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Fase 2
unipolares
Presentado al tutor:
Código: 1099993173
Grupo: 243006_25
2021
INTRODUCCIÓN
FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con
impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Los terminales de este
tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta
(gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino
obligado de los electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) Fuente (S). Ver
unipolares
Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y comercializa instrumentos
una solución llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar señales
De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 2mA a 20mA… para este diseño se trabajara
IDSS=16mA.
Fundamentación teórica
(Primera Semana)
1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la Unidad 2, Cada
estudiante debe describir con sus propias palabras la teoría de funcionamiento del circuito
anterior.
Este circuito está diseñado para amplificar una señal débil, el dispositivo transistor JFET se
encuentra polarizado y este configurado en auto polarización esto se deduce ya que solo cuenta
El circuito se encuentra alimentado por una fuente de 20 v, con la función de mantener el circuito
activo, cuenta con un receptor de señal que va conectado al dispositivo transistor para su
ampliación de la señal, este cuenta con un drenaje” RG”, una compuerta “RG”, y una fuente
La resistencia “RG” cumple con la función que la señal no circule por la tierra es decir no se
pierda, y la lleve al transistor, esta resistencia por lo general es de un gran tamaño para simular a
la señal la tierra.
Cuando la señal entra al JFET, este tiene que estar activo y esto se debe al actuar de la “RS” que
con conjunto a “RG” hacen que el transistor actúe como si estuviera conectado a tierra, para
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el valor de RG debe ser alto?
En este caso la polarización del JFET es Autopolarizacion en este solo se necesita una fuente
Se coloca una resistencia RS, esta resistencia será la que polarice la compuerta, es decir la
VGS que existirá en el transistor la cual decidirá cuanta será la corriente de drenaje ID que es
igual a la corriente de la fuente IS; la resistencia RG es una resistencia del orden de los mega
ohmios que se utiliza principalmente para los circuitos de amplificación para no perder la
Y el valor de la resitencia RG debe ser alto para que simule la tierra y la señal no se pierda
esto hace que parezca un muro y no deje perder la señal del circuito y también ayuda al RS a
1 1
X c1= ¿ ¿ 15.91 ohms
2 π∗f∗C 1 2 π∗1000 Hz∗10 uF
1 1
X c2= ¿ ¿ 15.91 ohms
2 π∗f∗C 2 2 π∗1000 Hz∗10 uF
1 1
X c3= ¿ ¿ 1591,55 ohms
2 π∗f∗C 3 2 π∗1000∗0.1
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
Pleite, J. Vergaz, R. Ruiz de marcos, J. (2009). Electrónica Análoga para Ingenieros (pp. 37-
ppg=48&docID=10498503&tm=1482090196645
González, M. (2015). Dispositivos Electrónicos (pp.127-167). Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?
ppg=127&docID=11201676&tm=1482089571374
Recuperado de http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?
ppg=171&docID=10433916&tm=1482091898589
https://www.youtube.com/watch?v=IPSdGSJheOk