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Técnico en electrónica
COMPONENTES
ELECTRÓNICOS
Para audio e imagen
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ed ito r pueden se r considerados responsables d e las consecuencias derivadas de inform aciones incorrectas o m al presentadas, asi co m o ta m p o c o d e o m i
siones o errores q u e se hubieran p o dido producir en la realización de este libro.
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cualquier m edio, ya sea electrónico, m ecánico, p o r fotocopia, p o r grabación o p o r otros m étodos, sin el perm iso previo y por escrito de los titulares del
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2 Conectores 31
3 Resistencias 45
5 Condensadores 81
Abreviaturas 393
índice 395
5
Capítulo 1
Conductores y circuitos
impresos
INTRODUCCIÓN
La conexión eléctrica entre los componentes de un circuito electrónico se realiza mediante hilos y
cables de cobre, o mediante circuitos impresos.
Los circuitos impresos son láminas de material aislante, más o menos rígidas, sobre las que se
disponen unas tiras de cobre -e n una o en ambas caras- por las que circulan las señales eléctri
cas de unos componentes a otros.
El hecho de utilizar como elemento preferente de Interconexión el circuito impreso no quiere de
cir que no se utilicen hilos y cables conductores, empleados sobre todo para la interconexión entre
placas de circuitos impresos y entre éstas y otros componentes externos tales como, por ejemplo,
Interruptores, altavoces, antenas, etc.
En una primera clasificación se pueden dividir los conductores en dos grandes grupos:
Para las corrientes de baja frecuencia se utilizan hilos y cables conductores, aislados o no, así como
circuitos Impresos. Para las líneas transmisoras de radiofrecuencia se emplean cables especiales,
como, por ejemplo, los cables coaxiales, y los circuitos impresos.
Veamos las características técnicas que deben presentar todos estos elementos de intercone
xión, empezando el estudio por los hilos y cables.
Se denomina conductor todo material que permita el paso continuo de una corriente eléctrica cuan
do es sometido a una diferencia de potencial eléctrico.
Todos los materiales en estado sólido y líquido tienen propiedades conductoras, pero ciertos ma
teriales son relativamente mejores conductores que otros, y algunos están casi totalmente despro
vistos de esta propiedad. Por ejemplo, los metales son los mejores conductores, mientras que los
óxidos y sales metálicas, minerales, materias fibrosas, etc., tienen conductividad relativamente baja
que, no obstante, queda afectada favorablemente por la absorción de la humedad.
Aunque todos los metales son buenos conductores de la electricidad, la comparación entre unos
y otros demuestra que la plata, el cobre y el aluminio, son los que presentan menor resistividad, por
lo que son los más idóneos para la fabricación de hilos y cables para la conducción de la corriente
eléctrica. En la práctica, y salvo casos muy especiales, la plata, a pesar de ser el mejor conductor,
queda descartada por su elevado precio, por lo que la fabricación de conductores queda limitada
a la utilización del cobre y el aluminio.
7
ELECTRÓNICOS
Comparando el cobre con el aluminio el primero resulta ser mejor conductor, pero su precio es
más elevado. Sin embargo, y debido a que la cantidad de cobre que se utiliza en un circuito elec
trónico es pequeña, apenas si se encarece por la utilización de este metal, proporcionando a cam
bio unas mejores características, por lo que el cobre es el metal más utilizado en la fabricación de
todo tipo de conductores para circuitos electrónicos.
Los conductores utilizados en electrónica para interconectar componentes que trabajan en baja
frecuencia se fabrican en forma de hilos o de cables de cobre.
Recibe el nombre de hilo conductor aquél que está formado por un único conductor, cilindrico o
plano, de sección muy pequeña en comparación con su longitud, con y sin aislamiento (figura 1.1),
y cuya principal característica, desde el punto de vista mecánico, es la de presentar una cierta rigi
dez, tanto mayor cuanto mayor sea su sección.
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a)
En algunos oasos, cuando no existe posibilidad alguna de contacto eléctrico entre conductores,
o entre éstos y otras partes del circuito -lo que daría lugar a cortocircuitos-, se emplean conduc
tores desnudos, es decir, sin aislamiento eléctrico. Por el contrario, cuando se sospecha un posi
ble contacto eléctrico es imprescindible utilizar conductores recubiertos con material aislante.
También se utilizan conductores aislados en aquellos casos en los que, aun sin existir posibili
dad de cortocircuitos, interese distinguir unos cables de otros mediante recubrimientos de distintos
colores.
Para el recubrimiento de los conductores se emplean materiales aislantes muy diversos, depen
diendo el tipo utilizado de la tensión eléctrica, temperatura, humedad y otras condiciones ambienta
les. Actualmente está generalizado el uso de lacas y materiales plásticos, tales como el cloruro de
polivinilo y el teflón, en distintos grosores de recubrimiento. En muchos casos se añade una cubier
ta de fibra de vidrio o de nailon.
En la industria electrónica se emplean gran variedad de conductores aislados, por lo que resul
ta prácticamente imposible reseñarlos todos. Así, además de una amplia gama de secciones, los
conductores (figura 1.3) pueden ser unifilares, bifilares, trifilares, etc., puesto que en muchos casos
se precisan múltiples líneas de interconexión entre los circuitos.
d)
1.3 a) Cable conductor aislado unifilar. b) Cable conductor aislado bifilarcon cubierta, c) Cable conductor
aislado trifilar con cubierta, d) Cable conductor aislado multitilar con cubierta.
9
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
tuyen a las mangueras formadas por varios conductores sueltos, que deben mantenerse unidos me
diante cintas aislantes u otros elementos de sujeción.
El plástico transparente que recubre los conductores posee escasa resistencia mecánica, por lo
que resulta fácil separar los conductores cuando el número que se precise de ellos sea inferior al
número de conductores que contiene el conductor plano, o cuando se deba efectuar la desviación
de uno de ellos en el curso de la trayectoria del conjunto.
Estos conductores resultan idóneos cuando deben ¡nterconectarse dos circuitos electrónicos
mediante conexiones enchufables, como ocurre, por ejemplo, entre dos módulos de un televisor.
Cada uno de los cables que forman el conductor plano está formado por varios hilos trenzados de
pequeña sección; por ejemplo, siete hilos de 0,2 mm de diámetro.
Aunque la primera impresión es que los conductores de este tipo no soportarán intensidades o
tensiones altas, se puede afirmar que conductores planos como los de la figura 1.4 son capaces
de soportar 250 V de tensión alterna entre cables adyacentes, y dejar pasar corrientes eléctricas de
hasta 1,4 A a una temperatura ambiente de 70 "C.
Se fabrican en versiones de 10 y 20 vías (cables). Los colores utilizados para identificar cada
uno de los cables siguen la misma norma del código de identificación de resistencias y condensa
dores, tal y como se comprueba en la tabla 1.1.
cable n,° color cable n.° color cable n.iJ cok» cable n.° color
Un dato que debe tenerse presente cuando se utilizan cables planos es la capacidad que se fo r
ma entre núcleos adyacentes, ya que dos conductores eléctricos separados por un aislante forman
una capacidad parásita que puede afectar al buen funcionamiento del circuito, sobre todo si se tra
baja con señales de radiofrecuencia. En el caso de los cables de la figura 1.4 la capacidad entre
conductores adyacentes es de 50 pF por metro de longitud del cable.
El cable plano de la figura 1.4 no es adecuado para ser utilizado en un sistema de conectores de cin
ta. Para eso se fabrican cables planos de tipo IDC, codificados o no por colores, como el de la figura 1.5.
El cable plano de la figura 1.5 presenta grandes ventajas en lo que respecta a la reducción de
espacio y peso, y se utilizan en ordenadores y equipos de audio o digitales. Está formado por con
ductores de hilo de cobre estañado trenzado, colocados en paralelo y laminados entre capas de
PVC (pollcloruro de vinilo) gris para formar el cable plano.
El paso entre conductores está normalizado en 1,27 mm y la capacidad parásita entre ellos es
de unos 50 pF por metro de longitud. Soportan tensiones continuas entre cables adyacentes de
300 V y la corriente nominal que puede soportar cada uno de los cables es de 1 A.
10
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
Todos los conductores citados son ¡dóneos para la circulación de corriente continua o alterna
de baja frecuencia, pero si la señal a transportar es de alta frecuencia se produce una radiación de
energía electromagnética que puede afectar a otros componentes y circuitos próximos (e incluso
alejados, si la energía transportada es elevada), es decir, el aislamiento plástico no evita la radiación
ni la captación de señales de radiofrecuencia por parte del cable.
Para evitar esto, en las etapas de radiofrecuencia se utilizan cables apantallados, como los de
la figura 1.6. Estos cables son idénticos a los anteriores, pero se les añade en fábrica una malla
de cobre flexible tejida sobre el aislante, que hace de pantalla para las señales de alta frecuencia.
La malla de cobre se recubre, en ocasiones, con una cubierta protectora aislante. El blindaje debe
conectarse siempre a masa del circuito para que sea eficaz.
Las características técnicas de los conductores definen sus propiedades eléctricas, mecánicas y fi
sicoquímicas.
Dado que en electrónica los conductores no están sometidos a elevados esfuerzos mecánicos
ni a agentes químicos, sólo estudiaremos las propiedades eléctricas, tanto del material conductor
como del aislante que lo recubre, añadiendo para este último sus propiedades químicas.
En lo que respecta al material conductor, las características eléctricas principales son:
• Resistencia eléctrica.
• Resistividad eléctrica.
• Conductividad eléctrica.
• Densidad de corriente.
• Resistencia al paso de corrientes de alta frecuencia.
Respecto al aislamiento, las características técnicas que debemos considerar son las siguientes:
• Resistencia de aislamiento.
• Rigidez dieléctrica.
• Constante dieléctrica.
• Inflamabilidad.
• Temperatura de seguridad.
• Resistencia al ozono.
• Resistencia a la luz solar.
Resistencia eléctrica
Por bueno que sea un material conductor siempre ofrece una cierta oposición al paso de la corrien
te eléctrica, que debe tenerse presente en algunas aplicaciones.
Para un material conductor la resistencia u oposición al paso de la corriente eléctrica (R) es, en
general, independiente de la tensión a él aplicada (V) y de la corriente que por él circula (7); es, en rea
lidad, un parámetro que depende de la naturaleza y dimensiones del material.
11
ELECTRÓNICOS
Siendo p un coeficiente de proporcionalidad distinto para cada material conductor, denominado re
sistividad.
Resistividad eléctrica
La resistividad eléctrica, o resistencia específica, es la medida de la resistencia eléctrica de una cantidad
de material dado, que permite su comparación con la de otro material con las mismas dimensiones.
La fórmula para el cálculo de la resistividad es:
RS
P=^
x mm2
Como en electrónica sólo se utiliza el cobre en la fabricación de hilos y cables, el único valor de re
sistividad que interesa es el de este material, cuyos valores más corrientes se indican en la tabla 1.2:
Puro 0,0167
Recocido 0,0172
Duro 0,0176
Conductividad eléctrica
La conductividad eléctrica es la inversa de la resistividad, definida en el parágrafo anterior, y está
expresada por:
, - 1- 1
7 ~ p " RS
Sx m
Y= n r f
Densidad de corriente
Recibe la denominación de densidad de corriente eléctrica (J) el cociente de la intensidad de c o
rriente que circula por el conductor por su sección.
Si se utiliza, como es normal, la sección expresada en mm2, la densidad de corriente viene dada
en amperios por milímetro cuadrado de sección (A/mm2).
La fórmula para el cálculo de la densidad de corriente es:
Así, una densidad de corriente de 2 A/m m 2 significa que por el conductor circulan 2 A por cada mi
límetro cuadrado que posea su sección.
Los conductores eléctricos presentan un límite de densidad de corriente que no debe ser sobrepa
sado con el fin de evitar sobrecalentamientos excesivos y caídas de tensión anormales. Como orienta
ción, diremos que la densidad de corriente máxima admitida por un hilo conductor está comprendi
da entre 2 y 3 A por mm2 de sección, lo que quiere decir que, considerando como valor medio el de
2,5 A/mm2, un conductor de 0,159 mm2 de sección sólo admite una intensidad de corriente máxima de:
Así, si se considera como límite el de 2,5 A/m m 2, y si por el conductor ha de circular una corriente
superior a 400 mA, la sección de 0,159 mm2 es insuficiente y deberá tomarse otra mayor.
Resistencia de aislamiento
Se denomina resistencia de aislamiento de un material aislante a la resistencia que opone al paso
de la corriente eléctrica, medida en la dirección en que deba asegurarse el aislamiento.
Como la corriente de fuga de un material aislante sigue dos caminos posibles, uno sobre la su
perficie del material y el otro a través del cuerpo del material, se distingue entre resistencia de ais
lamiento superficial y resistencia de aislamiento transversal o volumétrica.
La resistencia de aislamiento superficial es la resistencia que ofrece la superficie del material al
paso de la corriente eléctrica cuando se aplica una tensión entre dos puntos de ella (figura 1.7).
o + —o
Electrodos
13
ELECTRÓNICOS
El valor de esta resistencia se refiere a la superficie comprendida entre las dos zonas sometidas
a tensión, las cuales están en contacto con los electrodos, y suele medirse en megaohmios por
centímetro cuadrado (Mí2/cm2). A esta magnitud se la denomina también resistividad superficial.
La resistencia de aislamiento transversal corresponde a la resistencia que opone el material ais
lante a ser atravesado por la corriente eléctrica, cuando se aplica una tensión entre dos caras
opuestas del mismo (figura 1.8). Se denomina también resistividad transversal o volumétrica, y se
expresa en Mf¿ • cm 2/cm .
En un mismo material aislante la resistividad transversal no posee un valor constante, como sue
le ocurrir con los materiales conductores, sino que varía con la temperatura, la tensión aplicada, el
tiempo, la humedad, el espesor del material, etc., destacando los efectos debidos a la variación de
temperatura, cuyo aumento produce una disminución de la resistividad transversal. Por consi
guiente, la resistencia de aislamiento se indica a la temperatura máxima que se prevé tendrá que
soportar el material.
Cuanto mayor sea la resistividad del aislamiento de un conductor, tanto mejor actúa como tal.
No obstante, este dato no basta por si solo para juzgar la calidad de un aislante, ya que deben con
siderarse también otras propiedades eléctricas, máxime si se tiene en cuenta que en electrónica
(salvo circuitos especíales como, por ejemplo, los de la etapa de MAT de un televisor) las tensiones
con las que se trabaja no son ni mucho menos elevadas y, por lo tanto, no se exigen grandes ais
lamientos.
Rigidez dieléctrica
El material aislante perfecto no se conoce todavía, lo cual quiere decir que, por bueno que sea el ais
lamiento de un conductor, siempre se produce una pequeña corriente de fuga. Con ella el material
aislante se calienta localmente y el calentamiento permite el paso de más corriente (ya que disminu
ye la resistividad transversal). Este efecto es acumulativo, y si la tensión alcanza un valor suficiente
mente elevado puede producirse la perforación del aislante.
El fallo se manifiesta por una superficie quemada o por una perforación del material que, en
ocasiones, pasa desapercibida y resulta difícil de localizar.
Se denomina rigidez dieléctrica a la propiedad de un material aislante de oponerse a ser perfo
rado por la corriente eléctrica. Su valor se expresa por la relación entre la tensión máxima que pue
de aplicarse sin que el aislante se perfore (llamada tensión de perforación) y el espesor de la pieza
aislante. Se expresa en kV/mm.
Debe tenerse presente que la rigidez dieléctrica no es directamente proporcional al espesor del
aislante.
Es muy frecuente utilizar erróneamente el concepto de rigidez dieléctrica por no prestar la debida
atención a este importante concepto. Así, por ejemplo, si un aislamiento de 2 mm de espesor se per
fora a 20 kV, un aislamiento del mismo material de 1 mm de espesor no se perfora a 10 kV. sino antes.
También los aumentos de temperatura hacen disminuir la rigidez dieléctrica. Otros factores que
influyen sobre ella son la humedad y el envejecimiento del aislante.
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
Todo ello tiene especial importancia en los conductores aislados sometidos a tensiones eleva
das, como el conductor de MAT de un televisor, el cual soporta tensiones superiores, en muchos
casos, a los 18 kV con respecto a masa. El calentamiento y el envejecimiento del aislamiento del ca
ble, acompañados de una posible proximidad del potencial negativo, hacen que sea muy frecuen
te la perforación del aislante después de unos años de trabajo.
Constante dieléctrica
Se llama constante dieléctrica de una materia aislante a la relación entre la capacidad de un con
densador que utilice como dieléctrico el material considerado, y ia capacidad del mismo conden
sador utilizando corno dieléctrico el aire.
En el caso de los conductores eléctricos utilizados en electrónica, pueden producirse capaci
dades parásitas entre dos de distinta polaridad, o entre uno y masa. El aislante actúa com o dieléc
trico que favorece el aumento del valor de la capacidad parásita, la cual es generadora de muchas
anomalías de difícil localización.
Es conveniente realizar siempre conexiones lo más cortas posibles, perpendiculares entre po
tenciales distintos, alejadas entre sí, y utilizar aislamientos cuya constante dieléctrica sea lo más p e
queña posible. Siguiendo estos consejos se evita la creación de capacidades parásitas, tan perju
diciales en los circuitos electrónicos que trabajan en radiofrecuencia, y en el supuesto de que éstas
se produzcan (por no poder llevar a cabo algunos de los consejos expuestos), su valor será muy
pequeño.
Inflamabilidad
Es la facilidad que tiene un material para inflamarse. Algunos aislantes son muy inflamables mien
tras que otros sólo lo son ligeramente, y otros son completamente ininflamables.
Siempre que sea posible se deben preferir los hilos conductores cuyo aislante sea menos infla
mable, el cual ofrecerá, en todo momento, una mayor seguridad de funcionamiento, sobre todo si
está próximo a puntos donde la temperatura es elevada, o en lugares con peligro de producción de
arcos o chispas.
Temperatura de seguridad
En ocasiones los conductores están situados en zonas generadoras de calor (como sucede en las
etapas de potencia de baja frecuencia, o en las fuentes de alimentación) y, por lo tanto, han de so
portar temperaturas superiores a la del medio ambiente.
El sometimiento de un aislante a una temperatura elevada altera sus características, dism inu
yendo su resistencia de aislamiento, su rigidez dieléctrica y, también, su resistencia mecánica, ade
más de aumentar su facilidad para ser atacado por agentes químicos.
Por consiguiente, es muy importante conocer su capacidad de resistencia a la acción del calor,
es decir, la temperatura límite a que puede estar sometido el aislante de un conductor sin que se
produzca la degradación de sus características. Debe tenerse en cuenta que la perforación del ais
lante no se presenta inmediatamente al llegar a cierta temperatura crítica, sino que se produce por
la acción prolongada de dicha temperatura.
Antes de su destrucción, muchos aislantes al alcanzar cierta temperatura se ablandan y defor
man; se dice entonces que han alcanzado su punto de reblandecimiento. En consecuencia, la tem
peratura de segundad antes citada, y que es la máxima a que puede trabajar el aislante, ha de ser
inferior a la temperatura en que se alcanza su punto de reblandecimiento.
Finalmente diremos que muchos aislantes tienen un punto de reblandecimiento bajo, inferior a
90 °C, por lo que siempre resulta conveniente evitar su contacto directo con componentes que ra
dien excesivo calor.
Resistencia al ozono
El ozono es una forma alotrópica del oxígeno, y su fórmula quimica es 0 3, es decir, que tiene una
molécula constituida por tres átomos de oxígeno.
El ozono se produce al ionizarse el aire por la acción de un campo eléctrico. Es m ucho más oxi
dante que el oxigeno ordinario y fácilmente reconocible por su olor a marisco.
15
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los materiales aislantes están a veces sometidos a la acción del ozono desprendido; sobre
todo cuando las tensiones son elevadas. Al ser el ozono un poderoso oxidante, es la causa de que
se produzcan deterioros en los materiales aislantes.
Una vez efectuado el estudio de las características técnicas que deben exigirse a los materiales uti
lizados en la fabricación de hilos y cables, a continuación se exponen los materiales conductores y
aislantes más utilizados, con indicación de sus principales aplicaciones cuando se preste a ello.
Cobre electrolítico
Las características técnicas del cobre electrolítico coinciden, casi exactamente, con las del cobre
puro, ya que su contenido mínimo de cobre ha de ser del 99,9 %.
La resistividad del cobre electrolítico es la más baja de todos los tipos de cobre utilizados en la
fabricación de conductores, pues a 20 "C es de tan sólo 0,01673.
Cobre recocido
El cobre recocido, llamado también cobre blando, tiene una resistencia a la rotura de 22 a 28 kg/mm2.
El cobre recocido es dúctil y maleable, se maquina fácilmente y se utiliza, sobre todo, en la
fabricación de conductores eléctricos que no tengan que estar sometidos a grandes esfuerzos
m ecánicos (por ejemplo, en instalaciones eléctricas interiores de viviendas y cables para circui
tos electrónicos).
Polietileno
Desde el punto de vista de sus cualidades eléctricas, el polietileno es uno de ios más importantes
materiales termoplásticos. Actualmente es el material plástico más utilizado para el recubrimiento
de conductores.
Es un material sólido, incoloro, traslúcido, graso al tacto, blando en pequeños espesores, siem
pre flexible, inodoro y no tóxico. Tiene un aspecto similar al de la parafina.
Se descompone a unos 300 °C. Sin plastificantes se reblandece a 115 °C; es importante seña
lar que su punto de fusión está muy próximo al de reblandecimiento, por lo que se recomienda no
utilizarlo con temperaturas superiores a 80 °C.
Cuando se utiliza como aislante de cables sometidos a la intemperie, deben añadírsele estabili
zadores, especialmente antioxidantes, que le proporcionan mayor resistencia frente al oxígeno y la
16
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
conocida acción destructiva de los rayos ultravioletas de la luz solar, que provocan el endureci
miento del material y una disminución de sus cualidades eléctricas y mecánicas.
Es muy resistente a la humedad, de la que absorbe menos del 0,005 %. Es uno de los plásti
cos más resistentes a los agentes químicos que se conocen actualmente. Presenta excelentes pro
piedades eléctricas, especialmente a altas frecuencias.
Mediante la adición de cargas de negro de carbono, puede mejorarse su resistencia al calor y a la
luz. Posee además la gran ventaja, ya indicada, de ser siempre flexible, sin necesidad de plastificantes.
Arde entre fácil y moderadamente, con ligero resplandor, con llama azul en la parte baja y ama
rilla en la parte alta. Funde y gotea mientras arde. Huele a parafina quemada.
Polietileno reticulado
El polietileno reticulado es un material resultante de las tentativas de eliminar la condición termo-
plástica del polietileno, aumentando así las temperaturas de trabajo y de fusión del material.
Aunque no sea lo mismo, podemos comparar la reticulación con la vulcanización de un elastó-
mero, ya que se proporciona al producto tratado la propiedad de fundirse a alta temperatura sin re
blandecimiento previo; por esta razón, al polietileno reticulado se le conoce también con el nombre
(inapropiado) de «polietileno vulcanizado».
Cabe distinguir el polietileno reticulado sin carga, de características dieléctricas semejantes a las
del polietileno term oplástico, del polietileno reticulado cargado con negro de carbono, en el que
las propiedades dieléctricas quedan ligeramente disminuidas, pero en el que sus propiedades me
cánicas y de estabilidad a la intemperie quedan notablemente reforzadas.
El polietileno reticulado admite perfectamente temperaturas de trabajo de unos 90 °C, pudien-
do alcanzar, en casos de emergencia y durante corto tiempo, hasta 130 °C sin que la estructura del
aislamiento quede afectada. Alrededor de los 300 °C se carboniza sin previa fusión.
Estas excelentes características térmicas, junto con sus propiedades eléctricas, superiores a las
que poseen la mayor parte de los materiales aislantes, convierten al polietileno reticulado en el ma
terial idóneo para constituir el aislamiento de cables expuestos a fuertes puntos de carga, o utili
zarlo en circuitos expuestos a temperaturas ambientales elevadas o con escasa refrigeración.
Policloruro de vinilo
El policloruro de vinilo (PVC) se denomina también cloruro de polivinilo. Es un material plástico cu
yas excelentes cualidades hacen que sea el aislante más utilizado, es decir, es el más importante
de todos los materiales plásticos, a lo cual ha contribuido también su módico precio.
Como aislante eléctrico, el policloruro de vinilo es ampliamente utilizado para el recubrimiento
de cables eléctricos que han de trabajar a la frecuencia industrial de 50 Hz (cables de conexión a
la red eléctrica), no siendo adecuado su uso en alta frecuencia debido a que sus pérdidas dieléc
tricas resultan elevadas en esas condiciones, por lo que a elevadas frecuencias es preferible utilizar
cables aislados con polietileno.
A pesar de ello, es muy utilizado com o aislante de conductores en el alambrado de aparatos
electrónicos, debido, entre otras cosas, a la facilidad de diferenciar los diversos conductores gracias
al gran número de colores que pueden obtenerse por mezcla de colorantes y pigmentos.
El policloruro de vinilo es inodoro, insípido y no tóxico. Es insoluble en agua. Resulta excepcio
nalmente resistente a los agentes químicos, tales com o ácidos, álcalis, aceites, alcoholes, etc. Po
see una gran resistencia al ozono y al oxígeno atmosférico.
Arde con dificultad y su llama se extingue por sí sola; la llama es de color amarillento, con tono
grisáceo en el borde. Sin llegar a arder, se ablanda por la acción del calor y despide olor a cloro.
Sus propiedades mecánicas son solamente medianas.
Politetrafluoretileno
El politetrafluoretileno, conocido con el nombre comercial de teflón, fue descubierto en 1941 por los
laboratorios Du P o n t .
Se trata de un material aislante que conserva las mismas propiedades físicas y químicas que el
polietileno, con la particularidad de que la presencia de flúor en su composición le proporciona una
excepcional resistencia a los agentes químicos.
17
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Es traslúcido, blanco o grisáceo, e inalterable a la luz solar y a los agentes atmosféricos. Posee
nula absorción de la humedad; y gran resistencia al envejecimiento por oxidación, especialmente a
altas temperaturas.
En funcionamiento permanente abarca una gama de temperaturas comprendida entre -5 5 °C
y +325 °C sin perder ninguna de sus propiedades. Se descom pone a una temperatura de 450 a
500 °C. No arde, pero se pone incandescente.
Presenta excelentes propiedades eléctricas, incluso a altas temperaturas y altas frecuencias. No
le atacan los ácidos ni los disolventes, ni siquiera a temperaturas elevadas; en cambio, sí pueden
atacarlo los álcalis concentrados.
Su precio es muy elevado (unas diez veces mayor que el del polietileno), lo que lo hace prohibitivo
como aislante de conductores eléctricos. Sin embargo, se emplea como aislamiento de conductores
sometidos a condiciones de funcionamiento muy exigentes, y en el cam po de las altas frecuencias.
La cubierta aislante de los conductores utilizados en electrónica se tiñe de diversos colores con el
fin de facilitar el montaje y seguimiento del circuito, sobre todo si éste es muy complejo.
El código utilizado depende en gran parte de la complejidad de los circuitos, por lo que en oca
siones es necesario recurrir a conductores con varias bandas de color para su identificación. A títu
lo de ejemplo, exponemos un código muy utilizado en el alambrado de circuitos electrónicos:
En el caso de los conductores de alimentación de red, el código está normalizado según los si
guientes colores: azul para una fase y negro para la otra; para el conductor de puesta a tierra: fran
jas amarillas y verdes.
CIRCUITOS IMPRESOS
Básicamente un circuito impreso es una placa de material aislante, a una de cuyas caras se han ad
herido tiras de cobre desnudo, niqueladas o plateadas, que hacen las funciones de conductores. En
la otra cara de la placa aislante se sitúan los componentes del circuito (resistencias, condensadores,
transistores, circuitos integrados, etc.), los cuales,
a través de unas perforaciones existentes en la
placa y unos puntos de soldadura, se ponen eléc
tricamente en contacto con las tiras de cobre de la
otra cara, siendo éstas las que sirven de conduc
tores eléctricos entre los distintos componentes,
formando de esta manera un circuito de dimen
siones reducidas.
La denominación de circuito impreso procede
del hecho de que en su fabricación se utilizan pro
cesos de imprenta.
En la figura 1.9 se puede ver parte de una pla
ca de circuito impreso. Las pistas de cobre se han
dibujado en negro, y cada una de ellas termina en
un topo con orificio para introducir y soldar los ter 1.9 Dibujo de un fragmento
minales de los componentes. de un circuito impreso.
18
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
• Baquelitas.
• Fibra de vidrio,
• Poliamidas de vidrio.
• Keviar.
• Compuestos de cuarzo.
• Alúminas (cerámicas).
• Invar-cobre.
De todo lo expuesto se deduce que, en el campo del gran consumo (radio, televisión, etc.), la
fabricación de los circuitos impresos se realiza actualmente utilizando como soporte la fibra de vi
drio, de la cual existen diferentes versiones y calidades que resumimos en la tabla 1.4, con el fin de
poder compararlas y así elegir, entre las diferentes opciones, aquella que más se acomode a las ne
cesidades concretas.
19
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Resistencia superficial
( ti • cm) 2 x 1012 2 x 10’ 2 2 x 1012 2 x 1012 1 x 10”
Temperatura máxima
de servicio (°C) 145 145 145 145 250
Resistencia en el baño
de soldadura (s/°C) 10/250 10/250 20/260 20/260 20/260
Tabla 1.4 Características técnicas de tas planchas de libra de vidrie utilizadas en ia fabricación de circuitos
impresos.
A las placas base se les adhiere, en una de sus caras, una lámina de cobre extremadamente puro.
Es conveniente que la cara de la lámina de cobre que está en contacto con la placa aislante sea ru
gosa, con la finalidad de lograr una mejor adherencia.
El pegado de la lámina de cobre sobre la placa base suele hacerse mediante prensa y a eleva
da temperatura, utilizando pegamento de características dieléctricas semejantes a ia placa aislan
te. El espesor de la lámina de cobre oscila entre 0.025 y 0,070 mm.
Una vez efectuado el pegado de la lámina de cobre sobre la placa aislante, se imprime sobre la pri
mera el cableado del circuito. A continuación, se procede a proteger toda la parte impresa contra la ac
ción del ácido en el que posteriormente se sumergirá la placa. De esta forma el ácido ataca el cobre
no protegido (destruyéndolo) y deja en la placa aislante únicamente el cobre perteneciente al circuito.
Una vez realizada esta operación se procede a retirar la capa protectora que se había coloca
do, con lo que el circuito ya impreso puede pasar a su mecanizado.
El mecanizado consiste en la realización de las perforaciones que deben servir para la introduc
ción de los terminales de los componentes y la tornillería, y su posterior soldadura a las pistas del
circuito impreso.
Veamos ahora distintos procedimientos de impresión de circuitos impresos.
Método offset
Este procedimiento se basa en el sistema offset de imprenta. Se prepara una plancha de aluminio
o de cinc, en la que se graba el circuito a imprimir, quedando éste en relieve. Esta plancha se en
tinta y se imprime sobre la cara de cobre de las placas de los futuros circuitos impresos.
Se procede luego a proyectar un haz pulverizado de betún o resina que se adhiere sólo a las
partes entintadas. Mediante un procedimiento térmico se calienta la placa, con lo que el betún ad
herido y la tinta forman una sustancia protectora que cubre parte de la lámina de cobre (la que c o
rresponderá a las pistas).
20
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
La placa así dispuesta se sumerge en ácido corrosivo, atacando éste las partes de la placa no
protegidas. Posteriormente se procede al lavado de la placa, normalmente con agua, procurando
que quede desprovista por completo de ácido, grasa o cualquier otra materia molesta para el p os
terior montaje de los componentes (figura 1.10).
d)
Método de serigrafía
En este procedimiento el entintado de la placa se efectúa mediante una plantilla, en la cual se re
corta el circuito a imprimir.
Se superpone luego la plantilla a la plancha de cobre del futuro circuito impreso y se entinta el
conjunto, quedando el circuito dibujado sobre la plancha de cobre cuando se retira la plantilla.
Según el tipo de tinta empleada, ésta puede ser ya suficiente para proteger al circuito de la
acción del ácido. En caso de que no sea así, se puede seguir el procedim iento utilizado en el
m étodo offset de adherir a la tinta betún o resina. El resto del procedim iento a seguir es el m is
mo (figura 1.10).
21
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Método fotomecánico
Básicamente, consiste en realizar en tinta negra el dibujo del circuito impreso, sobre un papel que no
modifique sus dimensiones con la humedad o temperatura (por ejemplo, en poliéster), y a mayor ta
maño del definitivo. Actualmente da mejores resultados dibujar el circuito con pistas adhesivas, espe
cialmente diseñadas para este menester, ya que cubren mejor el papel que el trazado con tinta china.
Una vez realizado el dibujo, se fotografía para obtener un cliché o negativo, en el que los trazos
correspondientes al dibujo (pistas del circuito impreso) son transparentes y el resto completamen
te opaco.
Mediante una copiadora se coloca el cliché sobre cada una de las placas del circuito, que han
sido previamente cubiertas con material fotosensible, por ejemplo, un líquido que se torna viscoso,
o incluso sólido, al recibir luz ultravioleta.
Al proyectar la luz requerida sobre el conjunto formado por el cliché y la placa, en ésta queda
endurecido el material fotosensible expuesto a la luz, que corresponde únicamente a las partes
transparentes del cliché, es decir, al circuito a imprimir. La plancha queda así preparada para ser
atacada con ácido, de forma igual a la descrita en los apartados anteriores.
El m étodo fotomecánico es el que ofrece más precisión en las pistas, por lo que es el más uti
lizado.
Método artesano
Este m étodo se utiliza sólo para la realización de prototipos, ya que resulta caro desde el punto de
vista industrial; además de que los resultados no son tan «limpios» com o los anteriores.
Para fabricar un circuito impreso de forma artesanal, primero se dibuja sobre la lámina de cobre
las diferentes pistas del circuito que se desea fabricar, para lo cual se utiliza un rotulador de tinta
grasa especial, o bien pistas y círculos de transferencia por presión.
Una vez dibujado el circuito sobre la placa de cobre, se introduce en un baño de ácido, el cual
elimina todas aquellas partes no protegidas por la tinta. La sustancia más utilizada es el percloruro
férrico (CI3Fe). Para un buen ataque al cobre es conveniente que se trabaje con temperaturas com
prendidas entre 25 y 30 °C.
Advertimos que este caso conlleva los riesgos propios del trabajo con ácidos, por lo que se debe
operar con la máxima atención y cuidado, con el fin de evitar accidentes que, en ocasiones, pueden
ser muy peligrosos, como ocurre, por ejemplo, con las salpicaduras de ácido sobre los ojos.
Una vez atacada la placa, se extrae ésta de la cubeta con unas pinzas de plástico (sin tocar con
los dedos el ácido) y se introduce en otra cubeta con agua, en donde se agita y limpia a fondo, de
forma que no quede el menor rastro de ácido. Finalmente, con un disolvente para grasas se quitan
las protecciones de las pistas, se pulen ligeramente y se pasa a su mecanizado mediante minitala
dradoras.
Destacamos que las pistas de circuitos impresos son fácilmente oxidables, por lo que es con
veniente que una vez realizados se protejan con un barniz protector, dejando sólo sin cubrir los
puntos donde deban efectuarse las soldaduras.
22
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
A título orientativo, diremos que con planchas de cobre para circuitos impresos de 35 pm de es
pesor, la resistencia de la pista, medida en ohmios por metro, es de:
De esta fórmula se deduce que el ancho de la pista puede calcularse a partir de la expresión:
Asi, si por una pista de 35 ¡am de espesor debe circular una intensidad de corriente de 1,5 A, el an
cho de la pista debe ser de:
El constante aumento de la complejidad de los circuitos electrónicos, así com o la necesidad de re
ducir el volumen ocupado por los mismos, ha exigido una nueva solución al alambrado.
Esta solución son los denominados circuiios impresos mutticapa, en los cuales se aplican dos
técnicas básicas. En la primera, se unen los circuitos de una o dos caras convencionales para fo r
mar placas multicapa. La segunda consiste en ir formando capas sucesivas de material aislante y
conductores, siguiendo el trazado de los originales correspondientes.
La primera solución presenta el inconveniente de la conexión entre capas, para cuya solución
existen varios métodos: agujeros metalizados (pasadores metálicos, que se hacen fundir en su po
sición entre capas) y ojetes (los cuales también se hacen fundir en las mismas condiciones).
La segunda técnica en la fabricación de circuitos impresos multicapa no presenta problema al
guno en la conexión entre capas, ya que los conductores están metalizados sobre los puntos de
conexión de las capas precedentes. Esta solución, sin embargo, resulta cara.
Una gran ventaja de los circuitos impresos multicapa es la de ofrecer la posibilidad de un blin
daje integral, en forma de planos de masa entre capas, que eliminen la ¡ntermodulación o interfe
rencia entre éstas. El blindaje actúa asimismo com o disipador de calor.
23
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
cables simétricos, ambos de 240 Q (el de la figura 1.11 sin cubierta y el de la figura 1.12 con ella).
Tanto en uno como en otro, los dos conductores que forman el cable son ¡guales y, por lo tanto,
existe simetría.
Se dice que una línea es asimétrica cuando la forma constructiva de los conductores no es la
misma. En la figura 1.13 se muestran cuatro cables asimétricos de 75 Ll. En este caso existe un
único conductor central y el segundo (coaxial) lo rodea, actuando, además, como pantalla.
Velocidad de propagación
Cuando una onda de radiofrecuencia se propaga por una línea de transmisión, su velocidad no es
de 300.000 km /s sino bastante menor, dependiendo del dieléctrico de la línea, de tal forma que
cuanto menos dieléctrico posea mayor es la velocidad de propagación.
La velocidad de propagación se expresa en %, y oscila entre un 66 % para las líneas coaxiales
y un 98 % para las líneas planas con hilos desnudos.
Conociendo el factor de velocidad de propagación del cable, es posible determinar la longitud
de onda de la señal que por él circula, lo cual resulta necesario para ciertas aplicaciones. En este
caso la fórmula a aplicar es la del cálculo de la longitud de onda de las ondas radioeléctricas, m ul
tiplicado el resultado por el factor de velocidad V.
Así, supongamos que se desea conocer la longitud de onda de una señal de radiofrecuencia de
100 MHz que se transmite por una línea coaxial con dieléctrico de polietileno, cuyo factor de pro
pagación es del 69,5 %. La longitud de onda vale, en este caso,
v ,, 300 Mm/s _ „
X = - V ■=■- - ■— x 0.695 = 2,09 m
/ 100 MHz
Lo cual significa que en cada 2,09 metros de la línea se repite el valor instantáneo de la amplitud
de onda de la señal que por ella circula. La longitud de onda en la línea tiene por tanto un valor más
pequeño que en el espacio libre, que en ese caso sería de 3 metros.
24
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
Resistencia óhmica
Como en cualquier cable, también los de radiofrecuencia ofrecen una resistencia óhmica al paso de
la corriente eléctrica, lo cual provoca una pérdida de potencia que se disipa en forma de calor, se
gún la fórmula:
P = R I2
Las pérdidas resistivas dependen de la pureza del cobre, y son independientes de la frecuencia de
la señal eléctrica que circula por la línea.
Pérdidas en el dieléctrico
Dado que no existe el dieléctrico perfecto, siempre se tienen unas pérdidas en el dieléctrico, las cua
les dependen de su espesor, tipo y del valor de la frecuencia de la señal que por el cable circule.
Cuanto más fino sea el dieléctrico y más alta la frecuencia de la señal, mayores serán las pérdidas.
Las pérdidas se expresan en dB por metro, aunque algunos fabricantes lo expresan en dB por
cada 100 metros. Las pérdidas en el dieléctrico suponen una atenuación de la señal que debe ser
tenida muy en cuenta.
Al comparar dos cables debe tenerse presente que uno será tanto mejor con respecto al otro
cuanto más baja sea su atenuación. Si no se conocen los datos técnicos de los cables comparados,
se deberá tener presente que cuanto mayor sea el diámetro de una línea coaxial menores serán sus
pérdidas, ya. que el dieléctrico será más grueso. Asimismo, cuanto mejor sea el dieléctrico, m eno
res serán las pérdidas. Un cable aislado con espuma de poliuretano es mejor que uno aislado con
polietileno, siendo el aire el mejor aislante.
Las líneas simétricas tienen una atenuación muchísimo más baja que cualquiera de las coaxiales.
Impedancia característica
La impedancia de un cable es la oposición que ofrece éste al paso de la corriente alterna.
Depende de las características constructivas del cable. Sin embargo, y dado que los cables de
radiofrecuencia deben adaptarse en impedancia tanto al generador de señal como al receptor de se
ñal a que se conectan, los fabricantes de cables normalizan las impedancias siendo valores norma
lizados los de 50 Í2, 75 Í2, 240 í i y 300 O a 200 MHz.
Capacidad nominal
Los dos hilos que forman el cable, tanto si éste es simétrico como asimétrico, forman las placas de
un condensador parásito, cuyo dieléctrico es el aislante existente entre ellos.
Esta capacidad es muy pequeña, del orden de 50 a 100 pF por cada metro de cable, pero debe
tenerse presente en según qué aplicaciones, sobre todo cuando se trabaja en las gamas de frecuen
cias de UHF y SFIF.
25
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Tabla 1.5 Temperaturas Tipo VII Teflón (politetrafluoruro de etileno) -55 a +250
limite de los materiales
utilizados para cubiertas Tipo IX Teflón (fluorato etílico propílico) -55 a +200
de cables.
CABLES SIMETRICOS
El cable simétrico está compuesto por dos conductores paralelos, separados por una distancia de
terminada, siempre constante.
Se fabrican cables simétricos de 75 £2, 150 £2, 240 £2 y 300 £2 .
Entre los cables simétricos más utilizados caben citar los siguientes:
A continuación estudiaremos las características más importantes de cada uno de estos cables.
Aislamiento de polielileno
Conductor de cobre
Su atenuación, a 100 MHz, es de unos 8 dB por cada 100 metros en elcable de 150 £2, y de
unos 4,5 dB por cada 100 metros en el de 300 £2.
La cinta plana bifilar se encuentra en el comercio en los colores transparente, blanco, marfil, gris
y negro. Las tres primeras son de aplicación en interiores, las de color gris se utilizan tanto en inte
riores como en exteriores, y las de color negro se emplean en exteriores.
Las inclemencias de tiempo agrietan estos cables, y la humedad y el polvo provocan cortocir
cuitos o cambios de impedancia, que hacen variar sus características. Por tanto, las cintas planas
26
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
bifilares para exteriores, de eolor negro, tienen el aislamiento de polietileno mezclado con negro de
carbono, lo cual las hace más resistentes a la intemperie.
En general se aconseja que las instalaciones con este tipo de cable se renueven periódicamen
te, por ejemplo, cada año, lo cual ha sido la causa de que su uso quede limitado a interiores.
Es totalmente desaconsejable su empleo en UHF, debido a las variaciones de características
que sufren.
Su aislamiento es de polietileno celular o expanso, protegido por una capa de PVC. Su forma
oval permite que el agua y el polvo resbalen por su superficie, lo que le confiere una mayor dura
ción que la cinta plana bifilar. Se fabrican en los colores blanco o gris, que son los colores de aca
bado del policloruro de vinilo.
Tubo bifilar
El tubo bifilar (figura 1.16) se fabrica con una impedancia de 300 O y una atenuación, a 100 MHz,
de unos 3 dB por cada 100 metros.
Tubo de polietileno
Conductor de cobre
1.16 Constitución
de un tubo bifilar.
Su duración es superior a la de la cinta plana bifilar, aunque debe evitarse la entrada de agua o
humedad en el interior del tubo, la cual puede condensarse en su interior y cambiar, por tanto, la
constante dieléctrica de la línea; en este caso, puede considerarse que el dieléctrico es el aire. Este
inconveniente lo hace menos utilizado que el cable oval bifilar, anteriormente descrito.
Se presenta en el comercio con los colores blanco o gris.
27
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
como la influencia de las paredes y objetos metálicos inmediatos al recorrido de la línea. A título de
ejemplo, describiremos el cable bifilar apantallado de la figura 1.17, ya que son pequeñas las dife
rencias con otros fabricados.
Se fabrica con las siguientes impedancias características: 75 O, 150 £2 y 300 £2. La atenuación
de estos cables es más elevada que la de los anteriormente descritos; así, el de 75 £2 tiene una ate
nuación de unos 10 dB por cada 100 metros, y el de 300 £2 unos 6,5 dB por cada 100 metros (me
didas tomadas a 100 MHz).
La presencia de la pantalla de cobre en estos cables aumenta su capacidad parásita, la cual in
fluye en las pérdidas. Así, el cable bifilar apantallado de 75 £2 tiene una capacidad de unos 57 pF/m,
el de 150 £2 unos 30 pF/m y el de 300 £2 unos 18 pF/m. Este Inconveniente lo hace inadecuado
para líneas de más de 20 metros, ya que las pérdidas serían muy elevadas.
Los cables simétricos tienen como principal desventaja el que siempre presentan una cierta ra
diación a lo largo de la línea, lo que puede causar interferencias en otros aparatos y, por los mis
mos motivos, son perfectos captadores de interferencias.
Cables coaxiales
Los cables coaxiales pertenecen al grupo de los asimétricos, ya que están constituidos por un con
ductor central de cobre y otro conductor concéntrico al anterior, que actúa, además, como panta
lla. Am bos conductores están aislados entre sí por un dieléctrico de polietileno sólido o polietileno
celular.
La principal ventaja de los cables coaxiales radica en que no son influidos por señales parásitas,
ni por paredes, masas metálicas u otras líneas eléctricas, razón por la cual pueden colocarse direc
tamente sobre cualquier estructura.
Conductor de cobre
Aislamiento de polietileno
Conductor pantalla de cobre
Cubierta de PVC
En la figura 1.18 se muestra la forma constructiva de uno de estos cables, el cual se fabrica con
impedancias de 50 a 150 £2, aunque las más usuales sean las de 50 £2, 72,5 £2 y 75 £2, ya que son las
que poseen menores pérdidas y se adaptan mejor a las antenas dipolos de radio y televisión.
Su atenuación es algo más elevada que la de los cables bifilares no apantallados, pero tiene la
ventaja de que permanece constante e invariable en el transcurso del tiempo, con lo que, a la larga,
resultan más económicos, ya que no se renuevan tan a menudo.
28
CONDUCTORES Y CIRCUITOS IMPRESOS
Una variante de los cables coaxiales es la que se muestra en la figura 1.19, en el cual el dieléc
trico es el aire.
Conductor de cobre
Tubo de polietileno
29
Conectores
INTRODUCCIÓN
Recibe el nombre de co ne ctor (o conectador) todo dispositivo com pleto de conexión eléctrica,
formado por una clavija de contacto y una hembrilla donde se aloja. Mediante estos dos ele
mentos es posible establecer o interrumpir una continuidad eléctrica entre dos circuitos o entre
dos aparatos.
Los conectores siempre se disponen en el extremo de un cable o grupo de cables, efectuán
dose la unión mecánica y eléctrica entre cable y conector por diferentes procedimientos, tales
como soldadura, tornillo, presión, etc.
