Clese O Septhembre del 20al

Resttencia del diodo

Dado que el osuaio de ter mina el volHaje
ehel coal desea
pehe en toncio namienlo el dodo semcondoctor, es posible
delei minat el valer dedeIoisfencia que presentará este en on
ponto de taminado o
peyacio
Resistenca EslalcaC

V-I (t RHlhapie
Vo
Voiodo

Volvelts
Dado qoe la resis tencia es inveisalmen e proporcional al vealar
d e la co iente, e pg esta razonjque debajo del valor del
Ueltage de dspavo (Vo=O7V pora el Silicio yVp =03 paa
e rermnio) e valoi de esistencia mebdo en teymina es del
io do mucho mai yc que la medi da armba de ebtes valereo
&eUeltje.
Rsistencio Phonedo en(CA)
Caresistencia promedio es la canh&ac qve se obhene de
Yozon entwe e ihcremento de volat e yel ihcrem enlo de
CoTTeY4e.
 Kpromedia ALo
DVo= (0.1-0.6)V
AT 0.3V
Alb- (20-5)mA
Vo (volts IS mA

JcmploCalcolay a tesjstencia coticq pana las valoro

siguiendes de on diodo semichdoclor
IOmAO.6SU
DiodoPal. dvecla 3OmA 0.SV
50mA 0.8SU
Pol. inversa 2nA Oy
5 A 35
e Direch
o 1OnAaO.65Vb 3Onmh a0.SVCSOnA q O.8SU
Ra oxo A
SOXIOA
Ro inuiensa
a S nh oVbSAA a SV
200.8XOSRb
Ra 20V
is AO"A '
80OH R-ISN)