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Proyecto Nro. 3
Francis Pérez C.I 26668068
Naudy Escalona C.I 20348277
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.
2. Explique la construcción de un transistor de unión bipolar
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha.
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de
la tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas reciben el
nombre de curvas características de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy
similares a la de un diodo cuando se polariza directamente.
Estas tensiones permanecen prácticamente constantes, por lo que serán de gran ayuda
para localizar averías en circuitos con transistores.
Curva Vbe Ib
La función que liga VBE con IB es la característica de un diodo, y puede aplicarse dado
que la unión base - emisor, es una pn normal, igual que la de diodo, y al polarizarla,
seguirá el mismo comportamiento que aquel.
La región de saturación no aparece bruscamente para VCE=0, sino que hay una
transición gradual. Típicamente se suele considerar una tensión de saturación
comprendida entre 0.1V y 0.3V.
4. Determine que es Base, Colector, Emisor y Beta de un transistor.
Cada una de las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos
terminales se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B
(base) y C (colector). E (emitter): La zona de emisor es la más fuertemente dopada de
las 3, es la zona encargada de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
Huecos en el caso de un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp. B
(base): La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es
la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector. C (colector): La zona de colector, como su propio nombre indica es la
encargada de recoger o “colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido
capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres. El
factor Beta:La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de
colector y la de base. 4 corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de
carga negativa. Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y
base. La base es el terminal que está unido a la zona intermedia del transistor. Las tres
partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor
dopaje es la base, a continuación se encuentra el colector y por último el emisor. Estudio
de las corrientes El análisis del transistor se realizará para una estructura NPN, y es
análogo para el PNP. Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en
contraposición, y no existen corrientes notables circulantes por él. Si se polariza,
aparecen tres corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por
último la corriente de colector, IC. En la figura siguiente están dibujadas estas corrientes
según convenio, positivas hacia adentro: De estas tres corrientes, la del emisor es la
más grande, puesto que éste se comporta como fuente de electrones. La corriente de
base es muy pequeña, no suele llegar al 1% de la corriente de colector. Aplicando la ley
de Kirchhoff se tiene la siguiente relación: IE = IB + IC Existen dos parámetros que
relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para continua, , y la ganancia de
corriente beta, . El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de
emisor. Su valor nunca será superior a la unidad y da idea de hasta qué punto son
iguales estas corrientes. = IC / IE El factor Beta. La ganancia de corriente b se define
como el cociente entre la corriente de colector y la de base. = IC / IB
5. Investigue 3 hojas técnicas de transistor de unión bipolar y
determine Beta y límites de operación.
6. Indique como medir el beta de un transistor con un multímetro.
2 – Configurar el multímetro para medir el Beta del transistor girando la perilla para que
apunte a Beta o HFE.
4– Leer el valor del Beta que muestre el multímetro en pantalla, un rango normal es
entre 100 y 500 para transistores de baja señal, si el valor de lectura obtenido es muy
bajo es probable que el transistor este quemado.
7.¿A qué se denomina Amplificador Emisor Común, Colector Común y Base
Común?
El amplificador con transistor bipolar en emisor común (en adelante EC) es uno de los
más utilizados, debido a sus elevadas ganancias tanto de tensión como de corriente,
como al hecho de tener unas impedancias de entrada y salida con valores intermedios,
lo que le hace ideal para etapas intermedias. El punto de partida del amplificador en EC
es el conocido circuito auto polarizado en emisor común con resistencia de emisor que
se puede apreciar en la figura siguiente, al que se añaden tres condensadores
adicionales.
a) El amplificador con transistor bipolar en emisor común (en adelante EC) es uno de
los más utilizados, debido a sus elevadas ganancias tanto de tensión como de corriente,
como al hecho de tener unas impedancias de entrada y
Salida con valores intermedios, lo que le hace ideal para etapas intermedias. El punto
de partida del amplificador en EC es el conocido circuito auto polarizado en emisor
común con resistencia de emisor que se puede apreciar en la figura siguiente, al que se
añaden tres condensadores adicionales.
b) CE es el condensador de desacoplo. Se usa para desacoplar (o sea desconectar) la
resistencia de emisor. Para contestar a la pregunta de porque queremos desconectar
dicha resistencia, lo primero que debemos hacer es recordar por qué la incluimos en el
montaje. Los transistores bipolares tienen una ganancia de corriente β o hfe muy
inestable frente a variaciones de temperatura o de componente, pudiendo llegar a
duplicarse. De hecho, para el transistor de la figura, en las hojas de características lo
único que nos dice el fabricante sobre la ganancia es que está en el intervalo 200 – 450.
La resistencia de emisor proporciona estabilidad al punto de trabajo frente a estas
variaciones, pero limita mucho la ganancia. Al incluir el condensador de desacoplo, se
mantiene la estabilidad del punto de trabajo (ya que la corriente continua seguirá
pasando por RE) pero se aumenta la ganancia de la alterna al comportarse el
condensador como un cortocircuito para la señal de alterna, haciendo desaparecer RE.