Actualmente hay una enorme variedad de conectores, por lo que resulta imposible la descrip
ción de todos ellos; pero sí es posible, y esto será lo que veremos en este capítulo, la descripción
de los modelos más importantes y algunas de sus variantes.
TERMINALES
31
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
se ha enchufado un clip (tipo faston) como los de la figura 2.2. El hilo conductor se une al clip fes-
fon mediante presión y punto de soldadura.
a) b)
2.3 a) Conexión fija de un cable a un terminal como el de la figura 2.1. b) Conexión de un cable dotado de clip
tipo faston a un terminal como el de la figura 2.1.
Para finalizar diremos que los terminales y clips tipo faston se fabrican en una amplia gama de
medidas, lo que permite su utilización con todo tipo de cables, aunque en electrónica se utilicen
para secciones de cables comprendidas entre 0,25 y 1,64 mm2.
Otro tipo de terminal, muy utilizado, es el que se muestra en la figura 2.4, consistente en una
pequeña lámina metálica en forma de U que permite su fácil introducción en un borne con tornillo
y tuerca. Este tipo de terminal es muy utilizado para la conexión de líneas de 300 Q simétricas a la
entrada de antena de receptores de radio fabricados en Estados Unidos y Japón.
CLAVIJA BANANA
Las denominadas clavijas banana no son otra cosa que simples clavijas de enchufe unipolares. Se
fabrican en infinidad de modelos y tamaños, con manguitos flexibles o rígidos, con sistema de fija
ción del cable medíante tornillo o por soldadura, etc., así como en una amplia gama de colores, lo
cual permite adaptar el color de la clavija al del cable y evitar conexiones erróneas. En la figura 2.5
se muestra una clavija banana así como la hembrilla unipolar empotrable utilizada con ella.
Actualmente se emplea mucho un grupo de tres bananas, com o las que se muestran en la fi
gura 2.6, que permiten conectar cámaras de vídeo a magnetoscopios y televisores, bien sea direc
tamente (mediante las correspondientes hembrillas) o mediante un adaptador de 21 contactos a
euroconector.
Estas bananas son bipolares, es decir, poseen cada una de ellas dos conexiones eléctricas de
forma coaxial. Una de ellas es un espárrago central, conectado al alma del cable, rodeado de un tubo
cilindrico, metálico, que se conecta a la malla del cable (masa).
32
CONECTORES
Está normalizado que la banana amarilla corresponda a la señal de vídeo, y la roja y blanca a las
dos señales de audio (estereofonía).
Jack
Una variante de la clavija banana es el jack, consistente en una clavija capaz de establecer una c o
nexión bipolar o tripolar sobre un único espárrago (figura 2.7).
—14.5—r -
-I—i—
00“>-- :3i f c j t
1V
— 34. 5-
La hembrilla de una clavija jack debe ser adecuada a las especiales características de conexión
de ésta. En la figura 2.7 se muestra también una hembrilla para clavija jack.
Los jacks se utilizan en aparatos de radio, televisión y alta fidelidad, siendo su aplicación la de
conectar un circuito a la vez que desconecta otro. Este proceso de conmutación se muestra gráfi
camente en la figura 2.8.
-v a :
3)
33
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
J L",V jl
(u
-w -
Las de tres contactos son muy utilizadas en la conmutación de altavoces a auriculares, en equi
pos de alta fidelidad estereofónicos, ya que en ellos se precisan tres cables (uno para cada canal y
un tercero común que sirve de retorno y de blindaje a los otros dos).
Las clavijas y hembrillas tipo jack se fabrican en diferentes longitudes y diámetros, siendo las
más corrientes las de 5,25 mm y 6,35 mm (1/4 de pulgada).
Para finalizar, en la figura 2.10 se muestran los símbolos mediante los cuales se representan las
clavijas y hembrillas tipo jack en los esquemas electrónicos.
a) V
2.10 Símbolos de bases y clavijas
jack. a) Clavija bipolar. El trazo
largo representa la punta y el corto b)
el manguito de la clavija, b) Base
jack bipolar. El anillo conecta con -o
el manguito de la clavija y el V K -o
muelle con la punta, c) Base jack V K -o
bipolar con contacto de ruptura, A3Z! -o
d) Base jack tripolar con contactos
de ruptura. C) d)
Para la conexión de los bailes a los amplificadores se utilizan, entre otros, los conectores según
norma DIN 41529, uno de los cuales se puede ver en la figura 2.11. En la figura 2.12 se muestran
dos bases de enchufe para estos conectores.
34
CONECTORES
19 mm
2.11 Conector para altavoces según norma DIN 41529y forma de conectarlo.
Los conectores para altavoces DIN 41529 son idóneos para cumplir esta función, sobre todo
en equipos estéreo, en donde deben conectarse dos bafles, ya que el especial diseño de sus te r
minales {uno central plano y el otro lateral cilindrico) evita errores de conexión, permitiendo que am
bos bafles queden siempre conectados con todos los altavoces en fase.
2.12 Bases de enchufe para conectores de altavoces según la norma DIN 41529.
Para la conexión de los aparatos a la red eléctrica pueden utilizarse cables que partan directamen
te de éstos; sin embargo, en el caso de aparatos portátiles, esto no es aconsejable, ya que el ca
ble de conexión a la red supone una molestia durante el traslado y el funcionamiento con pilas o
acumuladores.
En ese caso se recomienda la utilización de conectores bipolares como los que se muestran en
la figura 2.13, los cuales forman parte del receptor, y consisten en dos clavijas macho de conexión
eléctrica, más una toma de tierra para seguridad, convenientemente protegidas de posibles golpes
que pudieran doblarlas o romperlas.
El cable de conexión a la red dispone en uno de sus extremos de la clásica clavija macho, y en
el otro del conector hembra que se muestra en la figura 2.14, el cual se introduce en el conector
macho de la figura 2.13 por simple presión, desconectando al mismo tiempo el circuito de alimen
tación por pilas.
35
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
La idea de que la hembra forme parte del cable de conexión a la red y el macho se disponga en
el receptor se debe a motivos de seguridad, ya que con este diseño resulta imposible un acciden
tal contacto eléctrico entre la persona que conecta el cable al aparato y cualquier parte activa con
ductora de la corriente.
Existe una gran variedad de conectores multipolares, con el fin de satisfacer exigencias muy diver
sas: espacio, intensidad de corriente, número de conexiones, etc.
Los conectores multipolares son muy utilizados en equipos de audio, tanto para la conexión de mi
crófonos como de altavoces, auriculares, sintonizadores, etc., asi como en algunos equipos de vídeo.
El conector multipolar circular de la figura 2.15 es de dimensiones reducidas, con tres a ocho
contactos dispuestos tal y como se muestra en la figura 2.16.
En la figura 2.15b puede verse el despiece de uno de estos conectores, y en la figura 2.17 una
hembra para prolongador y otra hembra para montaje sobre chasis. Observe que todos estos ele
mentos disponen de una guía que evita cometer errores al enchufar el conector en la hembrilla.
La conexión de los diferentes cables al conector se efectúa mediante soldadura, y para evitar
que el cable se desprenda, a causa de un tirón, se presiona éste mediante un ojete.
36
CONECTORES
Todos estos conectores poseen un blindaje, consistente en dos semiaros metálicos que rodean
la pastilla aislante contenedora de las clavijas. En la figura 2.15b puede apreciarse con todo deta
lle este blindaje.
Se fabrican en diferentes versiones, de las cuales destacamos por su importancia la de la figu
ra 2.18 (acodada) y las de la figura 2.19. que incorporan un aro de seguridad roscable que evita la
desconexión accidental del conector.
2.20 Conector para circuito impreso. 2.21 Conector para circuito impreso.
Conexión directa. Conexión mediante adaptador.
37
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En ambos tipos de conectores es importante que los contactos tengan una película de oro de
espesor razonable (como mínimo 0,05 mm). El paso entre contactos suele ser de 2,54 mm (0,1”),
aunque también se fabrican con pasos de 3,81 mm, 3,96 mm y 5,08 mm.
Para finalizar, en la figura 2.23 se indica la forma de establecer contacto entre los conectores
macho y hembra de un conector bilateral, el cual puede soldarse a la placa del circuito impreso por
inmersión o mediante conexiones arrolladas (wirewrap).
EUROCONECTOR (SCART)
ESCART es el nombre por el que se conoce el sistema europeo de conexión audio/vídeo, según la
norma EN50-049.
El euroconector es por tanto un conector normalizado, adoptado - o incluso de uso obligatorio-
en algunos países europeos, cuya finalidad es la de ser utilizado por usuarios de televisores a los
que se conecten periféricos tales como grabadores de vídeo, juegos electrónicos, ordenadores
personales, equipos de Hl F|, etc.
El euroconector fue una idea del S yndicat F ranqais des C o n structeurs D 'A pareils de R adio et
T elevisión , por lo que en Francia se le conoce con la abreviatura SCART, siendo éste el primer país
que obligó a su uso en todos los aparatos de televisión.
El euroconector o conector SCART es un conector hembra
múltiple, con un total de 20 contactos más uno de masa, los
cuales están dispuestos alternándose en dos filas, tal y como se
J ha dibujado en la figura 2.24. A esta parte se acopla un conec-
+ | 2Q tor macho, dotado igualmente de 20 contactos (figura 2.25).
= ¡1á f Los contactos, tanto los machos como las hembras, están
fabricados con plancha de latón estañado, de forma que se
establezca una buena conexión eléctrica y permita, al mismo
tiempo, que su coste sea reducido.
La forma asimétrica del euroconector (figura 2.24) evita todo
posible error de conexión por parte del usuario. Todos los televiso
4 =
'4 >
4 =
4?
4=2
2.24 Disposición
de los 21 contactos *4 = 2.25 Conector macho
de un euroconector. de un euroconector.
38
CONECTORES
1. Salida de señal de audio (canal derecho). En este borne se obtiene una señal de audio con
una amplitud de 0,5 V eficaces y una impedancia de salida de, por lo menos, 1 kO.
2. Entrada de señal de audio (canal derecho). En este borne se podrá aplicar una señal de
audio con una amplitud de 0,2 a 2 V eficaces, y una impedancia de entrada de 10 k i l
3. Salida de señal de audio (canal izquierdo). La amplitud de la señal de audio obtenida en
este borne es de 0,5 V y su impedancia de, por lo menos, 1 kí2.
4. En este borne se encuentra la masa común de los dos canales de audio.
5. En este borne se encuentra la masa de la componente de croma azul (B).
6. Entrada de la señal de audio (canal Izquierdo o monofónico). La señal aplicable a esta en
trada deberá tener una amplitud comprendida entre 0,2 y 2 V eficaces, con una impedan
cia de entrada de 10 k í l
7. Entrada de la componente de croma azul (B). La señal de croma aplicable a este borne de
berá tener un valor eficaz de 0,7 V, con una Impedancia de entrada de 75 Q.
8. Entrada de conmutación lenta. A través de esta entrada se puede pasar de la imagen del
televisor a la proporcionada por una grabadora de vídeo. Con una tensión de entrada de 0 a
1 V se está en posición TV, y aplicando de 10 a 12 V se conmuta a vídeo. La impedancia
de esta carga es, como mínimo, de 47 k£l.
9. En este borne se encuentra la masa de la componente de croma verde (G).
10. Línea de intercomunicación.
11. Entrada de la componente de croma verde (G). La señal de croma aplicable a este borne
deberá tener un valor eficaz de 0,7 V, con una impedancia de entrada de 75 O.
12. Línea de intercomunicación.
13. Masa de la componente de croma roja (R).
14. Masa de intercomunicación.
15. Entrada de la componente de croma roja (R). La señal de croma aplicable a este borne de
berá tener un valor eficaz de 0,7 V, con una impedancia de entrada de 75 Q.
16. Entrada de conmutación rápida (RGB). Este borne es utilizado para la conmutación rápida,
necesaria para la inserción de una imagen a otra, por ejemplo caracteres. Con una tensión
de 0 a 0,4 V la imagen será la del televisor, mientras que con una tensión de 1 a 3 V la se
ñal será de vídeo, procedente del cable de conexión. La impedancia es de 75 Q.
17. Masa de la salida de vídeo compuesta (CVBS).
18. Masa de conmutación rápida.
19. Salida de la señal compuesta de vídeo (CVBS). La tensión eficaz de salida en este borne
es de 1 V y su impedancia de 75 Q.
20. Entrada de la señal compuesta de vídeo (CVBS). La tensión eficaz aplicable a este borne
es de 1 V y su impedancia de 75 Q.
21. Masa de blindaje del euroconector.
39
ELECTRÓNICOS
Dado que existe una gran diversidad de modelos, hemos elegido aquellos conectores para ra
diofrecuencia que consideramos de mayor interés para ser utilizados en radio y televisión.
Las figuras 2.26 y 2.27 corresponden a unos conectores (macho y hembra respectivamente)
según normas USA. En estos conectores, la malla del cable coaxial debe estañarse y soldarse en
la cara interior del collarín estañado. El aislante del conductor debe tocar la espiga central.
En el conector coaxial según normas DIN (figura 2.28). el montaje es muy simple. El conductor
central hace contacto en una base de resorte, mientras que el conductor externo queda apretado
al cono por un manguito (figura 2.29).
En la figura 2.30 se muestran unos conectores de la serie N; el de la figura 2.30a es una hem
bra para panel, el de la figura 2.30b una hembra aérea, y el de la figura 2.30c un macho aéreo.
a) b) c)
2.30 Conectores de la serie N para radiofrecuencia, a) Hembra para panel, b) Hembra aérea, c) Macho aéreo.
CONECTORES
Los conectores de la serie N son completamente estancos, con acoplamiento por rosca, y son
los más populares.
De impedancia constante, para cables coaxiales RG8/U, RG9/U y RG10/U, pueden ser utiliza
dos en líneas por las que circulen frecuencias de microondas {10 GHz), con mínimo desequilibrio
en la línea o incremento de la relación de onda estacionaria.
Se fabrican en versiones de 50 Q y 70 Q y, aunque los de 50 O no se acoplan con los de 70 Í2,
si que puede emplearse cable de 75 Q con un conector de 50 O cuando la impedancia no es crítica.
Soportan tensiones de pico de 500 V, o eficaces de 1.500 V durante un minuto. El tamaño de
estos conectores es mediano.
2.31 Manguitos de
acoplamiento para conectores
de la serie N. a) Manguito recto
hembra, b) Manguito recto
macho, c) Manguito acodado,
d) Manguito en T.
a) b)
Los conectores de la serie BNC son pequeños, estancos y de conexión y desconexión rápida
por bayoneta.
La conexión se efectúa introduciendo el macho en la hembra, de forma que los dos pequeños
pivotes que posee ésta se introduzcan en las ranuras que a tal efecto lleva el macho, .y a continua
ción se hace girar el macho un cuarto de vuelta en el sentido de la agujas del reloj, quedando así
un acoplamiento estanco y robusto.
Los conectores de la serie BNC se emplean con cables coaxiales finos (RG55/U, RG59/U,
RG62/U y RG71/U), con impedancia de 50 £1 Operan satisfactoriamente hasta 10 GHz con ten
siones de 500 V de pico.
41
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los conectores de la figura 2.34 son de la serie C. Los de las figuras 2.34a, 2.34b y 2.34c son
hembras para panel. El de la figura 2.34d es una hembra aérea, y el de la figura 2.34e un macho
aéreo.
b)
a) b) c)
2.35 Manguitos de acoplamiento para conectores de la serie C. a) Manguito recto, b) Manguito acodado,
c) Manguito en T.
42
CONECTORES
En la figura 2.36 se muestran una hembra para panel, una hembra recta aérea y un macho rec
to aéreo de conectores de la serle HN. Estos conectores son estancos, de impedancia constante
de 50 12, y están diseñados para aplicaciones de alta tensión hasta 1.500 V de pico a 5.000 V efi
caces durante un minuto.
3) c)
2.36 Conectores de la serie HN para radiofrecuencia, a) Hembra para panel, b) Hembra recta aérea, c) Macho
recto aéreo.
La figura 2.38 muestra un conector hembra para panel y un conector macho, recto, aéreo de la
serie UHF. Los conectores de esta serie se fabrican en dos tamaños diferentes, con uno o dos con
tactos. Es una serie económica, de aplicación general y de impedancia no constante.
Trabajan satisfactoriamente hasta 200 MHz con tensiones de pico hasta 500 V, aunque pueden
utilizarse con precaución hasta 500 MHz.
Los conectores de la serie UHF se fabrican para cables coaxiales RG8/U, RG9/U, RG19/U,
RG11/U y RG12/U, mientras que los de la serie BI-UHF se fabrican para cables RG22/U. Tanto en
una como en otra serie las dos piezas del contacto se conectan mediante rosca.
Las fotografías de la figura 2.39 corresponden a algunos manguitos de la serie UHF, y la de la
figura 2.40 a un reductor para pasar de uno a otro tipo de cable. 2.39 Manguitos
para conectores
de la serie UHF.
a) Manguito recto.
b) Manguito para
paso de paneles.
c) Manguito
acodado.
d) Manguito en T.
43
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Para finalizar diremos que, en ocasiones, es preciso conectar entre sí dos líneas cuyos conec
tores pertenecen a distintas series. En estos casos se utilizan adaptadores especiales, uno de c u
yos extremos está diseñado según una serie y el otro según la otra. Así, existen adaptadores de la
serie N a la UHF, de la l\í a la BNC, de la BNC a la UHF, etc. En la figura 2.41 se muestran tres de
estos adaptadores.
44
Resistencias
INTRODUCCIÓN
Las resistencias, también denominadas resistores, son el componente más utilizado en los circui
tos electrónicos.
Se trata de un componente de enorme importancia, a pesar de su sencillez, y al que debe pres
tarse tanta o más atención que a los componentes activos (transistores, circuitos integrados, etc.).
Es muy corriente, sobre todo en principiantes, que las resistencias se elijan por sus valores
óhmicos y se descuiden factores tan importantes com o sus tolerancias, potencias de disipación,
o incluso el tipo de resistencia más adecuado para cada caso. Un buen profesional es conscien
te de la Importancia que este componente tiene en un circuito electrónico, hasta tal punto que una
resistencia mal elegida puede ser la causa de serlos y repetidos defectos en un sofisticado apa
rato electrónico.
Dentro de un circuito las resistencias cumplen diversas funciones, tales como polarización, car
ga, filtrado, atenuación, divisor de tensión, limitador de corriente, etc.
Sea cual sea la misión que cumpla una resistencia en un circuito, su funcionamiento es siempre
el mismo: oponer una cierta dificultad al paso de la corriente eléctrica. Esta dificultad se traduce en
una generación de calor, es decir, en una pérdida de la energía, puesto que dicho calor no es apro
vechable, al menos en los circuitos electrónicos.
45
ELECTRÓNICOS
las bandas de color que indican su valor óhmlco (figura 3.1). Los extremos del elemento resistivo es
tán unidos a sendos terminales metálicos que facilitan la conexión del componente al circuito.
Manguito
Elemento resistivo
3.1 Constitución de una
Terminal de conexión
resistencia de carbón aglomerado.
El cuerpo aislante central es, en algunos casos, un minúsculo tubo de cristal con los terminales
de conexión insertados en cada extremo (figura 3.4). Una vez depositada la capa de grafito sobre
el tubo de cristal, ésta se recubre con una capa de resina aislante.
En otros casos el soporte aislante es una barrita de material cerámico sobre el que se deposita
la capa resistiva. Una vez depositada la capa, se aplican a presión, en cada extremo de la barrita,
RESISTENCIAS
unas cazoletas metálicas sobre las que se sueldan los terminales de conexión. El conjunto se pro
tege finalmente con varias capas de barniz que protege el carbón de posibles roces y facilita la d i
sipación del calor.
Sobre el barniz se pintan luego las tres o cuatro bandas de color que hacen referencia a su va
lor óhmico y tolerancia.
Este tipo de resistencia es muy utilizado debido a su excelente estabilidad frente a cambios en
las condiciones de carga o en los niveles de humedad, junto con un nivel de ruido muy reducido y
bajo precio (poco más que el de las de carbón aglomerado).
Son capaces de resistir temperaturas de 70 °C al aire libre en montaje horizontal. La temperatu
ra superficial máxima permitida en el punto más caliente del cuerpo de la resistencia es de 155 °C.
47
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Son resistencias apropiadas para circuitos con gran ¡mpedancia de entrada, redes de tempori-
zación y circuitos osciladores de cuarzo.
La resistencia de la figura 3.5 puede disipar hasta 0,4 W a una temperatura de 70 °C; su tole
rancia es de ±5 %; el coeficiente de temperatura es de ±300 ppm/°C; la tensión continua máxima
de trabajo es de 1 kV y pueden operar en el intervalo de temperaturas ambientes comprendidas en
tre 0 ° C y +130 °C.
Resistencias bobinadas
Para la fabricación de las resistencias bobinadas se utiliza hilo conductor que posea una resistivi
dad elevada.
Como material resistivo se utilizan aleaciones metálicas en las que no sólo la resistividad es alta,
sino que la variación de la resistencia por cambio de temperatura sea el menor posible. Un ejem
plo típico es el constantán, que se compone de un 54 % de cobre, un 45 % de níquel y un 1 % de
manganeso. En comparación con el cobre, su resistencia específica es 30 veces más alta, mien
tras que la alteración de la resistencia por causa de la temperatura es 400 veces menor.
El hilo conductor, de elevada resistencia específica, se arrolla sobre un cuerpo aislante, gene
ralmente un tubo de cerámica (figura 3.6).
Los extremos del hilo generalmente se fijan con abrazaderas que, a su vez, pueden servir como
conexiones para el montaje. Si las abrazaderas son desplazables se pueden obtener resistencias
parciales (figura 3.7).
Otros materiales utilizados en la fabricación del bobinado de estas resistencias son el nicromo,
el aluminio y el hierro.
La base aislante (de cerámica, esteatita, mica u otro aislante adecuado) ha de ser hueca (véase la
figura 3.7) ya que estas resistencias se utilizan en partes del circuito donde el paso de corriente es ele
vado y, por tanto, su potencia de disipación será también alta. Con un diseño hueco de la base ais
lante se favorece la refrigeración de la resistencia y, en consecuencia, sus condiciones de trabajo.
Para evitar posibles cortocircuitos entre espiras del arrollamiento (o entre éste y otras partes del
circuito en donde se dispongan) el cuerpo de la resistencia se recubre con una capa de esmalte vi
trificado, el cual permite, además, soportar elevadas temperaturas de trabajo.
Las dimensiones de estas resistencias son considerables, ya que han de soportar potencias de
disipación que en ocasiones alcanzan los 1.000 W.
Las resistencias bobinadas sólo se fabrican hasta, aproximadamente, 220 kQ, ya que el valor
óhmico de las mismas viene dado por la igualdad:
48
RESISTENCIAS
donde r es la resistividad del hilo utilizado en Q-mm2/m , / la longitud del hilo en metros y S su sec
ción en mm2, por lo que, incluso utilizando hilos de sólo 0,03 mm de diámetro, las dimensiones de
la resistencia alcanzan valores excesivos.
Cuando la resistencia bobinada deba soportar cambios bruscos de temperatura se recurre a
«tropicalizarla», lo cual consiste en recubrir la resistencia con algún aislante y disponer el conjunto
dentro de un tubo cerámico o de vidrio cerrado, del cual sólo salen al exterior los terminales de c o
nexión.
Se trata de depositar sobre un material aislante (fibra de vidrio, baquelita, etc.) una capa muy
fina de material resistivo, cuyo espesor y superficie sea adecuado al valor óhmico que se desea o b
tener. El material utilizado puede ser oro, platino o el mismo cobre, pero de espesor muy pequeño,
lo cual hace que el proceso sea muy delicado ya que es fácil que se cometan interrupciones en él.
En estas resistencias la longitud del material resistivo ha de ser grande, por lo que para reducir
superficie la resistencia se diseña en forma de greca (figura 3.9). Los valores obtenidos con este
tipo de resistencias son bajos y no están normalizados, ya que es un proceso de fabricación sobre
el propio circuito impreso.
49
ELECTRÓNICOS
Para obtener resistencias de valores más elevados se utiliza com o material resistivo la fibra de
vidrio metalizada, o bien pequeñas plaquetas de dimensiones variables de material cerámico con
los extremos bañados en oro, para efectuar en ellos las conexiones.
- Gran densidad de componentes sobre la placa y una elevada miniaturización de los m ódu
los electrónicos, gracias a las reducidas dimensiones de los componentes.
- No es necesario doblar ni cortar terminales.
- Mejores cualidades eléctricas en circuitos de radiofrecuencia, pues se reducen las capaci
dades e inductancias parásitas.
- No se necesita mecanizar la placa de circuito impreso (taladrado).
- Se pueden utilizar placas de circuito impreso flexibles.
- Se reduce el número de pistas en los circuitos impresos.
- La robotización permite disponer simultáneamente un elevado número de componentes so
bre la placa del circuito impreso.
- Reducción del trabajo posterior de revisión de las placas, pues disminuye el número de erro
res en el montaje.
Todas estas ventajas se resumen en una: menor coste en la fabricación y, por lo tanto, un aba
ratamiento del producto final.
Existen dos tipos de resistencias para montaje superficial: las miniatura de película metálica (fi
gura 3.10) y las de chip basado en la tecnología de película gruesa (figura 3.11).
mmm
3.10 Resistencia miniatura de
película metálica para montaje
superficial.
3.11 Resistencia
miniatura de película
gruesa para montaje
superficial.
Las resistencias miniatura de película metálica, también llamadas MELF (Metal Electrode Face
Bonding), se obtienen por disposición de una fina película metálica sobre un núcleo cilindrico de ce
rámica, aislado por un encapsulado con resina epoxídica. Sus terminales son dos cápsulas metáli
cas, una en cada extremo, que reemplazan a los terminales de las resistencias convencionales (fi
gura 3.10).
Las dimensiones de estas resistencias son de 3,6 mm de largo y 1,4 mm de diámetro. Se fa
brican con valores comprendidos entre 0,22 Q y 10 MQ y tolerancias del 0,2, 0,25, 0,5, 1, 2 y 5 %.
La potencia máxima de disipación a 70 °C es de 250 mW.
REDES DE RESISTENCIAS
Se fabrican también redes de resistencias dispuestas en encapsulado cerámico Dual In Une (DIL), en
encapsulado moldeado Single In Une (SIL) y en encapsulado DIL para montaje superficial (SMD),
com o las que se muestran en las figuras 3.12, 3.13 y 3.14 respectivamente.
3.12 Resistencias
dispuestas en encapsulado Vista superior. en encapsulado moldeado
cerámico Dual In Une (DIL). Single In Une (SIL).
Cada cápsula contiene siete u ocho resistencias individuales, o trece o quince resistencias c o
nectadas, cada una de ellas de idéntico valor.
Son muy útiles en el diseño de circuitos digitales, donde se requieren muchas resistencias igua
les de elevación (pull-up) o de caída (pull-down).
Otra de las ventajas de estas cápsulas con resistencias es el ahorro de espacio y tiempo re
querido para el montaje.
Se fabrican siguiendo los valores normalizados de la EIA y con potencias de disipación de 0,125 W
y 0,25 W (por resistencia individual).
7.62
3.14 Resistencias
dispuestas en encapsulado
DIL para montaje
1,27 0.44 0,61 superficial (SMD).
ELECTRÓNICOS
No resulta económico la fabricación de todos los valores posibles de resistencias, ya que ello su
pondría un proceso artesanal que las encarecería notablemente. Por este motivo, las resistencias
se fabrican con unos valores normalizados en todas sus características, que cubran toda una serie
de necesidades técnicas y económicas.
Con el fin de que el diseñador de un circuito electrónico pueda elegir la resistencia más ade
cuada a las necesidades del circuito, los fabricantes de resistencias suministran toda clase de da
tos sobre sus características de funcionamiento, dimensiones, etc. Estas características técnicas
son las siguientes:
• Potencia de disipación.
• Valor óhmico.
• Tolerancia.
• Estabilidad.
• Tensión máxima de trabajo.
• Coeficiente de tensión.
• Resistencia crítica.
• Tensión de ruido.
• Temperatura máxima de trabajo.
• Limites de frecuencia.
• Coeficiente de temperatura.
• Sotdabitidad.
• Almacenamiento.
Veamos por separado, y con todo detalle, el significado de cada uno de estos conceptos.
Potencia de disipación
Siempre que una corriente eléctrica circula por una resistencia se genera calor en ella.
En la resistencia, como elemento constructivo, el calor es sumamente inoportuno por tres razones:
De ninguna manera debe acumularse tanto calor que la resistencia resulte perjudicada, por lo
que hay que eliminar este problema. En los equipos de radio, televisión y de alta fidelidad las resis
tencias se refrigeran por convección.
Efectivamente, dado que el aire caliente pesa menos que el aire frío y que, por tanto, tiende a su
bir hacia arriba, la resistencia al calentarse calienta al mismo tiempo el aire que la rodea, el cual sube
hacia arriba y su lugar es ocupado por el aire fresco existente debajo de la resistencia o del circuito.
Esto es fácil de comprobar, por ejemplo, en un televisor en marcha, en el cual la superficie superior
del mueble está más caliente que la superficie inferior del mismo. Existe pues una continua circu
lación de aire frío ascendente que refrigera todos los componentes en los que se produce calor,
como es el caso de las resistencias. Lógicamente, para que una refrigeración de ese tipo sea eficaz
el mueble ha de disponer de los suficientes orificios de ventilación que permitan la libre circulación
natural del aire desde la parte inferior a la superior.
De todas formas, por muy bien ventilado que esté el aparato, las resistencias siempre se calien
tan; pero lo importante es que ese calor no las dañe. Por este motivo las resistencias se fabrican
para un determinado límite de carga, lo que evita que el calor generado las perjudique.
RESISTENCIAS
El límite de carga se indica en vatios. Por ejemplo, una resistencia de 2 W tiene como límite de
carga esos 2 W, es decir, que la potencia eléctrica que se le suministre no debe sobrepasar los 2 W,
pues si los sobrepasa se destruirá.
Es muy importante no confundir la potencia máxima de disipación, o capacidad de carga de
una resistencia, con la potencia realmente radiada por ella, la cual debe ser menor.
La potencia disipada por una resistencia viene dada por la fórmula:
P = VI
Donde V es la tensión aplicada a sus bornes e I la corriente que por ella circula.
Así, supongamos una resistencia de 47 £2 a la que se le aplica una tensión de 10 V. En estas cir
cunstancias de funcionamiento, la intensidad de corriente que por ella circula es de:
P = V I = 10 V x 0,213 A = 2,13 W
Si la resistencia es capaz de disipar esta potencia no ocurrirá nada, pero si la potencia máxima
de disipación de la resistencia fuese de tan sólo 1 W, ésta se calentaría excesivamente y acabaría
por destruirse.
La potencia disipada por una resistencia puede también calcularse con la fórmula:
P = I 2R
La potencia máxima de disipación de las resistencias varía con su tamaño. Cuanto mayor sea
el tamaño, mayor será la superficie de la resistencia en contacto con el aire circundante y mayor
será su poder de disipación de calor.
Las resistencias de carbón aglom erado se fabrican para 1/8 W, 1/4 W, 1/2 W, 1 W y 2 W de
disipación.
Las resistencias de película de carbón se fabrican para 1/10 W (o 1/8 W), 1/4 W, 1/3 W, 1/2 W,
1 W, 1,5 W y 2 W.
Las resistencias de película metálica se fabrican normalmente para 1/4 W y 1/2 W.
Finalmente, en las resistencias bobinadas existe una amplia gama de formatos y potencias de
disipación que van desde 1 W a 130 W.
Pero no es suficiente conocer el valor de la potencia de disipación de una resistencia y sus con
diciones de trabajo para que ésta funcione correctamente en un circuito electrónico dado; además,
debe conocerse la temperatura ambiente en la que ha de trabajar.
Efectivamente, la potencia de disipación de una resistencia queda seriamente afectada por la tempera
tura ambiente, puesto que resulta más fácil disipar
calor con una temperatura baja que alta. Por
esta razón, los fabricantes dan el valor de la po
Tamaño natural a 40 X a 70 °C
tencia máxima de disipación para una tempera
tura ambiente dada, la cual suele ser de 70 °C. — --------- 0.25 W 0,125 W
Así, la capacidad de carga de una resisten
cia de película de carbón es, por ejemplo, de
0.5 W 0.25 W
0,5 W trabajando a una temperatura ambiente
de 40 °C, y de sólo 0,25 W si la temperatura
ambiente es de 70 °C.
mm — 1.0 W 0.5 W
53
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Ante la duda de cuál debe ser la potencia de disipación que debe tener una resistencia, lo me
jor es elegir una resistencia con elevada potencia de disipación; sin embargo, han de considerarse
dos importantes factores que influyen en la elección:
1. Elegir todas las resistencias con elevada potencia de disipación presupone aumentar consi
derablemente el volumen ocupado por el circuito.
2. Las resistencias de mayor potencia de disipación son más caras y, por lo tanto, se encare
ce el producto.
Por estos motivos deben realizarse cálculos sobre las condiciones de funcionamiento del cir
cuito, de forma que cada resistencia tenga su potencia de disipación adecuada.
Para elegir una resistencia sin temor a que sea destruida por un exceso de temperatura, se pro
cede de la siguiente forma:
1. Se calcula la potencia que disipará multiplicando la tensión que se le aplica por la intensidad
de corriente que por ella circula.
2. Se determina bajo qué condiciones de temperatura trabajará y qué influencia ejercerá ésta
sobre la potencia de disipación.
Veamos un ejemplo de cálculo: Para ello supondremos una resistencia de 200 í l a la que se le
aplica una tensión de 10 V. La corriente que por ella circulará será:
y su potencia disipada:
P = V I = 10 V x 0,05 A = 0,5 W
Supongamos que se trata de una resistencia de película de óxido metálico de alta estabilidad,
cuya variación de la potencia máxima de disipación en función de la temperatura ambiente viene
determinada por la curva de la figura 3.16.
Si la resistencia ha de trabajar con una temperatura ambiente inferior a 25 °C, no existe, teórica
mente, inconveniente alguno en utilizar una resistencia con una potencia máxima de disipación de
0,5 W; ahora bien, si la citada resistencia ha de trabajar con una temperatura ambiente de 100 °C, la
potencia de disipación admisible queda reducida en un 35 %, es decir, al 65% de su valor nominal:
p .
' max
54
RESISTENCIAS
150 £2 - 1 4 7 £2 = 3 £2
55
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
5 x 560 £2 2.800 £2
560 £2 + -------------- =560 £2+ — — — = 560 £2 + 28 £2 = 588 £2
5 x 560 £2 2.800 £2
560 £2 560 £2 - 560 £2 - 28 £2 = 532 £2
“Too _ 100
Es decir, que si la resistencia posee un valor real comprendido entre 532 £2 y 588 £2, se puede dar
por buena, pero nunca si ese valor es superior o inferior a estos valores límites.
Las resistencias no se construyen, por tanto, en todos los valores posibles, sino en ciertos va
lores normalizados. Esto simplifica la fabricación, abarata sus costes de fabricación y facilita el al
macenaje. Además, hay una razón obvia: una resistencia con un valor teórico de 150 £2 y una tole
rancia de ±5 % puede tener cualquier valor real comprendido entre 142,5 £2 y 157,5 £2, por lo que
sería ilógico introducir otros valores teóricos en este campo, ya que entonces podrían aparecer dos
resistencias con diferente valor teórico pero con el mismo valor real. Por esto, los valores teóricos
se fijan de manera que sus límites de tolerancia se solapen un poco entre sí.
En la tabla 3.1 puede ver los valores normalizados según E.I.A.
En la parte superior de cada columna de la tabla 3.1 se ha puesto la letra E y un número. Esta
letra y su número definen la tolerancia de todos los valores indicados debajo de ella. Las toleran
cias correspondientes a cada columna son las siguientes:
COLUMNA TOLERANCIA
E192 . ±0,5 %
E96 . . ±1 %
E48 . . ±2 %
E24 . . ±5 %
E12 . . ±1 0 %
E6 . . . ±20 %
E3 ... -2 0 % +80 %
-0 % +100 %
56
RESISTENCIAS
: '
E192 E96 E48 E ,9 2 E96 E48 E192 E192 E96 E48 E24 E12 E6
;
■
1,00 1,00 1,00 1,78 1,78 1,78 3,16 3,16 3,16 5,62 5,62 5,62 1,0 1,0 1,0
1,01 1,80 3,20 5,69 1,1
1,02 1,02 1,82 1,82 3,24 3,24 5,76 5,76 í,2 1,2
1,04 •1,84 3,28 5,83 1,3
1,05 1,05 1,05 1,87 1,87 1,87 3,32 3,32 3,32 5,90 5,90 5,90 1,5 1,5 1,5
1,06 1,89 3,36 5,97 1,6
1,07 1,07 1,91 1,91 3,40 3,40 6,04 6,04 1,8 1,8
1,09 1,93 3,44 6,12 2,0
1,10 1,10 1,10 1,96 1,96 1.96 3,48 3,48 3,48 6,19 6,19 6,19 2,2 2,2 2,2
1.11 1,98 3,52 6,26 2,4
1,13 1,13 2,00 2,00 3,57 3,57 6,34 6,34 2,7 2,7
1.14 2,03 3,61 6,42 3,0
1,15 1,15 1,15 2,05 2,05 2,05 3,65 3,65 3,65 6,49 6,49 6,49 3,3 3,3 3,3
1.17 2,08 3,70 6,57 3,6
1,18 1,18 2,10 2,10 3,74 3,74 6,65 6,65 3,9 3,9
1,20 2,13 3,79 6,73 4,3
1,21 1,21 1,21 2,15 2,15 2,15 3,83 3,83 3,83 6,81 6,81 6,81 4,7 4,7 4,7
1,23 2,18 3,88 6,90 5,1
1,24 1,24 2,21 2,21 3,92 3,92 6,98 6,98 5,6 5,6
1.26 2,23 3,97 7,06 6,2
1.27 1,27 1,27 2,26 2,26 2,26 4,02 4,02 4,02 7,15 7,15 7,15 6,8 6,8 6,8
1.29 2,29 4,07 7,23 7.5
1,30 1,30 2,32 2,32 4,12 4,12 7,32 7,32 8,2 8,2
1,32 2,34 4,17 7,41 9,1
1,33 1,33 1,33 2,37 2,37 2,37 4,22 4,22 4,22 7,50 7,50 7,50
1,35 2,40 4,27 7,59
1,37 1,37 2,43 2,43 4,32 4,32 7,68 7,68
1,38 2,46 4,37 7,77
1,40 1,40 1,40 2,49 2,49 2,49 4,42 4,42 4,42 7,87 7,87 7,87
1,42 2,52 4,48 7,96
1,43 1,43 2,55 2,55 4,53 4,53 8,06 8,06
1,45 2,58 4,59 8,16
1,47 1,47 1,47 2,61 2,61 2,61 4,64 4,64 4,64 8,25 8,25 8,25
1,49 2,64 4,70 8,35
1,50 1,50 2,67 2,67 4,75 4,75 8,45 8,45
1,52 2,71 4,81 8,56
1,54 1,54 1,54 2,74 2,74 2,74 4,87 4,87 4,87 8,66 8,66 8,66
1,56 2,77 4,93 8,76
1,58 1,58 2,80 2,80 4,99 4,99 8,87 8,87
1,60 2,84 5,05 8,98
1,62 1,62 1,62 2,87 2,87 2,87 5,11 5,11 5,11 9.09 9,09 9,09
1,64 2,91 5,17 9,20
1,65 1,65 2,94 2,94 5,23 5,23 9,31 9,31
1,67 2,98 5,30 9,42
1.69 1,69 1,69 3,01 3,01 3,01 5,36 5,36 5,36 9,53 9,53 9,53
1,72 3,05 5,42 9,65
Tabla 3.1 Serie
1.74 1,74 3,09 3,09 5,49 5,49 9,76 9,76 de valores
1,76 3,12 5,56 9,88 normalizados según
E.I.A.
57
ELECTRÓNICOS
Así, en la columna E24 de la tabla 3.1 todos los valores de esta columna corresponden a una relación
de tolerancia de ±5 %. Si las necesidades del circuito admiten una tolerancia del ±10 %, se puede pasar
con menos valores: partiendo de la columna E24, se deja uno de cada dos valores y así resulta la colum
na E12. De igual forma se obtiene la columna E6 (dejando uno de cada dos valores de la columna E12).
También se observa en la tabla 3.1 que los valores obtenidos se solapan debido a las toleran
cias de fabricación.
Sin duda el lector se preguntará qué ocurre con los valores de resistencias elevadas, ya que las
columnas E de la tabla 3.1 están compuestas de números formados por una unidad y uno o dos
decimales. Pues bien, la obtención de los demás valores de resistencias se realiza multiplicando es
tos valores básicos por 10, 100, 1.000, etc. Así, del valor básico 6,8 O resultan los valores deriva
dos: 68 £2, 680 £2, 6,8 k£2 , 68 k£2, 680 k£2, etc.
Finalmente, cabe decir que en los circuitos electrónicos para radio y televisión se utilizan resis
tencias de las columnas E12 y E24, debido a que corresponden a tolerancias bastante aceptables
(±10 % y ±5 % respectivamente) y así no se encarecen en exceso los aparatos. En circuitos de pre
cisión, como en los aparatos de medida, donde lo más importante no es el precio sino la calidad,
se utilizan resistencias de precisión con tolerancias del 1%, e incluso menos.
Estabilidad
La estabilidad y la precisión son términos que a veces pueden crear confusiones.
La estabilidad es el cambio de valor de la resistencia en condiciones de almacenamiento o de
trabajo, mientras que la precisión es la tolerancia de la resistencia al ser fabricada o seleccionada.
Así, se puede definir la estabilidad com o el grado de independencia del valor óhmico de la re
sistencia frente a la temperatura, humedad, envejecimiento, etc.
Está demostrado que la variación de temperatura (bien sea del medio ambiente, bien sea por el calor
generado en las resistencias), origina incrementos permanentes en el valor óhmico de las resistencias,
mientras que altos índices de humedad aumentan transitoriamente el valor óhmico de las resistencias.
En general, las resistencias más estables son las bobinadas (del orden del 1 al 2 %), seguidas,
en este orden, por las de película metálica, las de película de carbón y las aglomeradas.
r V 20 V
" fí " 200 £2 " ’
P = V I = 20Vx0,1 A = 2W
También la longitud de la resistencia influye sobre la tensión máxima que debe aplicársele. Pue
de admitirse que para una resistencia de 5 cm de longitud la tensión máxima aplicable es de unos
1.000 V, mientras que para resistencias de longitud 1/4 de la anterior, es decir, 1,25 cm, la tensión
máxima de trabajo es inferior a 50 V.
De todas formas este parámetro difiere de uno a otro tipo de resistencia, por lo que los fabri
cantes especifican este dato en sus catálogos.
Coeficiente de tensión
Cuando a una resistencia se le aplica una tensión entre sus terminales, el valor de ésta sufre una
variación, la cual es proporcional a la calidad de la resistencia. Esta variación del valor de la resis
tencia es, a su vez, tanto mayor cuanto mayor sea el valor óhmico de la resistencia, siendo por tan
to acusable para valores elevados, por encima de los 100 k£2.
En las resistencias de carbón la variación que sufre el valor óhmico de la resistencia es del orden
del 0,02 % por cada voltio aplicado; en las resistencias de película metálica esta variación es de tan
sólo el 0,0001 % por voltio aplicado; y en las bobinadas la variación es prácticamente nula.
RESISTENCIAS
En los catálogos de los fabricantes este valor suele expresarse en partes por millón (ppm). Así,
por ejemplo, una resistencia de película de carbón que tenga un coeficiente de tensión inferior a
5 ppm, significa que su valor óhmico varia en 5 ohmios por cada millón de ohmios y por voltio apli
cado. Si la resistencia es de 100 kQ y la tensión a ella aplicada es de 10 V, la variación que sufrirá
el valor de dicha resistencia será inferior a:
100.000 O x - nr^ ^ x 10 V = 5 í í
1.000.000
Resistencia crítica
Se denomina resistencia crítica aquel valor de resistencia que para su potencia nominal de disipa
ción provoca una caida de tensión igual al máximo admisible por el tipo de resistencia.
Así, si 1/ es la tensión máxima admisible por la resistencia y P la potencia de disipación nominal
de ésta, el valor de resistencia crítica Rc será:
R c = 'p
C
Dado que la tensión máxima de trabajo es del orden de 200 a 800 V y la potencia de disipación
no sobrepasa los 2 W (por el tamaño de la resistencia), la resistencia crítica variará de una a otra.
Tensión de ruido
La tensión de ruido o ruido de fondo de una resistencia es un factor muy importante a la hora de
elegir un tipo determinado de resistencia, pues afecta a la calidad del aparato fabricado.
Efectivamente, en toda resistencia se generan dos tipos de ruido:
59
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Así, por ejemplo, una resistencia de película de carbón, de 0,33 W de potencia de disipación a
40 °C y 20 Q de valor nominal, genera una tensión de ruido de unos 0,6 p.V por voltio aplicado,
mientras que una resistencia de 2 MQ y 2 W de potencia de disipación a 40 °C genera más de 1 pV
por voltio aplicado.
De estas curvas se deduce que son preferibles las resistencias de elevada potencia de disipa
ción y bajo valor óhmico para las etapas de preamplificación, ya que de lo contrario la tensión de
ruido será elevada y, como será amplificada en etapas siguientes, se reproducirá en el altavoz con
intensidad apreciable.
Las resistencias de película de metal y las de película de óxido generan una tensión de ruido
muy baja, siendo por tanto idóneas para ser utilizadas en etapas preamplificadoras.
La experiencia demuestra que en las resistencias de composición (compuestas por diversos
materiales) el ruido de fondo crece linealmente con la corriente, mientras no se pase de unos 15 mA.
Para comentes más elevadas el ruido de fondo presenta un curso parabólico.
Como se ha dicho, y lo repetimos por su importancia a veces olvidada, la tensión de ruido afec
ta en gran medida a las etapas preamplificadoras de baja frecuencia, puesto que se amplifica en
sucesivas etapas y puede llegar a aparecer con gran amplitud a la salida de la etapa final; por esta
razón en los equipos de cierta categoría es imprescindible utilizar resistencias de elevada calidad en
las etapas preamplificadoras.
Límites de frecuencia
En corriente alterna, las resistencias aglomeradas de carbón con valores óhmicos alrededor de los 10 kQ
se comportan como resistencias puras hasta frecuencias de varios MHz. Para frecuencias más altas
la capacidad de derivación de la resistencia llega a ser predominante y la impedancia desciende.
La inductancia de las resistencias aglomeradas de carbón no es causa, generalmente, de per
turbaciones con frecuencias inferiores a los 100 MHz.
En los circuitos atenuadores, de carga, o divisores de tensión utilizados en VHF y UHF, debe te
nerse en cuenta que las resistencias de capa espiralada y, sobre todo, las bobinadas presentan una
autoinducción nada despreciable. Por ello, en estos circuitos es aconsejable utilizar las resistencias
aglomeradas o las de capa sin espiralar.
En las resistencias de película sin espiralar, el valor óhmico sufre menos alteración a elevadísi-
mas frecuencias, debido al efecto pelicular de la corriente alterna, pues el elemento resistivo es pre
cisamente una película.
Los fabricantes de resistencias indican en sus catálogos la influencia de la frecuencia sobre la
resistencia.
