ELECTRÓNICA DIGITAL II Lic.

: David Carani Quispe

ELECTRÓNICA Y TELECOMUNICACIONES

LABORATORIO DE SISTEMAS ELECTRÓNICOS DIGITALES

GRABADOR DE MEMORIAS EPROM/EEPROM
Introducción
El objetivo de esta práctica es que el estudiante realice la práctica del laboratorio utilizando MEMORIAS
EPROM/EEPROM de la familia NM27C***. Diseñe e implemente un sencillo Grabador de memorias
EPROM/EEPROM.

Hardware del Grabador de Memorias

El Grabador de Memorias necesita de un hardware adicional que el estudiante deberá diseñar e implementar a
partir de las recomendaciones que se dan en esta memoria, aunque podrá alterar el diseño propuesto si así lo
cree conveniente siempre que no reduzca las prestaciones y las posibilidades del sistema. Cualquier mejora
del diseño será evaluada y valorada. El esquema de bloques del hardware a diseñar e implementar es el que se
incluye a continuación.
En el diagrama de bloques de la figura, podemos
destacar los siguientes módulos:

· Módulo de Direcciones. Es el encargado de poner

un valor de dirección en el bus de direcciones de la
memoria insertada en el zócalo de grabación.
Deberá comprobar si esa dirección es posible para la
memoria seleccionada, es decir, que no supera el
tamaño de la memoria. Este módulo estará formado
por 2 latchs (74393) de 8 bits (podrá ser ampliado a 3
latchs en el caso de querer grabar memorias mayores
de 64 Kb), de este modo podremos tener direcciones
representadas con 16 bits (hasta 32 Kb).

Se utilizará el puerto PORTB como puerto de direcciones. El programa de aplicación deberá ser capaz de
escribir cada uno de los 2 bytes que conforman un valor de dirección en su latch correspondiente, como paso
previo a la lectura o escritura de un dato en la memoria insertada en el zócalo de grabación.
El estudiante debe tener en cuenta que el bus de dirección de las memorias es de 14 bits como máximo
(27256, 28256), y el bus de direcciones del grabador es de 16 bits.

Nota.- Es posible que el estudiante necesite algún circuito adicional (puertas lógicas) para implementar
correctamente este módulo.

· Módulo de Datos. Este módulo es el encargado de poner el dato a escribir o leer un dato del bus de datos de
la memoria insertada en el zócalo de grabación. El bus de datos de las memorias es de 8 bits (1 byte), por lo
que se debe utilizar el PORTC como puerto de datos del Grabador aprovechando su bidireccionalidad. Para
no cargar el PORTC, debemos utilizar un buffer triestado bidireccional (74245) cuyo sentido habrá que
configurar para poder leer o escribir datos, a través de él, en el bus de datos de la memoria del zócalo de
grabación.
Nota.- Es posible que el estudiante necesite algún circuito adicional (puertas lógicas) para implementar
correctamente este módulo.
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· Módulo de Configuración. Está formado por un conjunto de jumpers o microswitchs que permitirá la
conexión correcta de los terminales de las distintas memorias a las señales correspondientes del Grabador de
Memorias.

· Módulo de Tensiones de Grabación. Las memorias EPROM que se deben utilizar son aquellas cuya
tensión de grabación es + 12.5 v. Recuerde que existen versiones más antiguas cuya tensión de grabación es +
25 v, y por tanto, no podrán ser grabadas en el sistema que se va a desarrollar.

Durante el proceso de grabación de una EPROM es necesario mantener la tensión del terminal Vpp de la
memoria a + 12.5 v y el terminal Vcc a + 6.25 v, aproximadamente. Para grabar un byte sólo habrá que
generar un pulso negativo en el terminal PGM de la EPROM. Debido a ello necesitamos diseñar e
implementar un módulo capaz de entregar + 12.5 v a Vpp y + 6.25 v a Vcc cuando activemos una señal de
control al comienzo de un ciclo de grabación de un byte en EPROM, y por otro lado, en condiciones
normales (lectura de la memoria), capaz de generar una tensión de + 5 v para Vpp y para Vcc.

Este módulo se alimentará con una tensión superior a + 15 v, no sobrepasando + 20 v para no dañar los
reguladores de tensión.
Para construir este módulo se recomienda utilizar reguladores de tensión (7812, 7806, 7805) para generar las
tensiones de + 12.5 de +6.25 y de +5 volt. Para conseguir esas tensiones basta con colocar en el terminal de
masa del regulador (patilla central) diodos que eleven la tensión de referencia + 1.2 v (con 2 diodos en serie
entre el terminal de masa y la propia masa del circuito) para conseguir + 6.2 v y + 0.6 v (con un solo diodo)
para conseguir + 12.6 v, en los reguladores 7806 y 7812, respectivamente. Los diodos pueden ser del tipo
1N4418. El condensador electrolítico puede ser de 100 uF, 25 v, y el de salida del regulador, de 100 nF, 30v,
de tántalo.

