EXPERIMENTACION

Importancia de superficies hidrogenadas de silicio

La etapa de hidrogenación consiste en la inmersión de las obleas en soluciones acuosas de HF

y/o NH4F. 1,2 Este tratamiento produce la remoción del óxido superficial (óxido nativo
formado en contacto con el aire del ambiente ~ 2 nm de espesor) y la formación de una
superficie completamente hidrogenada, donde todos los enlaces superficiales colgantes
(insaturados) han sido completados con átomos de hidrógeno. Las superficies hidrogenadas de
silicio (Si-H) poseen todos los átomos de la superficie con la coordinación ideal (4 enlaces
covalentes), además presentan muy baja densidad de estados electrónicos superficiales en el
band-gap. En consecuencia, la superficies Si-H tienen poca reactividad, es decir, presentan una
gran estabilidad; lo que permite su manipulación en condiciones ambientales sin la necesidad
de utilizar equipos de ultra alto vacío.

Caracterización morfológica mediante Microscopía de Fuerza Atómica (AFM)

En la figura 3.1 se muestra una imagen AFM típica de estas superficies la que incluye un corte
de la sección transversal. La imagen (a) muestra que la superficie hidrogenada es
relativamente lisa, con valores de alturas por debajo de 1 nm, como se indica en un barrido
lineal en el perfil adjunto (b). A pesar de que estas dimensiones en el eje z, perpendicular al
plano basal de la superficie, son muy pequeñas, estas muestras presentan cierta rugosidad a
escala atómica. La morfología superficial de la Sia -H no presenta ningún tipo de orden, no
presenta estructura de escalones y terrazas a nivel atómico.

Con el objetivo de disponer de una descripción cuantitativa de la rugosidad superficial, se

calculó el valor cuadrático medio de las alturas (RMS) en una imagen completa, mediante la ec
3.1.
donde a ij es el valor de altura de un punto en la imagen de AFM con coordenadas x = i e, y = j;
a  es la altura promedio y N es el número de puntos utilizados

Caracterización electroquímica