En la figura 3.18 se han dibujado las curvas características del cociente Z/Rn de tres resisten
cias de 10 kQ, 100 kQ y 1 MQ en función de la frecuencia. Se observa que cuanto mayor es el va
lor de la resistencia menor es el cociente Z/R„, es decir, ofrece menor impedancia al paso de la alta
frecuencia.
Veamos un ejemplo de lectura de las curvas de la figura 3.18: supongamos una resistencia de
10 kQ y otra de 100 kQ trabajando en un circuito por el que circula una corriente de 10 MHz; en
esta circunstancia, el cociente Z/R v de la resistencia de 10 kQ es de 1, es decir, que ofrece una im
pedancia de 10 kQ al paso de la corriente alterna.
60
RESISTENCIAS
Sin embargo, la resistencia de 100 kQ presenta un cociente Z /fín de, aproximadamente, 0,68, lo
que quiere decir que, aunque su resistencia óhmica sea de 100 kí2, su impedancia al paso de la co
rriente alterna es de sólo 68 kQ, lo cual influye, sin duda, en el correcto funcionamiento del circuito.
Como consecuencia de lo expuesto se puede afirmar que, en los circuitos que han de trabajar
con altas frecuencias, las resistencias han de tener las siguientes características generales:
■
Tipo de resistencia Temperaturas : Coeficiente de
límites de temperatura
medida en C (% por °C)
61
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
De la tabla 3.2 se deduce que para instrumentos de precisión las mejores resistencias son las
bobinadas de precisión, ya que son las menos afectadas por el coeficiente de temperatura. Las re
sistencias aglomeradas de carbón son las más susceptibles a la temperatura, ya que su valor óh
mico varía un ±0.12% por cada grado centígrado de variación de la temperatura.
Los fabricantes de resistencias suelen indicar en sus catálogos el coeficiente de temperatura
mediante datos numéricos o mediante curvas características, como la de la figura 3.19, referida a
resistencias de película de carbón.
3.19 Coeficiente
de temperatura en
partes por millón
y grado centígrado
en función del valor Valor
medio
nominal, en una
resistencia de
película de carbón.
= " » • [ ’ - T ó ^ o ó 145 ^ - 25
62
RESISTENCIAS
Soldabilidad
El sobrecalentamiento a que es sometida cualquier resistencia ai ser soldada a un circuito puede
provocar alteraciones en la misma, sobre todo en las aglomeradas de carbón y, en menor exten
sión, en las pirolíticas.
Este cambio, debido al sobrecalentamiento, puede llegar a ser bastante importante (del orden
de un 25 %, de forma permanente) al soldar conexiones excesivamente cortas en equipos minia
tura. Para evitar estos cambios de valor es aconsejable no efectuar soldaduras a distancias inferio
res a 1,25 cm de la resistencia.
Estos efectos también pueden mitigarse efectuando soldaduras rápidas, uniendo el terminal de
conexión de la resistencia a un elemento metálico que absorba el exceso de calor (por ejemplo las
puntas de unos alicates) y el cual no deberá separarse antes de 15 segundos después de quitar el
soldador, consen/ando limpias todas las superficies de las soldaduras, estañando los terminales de
la resistencia antes de efectuar la soldadura y manteniendo un buen contacto térmico entre el sol
dador y el punto de unión.
Almacenamiento
Durante el almacenamiento las resistencias sufren cambios en su valor óhmico, más o menos im
portantes según el tipo.
Las resistencias aglomeradas pueden cambiar en un 5 %, las bobinadas en un 0,5 % y las de
película metálica en sólo un 0,1 % (e incluso menos).
El valor óhmico de una resistencia se indica por medio de cifras (en las bobinadas, por ejemplo) o
por anillos de color grabados sobre el cuerpo de la resistencia (en las aglomeradas de carbón y en
las de película metálica o de carbón).
El sistema de indicación del valor óhmico mediante anillos de color presenta las siguientes ven
tajas:
• En resistencias muy pequeñas es más perceptible el color que unas cifras impresas.
• Los anillos de color son bien legibles desde cualquier punto de vista, lo que es especial
mente ventajoso si las resistencias están en lugares poco accesibles.
• La impresión en color del valor de las resistencias es más cara que la impresión en cifras.
• Es necesario aprender de memoria el código para no tener que mirarlo constantemente.
Existen dos métodos de indicar el valor óhmico de una resistencia mediante anillos de color. El
primero se utiliza para las resistencias de las series E6, E12 y E24, y consiste en cuatro anillos de
color (tres para el valor óhm ico y uno para la tolerancia); el segundo se utiliza para resistencias
de las series E48 y E96, y consiste en cinco anillos de color (cuatro para el valor óhmico y uno para
la tolerancia).
En la tabla 3.3 se indican los valores de la clave de colores internacional, o código de colores,
para las resistencias de las series E6, E12 y E24, puesto que com o se puede com probar en la ta
bla 3.1 los valores normalizados de estas tres series están constituidos por dos cifras significativas
y un factor por el que se multiplican.
El cuarto anillo corresponde a la tolerancia, la cual es de ±20 % para la serie E6, ±10 % para la
serie E12 y ±5 % para la serie E24.
Los anillos se leen desde un extremo hacia el centro de la resistencia, tal y com o se indica en la
figura 3.20, aunque en ocasiones los anillos en vez de estar dispuestos a un lado están pintados
en el centro, en cuyo caso se deberá disponer el anillo correspondiente a la tolerancia en el lado
derecho.
63
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
.......... , ■::
COLOR 1.er anillo 2.° anillo >:L;'0 í' 1 3.a' anillo 4.° anillo
-------------- ------------- -----------------------
oi:¿ícolc
1.a cifra 2.a cifra Factor Tolerancia
Negro - 0 10° -
Marrón 1 1 101 -
Rojo 2 2 102 -
Naranja 3 3 103 -
Amarillo 4 4 10" -
Verde 5 5 10f> -
Azul 6 6 106 -
Violeta 7 7 107 -
Gris 8 8 10® -
Blanco 9 9 10® -
El primer anillo indica la primera cifra del valor de la resistencia y el segundo anillo la segunda ci
fra. Ambos anillos indican un número de dos cifras, que ha de estar incluido en las columnas nor
malizadas E6, E12 o E24 de la tabla 3.1.
El tercer anillo indica el factor por el cual se tienen que multiplicar las dos primeras cifras para
obtener el valor definitivo de la resistencia en ohmios. El cuarto anillo indica la tolerancia.
64
RESISTENCIAS
En la tabla 3.4 se puede ver el código de colores de identificación de resistencias de las series
E48y E96.
Consta de un total de cinco anillos, puesto que las columnas E48 y E96 poseen tres cifras sig
nificativas. Se trata de resistencias de precisión, menos utilizadas que las anteriores.
Negro 0 0 10°
Marrón 1 1 1 101 ±1 %
Rojo 2 2 2 10s ±2 %
Naranja 3 3 3 103 -
Amarillo 4 4 4 10" -
Azul 6 6 6 10fi -
Violeta 7 7 7 107 -
Gris 8 8 8 108 -
Blanco 9 9 9 10í!
Tabla 3.4
Código de colores
Plata - - - 0,01 - internacional para
identificación de
Oro - - - 0,1 - resistencias de las
seríes E48 y E96.
En la figura 3.21 se puede ver la forma de leer los anillos de estas resistencias, muy similar a la
indicada para la figura 3.20, pero con la particularidad de que el tercer anillo corresponde ahora a
la tercera cifra significativa en lugar del factor multiplicador.
65
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En este capítulo hemos visto las resistencias utilizadas en electrónica y sus características técnicas.
También hemos subrayado, en repetidas ocasiones, que no todas las resistencias son utiliza-
bles en cualquier circuito electrónico, ya que es fácil que no le proporcionen la calidad final que de
ellos se espera, como ocurre por ejemplo con las resistencias aglomeradas de carbón, las cuales
generan mucho ruido y, por lo tanto, no son utilizables en etapas preamplificadoras.
Mediante la tabla 3.5 se puede elegir la mejor resistencia para un determinado circuito, pues en
ella se resumen las características generales de los diversos tipos de resistencias, en aquellos pun
tos que más influyen en la elección.
, , , ,, ,
Tipo Gama de Gama de | Gama de Coeficiente índice
potencias “ a de de precio
l i l i ! m temperatura respecto
, ’ ■ % a aC; a las de
carbón
aglomerado
.
Carbón aglomerado 0,25 10 ü - 10 mü 5-10-20 150
0,5 3,3 ü - 22 MÜ 5-10-20 250
<20 -0,4 a -2 1
1 10 ü - 22 MÜ 5-10-20 500
2 220 Ü - 22 Mí} 5-10-20 500
66
Resistencias ajustables
y potenciómetros
INTRODUCCIÓN
Todas las resistencias estudiadas en el capítulo precedente poseen un valor nominal fijo, no variable.
No obstante, se fabrican también resistencias cuyo valor óhmico puede modificarse entre un valor
mínimo (generalmente cero ohmios) y un valor máximo. Para ello se les añaden unos dispositivos mó
viles. Estas resistencias reciben el nombre de resistencias ajustables (o reóstatos) y potenciómetros.
Las resistencias ajustables están dotadas de un dispositivo móvil, con el que se tom a parte de
su valor total y éste se fija después permanentemente.
Estas resistencias se utilizan para ajustar el valor total de una cadena de resistencias a un valor
fijo, bien determinado, que permita el funcionamiento en unas determinadas condiciones. Normal
mente el dispositivo de ajuste no es accesible directamente desde el exterior del aparato, con el fin
de evitar su manipulación por profanos.
Como ejemplo de aplicación de estas resistencias podemos citar la utilizada para equilibrar una
etapa de potencia en contrafase.
Los potenciómetros son resistencias dotadas de un dispositivo móvil mediante el cual se toma
parte del valor total (al Igual que las ajustables), pero con la importante diferencia de que forman un
divisor de tensión, es decir, en todo momento circula corriente por la totalidad del elemento resisti
vo, y una conexión central, variable en posición, tom a parte del valor total de la resistencia.
Al igual que las ajustables, también se utilizan para hacer funcionar un circuito bajo unas condi
ciones dadas, pero permitiendo su modificación. El dispositivo móvil es normalmente accesible
desde el exterior del aparato, pudiendo ser manejado por cualquier persona.
Como ejemplos de estos potenciómetros podemos citar el de regulación de volumen de un am
plificador de audio, o el de regulación de brillo de un televisor.
RESISTENCIAS AJUSTABLES
Las resistencias ajustables están constituidas por una lámina de carbón aglomerado, con una co
nexión fija al exterior por uno de sus extremos. Sobre la lámina de carbón aglomerado se desliza
un segundo contacto (figura 4.1).
Lámina de carbón
Curs
67
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Según sea la posición del cursor sobre la capa de carbón, así será el valor de la resistencia.
Otro tipo de resistencias ajustables son las bobinadas, las cuales están dotadas de una abra
zadera deslizante por el cuerpo de la resistencia, y que según sea su posición tomará uno u otro
valor del total (figura 4.2).
Tanto en uno com o en otro caso estas resistencias poseen sólo dos elementos de conexión, lo
cual las diferencia de los potenciómetros (dotados de tres elementos de conexión).
El valor óhmico de la resistencia está comprendido entre un valor nulo (cuando el cursor está
junto al contacto fijo) y un valor máximo que depende del valor óhmico total del elemento resistivo
(cuando el cursor se encuentra en el extremo opuesto de la resistencia).
Cuando el cursor está junto al contacto fijo, o próximo a él, la resistencia es nula (o casi nula), por
lo que la intensidad de corriente que por ella circula es muy elevada, dando lugar a un calentamiento
excesivo del elemento resistivo y, por lo tanto, se corre el riesgo de su destrucción. Por este motivo,
las resistencias de ajuste se utilizan siempre en asociación con una resistencia en serie, de valor fijo,
que limita la intensidad de corriente, evitando que se produzca un cortocircuito directo (figura 4.3).
De todas formas, es absurdo utilizar una resistencia ajustable entre los dos polos de una fuen
te de alimentación, ya que su misión, como ya se ha indicado, es ajustar el valor óhmico de una ca
dena de resistencias a su valor correcto. Así, en el caso de la figura 4.3, la resistencia R forma con
fíA un divisor de tensión que, por exigencias del circuito, deberá ser de valor exacto o variable en
tre dos límites muy estrechos. Si, por ejemplo, la tensión en bornes del conjunto ha de ser dividida
exactamente por dos, se pueden utilizar dos resistencias iguales pero, debido a las tolerancias de
fabricación de las resistencias, esto es difícil de obtener. Sustituyendo una de ellas por una resis
tencia ajustable resulta mucho más fácil obtener el valor de tensión deseado.
Para finalizar, en la figura 4.4 se muestra el aspecto externo de algunas resistencias ajustables.
68
RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIÓMETROS
POTENCIÓMETROS
Los potenciómetros son muy similares a las resistencias ajustables, aunque en ellos se añade un
tercer terminal que hace que su funcionamiento sea totalmente distinto.
Además de la resistencia variable, existe una resistencia fija formada por toda la capa de car
bón. Por la totalidad de la capa de carbón siempre circula corriente.
En la figura 4.5 se puede ver la constitución de un potenciómetro de carbón.Comparándola
con la figura 4.1 se aprecia la existencia del tercer terminal.
4.5 Constitución de un
potenciómetro de carbón
aglomerado.
Entre los terminales extremos existe siempre una resistencia de valor fijo. Entre el terminal cen
tral (el del cursor) y cada uno de los extremos el valor óhmico es variable entre un valor nulo y el
máximo propio del elemento resistivo, según sea la posición del cursor.
Se puede comparar el potenciómetro con un divisor de tensión formado por dos resistencias en
serie cuyos valores individuales cambian de valor según la posición del cursor, pero cuyo valor óh
mico total es siempre el mismo; es decir, un divisor de tensión en el cual el aumento de valor de una
de sus resistencias supone una disminución del mismo valor en la otra.
• Potenciómetros ajustables
• Potenciómetros variables
Los potenciómetros ajustables son aquellos cuyo cursor se desplaza, durante el ajuste del apa
rato, a una posición bien determinada, permaneciendo en ella de forma fija durante prácticamente
toda la vida del aparato al que pertenece, a menos que el envejecimiento o reparación del mismo
aconseje un nuevo ajuste.
Los potenciómetros variables son aquellos que pueden accionarse en cualquier momento para
variar las condiciones de funcionamiento del aparato, para lo cual se disponen de forma que sean
fácilmente accesibles por el usuario.
Además de esta primera clasificación, los potenciómetros también pueden clasificarse en po
tenciómetros de uso general y en potenciómetros de precisión.
Los de uso general pueden subdividirse en potenciómetros de hilo bobinado y en potencióme
tros de carbón. Normalmente siguen leyes lineales y logarítmicas.
Los potenciómetros de precisión son siempre de hilo bobinado y, generalmente, siguen leyes li
neales, senoidales, cosenoidales u otras funciones matemáticas.
Ya se ha dicho que los potenciómetros, tanto los de ajuste como los variables, se fabrican de
numerosas formas constructivas. Dado que exponerlas todas resulta de difícil y larga exposición, a
título de ejemplo, exponemos a continuación algunas de ellas.
69
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En la figura 4.6 se muestran varios potenciómetros de ajuste. En todos ellos se observa la pre
sencia de tres terminales de conexión (en lugar de los dos que tienen las resistencias ajustables de
la figura 4.4).
Observando con atención la figura 4.6, en la cual todos los potenciómetros están fotografiados
con la misma ampliación, se puede observar que los cuatro primeros (a, b. c y d) son miniatura.
Los potenciómetros b, c, f y g de la figura 4.6 tienen el terminal del cursor dispuesto entre los
terminales extremos, mientras que los potenciómetros a, d, e y h lo tienen dispuesto en el centro,
pero en el extremo opuesto del cuerpo del componente.
También se puede observar en la figura 4.6 que unos modelos son para conexión vertical y
otros para conexión horizontal sobre circuito impreso.
Con todo ello queremos hacer patente que son innumerables los diseños que el fabricante pone
en manos del profesional, de forma que siempre se puede encontrar el modelo que mejor se ajus
te a las necesidades del montaje.
Todos los potenciómetros de ajuste de la figura 4.6 están dotados de una ranura en su órgano
móvil. En dicha ranura se introduce la punta de un destornillador para girar a derecha o izquierda el
elemento deslizante de ajuste. De esta forma sólo los entendidos procederán al ajuste del poten
ciómetro, evitando que manos inexpertas manipulen el interior del aparato y provoquen el desajus
te del circuito. Como ejemplo de aplicación de estos potenciómetros citamos el control automático
de ganancia de receptores de radio y televisión.
En la figura 4.7 se muestran varios potenciómetros de ajuste dotados de un pequeño botón de
plástico, mediante el cual se acciona el cursor del potenciómetro, haciendo innecesario el uso del
70
RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIÓMETROS
destornillador. Estos potenciómetros suelen utilizarse en aquellas partes de un aparato en las que
el accionamiento de los mismos no presupone un grave desajuste del circuito. Al igual que los an
teriores, se fabrican en unidades independientes o con varios en un mismo cuerpo, para montaje
horizontal o vertical, etc.
En la figura 4.8 se muestran varios potenciómetros de carbón, de los denominados de mando,
los cuales se utilizan en aquellas partes del conjunto de circuitos que han de ser controladas por el
usuario, por ejemplo, los controles de tono, volumen, brillo, contraste, etc., de un televisor.
Se fabrican con ejes de diferente longitud, lo que permite su salida al exterior del mueble por los
orificios preparados para ello, aunque en ocasiones es preciso cortar parte del extremo del eje para
adaptarlo a las dimensiones que exija el botón de mando. Los ejes suelen ser cilindricos, aunque
también se fabrican con un pequeño rebaje lateral que evite el deslizamiento del botón de mando,
ya sea mediante un tornillo de presión o mediante un botón de mando cuyo orificio se adapte a la
forma del espárrago del potenciómetro.
Se observa, en la figura 4.8, que los terminales de conexión de estos potenciómetros se dispo
nen en la parte lateral o en la posterior de sus cuerpos, con terminales rectos o doblados, lo cual
facilita la conexión al circuito según el diseño de éste.
Si bien los potenciómetros de ajuste estudiados anteriormente se sujetan por soldadura de los
terminales, los de mando se sujetan mediante tuerca y contratuerca (figura 4.8), ya que están so
metidos a mayores esfuerzos mecánicos.
También se fabrican grupos de dos o tres potenciómetros de carbón dispuestos en un mismo
cuerpo y gobernados por un único eje, o bien con dos ejes coaxiales que permiten el gobierno por
separado de cada uno de los potenciómetros. Mediante estos potenciómetros es posible regular
simultáneamente dos etapas electrónicas, o bien regularlas por separado, con un botón especial
cuya parte posterior gobierna un potenciómetro y la parte anterior el otro.
En aparatos de radio portátiles de pequeño tamaño alimentados por pilas, en los que la inten
sidad de corriente es pequeña, se utilizan potenciómetros miniatura dotados de interruptor, como
los de la figura 4.9. En estos potenciómetros los dos'term inales extremos (más anchos) corres
ponden al interruptor y los tres centrales al potenciómetro. Al inicio del recorrido se abre o se cie
rra el circuito de alimentación, de forma que la puesta en marcha y apagado de! aparato siempre
se realiza con volumen sonoro a cero.
4.9 Pequeños
potenciómetros de
carbón dotados de
interruptor, muy
utilizados en receptores
de radio portátiles.
71
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
4.10 Potenciómetro de
accionamiento longitudinal
dotado de terminales con ojete
para conexión a cableado.
f *
1.75
| 1. 5
iO.65 L
i +- fo.9 „
4.11 Trimmers potenciométricos fu,
para montaje superficial (SMD),
con las respectivas plantillas r iT í1 i
l 1. 2
T
Se fabrican en estructura abierta y cerrada, con dimensiones de 2 a 12 mm2 según modelo. Es
tos potenciómetros soportan muy bien la soldadura de reflujo y la manual, siendo ideales para el
montaje automático.
El ajuste del valor óhmico se realiza mediante una huella en cruz en la parte superior del poten
ciómetro. Pueden soportar potencias de 150 y 250 mW a 70 °C. El elemento resistivo es el cermet,
que posee unas buenas características de temperatura.
Potenciómetros multivuelta
En aplicaciones donde se requiere una gran precisión en el ajuste de los circuitos resulta interesan
te que los potenciómetros utilizados en ellos sean del tipo multivuelta, es decir, que para obtener el
valor máximo se deba girar el cursor (tornillo) varias vueltas, que pueden superar las veinte.
En la figura 4.12 se muestran varios potenciómetros de esta clase. Las diferencias que se pue
den observar entre unos y otros se encuentran en el acceso al cursor de ajuste, que puede reali
zarse por la parte superior o por una de las caras laterales, y en la disposición de las patitas de co-
72
RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIÓMETROS
4.12 Potenciómetros
multivuelta.
1. 0 2 :
2 123
O O
6.35
TX TV
1
i sl i . 5i
1 □-------------- L
1 Ó O
1
3 o 1
i 2 r
LnJ
nexión. Esto permite al diseñador elegir aquel modelo que mejor se adapte al circuito, tanto por su
volumen como por la forma de acceso al ajuste.
Las dimensiones de estos potenciómetros son muy pequeñas, tal y com o se indica en los aco
tados de la figura 4.12.
En todos estos potenciómetros el cursor queda inoperante en los extremos del recorrido.
Al igual que las resistencias, los potenciómetros se fabrican de forma que cubran toda una serie de
necesidades técnicas y económicas. Con este fin, los fabricantes suministran datos técnicos sobre
sus características de funcionamiento, dimensiones, etc. Entre las características técnicas de ma
yor interés para el profesional electrónico caben citar las siguientes:
• Valor óhmico.
• Disipación máxima.
• Linealidad.
• Resolución.
• Coeficiente de temperatura.
• Tensión máxima admisible.
• Tolerancia.
• Resistencia efectiva mínima.
• Resistencia a la humedad.
• Ángulo de rotación.
• Variación del valor óhmico en función del ángulo de rotación.
• Nivel de ruido.
• Estabilidad.
• Resistencia de aislamiento.
• Par de accionamiento.
• Par extremo.
73
ELECTRÓNICOS
Valor óhmico
Los potenciómetros de hilo bobinado para uso general se fabrican con valores superiores a los 500 Q,
y los de carbón hasta 5 MQ. El límite inferior es, aproximadamente, de 1 O para los potencióme
tros de hilo bobinado y de 10 Q para los de carbón, aunque resulta difícil mantener la estabilidad
de la resistencia por debajo de los 250 Q.
Los potenciómetros de precisión se fabrican con una resistencia en el límite superior de, apro
ximadamente, 100 kQ; por encima de este valor el tamaño del potenciómetro excede de los 13 cm
de diámetro.
Los potenciómetros SMD se fabrican con resistencias de 100 Q a 1 MQ, según modelo, y los
multivuelta se fabrican con valores de hasta 5 MQ.
Los valores citados pueden hacerse variar, del mínimo al máximo, de forma lineal, logarítmica,
antilogarítmica, etc., según las necesidades y aplicaciones del potenciómetro. En radio y televisión
sólo se utilizan los potenciómetros que siguen leyes lineales y logarítmicas.
El valor óhmico de un potenciómetro viene indicado mediante cifras y letras en su propio cuerpo.
Así, la indicación 4K7 lin advierte que se trata de unpotenciómetro cuyo valor máximo de resistencia
es de 4.700 Q siguiendo una ley lineal, y laindicación 10K log,advierte que el potenciómetro en cues
tión tiene una resistencia máxima de 10 kQ y sigue una ley logarítmica.
p,(% W)
100%
40 %
Así, un potenciómetro cuya potencia nominal sea de 400 mW a 40 °G, sólo admite 320 mW a
50 °C (un 80 % de la nominal), 240 mW a 60 °C (un 60 % de la nominal) y 160 mW a 70 °C (un 40 %
de la nominal).
A título orientativo, se puede decir que las potencias máximas de trabajo en los potenciómetros
de hilo bobinado oscilan entre 0,5 W y 120 W (según modelo) a 70 °C, y entre 1 W y 150 W a 40 °C.
En los potenciómetros de carbón, las potencias máximas de trabajo son bastante inferiores, varian
do según el modelo entre 40 mW y 1 W a 70 °C, y entre 0,1 W y 2 W a 40 °C. En lo que respecta
a los potenciómetros SMD las potencias de disipación no superan los 250 mW a 70 °C.
Finalmente cabe decir que los potenciómetros que siguen una ley logarítmica soportan, a igual
dad de las demás condiciones, una potencia máxima de disipación algo inferior a los lineales.
Linealidad
Se dice que un potenciómetro posee una linealidad ideal cuando a cada incremento igual del án
gulo de rotación (o del movimiento longitudinal) del contacto deslizante, corresponde un cambio
constante de resistencia.
En la práctica esto nunca se logra, por lo que la linealidad, o la precisión lineal, es la cantidad que
varía la resistencia real, en cualquier punto del contacto deslizante sobre la pastilla de carbón o del hilo,
de la esperada línea recta que se obtendría en un gráfico de coordenadas resistencia-ángulo de giro o
resistencia-recorrido. Por ejemplo, si un potenciómetro de 100 k£2 proporciona una linealidad de ±0,1 %,
ello quiere decir que su valor no debe variar en más de 100 £2 a cada lado de la línea de error nulo.
Resolución
Recibe la denominación de resolución la variación de resistencia producida por un cierto cambio de
la posición del contacto deslizante (generalmente la resistencia por vuelta del hilo resistivo). Así, la re
solución es función del número de espiras del potenciómetro.
Por ejemplo, un potenciómetro de 200 £2, conteniendo 50 espiras de hilo, tiene una resolución
de 4 O, es decir, 4 Q por espira.
La resolución puede definirse más específicamente com o resolución en resistencia (ohmios por
vuelta), resolución en tensión (caída de tensión por vuelta) o resolución angular (cambio mínimo en
el ángulo del contacto, necesario para producir una variación de resistencia).
En general la resolución en resistencia es la mitad de la linealidad. Así, si la linealidad es de
±0,1%, la resolución en resistencia será del 0,05% o incluso menos.
Coeficiente de temperatura
Para obtener el coeficiente de temperatura de un potenciómetro se procede com o sigue:
El coeficiente de temperatura para cada una de las operaciones se calcula mediante la fórmula:
( « 2 - ^ ) 1 06
fl i f o - r , )
donde:
75
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
El coeficiente de temperatura medio de las tres o cuatro operaciones efectuadas no debe ex
ceder de ±250 partes por millón por grado centígrado (es decir, ±0,025 %/°C) para los potenció
metros de hilo bobinado de uso general, o de ±1.200 partes por millón por grado centígrado en los
potenciómetros de carbón (±0,12 %/°C).
Normalmente, los fabricantes de potenciómetros suministran este dato en sus catálogos me
diante cutvas características como las de la figura 4.14, referida a un potenciómetro de carbón. En
esta curva la ordenada se ha dividido en partes por millón y °C de temperatura, mientras que la
abscisa se ha dividido en valores óhmlcos siguiendo una ley logarítmica.
p.p.m./0C 2.500
2.000
1.500
En la figura 4.14 se ha Indicado tam bién, mediante línea recta discontinua, el valor aceptable se
gún norma CEI-190, la cual es fácilmente superable por la tecnología actual.
La línea continua corresponde a los coeficientes de temperatura, obtenida con valores medios y
con un límite de confianza del 95 % sobre el valor dado. Se obsen/a que el coeficiente de tempera
tura oscila entre poco más de 500 ppm /°C para los potenciómetros por debajo de 200 í l y por en
cima de 600 k£2, y algo menos de 500 ppm /"C para los que poseen una resistencia comprendida
entre estos dos valores. Por encima de 1 MQ el coeficiente de temperatura se eleva rápidamente.
La lectura de la curva de la figura 4.14 se efectúa de la siguiente forma. Supongamos que se
tiene un potenciómetro de carbón de 10 k£2. Según la citada curva, el coeficiente de temperatura
de este potenciómetro es de, aproximadamente, 300 p pm /cC, es decir, que su resistencia dismi
nuirá un 0,030 % por cada grado centígrado que aumente la temperatura, puesto que se trata de
un potenciómetro de carbón y este material posee un coeficiente de temperatura negativo (dismi
nuye su valor óhmico al aumentar la temperatura). De acuerdo con este dato, y si el potenciómetro
posee una resistencia de 10 k íi a 40 °C, su resistencia a 70 °C será:
76
RESISTENCIAS AJUSTABLES Y POTENCIÓMETROS
Tolerancia
Al igual que en el caso de las resistencias, en los potenciómetros la tolerancia determina la preci
sión con la que ha sido fabricado.
Para los potenciómetros de carbón de uso general, incluidos los de montaje superficial SMD, la
tolerancia suele ser de ±20 %, mientras que para los de hilo bobinado de uso general la tolerancia
es, aproximadamente, de ±10 %.
Resistencia a la humedad
La causa más frecuente de avería en los potenciómetros es la humedad. Para evitar los daños pro
vocados por ella (tales como corrosión de las partes metálicas, deformaciones de las partes plás
ticas, etc.), los potenciómetros se fabrican en su parte metálica con materiales no corrosivos, o
bien disponen de anillos de estanqueldad entre la caja y el eje de giro.
Para determinar la resistencia a la humedad de un potenciómetro el fabricante lo somete a una
prueba, consistente en mantenerlo un gran número de horas (por ejemplo, 500 h) en un recinto con
un 95 % de humedad relativa y midiendo después el valor nominal del potenciómetro, el cual ha de
variar lo menos posible.
En un potenciómetro de carbón de uso general la prueba antes citada provocaría una variación
del valor resistivo nominal inferior al 10 %,
En la figura 4.15 puede verse la curva característica de incremento porcentual de resistencia en
función del valor óhmico de potenciómetros de carbón, sometidos a la prueba de calor húmedo es
tablecida por la norma DIN 41450, consistente en someter el potenciómetro a un preacondiciona-
miento de 23 ± 2 °C y 50 ± 5 % de humedad relativa durante 24 horas, después de las cuales se mide
su resistencia y, a continuación, se almacena durante 250 horas a 40 °C con una humedad relativa
del 90 al 95 %. Pasada esta prueba el potenciómetro se extrae del almacén y se mide su resistencia
pasadas 24 horas y a temperatura y humedad relativa normal (25 ± 5 °C y 45 a 70 % de humedad
relativa).
En la figura 4.15 se observa que los incrementos de resistencia después de esta prueba se en
cuentran por debajo del 5 %, siendo aceptables según la norma DIN 41450 incrementos del 15 %
hasta valores de 100 k ü , y del 20 % para valores por encima de 100 kQ (línea a trazos).
AR 30
(%)
20
Valor aceptable Dll\l: 41450^
10
4.15 Curva característica del
incremento porcentual de
resistencia en función del valor
óhmico de unos potenciómetros
100 1k 10 k 100 k 1M 10 M de carbón sometidos a calor
(Límite de confianza 95%) R„ (Q) húmedo durante 250 h.
77
ELECTRÓNICOS
En esta figura se han dibujado, sobre un mismo sistema de coordenadas cartesianas, tres cur
vas pertenecientes a otros tantos potenciómetros; la curva A corresponde a un potenciómetro li
neal, la 6 a un potenciómetro logarítmico, y la C a un potenciómetro antilogarítmico.
En el caso de potenciómetros con eje deslizante longitudinal, las curvas citadas no se repre
sentan, naturalmente, en función del ángulo de rotación, sino en función del % de deslizamiento
longitudinal del cursor (figura 4.17).
Nivel de ruido
El nivel de ruido se obtiene aplicando una tensión continua de valor conocido (normalmente 10 V)
a los terminales extremos del elemento resistivo y midiendo la tensión parásita de ruido en mV. La
relación entre ambas magnitudes se expresa en dB.
A título orientativo diremos que un potenciómetro lineal de carbón para uso general suele tener
un nivel de ruido inferior a 20 dB (nivel 0 dB = 0,1 mV a 1 kHz), y en los modelos logarítmicos el
nivel de ruido es inferior a 5 dB hasta el 5 % aproximadamente de la resistencia total y menor de
25 dB para valores mayores del citado 5 %.
Estabilidad
Mediante el dato «estabilidad» es posible conocer los cambios que sufrirá la resistencia del poten
ciómetro en el transcurso del tiempo o bajo condiciones severas de funcionamiento.
Como dato orientativo diremos que en los potenciómetros de carbón de uso general la tolerancia
de la estabilidad es del 15 %, y para los de hilo de uso general del 26 %.
Resistencia de aislamiento
La resistencia óhmica entre el eje de accionamiento y el elemento resistivo se denomina resistencia
de aislamiento.
Esta resistencia ha de ser de valor muy elevado (generalmente no inferior a 1.000 MQ), con el fin
de evitar pérdidas de corriente y eliminar peligros al operador cuando acciona el eje.
Para medir la resistencia de aislamiento se aplican 500 V (corriente continua) entre el eje y los
terminales del elemento resistivo. Dichos terminales se cortocircuitan para efectuar la prueba, la
cual se lleva a cabo durante un minuto.
Par de accionamiento
Se denomina par de accionamiento la fuerza necesaria para que el contacto deslizante comience a
moverse. Se mide en g-cm, y su valor aumenta con el tamaño del potenciómetro.
Como ejemplo diremos que un potenciómetro SMD suele tener un par de accionamiento de 10
a 150 g-cm.
Durante el accionamiento el par es ligeramente inferior al del momento de arranque.
Actualmente la tendencia es expresar en los catálogos la fuerza de accionamiento en Newton.
Así, a un potenciómetro de carbón, del tipo de accionamiento longitudinal, es preciso aplicarle una
fuerza de 1 a 3,5 N para que el cursor se desplace.
Par extremo
El cursor del potenciómetro puede deteriorarse si se fuerza al llegar a los extremos de su recorrido;
para evitarlo, el potenciómetro debe estar dotado de unos sólidos topes, los cuales no deben su
frir deterioro alguno al recibir el impacto del contacto deslizante en su uso normal.
79
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Las normas establecen una prueba, según la cual, colocando el contacto deslizante en uno de los
extremos de su recorrido y aplicando un par al eje com prendido entre 5,7 y 11,4 kg-cm, no debe
producirse daño alguno.
En la actualidad los fabricantes de potenciómetros indican en sus catálogos el esfuerzo en el
tope en Newton. Así, un potenciómetro de carbón de accionamiento longitudinal es capaz de so
portar una fuerza de 50 N a 10 mm de la base de la corredera.
Velocidad de accionamiento
El desgaste y, por lo tanto, la vida del potenciómetro, dependen de la velocidad de rotación y de la
presión de contacto. Ésta debe ser, por lo tanto, lo más baja posible.
80
Condensadores
INTRODUCCIÓN
Los condensadores son dispositivos capaces de almacenar una determinada cantidad de electrici
dad. Están com puestos por dos superficies conductoras enfrentadas, llamadas placas o armadu
ras, aisladas entre sí por un material dieléctrico.
La capacidad de un condensador para almacenar electricidad es directamente proporcional a la
superficie de las placas conductoras enfrentadas e inversamente proporcional a la distancia de se
paración entre ellas, y depende de la constante dieléctrica del aislante existente entre las placas.
Si el dieléctrico es el aire la constante dieléctrica es 1. Si entre las armaduras se interpone una
lámina de papel impregnado, cuya constante dieléctrica es 3,5, se obtiene un condensador con 3,5
veces más capacidad que el que utiliza el dieléctrico de aire.
El dato más importante de un condensador es su capacidad, la cual puede ser fija o variable.
Esto los divide en dos grandes grupos:
• Condensadores fijos.
• Condensadores variables.
Condensadores de mica.
Condensadores de papel.
Condensadores de poliestireno (styroflex).
Condensadores de polipropileno.
Condensadores de poliéster.
Condensadores de policarbonato.
Condensadores de película plástica metalizada.
Condensadores cerámicos.
Condensadores de sulfuro de polifenileno (SMD).
Condensadores electrolíticos de aluminio.
Condensadores electrolíticos de tantalio.
Se fabrican condensadores con otros tipos de dieléctrico, pero que por su poca aplicación no
hemos creído necesario citarlos en esta obra.
Condensadores de mica
La mica es un silicato de aluminio con una mezcla variada de sales cuya resistividad es muy eleva
da, del orden de 1015 a 1017 £2 ■cm, lo que la hace un excelente dieléctrico para la fabricación de
condensadores.
ELECTRÓNICOS
Terminal
de conexión
Los condensadores de mica consisten en un conjunto formado por una o más hojas de mica y
otras más pequeñas de aluminio colocadas alternativamente (figura 5.1).
Las hojas de aluminio de número par se desplazan ligeramente en un sentido y las Impares en
sentido contrario, de forma que unas bridas metálicas -q u e mantienen apretado el paquete- unan
eléctricamente las hojas pares con uno de los terminales y las Impares con el otro (figura 5.2).
Placas
Cuerpo de plástico
moldeado
Finalmente, el conjunto se protege con un plástico moldeado sobre el que se Imprime el valor
del condensador.
Una variante más reciente en la fabricación de esta clase de condensadores consiste en la sus
titución de las hojas de aluminio por un metalizado superficial de la lámina de mica con plata.
Dado que la mica es un dieléctrico muy estable y de elevada resistividad, estos condensadores
resultan ¡dóneos para ser utilizados en circuitos que trabajan en alta frecuencia, tales com o las eta
pas osciladoras de radiofrecuencia, que admiten tensiones entre placas de varios miles de voltios
con espesores de mica de unas pocas mieras.
Se fabrican con capacidades que oscilan entre 5 pF y 100 nF.
Los condensadores de mica metalizada no admiten frecuencias de trabajo tan elevadas como
los de lámina. Para obtener elevadas capacidades debe utilizarse un mayor número de placas y au
mentar la cantidad de plata depositada sobre la mica durante el proceso de fabricación.
Los condensadores de mica resultan en la actualidad de elevado precio, razón por la cual se li
mita su empleo a aparatos profesionales.
Condensadores de papel
Los condensadores con dieléctrico de papel son de uso general. Se fabrican enrollando una hoja
de papel entre dos hojas metálicas y añadiendo al conjunto una sustancia impregnada (figura 5.3).
Las hojas metálicas, que normalmente son de aluminio, se disponen desplazadas hacia uno y otro
lado, de forma que al enrollar las láminas sobresalgan cada una de ellas por un extremo del dieléctrico.
Cada lámina queda conectada a un terminal de conexión, y todo el conjunto se encierra en una
resina termoplástlca moldeada, saliendo al exterior sólo los terminales de conexión.
CONDENSADORES
Dieléctrico de papel
(Dos o más hojas)
Disco de baquelita
Hojas de papel
Caja tubular metálica metalizado
rebordeada
Disco de neopreno
Terminal
5.4 Constitución de
Elemento de retención soldado un condensador de
en el extremo del cuerpo central papel metalizado.
Una variante de los condensadores de papel son los de papel metalizado. En éstos un lado del
papel está metalizado (figura 5.4). Este procedimiento de fabricación evita los posibles huecos en
tre dieléctrico y armadura.
Como principales características de estos condensadores cabe destacar su pequeño tamaño y su
poder autorregenerante después de aplicarle una sobretensión. Cuando el dieléctrico se perfora, debi
do a una sobretensión, el metal en la zona perforada se evapora, evitando el cortocircuito entre placas.
Esta forma constructiva es la más usual en este tipo de condensadores, aunque para capaci
dades elevadas se adopta el modo tubular, en forma de botes cilindricos o paralelepípedos. En este
caso es usual que los dos terminales del condensador salgan al exterior por una de las bases.
También se fabrican condensadores con dieléctrico de papel impregnado en aceite. Se hacen
así para mejorar la rigidez dieléctrica del papel, ya que el aceite la aumenta y, por tanto, permite
que puedan aplicarse tensiones mayores entre las placas del
condensador.
Además, el aceite es un material refrigerante que aumen
ta los márgenes de temperatura en los que puede trabajar el
condensador, mantiene estable la capacidad y aísla del me
dio ambiente a todo el conjunto.
Los condensadores de papel impregnado en aceite son
muy utilizados en las emisoras de radio, ya que son idóneos
para trabajar en circuitos donde las tensiones de funciona
miento permanentes alcanzan varios miles de voltios.
Debido a las elevadas tensiones y corrientes a las que son
som etidos estos condensadores, sus terminales tienen bor
nes de conexión de gran sección y, en ocasiones, roscados
con tuerca de sujeción (figura 5.5). 5' 5 Condensador con dieléctrico de papel metalizado.
de elevada capacidad.
83
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Hojas de
dieléctrico
Hojas de aluminio
o estaño
Terminales soldados
a las hojas metálicas
5.7 Constitución de un
condensador styroflex
(poliestireno).
El conjunto de láminas de aluminio y dieléctrico se calienta luego, con el fin de que se contrai
ga el exceso de plástico y el condensador se cierre.
Los condensadores styroflex son muy populares ya que presentan una serie de ventajas desde
el punto de vista de su utilización, entre las que cabe citar:
84
CONDENSADORES
Condensadores de polipropileno
El polipropileno es un plástico que posee propiedades análogas a las del polietileno, pero tiene ma
yor resistencia al calor, a los disolventes orgánicos y a la radiación nuclear.
Los condensadores de polipropileno se fabrican igual que los de poliestlreno, pero sustituyen
do, lógicamente, un dieléctrico por el otro.
Son ¡dóneos y muy efectivos para ser utilizados en circuitos resonantes, en particular cuando
éstos han de trabajar a temperaturas cercanas a los 85 °C.
Al igual que los styroflex, su coeficiente de temperatura es negativo, por lo que pueden sustituir
y ser sustituidos por ellos. El aspecto externo de estos condensadores es muy similar a los de sty
roflex.
Condensadores de poliéster
Los condensadores de poliéster han sustituido a los de papel. Su construcción es idéntica, con la
única diferencia de sustituir el dieléctrico de papel por uno de poliéster y metalizar los extremos sa
lientes de las cintas de aluminio de forma que las espiras de dichas cintas queden cortocircuitadas,
reduciéndose así la inductancia parásita creada por las espiras. A dichos condensadores se les de
nomina, por tal motivo, condensadores inductivamente pobres.
El conjunto así fabricado se recubre luego con una cera sintética, o sustancia similar, sobre la
que se imprime el valor del condensador. En algunas ocasiones la cubierta externa es transparen
te, lo que permite apreciar su configuración.
Se fabrican en forma cilindrica o plana, de tamaño normal o miniatura. Presentan varias ventajas
sobre los de papel, entre las que cabe citar su mayor resistencia mecánica, no ser higroscópicos
y soportar un amplio margen de temperaturas que va desde -5 5 °C a +150 °C, con gran rigidez
dieléctrica.
El dieléctrico de poliéster carece de poros y su espesor es más pequeño que el dieléctrico de
papel (inferior a 1 gm). En el caso de los condensadores miniatura de película ultradelgada de po
liéster el espesor del dieléctrico está comprendido entre 1,5 y 2 pm (de 15 a 20 veces más fino que
un cabello humano normal).
La capacidad de estos condensadores tiende a aumentar ligeramente cuando aumenta la tem
peratura, mientras que disminuye al aumentar la frecuencia. Como dato orientativo diremos que su
capacidad disminuye un 3 % cuando se le aplica una frecuencia de 100 kHz. A partir de este valor
de frecuencia el porcentaje de disminución de capacidad aumenta mucho, por lo que no es acon
sejable su utilización a frecuencias por encima del algunos megahercios.
Se fabrican con capacidades comprendidas entre 2 pF y 10 uF según tipo y modelo, con ten
siones de servicio comprendidas entre 30 y 1.000 V.
Condensadores de policarbonato
Los condensadores de policarbonato se fabrican en una gama de capacidades que va desde 1 nF
hasta 10 pF, es decir, con valores de capacidad bastante grandes.
Su margen de temperatura es similar a los de poliéster y su tensión de trabajo es muy supe
rior a la de los anteriores, ya que abarca desde los 60 a los 1.200 V con un bajo coeficiente de
pérdidas.
Se fabrican normalmente con cuerpo cilindrico, y terminales de conexión por ambos lados o
con salida por una sola de las bases.
85
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
cilindrica, y los terminales suelen salir paralelamente en lugar de axialmente, tal y como se muestra
en la figura 5.8.
El condensador se presenta recubierto de laca, en forma de paralelepípedo y, muy raramente,
en forma cilindrica.
Existen dentro de este grupo los condensadores de poliéster metalizado, los de acetato de ce
lulosa metalizada, los de policarbonato metalizado y los de polipropileno metalizado.
Condensadores cerámicos
Los condensadores cerámicos son los que más
se acercan al condensador ideal, pues su induc-
tancia, factor de potencia y tangente de pérdidas
son prácticamente nulas.
Se fabrican en forma tubular, paralelepípeda y
en disco (figura 5.9).
Los condensadores cerámicos tubulares con
sisten en un tubito de cerámica obtenida por extru
sión. El tubito se metaliza interiormente, de forma
que uno de los extremos del metalizado sobresal
ga y cubra una estrecha faja en la parte exterior (fi
gura 5.10). 5.9 Condensadores cerámicos.
El resto de la superficie exterior se metaliza de
forma que deje una faja libre para que no haga con
tacto eléctrico con la anterior.
Tubo cerámico
Laca protectora
Armadura
interior
86
CONDENSADORES
Las armaduras del condensador quedan así formadas por las dos capas metálicas que cubren
Interior y exteriormente al tubo cerámico.
Los terminales de conexión están formados por dos espiras de alambre, soldadas sobre la ar
madura exterior y la prolongación de la armadura interior.
El conjunto se recubre de una laca protectora, sobre la que se Imprime con cifras o franjas de
color el valor capacitivo del condensador u otros datos que en su momento veremos.
El terminal correspondiente a la armadura exterior se sitúa de forma que quede más alejado del
extremo del tubo que el otro terminal (figura 5.10).
De los dos terminales, el de la armadura exterior es el que debe conectarse a masa por razo
nes de seguridad y de radiación de la armadura «viva» (la Interior, no conectada a masa).
Los condensadores cerámicos de disco están constituidos por un disco cerámico cuyas dos
caras han sido metalizadas y sobre las cuales se sueldan los terminales de conexión (figura 5.11).
Dieléctrico cerámico
87
ELECTRÓNICOS
Cubierta
Capas de metal
El modelo de la figura 5.13 posee patitas de conexión y, por lo tanto, es el utilizado para m on
taje por soldadura manual sobre circuito impreso.
El titanato de bario es una cerámica especial cuya utilización en la fabricación de condensado
res hace que éstos sean muy eficaces en el acoplamiento, filtrado y supresión de interferencias. Se
fabrican con capacidades de 10 a 220 nF y tensiones nominales de hasta 63 V.
Una clase especial de condensadores cerámicos son los denominados pasantes o pasamuros
(figura 5.14).
Estos condensadores se emplean allí donde la corriente continua o la corriente alterna de baja
frecuencia debe atravesar una pared apantalladora, mientras que la corriente alterna de alta fre
cuencia debe derivarse a masa.
El condensador pasante consta de un manguito, roscado o no, que se atornilla o se suelda en
el apantallamiento, y que está unido a la armadura externa del condensador.
Una particularidad de los condensadores cerámicos es la gran variedad de propiedades dieléc
tricas que pueden conseguirse añadiendo determinados aditivos a la masa cerámica. Por este m o
tivo la E.I.A. ha dividido los materiales cerámicos en dos grandes grupos.