El control de la tensión obtenida a la salida del

circuito de generación de tensiones (+ 5 v o + 6.2
v, +5 v o +12.6 v), se puede realizar a través de
un transistor funcionando en corte y saturación,
del tipo BC557B. Para implementar el circuito de
control podemos seguir el siguiente diseño:

En el circuito, la salida Vo depende del valor de la

señal de control Scontrol . Cuando ésta última
vale “1” (+ 5 v) el TRT se encuentra en corte, y la
tensión de salida Vo es la tensión Vb, mientras
que si la señal de control es “0” (GND), el TRT
pasa a un estado de saturación y la tensión de
salida Vo es la tensión Va, La señal de control es
generada por algún terminal de un puerto del
68HC11E2.
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· Zócalo de Grabación de Memorias. Este es un zócalo especial de inserción de memorias que puede
encontrarse en comercios del ramo, pero su precio es elevado (unas 5.000 ptas.). Permite la
inserción/extracción de memorias con facilidad, sin perjudicar o dañar los terminales de las mismas.
Se puede sustituir por un zócalo estándar para circuitos integrados del tamaño adecuado, que son siempre de
más bajo coste.

Nota.- Las señales de control necesarias (R/W#, PGM#, Vpp, Vcc, etc.) se obtendrán de terminales de los
puertos PORTA y PORTD debidamente configurados.

Información Complementaria
A continuación se incluye información interesante para el desarrollo de la práctica. Esta información deberá
complementarse con los datos técnicos de los fabricantes de los distintos componentes que se utilicen durante
la realización de la misma.

Memorias EPROM
Las memorias EPROM (erasable and programmable read-only memory or ROM) son memorias regrabables
un número elevado de veces. Su función suele ser almacenar programas y datos que nunca, o con muy escasa
frecuencia, necesitan ser alterados. El motivo es que el borrado de dichas memorias no puede realizarse in
situ, sin extraer la memoria del sistema del que forma parte, pues necesita de luz UV (ultravioleta) y de un
proceso de grabado imposible de realizar, la mayor parte de los casos, sobre el propio sistema del que forman
parte (necesitan tensiones especiales por encima de los +5 v. típicos de la alimentación de un sistema digital).

Borrado de una EPROM

El borrado de una memoria EPROM necesita de iluminación UV. La radiación alcanza las células de la
memoria a través de una ventanilla transparente situada en la parte superior de la misma. Debido a que la
radiación solar e incluso la luz artificial proveniente de tubos fluorescentes borra la memoria lentamente (de
una semana a varios meses), es necesario tapar dicha ventanilla con una etiqueta opaca que lo evite, una vez
que hayan sido grabadas. El proceso de borrado necesita de una lámpara de luz UV que emita radiación en
torno a los 2537 Å a una distancia de unos 2,5 cm de la memoria.

Para borrarla se necesita que la cantidad de radiación recibida por la misma se encuentre en torno a los 15
W/cm2 durante un segundo. El tiempo de borrado real suele ser de unos 20 minutos debido a que las
lámparas utilizadas suelen tener potencias en torno a los 12 mW/cm2 (12 mW x 20 x 60 seg. = 14.4 W de
potencia suministrada). Es importante recordar que no es aconsejable la sobreexposición, es decir, sobrepasar
el tiempo de radiación o lo que es lo mismo, la potencia luminosa suministrada a la memoria.

Conviene que exista algún procedimiento para comprobar el estado de una EPROM después del proceso de
borrado. Si está bien borrada todos los bytes que se lean deben contener el valor FFFF (todos a 1).
En el laboratorio de SEDG existe un borrador de EPROMs a disposición del alumno, para que pueda
utilizarlo durante el desarrollo de la práctica.

Grabado de una EPROM

Las memorias EPROM que se grabarán son de la serie 27xxx, en su versión moderna, con una tensión de
grabación de 12.5 v (en el encapsulado de la memoria suele existir información de la tensión de grabación
como PGM 12.5). Es importante que el alumno se asegure que las memorias que adquiera tengan esa tensión
y no otra.
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De la serie 27xxx sólo se grabarán las memorias siguientes: 27256 (32 Kb), 27128 (16 Kb), 2764 (8 Kb), por
considerar que esos tamaños son suficientes para almacenar los programas y los datos de pequeñas
aplicaciones. Además, los terminales de las 3 memorias tienen funciones muy parecidas, lo que simplifica
mucho el hardware a diseñar.

Para grabar una memoria EPROM es necesario utilizar un algoritmo recomendado por los fabricantes de
memorias con el fin de acelerar el proceso de grabación de un byte y es el siguiente:
1. Establecer la dirección a grabar en el bus de direcciones de la EPROM
2. Establecer el dato (byte) a grabar en el bus de datos de la EPROM
3. Cambiar las tensiones (Vcc de +5 v a + 6.2 v, y Vpp de +5 v a 12.6 v), y poner OE# a 1.
4. Inicializar a 0 un contador de pulsos de grabación aplicados
5. Generar un pulso de grabación (PGM#) negativo de al menos 1 ms
6. Incrementar en 1 el número de pulsos aplicados
7. Si se han aplicado ya 25 pulsos, activar un flag de fin de pulsos aplicados
8. Leer el byte que se acaba de grabar. Para leer el byte basta con poner la señal OE# a 0 después de
desactivar el pulso negativo en PGM#.
9. Compararlo con el byte original
10. Si son distintos: Si no se han aplicado 25 pulsos, ir a 5; Si se han aplicado los 25 pulsos, dar un mensaje
de fallo de la memoria, poner Vcc a +5 v y Vpp a +5 v, y salir.
11. Si son iguales, poner Vcc a +5 v y Vpp a +5 v, y salir.

