍSTICAS DEL TRANSISTOR.

Los dispositivos semiconductores tienen propiedades que les permiten realizar

diferentes funciones. Por ejemplo, un diodo convierte la corriente alterna en corriente
directa y un transistor amplifica pequeñas señales eléctricas. Existen muchos tipos de
diodos y transistores por lo que se debe tener mucho cuidado en seleccionar el tipo
más adecuado en base a los requerimientos de la aplicación en particular.

Los fabricantes establecen las características y propiedades de cada tipo en

diferentes formas, como son tablas donde se tienen valores de los parámetros para
ciertas condiciones de operación, completadas por graficas que muestran la variación
de estos parámetros sobre un amplio rango de valores. Las curvas características del
transistor definen las relacionen en el estado estable en las tensiones y corrientes de
entrada y salida. Las curvas se obtienen fácilmente por medio de mediciones de CD y
proporcionan:
➢ La base de procedimiento de diseño grafico.
➢ Una descripción del funcionamiento del transistor bajo condiciones no lineales.
➢ El punto de partida y la referencia final en el desarrollo de procedimientos
analíticos.

De esta forma, se puede decir que las curvas características constituyen la

base para el entendimiento de la operación del transistor.

Un transistor está constituido por tres terminales, por lo que se tienen seis
variables: tres de corriente y tres de tensión (fig. 10).

FIG. 10.- TENSIONES Y CORRIENTES DE UN AMPLIFICADOR EN EMISOR COMÚN.

Para cada configuración se tienen dos variables de tensión y dos de corriente

para describir completamente sus características eléctricas. La configuración más
empleada es la de emisor común, por lo que todo el análisis se refiere a esta forma de
conexión.

Todas las corrientes y tensiones de un transistor presentan ciertas relaciones

entre si: la tensión de colector- emisor depende de la corriente del colector, que a su
vez ésta en función de la corriente de base; la corriente de base está determinada por
la tensión de base- emisor, la cual, bajo ciertas condiciones varia con la tensión de
colector- emisor. Esto quiere decir que en mayor o menor grado de estas variables son
independientes entre si.

En la figura 11 se muestra una familia de curvas características de un transistor

conectado en emisor común y que se representen de la siguiente forma:

➢ En el primer cuadrante, las características de salida. Esta familia de curvas define

el comportamiento de la saluda del transistor y del circuito de carga y permite
determinar las relaciones de tres elementos importantes.
- la recta de carga.
- La ganancia de corriente
- La resistencia de salida.

➢ En el segundo cuadrante, la característica de transferencia. Aquí se define la

acción del circuito de entrada sobre el de salida, la ganancia en corriente y sus
variaciones.

➢ En el tercer cuadrante las características de entrada. Estas curvas definen el

comportamiento de la entrada y del circuito asociado a la polarización del transistor.
Aquí se determina la resistencia de entrada del transistor y sus variaciones.

➢ En el cuarto cuadrante las características de retroalimentación. Aquí se determina

la reacción del circuito de salida sobre el circuito de entrada.

Figura 11.- FAMILIA DE CURVAS CARACTERÍSTICAS PARA UN TRANSISTOR EN

EMISOR COMÚN.

EL PUNTO DE OPERACIÓN.

Para un circuito con transistores opere en condiciones normales, se le deben

aplicar la corrientes y tensiones adecuadas para establecer la polarización o punto de
operación estático en la región lineal de las curvas características de salida. (fig. 12).
En esta región las variaciones en la entrada (corriente de base) producen cambios
proporcionales en la salida (corriente de colector) la constante de proporcionalidad
represente una ganancia en corriente comparable a β, que puede determinarse a partir
de las curvas características.

FIG. 12.-PUNTOS DE OPERACIÓN ESTÁTICO.

LA LÍNEA DE CARGA.

Los transistores no se usan en forma aislada, generalmente operan con redes

resistivas, en donde los resistores se emplean el circuitos de polarización para
determinar un punto de trabajo para el transistor y como elementos de carga. Cuando
se aplica corriente alterna se usan capacitores para aislar Los componentes de cd y
permitir el paso de las señales de ca.

El análisis grafico de circuitos con transistores hace uso del concepto de

LINEA DE CARGA. En el circuito de la figura 13, se tiene una Vcc = 30 V en serie con
una carga RL = 5KΩ. Se efectúa el trazo de una línea recta sobre las características de
salida de un transistor.
La ecuación para línea de carga es:

VCC = VCE + ICRL

Si IC = 0 ( punto de corte ):
VCE = Vcc = 30 V.

Si VCE = 0 (punto de saturación ):

Vcc 30V
IC = = = 6mA
RL 5K

Estos dos puntos se localizan en cada uno de los ejes de las curvas características y
se unen formando la línea de carga. El punto de operación queda establecido por la
intersección de la línea de carga con la curva correspondiente a la corriente de base
determinada. La determinación de la corriente de base se puede realizar de dos
formas:

➢ Mediante el empleo de las características de entrada del transistor.

 ➢ Realizando un análisis similar con el circuito de base, al realizado con el circuito
de colector.

FIG. 13.- DETERMINACIÓN DEL PUNTO DE OPERACIÓN.