Los del grupo I poseen unas pérdidas muy pequeñas, del orden de 0,3 x 10"3, y su capacidad
está afectada por un coeficiente de temperatura perfectamente determinado. Se fabrican según ta
blas E12, e incluso E24 (véase la tabla 3.1 del capítulo 3), desde unas fracciones de picofaradio
hasta 1 nanofaradio.
Los coeficientes de temperatura normalizados más corrientes en este grupo son: +100, 0, -33 ,
-15 0, -33 0, -7 5 0 y -1 .5 0 0 partes por millón del valor nominal.
CONDENSADORES
De todas estas características se deduce que los condensadores cerámicos del grupo I son
idóneos para ser utilizados en circuitos sintonizadores, funcionando perfectamente con frecuencias
de varios miles de MHz debido a sus reducidas pérdidas e inductancía parásita prácticamente nula.
Los materiales cerámicos del grupo II poseen una constante dieléctrica muy elevada, de 1.000
a 10.000 veces superior a la del aire, lo que permite obtener unos condensadores muy pequeños
pero con elevadas capacidades (hasta 10 nF). El coeficiente de temperatura en este grupo es ele
vado e irregular, y las pérdidas elevadas (de 10 a 30 x 10~3).
Por todos estos motivos no son utilizables en circuitos sintonizadores, pero sí resultan ideales
para ser utilizados en etapas de alta frecuencia para desacoplo o paso.
La tolerancia en la capacidad de los condensadores cerámicos del grupo II es elevada, debido
a inconstancias del dieléctrico. Para garantizar un valor mínimo se fabrican con tolerancias asimé
tricas, es decir, que el valor de la capacidad del condensador tiende más al límite alto que al bajo.
Los condensadores cerámicos del grupo II se fabrican según las tablas E12, E6 y E3, siendo la
más normal la E6.
Los condensadores cerámicos miniatura tienen unas dimensiones que pueden llegar a ser de
tan sólo 3,7 mm de ancho por 5,2 mm de alto. Estos condensadores son muy utilizados en circui
tos de sintonía transistorizados, y se fabrican con capacidades de 1 a 150 pF.
Soportan tensiones continuas entre placas de hasta 50 V, perforándose si se les aplica durante
un tiempo de 1 a 5 segundos una tensión del 175 % del valor nominal.
Se fabrican con valores comprendidos entre 100 pF y 100 nF. Las dimensiones de estos dim i
nutos condensadores dependen de su capacidad, según se indica en la tabla 5.1.
Tabla 5.1
47 nF 4,8 3,3 1,4 Dimensiones en mm de los
condensadores de película
100 nF 4,8 3,3 2,0 de sulfuro de polifenileno
para montaje superficial.
89
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
+ _
5.16 Principio de funcionamiento . i
de un condensador electrolítico
de superficie rugosa. i
Los condensadores electrolíticos de superficie no rugosa son, a igualdad de capacidad, más vo
luminosos que los de superficie rugosa, pero generalmente ofrecen mejores parámetros eléctricos,
de modo que son imprescindibles para aplicaciones especiales, como por ejemplo en las etapas de
audio de receptores de radio y televisión o de equipos de alta fidelidad.
En la figura 5.17 se muestra la fotografía de un condensador electrolítico de aluminio. Consta de
un tubo de aluminio cerrado en el que se aloja el condensador propiamente dicho, con un tapón
90
CONDENSADORES
Así, si a un condensador electrolítico se le debe aplicar una tensión alterna de 6 V eficaces, esta
tensión corresponde a una tensión máxima de:
91
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
es decir, la tensión alterna citada de 6 V eficaces es la máxima que puede ser superpuesta a una
tensión continua de 8,46 V para que el pico negativo de la componente alterna no sobrepase el va
lor 0 V y el condensador quede polarizado en sentido correcto.
Existen otros tipos de condensadores electrolíticos, los cuales no están polarizados (bipolaríza-
dos). En estos condensadores el cátodo y el ánodo tienen las mismas dimensiones (en volumen y
tamaño), por lo que ambos poseen la misma capacidad de carga. Con este diseño el condensador
puede trabajar con tensión continua en cualquier sentido, así com o con tensión alterna pura.
Dado que la tensión alterna produce autocalentamiento, debe permanecer muy por debajo de
la tensión nominal continua.
Como consecuencia de la conexión en serie de las dos capacidades parciales, la capacidad to
tal es en estos condensadores la mitad de una capacidad simple, razón por la cual, a Igualdad de
capacidad, un condensador no polarizado posee doble volumen que uno polarizado.
Los condensadores electrolíticos tienen elevadas capacidades y reducido volumen. A esta ven
taja se le oponen algunos Inconvenientes, tales como:
Por todos los motivos apuntados los condensadores electrolíticos sólo se emplean en electró
nica en aquellos casos en que se precise una gran capacidad, pero que no exijan un valor exacto
de ella. Entre las aplicaciones más destacadas están los circuitos de filtrado y desacoplo de las eta
pas de audio y de filtrado de la tensión rectificada de las fuentes de alimentación.
También se fabrican condensadores electrolíticos de aluminio para montaje superficial (SMD),
los cuales pueden trabajar con temperaturas de hasta 85 °C y son ideales para aplicaciones de
PCB con elevada densidad de componentes.
Se fabrican con capacidades que cubren una gama comprendida entre 0,1 y 100 pF y tensio
nes de perforación de 6,3, 10, 16, 25, 36 y 50 V.
Sus dimensiones son extremadamente pequeñas, tal y como corresponde a los componentes
para montaje en superficie (de 4,3 x 4,3 mm2, 5,3 x 5,3 mm2 y 6,6 x 6,6 mm2, siendo la altura en
todos ellos de 5,4 mm).
92
CONDENSADORES
ciado con una sustancia aglomerante. Con ello se obtiene un prensado del material y, de esta for
ma, la configuración deseada.
Los cuerpos slnterlzados ofrecen una superficie útil mucho mayor que los folios corroídos de óxido
de aluminio, aumentando con ello la capacidad del condensador a igualdad de superficie de sus placas.
Existen dos tipos de condensadores de tantalio: los de electrólito líquido y los de electrólito sólido.
Los de electrólito líquido son similares a los de aluminio, con la diferencia de que el líquido va
dentro de una capa absorbente de bióxido de manganeso.
En el caso de que el bióxido de manganeso venga en forma de pastilla, se obtiene el conden
sador de tantalio con electrólito sólido.
Todo el conjunto se recubre de una capa de grafito que hace de cátodo, y de un revestimiento
de resina sobre la que se imprime el valor del condensador así como la indicación de su polaridad,
ya que son condensadores polarizados.
Los condensadores de tantalio de electrólito sólido se caracterizan por la escasa dependencia a
la temperatura de su capacidad y resistencia de carga. Por otro lado, presentan la ventaja de no po
der perder electrólito, el cual puede destruir en algunas ocasiones otros componentes del circuito.
Algo desventajosa resulta la circunstancia de que los de electrólito sólido no puedan emplearse
para tensiones de servicio superiores a 80 V (corriente continua), y a 125 V (corriente continua) los
de electrólito líquido.
Existen muchas formas de presentación de estos condensadores, destacando como más usua
les las de forma cilindrica con encapsulado metálico y las de forma de perla.
El principal inconveniente de estos condensadores es su elevado precio, muy superior al de los
de óxido de aluminio, por lo que se procura prescindir de ellos siempre que sea posible.
Para finalizar diremos que en los condensadores electrolíticos, tanto los de aluminio como los de
tantalio, se ha generalizado o extendido aún menos la normalización de los valores de capacidad y
de las tensiones de servicio. Sin embargo, debido a que casi nunca se exige de ellos un valor de
capacidad determinado, esto no resulta ser un gran inconveniente y se emplea, sencillamente, aquel
condensador que ofrezca el mercado, de valor inmediato superior al calculado o nominal. El hecho
de emplear un condensador electrolítico de 100 o 125 ¡uF no tiene importancia, ya que la toleran
cia es superior a la diferencia entre ambos valores citados.
93
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
La capacidad de un trimmer puede variar de 1,4 pF a 50 pF, según el modelo; en los trimmers
de disco con dieléctrico cerámico pueden conseguirse mayores capacidades. Generalmente la re
lación entre la mayor y la menor capacidad ajustable es de 1:10.
En la actualidad se fabrican trimmers de dimensiones reducidísimas para montaje superficial
(SMD), com o los de la figura 5.22.
6.6 01.4
P to t 6 6 /P to t 6,5
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1
0.2 —
1,45 r
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L —
94
CONDENSADORES
Los trimmers de la figura 5.22 son cerámicos para montaje superficial, de 2, 3 y 4 mm, diseña
dos para su empleo en aparatos muy compactos de telecomunicación, audio y vídeo.
En todo trimmer cabe distinguir entre la armadura fija o estator y la armadura desplazadle o ro
tor. Esta última se ajusta mediante un tornillo que ejerce más o menos presión sobre dicha arma
dura según el ángulo de giro, o bien la hace desplazar de forma que una mayor o menor superficie
de ella queda enfrentada con el estator.
Corno cualquier otro componente electrónico, los condensadores poseen una serie de caracterís
ticas técnicas mediante las cuales es posible seleccionar aquel que resulte más adecuado para un
circuito determinado.
Las principales características técnicas de los condensadores son las siguientes:
• Valor capacitivo.
• Tolerancia.
• Tensión máxima de trabajo.
• Tensión de prueba.
• Corriente de carga.
• Tangente de delta.
• Coeficiente de temperatura.
• Resistencia de aislamiento.
• Inductancia parásita.
• Frecuencia de resonancia propia.
• Factor de potencia.
Valor capacitivo
La capacidad de almacenamiento de electricidad de un condensador se expresa en faradios (F). Sin
embargo, dado que esta unidad resulta excesivamente grande, en la práctica se utilizan los sub
múltiplos pF, nF y piF.
La unidad de capacidad, el faradio, corresponde a la capacidad de almacenar unacantidad de
electricidad de 1 culombio en un condensador alque se le aplica una tensión de 1voltio, es decir:
Al igual que en las resistencias, en la fabricación de condensadores se recurre a las tablas E (véa
se la tabla 3.1 del capitulo 3), mediante las cuales es posible disponer de toda una gama de valo
res capacitivos sin que las tolerancias de los mismos se interfieran y, por lo tanto, se repitan valores de
capacidades reales en condensadores de distinta capacidad teórica.
Dado que uno de los factores que más influye en la capacidad de un condensador es su die
léctrico, resulta lógico pensar que no todos los tipos de condensadores estudiados a lo largo de
este capítulo cubren toda la gama de capacidades necesarias en el diseño de un aparato electró
nico, es decir, que cada tipo de condensador tiene unos límites de capacidad determinados.
En la tabla 5.2 se reseñan la gama de valores disponibles en el comercio para cada tipo de con
densador, según la tensión máxima de trabajo admisible por cada uno de ellos.
Tolerancia
El valor real de la capacidad de un condensador discrepa, dentro de ciertos límites, del valor teóri
co o nominal indicado en el condensador. Estas discrepancias son debidas al proceso de fabrica
ción y se designan por tolerancias.
95
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Tabla 5.2 Valores de capacidad y tensiones máximas de trabajo según ei tipo de condensador.
_ 125uFx50
Cmax = 125 jaF + ^ - - = 125 J1F + 62,5 n F = 187,5 nF
96
CONDENSADORES
r
Tipo de condensador Gama de tolerancias : Tabla 5.3 Gama de tolerancias
v'..."':..'." : ó para los condensadores.
Mica 0,5 % a 20 %
Papel 5 %, 10 %, 20 %
Película de poliéster 5 %, 10 %, 20 %
Poliéster metalizado 5 %, 10 %, 20 %
Policarbonato metalizado 5 %, 10 %, 20 %
Cerámicos (grupo 1) 2 %, 5 %, 10 %
5.23 Curvas
características de
variación de la
tensión nominal
en fundón de la
frecuencia en
diferentes
condensadores
de polipropileno.
(Continúa en la
página siguiente)
97
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
5.23
(Continuación)
La primera de ellas hace referencia a condensadores de polipropileno de 0,022 pF, 0,1 ,uF y
0,47 pF, con una tensión nominal continua de 100 V y alterna de 63 V eficaces. Entre 100 Flz y 20 kFIz
el condensador de 0,47 pF admite una tensión alterna entre sus placas de 63 V eficaces, pero a
partir de dicha frecuencia la tensión nominal desciende rápidamente, de forma que si se le aplica
una corriente alterna de 100 kFIz, sólo admite unos 25 V eficaces entre placas.
Esto es particularmente importante al elegir un condensador para un determinado circuito, ya
que si ha de trabajar con frecuencias y tensiones elevadas deberá comprobarse que el condensa
dor soporte dicha tensión, aunque en su cuerpo se indique un valor de tensión nominal suficiente.
Tensión de prueba
Otro dato que indican los fabricantes de condensadores es la tensión de prueba, cuyo valor es
siempre superior al de la tensión nominal de servicio.
Si la tensión aplicada al condensador sobrepasa la tensión de prueba, puede ocurrir que se per
fore el dieléctrico. En la mayoría de los condensadores ocurre entonces que esta perforación con
duce a un cortocircuito permanente en el interior del condensador, que lo inutiliza completamente.
En la tabla 5.2. se indican las tensiones máximas de trabajo para cada tipo de condensador.
Corriente de carga
Al conectar un condensador descargado a una fuente de alimentación de corriente continua, o en
tre dos puntos de un circuito bajo tensión, circula una corriente que tiende a disminuir a medida
que el condensador se carga, hasta desaparecer al quedar totalmente cargado. A esta corriente se
la conoce con el nombre de corriente de carga.
Si la fuente de alimentación es alterna, el condensador sufre sucesivas cargas y descargas al
ritmo de los cambios de sentido de la corriente alterna, por lo que circula una corriente de carga en
ambos sentidos. Esta corriente de carga tiene la particularidad de estar desfasada 90° en adelan
to con respecto a la tensión aplicada al condensador.
Efectivamente, en la figura 5.24 se aprecia cómo en el instante f0, es decir, cuando el conden
sador queda conectado a la fuente de alimentación, la corriente es máxima, siendo la tensión nula.
A medida que avanza el tiempo, es decir, en los instantes f,, t2, la corriente de carga va dis
minuyendo progresivamente de valor, puesto que las armaduras del condensador van asimilando la
carga eléctrica y, por lo tanto, se van saturando.
Como consecuencia de este aumento de la cantidad de electricidad almacenada en el conden
sador la tensión va aumentando hasta que la corriente alcanza el valor cero amperios (corriente
nula e inicio del cambio de sentido), en cuyo instante el condensador comienza la carga en senti
do opuesto y la tensión entre placas disminuye.
Se demuestra así que la corriente de carga se presenta con un cuarto de onda (90°) de ade
lanto con respecto a la tensión.
Esta circunstancia sólo se da en un condensador ideal, ya que en la práctica este ángulo es li
geramente inferior a 90°, tal y com o se verá a continuación.
Tangente de delta
En todo condensador, además de la corriente de carga, circula una pequeña corriente de fuga en
fase con la tensión aplicada. Esta corriente de fuga se debe a que el dieléctrico no es perfecto, y
por lo tanto deja pasar a través de él la citada corriente.
El hecho de que un dieléctrico no sea perfecto equivale a poner en paralelo con el condensa
dor ideal una resistencia de elevado valor, tal y como se muestra en la figura 5.25.
La corriente de fuga queda en fase con la tensión aplicada al condensador ( I R en fase con V en
la figura 5.26), mientras que la corriente de carga ideal I c queda desfasada 90° en adelanto con
respecto a la tensión t/.
El ángulo que forma en realidad la corriente que circula por el condensador con respecto a la
tensión a él aplicada es igual a la suma vectorial de la corriente de fuga I R más la corriente ideal
I c, es decir, el ángulo del vector resultante / Creai de la figura 5.26 con respecto al vector V, y cuyo
valor es igual a:
El ángulo que forman la corriente de carga ideal I c con la corriente de carga real /Crea, se deno
mina ángulo delta (8).
Dado que la tangente trigonométrica es la relación entre las intensidades de las corrientes de
fuga e ideal, el coeficiente de pérdidas de un condensador se expresa como tangente de delta (tg 8),
es decir:
99
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Cuanto más bajo sea el valor de tg 8 menor será el ángulo de pérdidas 8 y, en consecuencia,
más perfecto será el condensador.
Efectivamente, de la figura 5.27 se deduce que cuanto menor sea el valor de I R (mejor dieléc
trico), más se acerca el valor de 7Creal al valor de la corriente ideal I c, disminuyendo el valor del án
gulo 8, es decir, reduciéndose el cociente I R/ I c que corresponde a la tangente de 8.
El ángulo de pérdidas 8 viene dado por los fabricantes para una frecuencia y una temperatura
dadas. Ello se justifica por los siguientes motivos:
donde Xc es la reactancia capacitiva del condensador, cuyo valor viene dado por la igualdad:
1
X,.
2n f C
De esta última igualdad se deduce que el único parámetro que puede hacer variar la reac
tancia de un condensador dado es f, por lo que si f influye sobre Xc es lógico deducir que
también lo hará sobre la corriente I c.
• La temperatura influye sobre el valor óhmico del dieléctrico y, como consecuencia, sobre la
intensidad de corriente de fuga I fí a través de él.
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120
80 —
100
CONDENSADORES
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AT = 50 °C - 20 °C = 30 °C
101
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Mica ±0,1 %
Papel +0,5 %
Electrolítico de aluminio +1 %
+5 %
Tabla 5.4 Coeficientes
de temperatura de los Electrolítico de tantalio +1 %
condensadores.
condensadores
>sl
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cerámicos.
102
CONDENSADORES
5.30
de la variación de la
capacidad en función de
la temperatura de un
condensador de polléster
-50 40 -20 0 +25 +50 +7585 +100 +125 (°C) metalizado.
Resistencia de aislamiento
Normalmente, la corriente de fuga a través del dieléctrico se incrementa con el aumento de la fre
cuencia de la corriente aplicada ai condensador. Por este motivo, en la fabricación de condensa
dores deben utilizarse materiales de alta calidad.
Las pérdidas que se presentan cuando se aplica corriente continua a un condensador se de
nominan resistencia de aislamiento.
En la tabla 5.6 se indica la resistencia de aislamiento para diferentes tipos de condensadores.
La resistencia de aislamiento disminuye al aum entar la temperatura, por lo que algunos fa
bricantes suelen indicar en sus catálogos la curva característica de la resistencia de aislamiento en
MQ ■(iF en función de la temperatura, tal y como se muestra en la figura 5.31 referida en este caso
a un condensador de poliéster metalizado.
Cerámicos (grupo II) > 1, > 5.000 y > 10.000 según tipo
Electrolítico de tantalio Corriente de fuga: > 0,02 nA x V x |uF y siempre > 4 |uA
103
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Mi2 x p f
7.000 MQ • pF
R= 30.000 MQ
0,22 pF
Inductancia parásita
Todo condensador presenta una cierta Inductancia parásita, muy variable, según la forma cons
tructiva del mismo. Por ejemplo, un condensador de láminas enrolladas presenta una Inductancia
parásita muy superior a uno plano.
Dicha inductancia parásita puede suponerse conectada en serie con el condensador y, como
toda Inductancia, resulta despreciable a bajas frecuencias.
Sin embargo, si la frecuencia aplicada al condensador es muy elevada, la inductancia parásita
se pone de manifiesto, aumentando con ello la reactancia del condensador, es decir la oposición al
paso de la corriente alterna.
Factor de potencia
A lo largo de este capítulo se ha visto que todo condensador real puede asimilarse a un conden
sador ideal que posea:
104
CONDENSADORES
Además de lo expuesto, un condensador real posee unas resistencias óhmicas en sus termina
les y armaduras que en ciertos casos no deben despreciarse, y a las que podemos considerar
como una resistencia en serie con nuestro hipotético condensador ideal.
Si al condensador se le aplica una comente alterna, éste presenta una impedancia Z constitui
da por la suma geométrica de la reactancia capacitiva Xc y la resistencia óhmica R que considera
mos en serie con él, es decir:
Z = y¡xcz + R2
R
eos <p = —
Si R es igual a cero (caso imposible en los condensadores reales), el factor de potencia será
nulo y, por lo tanto, el condensador no consume energía.
Los valores de la capacidad de los condensadores vienen impresos sobre el mismo componente, o es
tán indicados mediante puntos o aros coloreados, de forma análoga a como se hace con las resistencias.
Desgraciadamente, hoy en dia aún persisten varios sistemas o códigos de colores para los con
densadores, lo que dificulta en cierto modo su identificación. Por esta razón, en las tablas que se
incluyen a partir de la página siguiente, se indican los códigos más utilizados en la actualidad.
En las tablas anteriores, en las que la identificación del valor capacitivo se efectúa por cifras, és
tas se imprimen sobre la superficie del condensador de muy diversas maneras, pero siempre ha
ciendo referencia a la unidad picofaradio.
Así, un condensador de 4.700 pF puede identificarse por cualquiera de las siguientes anotaciones:
Como hemos visto, se fabrican numerosos tipos de condensadores, lo cual dificulta a veces la
elección del más adecuado para un determinado circuito.
Dentro del grupo de los condensadores con dieléctrico de plástico también se tienen diferentes
tipos, con características similares pero no iguales, por lo que en este caso la dificultad de elegir el
más adecuado es, si cabe, mayor.
Por estas razones, a continuación se resume en pocas líneas cuál es el condensador idóneo
para utilizar en cada circuito de radio, televisión y alta fidelidad, así como las curvas comparativas
105
106
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
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COMPONENTES ELECTRÓNICOS
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110
CONDENSADORES
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Azul Azul
(6) (ó) G ris 25
V io le ta V io le ta V io le ta
(7 ) (7) (0.001) B lan co 2.5
de características típicas de los condensadores con dieléctrico plástico, de forma que el lector pueda
escoger con seguridad aquél que resulte más eficaz en cada aplicación.
Desacoplo de radiofrecuencia:
111
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Paso de radiofrecuencia:
Desacoplo de audiofrecuencia:
• Electrolíticos de aluminio.
• Electrolíticos de tantalio.
• Electrolítico de tantalio.
• Electrolítico de aluminio en paralelo con cerámico.
Filtros de altavoz:
• Poliéster metalizado.
• Electrolíticos de aluminio.
Antiparasitado de red:
112
CONDENSADORES
• Styroflex.
• Película de poliéster.
b) c)
M i) x \xF
5.32 Curvas
características
típicas
comparativas de los
condensadores con
dieléctrico de
plástico.
d) e)
113
Bobinas y ferritas
INTRODUCCIÓN
Las bobinas, también llamadas inductancias o solenoides, son probablemente los componentes
electrónicos que más varían en su diseño.
Cuanto más alta sea la frecuencia de la corriente alterna que circula por una bobina, menor será
el número de espiras que se necesitan para obtener una determinada reactancia al paso de la c o
rriente.
Como consecuencia, se fabrican bobinas de reducido número de espiras y tamaño para fun
cionar en aparatos que trabajan en las gamas de frecuencia de VHF, UHF y SHF, y voluminosas bo
binas, con muchas espiras, como elementos de filtro de la corriente alterna industrial de hasta unas
decenas de hercios.
Una importante característica de estos componentes, en lo que respecta a su fabricación, es
que en muchas ocasiones su construcción es artesanal, es decir, hecha por el propio profesional
en su taller, utilizando hilo conductor de sección adecuada. Esta característica no se da en las re
sistencias y condensadores, cuya fabricación corre a cargo de empresas especializadas.
Según la frecuencia de la corriente alterna las bobinas se clasifican en dos grandes grupos:
Además, las bobinas pueden estar apantalladas, es decir, situadas dentro de un recipiente me
tálico que evita la transferencia de energía entre la bobina y los elementos del circuito situados fuera
del apantallamiento.
En una bobina con núcleo de aire, su coeficiente de autoinducción L viene dado por la fórmula:
N2S
L = 1,257 — —
10a/
115
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
A/2S m
L = 1,257
10® /
Si esta bobina trabaja en un circuito por el que circulan corrientes del orden de los100 MHz (por
ejemplo, en la etapa de radiofrecuencia de un receptor de radio para FM), la reactancia al paso de
estas señales será:
En las fórmulas expuestas no se tiene en cuenta el diámetro del hilo, el cual depende de la in
tensidad de corriente que circula por la bobina.
Con el fin de facilitar el cálculo de las bobinas, en la tabla 6.1 se relacionan los diámetros de hilo
esmaltado más utilizados en la fabricación de éstas, con indicación de la sección correspondiente,
el número de espiras por centímetro que ocuparía el devanado (estando las espiras juntas) y las in
tensidades de corriente admisibles.
Si las espiras han de ir juntas, el hilo utilizado en la fabricación de la bobina deberá estar reves
tido con un barniz aislante que evite cortocircuitos entre espiras; y en aquellos casos en los que el
devanado esté sometido a elevadas tensiones, se aconseja que el hilo esté recubierto de aisla
miento plástico como, por ejemplo, el policloruro de vinilo.
116
BOBINAS Y FERRITAS
En numerosas ocasiones la bobina no tiene soporte, siendo suficiente la propia rigidez mecáni
ca del hilo para que ésta quede conformada (figura 6.2).
Se trata de la forma más simple de construcción de una bobina, que en ocasiones consta de
una sola espira o incluso de una fracción de ésta.
En la fabricación de estas bobinas se utiliza generalmente hilo de cobre, cuando la frecuencia
de la señal que ha de circular por la bobina es de hasta 50 MHz. Para frecuencias superiores se
emplea el cobre plateado, con el fin de evitar pérdidas.
117
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En RF se utiliza hilo de Litz, consistente en un determinado número de hilos finos aislados indivi
dualmente, o bien hilos trenzados en grupos de tres. Cada grupo de tres hilos pasa desde la super
ficie exterior al interior del cable, con lo cual se distribuye la corriente superficial a través de la sec
ción recta total; de esta forma se incrementa la sección efectiva y se reducen las pérdidas en alta
frecuencia debidas al efecto pelicular.
El efecto pelicular consiste en la tendencia de la corriente alterna a circular por la superficie de
los conductores. Este fenómeno aumenta con la frecuencia y hace que, al disminuir la sección útil,
aumente la resistencia efectiva del conductor.
Las bobinas con núcleo de aire se construyen desde una fracción de espira hasta varios cien
tos de espiras superpuestas en varias capas.
Normalmente las bobinas se impregnan, con el fin de hacerlas resistentes a la humedad y para
mejorar su comportamiento ante las fuerzas mecánicas que puedan soportar.
La bobina que se muestra en la figura 6.2 es simple, pero también puede estar dotada de una
toma intermedia.
Es muy importante que todas las espiras de la bobina tengan la misma separación, aunque en
ocasiones es necesario acercar entre sí algunas de ellas para ajustar el valor del coeficiente de
autoinducción de la bobina, puesto que acercando o alejando las espiras entre sí la autoinducción
admite un margen de variación en su valor.
La conexión de la bobina al circuito impreso se realiza directamente, es decir, que el propio hilo
de la bobina hace en sus extremos la función de terminal.
Al conectar la bobina, debe tenerse muy en cuenta que la mayoría de ellas utilizan hilo de cobre
recubierto de un barniz aislante, por lo que deben rascarse suavemente los extremos de la bobina
con un papel de lija antes de efectuar su soldadura. De lo contrario no se establece el contacto eléc
trico necesario entre el hilo de cobre y el estaño.
Cuando la bobina está arrollada sobre un tubo de fibra, plástico u otro material, se disponen unos
terminales de conexión en los que ya van soldados los extremos de la bobina. Esto es muy usual en
las bobinas cuyo hilo, por ser muy flexible (como el hilo de Litz), no adquiere por sí solo la conforma
ción adecuada, siendo imposible arrollarlo al aire (sin soporte). Un ejemplo de esta forma de devanado
son las bobinas de sintonía de los receptores de radio, las cuales, aunque después se introduzca un
núcleo de ferriía, están devanadas sobre un soporte y disponen de terminales de conexión (figura 6.3).
En el caso de las bobinas con núcleo de aire, utilizadas en etapas de RF de las bandas de VHF y
superiores, el efecto pelicular reduce la sección útil del hilo empleado en la fabricación de la bobina, por
lo que en estos casos debe utilizarse hilo de sección bastante superior a la indicada en la tabla 6.1.
Una forma constructiva muy especial de las bobinas con núcleo de aire son las denominadas
nido de abeja.
La configuración en nido de abeja consiste en arrollar varias capas de hilo de Litz, desplazando
las espiras en uno y otro sentido de forma que se obtenga una posición cruzada de las espiras (fi
gura 6.4).
118
BOBINAS Y FERRITAS
Esta forma de devanado proporciona una gran autoinducción y una resistencia mecánica con
siderable, puesto que en la forma expuesta se favorece la inmovilización del hilo.
Las bobinas en nido de abeja se utilizan en las etapas de sintonía de los radiorreceptores de OM
y en algunas bobinas de choque de RF.
Las pérdidas por cambio de magnetización se reducen también utilizando núcleos de aleacio
nes ferromagnéticas especiales, tales como el ferrosilicio y el ferroníque!. Este último proporciona
altas permeabilidades, que pueden alcanzar valores de hasta 32.000 en láminas de hierro silicio de
grano orientado, es decir, que con un núcleo de estas características el coeficiente de autoinduc
ción puede multiplicarse por 32.000.
De todas formas, dichas pérdidas no desaparecen por completo.
En la figura 6.6 se muestra una bobina con núcleo de planchas de hierro, y en la figura 6.7 tres
formas distintas de núcleos de plancha de hierro, las cuales se denominan, según su forma, como
corte de Ul, de El y de M respectivamente.
Las bobinas con núcleo de hierro (o cualquiera de sus aleaciones) se utilizan sólo en circuitos
de baja frecuencia, tales como fuentes de alimentación y amplificadores de audio.
Con frecuencias más elevadas las pérdidas por corrientes parásitas en el hierro aumentan. Ya
no resulta suficiente que se construya el núcleo con un paquete de planchas delgadas, sino que
debe hacerse otra subdivisión en «islas» magnéticas, eléctricamente aisladas entre sí. Un progreso
esencial en este sentido se alcanzó utilizando hierro en polvo fino, mezclado con una materia sin-
119
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
a) b)
6.7 Formas constructivas de núcleos de planchas de hierro, a) corte en Ul. b) corte en El. c) corte en M.
tética aislante y comprimido todo para formar el núcleo de la bobina. La materia básica de estos
núcleos de hierro para alta frecuencia es un polvo de hierro que se extrae del pentacarbonito de hie
rro. El diámetro de estas partículas de hierro es de 1 a 10 jim . Tales materias magnéticas se hallan
en el mercado bajo diversas denominaciones comerciales.
120
BOBINAS Y FERRITAS
Todos estos compuestos tienen estructura parecida: son cristales mixtos, ioque en la fórmula
química está indicado por el punto. Estos cristales mixtos no son conductores y por esto no hace
falta pulverizarlos.
Para su elaboración se utiliza el procedimiento de la técnica cerámica: núcleos construidos por
medio de inyección, a presión, o bien en fundición, que se cuecen a temperaturas de 1.300 °C.
Estos núcleos son muy duros y tienen el tacto de la porcelana. Si se los deja caer se rompen con
facilidad. Como denominación comercial de las ferritas podemos citar el Ferroxcube, de P hilips .
Los núcleos de ferrita fabricados com o se ha indicado sólo se pueden trabajar tallándolos. Para
componerlos se unen dos caras talladas planas por medio de pegamento. Si se hace con sumo
cuidado, el espacio que queda en la unión de las caras es inferior a 10 ^irn, con lo que la disper
sión del flujo magnético es muy reducida.
Una forma de núcleo especialmente pobre en dispersión es el de campana, que se compone
de dos moldes pegados y completamente cerrados (figura 6.9a). También existen los núcleos m e
dio abiertos (figura 6.9b) y los abiertos (figura 6.9c).
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b)
a)
Cuando se necesita obtener un valor exacto de la inductividad, ésta deberá ser graduable, pues
to que siempre hay que contar con las tolerancias propias de fabricación. Esto se consigue fácil
mente por medio de un entrehierro variable.
Por ejemplo, se modifica el núcleo del molde de tal manera que el pivote central sea más corto
que el molde. Uno o ambos pivotes centrales se construyen vacíos y se proveen de rosca, en la que
se aplica un tornillo que es del mismo material que el núcleo del molde. Enroscando más o menos
el tornillo varia el entrehierro, y con ello la inductividad, en un 10 %.
Este procedimiento de ajuste se denomina nivelación o sintonización, y se efectúa primero tras
el montaje de las conexiones y, eventualmente, deberá repetirse más adelante.
En la figura 6.10 se han dibujado las partes constituyentes de una bobina con núcleo de ferrita,
con indicación de sus dimensiones principales. Las letras designan las siguientes partes de la bobina:
121
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
5,5 7x 7
15 10 x 10
b) c)
3)
a) Blindaje o pantalla de latón niquelado. Esta pantalla se conecta a masa y con ella se evita
que las señales de RF generadas en la bobina salgan al exterior interfiriendo a otros apara
tos o partes del circuito.
b) Campana de ajuste con roscado exterior, constituida por una ferrita adecuada a la gama de
frecuencias de trabajo.
c) Núcleo de ferrita adecuada a la gama de frecuencias de trabajo.
d) Carrete soporte de la bobina.
e) Base.
Las características técnicas más importantes de las bobinas son las siguientes:
• Valor inductivo.
• Tolerancia.
• Variación de la inductancia.
• Margen de frecuencias.
• Resistencia de aislamiento.
• Coeficiente de temperatura p o r grado centígrado.
• Factor de calidad.
Todos estos factores son dependientes en mayor o menor grado de las características técnicas
del núcleo y del hilo, utilizado en el devanado.
Valor inductivo
El coeficiente de autoinducción (L) de una bobina se expresa en henrios (H).
Una bobina tiene una inductancia de 1 H cuando una variación de corriente de 1 A/s da lugar a
una fuerza electromotriz de 1 V, es decir:
Et 1Vx 1s
K I = 1 A ^ = 1H
Dado que esta unidad es, en muchos casos, excesivamente grande, se utilizan los submúltiplos
mH, |iH y nH.
En las bobinas con núcleo de aire el coeficiente de autoinducción depende exclusivamente de
sus características constructivas, es decir, del número de espiras, sección de la espira y longitud del
122
BOBINAS Y FERRITAS
arrollamiento, mientras que en el caso de una bobina con núcleo ferromagnético el coeficiente de
autoinducción depende también del coeficiente de permeabilidad del núcleo, como ha quedado re
flejado en las fórmulas expuestas al comienzo de este capítulo.
Un gran porcentaje de las bobinas utilizadas en electrónica son diseñadas por el propio profe
sional, aunque también se fabrican normalizadas siguiendo los valores establecidos por las tablas
E, igual que las resistencias y condensadores.
Tolerancia
El valor del coeficiente de autoinducción discrepa, dentro de unos ciertos límites, del valor nominal
o valor teórico de la bobina.
Estas discrepancias son debidas al proceso de fabricación, y se designan, como en el caso de
las resistencias y condensadores, por tolerancias.
Variación de la inductancia
En las bobinas con núcleo ajustable, la variación que sufre el coeficiente de autoinducción al ajus
tar el núcleo se Indica de forma porcentual. Así, en una bobina de 260 ptH, cuyo valor inductivo
pueda variarse en ±10 %, podemos ajustar su valor entre 234 pH a 286 pH.
En ciertos casos los fabricantes indican el tanto por ciento de la variación de la Inductancia en
función de la carrera del núcleo, tal y com o se puede apreciar en la figura 6.11.
M%
Margen de frecuencias
Un dato muy importante a tener presente es el margen de frecuencias en que puede trabajar una
bobina.
No todos los núcleos son adecuados para trabajar en alta frecuencia, ya que los hilos del bobi
nado pueden resultar inadecuados:cuando se produce en ellos el efecto pelicular al trabajar en RF.
Otro parámetro de gran influencia al trabajar en RF son las capacidades parásitas que se for
man entre espiras de la bobina, que pueden llegar a producir cortocircuitos para las señales.
Los fabricantes de bobinas suelen indicar en sus catálogos tanto la frecuencia central de traba
jo de la bobina com o la capacidad parásita entre sus terminales.
Resistencia de aislamiento
Los hilos utilizados en la fabricación de bobinas están recubiertos de un barniz o aislante que evita
el cortocircuito directo entre espiras adyacentes. Este aislante puede, sin embargo, perforarse si la
tensión aplicada a la bobina sobrepasa un cierto valor.
Aquí cabe hacer una distinción entre tensión aplicada a los terminales de la bobina y tensión so
portada entre dos espiras contiguas, puesto que la tensión se reparte por igual entre ellas.
123
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En el caso de una bobina de una sola capa, la tensión entre espiras es igual a la tensión aplica
da entre los terminales de la bobina dividida por el número de espiras. Así, si la bobina consta de
100 espiras y se le aplican 35 V, la tensión entre espiras contiguas será de:
35 V
"^ qq - = 0,35 V (entre espiras contiguas)
La resistencia de aislamiento entre terminales se indica en MQ, para una tensión continua dada.
Cuando la bobina está formada por dos o más capas de hilo conductor, debe tenerse en cuen
ta, además, la tensión entre capas contiguas. Esta tensión es igual a la tensión aplicada a la bobi
na dividida por el número de capas, con lo cual el valor obtenido es mayor que el de la tensión en
tre espiras, pudlendo ser en muchos casos peligrosa para la integridad de la bobina, ya que el
barniz aislante puede no soportarla.
Para aumentar el aislamiento entre capas se recurre entonces a disponer un material aislante
entre capa y capa del bobinado, como el papel impregnado o cinta de material plástico.
Coeficiente de temperatura
La conductividad de muchos conductores eléctricos varía con la temperatura. El valor óhmico de
los hilos con los que se fabrican las bobinas viene por ello afectado, más o menos, por la tem
peratura.
La influencia de la tem peratura sobre la bobina se expresa en partes p o r millón de variación
por °C.
Factor de calidad
Toda bobina puede realizar tanto mejor su cometido cuanto más pequeña sea su resistencia óhmi-
ca. Por esta razón es de gran interés el concepto factor de calidad (Q) de la bobina.
La calidad de una bobina se define com o la relación entre su reactancia inductiva (XL) y su re
sistencia óhmica (fí), y viene expresada por la fórmula:
^ XL 27i f L
R R
Con frecuencias elevadas se empeora la calidad de la bobina, a pesar de que, según la fórm u
la anterior, cabe suponer lo contrario. Ello se debe a que con frecuencias elevadas la resistencia óh
mica aumenta debido al efecto pelicular.
Para que la calidad de una bobina sea grande, su resistencia óhmica debe tener un valor bajo
y su inductividad ha de ser elevada.
Por ejemplo, en bobinas sin previa magnetización que no precisan de entrehierro, el aumento
de la Inductividad se consigue mediante la formación especial del trayecto de líneas de fuerza. Para
ello, el núcleo de la bobina se cierra quedando en forma de anillo o toro y la bobina se reparte por
toda la longitud del núcleo. La construcción de tales bobinas con núcleo anular es muy cara, ya
que se precisa maquinaria especial de bobinar.
Los fabricantes de bobinas indican en sus catálogos la calidad de las mismas a una frecuencia
dada. Por ejemplo, mediante la Indicación:
Q(6<x>khz) = 125
o bien mediante curvas características com o las de la figura 6.12, en la que se lee el factor de
calidad Q en función de la frecuencia de cuatro bobinas, de inductancia diferente e igual diáme
tro de hilo. Se observa en dichas curvas que existe un pico de calidad en el cual la relación XL/fí
es máxima. Por encima y por debajo de dicho pico la curva desciende, debido a los motivos ya
apuntados.
El factor de calidad de una bobina para etapas de RF oscila entre 50 y 200, aunque puede ser
diferente según la aplicación del circuito.
124
BOBINAS Y FERRITAS
M Fe2 0 4
Donde M representa un metal bivalente com o el cobre (Cu), magnesio (Mg), manganeso (Mn), ní
quel (Ni), cinc (Zn) o el propio hierro (Fe). En este último caso se obtiene la fórmula Fe30 4, que es la
de la magnetita.
La particularidad de estos compuestos es la de aumentar la resistividad, de forma que sustitu
yendo un átomo de hierro por cualquiera de los metales bivalentes citados se aumenta la resistivi
dad de 10"? S2/cm (ferrita de hierro) hasta unos 10e Q/cm.
Todas las ferritas así fabricadas se denominan ferritas simples, ya que forman un aglomerado
cristalino que contiene una sola clase de cristal:
Existe otro tipo de ferrita, que es el actualmente utilizado,en el que se mezclan dos o más cia
ses de cristal, denominándose por ello ferritas mixtas.
Son cuatro los tipos fundamentales de ferritas mixtas:
De todas ellas, las dos primeras son las utilizadas en los aparatos de radio, televisión y alta fide
lidad, por lo que se estudiarán con mayor detalle; la tercera es utilizada en dispositivos de memoria
y registradores magnéticos, y la cuarta se emplea para la realización de transductores piezomag-
néticos de potencia para generadores de ultrasonidos.
En el comercio las ferritas reciben diferentes denominaciones comerciales, tales com o Ferrox-
cube.
Ferritas de manganeso-cinc
Las ferritas de manganeso-cinc, cuya denominación comercial por P hilips es la de Ferroxcube 3,
se subdivlden a su vez en diversos grados.
125
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Ferroxcube 3A
Ferrita con elevado valor de permeabilidad inicial, idónea para ser utilizada en transformadores de
pequeña potencia y banda de paso ancha, para equipos de comunicaciones.
Es útil en la fabricación de pequeños transformadores de Impulsos.
Su uso se extiende desde las audiofrecuencias más altas hasta cerca de los 100 kHz.
Puede ser empleada en condiciones de polarización con corriente continua.
Ferroxcube 3B
Ferrita con bajas pérdidas, muy recomendada para la fabricación de bobinas con alto factor de ca
lidad Q, coeficiente de temperatura bajo y elevada estabilidad.
Las principales variedades del Ferroxcube 3B son las siguientes:
Ferroxcube 3C
Ferrita muy adecuada para dispositivos que exigen valores relativamente altos de inducción mag
nética (superiores a 50 mT), como los transformadores de salida de línea y las bobinas de desviación
horizontal y vertical de las pantallas de televisión.
Esta ferrita es muy apropiada para la producción en masa de núcleos en forma de U o en for
ma de anillo.
Ferroxcube 3D2
Ferrita utllizable cuando se requieran altos valores de Inducción magnética.
Su inducción máxima es mayor que la del grado 3C, y varía menos con la temperatura. Presen
ta, sin embargo, menor permeabilidad inicial y mayores pérdidas que el Ferroxcube 3C.
Ferroxcube 3E
Es el grado de Ferroxcube 3 que presenta mayor permeabilidad inicial.
Es una ferrita apropiada para transformadores de banda de paso ancho en equipos de com u
nicaciones.
En núcleos envolventes se emplea el Ferroxcube 3D3, 3B7, 3H1, etcétera.
Ferritas de níquel-cinc
Estas ferritas difieren considerablemente de las anteriores, ya que presentan menor permeabilidad
inicial y menor inducción máxima de saturación, pero mayor fuerza coercitiva y elevados valores de
resistividad, gracias a lo cual resultan idóneas para ser utilizadas en RF.
Se conocen comercialmente con diferentes denominaciones, como la de Ferroxcube 4 de P hilips .
Ferroxcube 4A
Ferrita muy similar a la del grado 3B, excepto por su resistividad, que es mucho mayor.
Ferroxcube 4B
Ferrita muy adecuada para circuitos de sintonía, en frecuencias comprendidas entre 1 y 2 MHz. Es
la más utilizada en la fabricación de varillas de Ferroxcube para antenas.
Ferroxcube 4C
Ferrita idónea para ser utilizada en circuitos que trabajan con frecuencias comprendidas entre 2 y
5 MHz.
Ferroxcube 4D
Ferrita idónea para trabajar con frecuencias comprendidas entre 5 y 20 MHz.
126
BOBINAS Y FERRITAS
Ferroxcube 4E
Para frecuencias comprendidas entre 20 y 50 MHz.
Ferroxcube 4F
Para frecuencias comprendidas entre 50 y 100 MHz.
Ferroxcube 4H
Ferrita especialmente desarrollada para su empleo en aceleradores de partículas y en atenuadores
de microondas. No utilizable por tanto en radio y televisión.
En las ferritas caben distinguir dos grupos de características técnicas: las referidas a las propieda
des mecánicas y las referidas a las propiedades eléctricas y magnéticas.
Las características mecánicas de una ferrita son las siguientes:
• Peso especifico.
• M ódulo de Young.
• Coeficiente de dilatación lineal.
• Resistencia a la tracción.
• Resistencia a la compresión.
• Calor específico.
• Conductividad térmica.
• Resistividad.
• Constante dieléctrica.
• Permeabilidad inicial.
• Temperatura de Curie.
• Coeficiente de temperatura.
• Frecuencia de trabajo.
• Inducción magnética.
Peso específico
El peso específico es el peso por unidad de volumen de la ferrita. Se expresa en gramos por cen
tímetro cúbico de material (g/cm 3) y depende delos materiales constituyentes de la ferrita.
Como ejemplo diremos que el Ferroxcube 3 posee un peso específico de unos 4,7 a 4,8 g/cm 3,
mientras que el Ferroxcube 4 posee un peso específico comprendido entre 3,5 y 5 g/cm 3.
Módulo de Young
El m ódulo de Young o m ódulo de elasticidad [M] se expresa en kg/m m 2, y es la relación entre el es
fuerzo de tracción y el alargamiento producido por este esfuerzo en la ferrita. Es una característica
propia del material y se calcula con la fórmula:
127
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Resistencia a la tracción
La resistencia a ia tracción (at) se expresa por la relación entre la fuerza aplicada F (expresada en kg)
y la sección s de la ferrita (expresada en mm2); es decir, por:
ot = — (kg/mm2)
s
Para obtener esta magnitud se sujeta la barra de ferrita por un extremo y por el otro se aplica
una fuerza de tracción hasta que la ferrita se rompe.
Como dato informativo diremos que la resistencia a la tracción del Ferroxcube es de, aproxima
damente, 1,8 kg/m m 2.
Resistencia a la compresión
Para la realización del ensayo de compresión, se coloca la barra de ferrita entre las dos placas de
compresión de una prensa, de forma que el eje de la ferrita coincida exactamente con el eje de la
prensa, y se aplica el esfuerzo de compresión.
Antes de romperse la ferrita se deforma, reduciéndose su altura y ensanchándose su sección
transversal.
La resistencia a la compresión ( o j se expresa en kg/m m 2, es decir:
oc = -j - (k9/m m 2)
Calor específico
El calor específico de un material (entre dos límites de temperatura f, y t2) es la relación que existe
entre la cantidad de calor (Q) necesario para elevar la unidad de masa del cuerpo (un gramo) de la
temperatura f, a la temperatura t2. Viene dado por la expresión:
Conductividad térmica
Recibe el nombre de conductividad térmica de un material la facilidad que presenta al paso del
calor.
La conductividad térmica se produce cuando todos los puntos del material no están a la misma
temperatura; entonces, el calor se propaga de molécula a molécula, desde los puntos más calientes
a los más fríos en un tiempo determinado. Se expresa en cal/(cm • s • °C).