Para poder realizar el proceso de grabación del algoritmo es necesario disponer del circuito electrónico capaz
de generar las tensiones necesarias: +6.25 v para Vcc y + 12.5 v para Vpp, que ya hemos estudiado.
Es conveniente obtener la información técnica que facilita el fabricante para cada una de las memorias que
vamos a grabar. Observaremos que no existe compatibilidad total entre ellas, por lo que se recomienda
utilizar jumpers o microswitchs para la configuración hardware adecuada en función de la memoria a grabar.

Memorias EEPROM
Las memorias EEPROM (electrically erasable and reprogramable ROM) o E2PROMs como son llamadas
habitualmente, son memorias más caras y más rápidas que las EPROM (pueden tener tiempos de acceso
alrededor de 35ns) y una vida media en torno a los 10.000 ciclos de borrado/escritura.
Se caracterizan por usar una única tensión para su lectura y su escritura, coincidiendo con la tensión de + 5 v.
de alimentación de un sistema digital. Este hecho las hace muy atractivas en muchas aplicaciones, pues
permite alterar su contenido sin necesidad de extraer la memoria del sistema digital del que forma parte.

Borrado de una EEPROM

El proceso de borrado de una EEPROM es muy sencillo. En realidad las memorias actuales incorporan en su
interior los recursos necesarios para borrar la propia memoria eléctricamente.
Durante el proceso de grabado, la propia memoria realiza el borrado previo del byte que va a grabar de forma
automática. No es necesaria ninguna tensión especial de borrado ni ningún procedimiento.

Grabado de una EEPROM

La grabación de una memoria EEPROM no requiere ninguna tensión especial (basta con los + 5 v de la
alimentación general del sistema y de la propia memoria, su Vcc), ni dispone de terminales especiales de
grabado como en el caso de la EPROM. Su aspecto, desde el punto de vista de terminales y de funcionalidad
es similar al de una memoria SRAM (estática) equivalente. Es el propio terminal de lectura/escritura el que
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hace las funciones de terminal de grabación. Lo único que varía con respecto a una memoria RAM es el
tiempo necesario para grabar la memoria (en torno a los 10 ms/byte). El hecho de necesitar sólo una tensión
de alimentación/grabación de + 5v es debido al hecho de que las EEPROMs actuales incorporan las bombas
de carga necesarias durante el proceso de grabación y funcionan con esta tensión.

De la serie 28xxx de EEPROMs sólo vamos a grabar la 28256, 28128, 2864, por las mismas razones que
vimos en el caso de las memorias EPROM.
Además, esta serie 28xxx y la 27xxx de las EPROM son bastante parecidas en terminales, por lo que el
hardware adicional se simplifica.
Los fabricantes recomiendan seguir el siguiente procedimiento (algoritmo) para grabar sus memorias:

1 .Establecer la dirección a grabar en el bus de direcciones de la EEPROM

2. Establecer el dato (byte) a grabar en el bus de datos de la EEPROM
3. Activar la señal R/W# a 0 (escritura)
4. Leer el byte que se acaba de grabar. Para leer el byte basta con poner la señal R/W# a 1. Leer el bit MS del
byte grabado.
5. Compararlo con el bit MS del byte original
6. Si son distintos, volver a 4. Si son iguales, salir.

Durante el proceso de grabación de un byte, mientras se está grabando el dato, el bit de mayor peso (MS)
tiene el valor complementado del valor real del mismo, es decir, si realmente es un 1 en el byte que se está
grabando, mientras se realiza el proceso, valdrá 0. Este mecanismo incorporado en la memoria permite
simplificar el proceso de grabación de la misma pues sólo habrá que esperar a que este bit MS deje de estar
complementado (tiempo de grabación de la memoria) para continuar grabando otro dato.
Igual que en el caso de las EPROM, se recomienda obtener las hojas técnicas del fabricante de cada una de
las memorias de la serie 28xxx que vamos a grabar. Como observará, no existe compatibilidad total entre
ellas, y se recomienda utilizar jumpers o microswitchs para la configuración hardware adecuada en función
de la memoria a grabar.

Bibliografía
Hojas de características de las memorias 2764, 27128, 27256, 2864, 28128, 28256 de cualquiera de sus
fabricantes (INTEL, ST THOMSON, etc.). Esta información es fácil de conseguir. .
“Microprocessor Systems Design, 68000 Hardware, Software and Interfacing”,
Alan Clements, Third Edition, PWS Publishing Company, Boston