PUNTO DE TRABAJO (Q) El transistor bipolar que opera en la región lineal tiene unas
características eléctricas lineales que son utilizadas para amplificación. En estos
circuitos, las señales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un
aporte de energía realizado a través de Fuentes de tensión externas denominadas
fuentes de alimentación o fuentes de polarización. Las fuentes de alimentación cubren
dos objetivos: proporcionar las Corrientes y tensiones en continua necesarias para que
el transistor opere en la región lineal y suministrar energía al transistor de la que parte
de ella va a ser convertida en potencia (amplificación). Los valores de corrientes y
tensiones en continua en los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo
y se suele expresar por la letra Q (Quiescent operating point), el punto Q es el punto
donde se polariza el transistor, de acuerdo a una gráfica de la corriente de
colector(continua) en función de la tensión de colector-emisor(continua), el punto Q
estaría en el medio de una pendiente negativa (1/R), esto se hace para trabajar el
transistor en zona lineal y no corte ni sature. Se puede polarizar el transistor de formas
q vos necesites, ya sea para que corte o sature. En fin el punto Q es el punto donde
polarizas el transistor para trabajar según tu conveniencia. El análisis del punto de
trabajo de un dispositivo, como ya se sabe, se puede llevar a cabo de dos formas
diferentes: analítica (realizando un análisis matemático de todas las ecuaciones
implicadas) o gráfica ( recta de carga en continua). Obtener el punto de trabajo Q de un
dispositivo consiste básicamente en obtener el valor de las diferentes tensiones y
corrientes que se establecen como incógnitas en el funcionamiento del mismo. El
método analítico, se basa en resolver el sistema de ecuaciones que se establece
teniendo en cuenta: las leyes de Kirchoff aplicadas a las tensiones y corrientes que
definen el funcionamiento del dispositivo; las ecuaciones que se obtienen del
comportamiento del mismo, según la región de funcionamiento (circuito equivalente); y
las relaciones eléctricas del circuito de polarización usado. Si se desea realizar el
análisis gráfico, hay que disponer en primer lugar de las curvas de funcionamiento del
transistor (curvas características de entrada y salida), que se podrían obtener también
como representación de las ecuaciones que definen el comportamiento del transistor.
Sobre estas curvas se traza la denominada recta de carga en continua (impuesta por el
circuito eléctrico externo del transistor), y los puntos de intersección de esta recta con
las curvas del dispositivo establece los posibles puntos de trabajo Q. El siguiente paso
es determinar exactamente cuál de esos posibles puntos es el de funcionamiento.
Actividades de Laboratorio
2. Monte el siguiente circuito e incorpore como entrada una señal cuadrada con
periodo de 2 segundos.
Vcc
D1
LED-RED
R1(1) R1 Q1
2N2222
1k
3. Calcule la frecuencia.
1 1
𝑓= = = 0.5 𝐻𝑧
𝑇 2
4. Explique.
Vcc
RC
1k
R2
14.65k
CS2
15.91uF
CS1 Q1
2N2222
15.91uF RL
1k
Vin R1
6.9k
RE CR
470 15.91uF
Rca = RC || RL = 1k || 1k = 500Ω
Rcd = Rc + Re = 1k + 470 = 1470Ω
IC = Vcc / (Rca + Rcd) = 12 / (500 + 1470) = 6.09mA
VCE = IC * Rca = 6.09m * 500 = 3.05V
VCC ’ = 2 * VCC = 6.1V
RB = 0.1 * β * RE = 0.1 * 100 * 470 = 4.7KΩ
VBB = VBE + IC * (1.1 * RE) = 0.7 + 6.09m * (1.1 * 470) = 3.85V
R1 = RB / (1 – VBB / VCC ) = 4.7K / (1 – 3.85 / 12) = 6.9KΩ
R2 = VCC *0 RB / VBB = 12 * 4.7K / 3.85 = 14.65KΩ
Mida
VCE = 4.97V
IC = 5.99mA
Q:
Grafica del punto Q:
1. Se tiene como entrada una fotoresistencia. Si hay luz se debe encender una
lámpara que indique que el sistema esta operativo pero en modo de descanso.
Si oscurece el sistema debe apagar la lámpara. Establezca usted los niveles de
tensión necesarios para determinar claridad/oscuridad. Simule el circuito.
D1
LED-RED
1000.0 LDR1
LDR
RC
BAT1 Q1
12V 2N2222
R1
Para este diseño, se empleara un diodo Led rojo y un fotoresistor con las siguientes
características:
Diodo led: voltaje de operación típico de 2V con 20mA de corriente
Fotoresistor: varia su resistencia respecto del nivel de luminosidad de la
siguiente manera:
1000 lux: 339Ω
400 lux: 745Ω
100 lux: 2.45KΩ
Se realizaran los cálculos de manera que el led este encendido con máximo brillo
a partir de un nivel de luminosidad de 1000 lux. Esto quiere decir que VBE =
0.7V cuando RLDR = 339Ω
Por regla de diseño, sabemos que la corriente que circulara por la fotoresistencia debe
ser al menos 10 veces mayor que la corriente de la base para tener estabilidad de
polarización, de esta manera podremos aplicar LVK en el camino que recorre VCC , RLDR
y VCE para conseguir la corriente de la base:
Calculamos ahora RC empleando como datos los valores típicos del led:
1000 Lux:
+18.2
mA
D1 +2.25
LED-RED Volts
1000.0 LDR1
LDR
RC
500
BAT1 Q1
12V 2N2222
R1
23.33
800 Lux:
+0.74
mA
D1 +2.17
LED-RED Volts
800.0 LDR1
LDR
RC
500
BAT1 Q1
12V 2N2222
R1
23.33
600 Lux:
+0.00
mA
D1 +0.38
LED-RED Volts
600.0 LDR1
LDR
RC
500
BAT1 Q1
12V 2N2222
R1
23.33
POST- LABORATORIO
1. Defina condensadores de paso y de acoplamiento.