En el caso del Ferroxcube, la conductividad térmica es menor de 14 x 1CT3 cal/(cm • s • °C).
128
BOBINAS Y FERRITAS
Resistividad
Las ferritas poseen una elevada resistividad, lo que reduce al mínimo las pérdidas por corrientes
parásitas. Por este motivo el material puede ser empleado en la fabricación de núcleos compactos,
tanto para bobinas como para transformadores.
La resistividad se expresa en í2/cm y disminuye con la frecuencia.
Las ferritas de níquel-cinc poseen una resistividad mucho mayor que las de manganeso-cinc,
razón por la cual se utilizan para frecuencias más elevadas.
En la tabla 6.2 se indican los datos de resistividad de los Ferroxcube 3 y 4 para frecuencias de
1 kHz y 10 MHz.
; ■
Tipo de ferrita Resistividad (W/cm)
á1 kHz a 10 MHz
iiif V. Ai -AV. A>A$íi '#*¿$>1+,!.
Ferroxcube 3 100 10
Constante dieléctrica
Se llama constante dieléctrica de un material aislante a la relación entre la capacidad de un con
densador que emplea como dieléctrico el material considerado, y la capacidad del mismo conden
sador empleando como dieléctrico el vacío.
La constante dieléctrica de las ferritas disminuye al aumentar la frecuencia.
En la tabla 6.3 se indican las constantes dieléctricas de los Ferroxcube 3 y 4 para frecuencias
de 1 kHz y 10 MHz.
a 10 MHz
Permeabilidad inicial
Como en todo material ferromagnético el valor de la permeabilidad normal (|i) de las ferritas se
aparta del valor de la permeabilidad inicial (g0) a medida que aumenta la intensidad del campo m ag
nético (H) y, por lo tanto, la inducción magnética.
La permeabilidad de un material ferromagnético viene dada por la expresión:
129
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
3A 1.400 ± 15 % 4A 600 ± 20 %
3B 900 ± 20 % 4B 250 ± 20 %
3B3 900 ± 20 % 4D 50 ± 20 %
3B4 900 ± 20 % 4E 15 ± 2 0 %
3B5 1.200 ± 20 % 4F 7 ± 20 %
3C2 1.100 ± 20 %
3D2 750 ± 20 %
130
BOBINAS Y FERRITAS
Temperatura de Curie
El valor de la permeabilidad inicial depende considerablemente de la temperatura, ya que aumenta
con la temperatura hasta alcanzar un valor máximo y disminuye después rápidamente a partir de
éste, tal y como se aprecia en la figura 6.14.
Esta disminución de la permeabilidad se produce entre 150 y 190 °C para las ferritas de m an
ganeso-cinc, y entre 120 y 550 °C para las ferritas de níquel-cinc.
Aquel valor de temperatura en el cual la ferrita adquiere el mismo valor de permeabilidad inicial
que tenía a 20 °C, se conoce con el nombre de punto de Curie.
Por encima del punto de Curie el núcleo de ferrita queda perjudicado de forma permanente.
Como consecuencia, nunca se debe hacer trabajar una bobina con núcleo de ferrita a una tem
peratura próxima al punto de Curie, cuyo valor es proporcionado por el fabricante.
En la tabla 6.5 se relacionan los puntos de Curie de los Ferroxcube.
................ ...........
Ferritas de Punto de Ferritas de Punto de
manganeso- Curie en °C níquel-cinc Curie en "C
cinc
131
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
o, = - %
m0 a 7
= ^
T Mo2 * r
Frecuencia de trabajo
Cada ferrita está especialmente fabricada para trabajar a una frecuencia dada.
La frecuencia de trabajo es pues la más idónea para la ferrita en cuestión, y se ha indicado en
páginas anteriores al describir cada una de ellas.
3B 3 x 10"6 4B 8 x 10"6
132
BOBINAS Y FERRITAS
Inducción magnética
El valor de la inducción magnética viene dado por los fabricantes mediante curvas características
como la de la figura 6.13, o bien mediante tablas características referidas a una intensidad de cam
po magnético determinado.
BOBINAS IMPRESAS
En la figura 6.15 puede verse parte de un circuito impreso sobre el que se ha grabado una bobina.
Ésta es una forma de diseño de bobinas muy utilizada en algunos aparatos electrónicos.
En el diseño de estas bobinas debe tenerse en cuenta la longitud de la pista de cobre, sección
de la misma y distancia entre espiras. De acuerdo con estas magnitudes, así será la inductancia de
la bobina obtenida.
Resulta un sistema muy adecuado para aprovechar espacios vacíos de un circuito Impreso, ya que
sobre ellos pueden disponerse componentes de cierto volumen y reducir así el tamaño del circuito.
133
Transformadores y
autotransformadores
INTRODUCCIÓN
El transformador está basado en el principio de que la energía eléctrica se puede transportar efi
cazmente por inducción magnética desde una bobina hasta otra (u otras) por medio de un flujo
magnético variable, siempre que las bobinas estén situadas en el mismo circuito magnético.
Aunque en electricidad existen transformadores monofásicos, trifásicos y exafásicos, en radio y
televisión sólo se utilizan los transformadores monofásicos, ya que únicamente se trabaja con se
ñales alternas monofásicas, por lo que en este capítulo estudiaremos exclusivamente esta clase de
transformadores.
En esta circunstancia, siempre que no se llegue a la saturación del núcleo magnético, es decir,
siempre que la permeabilidad magnética p se mantenga constante, la corriente que circula por la
bobina y el flujo magnético creado por esta corriente serán senoidales.
Por autoinducción, en cada una de las espiras se crea una fuerza electromotriz:
Ad>
Si llamamos np al número total de espiras de la bobina, entre los extremos de éstas se engendra
una fuerza electromotriz de autoinducción igual a:
AO
135
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
A®
Es decir, que:
^ + ep = 0
o-
1
La primera bobina (a la que se le aplica la tensión vp) recibe el nombre de primario, y la segun
da bobina (en la que se obtiene la tensión vs) se denomina secundario.
Efectivamente, si se aplica una tensión vp al primario circulará una corriente /p por el devanado
primario, de np espiras, la cual genera un flujo magnético ® en el núcleo.
Dicho flujo magnético aumenta y disminuye de valor, cambiando de sentido al ritmo de la c o
rriente alterna, por lo que engendra en el devanado ns una f.e.m. es de valor:
A®
“ " n* ~ a T
En el caso de la figura 7.2 el secundario está abierto, es decir, el transformador funciona en va
cío, por lo que la corriente en el secundario es nula y se tiene que:
es =
Vn vacío
f — ___________________
‘ Vs vacío
(Recuérdese que es norma que las letras mayúsculas representen valores eficaces de las tensiones
y corrientes alternas, y las letras minúsculas valores instantáneos.)
Como puede deducirse fácilmente, la relación de transformación también se expresa por:
136
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
<t>
np ns Ve~
7.3 Transformador
monofásico en carga.
Si ahora se conecta al secundario una carga f í L (figura 7.3), por el primario circulará una c o
rriente ip, que no tiene por que ser la misma que en el caso anterior.
Si se aplica la misma tensión primaria (t/p) que en el caso anterior, en el secundario aparece una
tensión (vg) sensiblemente igual a la tensión secundaria en vacío; o sea, que tendremos:
Vi vacío Vr
r,= r,
Vs vacío Vs
Prescindiendo de las pérdidas por dispersión de flujo (parte del flujo magnético engendrado en
el primario, que no pasa por el núcleo del secundario) y de las pérdidas debidas a las resistencias
y a las reactancias en los arrollamientos, la energía suministrada al primario será igual a la energía
suministrada por el secundario, es decir, que:
V I =V5 IS
■^s _
' J p n&
Estas relaciones son las correspondientes a un transformador ideal, y son importantísimas para
el diseño de cualquier transformador. De ellas se deduce que:
• La corriente en el secundario es tanto mayor cuanto menor sea el número de espiras de este
devanado.
• La tensión en el secundario es tanto mayor cuanto mayor sea el número de espiras del secundario.
Así, en un transformador ideal, formado por un devanado primario de 200 espiras y un secun
dario de 50 espiras, la relación de transformación será:
np 200 espiras _ 4
1 ns 50 espiras 1
V 220 V
ya= -le- = = 55 v
s rt 4
Si al secundario se le conecta una carga de 10 kO, la corriente que circula por éste será:
Vs 55 V ^
L =~ = 5,5 mA
s Rl ^0kü.
137
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
. Is 5,5 mA
L = — = = 1,375 mA
p r, 4
En una bobina atravesada por un flujo magnético variable el valor eficaz de la fuerza electromotriz
inducida es:
donde E es la f.e.m. inducida (en voltios), f la frecuencia de las variaciones de flujo magnético
(en hercios), n el número de espiras de la bobina y <t>má¡< el valor máximo del flujo m agnético (en
webers).
Veamos un ejemplo: supongamos un transformador cuyo secundario posee 100 espiras y cuyo
flujo máximo en una sección recta del núcleo es de 3 mWb. Si la variación del flujo se produce con
una frecuencia de 50 Hz (caso de la c.a. de la red), la fuerza electromotriz inducida en el secunda
rio valdrá:
Es — 2tt /ns«&máx —
V2
Suponiendo despreciables las pérdidas de flujo por dispersión, el flujo magnético en las dos b o
binas, primaria y secundaria, será el mismo, luego se puede admitir que la f.e.m. en cada una de
ellas es proporcional al número de espiras de la bobina, es decir:
138
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
Ep = 27cfríp<í>m¿x —
330 espiras
'p - *-s 100 espiras
En su diseño más simple un transformador está constituido por un devanado primario y un deva
nado secundario, cada uno de los cuales con n espiras, pudiéndose obtener un transformador re
ductor o un transformador elevador de tensión.
En electrónica, sin embargo, es muy usual que los transformadores estén dotados de dos o más
devanados secundarios, independientes o no entre sí, de form a que puedan obtenerse dos o
más tensiones secundarias. En la figura 7.4 se muestran los símbolos de varios transformadores,
seleccionados entre los muchos que pueden darse, dotados con más de dos devanados.
1/2 m.
1/2 n.
1/2 n.,
1/2 n.
b) c)
a)
-O A
6,5/10 ns 1/2 n .
-O B 1/2 n„
1/2 n.t
2/10 n.
-o c
1/2 n.
-O D
0,5/10 n. 7.4 Representación de los
símbolos de transformadores
-O E monofásicos con dos o más
b)
d) devanados secundarios.
139
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Estos carretes disponen de unos orificios en sus extremos, por donde salen al exterior los con
ductores de los devanados para su posterior conexión al circuito en que se aplican.
Los devanados se disponen en el carrete de diferentes formas, tal y como se Indica en la figu
ra 7.6, es decir, uno encima del otro, superpuestos o en columnas distintas. La disposición en una
u otra forma constructiva depende únicamente de las dimensiones finales del transformador y del
tipo de núcleo utilizado.
140
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
■ x
Secundario Primario
3)
b)
Primario Secundario
c)
7.6 Disposición de los devanados sobre el carrete: a) uno encima del otro: b) superpuestos: c) en columnas
diferentes.
Entre capa y capa se dispone, cuando las tensiones son elevadas, papel impregnado o cinta de
material plástico aislante que evite cortocircuitos entre capas.
Una vez realizados los arrollamientos, se introduce en su interior un núcleo de planchas de ma
terial ferromagnético (transformadores para baja frecuencia) o un núcleo de ferrita (transformadores
de alta frecuencia).
Autotransformadores
El autotransformador es una variante especial de los transformadores. La única diferencia que dis
tingue a un autotransformador de un transformador está en la forma constructiva de los devanados.
En los transformadores, el devanado primario está aislado eléctricamente de los devanados se
cundarios, siendo el único contacto entre ellos el flujo magnético a través del núcleo común.
Los autotransformadores poseen un devanado único, del cual se derivan las conexiones del pri
mario y del secundario, tal y como se aprecia en la figura 7.7.
<i>
7.7 Constitución de un
autotransformador.
141
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los autotransformadores se utilizan sólo cuando la potencia con la que se trabaja es pequeña,
porque las tensiones elevadas en una u otra parte del devanado podrían dar lugar a cortocircuitos.
Al igual que el transformador, el autotransformador puede ser elevador o reductor de tensión.
Un transformador como el de la figura 7.7, dotado de tres terminales de conexión, trabaja como
reductor de tensión cuando la tensión primaria se aplica entre los terminales A y C, y la tensión se
cundaria se obtiene entre los terminales B y C. El terminal C es pues común a ambos circuitos (pri
mario y secundario), así como la parte del arrollamiento existente entre B y C.
Como consecuencia de lo expuesto, por la parte del arrollamiento existente entre los puntos B
y C circula tanto la corriente primaria com o la secundaria.
Se puede afirmar que el autotransformador reductor de tensión es un divisor de tensión induc
tivo, en el cual la tensión primaria se reparte por igual entre el total de espiras del devanado, y en
el que la tensión secundaria tendrá un valor proporcional al número de espiras existente entre cada
terminal extremo y la toma central.
Así, si el autotransformador de la figura 7.7 posee un devanado con un total de 300 espiras,
efectuándose una toma intermedia en la espira número 100 (correspondiente al terminal B de la fi
gura), al aplicar una tensión alterna de, por ejemplo, 15 V entre los terminales A y C, esta tensiór
se reparte por igual entre las espiras, es decir, que entre espira y espira habrá una tensión de:
15 V
0,05 V por espira
300 espiras
Teniendo en cuenta que se ha efectuado una toma en la espira 100, la tensión entre los terminales
B y C será de:
De todo ello se deduce que en todo autotransformador reductor de tensión, con una sola bobi
na y una toma intermedia, encontramos una tensión total entre terminales extremos igual a la ten
sión primaria, y dos tensiones parciales entre la toma intermedia y cada uno de los terminales ex
tremos cuya suma es igual a la tensión total del primario.
Se observa asimismo que por cada terminal del autotransformador circula una corriente cuyo va
lor es inversamente proporcional al número de espiras; es decir, que por el terminal común C de la
figura 7.7 circula una intensidad de corriente igual a la diferencia de las corrientes parciales I p e I s.
Un autotransformador puede utilizarse también como elevador de tensión. En este caso la ten
sión primaria se aplica entre los terminales B y C de la figura 7.7, obteniéndose la tensión secun
daria entre los terminales extremos C y A.
Efectivamente, supongamos que al autotransformador del ejemplo anterior se le aplica una ten
sión primaria entre los terminales B y C de 5 V. Como entre B y C hay un total de 100 espiras, la
tensión de 5 V se reparte por igual entre ellas, es decir:
5V
= 0,05 V por espira
100 espiras
Al ser el número total de espiras de 300, entre los terminales A y C se obtiene una tensión de:
En resumen, todas las fórmulas referentes a las relaciones de transformación expuestas para el
caso de los transformadores son válidas para los autotransformadores, teniendo sólo en cuenta
que el número de espiras del secundario corresponde a las existentes entre la toma intermedia y el
142
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
terminal extremo del que se obtenga la tensión secundaria (en el caso de autotransformadores re
ductores de tensión), o al total de espiras si se trata de autotransformadores elevadores de tensión.
Es decir, en los autotransformadores se cumplen también las igualdades:
En la figura 7.8 se han dibujado los símbolos utilizados para la representación de autotransfor
madores, tanto elevadores como reductores de tensión.
7.8 Símbolos de
autotransformadores
reductores de
tensión (a) y
elevadores de
a) b) tensión (b).
En definitiva, salvo la particularidad mencionada, todo lo que se expone en este capítulo referi
do a los transformadores es igualmente válido para los autotransformadores, por lo que no cree
mos necesario ampliar el tema.
En la actualidad, se utilizan núcleos de chapa magnética para los transformadores que han de tra
bajar con señales de baja frecuencia, y núcleos de ferrita para los transformadores que han de traba
jar con señales de alta frecuencia; aunque dadas las grandes ventajas de estas ferritas, también son
utllizables en los transformadores de baja frecuencia de audjo.
El lector interesado en la utilización de las ferritas como núcleos de transformadores de radio
frecuencia puede consultar el capítulo anterior, dedicado a las bobinas; en las líneas que siguen, nos
limitamos a exponer las características técnicas de las chapas de material ferromagnétlco.
Los núcleos de transformadores, tanto de chapa como de ferrita, se diseñan en diferentes for
mas (figura 7.9).
143
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En el caso de núcleos de ferrita, al ser éstos macizos, los núcleos están formados por dos pie
zas separadas (figura 7.9a y c) para permitir la introducción en su interior del o de los carretes.
Los núcleos toroidales están formados por una sola pieza, lo cual dificulta el devanado, el cual
deberá hacerse manualmente o con máquinas de bobinar especiales.
En el caso de núcleos de chapa magnética, éstas se disponen alternadas, de forma que el con
junto quede sólidamente unido formando un bloque compacto. En las cuatro esquinas de las chapas
se realizan unos orificios por los que se hace pasar unos espárragos roscados, y en los que se dis
ponen unas tuercas que, fuertemente apretadas, permiten una unión firme y sólida de todas las cha
pas (figura 7.10).
La chapa que se emplea en los núcleos de los transformadores es una plancha especial de ace
ro al silicio, el cual presenta ciertas ventajas sobre otros materiales férreos, tales como una menor
pérdida de energía, lo cual representa, aparte de un menor consumo, menos producción de calor
en el transformador. El silicio hace que la chapa se vuelva quebradiza, tanto más cuanto más silicio
contenga la aleación.
Por otra parte, el contenido de silicio de una chapa magnética es inversamente proporcional a
sus pérdidas por kilo. Así, una chapa cuyo contenido de silicio es del 1 %, presenta 3,6 W de pérdi
das por kilo, mientras que si el contenido de silicio es del 2,2 % las pérdidas pasan a ser de 2,4 W
por kilo.
La elección del contenido de silicio de la chapa magnética es pues un compromiso entre las
pérdidas eléctricas y las propiedades mecánicas del material, ya que si el contenido de silicio es
elevado se hace difícil el mecanizado y manipulación de la chapa.
Sobre la superficie de la chapa magnética se forma una pequeña capa natural de calamina, que
es suficiente para actuar como aislante de las pequeñas corrientes parásitas de Foucault que se
produzcan.
Es importante que las chapas que se empleen en la fabricación de transformadores tengan el
corte limpio y sin rebabas, ya que de lo contrario podrían producirse cortocircuitos francos entre
chapas y aumentar con ello las pérdidas por corrientes parásitas. Sobre todo es muy importante no
proceder a un limado de las chapas una vez m ontado el paquete, pues aumentarían los cortocir
cuitos entre ellas.
Otro punto importante es que todas las chapas tengan el mismo grosor, sobre todo en el caso,
bastante frecuente, de que estén compuestas de dos partes.
No vamos a entrar en el cálculo de transformadores, ya que ello es toda una especialidad cuyo
desarrollo técnico exigiría una obra completa, pero sí queremos poner en conocimiento del lector
que cada transformador exige un cierto número de centímetros cuadrados de sección de núcleo, en
144
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
función del flujo magnético que por él ha de pasar, pues si la sección no es suficiente se produciría
saturación del núcleo y, com o consecuencia, un mal paso de la energía del primario al secundario.
Por esta causa, y una vez conocida la sección del núcleo, se elige el carrete adecuado a dicha sec
ción y se van introduciendo en él chapas hasta llenar por completo el interior del carrete.
Las chapas han de quedar muy apretadas entre sí, ya que de lo contrario vibran y hacen ruidos
desagradables. Para evitar las vibraciones es muy útil que la primera y última chapas tengan 1 o 2 mm
de espesor, y apretar el conjunto fuertemente con espárragos y tuercas.
Aunque actualmente lo más usual es que el transformador venga montado por una firma espe
cializada en estos trabajos, creemos interesante dar a conocer las dimensiones más usuales de al
gunas chapas de hierro-silicio, las cuales se indican en las tablas 7.1 y 7,2.
Como se puede ver en las figuras 7.11 y 7.12, la dimensión C del núcleo central suele ser el do
ble que la de las columnas laterales. Ello se hace así porque el flujo magnético presente en cada
una de las ramas laterales es la mitad del presente en la rama central (figura 7.14).
..........
Figura Dímer sienes r
........ . r mm
c D
■ ____
7.11 31 29 9 6,5 19
42 34 14 7 20
48 40 16 8 24
54,8 42,5 13 8 40 Tabla 7.2 Dimensiones de las chapas para núcleos
57 47 19 9,5 28 de dos columnas.
62 49 16 8,5 55
68 56 22 14,5 35
72 60 24 12 36 A
86 72 28 14 43
96 80 32 16 48
113 94 37 20 58,5
124 103 40 21 61
154 128 51 26 76
Tabla 7.1 Dimensiones de las chapas para núcleos 7.11 Dimensiones de las Chapas para núcleos
de tres columnas. de tres columnas y corte en forma de doble F
(véase la tabla 7.1).
7.12 Dimensiones de las chapas para núcleos de tres 7.13 Dimensiones de las chapas para núcleos de dos
columnas y corte en forma El (véase la tabla 7.1). columnas y corte en forma ill (véase la tabla 7.2).
145
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
A! elegir una chapa magnética se deben tener en cuenta sus pérdidas. Como dato de interés d i
remos que, para una inducción magnética de 1 T por cm 2, la pérdida por kilo en la chapa de hie
rro-silicio es de 2,2 W con una frecuencia de 50 Hz, mientras que en una chapa de hierro dulce con
las mismas condiciones es de 3 W, es decir, un 27 % superior (figura 7.15).
En la figura 7.15 se observa que a medida que aumenta la inducción en el hierro aumentan las pér
didas por kilo de chapa; es decir, que en una chapa de silicio y para una inducción de 0,5 T la pérdi
da es sólo de 0,66 W/kg aproximadamente, aumentando a 3 W /kg cuando la inducción es de unos
1,5 T (las pérdidas se multiplican casi por cinco mientras que la inducción sólo se ha triplicado).
Pero las pérdidas no sólo aumentan con el aumento de inducción, también lo hacen, y esto es
muy importante en electrónica, con la frecuencia.
Efectivamente, en la figura 7.16 se han dibujado las curvas características de las pérdidas en
función de la inducción para varias frecuencias de trabajo de las chapas de hierro-silicio utilizadas
en los transformadores.
Así, por ejemplo, trabajando a 50 Hz y con 1 T de inducción, las pérdidas son de, aproximada
mente, 1,5 W /kg, mientras que con la misma inducción y trabajando a 2 kHz las pérdidas alcan
zan casi los 300 W/kg, lo cual supone un bajo rendimiento del transformador. Por esta razón, a partir
de unos 300 Hz es preferible la utilización de ferritas.
Otro dato a tener en cuenta es la curva de magnetización de la chapa, ya que a partir de un cier
to valor de la intensidad de campo el núcleo se satura y apenas si aumenta la inducción.
En la figura 7.17 puede verse la curva característica de magnetización de una aleación de hie
rro-silicio, con 4 a 5 % de silicio (chapa de transformador), y en la que se observa cómo a partir de
800 A/m el núcleo comienza a saturarse.
146
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
H (kA/m)
1.6 3.2 4.6 6.4 8.0 9.6 11.2 12.8 14.4 16.0
B (T) 2.0
1.8
16
14
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2 7.17 Curva de magnetización
0 de la aleación hierro-silicio,
-320 -160 o 320 480 640 800 960 1.120 1.280 1.4401.600 con 4 a 5 % de silicio (chapa
H (A/m) de transformador).
147
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
7.18 Curvas de
permeabilidad en función
de la inducción de una
chapa de hierro-silicio de
grano orientado. Líneas
continuas: chapa de
hierro-silicio con 3 % de
silicio y grano orientado.
Líneas a trazos: chapa de
hierro-silicio con 3,5 %
de silicio y laminada en
caliente.
0 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0.7 0,8 0,9 1,0 1,1 1.2 1,3 1.4 1,5 1.6 1,7
BU)
En dicha figura se observa cómo las permeabilidades longitudinal y transversal de una chapa de
hierro-silicio al 3 % y de grano orientado, comparadas con las permeabilidades de una chapa de las
mismas características pero laminada en caliente, a igualdad de inducción magnética, toma valo
res mayores en sentido longitudinal, mientras que en sentido transversal es algo menor.
Las chapas de hierro-silicio de grano orientado se utilizan en la fabricación de núcleos de trans
formadores para aplicaciones en electrónica y telecomunicación, ya que en RF las pérdidas son
menores que las de hierro-silicio laminadas en caliente.
Otras aleaciones utilizadas como chapas para núcleos de transformadores son las de hierro-ní
quel, con un contenido de níquel de hasta el 79 %.
Son muchos los porcentajes de níquel que pueden utilizarse en la fabricación de estas chapas,
variando con ello las características magnéticas de las mismas. Su estudio sería excesivo para in
cluirlo aquí, por lo que nos limitamos a exponer, de forma resumida, las de mayor interés para el
técnico electrónico.
El Permalloy es el nombre comercial con el que se conoce a las aleaciones de hierro-níquel. Se
gún el contenido de níquel podemos diferenciar los Permalloy A, B y C.
El Permalloy A contiene un 21,5 % de níquel, el B contiene un 50 % de níquel, y el C un 78,5 %
de níquel, un 3 % de molibdeno y un 0,5 % de manganeso.
El Supermalloy o Permalloy al cromo está constituido por un 16,5 % de hierro, 78,1 % de níquel
y 2,9 % de cromo, o bien por un 15 % de hierro, 79 % de níquel, 5 % de molibdeno y menos de 1 %
de manganeso.
En la tabla 7.3 se dan las características técnicas de cada una de las citadas aleaciones.
Otra aleación de hierro-níquel que merece citarse es el Isoperm, cuya permeabilidad es cons
tante. Esta aleación está constituida por un 50 % de hierro, 35 % de níquel y 15 % de cobre.
....
Denominación Permeabilidad Permeabilidad Inducción Fuerza Resistividad
comercial Inicial Ho máxima de saturación eléctrica
¡ |$ m (Q, mm2/rn)
........ ........................
148
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
HILO DE COBRE
Diámetro de hilo Diámetro de hilo : Sección del cobre Resistencia por Espiras por cms
desnudo esmaltado M ; 1.000 m a 20 °C de ventana
(mm) (mm) ;í •
(O) del núcleo
'
0,10 0,150 0,008 2.270 5.500
0.12 0,140 0,011 1.580 4.000
0,15 0,170 0,018 1.000 2.800
0,18 0,200 0,025 700 2.070
0,20 0,220 0,031 565 1.720
0,25 0,275 0,049 360 1.140
0,30 0,325 0,071 250 810
0,35 0,380 0,096 185 590
0,40 0,430 0.126 142 470
0,50 0,535 0,196 91 305
0,60 0,640 0,283 63 215
0,70 0,740 0,385 46 160
0,80 0,840 0,503 35 125
0.90 0,950 0,636 28 100
1,00 1,050 0,785 28 82
1,10 1,160 0,950 19 68
1,20 1,260 1,131 16 58
1,30 1,360 1,327 13,5 50
1,40 1,460 1,539 11,6 44
1,50 1,560 1,767 10,1 39
1,60 1,660 2,011 8,88 33
Tabla 7.4 Hilos de
1,80 1,870 2,515 7,03 26 cobre utilizados en
la fabricación de
2,00 2,070 3,141 5,68 20
transformadores.
149
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En lo que respecta a los hilos esmaltados, cabe decir que el diámetro de éstos es aproximado,
ya que puede variar de uno a otro fabricante.
El número de espiras por cm 2 (indicado en la quinta columna de la tabla 7.4) es muy útil para
saber de antemano si un determinado devanado puede ser alojado en la ventana del núcleo.
Un detalle importante, a la hora de elegir un hilo para ser bobinado en un carrete de transfor
mador, es el recocido del mismo. Efectivamente, para que un hilo se adapte bien al carrete es ne
cesario que sea blando, pues de lo contrario no se somete fácilmente a la forma del carrete. Para
ello es preciso que el hilo de cobre sea sometido a un recocido antes de esmaltarlo, pues de lo
contrario sería bastante rígido y su manipulación resultaría dificultosa.
AISLAMIENTOS
Los aislantes eléctricos que se utilizan normalmente en la fabricación de pequeños transform ado
res no son muchos, pero constituyen uno de los elementos a los que se debe prestar más aten
ción. Basta con decir que el 95 % de las averías que se producen en los transformadores son de
bidas a fallos de aislamiento, aparte de las averías debidas a sobrecargas, las cuales modifican las
características del aislamiento que, al no poder soportar el aumento de temperatura, provoca su
perforación.
Un aislante falla cuando, por las razones que sean, la diferencia de tensión existente entre los
dos elementos que el aislante separa logra perforarlo, poniendo en contacto directo ambos ele
mentos.
Esta perforación del aislante puede ser debida a diferentes causas, entre las que destacamos
las siguientes:
• Presencia de partículas metálicas en el interior del aislante, las cuales pueden vibrar bajo el
efecto del campo magnético alterno y perforar con ello el aislante en el que se alojan.
• Presencia de elevadas tensiones que ionizan posibles burbujas de aire ocluidas en la masa
aislante.
• Presencia de humedad en el aislante, por ser higroscópico y tomar por ello agua del aire a t
mosférico.
• Temperatura excesiva. Se ha observado que todo aislante disminuye su resistividad al au
mentar la temperatura, por lo que es necesario que el transformador no se caliente en ex
ceso.
150
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
tes plásticos. Aconsejamos al lector Interesado en esta materia que solicite de los fabricantes de
materiales aislantes catálogos de sus productos, con datos técnicos de sus cualidades eléctricas,
químicas y mecánicas.
• Potencia nominal.
• Pérdidas de potencia.
• Rendimiento.
• Tensión primaria y secundaria.
• Calentamiento.
Potencia nominal
Recibe el nombre de potencia nominal aquella que puede obtenerse en el secundario sin sobreca
lentamientos peligrosos y en servicio continuo.
En un transformador monofásico, la potencia nominal es igual al producto de la tensión en el se
cundario por la intensidad de corriente que circula por él. Se expresa en voltamperios (VA).
Así, por ejemplo, si en los terminales del secundario de un transformador se obtienen 12 V y la
intensidad máxima de corriente que por él puede circular es de 5 A, y a una temperatura no supe
rior a 50 °C, la potencia nominal de dicho transformador será:
Pn = VsI s = 1 2 V x 5 A = 6 0VA
151
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
potencia activa W
eos <p = ------------------------------ = —
potencia aparente VA
Dicho coseno (p es siempre menor que 1, puesto que el valor absoluto de la potencia aparente
siempre es superior al de la potencia activa.
De todo ello se deduce por qué los fabricantes de transformadores indican siempre en sus
catálogos la potencia máxima que pueden suministrar en VA, es decir, la potencia aparente, ya
que desconocen cuáles son las características técnicas del aparato que el transform ador ha de
alimentar.
Al elegir un transformador debe prestarse una muy especial atención a esta magnitud, recha
zando valores de potencia nominal inferiores a la demandada por el aparato consumidor, pues en
caso contrario el transformador corre serio peligro de destrucción. Ante la duda, es siempre prefe
rible elegir un transformador capaz de suministrar una potencia nominal por encima de las necesi
dades del aparato consumidor.
Pérdidas de potencia
En los transformadores, como en cualquier otro dispositivo eléctrico, se producen pérdidas de p o
tencia.
Una parte de estas pérdidas se producen ya en vacío y se conservan inalterables en carga, por
lo que se las conoce con el nombre de pérdidas en vacío-, otra parte de las pérdidas solamente
aparecen cuando el transformador está en carga y dependen, esencialmente, de la carga, siendo
aproximadamente proporcionales a ésta: se denominan pérdidas debidas a la carga.
Las pérdidas en vacío son las que se producen en el circuito magnético a causa de la histére-
sis y de las corrientes de Foucault; por lo tanto son esencialmente pérdidas en el hierro. Aunque
con el transformador en vacío también aparecen pérdidas por efecto Joule en el arrollamiento pri
mario, debidas a la corriente en vacío I 0. Como esta corriente es muy pequeña, pueden despre
ciarse estas pérdidas y tener en cuenta sólo las pérdidas en el hierro.
Las pérdidas debidas a la carga se producen en los circuitos eléctricos del primario y secunda
rio del transformador; se denominan también pérdidas en el cobre.
Se deben al efecto Joule, por efecto del paso de la corriente primaria y secundaria por los res
pectivos arrollamientos y valen:
Pc = I p2Rp + I s%
152
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
P
' p
= 'Pv T+ *P0
Rendimiento
El rendimiento de un transformador, com o el de cualquier dispositivo eléctrico, está definido por la
Igualdad:
potencia cedida
ti = — ------------ —
potencia absorbida
Si llamamos:
P P
a ~~ p * ~ ~ p V p ~
Esta Igualdad nunca se da en la práctica, ya que las pérdidas en el cobre siempre son varias ve
ces superiores a las pérdidas en el hierro.
De todas formas, y debido al pequeño consumo de los aparatos electrónicos, el rendimiento de
un transformador no merece ser tenido en cuenta, ya que, como se ha dicho, siempre suele ser alto
incluso en los transformadores peor diseñados.
153
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
después efectuando la misma medida con la carga conectada. Se observará que al conectar la
carga la tensión en terminales del secundarlo disminuye algo. Esta disminución de tensión es debi
da a las fugas magnéticas por una parte y a la resistencia que poseen los arrollamientos por otra.
Por tanto, al elegir un transformador, debe tenerse presente la tensión que se aplicará en su pri
mario y la tensión que suministrará su secundario a plena carga, pues si sólo se tiene en cuenta la
tensión secundaria en vacío es muy posible que la carga reciba una tensión insuficiente.
Calentamiento
La capacidad de carga de un transformador está limitada por la temperatura máxima admisible en
el Interior de los arrollamientos.
Un valor excesivo de la temperatura de los arrollamientos provoca la carbonización lenta de los
aislamientos que están en contacto con el cobre. Es por tanto el aislante utilizado en la fabricación
del transformador el que condiciona su límite de temperatura.
Así, por ejemplo, el algodón se carboniza a unos 220 °C, y el papel aislante a unos 170 °C. Sin
embargo, antes de alcanzar esas temperaturas, los papeles y cartones se vuelven quebradizos y,
por consiguiente, su estructura física o mecánica se modifica.
Por otra parte, y dado que los transformadores son componentes estáticos, es decir, que no
poseen piezas en movimiento, tienen mas dificultades en enfriarse.
De todo ello se deduce que el transformador ha de instalarse en una zona bien aireada, a me
nos que por su pequeña potencia no precise de refrigeración, com o ocurre con los transforma
dores de Fl.
Dado que se producen pérdidas en el núcleo cuando éste se somete a la Influencia de un cam
po magnético alterno (los circuitos magnéticos excitados por corriente continua no presentan estas
pérdidas), y pérdidas en el cobre debidas a la resistencia óhmica propia de los arrollamientos, es
tas pérdidas se transforman en calor que debe ser radiado, pues de lo contrario las bobinas aumen
tarían progresivamente de temperatura hasta producirse la destrucción del aislamiento y con ello el
cortocircuito directo entre espiras.
Para la eliminación del calor generado en un transformador se recurre a la radiación, la con
ducción y la convección.
Por radiación, toda la superficie del transformador irradia calor, calentando a su vez los cuerpos
que reciben dichas radiaciones directamente, sin intervención del aire.
Por conducción se aprovecha la diferencia de temperatura entre la superficie del transformador y
el aire ambiente que lo rodea. Siempre que entran en contacto dos cuerpos, uno caliente y otro frío,
hay un transporte de calor por conducción del cuerpo caliente hacia el frío, a expensas, como es
lógico, del cuerpo caliente, que va cediendo su temperatura.
Por convección se aprovecha el fenómeno del calentamiento del aire que rodea al transforma
dor, el cual al aumentar de volumen pesa menos que el aire frío; esto hace que se establezca una
corriente ascendente de aire caliente que va siendo sustituido por aire frío. De esta forma el trans
formador va perdiendo parte de su calor.
De todo ello se deduce que cuanto más caliente esté el transformador más activa será la pér
dida de calor, por el hecho de existir más diferencia de temperatura entre el transformador y los
cuerpos que lo rodean, Incluyendo el aire.
Sin embargo, y com o es lógico, llega un momento en el que el calor producido es igual al per
dido, y a partir del cual la temperatura del transformador se estaciona y no varía; se dice entonces
que se ha llegado al punto de equilibrio.
La temperatura alcanzada en el punto de equilibrio no debe rebasar la que se considera como
máxima de seguridad para los aislamientos del transformador.
En la tabla 7.6 se Indican los límites de calentamiento en °C para diferentes aislantes utilizados
en los arrollamientos de pequeños transformadores.
Los calentamientos citados en la tabla 7.6 se entienden com o máximos, o sea que si se supo
ne que un transformador está trabajando a una temperatura ambiente de 25 °C, y su aislante es de
papel Impregnado, el incremento admitido de temperatura será de:
70 °C - 25 °C = 45 °C
154
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
En la actualidad se fabrican hilos aislados con resinas sintéticas que admiten temperaturas del
orden de los 100 C'C. En este caso, los demás aislantes entre capa y capa también han de ser espe
ciales, com o los derivados del vidrio, pues los papeles y cartones normales ya no serian útiles.
Existe otra clase de hilo aislado con siliconas que puede llegar a soportar 180 °C.
En resumen, el calor es el principal enemigo de los transformadores, y para evacuarlo eficaz
mente el mejor sistema es aumentar la superficie de enfriamiento.
Tratándose de los pequeños transformadores utilizados en electrónica, su superficie de enfria
miento es toda la parte exterior, por lo que a igualdad de potencia un transformador de grandes di
mensiones queda mejor refrigerado que otro de pequeñas dimensiones, lo cual siempre supone un
inconveniente dada la tendencia a miniaturizar los circuitos electrónicos.
Para completar este estudio sobre los transformadores, en las líneas que siguen se exponen algu
nos de los modelos utilizados en electrónica.
En la figura 7.19 se muestran las fotografías y dimensiones en mm de un par de transformado
res encapsulados para alimentación, protegidos contra cortocircuitos.
Constan de un devanado primario y dos secundarios, con potencias de 0,75 y 1,6 VA en cada
devanado secundario. La tensión del primario es de 220 V a 50 Hz.
32
£ Z > C2
c SEC 1
155
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los dos devanados secundarios, que proporcionan tensiones de 6, 9, 12, 15 o 18 V, según mo
delo, se pueden conectar en serie o en paralelo, lo que proporciona una amplia gama de opciones
de tensiones y corrientes de salida.
Merece la pena destacar las reducidas dimensiones de los mismos y su conexión a circuito im
preso mediante soldadura.
La ilustración de la figura 7.20 corresponde a un transformador de alimentación con núcleo to-
roidal. Este tipo de transformador presenta la ventaja, frente a los convencionales, de poseer una
menor dispersión de flujo magnético y, por lo tanto, se aprovecha mejor el mismo con menor peso
y volumen. Es muy utilizado en fuentes de alimentación para amplificadores de alta fidelidad, sobre
todo si la fuente es de gran potencia.
I
e vo
110/120 V O
e vo
7.20 Transformador de
alimentación toroidal con Marrón
110/120 V o
doble primario para conexión
a 110 o 220 V
Como inconveniente cabe resaltar la tendencia que tienen sus planchas de hierro a vibrar, por
lo que tienen un mayor coste de fabricación debido a que se deben eliminar estas vibraciones.
El modelo de la figura 7,20 posee dos devanados primarios independientes, que pueden co
nectarse en serie para el funcionamiento a 220/240 V, o en paralelo para el funcionamiento a
110/120 V.
El devanado secundario posee toma central, con lo que se obtienen tensiones desde 2 x 6 V
hasta 2 x 35 V y potencias de 30 a 330 VA según modelo.
En la figura 7.21 se puede ver un transformador de aislamiento de audio. Se trata de un trans
formador con relación 1:1, es decir, con igual número de espiras en primario y secundario, cuya mi
sión es aislar altavoces de 3 a 15 £2.
5¡ Pantalla
Transformador
156
TRANSFORMADORES Y AUTOTRANSFORMADORES
7.22 Transformador de
t audiofrecuencia miniatura
para montaje sobre PCB.
Es decir, que dicho transformador posee una espira en el secundario por cada 3,5 del primario.
La figura 7.23 corresponde a un transformador de Fl para receptor de radio.
3
-o
o -o
4
7.23 Transformador
6 para Fl de radio.
157
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
158
_ . . . .. , S lif f iB I I
Resistencias no lineales
INTRODUCCIÓN
Las resistencias estudiadas en ei capítulo 3 son tocias lineales, es decir, que su curva característi
ca / - !{V¡ es una línea recta: cuanto mayor sea la tensión aplicada mayor será la intensidad de co
rriente que por ellas circula, permaneciendo su valor óhmico inalterable.
Existen resistencias cuyo valor óhmico no es constante, sino que depende de una magnitud no
mecánica externa a ellas, como la temperatura, la tensión o la intensidad de la luz. Estas resisten
cias reciben el nombre de resistencias no lineales, puesto que su vaior óhmico es alterable y su cur
va característica 1 = f(V) no es una recta. Hay cuatro tipos de resistencias no lineales:
• Resistencias VDR.
• Resistencias NTC.
• Resisteiicias PTC.
• Resistencias LDR.
Todas estas resistencias pertenecen al grupo de ios semiconductores, si bien su forma de ac
tuación en los circuitos electrónicos depende de magnitudes diferentes; así, las resistencias NTC y
PTC dependen de la temperatura, mientras que las VDR dependen de la tensión aplicada y las LDR
de la intensidad luminosa que sobre eilas incida.
Las VDR (Voltage Dependent Resistor), también llamadas varistores, son resistencias dependientes
r de la tensión, es decir, variables con la tensión.
Se trata de un componente que varía su resistencia de acuerdo con el valor de la tensión que
. «e le aplica. El material semiconductor utilizado en la fabricación de ras VDR es, principalmente, el
carburo de silicio. La dependencia de la tensión es debida a la resistencia de contacto entre los
¡cristales de carburo.
<• Las propiedades eléctricas de las resistencias VDR dependen del carburo de silicio, y el con-
| ; 9‘Omerado prensado está formado por una complicadísima red de resistencias conectadas en se-
m - .fie y en paralelo mediante contactos en la estructura cristalina.
í í ^ . La forma definitiva se consigue prensando los granos de carburo de silicio junto con un com-
' f f t poneri‘'e cerámico, en forma de discos o de varillas (figuras 8.1 a 8.3).
4 ,5 m í)i
r ... —•
6 míx :
0 4 ■
’
j... \
míx 5 j 50 ± 2 i
í j 5 móx
i tan
i.
54 ntíx
8.1 Resistencia dependiente
de la tensión en iorma de disco.
0,6
74 ±5
2 3 mú 1612 23 mín
8.3 Resistencia dependiente de la tensión
En ia figura 8.5 se ha dibujado la misma curva característica, pero trazada con escala logarítmi
ca doble, con lo cual la relación tensión-corriente se representa esta vez por una línea recta, aunque
los cocientes V/1 (es decir, la resistencia) son diferentes en cada punto de la curva característica.
160
RESISTENCIAS NO LINEALES
Asi, cuando a la resistencia se le aplica una tensión de 10 V, la comente que por ella circüla es
de 3 mA, siendo el valor óhmico de la VDR:
y/ 20 v
^VDR = r ' = 7T ~ 267 £2
VDR I 75 mA
Es decir, que al aumentar el valor de la tensión aplicada a la resistencia de 10 a 20 V (el doble), el va
lor óhmico de la VDR pasa de 3.333 £2 a 267 £2 (disminuye a más de la doceava parte de su valor inicial).
La relación entre la corriente y la tensión en una VDR puede expresarse, de manera aproxima
da, por:
Es decir:
l/ = C 7 p
Donde:
Los valores prácticos de (5 se hallan situados entre 0,16 y 0,40, y los de C entre 14 y algunos miles.
Para determinar con exactitud los valores de las constantes C y (3, es preciso medir tres puntos
de la cun/a característica, pudiendo efectuarse una interpolación sólo en el caso de que dichos tres
puntos estén en línea recta sobre una escala logarítmica doble.
Efectivamente, la ecuación expuesta no es válida para valores pequeños de tensión y corriente,
como sucede en los puntos P y Q de la figura 8.5, ya que la interpolación daría valores muy altos
de (3 y C.
Las VDR no presentan síntomas de polarización cuando la tensión cambia de polaridad (por
ejemplo, en corriente alterna), de lo que se deduce que la corriente cambia de dirección pero no de
valor y, por tanto, la ecuación dada anteriormente es válida únicamente cuando se toman los valo
res absolutos de V e I.
161
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Asi, por ejemplo, a las VDR de P hilips se les puede aplicar tensiones continuas comprendidas entre
38 y 745 V, o tensiones alternas de valores eficaces comprendidos entre 30 y 550 V (según modelo).
Superar la tensión máxima que se puede aplicar a un determinado tipo de VDR supone la des
trucción de la misma, pues la potencia disipada en ella aumenta considerablemente, tal y como se
demuestra en el siguiente apartado.
I = KVa
P = KV“ * 1
K = c W = - ¿ r = l ^5- = 1.8 5 9 x 1 0 - 6
8 V x 12
V = 8 V + — - ■ ■ - = 8,96 V
100
162
RESISTENCIAS NO LINEALES
Como resulta lógico, cuanto mayor sea el tiempo de duración del impulso menor será el valor
de la intensidad de corriente que puede soportar la VDR, por lo que los fabricantes indican este va
lor bajo unas condiciones de duración del Impulso establecidas por norma.
Esta duración se establece entre 8 y 10 ,us dentro de un lapso de tiempo de 20 ¡as.
Asi, la VDR modelo 2322 592.6006 de P hilips es capaz de soportar un impulso de corriente de
400 A, cuya duración total (subida y bajada) no supere los 20 jas.
En la figura 8.6 puede verse la curva característica del pico de corriente en función del ancho de im
pulso. En esta curva característica la intensidad de corriente se indica en porcentaje del valor numéri
co /. indicado por el fabricante; el tiempo f, es el de subida del impulso, y las normas establecen
que sea el tiempo comprendido entre el 10 y el 90 % del valor de / p; finalmente, t2 es la duración
total del impulso, y comprende el tiempo transcurrido desde que la intensidad de corriente tiene un
10 % de su valor máximo hasta que alcanza el 50 % del valor máximo en el proceso de descenso.
Aplicando esta curva característica al varístor que hemos puesto de ejemplo, el 10 % del valor
máximo indicado por el fabricante será 4 A (inicio de los tiempos f, y f2>), al alcanzar el 90 % del va
lor total (360 A) el tiempo t, concluye, luego se alcanza el valor máximo de 400 A y se inicia el des
censo del impulso, que se da por finalizado cuando la intensidad de corriente alcanza un valor de
200 A (final del tiempo t2).
Máxima energía
La máxima energía soportada por una VDR se indica en julios, y se establece por norma que sea la
correspondiente a un impulso de energía cuya duración sea de 10 |.is, dentro de un tiem po total
de 1.000 |í s .
La maxima energía que puede soportar la VDR se determina mediante la fórmula:
W = KvQI Dt2
donde K es un coeficiente que depende del valor de t2 cuando t, está comprendido entre 8 y 10 ps
(véase la tabla que acompaña a la figura 8.6).
