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ELECTRÓNICA ANÁLOGA

Fase 2

Presentar solución al problema del circuito con transistores

unipolares

Presentado al tutor:

JUAN ALEJANDRO CHICA

Entregado por el estudiante:

María Alejandra Atencia

Código: 1099993173

Grupo: 243006_25

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA - UNAD

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA

2021
INTRODUCCIÓN

El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal

semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El

FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con

impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Los terminales de este

tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta

(gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino

obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S). Ver

el gráfico. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor bipolar. A

continuación brindaremos solución a una problemática planteada el cual desarrollaremos

realizando cada una de las propuestas planteadas y las investigaciones realizadas.


Fase 2

Presentar solución al problema del circuito con transistores

unipolares

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa instrumentos

electrónicos. Su segunda asignación es presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros,

una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar señales

débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de información las especificaciones

dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: 2N3819

ID= 3mA, VD= 10V, VGS (off)= -8V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se trabajara

IDSS=16mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a la empresa, en él

mismo, es obligatorio se evidencie una fundamentación teórica, una argumentación y la

validación de la solución. Además, de ser aprobada la propuesta, se deberá realizar una

implementación real y para ello se contará con acceso a los laboratorios.


ACTIVIDADES A DESARROLLAR

Fundamentación teórica
(Primera Semana)
1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2, Cada

estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito

anterior.

Este circuito está diseñado para amplificar una señal débil, el dispositivo transistor JFET se

encuentra polarizado y este configurado en auto polarización esto se deduce ya que solo cuenta

con una fuente de alimentación de 20 v.

El circuito se encuentra alimentado por una fuente de 20 v, con la función de mantener el circuito

activo, cuenta con un receptor de señal que va conectado al dispositivo transistor para su

ampliación de la señal, este cuenta con un drenaje” RG”, una compuerta “RG”, y una fuente

“RS”. Con el fin de regular su funcionamiento en este caso de amplificador.

La resistencia “RG” cumple con la función que la señal no circule por la tierra es decir no se

pierda, y la lleve al transistor, esta resistencia por lo general es de un gran tamaño para simular a

la señal la tierra.

Cuando la señal entra al JFET, este tiene que estar activo y esto se debe al actuar de la “RS” que

con conjunto a “RG” hacen que el transistor actúe como si estuviera conectado a tierra, para

mantener la operatividad del mismo esto mediante el valor VSG.


Argumentación.
(Segunda Semana)
Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

2. Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los siguientes cálculos.

-Estudiante 3:

c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG debe ser alto?

En este caso la polarización del JFET es Autopolarizacion en este solo se necesita una fuente

de alimentación, y en este caso se intervienen las polaridades.

Se coloca una resistencia RS, esta resistencia será la que polarice la compuerta, es decir la

VGS que existirá en el transistor la cual decidirá cuanta será la corriente de drenaje ID que es

igual a la corriente de la fuente IS; la resistencia RG es una resistencia del orden de los mega

ohmios que se utiliza principalmente para los circuitos de amplificación para no perder la

impedancia de entrada del JFET.

Y el valor de la resitencia RG debe ser alto para que simule la tierra y la señal no se pierda

esto hace que parezca un muro y no deje perder la señal del circuito y también ayuda al RS a

conservar el valor VGS.


-Estudiante 4:

d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de acople.

1 1
X c1= ¿ ¿ 15.91 ohms
2 π∗f∗C 1 2 π∗1000 Hz∗10 uF

1 1
X c2= ¿ ¿ 15.91 ohms
2 π∗f∗C 2 2 π∗1000 Hz∗10 uF

1 1
X c3= ¿ ¿ 1591,55 ohms
2 π∗f∗C 3 2 π∗1000∗0.1

REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para Ingenieros (pp. 37-

51). Recuperado de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?

ppg=48&docID=10498503&tm=1482090196645
González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-167). Recuperado de

http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?

ppg=127&docID=11201676&tm=1482089571374

Grob, B. Fournier, J. (1983). Circuitos electrónicos y sus aplicaciones (pp.154-178).

Recuperado de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?

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Clausi, P. (Productor). (2017). OVI Transistores MOSFET. [Video] Recuperado de

https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk

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