Cuanto mayor sea el valor de K, es decir, cuanto mayor sea t2 con respecto a t v mayor será la
energía que podrá soportar la VDR, lo cual resulta lógico ya que la energía aplicada se disipa en
más tiempo.
A título informativo, diremos que la máxima energía que puede soportar el varístor que se ha
puesto de ejemplo a lo largo de este capítulo es de 2,9 J.
Coeficiente de temperatura
Hasta aquí no se han tenido en cuenta los efectos debidos a la temperatura. Sin embargo, no siem
pre pueden ser despreciados, puesto que el valor de C tiene un apreciable coeficiente de tempera
163
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
tura negativo. El valor de p es, sin embargo, prácticamente independiente de la temperatura, por lo
que con cierta aproximación se puede establecer la igualdad:
= C 0 (1 + a t)
Siendo
rx (%/°C)
0,25
0,2
0,15
En esta curva se observa cómo, para una intensidad de corriente de 10 ¡aA, el coeficiente de
temperatura es de, aproximadamente, 0,25 % ° C 'i , mientras que con 10 mA el coeficiente de tem
peratura es de tan sólo 0,1 % ° C 1. Esta curva es válida para temperaturas comprendidas entre 25
y 125 °C.
Capacitancia típica
Debido a sus características constructivas las VDR presentan una capacidad parásita, que se con
sidera en paralelo con ellas, y cuyo valor puede afectar al correcto funcionamiento de los circuitos
de RF.
Esta capacidad varía con la frecuencia, por lo que los fabricantes de VDR indican el valor con
referencia a 1 kHz.
Trabajando con señales de 1 kHz la capacidad parásita típica de las VDR suele oscilar entre
30 pF y 15 nF, según modelo.
En el caso de que la VDR trabaje con corriente alterna de BF (limitada entre 0,5 y 5 kHz) se pue
de despreciar la influencia de su pequeña capacidad parásita, no afectando a la dependencia entre
la resistencia y la tensión. No sucede lo mismo con corrientes que superen los valores de las fre
cuencias citadas.
Si la tensión aplicada a la resistencia tiene forma senoidal, la característica tensión-corriente no
lineal hace que la corriente sea no senoidal, pero por razones de simetría incluirá sólo los armóni
cos impares.
164
RESISTENCIAS NO LINEALES
Por los mismos motivos, cuando la corriente que circula por la VDR sea senoidal, la tensión en
ella será entonces no senoidal.
En corriente alterna de RF, el efecto de capacidad provoca un aumento aparente de (3 y, por lo
tanto, la característica tensión-corriente en escala logarítmica deja de ser una línea recta, tal y como
puede observarse en la figura 8.8.
8.8 Curva
característica
tensión-corriente
de una VDR para
i (mA) distintas frecuencias.
10.000
“ 1.000
$
c:
•-S
c:
■5
.C
c
;c
§
t£
100
’U R Q Cnm ,naraniñn
----------- entre las
—
10 |iA 100 nA 1 mA 70 mA 100 mA 7A 70 A características de diversos tipos
Corriente instantánea de VDR y una resistencia lineal.
165
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
VDR asimétricas
Con el fin de obtener VDR con valores muy pequeños de C, los fabricantes de este tipo de resis
tencias han desarrollado una basada en el efecto de capa de barrera.
Dado que estas VDR presentan características distintas según sea el sentido de la corriente que
circule por ellas, han sido llamadas VDR asimétricas.
En las VDR asimétricas se marca el cátodo, por ejemplo con un punto blanco, es decir, la pati
lla a la cual deberá conectarse el negativo para que la resistencia trabaje en sentido directo.
En el sentido de conducción la VDR presenta un bajo valor de C y un muy bajo valor de (3 (del
orden de 0,07), tal y como se deduce del análisis de la curva característica de tensión-corriente en
sentido directo de la figura 8.10 superior.
I (mA)
166
RESISTENCIAS NO LINEALES
En dicha figura se observa que pequeñas variaciones de tensión provocan fuertes cambios en
la intensidad de corriente que por ella circula, del orden de mA, es decir, que el cociente:
es muy pequeño.
En el sentido inverso, el valor de la resistencia, así com o el de C, es considerablemente mayor.
Esto queda confirmado en la curva característica de tensión-corriente en sentido inverso de la fi
gura 8.10 inferior, en la que se observa que grandes variaciones de tensión en sentido inverso dan
lugar a pequeñas variaciones en la intensidad de corriente que circula por la VDR asimétrica, es de
cir que el cociente anterior (tg <p) es aquí elevado.
Aunque estas resistencias muestran cierta correspondencia con las características de un diodo,
tienen diferencias notables, tales como:
• La VDR asimétrica posee una elevada capacidad (unos 0,15 ¡iF en sentido inverso).
• Las tolerancias de las VDR asimétricas son pequeñas.
• El coeficiente de temperatura de las VDR asimétricas es muy pequeño.
• Las características de las VDR asimétricas son más inclinadas (pequeño valor de (5).
• Las VDR asimétricas se fabrican para tensiones de 1 a 1,35 V y 1 mA, valores por encima
de los utilizados en la mayor parte de los diodos semiconductores.
167
ELECTRÓNICOS
El primer anillo Indica la corriente que circula por la resistencia a la tensión nominal, y que pue
de ser de 1 mA, 10 mA o 100 mA.
El código de colores de este primer anillo se indica en la tabla 8.1.
naranja
Este código está vinculado con el de las resistencias lineales. Efectivamente, supónganse tres
VDR que. a igual tensión nominal de 18 V, dejan pasar 1, 10 y 100 mA respectivamente.
En estas condiciones, el valor óhmico de la primera resistencia es de 18 V : 1 mA = 18 kQ, es
decir, que si fuese una resistencia lineal su tercer anillo sería naranja, de ahí que 1 mA se represen
te con el color naranja.
El valor óhmico de la segunda resistencia es de 18 V : 10 mA = 1,8 kQ, de ahí que el primer ani
llo indicativo de la VDR sea en este caso rojo.
Finalmente, la tercera resistencia tiene un valor óhmico de 18 V : 100 mA = 180 Q, por lo que
100 mA se representa mediante el color marrón.
El código de identificación del segundo y tercer anillos hace referencia a la tensión nominal de
la resistencia, la cual está normalizada según tablas E12 internacionales (véase la tabla 3.1. en el
capítulo 3), pero codificando cada valor de dos en dos, tal y com o se indica en la tabla 8.2.
Si la VDR no posee un cuarto anillo, ello indica que su tolerancia sobre el valor de la tensión no
minal es de ±20 %, mientras que si posee un cuarto anillo, de color plateado, indica que su tole
rancia es de ±10 %.
La potencia de disipación de los varistores viene dada por su tamaño, siendo tanto mayor la po
tencia de disipación cuanto mayor sea el diámetro del disco de la VDR.
RESISTENCIAS NTC
Las resistencias NTC (Negative Temperature Coefficient), también llamadas termistores NTC, son
resistencias cuyo coeficiente de temperatura es negativo, es decir, que el valor óhmico de su resis
tencia depende de la temperatura.
Las resistencias NTC se fabrican a partir de óxidos semiconductores, tales como el óxido férri
co (Fe20 3) sustituyendo algunos de sus iones de hierro. En la práctica sólo unos pocos com pues
tos pueden ser utilizados en la fabricación de resistencias NTC, puesto que los demás poseen pro
piedades muy inestables.
Las resistencias NTC se fabrican con:
a) Soluciones sólidas de Fe30,4 y materiales con estructura cristalina en forma de espinela (por
ejemplo, Zn2T i0 4 o M gC rjO J.
b) Óxido férrico con adición de pequeñas cantidades de óxido de titanio (Ti02).
c) Óxido de níquel (N¡02) o de cobalto (CoO) o una combinación de estos óxidos con peque
ñas adiciones de Li20 .
RESISTENCIAS NO LINEALES
Tensión nominal N.° de orden Código de color en VDR Tabla 8.2 Relación entre el
código de identificación de las
(V) (2.° y 3.” anillos)
VDR y su tensión nominal.
- 16 marrón - azul
10 18 marrón - gris
12 20 rojo - negro
15 22 rojo - rojo
18 24 rojo - amarillo
22 26 rojo - azul
27 28 rojo - gris
33 30 naranja - negro
39 32 naranja - rojo
47 34 naranja - amarillo
56 36 naranja - azul
68 38 naranja - gris
82 40 amarillo - negro
A veces se añaden óxidos estabilizadores para conseguir una mejor reproducción y estabilidad
¡te sus características.
En la fabricación de estas resistencias se emplean sólo materias primas cuidadosamente selec
cionadas. A continuación, se lleva a cabo una mezcla intensa y se le adiciona una ligazón plástica
que dé forma a la masa, bien sea en forma de varilla o de disco. Después se someten estas vari
llas o discos a una temperatura suficientemente elevada para permitir que los óxidos se disuelvan
y se mezclen entre sí. El último paso consiste en la colocación de los contactos eléctricos, soldán
dolos con pasta de plata o mediante otros métodos.
169
COMPONENTES ELECTRONICOS
oTo~|
©
• Característica resistencia-temperatura.
• Característica tensión-corriente.
• Tiempo de recuperación.
• Estabilidad.
• Valor órímico.
• Tolerancia.
• Constante de disipación y potencia máxima de disipación.
• Margen de temperatura.
Característica resistencia-temperatura
Sin duda la relación entre resistencia y temperatura es la más importante para conocer el compor
tamiento de una NTC en un circuito, puesto que con ella es posible determinar el valor óhmico que
adquiere la resistencia al ser sometida a una temperatura dada.
La relación resistencia-temperatura de una resistencia NTC se expresa, aproximadamente, con
la fórmula:
R = Aem
donde R es el valor de la resistencia a temperatura absoluta T, A y B son constantes para una re
sistencia dada, y e es la base de los logaritmos neperianos (e = 2,718).
Esta ecuación se muestra gráficamente en la figura 8.13, donde se ha representado R en fun
ción de la temperatura en grados centígrados.
R Kf
(O)
10'
1(f
10'
10P
8.13 Variación que
experimenta la resistencia
de una NTC en función de 10-:>
la temperatura. -50 50 150 250 T(°C) 350
170
RESISTENCIAS NO LINEALES
R, = Aeen-‘
fí2 = Ae Bn2
- píB/R-B/Tj)
r2
donde:
Y despejando B se tiene:
Cuando se calcula B con esta fórmula, se puede considerar que B es una constante, ya que
con el aumento de temperatura sólo se producen pequeñas desviaciones.
El coeficiente de temperatura a de una resistencia NTC se obtiene a partir de la fórmula:
B
a = ~-jT
Según los materiales utilizados en la fabricación de una resistencia NTC, la constante B puede
variar entre 2.000 y 5.500 K.
Si una resistencia NTC posee una constante B de 4.000 K, se tiene un coeficiente de tempera
tura a de -4 ,5 0 % por °C a la temperatura de 298,15 K (25 °C), es decir, que su valor óhmico dis
minuye un 4,50 % por cada grado centígrado de aumento de temperatura.
Para facilitar el cálculo del valor de una resistencia NTC a una temperatura dada, cuando se c o
noce el valor óhmico a 25 °C (dado normalmente por el fabricante) y el valor de la constante 6 , en la
figura 8.14 se muestra la relación f í 25 ,C/R r en función de la temperatura para distintos valores de B.
Así, supóngase una resistencia NTC cuyo valor óhmico es de 15 kQ a 25 °C y su valor de B es
3.000 K. Si la temperatura en la resistencia sube a 60 °C, la relación fí25..c/fíT será, según la figura 8.14,
de aproximadamente 3/1, es decir, que a 60 °C el valor óhmico de la resistencia desciende a 5 kQ.
Característica tensión-corriente
Cuando, debido al paso de la corriente a través de una resistencia NTC, ésta se calienta a una tem
peratura muy por encima de la temperatura ambiente, resulta interesante conocer la relación entre
corriente y calda de tensión en la resistencia.
171
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En la figura 8.15 se puede ver esta curva característica para una resistencia NTC imaginaria. En
ella V e I figuran en escala logarítmica, pues de esta forma pueden incluirse las líneas de potencia
y resistencia.
8.15 Característica
tensión-corriente de
una resistencia NTC. I 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 500 f.,
I
La llamada característica estática se mide a una temperatura ambiente constante y las lecturas
de V se toman después de establecer el equilibrio, es decir, cuando la potencia consumida es igual
a la potencia disipada.
Como se puede observar en la citada figura 8.15, para corrientes muy pequeñas el consumo de
potencia es demasiado pequeño para registrar un aumento de temperatura y, como consecuencia,
un descenso del valor óhmico de la resistencia. En esta parte de la curva característica la relación
entre tensión y corriente es lineal, es decir, cumple la ley de Ohm.
Para potencias por encima de, aproximadamente, 0,05 W, la característica deja de ser lineal.
A un cierto valor de I la caída de tensión alcanza un valor máximo, después disminuye al seguir
aumentando la corriente (zona de resistencia negativa) para aumentar de nuevo a partir de un cier
to valor de la intensidad de corriente I.
Veamos con algo más de detalle todo lo que acabamos de exponer sobre la curva de la resis
tencia NTC imaginaria de la figura 8.15. En este caso se supone que la temperatura ambiente es
de 25 °C durante toda la prueba.
172
REStSTENCIAS NO LINEALES
El valor óhmico de la resistencia NTC a 25 °C es de 20 kQ, tal y como se deduce de la parte li
neal de la curva característica de la figura 8.15, en la que todos los cocientes V /I dan como resul
tado 20 kQ.
A medida que aumenta la tensión aplicada aumenta linealmente el valor de la intensidad de c o
rriente, puesto que la temperatura ambiente no varía y la potencia disipada en la resistencia es pe
queña.
Sin embargo, cuando la tensión aplicada alcanza unos 33 V y la corriente es de 3,3 mA, la p o
tencia de disipación en la resistencia supera los 0,1 W, calentándose ésta por la potencia disipada
(no por la temperatura ambiente que hemos considerado constante) y, como consecuencia, se ini
cia un descenso del valor óhmico de la resistencia.
A algo más de 0,1 W la temperatura en la resistencia alcanza los 50 °C, con lo que el valor óh
mico de la misma, en dicho punto, es de, aproximadamente:
V 33 V
= 10 kQ
I 3,3 mA
(la mitad de cuando la potencia disipada estaba por debajo de 0,1 W).
Tiempo de recuperación
Toda resistencia NTC precisa un tiempo de enfriamiento, durante el cual ésta va recuperando pro
gresivamente su valor óhmico inicial a la temperatura ambiente. Este tiempo de enfriamiento recibe
el nombre de tiempo de recuperación (x) o constante de tiempo de recuperación, puesto que es
constante para cada tipo de resistencia.
El valor óhmico de la resistencia durante el enfriamiento no sigue una ley lineal, sino exponen
cial, tal y como se puede comprobar en la figura 8.16, en la que se ha dibujado la curva caracte
rística de variación de la resistencia en función del tiempo de enfriamiento normal de una resisten
cia NTC de 1 kQ a 25 °C.
R id
(ü )
5
Id
Id
2
8.16 Curva de variación del valor
óhmico en función del tiempo,
en condiciones de enfriamiento
10 '
0 40 80 1 2 0 16 0 2 0 0 2 4 0 2 8 0 320 normal, de una resistencia NTC.
T(s) Temperatura ambiente, 25 °C.
173
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
su valor óhmico a 25 °C. En el caso de la figura 8.16 el tiempo de recuperación t es, por tanto, de
150 segundos.
Los fabricantes de resistencias NTC indican en sus catálogos mediante curvas com o la de la fi
gura 8.16, o mediante datos numéricos, los tiempos de recuperación de sus productos. Así, por
ejemplo, la constante de tiempo térmico de las resistencias NTC de la serie 2322 640 90106 de
P hilips es de 13 s; lo cual indica que, a partir del instante en que la NTC Inicia su enfriamiento des
pués de haber trabajado a su máxima potencia (es decir, a la máxima temperatura admisible), has
ta que alcanza la mitad de su valor óhmico a 25 °C, han de transcurrir 13 segundos.
Estabilidad
Cuando funciona en un circuito electrónico, toda resistencia NTC sufre, al igual que cualquier otro
componente electrónico, un envejecimiento que provoca una variación de su valor óhmico nominal
a 25 °C.
Esta variación del valor óhmico es muy pequeña, del orden del 1,2 % de su valor nominal como
máximo, lo cual no tiene importancia en los circuitos de radio y televisión pero sí en los aparatos de
medida de precisión, por lo que es conveniente que las resistencias NTC utilizadas en instrumen
tos de medida hayan sido sometidas a un envejecimiento previo, consistente en someterlas durante
un gran número de horas a una temperatura elevada.
Una vez realizado este envejecimiento, el valor óhmico de la resistencia NTC se mantiene cons
tante, es decir, ha alcanzado su estabilidad.
Valor óhmico
Los valores óhmicos de las resistencias NTC se refieren siempre a la temperatura ambiente de 25 °C,
ya que dada su característica de variación de resistencia con la temperatura es preciso tomar una
como referencia.
Se fabrican en valores según columnas E internacionales (véase el capítulo 3), pero sin cubrir to
dos los valores posibles.
Los fabricantes indican en sus catálogos el
valor óhmico de sus resistencias NTC a 25 °C y, en
ocasiones, a otras temperaturas, tales como 40,
50, 96,5 y 100 °C. Lógicamente, junto con este
dato suministran el valor de B (en grados Kelvin) a
la temperatura de 25 °C, de forma que el profe
sional pueda calcular, según se expuso anterior
mente, el valor óhmico de la resistencia a cual
quier temperatura.
Tolerancia
Los valores de la resistencia a 25 °C y de B se
dan con cierta tolerancia.
La tolerancia de las resistencias NTC a 25 °C
es normalmente de +20 %, aunque también se
fabrican con tolerancias de ±10 %.
El valor de B tiene, en la mayoría de los casos,
una tolerancia de 5 %. Debido a la tolerancia del
valor de 6 , la desviación de la curva nominal a
temperaturas diferentes a 25 °C puede ser mayor
que la tolerancia dada para 25 °C.
En la figura 8.17 se muestra la desviación pro
ducida por la tolerancia de B sobre el valor óh
rcc) mico nominal de una resistencia NTC de 10 kQ.
8.17 Influencia de la tolerancia del valor A partir de 25 °C, la curva superior proporciona
de B sobre la curva característica resistencia- los valores límites de resistencia para com bina
temperatura de una resistencia NTC. ciones de:
174
RESISTENCIAS NO LINEALES
El valor óhmico real de la resistencia está pues comprendido entre loslímites dados por las cur
vas superior e inferior de la figura 8.17, aunque en la práctica rara vez se presentarán los casos más
desfavorables.
Margen de temperaturas
Toda resistencia NTC posee unos límites de temperatura, sobrepasados los cuales la NTC deja de
comportarse como tal.
Los fabricantes de resistencias NTC indican en sus catálogos los márgenes de temperatura de
trabajo, o la temperatura máxima tolerable por la resistencia, a la potencia máxima y a 25 °C de tem
peratura ambiente. Así, una NTC puede tener unos márgenes de temperatura de trabajo com pren
didos entre -2 5 y +155 °C, o bien ser capaz de soportar +155 °C cuando se alcanza su potencia
máxima de disipación a la temperatura ambiente de 25 °C.
Este parámetro está relacionado con la constante de disipación y la potencia máxima de disi
pación dadas en el apartado anterior.
Efectivamente, supongamos una resistencia NTC cuya constante de disipación sea de 4,5 mW/°C
a 25 °C, y que pueda soportar una potencia máxima de 0,6 W. Con estos datos se puede calcular
qué incremento de temperatura o temperatura máxima de trabajo puede soportar la resistencia cuan
do se alcanza la potencia máxima de disipación de 0,6 W. Para ello basta con efectuar la operación:
0,6 W = 133,33 °C
0,0045 W/°C
A estos 133,33 °C se le suman los 25 °C iniciales, dando un valor de temperatura máxima a plena
potencia de 0,6 W de:
133,33 “C + 25 °C = 158,33 °C
Dado que esta temperatura es el límite admisible, se considera que dicha resistencia puede so
portar, sin que se destruya, una temperatura de 150 °C.
175
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En la figura 8.18 se muestra una resistencia NTC identificable por tres o cuatro franjas de color
que se leen de abajo a arriba y no al revés, com o es usual en las VDR.
El código es el mismo que se utiliza en las resistencias lineales, es decir, compuesto por tres
anillos cuando la tolerancia es de ±20 % y por cuatro cuando es de ±10 % (último anillo de color
plata).
3
— 3,3 ± 0.5 — máx\
IV
ni 5 máx
ii
i
2 ±1
í
2,54
17 niín
Así, por ejemplo, una resistencia NTC que tenga los anillos rojo-rojo-oro posee una resistencia
óhmica a 25 °C de 2,2 ohmios, puesto que el color rojo indica 2 y el oro indica que debe multipli
carse por el factor 0,1:
22 x 0,1 = 2,2 ü
En otros tipos, el valor óhmico viene indicado por un único punto de color, o bien están pinta
das de un solo color, por lo que aconsejamos solicitar a las firmas fabricantes de resistencias NTC
catálogos de las mismas, con el fin de poder identificar aquellas resistencias de aplicación especial
pintadas con un único color.
Éste es el orden con el que se debe trabajar para seleccionar la resistencia NTC.
RESISTENCIAS PTC
Las resistencias PTC (Positive Temperature Coefficient), también llamadas termistores PTC, son re
sistencias cuyo coeficiente de temperatura es positivo, es decir, que su valor óhmico depende de la
176
RESISTENCIAS NO LINEALES
temperatura, al igual que las resistencias NTC estudiadas en los párrafos anteriores, pero con la
particularidad de que, mientras en las resistencias NTC disminuye su valor óhmico al aumentar la tem
peratura, en las resistencias PTC aumenta su valor óhmico al aumentar la temperatura.
4,5 máx 10
r máx
1.6 máx
4.8
10.6
Á k
45
34
o 0.8
12 máx ±M
En la figura 8.19 se puede ver el aspecto externo y dimensiones de algunas de estas resisten
cias, las cuales se fabrican normalmente en forma de discos o perlas.
El coeficiente de temperatura de una resistencia PTC es pues positivo, aunque esta particulari
dad sólo se produce entre determinadas temperaturas, fuera de las cuales puede ser igual a cero
e incluso negativo.
Una particularidad de las resistencias PTC, que las diferencia de las NTC, es que el valor abso
luto del coeficiente de temperatura, en la mayor parte de los casos, es mucho mayor que el de las
resistencias NTC.
Las resistencias PTC se fabrican básicamente con titanato de bario (BaTiO;j) o soluciones sóli
das de titanatos de bario y de estroncio, mediante un procedimiento análogo al seguido en la fa
bricación de resistencias NTC.
Para su fabricación se tritura y se da forma adecuada a una mezcla de carbonato de bario, óxi
dos de estroncio y titanio, y otros materiales, de acuerdo con las características eléctricas que se
desee obtener. Una vez desecadas, las resistencias PTC son sometidas a elevadas temperaturas
y, a continuación, se les aplican con sumo cuidado los contactos sobre este semiconductor, que
es del tipo N. Finalmente, se sueldan los terminales sobre las superficies de contacto y se las re
cubre de una laca especial protectora.
177
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
• Característica resistencia-temperatura.
• Característica tensión-corriente.
• Factor de disipación.
• Temperatura de conmutación.
• Coeficiente de temperatura.
• Margen de temperaturas de trabajo.
• Constante de tiempo térmico.
• Máxima tensión admisible.
• Valor óhmico.
• Tolerancia.
Característica resistencia-temperatura
En líneas anteriores se afirma que en las resistencias PTC aumenta su resistencia al aumentar la
temperatura; ello es cierto pero con algunas restricciones.
Efectivamente, en la figura 8.20 se ha representado las variaciones que sufre el valor óhmico de
una resistencia PTC en función de la temperatura.
En principio, la resistencia no experimenta casi variación alguna (zona I); cuando se aumen
ta la tem peratura ligeramente se llega a la zona II, en la cual un pequeño aum ento de ésta ori
gina un considerable aumento de R Sin embargo, si se sigue aum entando la temperatura, se
entra en la zona III, en la cual cae de nuevo el valor óhmico, con lo cual la resistencia PTC deja
de actuar com o tal, puesto que en lugar de aumentar disminuye su valor óhm ico, permitiendo,
por tanto, el paso de una mayor corriente, lo que puede llegar a provocar la destrucción de la
resistencia.
Las zonas en las cuales es posible trabajar con las resistencias PTC son tan sólo la I y la II. Debe
tenerse esto muy en cuenta para evitar que la temperatura pase a la zona III, en la cual se corre el
peligro de destruir el componente.
De todo lo expuesto se deduce que la zona III, al no ser zona de trabajo adecuada, no inte
resa, por lo que los fabricantes de resistencias PTC indican en sus curvas características sólo las
zonas I y II.
Por otro lado, y dado que por la ley de Ohm la intensidad de corriente que circula por una PTC
es tanto mayor cuanto mayor sea la tensión a ella aplicada, y que todo aumento de corriente trae
com o consecuencia un aumento de temperatura en la resistencia PTC, resulta obligado indicar en
estas curvas características bajo qué condiciones de tensión aplicada se han realizado los ensayos.
Así, en la figura 8.21 se muestran las curvas características resistencia-temperatura de una resis
tencia PTC para dos valores de tensión, uno de ellos igual o inferior a 1,5 V de corriente continua
(curva continua superior) y el otro un impulso de 60 V (curva discontinua inferior).
178
RESISTENCIAS NO LINEALES
T(°C)
Se observa en las curvas de la figura 8.21 que por debajo de unos 125 °C el valor óhmico de la
resistencia es inferior al nominal de la misma, que hemos considerado de 50 í i a 25 °C.
A partir de esta temperatura crece el valor óhmico de la resistencia con el aumento de temperatu
ra, hasta alcanzar unos 200 k íí a 235 °C, con una tensión continua aplicada igual o inferior a 1,5 V.
Si en lugar de 1,5 V de tensión continua se le aplica un impulso de 60 V, la resistencia alcanza
un valor de unos 60 kí l a 235 °C, pero la corriente que por ella circula continúa calentándola y, por
lo tanto, se inicia el descenso de la curva, es decir, se entra en la zona peligrosa III (figura 8.20).
179
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Obsérvese en esta última figura cóm o a 25 °C la intensidad de corriente sube de valor al subir
la tensión aplicada, hasta que ésta alcanza los 2,5 V.
Por encima de 2,5 V la intensidad de corriente desciende de valor, lo cual nos indica y confirma
que la resistencia aumenta su valor óhmico.
Factor de disipación
Hemos visto que las resistencias PTC dependen en cierto grado de la tensión. Así, para tensiones
elevadas el valor óhmico de la resistencia es menor que el esperado.
Por esta razón, no resulta difícil obtener la cun/a característica tensión-corriente a partir de la
curva característica resistencia-temperatura con una constante de disipación dada.
Así, en la figura 8.24 se ha dibujado una curva característica tensión-corriente en la que, además,
se han añadido las escalas de resistencia y potencia disipada en cada condición de trabajo. En ella se
observa que, aun aumentando el valor óhmico de la resistencia con el aumento de tensión, el des
censo de corriente no es suficiente y, por lo tanto, se alcanzan valores de potencia disipada peli
grosos para la integridad de la resistencia.
180
RESISTENCIAS NO LINEALES
A pesar de todo ello no resulta difícil calcular, con bastante aproximación, el valor máximo de la
curva característica tensión-corriente si se conoce la curva característica resistencia-temperatura y
la constante o factor de disipación. Veamos cómo se procede para efectuar este cálculo.
La potencia de disipación vale:
P = I 2 fí
AP = 2 IR A l + I 2 AR
^R m
El subíndice M indica que los valores de la fórmula corresponden al máximo de la curva caracterís
tica tensión-corriente.
Por otro lado se tiene:
AP = D A T
APm = D A Tm
= I*/
D A7~m = A fíM
Y despejando el valor de I h
T 2 _ n
de donde:
D(Tm ^amb)
Ya que:
A ~ ^"amb
AP?m R,M
Para finalizar, diremos que el coeficiente de disipación de las resistencias PTC oscila entre 6 y
15 mW/°C según modelo. También se indica en mW/K, siendo lógicamente el valor absoluto el mismo.
181
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Temperatura de conmutación
Recibe el nombre de temperatura de conmutación (TJ aquel valor de temperatura bajo el cual el va
lor óhmico de la resistencia PTC es dos veces el valor de minima resistencia fímín a 25 °C (figura 8.25).
8.25 A la temperatura de
conmutación Ts el valor óhmico
de la resistencia PTC es dos
veces su valor mínimo
Coeficiente de temperatura
El coeficiente de temperatura (a) de una resistencia PTC se define como el resultado de dividir el
incremento del valor óhmico de la resistencia por el producto de su valor óhmico nominal y el in
cremento de temperatura, es decir:
AR
d In R
De donde se deduce:
1 lo g fí- lo g R ,
“ = 0,4343 T.¿ - T,
Como se puede comprobar sobre la figura 8.26, la tangente a un punto cualquiera de la curva
característica resistencia-temperatura es proporcional al valor de a en dicho punto.
182
RESISTENCIAS NO LINEALES
100
a =
0,4343 (72 - 7",)
Así, supongamos que una resistencia PTC posee, a 90 °C, una resistencia de 1 kU, y que al au
mentar la temperatura hasta 100 °C la resistencia alcanza los 10 k£2. El coeficiente de temperatu
ra de esta resistencia será:
i =
In (7, - Tq)
Ts - T o
Donde t es el tiempo requerido para refrigerar la resistencia PTC y hacerla pasar de la temperatura
7, a la temperatura de conmutación 7S, cuando está a una temperatura ambiente de 25 °C.
La constante de tiempo térmico de las resistencias PTC suele estar comprendido entre 10 y 50 s.
183
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Tabla 8.3 Características técnicas de las resistencias PTC de la serie 2322 660 de Philips.
RESISTENCIAS LDR
Las LDR (del inglés «Light Dependent Resistor»), también llamadas resistores LDR y fotorresisten-
cias, son componentes semiconductores que varían su valor óhmico al incidir sobre ellos una ra
diación luminosa.
A medida que la intensidad luminosa que incide sobre una LDR aumenta, su resistencia al paso
de la electricidad disminuye de valor.
En la figura 8.27 se puede ver el aspecto y dimensiones de algunas de estas resistencias, que
difieren bastante de lo convencional.
Los materiales fotosensibles más utilizados en la fabricación de las LDR son el sulfuro de talio,
el sulfuro de cadmio, el seleniuro de cadmio y el sulfuro de plomo.
Su construcción se efectúa disponiendo sobre una plaquita de material inerte gran cantidad de
electrodos a una distancia muy próxima y, entre ellos, se deposita el material fotosensible. Todo el
184
RESISTENCIAS NO LINEALES
♦ 1,5 m o x
43±3
1.7 ± 0.3
185
ELECTRONICOS
La relación entre el valor de la resistencia y la iluminación puede ser expresada con cierta apro
ximación por medio de la fórmula:
R = AL°
4 M í2 - 1 kí2
= 8 0 0 kí"2/s
5 s
187
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
El tiempo de recuperación varia pues según el nivel previo de iluminación, ya que se parte de un va
lor óhmico más o menos elevado y, por tanto, más o menos cercano al valor óhmico en la oscuridad.
En los tipos corrientes de fotorresistencias, el tiempo de recuperación es mayor de 200 k íi/s
(durante los primeros 20 segundos a partir de un nivel de iluminación de 1.000 lux).
En sentido inverso, es decir, en el paso de la oscuridad a un cierto valor de Iluminación, la velo
cidad del tiempo de recuperación es mucho mayor.
Así, por ejemplo, al pasar de la oscuridad a un nivel de iluminación de 300 lux, se tarda menos
de 10 ms en alcanzar un valor de resistencia que corresponde a un nivel de iluminación de 400 lux.
188
RESISTENCIAS NO LINEALES
Tipo de fotorresistencia
.. .
C dS Cd Se P bS
189
Diodos rectificadores
INTRODUCCIÓN
Con la denominación general de semiconductores se califican ciertos cuerpos simples (tales como
el silicio, germanio, etc.) cuya estructura cristalina hace que no dispongan de electrones libres ca
paces de establecer una corriente eléctrica; sin embargo, bajo determinadas condiciones, sus elec
trones exteriores o de valencia pueden ser liberados y, como consecuencia, se convierten en cuer
pos conductores.
Para conseguir esto se recurre a diversos procedimientos, tales como el calor, la luz o, sin duda
el más importante, introduciendo en la estructura cristalina del cuerpo ciertas sustancias de cons
titución atómica determinada. Estas sustancias crean unas características especiales, las cuales lo
transforman en un cuerpo más o menos conductor.
Entre los cuerpos más utilizados en la fabricación de diodos semiconductores destacan el ger
manio y el silicio.
El germanio
El germanio es un cuerpo simple que ocupa el número 32 en la tabla periódica de los elementos,
es decir, posee 32 protones en su núcleo atómico y 32 electrones que giran alrededor de dicho nú
cleo, de los cuales cuatro son de valencia (cuatro electrones en la órbita exterior más alejada del
núcleo).
Para que un cuerpo mantenga su estabilidad molecular precisa de ocho electrones de valencia,
por lo que parece que el germanio debería pertenecer al grupo de los cuerpos no estables; esto no
es así, y el motivo de que el germanio sea un cuerpo estable con sólo cuatro electrones de valen
cia se debe a que mantiene por sí solo la estabilidad a base de una reciprocidad mutua con cuatro
electrones de los átomos vecinos, complementándose y consiguiendo así los ocho electrones ne
cesarios para su estabilidad molecular. Véase en la figura 9.1, de forma gráfica, lo que se acaba de
exponer.
En realidad este fenómeno es bastante más complejo, pero el efecto en sí se comprende fácil
mente observando dicha figura.
Como consecuencia de ello, el germanio es un cuerpo completamente aislante, ya que no exis
ten en su seno electrones libres capaces de establecer una corriente eléctrica.
191
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
El silicio
Al principio sólo se utilizó germanio en la fabricación de semiconductores; sin embargo, durante la
Segunda Guerra Mundial, se descubrió que existe otro cuerpo simple que posee, al igual que el
germanio, cuatro electrones de valencia y, por lo tanto, es capaz de comportarse como él.
Este cuerpo simple es el silicio, el cual ocupa el número 14 en la tabla periódica de los ele
mentos, ya que posee un total de 14 protones y 14 electrones, de los que cuatro son de valen
cia y, por lo tanto, también es susceptible de ser utilizado en la fabricación de todo tipo de se
m iconductores.
Entre las ventajas que presentan los semiconductores de silicio con respecto a los de germa
nio, cabe destacar su correcto funcionamiento dentro de un amplio campo de temperaturas de tra
bajo (funcionamiento sensiblemente normal dentro del Intervalo de temperaturas entre -1 8 °C y
+100 °C).
Com o consecuencia de ello, el silicio se emplea normalmente en la fabricación de diodos
rectificadores para grandes intensidades de paso de corriente, siendo muy utilizados en fuen
tes de alimentación para la rectificación de la corriente alterna de la red, mientras que los dio
dos de germanio se utilizan en circuitos de pequeñas señales, com o las etapas detectoras de
la señal de audio en receptores de radio, debido a una ventaja que ofrecen sobre ios de silicio,
y es que precisan, com o más adelante se verá, de menor tensión directa para pasar al estado
de conducción.
Tanto el germanio com o el silicio, en estado puro, son cuerpos aislantes, por lo que parece un
contrasentido que dentro del apartado de semiconductores se citen dos cuerpos que en realidad
son aislantes. Sin embargo, lo que realmente se com porta com o un semiconductor no es el ger
manio o el silicio en estado puro, sino unos cuerpos compuestos cuya base principal es el germa
nio o el silicio, aunque se generaliza y se aplica el nombre de semiconductores a estos dos cuer
pos aislantes.
Cristal N
Supongamos una estructura cristalina, de germanio o de silicio, como la de la figura 9.1, en la que
se sustituyen algunos de los átomos de germanio o de silicio por otros átomos extraños cuya va
lencia sea 5, es decir, con cinco electrones en su órbita externa. Átom os de este tipo son el arsé
nico, el antimonio y el fósforo.
Esta operación recibe el nombre de dopado. En ese caso la estructura cristalina queda altera
da, tal y como se indica en la figura 9.2, en la que se muestra cómo la estabilidad química del cris
tal se modifica como consecuencia de la impureza introducida.
Electrón
sobrante
Como la estabilidad química se produce cuando la suma de todos los electrones de valencia
es ocho, y la impureza (a causa de la covalencia de sus electrones con los de los átom os adya
centes) posee nueve electrones de valencia, se tiene un electrón sobrante, o carga negativa so
brante.
192
DIODOS RECTIFICADORES
En la figura 9.3 se ha dibujado un cristal de silicio dopado con un átomo de arsénico, siendo su
ficiente un solo átom o de arsénico en un conjunto de 100 millones de átomos de silicio.
Si entre dos caras de este cristal se aplica una diferencia de potencial eléctrico, el electrón libre del
átomo de arsénico es atraído por el polo positivo de la fuente de alimentación y repelido por el ne
gativo, puesto que cargas eléctricas de signo opuesto se atraen y del mismo signo se repelen.
En la figura 9.3 el electrón se desplaza hacia la derecha, indicándose el recorrido mediante fle
chas. En su desplazamiento, el electrón puede pasar a formar parte de la capa de valencia de otro
átomo de silicio, siendo uno de los electrones de valencia de este último átomo ei que prosigue el
recorrido hacia el polo positivo de la fuente de alimentación.
Durante el transcurso de este fenómeno, el átomo de arsénico captura un electrón de uno de los
átomos adyacentes por su lado izquierdo que, además, es repelido por el polo negativo de la fuen
te de alimentación, provocando que en dicho átomo sólo se tengan siete electrones de valencia y,
por lo tanto, haciendo que capture a su vez otro electrón.
En resumen, entre el polo negativo y el positivo de la fuente de alimentación se establece, a tra
vés del cristal, una pequeña corriente, por lo que el cristal recibe por ello el nombre de semicon
ductor tipo N, ya que son cargas negativas las que provocan la circulación de corriente.
A los átom os con cinco electrones de valencia se les denomina átom os donadores.
Cristal P
En contraposición a los cristales semiconductores tipo N se encuentran los semiconductores tipo
P, cuya conductividad se explica por los portadores de carga positiva o huecos.
Falta un
electrón
(hueco)
En la figura 9.4 se ha representado un cristal de germanlo o de silicio dopado con una impure
za, tal com o el aluminio, el indio o el galio, que poseen tres electrones de valencia.
A estos átom os se les conoce con el nombre de átomos aceptadores o simplemente acepta
dores, debido a que aportando sólo tres electrones de valencia y compartiendo otros cuatro de los
átomos vecinos, en su órbita externa o de valencia falta un electrón para que se establezca la es
tabilidad química.
193
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En las figuras 9.4 y 9.5 se ha representado con un pequeño círculo blanco el lugar donde falta
un electrón, lugar que se conoce con el nombre de laguna o hueco.
El hueco no permanece mucho tiempo en el mismo lugar, debido a que un electrón de las In
mediaciones pronto lo ocupa.
Esto, que a primera vista parece sorprendente ya que todos los electrones están ligados a sus
átomos y, por lo tanto, no hay electrones libres, es debido a los movimientos térmicos de los átomos.
En realidad los átomos oscilan alrededor de su posición, lo cual produce choques entre ellos, por
lo que algunos electrones son extraídos de sus órbitas y pasan fácilmente a ocupar huecos, apare
ciendo nuevos huecos en las órbitas donde se localizaban primitivamente dichos electrones. Tam
bién estos huecos quedan pronto ocupados por otros electrones, por lo que puede afirmarse que los
huecos «viajan» por todo el cristal.
Si se aplica una tensión eléctrica entre dos caras opuestas de este cristal, tal y com o se indica
en la figura 9.5, los electrones «buscadores de huecos» son atraídos por el polo positivo, pero los
huecos se desplazan hacia el polo negativo de la fuente de tensión.
Cuando los electrones llegan al extremo derecho del cristal (figura 9.5) y lo abandonan, surgen
nuevos huecos que se mueven hacia la izquierda.
Diodo de unión
En la figura 9.6 se ha representado un cristal de silicio cuya cara izquierda es un semiconductor tipo
P y la cara derecha un semiconductor tipo N. Hemos elegido el silicio com o elemento semicon
ductor por ser el más utilizado en la tecnología actual, pero para nuestro ejemplo sería igualmente
válido el germanio.
La pieza de silicio descrita no es la composición de otras dos, sino que constituye un único cris
tal que durante su fabricación, y mediante procedimientos especiales, ha sido dopado en una de
sus dos mitades con átomos de impurezas aceptadoras, y con donadoras en la otra. A un cristal
dopado de esta forma se le llama unión PN.
A efectos de una mayor simplicidad en la figura, se han representado los huecos en gris claro y
los electrones en negro.
Entre las dos clases de silicio aparece una zona (Z) que contiene muy pocos portadores de car
ga, y que se ha representado mediante una superficie gris oscuro.
194
DIODOS RECTIFICADORES
Ésta aparece debido a que en la frontera de las zonas P y N los huecos del silicio P son ocupa
dos por los electrones libres del silicio N, por lo que no existen en dicha zona portadores de carga.
La zona Z posee, pues, una elevada resistencia específica y, por lo tanto, es aislante al paso de
la corriente eléctrica.
te te te m i i 6 » 6
te te te * * «
<M «
«i te * *
te * fe te te * 9.7 Al aplicar una diferencia de
potencial eléctrico a una unión PN,
con el positivo conectado al cristal
N y el negativo al cristal P. la zona
Z se amplía y el diodo actúa como
un aislante.
En la figura 9.7 se ha dibujado una unión PN a la que se ha aplicado una tensión eléctrica entre
sus caras opuestas, de forma que el polo negativo queda aplicado al cristal de silicio P y el polo p o
sitivo al cristal de silicio N.
Con esta disposición los huecos se concentran hacia el polo negativo y los electrones libres ha
cia el polo positivo. El resultado de esto es la ampliación de la zona Z, ya que aún queda más em
pobrecida de portadores de carga.
Al aplicar una tensión eléctrica de la forma expuesta a una unión PN, la resistencia de la unión
aumenta todavía más. La corriente que circula de una a otra parte del cristal es, por tanto, muy pe
queña, del orden de algunos microamperios.
En la figura 9.8 se ha conectado la misma fuente de tensión eléctrica, pero esta vez con la po
laridad invertida (positivo al cristal P y negativo al cristal N).
te te te te te te te
te te te te te te te te
te te te te te te te te
te te te te • te te te te 9.8 Al aplicar una diferencia de
potencial eléctrico a una unión PN.
con el positivo conectado al cristal
P y el negativo al cristal N, la zona
Z se estrecha y el diodo se hace
conductor.
En esta circunstancia los huecos de silicio tipo P son repelidos hacia la zona Z por el polo posi
tivo de la batería, y los electrones libres del silicio tipo N son igualmente repelidos hacia la zona Z
por el polo negativo de la batería. La zona de resistencia resulta así muy estrecha y la resistencia
de la unión PN se reduce considerablemente, con lo que la intensidad de corriente que circula por
el cristal será elevada.
El sentido del flujo de electrones de N a P se designa por sentido de paso, mientras que el sen
tido opuesto de P a N se le denomina sentido de bloqueo.
Es de destacar que en el sentido de bloqueo la corriente no es totalmente nula, es decir, siem
pre existe una pequeña corriente de fuga que recibe el nombre de corriente inversa del diodo y que
se designa con el subíndice R (del inglés reverse).
La intensidad de corriente en sentido directo se identifica con el subíndice F (del Inglés forward).
El diodo semiconductor formado por un cristal dopado positivamente en una cara y negativa
mente en la otra, recibe el nombre de diodo de unión o de juntura, puesto que puede compararse
a la unión de dos cristales de silicio, uno P y otro N, aunque sea un único cristal dopado de forma
diferente en sus dos mitades.
195
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
0,56 máx
k a
i
S0D-17 S0D-18
7.6 4 máx 4 máx
196
DIODOS RECTIFICADORES
§' ~
«íi
28 mln 5,57 máx 28 mln 4
Lógicamente las cápsulas para diodos que han de trabajar con elevadas potencias son más
grandes, puesto que han de disipar más calor.
a k a k
-«a------
a) b)
9.11 Símbolo de un diodo semiconductor, a) Aplicando un potencial positivo al ánodo (a) con respecto al
cátodo (k) ei diodo se hace conductor, b) Aplicando un potencial negativo al ánodo (a) con respecto al cátodo
(k) el diodo queda bloqueado.
Debe tenerse presente, ya que ello es motivo de confusiones, que al polarizar en sentido direc
to a un diodo, es decir, con el positivo aplicado al ánodo, el diodo pasa a ser conductor y, por lo
tanto, el potencial positivo aparece en el cátodo, tal y como se deduce de la figura 9.12a.
En el esquema de la figura 9.12a aparece el positivo en el terminal de la resistencia conectado
al cátodo, ya que el diodo puede considerarse en este caso como un interruptor cerrado.
Cuando el diodo queda polarizado en sentido Inverso (figura 9.125), éste queda bloqueado, ac
tuando com o un Interruptor abierto, es decir, como una resistencia infinita, por lo que toda la ten-
197
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
sión aparece en la unión PN con negativo en ánodo y positivo en cátodo y, como consecuencia, en
la resistencia no aparece tensión alguna.
De todo ello se deduce que los diodos sem iconductores han de llevar alguna indicación en
la cápsula que permita al profesional distinguir el ánodo del cátodo. Esta indicación se realiza
imprim iendo en el cuerpo de la cápsula el símbolo del diodo en el sentido correcto, mediante un
pequeño aro de color o una forma redondeada de la cápsula en el lado correspondiente al cá
todo, tal y com o sucede con los tipos de cápsula D O -14 y SOD-18 que se muestran en la figu
ra 9.10.
En radio y televisión los tipos de cápsulas más utilizadas son las correspondientes a los diodos de
pequeña potencia, en los cuales se identifica al cátodo mediante un aro de color (figura 9.13).
9.13 Identificación del cátodo en un diodo rectificador, mediante un aro impreso sobre la cápsula en el lado
correspondiente al cátodo.
Puentes rectificadores
Los tipos de cápsulas expuestas en las líneas anteriores corresponden a unidades rectificadoras,
es decir, que en su interior sólo existe una unión PN. Estos diodos sirven para formar circuitos rec
tificadores de media onda o de onda completa, utilizando dos o cuatro elementos adecuadamente
conectados.
198
DIODOS RECTIFICADORES
que la tensión continua positiva aparece en la patita marcada con el signo + y la negativa en la pa
tita marcada con el signo
Cuando se hace referencia a valores de corriente continua, medios, eficaces y máximos, éstos se
indican con una letra mayúscula y un subíndice, el cual procede de una abreviatura inglesa y que por
lo tanto es preciso aprender de memoria para evitar errores. Dichos subíndices son los siguientes:
El subíndice puede estar formado por más de una indicación. Así, por ejemplo, / F(AV) indica el
valor medio de la intensidad de corriente en el sentido de paso.
Ahora bien, en toda corriente alterna se dan una serie de fenómenos, repetitivos o no, tales
como impulsos transitorios de tensión y corriente, que en muchas ocasiones han de ser tenidos en
cuenta ya que pueden perjudicar al diodo.
199
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
1 n / _ N
2 V ftN
11/
271/ O) t
En la figura 9.16 se ha dibujado una onda senoidal, en la que se han señalado valores de ten
sión que Influyen sobre el funcionamiento de un diodo. Dichas tensiones son:
Cuando el diodo se opone al paso de la corriente eléctrica, es decir, cuando está polarizado en
sentido inverso, su resistencia es elevada y por él circula una pequeñísima comente de fuga ( / R),
aunque la tensión inversa aplicada (t/R) sea elevada.
200
DIODOS RECTIFICADORES
Sobrepasado un cierto valor de l/R, que en el caso de la figura 9.17 hemos establecido en 70 V,
el diodo pasa a ser conductor y, como consecuencia de la enorme energía que se genera en él, se
destruye.
Como consecuencia de todo ello, la curva característica del diodo semiconductor tiene una forma
semejante a la representada en la figura 9.17, en la que la característica inversa de la corriente viene
expresada en pA y no en mA como ocurre con la característica directa, y que la escala de tensión
directa está dividida en décimas de voltio mientras que la de tensión inversa lo está en decavoltios.
Examinando el gráfico se pueden observar las siguientes características:
• La curva tiene forma exponencial en las proximidades del cero y se acerca rápidamente al
valor máximo admisible a medida que aumenta la tensión directa; es decir, la resistencia pro
pia del diodo que se opone al paso de la corriente directa es de muy bajo valor y disminuye
rápidamente al aumentar la tensión.
• La corriente inversa aumenta muy lentamente, aun en el caso de tensiones algo elevadas.
Nótese que la resistencia disminuye ante tensiones inversas muy elevadas, pudiendo llegar a
resultar nula e incluso negativa. Este caso no puede considerarse, pues el recalentamiento
producido por la resistencia del diodo al paso de la corriente inversa puede llegar a destruir
lo. La tensión inversa correspondiente al codo de la curva característica inversa, sobrepasa
da la cual el diodo pasa a conducir en sentido inverso, recibe la denominación de tensión de
Zener, y es una cualidad que se aprovecha en un cierto tipo de diodos (diodos Zener).
La temperatura alcanzada en la unión de los cristales PN, com o consecuencia del paso de la co
rriente, influye sobre el comportamiento de éste, tanto en sentido directo como inverso, provocando
un aumento del paso de corriente. Este fenómeno apenas si tiene importancia en sentido directo,
pero sí que es apreciable en sentido inverso.
Así pues, cuanto mayor sea la temperatura en la unión mayor será el paso de corriente en sen
tido inverso, razón por la cual en ciertas ocasiones es preciso dotar ai diodo de aletas disipadoras
de calor.
Los fabricantes de diodos suelen indicar en sus catálogos las curvas características directa e in
versa por separado, tal y com o se estudia a continuación en un diodo para pequeña señal y en un
diodo rectificador.
201
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
La figura 9.18 corresponde a la curva característica I F = f(V,) del diodo para pequeña señal de
germanio AA 119.
Como se puede comprobar este diodo no puede rectificar tensiones elevadas, por lo que su
uso queda limitado a la rectificación de pequeñas señales, tales com o la portadora modulada en
amplitud o en frecuencia de un receptor de radio, es decir, se trata de un diodo especialmente d i
señado para etapas detectoras.
Las curvas en línea continua corresponden a los valores típicos de este diodo, a temperaturas
ambiente de 25 y 60 °C. Obsérvese que a 60 °C la intensidad de corriente en sentido directo es
algo más elevada.
Las curvas a trazos corresponden a los valores máximos garantizados por el fabricante, por lo
que por encima de dichos valores el diodo no puede ser considerado como bueno.
El diodo pasa a conducir en sentido directo cuando el potencial que se le aplica supera el p o
tencial que se genera en la zona aislante de la unión; en el caso del diodo AA119 éste comienza a
conducir en sentido directo cuando la tensión directa aplicada supera los 0,3 V a 25 °C, lo cual
quiere decir que tensiones directas por debajo de dicho valor no son rectificadas.
En la figura 9.19 se han dibujado las curvas características del mismo diodo en sentido Inverso.
En este caso, tal como se ha dicho en líneas anteriores, sí que la temperatura Influye conside
rablemente sobre la Intensidad de corriente inversa.
Con elevadas tensiones inversas, del orden de 40 V, la intensidad de corriente en sentido inver
so es muy pequeña, no alcanzándose los 100 a 25 °C.
Como información complementaria a estas curvas diremos que los limites de este diodo son los
siguientes:
202
DIODOS RECTIFICADORES
9.20 Curvas
características
l f = f( VF) de un
diodo rectificador
de silicio.
Al igual que en el caso anterior es preciso aplicar un mínimo de tensión directa para que el dio
do se haga conductor en sentido de paso.
La curva característica de la figura 9.21 corresponde al mismo diodo pero en sentido inverso.
Con tensiones próximas a los 500 V en sentido inverso, la corriente de fuga inversa ( JR) apenas si
supera los 40 ^A, con una temperatura de unión (7¡) de 140 °C.
Del estudio de estas curvas características se desprende que éste no es un diodo utilizable en
etapas detectoras, siendo sin embargo idóneo para el rectificado de la corriente alterna de la red.
Los valores máximos de tensiones, corrientes y temperaturas que puede soportar este diodo
son, según el fabricante, los siguientes:
203
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Para finalizar con el estudio de estas características, en la figura 9.22 se ha dibujado la curva
«intensidad inversa-temperatura de la unión» del diodo de silicio BY 126.
En dicha curva, se observa cómo al aumentar la temperatura de la unión (7¡) aumenta en forma
logarítmica la intensidad de corriente de fuga inversa JR.
100
h
(nA)
10
Así, a 70 °C la corriente inversa es de tan sólo 1 jaA, pero al doblarse la temperatura de la unión,
es decir, al alcanzarse los 140 °C en la unión, la Intensidad de corriente inversa supera los 40 juA,
por lo que resulta cuarenta veces mayor que a 70 °C.
o H
Así, supongamos un circuito como el de la figura 9.23, compuesto por un diodo de silicio en se
rle con una resistencia de carga R. A los bornes de entrada del circuito se le aplica una onda cua
drada cuya frecuencia es de 50 Hz (figura 9.24).
Si en esta circunstancia se aplica la tensión presente en la resistencia a la entrada vertical de un
osciloscopio, en la pantalla de éste aparece una onda com o la que se muestra en la figura 9.25,
compuesta por los semiciclos positivos de la tensión de entrada (de amplitud V) y los semiciclos ne
gativos, de amplitud I nR (siendo I R la corriente de fuga que deja pasar el diodo mientras está po
larizado en sentido inverso).
204
DIODOS RECTIFICADORES
9.24 Tensión en forma de onda cuadrada aplicada a la entrada del circuito de la figura 9.23.
r
V
L
9.25 Tensión rectificada que aparece a lasalida del circuito de la figura 9.23.
En resumen, se puede afirmar que la corriente ha sido rectificada, puesto que el valor de Ip fí
de los semiciclos negativos es muy Inferior al valor de V de los semiciclos positivos, hasta tal pun
to que la tensión I^R puede considerarse prácticamente nula.
Supongamos ahora que la frecuencia de la señal aplicada a la entrada del circuito de la figura
9.23 sea del orden de unos kilohercios.
En esta circunstancia la señal a la salida del rectificador, es decir, en la resistencia de carga R,
ya no será la representada en la figura 9.25, sino que tomará la forma dibujada en la figura 9.26. en
la que se puede apreciar cóm o los semiciclos positivos permanecen igual, mientras que los nega
tivos presentan unos picos de corriente I R0 en el m omento de la conmutación, que posteriormen
te van atenuándose hasta alcanzar el valor de la corriente de saturación inversa I fí.
9.26 Corriente rectificada a la salida del circuito de la figura 9.23, cuando la frecuencia de la tensión aplicada a
su entrada es muy elevada.
2 05
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Sin embargo, diremos que para la rectificación de la corriente alterna de la red son suficientes
los diodos rectificadores de silicio del tipo estándar (muy lentos), cuyos tiempos de recuperación
son del orden de los 10 ps, mientras que para frecuencias del orden de los 100 kHz son necesa
rios diodos rectificadores con un tiempo de recuperación de unos 5 ns.
Veamos ahora a qué se debe la existencia del tiempo de recuperación inversa. Cuando un dio
do está polarizado en sentido directo existe una cierta cantidad de portadores minoritarios (impu
rezas) que atraviesan la unión PN. Una vez eliminada la polarización directa, estos portadores ne
cesitan un tiempo determinado para recombinarse, es decir, que la capacidad que tienen los
portadores minoritarios de fluir no cesa instantáneamente al eliminar la polarización directa, sino
que dura un cierto tiempo. Esto significa que el diodo alcanza su estado de alta resistencia en sen
tido inverso al paso de corriente, cuando los portadores minoritarios se han recombinado.
SI se aplica una polarización inversa, el fenómeno anterior se acelera.
SI el tiempo de crecimiento de la tensión inversa es muy corto, com o sucede con la onda cua
drada de la figura 9.24, o con una frecuencia de valor muy elevado, los portadores minoritarios que
aún no se hayan recombinado son atraídos por la tensión inversa en forma de un pico de corrien
te de valor:
, I fíR VR
if í 0 ~ ~ R ~ R
206
DIODOS RECTIFICADORES
Es tiempo de destacar que. análogamente, si aumenta el pico de corriente inversa dado por
el diodo en el mom ento de la conm utación ( JRM), los portadores m inoritarios se recombinan con
más rapidez y, com o consecuencia, disminuye el tiem po de recuperación inversa. Esto último se
muestra en la figura 9.30, donde se ha dibujado la curva característica de la intensidad de c o
rriente máxima en sentido inverso en función del tiem po de recuperación en inversa, para diver
sos valores de intensidad de corriente en sentido directo, con una carga de 100 Í2 y a 25 °C de
temperatura de unión.
207
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Así, por ejemplo, si por el diodo circula una intensidad directa de 400 mA y se produce una in
tensidad en sentido Inverso (al conmutar) de 300 mA, el tiempo de recuperación en Inversa es de
5 ns, mientras que si I m es de 200 mA el tiempo de recuperación en Inversa sube a 6 ns.
De todo lo expuesto se deduce que el tiempo de recuperación en sentido inverso t„ es directa
mente proporcional a la corriente directa I F e Inversamente proporcional a la corriente inversa / R0.
El tiempo de recuperación inversa de un diodo depende por tanto del circuito, puesto que I F e
JR0 dependen de él.
Finalmente diremos que tiempos largos de recuperación en Inversa traen como consecuencia
un aumento de la temperatura de la unión y viceversa, puesto que durante el tiempo en que el dio
do debería estar bloqueado circula una corriente Inversa I R0 que generará calor en la unión. Por
este motivo los fabricantes de diodos suministran también, para aquellos diodos de aplicación en
etapas de RF, la curva característica del tiempo de recuperación Inversa en función de la tem
peratura de unión (figura 9.31). En ella se puede observar que con una tem peratura de unión (7¡)
de 40 °C, y unas Intensidades I F e JRM de 400 mA, el tiempo de recuperación en Inversa es de
unos 4,5 ns, aumentando a 5,75 ns cuando la temperatura de la unión alcanza los 100 °C.
i i i— r r
valores típicos
fl, = 100Q
medido al
10% de I m
= 25° C
Rl = 100 O.
I r = 400 mA
JRM= 400 mA
medido al
10% de I m
208
DIODOS RECTIFICADORES
los portadores; esto se consigue introduciendo niveles intermedios dentro de la zona prohibida (de
unión) del silicio. Estos niveles intermedios se obtienen produciendo dislocaciones en la red crista
lina del silicio, mediante un enfriamiento rápido después de la difusión. Presenta, sin embargo, el in
conveniente de ser un proceso de difícil control y reproducción.
El tercer método, que es el más usual, consiste en introducir en el silicio impurezas que pro
duzcan directamente estos niveles de energía Intermedios dentro de la zona prohibida. Como im
pureza se utiliza el oro, ya que presenta un nivel aceptador de 0,54 eV debajo de ¡a banda de con
ducción y un nivel donador de 0,35 eV por encima de la banda de valencia. Teniendo en cuenta que
la banda prohibida del silicio tiene un ancho de 1,16 eV, la Introducción de las impurezas de oro su
pone la existencia de dos niveles Intermedios prácticamente centrados en la banda prohibida del
silicio y que actuarán como centros de recombinación.
Capacidad de un diodo
Hemos visto que todo diodo semiconductor está formado por la unión de dos cristales P y N. en
tre los que se forma una zona aislante que desaparece al aplicarle una tensión en sentido directo.
Cuando se aplica una tensión inversa al diodo dicha zona aislante aumenta, por lo que un diodo
polarizado en sentido inverso puede compararse perfectamente con un condensador cuyas placas
son los cnstales P y N y cuyo dieléctrico es la zona central libre de portadores de carga (figura 9.7).
Debido a las pequeñas dimensiones de los cristales, asi como de la zona de alta resistencia
central, la capacidad de este condensador parásito es muy pequeña, pero debe tenerse presente
cuando se trabaja con frecuencias elevadas, del orden de los megahercios. ya que dejará pasar d i
chas señales.
Por este motivo los fabricantes de diodos semiconductores facilitan en sus catálogos el valor de
la capacidad parásita del diodo, en especial en aquellos modelos especialmente diseñados para
trabajar en RF, así como la variación de dicha capacidad al aumentar la tensión inversa aplicada al
diodo.
En la figura 9.32 se ha dibujado la curva característica de la capacidad de un diodo de silicio en
función de la tensión inversa.
_ _ ~
-
t = 1 MH2
T _ ok « r
s . tÍDica
—
Se puede comprobar en esta gráfica que la capacidad del diodo es de 1,7 pF cuando no se le
aplica tensión alguna en sentido inverso.
Al aumentar la tensión inversa aumenta la zona central de aita resistencia, lo que equivale a un
aumento del espesor del dieléctrico del condensador parásito y, por lo tanto, se produce una dismi
nución de la capacidad que, aunque no es muy importante, puede afectar al comportamiento de
circuitos de afta precisión.
209
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Así, en la curva de la figura 9.32, se tiene que al aplicar una tensión inversa de 20 V la capaci
dad parásita desciende a 1,4 pF.
La diferencia de capacidad no es demasiada, pero dado que su influencia es importante en de
terminados circuitos, los fabricantes indican en ocasiones en sus catálogos sólo el valor máximo de
capacidad a una frecuencia de 1 MHz. Por ejemplo, la capacidad del diodo BA 2 2 2 de P hiu ps es
inferior a 2 pF con una tensión inversa l/R de 0 V.
Así, sin tener en cuenta las tres últimas cifras, serán cuatro las denominaciones posibles para
los diodos rectificadores semiconductores:
210
DIODOS RECTIFICADORES
Existe un código, todavía vigente, utilizado en los origenes de la fabricación de diodos semi
conductores, que está también formado por dos letras y tres cifras aunque es mucho menos sig
nificativo que el anterior, ya que la primera letra, que siempre es una O, indica que se trata de un
elemento semiconductor (sin indicar material) y la segunda letra, que siempre es una A, indica que
se trata de un diodo (sin indicar aplicación). Las tres cifras que siguen a continuación hacen re
ferencia al tipo de diseño o desarrollo particular del fabricante.
En el sistema norteamericano, el código consta del número 1, la letra N y un número de serie.
El número 1 indica que se trata de un elemento con una sola unión (diodo), la letra N indica que
es semiconductor, y las cifras finales las proporciona cada fabricante y corresponden a un m ode
lo dado.
211
Diodos Zener
INTRODUCCIÓN
Los diodos Zener, también denominados diodos reguladores de tensión (Voltage regulator diodes),
son elementos semiconductores de silicio que poseen en sentido directo o de paso una caracterís
tica de diodo rectificador normal, mientras que en sentido inverso, y para una corriente inversa por
encima de un determinado valor, presentan una tensión constante cuyo valor depende de las ca
racterísticas técnicas de cada diodo en particular.
Este fenómeno de tensión constante en el sentido de bloqueo convierte a los diodos Zener en
dispositivos excepcionalmente útiles, cuando se quiere obtener una tensión relativamente insensi
ble a las variaciones de la tensión de alimentación o de la corriente de la carga, es decir, como dis
positivos reguladores del valor de la tensión.
Dependiendo de las características que se deseen obtener, los diodos Zener se fabrican por pro
cesos de aleación o de difusión.
Los diodos Zener con tensiones de ruptura de hasta unos 9 V presentan mejores características
cuando se fabrican por aleación, mientras que los que poseen tensiones de ruptura superiores a los
12 V tienen mejores características si se fabrican por el proceso de difusión. Para tensiones de rup
tura comprendidas entre 9 y 12 V, el m étodo de fabricación viene determinado por otros factores.
En la figura 10.1 se muestra el procedimiento de fabricación de un diodo Zener por aleación.
10.1 Procedimiento de
fabricación de un diodo
Zener por aleación.
Este m étodo consiste en calentar en un horno apropiado, y a una temperatura de unos 650 “C,
una pequeña pastilla de cristal de silicio tipo N, a la que se coloca encima una minúscula cantidad
de material tipo P. Al ser calentados en el horno se produce la aleación entre ambos elementos en
una zona de forma circular.
Los diodos Zener fabricados por el procedimiento de difusión se obtienen depositando boro
(para la formación del material tipo P) en una de las caras de una delgada lámina de cristal de sili
cio, y en la otra cara vapor de fósforo (para la formación del material tipo N) (figura 10.2).
El conjunto se introduce en un horno a una temperatura superior a 1.200 °C. El calor provoca
que en el cristal de silicio penetre el fósforo por un lado y el boro por el otro, difundiéndose ambos
materiales en el cristal.
213
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Silicio
Fósforo
Una vez obtenido el diodo, se procede a la colocación de los terminales y a protegerlo del me
dio ambiente mediante una cápsula como las que se muestran en la figura 10.3.
Las cápsulas a y ó de la figura 10.3 disponen de terminales de conexión, mientras que las otras
tres son para montaje superficial (SMD).
Como se puede comprobar es una curva idéntica a ¡a de los diodos rectificadores de silicio, en
la que se observa que el diodo pasa a conducir a partir de unos 0,5 a 0,7 V de tensión directa.
La resistencia del diodo Zener cuando está polarizado en sentido directo es, por consiguiente,
pequeña.
214
DIODOS ZENER
En las curvas características de la figura 10.5, correspondientes a ios diodos de la serie BZX79
de Ph il ip sse puede comprobar que los diodos Zener no permiten el paso de la corriente en sentido
inverso mientras no se supere un cierto valor de la tensión inversa, denominado tensión de ruptu
ra, tensión de codo o tensión de Zener [Vz).
Cuando se alcanza el valor V¿ la corriente en sentido inverso aumenta bruscamente de valor, es
decir, el diodo pasa a ser conductor en el sentido inverso.
El fenómeno de ruptura, es decir, el paso de bloqueo a conducción en sentido inverso al sobre
pasar un determinado valor de tensión, recibió en un principio el nombre de efecto Zener, porque se
pensó que era debido al mecanismo descrito por Zener en su teoria sobre los fenómenos de rup
tura en dieléctricos (piénsese que un diodo polarizado en sentido inverso es comparable perfecta
mente a un condensador cuyas placas fuesen los cristales P y N y cuyo dieléctrico fuese la zona de
unión de ambos cristales; por lo tanto, si dicha zona de unión o zona prohibida pasa a ser conduc
tora, ello equivale a la perforación de un dieléctrico).
Hoy en día se cree, sin embargo, que esta ruptura se debe a los efectos de campo, cuando se
produce para tensiones inferiores a 5 V, y se atribuye a un efecto de avalancha cuando tiene lugar
a tensiones por encima de los 7 V. Entre los 5 y 7 V la ruptura es producida por una combinación
de ambos efectos.
Asi pues, para bajas tensiones es válida la teoría de ruptura de Zener y para altas tensiones se
acepta la teoría de avalancha propuesta por Me Kay y Me Affee.
Sin embargo, y por los motivos apuntados, todos los diodos Zener se llaman así en honor a este
físico, y el valor de tensión bajo el cual se produce la ruptura se le conoce también con el nombre
de tensión de Zener.
Para finalizar, diremos que las curvas de la figura 10.5 corresponden amueve diodos Zener di
ferentes (de la serie BZX79 de P ) , que abarcan desde los 4,7 V a los 10 V. En estas curvas las
h il ip s
cifras que siguen a la letra C corresponden a las tensiones de Zener, utilizándose la V como coma
decimal. Así, la curva C7V5 pertenece a un diodo Zener de la serie BZX79 cuya tensión de Zener
es de 7,5 V; se puede observar en dicha curva que mientras no se alcanza este valor de tensión in
versa la intensidad de corriente en sentido de bloqueo es nula, pero que al alcanzarse los 7,5 V el
diodo pasa a conducir y aumenta considerablemente la corriente en sentido de bloqueo ( I 7), la cual
alcanza los 200 mA cuando la tensión inversa aplicada al diodo es de algo más de 8 V.
Es importante destacar también que en las curvas características en sentido inverso de los dio
dos Zener no se utilizan los subíndices R de reverse, sino la Z de Zener, ya que lo que se desea des
tacar son estos valores.
2 15
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Tensión de referencia
La tensión entre cátodo y ánodo del diodo después de la ruptura se denomina tensión de referen
cia. Su valor no puede ser mucho mayor que el de la tensión de ruptura, siendo casi constante.
Efectivamente, en la figura 10.5 se puede observar cómo la tensión inversa en los diodos Zener
de la serie BZX79 permanece casi constante una vez superada ia tensión de Zener (Vy.
La tensión de referencia es, para cada tipo de diodo, una tensión de valor prácticamente cons
tante y con ciertas tolerancias lógicas de fabricación.
En los catálogos de los fabricantes se indica normalmente la tensión de Zener y su tolerancia.
Así, el diodo Zener BZV85C3V6 posee una tensión de Zener de 3,6 V ±5 %, lo que significa que este
diodo pasa a conducir en sentido inverso con una tensión inversa comprendida entre 3,42 y 3,78 V.
Resistencia Zener
Se denomina resistencia Zener la relación entre la variación de tensión A1/z y la variación de inten
sidad A I z en el sector Zener, es decir, debajo del punto K de la figura 10.6, y se calcula mediante
la expresión:
A partir de esta expresión se deduce que la variación de tensión en bornes de un diodo Zener es,
por debajo del punto K:
At/Z = rz A I z
216
DIODOS ZENER
100
h
(mA)
200
Asi, si la intensidad I z varía en 15 mA, la tensión Vz en el diodo (con una r-¿ de 1,2 Q), varía sólo li
geramente.
Efectivamente, a partir de la fórmula anterior y de los datos dados se obtiene:
Al/Z = rz A I Z = 1,2 Í2 x 15 mA = 18 mV
La tensión varía poco, Incluso con un cambio considerable de intensidad. Esta particularidad es
aprovechable para obtener tensiones estabilizadas.
El valor de r7 no es constante, sino que varía con el valor de I z, tal y com o se comprueba en la
curva característica rz = f{ I7) de la figura 10.7.
En esta curva se lee que, para pequeños valores de I z, del orden de 1 mA, la resistencia de Ze
ner es de 500 Í2, mientras que a 10 mA la resistencia de Zener baja a 20 Í2. Se trata pues de una
resistencia dinámica, ya que pasa de un valor elevado a otro pequeño al aumentar la corriente de
Zener.
h
( fl)
217
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
. En ellas se puede ver cómo por encima de unos 4,7 V el coeficiente de temperatura pasa a
l i p s
I¿( mA)
10.8 Curvas características del 10.9 Curvas características del
coeficiente de temperatura Sz en función coeficiente de temperatura Sz en función
de la corriente de Zener I z para los de la corriente de Zener I z para los diodos
diodos Zener de la serie BZX84 de P h ilip s Zener de la serie BZX84 de P h ilip s
(diodos con pequeña tensión de Zener). (diodos con alta tensión de Zener).
2 18
DIODOS ZENER
38 36 34 32
0,001
0.01
0,1
1
10.10 Curvas características
h I z = f(Vz) para temperaturas
' ' de unión (T¡) de 150 °Cy
25 °C de los diodos Zener
m de la serie BZV85 de P h ilip s .
Sz(Tamb- 25 °C)
Donde Sz es el coeficiente de temperatura del diodo y Tarib la temperatura ambiente a la que tra
baja el diodo.
219
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
o _ ^jm a x ~ 7*amb
“ tot ~ o
r *thj-amb
Donde:
El valor de R,h¡.amb lo dan los fabricantes en sus catálogos, y es válido sólo para elementos sin
disipadores de calor y montados al aire.
El factor fíthl.amü depende del tipo y tamaño del disipador térmico utilizado y puede ser determi
nado a partir de la siguiente expresión:
^ th ¡-a m b — C ? lh ¡-m b ^ th m b -b ^ th b -a m b
Donde:
La temperatura de unión admisible por el BZY91 es, según fabricante, de 175 °C, por lo que:
Y despejando Tamb:
220
DIODOS ZENER
Como resultado, en las condiciones expuestas, el diodo BZY91 puede ser utilizado a una tem
peratura ambiente (Tami) que no exceda de los 64 °C.
De todos estos cálculos se deduce que la potencia de disipación máxima admisible por un dio
do Zener está influida por la temperatura ambiente, ya que cuanto mayor sea ésta menos se refri
gerará el diodo y, por lo tanto, menor será su capacidad de disipación.
temperatura desciende progresivamente hasta ser totalmente nula a 175 °C, es decir, cuando la tem
peratura ambiente iguala a la temperatura máxima de la unión y por lo tanto deja de disipar calor.
q - K
[V + 0,6)n
Siendo K una constante propia del diodo, V la tensión aplicada al diodo (de signo positivo para ten
siones inversas) y el exponente n tiene un valor aproximado de 0,5.
Si se aumenta la tensión aplicada al diodo hasta un valor igual a 2V, se tiene:
C K
1 (2V + 0,6)n
Y, por lo tanto:
K K
(21/ + 0,6)" < {V + 0,6)"
221
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Ruido
Cuando en un diodo Zener existen uniones imperfectas o cargas espaciales, se producen variacio
nes bruscas de la tensión de referencia que dan origen a ruidos. •
Este ruido es generalmente bastante bajo, nunca superior a los 10 mV, por lo que apenas Influ
ye sobre la tensión en bornes del diodo. Sin embargo, puede reducirse a una décima parte conec
tando un condensador de 10 a 100 nF en paralelo con el diodo. Este condensador no afecta al fun
cionamiento del diodo, ni tenderá a oscilar.
2,4 5,6 13 33 75
2,7 6,2 15 36 82
3,0 6,8 16 39 91
4,3 10 24 56 130
4,7 11 27 62 160
5,1 12 30 68 180
Tabla 10.1 Tensiones Zener
normalizadas en la fabricación
de diodos Zener. 200
222
DIODOS ZENER
En lo que respecta a la potencia de disipación, los diodos de tensión se fabrican para 280 mW,
320 mW, 400 mW, 1,3 W, 1,5 W, 2 W, 2,5 W, 7,5 W, 10 W, 15 W, 20 W y 75 W.
Estos datos son, pues, los primeros que han de tenerse en cuenta a la hora de elegir un diodo
Zener para un circuito y, después, si las exigencias del circuito así lo aconsejan, deberán tenerse
presentes todos los demás expuestos en este capítulo.
El código antiguo está formado por tres letras y un número de serie dado por el fabricante. La
primera letra siempre es una O, Indicativa de que se trata de un elemento semiconductor. Las otras
dos letras son AZ, y hacen referencia a que se trata de un diodo Zener.
El código norteamericano consiste, al igual que en los diodos rectificadores, en la indicación 1N
seguido de un número de serie.
J 0.55
O) c | máx , 1,60
’ 1.45
—11.6 í_ 25,4 mfn 3,04 25,4 mín _
máx máx
K rm------ a - 0,3 3
¿ 0,3
l 0.81
10.13 Tipos de cápsulas utilizadas en diodos Zener, con indicación de sus dimensiones.
223
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Estos componentes destacan por sus reducidas dimensiones, en particular aquellos para m on
taje superficial (SMD).
Al igual que los diodos rectificadores semiconductores, el cátodo de los diodos Zener viene in
dicado por un aro impreso rodeando el cuerpo del componente o por cualquiera de los sistemas
ya expuestos en el capítulo anterior. Debe pues respetarse dicha indicación al conectar un diodo
Zener, y recuerde hacerlo en sentido inverso, es decir, con el cátodo conectado al positivo de la fuen
te de alimentación que se desea estabilizar.
224
Capítulo 11
Diodos varicap
y conmutadores de banda
INTRODUCCIÓN
Los diodos varicap (o de capacidad variable) son diodos semiconductores cuya característica prin
cipal es la de presentar una capacidad en su unión PN que depende de la tensión inversa aplicada
entre cátodo y ánodo del mismo.
Este efecto de capacidad en el sentido de bloqueo se presenta en todos los diodos, pero ape
nas si varía con el aumento de la tensión inversa; el diodo de capacidad variable está especialmen
te diseñado para que su capacidad varíe dentro de unos amplios márgenes según la tensión inver
sa aplicada, de forma que puede ser utilizado en circuitos sintonizadores y osciladores sustituyendo
a los antiguos condensadores variables.
La sustitución de un condensador variable por un diodo varicap presenta, entre otras, las ven
tajas de eliminar elementos mecánicos móviles en las secciones de RF.
El diodo varicap forma parte de los circuitos oscilantes LC de RF, cuya frecuencia de resonan
cia se gobierna mediante una tensión de polarización inversa aplicada al diodo, de valor ajustable
por el usuario mediante un potenciómetro, en lugar de hacerlo mediante el accionamiento del rotor
de un condensador variable.
Otras ventajas que se deben destacar (relacionadas siempre con los condensadores variables) son
la reducción de volumen, su menor precio y la posibilidad del mando a distancia mediante conductores.
Como se sabe, toda unión PN puede compararse con una capacidad cuando está polarizada en
sentido inverso. Esta capacidad depende del valor de la tensión aplicada a la unión.
Veamos esto que acabamos de exponer con algo más de detalle; para ello supondremos una
unión PN en equilibrio, es decir, sin tensión alguna aplicada entre sus electrodos.
En esta circunstancia se forma en la zona de tránsito entre la región P y la N un campo eléctri
co, debido a la difusión de portadores de carga positivos a la región N y viceversa, dejando por lo
tanto átomos aceptadores o donadores ionizados a ambos lados de la unión, pero no en ésta, don
de todos sus átomos no poseen carga eléctrica alguna.
La distribución de densidad de carga es tal, que se produce en la unión en equilibrio un poten
cial de contacto que evita que más portadores mayoritarios atraviesen la unión.
Supongamos que en ese estado de equilibrio el espesor de la zona Intermedia entre los dos
cristales sea Z (figura 11.1).
Si se aplica un potencial inverso al diodo (Vfí), los portadores mayoritarios se alejan de la unión,
haciendo que la zona de transición (Z) se haga más ancha (figura 11.2).
Dado que la zona de transición posee una cierta densidad, la carga total de la unión varía al va
riar la tensión inversa, es decir, se hace tanto más ancha cuanto mayor sea el valor de la tensión in
versa Vfí aplicada al diodo, por lo que éste se com porta como un condensador cuya capacidad
depende de la tensión aplicada.
Recuérdese que uno de los factores que influyen sobre la capacidad de un condensador es el
espesor de su dieléctrico, y en.este caso el dieléctrico es la zona Z que se hace más o menos an-
225
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
cha según el valor de la tensión inversa aplicada. Cuanto mayor es el espesor del dieléctrico menor
es su capacidad.
El espesor de la región Z, también llamada región de carga espacial, depende de la raíz cua
drada o cúbica de la tensión inversa aplicada al diodo varicap. Por tanto, la capacidad del diodo
varicap es inversamente proporcional a la raíz cuadrada o cúbica de la tensión \/R aplicada.
Esta tensión de polarización inversa debe estar perfectamente estabilizada y libre de oscilacio
nes, ya que de lo contrario se producirían variaciones continuas de la capacidad y, con ello, de la sin
tonía del circuito oscilante al que pertenece el diodo.
El cambio de valor de la tensión VR para ajustar la capacidad del diodo se obtiene de un pe
queño potenciómetro lineal.
En la figura 11.3 se han dibujado algunas de las cápsulas utilizadas en los diodos de capacidad
variable. Como se puede comprobar, la mayor parte son en apariencia iguales que las utilizadas para
otras clases de diodos, por lo que en ocasiones resulta difícil distinguir unos de otros si no se re
curre a los códigos de identificación que más adelante se indican.
226
DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA
El valor de la capacidad es, com o se ha dicho, ajustable según el valor de la tensión inversa
aplicada.
La resistencia rü influye sobre el factor de calidad de la capacidad, y viene dado por la ex
presión:
° ~ 2jrfCdrd
f - 1
Q' 2rifC ár¿
Esta frecuencia marca el límite teórico de utilización del diodo varicap como reactancia variable.
Dado que el diodo varicap puede compararse por sí mismo con un circuito oscilante LC serie
(figura 11.4), la frecuencia de resonancia, o frecuencia propia, a la cual la reactancia del conjunto
es nula, viene dada por la fórmula:
X = 2nf L - — = 0 £2
r 27tfrCd
1
2 n f± =
2n frC«
Es decir:
(2«f,)zLCd = 1
Y despejando fr se obtiene:
2?t ]¡LC(i
Para valores de frecuencia superiores a la obtenida con esta igualdad el diodo es inductivo, por
lo que también en este caso la utilización del diodo está limitada a las frecuencias inferiores a la de
resonancia.
En los diodos varicap las pérdidas en RF obedecen, fundamentalmente, al paso de la corriente
por el material semiconductor y los elementos internos de conexión, los Cuales se encuentran en
serie con la unión PN en la que se localiza la capacidad.
En correspondencia con esto, se obsen/a, experimentalmente, que la parte real de la impedan
cia, o resistencia equivalente en serie, varía poco con la frecuencia, y que en particular los valores
medidos a 100 MHz y a 470 MHz coinciden con una aproximación razonable.
También es relativamente pequeña la variación de la misma resistencia en función de la ca
pacidad.
227
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Para la elección y correcto funcionamiento de un diodo varlcap han de tenerse presente una serie
de características técnicas, que no son muchas pero deben ser respetadas.
Estas características técnicas son las siguientes:
Estas tres magnitudes deben tenerse en cuenta para evitar que el diodo resulte destruido.
La tensión inversa máxima (VR) indica la máxima tensión que se puede aplicar permanentemen
te al diodo sin que éste se destruya. Por ejemplo, el diodo varicap BB134 soporta com o máximo
una tensión l/R de 30 V.
La intensidad de corriente directa máxima ( / F) es aquél valor de corriente en sentido directo que
puede circular por el diodo. Es un valor que debe considerarse ya que, aunque el diodo trabajará
en sentido inverso, puede suceder que un cambio de polaridad lo haga trabajar en sentido directo
y, en este caso, debe limitarse la corriente que por él circule. En el BB134 que se ha elegido como
ejemplo, esta corriente es de 20 mA como máximo.
La intensidad de corriente inversa máxima (/ R) indica el valor máximo de corriente que puede cir
cular por el diodo en sentido inverso. Normalmente el fabricante del diodo índica este valor para la
máxima tensión inversa aplicada y una temperatura de unión dada; la intensidad de corriente en sen
tido inverso depende de ambos parámetros. Como ejemplo diremos que el diodo varicap BB134
soporta una corriente máxima de 200 nA cuando se le aplica una tensión VR de 30 V y trabaja con
una temperatura de unión de 85 °C.
El parámetro 7, (temperatura de la unión) establece los límites de temperatura en la unión durante
el funcionamiento del diodo. Por encima y por debajo de las temperaturas indicadas el diodo varicap
deja de funcionar. Temperaturas de unión normales son las comprendidas entre -5 5 °C y +125 °C.
Otras características, mediante las cuales podemos conocer el funcionamiento del diodo, son:
Cd
(pF)
228
DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA
Como puede comprobarse, en dicha figura la curva resultante no es una función lineal, ya que al
ser la capacidad Ca dependiente de la raíz cuadrada o cúbica de la tensión Vfí, el resultado nunca
puede ser una línea recta, aunque en algunos casos así se hace para facilitar la lectura de la misma.
Efectivamente, para un cierto valor de l/R, por ejemplo 8 V, la capacidad de la unión es de, apro
ximadamente, 5,5 pF, mientras que para una tensión inversa de 1 V la capacidad de la unión no es
ocho veces mayor, com o cabría suponer al ser la tensión inversa ocho veces inferior, sino aproxi
madamente el triple (unos 16,2 pF).
Puede demostrarse que la capacidad de la unión, en función de la tensión inversa aplicada, vie
ne dada por la expresión:
Donde K es una constante que depende del material de partida, l/R es la tensión inversa aplicada
a la unión, Vt es el potencial del contacto (-0,7 V para el silicio) y n es un exponente que depende
del gradiente de la tensión y, en consecuencia, del procedimiento de fabricación.
■ Es importante destacar, en el diagrama de la figura 11.5, los límites de la tensión l/R.
El límite superior es el de 28 V, un poco por debajo de los 30 V (máxima tensión inversa que so
porta este diodo sin que se destruya).
El límite inferior es de 0,5 V, indicando que no debe aplicarse al diodo varicap tensiones inver
sas por debajo de 0,5 V, ya que de ser así el diodo se convertiría en un rectificador ante las seña
les de RF que llegaran a superar el valor de 1 V.
Efectivamente, si a la tensión inversa aplicada al diodo se suma una tensión de RF de 1 V de
pico, durante los semiciclos positivos de la señal de RF su tensión se resta de la inversa aplicada
al diodo, por lo que se tiene que éste pasa a trabajar polarizado con una tensión directa de 0,5 V y
deja de cumplir su función de capacidad.
Otro dato a tener en cuenta, y que se indica en la curva característica del diodo, es la frecuencia
y la temperatura de la unión a la que se realiza la medición, pues estos factores influyen igualmente
sobre ella. En la figura 11.5 la frecuencia de la señal con la que se hace la medición es de 1 MHz, y
la temperatura de la unión de 25 °C.
229
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ría de la curva típica, la cual acusa un paso de corriente inversa JR de 10 nA con una temperatura
de unión T] de 25 °C, y crece de forma logarítmica hasta 200 nA (20 veces mayor) cuando la tem
peratura de la unión alcanza los 85 °C, que es la temperatura de unión máxima admisible por este
diodo cuando trabaja en estas condiciones.
En la figura 11.7 se puede comprobar cómo aumenta la corriente inversa al aumentar la tensión
inversa, de forma que a una temperatura de unión de 25 °C y a 2 V de Vfí la corriente I fí es de tan
sólo 0,01 nA, alcanzándose los 0,4 nA cuando se le aplican 30 V en sentido de bloqueo.
Finalmente diremos que entre ambas curvas límite existen infinidad de ellas, correspondientes a
todas las temperaturas comprendidas entre 25 y 60 °C, pero carecen de interés práctico ya que lo
que interesa es conocer el comportamiento del diodo en régimen de trabajo a la temperatura de
unión normal y a la temperatura máxima admitida por la unión.
230
DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA
En la figura 11.8 puede verse una de estas curvas, en la que TC0 es el coeficiente de tempera
tura que se mide en (pF/pF)/K.
Así, el coeficiente de temperatura del diodo, con 3 V de tensión inversa, es de 2,8 x 10“¿ apro
ximadamente, y con 7 V es de 1,9 x 10"4. Ello quiere decir que la capacidad del diodo varía en esos
factores por cada grado centígrado (o Kelvin) de temperatura de la unión, de lo que se deduce que
cuanto mayor sea la tensión inversa aplicada menor será el coeficiente de temperatura y, por lo tan
to, menos variará la capacidad del diodo respecto a la nominal.
RELACIÓN DE CAPACIDAD
La relación de capacidad es uno de los parámetros Importantes que deben ser considerados al elegir
un diodo varicap para un circuito, ya que mediante ella se conoce cuántas veces es mayor la capaci
dad del diodo ai aplicarle una tensión inversa de valor superior a otra tomada com o referencia.
Esto es muy importante, ya que conociendo esta relación se puede diseñar correctamente un
circuito de sintonía de forma que cubra toda una gama de frecuencias.
Efectivamente, supóngase que debe diseñarse un sintonizador para la banda I de VHF de tele
visión, la cual cubre las frecuencias comprendidas entre 48,24 y 67,75 MHz.
Para diseñar correctamente el circuito es preciso que la capacidad del diodo varíe en el interva
lo adecuado, pues si es corto no cubriría toda la. banda y si es muy amplio entraría en la banda II
de emisiones de radio en FM.
La relación de capacidad se expresará pues medíante la fórmula:
- Cd(VR1)
0 i(V R 2 )
Donde C(J(VR,j es la capacidad del diodo a la tensión inversa más pequeña y Cd(Vn2) es la capacidad
del diodo a la tensión inversa mayor.
Así, por ejemplo, el diodo varicap BB105A presenta una capacidad de 11,5 pF cuando se le
aplican 3 V de tensión inversa, y de 2,5 pF cuando se le aplican 25 V de tensión inversa.
De acuerdo con estos datos, la relación de capacidad de este diodo será de:
. _ C d(VR1) _ H '5 PF „ 4 g
Qí¡vr2) 2,5 pF
Debido a las tolerancias propias de fabricación, esta relación no es exacta, por lo que los fabri
cantes indican en sus catálogos los valores mínimo y máximo admisibles a una frecuencia dada.
Así, el diodo BB134 que se ha puesto de ejemplo anteriormente tiene una relación de capacidad a
1 MHz comprendida entre 8,9 y 12.
231
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
El diodo varicap se debe elegir de acuerdo con la gama de frecuencias con las que debe trabajar.
En líneas generales, se puede decir que diodos varicap con una capacidad máxima de 16 pF se
utilizan para sintonizadores de UHF (400 MHz a 900 MHz), los de hasta 70 pF se emplean en los
sintonizadores de VHF (30 MHz a 300 MHz); y los de hasta 500 pF en los sintonizadores de los re
ceptores de radio de onda larga, media y corta.
De todas formas, y a título orientativo, a continuación se reseñan algunos diodos varicap fabri
cados por la firma P especialmente diseñados para diferentes bandas, debido a los valores de
h il ip s
Los diodos conmutadores de banda no son otra cosa que determinados modelos de diodos recti
ficadores de pequeña señal en los que se aprovecha cierto grado de variación de su capacidad,
por lo que también son considerados como diodos varicap, como por ejemplo el BA102, el cual
presenta una relación de capacidad inferior a 0,7 para una tensión inversa entre 10 y 4 V, y puede
ser aprovechado para el CAF en receptores de televisión.
Se trata pues de diodos varicap cuya capacidad en sentido inverso es muy pequeña, del orden
de 1,3 pF cuando se les aplica una tensión Vfí de 0,1 V, y de unos 0,8 pF cuando la tensión Inver
sa aplicada es de 30 V.
estas curvas características con la de la figura 11.5 se aprecia que la única diferencia entre estos
diodos se encuentra en los valores de sus límites de capacidad.
La función de estos diodos es la de conm utador de bandas; los que se han puesto de ejemplo
se utilizan para conmutar las bandas I y III de VHF de televisión.
Dado que las curvas características técnicas de estos diodos son las mismas que las estudia
das para los diodos varicap, no creemos necesario repetirlas aquí.
232
DIODOS VARICAP Y CONMUTADORES DE BANDA
Los diodos varicap se identifican mediante las letras BB y un número de serie dado por el fabricante.
La primera B indica que se trata de un dispositivo semiconductor de silicio y la segunda B que
es un diodo de capacidad variable.
Además, los diodos rectificadores de pequeña señal, en los que se aprovecha cierto grado de
variación de capacidad y, por lo tanto, se consideran diodos varicap, seidentifican con la letra A
como segunda letra de código, como por ejemplo el BA682, por loque también sepuede consi
derar como un diodo de capacidad variable.
En ocasiones, al código expuesto se le añade un punto de color que indica variantes sobre el
modelo principal.
Asi el diodo BA102 se fabrica en diferentes versiones según su capacidad, con VR = 4 V y
f = 0,5 MHz, identificándose mediante puntos de color sobre su cuerpo según el siguiente código:
punto blanco: Cd = 20 a 24 pF
punto amarillo: Cd = 24 a 30 pF
punto azul: Cd = 30 a 37 pF
punto verde: Cd = 37 a 45 pF.
En la figura 11.10 se han dibujado las cápsulas más utilizadas para los diodos varicap y conm uta
dores de banda, con indicación de su denominación y dimensiones.
Como se puede comprobar, también en el caso de los diodos varicap se tienen cápsulas para
montaje superficial (SMD), empleadas en circuitos electrónicos muy complejos y compactos, como,
por ejemplo, en cámaras de vídeo.
Para terminar, diremos que, al igual que cualquier otro diodo semiconductor, el cátodo de los
diodos varicap viene indicado mediante un aro (normalmente blanco) rodeando el cuerpo del com
ponente por la parte más cercana al terminal del cátodo, y que debe prestarse sumo cuidado en
su conexión al circuito, ya que al cátodo se le debe aplicar tensión positiva para que el diodo que
de polarizado en sentido inverso.
2,6 _
máx
28 min
O 4,8 máx 28 mín
1 0,81
i máx
1,00
máx
0,55
0.40
233
Diodos emisores de luz
INTRODUCCIÓN
Los diodos emisores de luz, conocidos popularmente como LED (abreviatura inglesa de Light Emit-
ter Diode), son diodos semiconductores capaces de radiar luz cuando por ellos circula una co
rriente eléctrica en sentido directo.
Son muy utilizados en los aparatos electrónicos como elementos indicadores luminosos: de
puesta en marcha de aparatos, de recepción de emisiones de FM estéreo, de sintonía en vídeos,
del nivel de señal en aparatos de alta fidelidad, etc., por citar algunas de las más conocidas apli
caciones.
La popularidad de los LED se debe a una serie de ventajas sobre las pequeñas lámparas in
candescentes o de neón que se utilizaban en los orígenes de la electrónica, que se pueden resu
mir en:
Pero no sólo por estas razones los modernos circuitos electrónicos se diseñan con estos dio
dos. existe otra importante ventaja consistente en la posibilidad de disponer varios pequeños diodos
en un único chip, en un orden determ inado que luego se expone, que recibe el nombre inglés de
display, y con el que es posible (con ayuda de codificadores integrados adecuados) visualizar sig
nos alfanuméricos.
Esto permite la realización de relojes digitales luminosos, por ejemplo para radiorreceptores y ví
deos, indicación de canales de televisión, etc., de pequeñas dimensiones y gran claridad de lectu
ra tanto de día como de noche.
CONSTITUCIÓN DE UN LED
Todos los LED se fabrican con semiconductores compuestos con el gallo como elemento prin
cipal, es decir, no se fabrican diodos emisores de luz dé germanio ni de silicio.
El motivo de ello es que el ojo humano sólo es sensible a una reducida parte del espectro de ra
diaciones electromagnéticas (frecuencias con longitudes de onda comprendidas entre 780 y 380 nm),
lo que corresponde a una energía de, aproximadamente, 1,8 a 3,1 eV entre las bandas de con
ducción y valencia. NI el germanio ni el silicio poseen una separación entre la banda de valencia y
de conducción con estos valores, por lo que no son materiales adecuados para generar radiacio
nes dentro del espectro visible.
Existen también LED fabricados con GaAs que generan radiaciones con longitudes de onda por
encima de los 780 nm (hasta los 930 nm), que entran dentro del espectro de frecuencias no visi
bles (infrarrojos), y que son muy utilizados en aparatos de mando y control a distancia.
En la tabla 12.1 se relacionan los materiales compuestos más utilizados en la fabricación de dio
dos emisores de luz, así com o las características principales de la luz que producen.
Se comprueba en la tabla 12.1 que en unos diodos emisores de luz se utiliza el GaAs y en otros
el GaP.
Los de GaAs reciben el nombre de semiconductores directos, y en ellos un electrón puede caer
directamente desde la banda de conducción a la de valencia, en cuyo caso la energía desprendida
lo hace en forma de fotón.
Material X Color de
(mm) la luz
236
DIODOS EMISORES DE LUZ
Terminal
Placa de reflexión
del ánodo
tallada en el
terminal del cátodo
La forma constructiva de la figura 12.2 es la más popular, aunque también se fabrican en otros
tipos de cápsulas de dimensiones más o menos grandes (figura 12.3).
Dado que el LED funciona con polarización en sentido directo, puesto que en el inverso queda
bloqueado y no radia luz, es preciso indicar y tener en cuenta el terminal del cátodo.
237
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Éste se identifica de diversas formas, tales como mediante un terminal de conexión más corto
que ei del ánodo; o disponiendo una pequeña pestaña en el terminal del ánodo o en el lado de la
cápsula correspondiente al mismo; o por cualquier otro sistema.
Se fabrican también cápsulas conteniendo dos LED de distinto color (por ejemplo rojo y verde).
Estos diodos están conectados en antlparalelo, de forma que cuando por uno circula corriente el
otro queda bloqueado y viceversa. De esta forma es posible cambiar el color de la luz cuando cam
bia el sentido de la corriente, lo cual puede ser útil en ciertas aplicaciones (figura 12.4).
Displays de LED
Los displays están formados por diodos emisores de luz, dispuestos en el Interior de una cápsula
y en un orden determinado, de forma que al hacer pasar o no la corriente por cada uno de ellos, y
de acuerdo con un código, formen caracteres numéricos o alfabéticos (figura 12.5).
Los displays numéricos están formados por siete segmentos y un punto (que corresponde al
punto decimal), sumando un total de ocho diodos emisores de luz.
Los alfanumérlcos tienen un mayor número de diodos emisores de luz, con el fin de poder for
mar con ellos cualquier carácter alfabético.
Los displays se fabrican en diferentes tamaños, y se construyen con segmentos emisores de luz
alargando ópticamente la superficie emisora de luz de un único chip LED. En la figura 12.6 se pue
de ver un detalle de la forma constructiva de uno de estos segmentos.
Terminal
de sujeción
12.6 Dibujo esquematizado
en sección transversal Terminal P°r opoxy Terminal
de un segmento de display. de ánodo conductor) de cátodo
238
DIODOS EMISORES DE LUZ
El chip de! LED se dispone en el fondo de una cavidad reflectora, que luego se rellena de resi
na epoxy con partículas difusoras de luz.
La luz emitida por el LED se distribuye así de forma uniforme por la totalidad del área emisora,
obteniéndose una intensidad de luz constante desde cualquier ángulo con el eje, es decir, el seg
mento queda Iluminado uniformemente aunque el origen de la radiación luminosa sea el pequeño
chip situado en el fondo.
Con el fin de facilitar la conexión del display, se unen interiormente todos los ánodos o todos los
cátodos, dando lugar a displays con ánodo común o a displays con cátodo común. El empleo de uno
u otro tipo depende del tipo de señal del descodificador (positiva o negativa) que activará los diodos.
Se fabrican también displays en los que se Incorporan, dentro de la misma cápsula, resistencias
limitadoras de corriente, con lo cual se simplifica el montaje del display en el circuito impreso y, ade
más, se ahorra espacio en éste.
Chip LED
Encapsulado
del display
Terminal 12.7 Construcción típica de
de sujeción un display de siete segmentos.
En la figura 12.7 se puede ver el corte en sección de un display de siete segmentos, en la que
se observa perfectamente la disposición de dos cavidades formando ángulo recto.
Los displays de gran tamaño disponen de dos o más chips de diodos emisores de luz por seg
mento, ya que uno solo es insuficiente para iluminar todo el segmento.
Cada uno de los segmentos que forman el carácter numérico se denomina con una letra (figu
ra 12.8).
_A_
El lc
I
D
I mp
12.8 Cada uno de ios
segmentos de un display
se identifica por una letra.
Combinando ordenadamente las tensiones directas aplicadas a los ánodos puede formarse
cualquier carácter. En la figura 12.9 se muestra cómo se forman las cifras del 0 al 9. Para ello, debe
aplicarse polarización directa a los segmentos adecuados según se Indica en la tabla 12.2.
n i j j uc l ¡u u
/_/ IL J I J Ll IU J
12.9 Constitución de las cifras 0 a 9 en un display con diodos emisores de luz.
239
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
¡ftJ IJ i
c 0
.. ,'
. É. F G f|§¡
• • • • • • 0
• • 1
• • • • • 2
• • • • • 3
• • • • 4
• • • • • 5
• • • • • • 6
• • • 7
• • • • • • • 8
• • • • • • 9
• punto decimal
Finalmente en la figura 12.10 se ha dibujado el símbolo del circuito electrónico equivalente del
dispiay, que consta de ocho LED, con sus respectivas conexiones exteriores de los ánodos y un
cátodo común a todos ellos.
A o Bo C Do E Fo f i o POO
Los displays citados son los más corrientes, sin embargo se fabrican displays en los que se re
presentan otras figuras no alfanuméricas, como por ejemplo una serie de segmentos verticales y
paralelos entre sí, medíante los cuales es posible realizar vúmetros luminosos para equipos de alta
fidelidad.
Para el correcto funcionamiento de un LED es preciso tener en cuenta una serie de características
técnicas que son facilitadas por los fabricantes, mediante valores numéricos o mediante curvas ca
racterísticas.
Estas características hacen referencia tanto a la parte eléctrica como a la radiación luminosa
producida, siendo las más importantes las siguientes:
240
DIODOS EMISORES DE LUZ
(mA)
Hasta que no se alcanza un determinado valor de tensión directa [Vf) no se inicia la circulación
de corriente ( I F), al igual que en cualquier otro diodo semiconductor, y sobrepasado el codo de la
curva la corriente / F aumenta rápidamente de valor al aumentar ligeramente la tensión l/F.
Destaca en estas curvas, comparándolas con las de los diodos de silicio, que al ser el material
base el galio se precisa una mayor tensión directa para que pasen a conducir (unos 0,6 a 0,7 V en
los de silicio, y unos 1,3 V a 1,6 V en los de galio).
En las curvas de la figura 12.11 es necesario destacar:
1. Los LED de arseniuro de galio precisan de menor tensión en sentido directo para entrar en
conducción.
2. La resistencia dinámica de los diodos de arseniuro de galio es más pequeña que la de los
de fosfuro de galio.
Efectivamente, cada LED precisa de un valor de tensión directa, y presenta una resistencia di
námica que viene dada por los materiales utilizados en su fabricación y por un conjunto de pará
metros tales com o la geometría y área de la unión.
La resistencia dinámica (fís) es igual al cociente de la variación de tensión directa por la varia
ción de intensidad directa, es decir,
El diodo emite luz cuando la tensión directa a él aplicada supera el codo de su curva caracte
rística I F = f(VF), es decir, cuando circula corriente por la unión. Este valor de intensidad en sentido
241
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
de paso es del orden de 2 a 50 mA, según modelo, para que el diodo comience a emitir radiacio
nes luminosas.
Lógicamente la corriente directa no puede superar ciertos valores sin que corra peligro el LED
ya que, al igual que cualquier otro componente, los LED soportan hasta un límite de potencia de di
sipación (dada por el producto l/F/ F).
Con este fin, los fabricantes indican en sus catálogos la máxima tensión directa que puede apli
carse a un LED para una intensidad de corriente dada. Así, por ejemplo, el diodo emisor de luz
CQV70 soporta una tensión directa máxima de 2,1 V con una intensidad de corriente I F de 10 mA,
siendo la intensidad de corriente máxima en sentido directo de 30 mA.
Durante un breve instante, el diodo es capaz de soportar una elevada intensidad de corriente en
sentido directo, que en ocasiones puede alcanzar valores elevados. Así, los LED de la serie MV5025
son capaces de soportar en sentido de paso una intensidad de pico de 2 A, siempre que este pico de
corriente sea un impulso de 1 |as y que no se produzcan más de 300 impulsos por segundo.
h 2.0
(mcd)
1.8
2 1,6
03 <
? E 1,4
1,2
<5 «.
s •§ 1,0
0.8
■§ e
3c oe U.b
c 0,4
0.2
12.12 Curva característica 5 10 15 20 25 30
7V = f(If) de un LED. If (mA)
1,1
1,0
<■
o
.2 >-
O «3
<s
Nj
242
DIODOS EMISORES DE LUZ
lor de pico de la corriente directa, es decir, la eficiencia relativa (intensidad luminosa por unidad de
corriente) en función de la corriente de pico.
Esta curva se genera variando sólo el valor de pico de la corriente directa, manteniendo cons
tante el valor medio de la comente directa. De ella se deduce que el funcionamiento de unLED es
más eficaz si la corriente directa que por él circula es pulsante.
Tensión inversa
Como cualquier diodo semiconductor, los LED poseen un límite de tensión inversa de salida, so
brepasada la cual el diodo puede quedar destruido.
Esta tensión oscila, normalmente, entre 1,6 y 3 V, por lo que deberá evitarse sobrepasar estos
valores.
En esta curva se lee que hasta unos 25 °C la corriente directa permanece prácticamente cons
tante (en este caso en 25 mA). De 25 °C a 85 °C la corriente I F decrece rápidamente con el au
mento de temperatura, y a 85 °C la corriente directa queda anulada.
243
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
140
120
100
80
60
40
-55 -25 0 +25 +50 +75 +100
U (° C )
<r>
(mW)
80
70
60
50
40
30
12.16 Curva característica de 20
la potencia de radiación de salida 10
en función de la intensidad de 0
corriente directa. 0 10 20 30 40 J f (mA)
244
DIODOS EMISORES DE LUZ
En la figura 12.16 una intensidad directa de 20 mA da lugar a una potencia de radiación de sa
lida de 35 (iW. Al doblar la Intensidad de corriente directa se dobla la potencia de radiación de
salida, es decir, que esta curva característica es lineal.
5a
•§
Xa
•5¡
En esta curva característica se comprueba que, con impulsos de corriente de 200 mA, cuyo va
lor medio sea el nominal del diodo, la potencia de salida son picos de 0,4 mW. Sin embargo, la cur
va deja de ser lineal a partir de impulsos de corriente de 400 mA, puesto que los picos de la p o
tencia de salida apenas si crecen de valor al aumentar el valor de los impulsos de corriente.
Distribución espacial
Si se observa un LED desde distintos ángulos y a la misma distancia, se comprueba que la máxima
luminosidad se obtiene cuando el ojo se encuentra en la vertical del diodo. Esto puede represen
tarse mediante la curva de la distribución espacial de la figura 12.18.
En la curva característica de la figura 12.18 se observa que, con un ángulo de incidencia de 0o, es
decir, con el ojo situado en el eje de simetría vertical del diodo, la intensidad luminosa percibida es del
100 %. A medida que el ojo se desplaza del citado eje de simetría, hacia un ángulo de 90° con res
pecto al mismo, la intensidad luminosa percibida desciende hasta anularse por completo a 90°.
o° 10° 20°
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
245
ELECTRÓNICOS
Así, por ejemplo, si el ojo forma con el eje de simetría del diodo un ángulo de 40° la intensidad
luminosa que percibe es de, aproximadamente, el 35 % del valor nominal, por lo que si el diodo ra
dia con una intensidad de 1,5 mcd, en dicho ángulo la intensidad luminosa será de sólo 0,53 mcd.
Estas curvas son muy importantes a la hora de elegir un LED, ya que si éste ha de disponerse
como elemento señalizador dentro de un ambiente luminoso y el observador no siempre se en
cuentra en la vertical del diodo, sino en un ángulo pronunciado con respecto a él, puede que no
perciba la iluminación del mismo. En este caso debe elegirse un diodo cuya distribución espacial
sea lo más omnidireccional posible.
En ocasiones los fabricantes indican en sus catálogos este parámetro mediante valores numé
ricos, en cuyo caso indican el ángulo en el cual la intensidad luminosa alcanza el 50 % de su valor
SOD -63
SOO -76
JS
,v
S G D -S 5
nominal. Así, por ejemplo, en el diodo CQY11C se percibe una intensidad luminosa del 50 % de su
valor nominal cuando el ángulo de visión es de 7o, mientras que en el CQY49B es de 80°, de lo cual
se deduce que con el CQY49B se percibe mejor su luz desde cualquier ángulo.
Tanto los diodos emisores de luz como los displays se identifican mediante dos letras y un número
de serie formado por una letra y dos cifras.
La primera letra es una C, puesto que se trata de un dispositivo que utiliza materiales con un
margen de banda de menos de 0,6 eV, tales como el arseniuro de galio.
La segunda letra es una Q, ya que en el código de designación de elementos semiconductores
esta letra identifica a los elementos generadores de radiaciones; en este caso radiaciones luminosas.
El número de serie, precedido de una letra (Y o X) indica que se trata de un componente para
aplicaciones profesionales, aunque en la actualidad está muy extendida su utilización en aparatos
electrónicos de consumo (radio, televisión, vídeo, etc.).
Para finalizar, en las figuras 12.19 y 12.20 se han dibujado las cápsulas más comunes de diodos
emisores de luz y displays realizados con esta clase de diodos, con indicación de su denominación
y dimensiones en milímetros.
IM
17.0
A / 9.65 5.0
i
fI j 7 I b 0.5Í mln
7.6 i l í
0.50
: U :D I3 0.30
9.65 2.54 1.40 12x2.54
5.7 máx 0.90
4.0
11.0 Q 10,20
3,2
llt 95
4.95 5. 151
247
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
CQY84 CQY84
| 12____ 28.32máx 29.6
8,0
6,0
! í
0,51 mín
C0X85 CQX85
24,5 máx 29,6
8.0
MT
1 16x2,54
025$,
0,38
5,08
máx
248
Transistores bipolares
INTRODUCCIÓN
La palabra transistor está compuesta por la unión de las palabras transferencia y resistor, ya que el
funcionamiento de un transistor se basa en una transferencia de energía por medio de unas varia
ciones de resistencia.
En el estado actual de la tecnología los transistores se dividen en dos grandes grupos:
• Transistores bipolares.
• Transistores unipolares.
Sea una unión PN a la que se agrega un nuevo cristal tipo N que haga contacto con el cristal P (fi
gura 13.1a).
En esta circunstancia el cristal P queda entre dos cristales N (figura 13.1c). El mismo resultado
se obtiene si dos uniones PN se unen por el cristal P (figura 13.1 ó).
Esta unión de tres cristales constituye el transistor, que en este caso es del tipo NPN, ya que el
cristal P es común a las dos uniones PN.
Bajo el mismo principio constructivo, pero utilizando como cristal común de las dos uniones PN
el cristal N, se forma el transistor PNP (figura 13.2).
El cristal común a las dos uniones del transistor recibe el nombre de base. Los otros dos cris
tales extremos se denominan colector y emisor respectivamente.
y
p N P
c) c)
249
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Supongamos un transistor NPN, al que se le aplica una tensión negativa a la base con respecto al
emisor (figura 13.3).
En esta circunstancia la zona Z¡ de la unión emisor-base adquiere un valor de elevada resisten
cia óhmica, puesto que los electrones libres dél cristal N son atraídos por el potencial positivo de la
fuente de alimentación, y los huecos del cristal P por el negativo de la misma fuente, desapare
ciendo de la zona Z, los portadores de carga. Se trata pues de un diodo polarizado en sentido in
verso, por lo que la corriente a través de la unión será prácticamente nula.
Z, Zg
Si se polariza dicha unión en sentido directo, es decir, con el positivo de la fuente de alimenta
ción aplicado al cristal P y el negativo al N, la unión Z, adquiere un valor de resistencia muy bajo,
ya que los electrones del cristal N y los huecos del cristal P son repelidos por el negativo y el posi
tivo de la fuente de alimentación, respectivamente, hacia la zona Z,, en donde se recombinan. La
fuente de tensión continúa suministrando electrones al cristal N, por lo que se establece un paso
continuo de corriente eléctrica a través de la unión (figura 13.4).
Z, Z,
Emisor Colector
H
13.5 Si entre base y colector de un transistor 13.6 Si entre base y colector de un transistor
NPN se aplica una tensión en sentido inverso, NPN (unión Z2) se aplica una tensión en
se forma una barrera en la unión Z2 que sentido directo, circula una corriente eléctrica
impide la circulación de la corriente eléctrica. a través de la unión.
250
TRANSISTORES BIPOLARES
Supóngase ahora un transistor NPN al que se le aplica una tensión continua entre emisor y colec
tor, de forma que el polo positivo quede aplicado al colector y el negativo al emisor (figura 13.7).
Con esta polarización, los electrones libres del emisor (cristal N) los repele el polo negativo, mien
tras que los electrones libres del colector (cristal N) los atrae el polo positivo. De todo esto se deduce
que se produce un desplazamiento de las cargas en sentido emisor a colector.
A pesar de ello, los electrones del emisor no poseen la suficiente energía para atravesar las
uniones Z, y Z 2, las cuales, al ser zonas aislantes sin portadores de carga, entorpecen el paso de
la corriente. La corriente a través de los cristales es, por tanto, muy pequeña, considerándose a
efectos prácticos como una pequeña corriente de fuga.
La principal barrera que se opone al paso de los electrones hacia el polo positivo la constituye la
unión Z,, ya que una vez atravesada ésta los electrones se encontrarán bajo la Influencia del campo
eléctrico del polo positivo de la fuente de alimentación y atravesarán sin dificultad la unión Z 2.
Para eliminar la barrera Z, basta con polarizar en sentido directo la unión base-emisor (figura 13.4).
Así pues, si se aplican los potenciales representados en la figura 13.8 a cada uno de los cristales
del transistor, queda eliminada la barrera Z v y los electrones libres del emisor la atraviesan, siendo
atraídos por los potenciales positivos de la base y del colector.
Emisor ) | Colector
N P i N ,
'i w r
Base
I r U 13.8 Si se polariza un transistor
NPN en la forma indicada en la
H illl figura, éste pasa a ser conductor.
Dado que el potencial positivo del colector es mucho mayor que el de la base, ya que el de ésta
sólo sirve para eliminar la barrera Z, (unos 0,7 V en transistores de silicio), los electrones se sienten
más atraídos por el colector, por lo que se obtiene una elevada corriente de colector (Jc) y una pe
queña corriente de base ( Í B).
La corriente de emisor ( / E) es igual a la suma de las corrientes de colector y base, tal y como
se deduce de las leyes de Kirchhoff:
= +
Naturalmente, la cuantía de electrones que se dirigen hacia el colector o hacia la base depende
de la proporción en que el colector está polarizado más positivamente con respecto a la base, de
forma que si las dos tensiones son iguales, prácticamente ningún electrón se dirige hacia el colec
tor por estar éste más alejado.
Si en lugar de una tensión positiva con respecto al emisor se le aplica a la base una tensión ne
gativa con respecto al emisor, la unión Z. queda polarizada en sentido inverso y, como consecuen
cia, no circula corriente alguna por el transistor (figura 13.9).
251
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
- iiu
En resumen, en un transistor NPN se obtiene paso de corriente entre emisor y colector cuando
a la base se le aplica potencial positivo con respecto al emisor, y se consigue un bloqueo al paso
de la corriente cuando a la base se le aplica un potencial negativo con respecto al emisor.
Todo lo expuesto es válido para los transistores PNP, con la diferencia de que en éstos la con
ducción se produce cuando se aplica tensión negativa al colector con respecto al emisor y una ten
sión también negativa, aunque de inferior valor, a la base con respecto al emisor (figura 13.10).
En el caso de polarizar la base positivamente con respecto al emisor, la unión Z, se hace in
franqueable para los electrones libres del emisor, ya que la unión base-emisor del transistor PNP
queda polarizada en sentido inverso y, por lo tanto, la corriente de colector será nula (figura 13.11).
Z, Z,
- lI Colector
Emisor I Colector Emisor j ■ »
< N i P
N
Base
! p
i
Base
i
1
J llll- I lililí
En las figuras 13.12 y 13.13 se han dibujado los símbolos representativos de los transistores
NPN y PNP respectivamente. En ellos el emisor se simboliza con una punta de flecha, igual que el
ánodo de un diodo. Si el transistor es un PNP la punta de flecha señala hacia la base, ya que, al igual
que los diodos, la punta de flecha indica que se trata de un cristal P. La punta de flecha en sentido
opuesto a la base nos indica que se trata de un cristal N.
Emisor Emisor
Base
Base O
€>
Colector Colector
252
TRANSISTORES BIPOU\RES
Para la polarización correcta de un transistor deberán tenerse presente los siguientes puntos:
• A l emisor debe aplicársele polaridad del mismo signo que el cristal que lo constituye. Si es
un cristal N se le aplica polaridad negativa, y si es un cristal P polaridad positiva.
• A la base también se le aplica polaridad del mismo signo que el cristal que la constituye. Este
potencial debe ser menor que el aplicado entre colector y emisor.
• Al colector se le aplica potencial opuesto al cristal que lo constituye. Si es un cristal N se le
aplica polaridad positiva, y si es un cristal P se le aplica polaridad negativa. Este potencial
debe ser mayor que el aplicado entre base y emisor.
El material del emisor y colector se obtiene al soldar las puntas con el material base mediante
un impulso de corriente, lo que tiene por efecto que éstas introduzcan impurezas en el cristal de
base, creando zonas de unión alrededor de dichas puntas, de naturaleza opuesta a la de la base.
En la figura 13.15 se muestra un corte esquemático de un transistor de puntas de contacto, in
dicando sus partes constituyentes.
Transistor de unión
Se denominan transistores de unión a todos los que están formados por capas superpuestas de
material semiconductor.
253
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En la figura 13.16 se muestra la forma constructiva de un transistor de unión, formado por una
placa de semiconductor tipo N de 0,2 mm de espesor, que constituye la base, sobre cuyas caras
se aplican el emisor y el colector en forma de dos bolitas de material P (generalmente aluminio en
los transistores de silicio).
La penetración en el cristal de la citada Impureza se regula de forma precisa, de manera que la
separación entre el emisor y el colector sea de tan sólo 50 ¡um.
Debido al grueso de la unión, las capacidades interelectródicas de estos transistores son relati
vamente elevadas, lo cual limita su empleo a frecuencias Inferiores a 20 MHz.
Como ventaja cabe destacar que admiten mayores intensidades de corriente, lo que permite su
utilización en etapas amplificadoras de potencia.
El cristal de colector es mayor que el de emisor (figura 13.16), de forma que en la unión de c o
lector se recogen mejor los electrones que dan lugar a la corriente I c del transistor.
En la figura 13.17 se muestra el corte esquematizado de un transistor de unión, con Indicación
de todas sus partes constituyentes.
h*
r
13.17 Corte esquemático de un
transistor de unión. 1) Cápsula
metálica o de resina epoxi. l I
2) Grasa protectora de silicona.
3) Sujetador de plástico. w - —J
4) Tapón soporte de resina epoxi.
5) Transistor. 6) Terminal de
conexión del emisor. 7) Terminal
de conexión de la base.
8) Terminal de conexión
del colector.
Para finalizar, diremos que se fabrican transistores de unión para pequeñas y grandes poten
cias, dependiendo del refuerzo de las uniones y de la preparación del conjunto para la evacuación
del calor.
Los transistores de unión se fabrican con la técnica de la difusión cuando han de ser utilizados
para trabajar en RF, ya que esta técnica permite realizar uniones de reducido espesor. Sin embar
go, y debido a los avances tecnológicos de los últimos años, es posible la fabricación de transisto
res de silicio por la técnica de la difusión tanto para alta como para baja frecuencia, pequeña o gran
potencia, realizándose tipos capaces de trabajar perfectamente en etapas de potencia de RF.
La técnica de la difusión en sus distintas variantes es, pues, la más utilizada hoy en día en la fa
bricación de transistores de silicio.
254
TRANSISTORES BIPOLARES
Una vez realizadas todas las operaciones de difusión, se recubren las ventanas con un sustra
to de óxido de silicio.
Sobre esta última capa se practican ventanas, que servirán para establecer los contactos exte
riores para los terminales de base y emisor. En la parte inferior de la plaqueta de silicio se conecta
el terminal de colector.
Según el tamaño y separación entre los cristales que forman el transistor, se obtendrán transis
tores con mayores o menores capacidades interelectródicas, y más o menos capaces de soportar
elevadas intensidades de corriente eléctrica.
Los transistores planares de potencia pueden fabricarse tanto en versión PNP como en versión
NPN, admitiendo tensiones de unos 100 V e intensidades máximas de corriente de unos 10 A.
Transistor homotaxial
El transistor homotaxial, denominado también de difusión única, se fabrica a partir de una plaqueta
de material P homogénea sobre la que, al contrario del planar, no se forma ninguna capa de óxido.
Durante el proceso de difusión, el material donador penetra en el interior de la plaqueta por am
bos lados, formando así el emisor y el colector. El material P entre ambas capas constituye la base
del transistor.
Para reducir al máximo posible la caída de tensión en sentido directo del colector, se elimina,
mediante ataque químico, una delgada capa de material de la parte del colector.
Estos transistores resultan extraordinariamente robustos y adecuados para trabajar con eleva
das intensidades de corriente, por lo que resultan idóneos para trabajar en etapas amplificadoras de
potencia en BF.
Debido al gran espesor de la base, la frecuencia de transición (producto de la ganancia por el an
cho de banda) no es muy elevada (del orden de 1 MHz), y las tensiones admisibles pueden llegar a ser
de hasta 100 V.
Los transistores homotaxiales sólo se suministran en versión NPN.
255
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Una vez efectuado el proceso descrito, la capa base se recubre con óxido de silicio.
El emisor se obtiene practicando una ventana, mediante proceso fotoquímico, sobre la capa de
óxido de silicio y difundiendo el emisor sobre la base.
Las conexiones externas de la base y el emisor se realizan a través de ventanas obtenidas me
diante operaciones de oxidación y fotograbado.
Dado que el proceso de formación de la base es, en este tipo de transistores, muy lento, el es
pesor de la misma puede ser controlado con gran precisión, por lo que pueden obtenerse bases
de espesores muy reducidos, permitiendo con ello que las capacidades interelectródicas puedan
ajustarse y fabricar así transistores que trabajan a muy altas frecuencias.
Los transistores de base epitaxlal pueden trabajar con tensiones de hasta 200 V y con inten
sidades de corriente elevadas, lo que los hace especialmente Indicados para trabajar en etapas
de potencia.
La frecuencia de transición máxima de los transistores de base epitaxial alcanza unos 5 MHz.
Se fabrican tanto en versión PNP como en versión NPN.
Existe una gran variedad de cápsulas para transistores, tanto en plástico como en metal (figura 13.19).
El tamaño de la cápsula y de los terminales es una orientación que nos permite, a simple vista,
clasificar a un transistor dentro de los grupos de pequeña o gran potencia. Cuanto mayor sea la in-
Colector
Base Emisor
Colector
Colector
256
TRANSISTORES BIPOLARES
Colector
Emisor,
Base
Emisor Emisor
Colector
13.19 Dibujo de algunas de las cápsulas utilizadas en transistores (continuación). En este caso, se trata
de cápsulas para montaje superficial (SMD), de dimensiones muy reducidas.
tensidad de corriente admisible por el transistor, mayor deberá ser la sección de sus terminales y
mayor el tamaño de la cápsula para una mejor refrigeración. Además, todos los transistores de po
tencia poseen cápsula metálica, ya que el metal es mejor conductor térmico.
En la figura 13.19 se puede ver el aspecto de diversas cápsulas para transistores y en la figu
ra 13.20 se Indican las denominaciones de cada una de ellas y la disposición de los terminales de
colector, base y emisor, así como las dimensiones en milímetros.
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257
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
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258
TRANSISTORES BIPOLARES
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COMPONENTES ELECTRÓNICOS
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TRANSISTORES BIPOLARES
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261
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En muchas ocasiones los transistores han de trabajar con potencias superiores a la máxima ad
misible por ellos, en cuyo caso han de disponerse aletas de refrigeración que se fijan al transistor
mediante un sistema de presión o tornillo.
En el supuesto de utilizar tornillos para sujetar el radiador al transistor, la cápsula de este último
debe disponer de uno o dos orificios que permitan el paso del tornillo (figura 13.21).
Para finalizar con el estudio de las cápsulas utilizadas en los transistores, a continuación se ha
cen algunas observaciones sobre los tipos más corrientes.
Las cápsulas TO 18, TO 39 y TO 92 son de resina epoxi, y se utilizan en transistores para pe
queña señal y baja potencia.
Para medias potencias la cápsula es metálica y puede disponer de orificio para la sujeción de
un radiador (cápsulas TO 12 y TO 220).
Para grandes potencias el tipo de encapsulado es del tipo TO 3 y SOT 93A, en los que el c o
lector va acoplado térmicamente a un gran dispositivo radiador, es decir, que el propio cuerpo me
tálico de la cápsula, que está unido al radiador, hace las funciones de electrodo de colector y, por
lo tanto, el transistor sólo dispone de dos terminales (el de base y el de colector).
El transistor es, sin duda, uno de los componentes electrónicos en los que deben tenerse presen
te más parámetros, razón por la cual este capítulo es algo más extenso.
En un principio se han de considerar las magnitudes eléctricas presentes en un transistor, tan
to en régimen estático como en régimen dinámico.
o~?C
262
TRANSISTORES BIPOLARES
Como se puede apreciar, los símbolos utilizados para designar las tensiones y corrientes de base
y colector van precedidos del signo menos, ya que estos electrodos reciben una tensión negativa
con respecto al emisor (transistor PNP).
Las magnitudes se representan por letras mayúsculas, por tratarse de tensiones y corrientes
continuas, y los subíndices están en mayúscula púr el mismo motivo.
h.
Si en lugar de un transistor PNP, el transistor fuese NPN (figura 13.23), las tensiones y corrien
tes tomarían signo opuesto, es decir:
Obsérvese, comparando las figuras 13.22 y 13.23, que siempre se toma como referencia de me
dida el colector o la base con respecto al emisor, por lo que si, como es lógico, las fuentes de alimen
tación cambian de polaridad según el tipo de transistor, resulta evidente que las tensiones cambia
rán de signo en un transistor NPN con respecto al PNP.
Por el mismo motivo, las corrientes de base y colector son siempre de signo opuesto a la co
rriente de emisor, tanto si el transistor es un PNP como si es un NPN, ya que, como se sabe, / E
siempre es igual a la suma de I B + I c y, por la ley de Kirchhoff, la suma de todas las corrientes que
llegan y salen de un punto de un circuito es igual a cero.
Se entiende por régimen dinámico el estado de funcionamiento de un transistor al aplicarle una
señal alterna entre base y emisor (caso de un transistor m ontado en circuito emisor común).
En las figuras 13.24 y 13.25 se han representado las principales corrientes y tensiones en régi
men dinámico de un transistor PNP y otro NPN, respectivamente.
En ambos casos se trata de corrientes alternas eficaces, por lo que se representan por letras
mayúsculas y subíndices en minúscula. En ningún caso se indica polaridad, puesto que la corrien
te alterna cambia continuamente de sentido.
263
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
I- -HI
Las tensiones y corrientes presentes en los circuitos de las figuras 13.24 y 13.25 son las siguientes:
Así, la tensión entre colector y emisor (-VCE) depende de la corriente de colector (—Jc); la co
rriente de colector (- I c) es, a su vez, función de la corriente de base (—/ B); la corriente de base (—JB)
depende de la tensión entre base y emisor (-\/BE) y, por último, la tensión entre base y emisor
(-V BE) depende, en determinadas condiciones, de la tensión entre colector y emisor (-t/CE).
En resumen, la figura 13.26 se divide en las siguientes cuatro partes:
264
TRANSISTORES BIPOLARES
En el caso de transistores NPN, se obtienen las mismas curvas características, con la única di
ferencia del cambio de signo en todas ellas, como se puede apreciar comparando la figura 13.27
con la 13.26.
Además de estas cuatro curvas características, los fabricantes de transistores proporcionan otras
que permiten estudiar el comportamiento de un determinado tipo de transistor bajo diversos esta
dos de funcionamiento. Todas ellas, así com o otros parámetros de interés para el profesional, se
estudian con detalle en los párrafos siguientes.
265
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
y para diferentes valores de la corriente de base ( Jg), trabajando el transistor con una temperatura
de unión (7") de 25 °C.
Estas curvas se obtienen a temperatura ambiente constante de 25 °C, puesto que, al igual que
cualquier otro dispositivo semiconductor, la temperatura ambiente influye sobre el funcionamiento
del transistor, com o más adelante tendremos ocasión de comprobar.
De las curvas características de salida de la figura 13.28 se deducen los siguientes puntos de
terminantes del funcionamiento del transistor:
1. Para una corriente de base - I B pequeña, por ejemplo de 50 pA (en el caso del transistor que
hemos tom ado de ejemplo), la corriente de c o le c to r- I c apenas si aumenta al aumentar la
tensión entre colector y emisor “ ' ' c e -
Efectivamente, en la figura 13.28 se puede leer que con una corriente de base de 50 pA, y
aplicando una tensión -V CE de 5 V, la corriente de colector es de aproximadamente 8 mA,
y con la misma corriente de base y una tensión -V CB de 15 V (tres veces superior), la c o
rriente de colector pasa a ser de unos 9 mA (sólo 1 mA más).
2. Para elevadas intensidades - I B, por ejemplo de 600 pA, la influencia de la tensión - \ / CE so
bre la corriente - I c de colector es algo más elevada, lo cual puede com probarse en la fi
gura 13.28, ya que en ella - 7 C es de 70 mA para una -V CE de 5 V, y de 86 mA para - VCB de
15 V (siendo la corriente - I B constante en 600 pA).
3. Pequeñas variaciones de la corriente de base se traducen en elevadas variaciones de la c o
rriente de colector, lo cual nos indica el poder amplificador de un transistor bipolar.
13.29 Al aumentar la
corriente de base disminuye
la resistencia de salida del
A Vrt -t'cf(V)
transistor.
Confirmemos esto que se acaba de exponer con ayuda de la figura 13.29, correspondiente a
un transistor NPN de baja frecuencia.
Para ello se supone, en principio, que el transistor recibe una tensión VCE de 5 V, y que la c o
rriente de base, en estado de reposo (sin componente alterna alguna), es de 50 pA.
Si desde el punto de la abscisa que corresponde a 5 V se traza una perpendicular que corte a
la curva I B = 50 pA, y desde este punto de intersección se traza una perpendicular sobre la orde
nada, se obtienen los puntos A, A ' y A ", indicados en la parte inferior de la figura 13.29.
266
TRANSISTORES BIPOLARES
Si se aumenta la tensión ^CE hasta 15 V sin variar la corriente de base, y se procede de la misma
forma, se encuentran los nuevos puntos B, B ’ y B" (asimismo en la parte inferior de la figura 13.29).
Si se prolonga el segmento A ”A, hasta que corte al segmento B'B, se obtiene el punto C de
corte de ambos segmentos (parte inferior de la figura 13.29).
Observando la figura se aprecia que los segmentos AB y AC forman el ángulo a.
La tangente de este ángulo a es igual a:
CB
lg a ‘ CA
o, lo que es lo mismo:
A "B '
tg a - -
w AB
Como A ”B " representa una variación de la corriente de colector (AI c) y A 'B ' una variación de la
tensión entre colector y emisor (A\/CE), sustituyendo valores se tiene:
A "B ” A lc 1
9 a A 'B ’ AVCE Rs 22
En esta fórmula Bs es la resistencia de salida del transistor, y h22 la inversa de la misma,es decir, el
valor a pequeña señal de la admitancia de salida en montaje emisor común (entrada en circuito
abierto para la corriente alterna).
Veamos ahora, sobre la figura 13.29, el valor de la resistencia de salida (fíg) del transistor cuan
do la corriente I B permanece constante en 50 pA, y la tensión ^CE sube de 5 a 15 V.
En este caso, y para ^CE = 5 V, la corriente de colector es de, aproximadamente, 12,5 mA,
mientras que cuando t7CE alcanza los 15 V la corriente de colector sube a 15 mA.
Con estos datos se obtiene una resistencia de salida de:
A IC 1 5 m A - 1 2 ,5 m A 2,5 mA 1
tg a = c -
AÍ/CE 15 V - 5 V 10 V fís
De donde:
AVrc 10 V
Fts = = ATT- * = 4 ^
A lc 2,5 mA
A;c 2.500 pA
= - iov = 2 5 0 >lA A '
Los valores hallados corresponden a una corriente I B de 50 pA; para una corriente de base dis
tinta estos valores varían.
Efectivamente, supóngase la parte superior de la figura 13.29, en la que se han obtenido los
mismos puntos que en la parte inferior pero para una corriente I B de 400 pA.
En esta circunstancia, las variaciones de tensión t/CE siguen siendo de 10 V, pero la corriente I c
varía ahora entre 75 y 88 mA, es decir, sufre un incremento de 13 mA.
La resistencia de salida vale ahora:
A\/ce 10 V
Bo = — r - = — -— — = 769 Í2
s A Jc 13 mA
267
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
y la admitancia de salida:
AIq 13.000 gA
h22 - = 1.300 \xAN
AV,CE 10 V ~~
Ganancia de corriente
La ganancia de corriente de un transistor se define como la relación entre la corriente de colector
(Jc) y la corriente de base ( Í B).
Existen dos parámetros indicativos de ia ganancia de corriente: uno hace referencia al funcio
namiento en corriente continua y el otro cuando el transistor trabaja com o amplificador de corrien
te alterna.
La ganancia en corriente continua se representa por hFB, y es igual al cociente de dividir la co
rriente continua obtenida en colector por la corriente continua aplicada a la base, es decir,
La ganancia en corriente alterna a pequeña señal se representa por h.e, y es igual al cociente de
dividir la variación de la corriente de colector (AI c) por la variación de la corriente de base (A/g):
h - — -c
A /r
268
TRANSISTORES BIPOLARES
Ic 22 mA „
hf í = ^ p - = — . =440
JB 50 pA
Para una corriente continua I B de 175 pA. la corriente de colector pasa a ser de 67 mA, y la ga
nancia en corriente continua será ahora de:
Para el estudio de la ganancia a pequeña señal [hte) de un transistor utilizaremos las mismas
curvas características de salida de la figura 13.30.
En este caso también se supone una tensión colector-emisor de valor constante (VCE = 5 V),
pero la corriente de base varia entre dos limites, que en nuestro caso hemos establecido entre 50
y 200 pA.
La forma de cálculo es muy similar a la anterior, ya que también se traza una perpendicular a la
abscisa en el punto correspondiente a la tensión t/ce que se toma com o referencia (5 V). Esta per
pendicular corta a las dos curvas extremas I B correspondientes a los valores máximo y mínimo de
la corriente de base (en nuestro ejemplo 50 y 200 pA).
A continuación se trazan proyecciones desde las intersecciones obtenidas hasta la ordenada,
con lo cual se obtienen dos nuevos puntos que corresponden, respectivamente, a las siguientes
corrientes de colector (figura 13.30):
A I B = 200 pA - 50 pA = 150 pA
A / c = 75 mA - 22 mA = 53 mA
A/c_ = 53 mA
10 A /B 150 pA
Los fabricantes indican en sus catálogos los valores típico, mínimo y máximo de ñte correspon
dientes a una frecuencia dada (que suele ser de 1 kHz), y para una corriente de colector y tensión
entre colector y emisor dadas.
Así, los valores mínimo, máximo y típico de ñ,e del transistor BC107B son, según su fabricante,
los siguientes:
269
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
• Para una corriente I c de 2 mA, una tensión VCE de 5 V, y una frecuencia de 1 kHz, la ganancia
mínima en corriente alterna a pequeña señal es de 240, la máxima de 500, y la típica de 330.
En las curvas de la figura 13.31 se puede leer que, para una tensión ^CE de 10 V, al variar la co
rriente de base de 0,5 a 1 mA las variaciones de corriente de colector lo hacen desde unos 33 a
54 mA, por lo que en este caso la ganancia hie vale:
h = A I ^r i —_______________
5 4 m A - 3 3 m A —_______
21 mA _ 40
le A I B1 1 m A -0,5m A 0,5 mA
Si las variaciones de la corriente de base se sitúan entre 1 y 1,5 mA, las variaciones de corriente en
colector lo hacen entre 54 y 70 mA, siendo en este caso la ganancia de corriente a pequeña señal de:
h — A I C2 70 m A - 5 4 m A —________
— _______________ 16 mA —3 2
fe A I B2 1,5m A -1m A 0,5 mA
De esto se deduce que cuanto más cerca esté la señal de entrada del valor JB = 0, y a igual
dad de amplitud de la señal de entrada, mayor será la ganancia del transistor.
Tensión de codo
La tensión de codo (VCEK) de un transistor se define como la tensión \/CE que corresponde a una va
riación brusca de la resistencia de salida.
Para el estudio de este parámetro se recurre a las curvas características de salida del transistor.
Utilizaremos la c u rv a - I c = f{-VCE) que se muestra en la figura 13.32, correspondiente a un transis
tor PNP imaginario. En ella se aprecia que, para bajas tensiones —VCE, existe un codo a partir del
cual la corriente I c decrece rápidamente.
Supongamos un transistor que funciona con una tensión colector-emisor de 5 V, y una corriente de
base de 60 |uA. En esta circunstancia la corriente de colector será, según la figura 13.32, de unos 4,4 mA.
La horizontal que pasa por el punto A forma con la curva característica - JB = 60 gA un ángulo
a que define la resistencia de salida del transistor, es decir:
270
TRANSISTORES BIPOLARES
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 -l/f f (V)
Dado que en este punto el ángulo a es pequeño, también lo es la tangente del mismo, por lo
que el valor de la resistencia de salida f l s será elevado.
Por el contrario, en el punto B. correspondiente a una tensión - l / CE igual a 0,2 V, una corriente
- I c de 3,5 mA, e idéntica corriente - I B de 60 pA, la tangente del ángulo ¡3 es mucho mayor, sien
do por tanto de pequeño valor la resistencia de salida Rs del transistor.
La tensión de codo (t/CEK) se define así como la tensión colector-emisor que corresponde a una
variación brusca de la resistencia de salida.
Para todos los valores de la tensión colector-emisor inferiores a la tensión de codo (~\/CEK) la re
sistencia de salida de! transistor es por tanto muy baja, y también lo será la potencia disipada en él.
Corriente residual
La corriente residual o de fugas ( - / CE0) está causada por los aumentos de temperatura, y su c o
rrecta interpretación y estudio evitará posibles distorsiones de la señal de salida del transistor.
Esta corriente varía considerablemente cuando aumenta la temperatura, por lo que es preciso
tenerla en cuenta al proyectar todo nuevo circuito.
En figura 13.33 se han dibujado con línea continua las curvas características de salida de un
transistor cuando trabaja con una temperatura de unión (T¡¡ de 25 °C, y con línea a trazos las mis
mas curvas cuando la temperatura de la unión sube a 35 °C. Resulta evidente que, a igualdad de
150 —r
T, = 2 5 ° C
- I rc
(mA) 7>35°C
- ' - I e = 7 .0 0 0 p A
271
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Para cada corriente JB se obtiene, lógicamente, un valor de corriente de colector (7C), por lo que
trasladando los valores obtenidos a un sistema de coordenadas cartesianas se obtiene una curva
igual o similar a la de la figura 13.34.
Con esta curva se aprecia perfectamente el curso de I c para diferentes valores de I B, con lo
cual resulta muy fácil deducir las ganancias de corriente hFE y hfe del transistor.
Finalmente diremos que la curva de la figura 13.34 corresponde a untransistor NPN, y que en
el caso de transistores PNP la curva sería la misma pero los valores de I 0,I B y VCE tendrían sig
negativo.
Veamos ahora cóm o se obtienen las ganancias de corriente (hFE y híe) de un transistor a partir
de las curvas características de transferencia. Para ello, en la figura 13.35 se ha trazado una curva
característica- I c = f ( - I de un transistor PNP imaginario.
Para obtener la ganancia en corriente continua del transistor (ríFE) basta con tomar un valor cual
quiera de la corriente de base, por ejemplo 50 |iA (punto A ' de la figura 13.35), y a partir de él se
traza una normal al eje de abscisas hasta que corte a la curva característica en el punto A.
Desde el punto A se traza una perpendicular sobre el eje de ordenadas, leyéndose en éste el
valor de la corriente I c que corresponde a la corriente JB antes citada (punto A ” de la figura 13.35),
y que en nuestro caso es de 3 mA.
Con estos datos se puede calcular la ganancia en corriente continua del transistor, que en nues
tro ejemplo es de:
Ic 3 mA
hFE = ^ = „ . = 60
IB 50 (iA
272
TRANSISTORES BIPOLARES
B"
loT'v A
C\ 1 A”
i N.
B'\ A'
100 90 80 70 60 50 40 30 20 10
Para obtener la ganancia en corriente alterna (/?fe) debe tomarse otra corriente de base y de co
lector, por ejemplo las de los puntos B ' y B " de la figura 13.35, y que corresponden a una - J B de
70 l i A y una - I c de 4 mA.
Como la ganancia de corriente en alterna de un transistor vale:
A/c
h- = — —-
,e AU
BC B "A ” jA/c
tg a =
CÁ B ’A ' A/p
A Ir 4 mA - 3 mA 1 mA
= 50
AIB 70 pA - 50 pA 20 pA
De todo esto se deduce que la pendiente de la curva característica de transferencia expresa las
ganancias de corriente del transistor, siendo tanto mayor la ganancia cuanto mayor sea la pen
diente.
El caso expuesto es siempre cierto en transistores de pequeña potencia, ya que la pendiente de
la curva característica de transferencia en estos transistores es lineal y, en consecuencia, la ganan
cia de corriente apenas varía al cambiar la corriente que circula por la base.
No sucede lo mismo con los transistores de gran potencia, cuya pendiente de la curva - / c = f ( - / B)
adopta la forma representada en la figura 13.36, es decir, una línea más o menos curva.
En el caso de la figura 13.36, cuando la corriente I B varía entre 0,8 y 1 mA, la corriente I c lo
hace entre 55 y 62 mA, mientras que cuando la corriente de base varía entre 1,8 y 2 mA, la de c o
lector lo hace entre 81 y 84 mA.
Por lo tanto, en el primer caso la ganancia de corriente en alterna vale:
EF ETD " A /c 84 mA - 81 mA 3 mA
h fe = tg O. = = 15
~FD ~EVr A/ r 2 mA - 1,8 mA 0,2 mA
273
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
- I B(mA) 2,0 1,8 1,6 1,4 1,2 1,0 0,8 0,6 0,4 0,2
80
160
240
320
400
480
560
640
720
800
13.37 Curvas características de
entrada de un transistor PNP.
Para trazar estas curvas se aplica al transistor una tensión -V cs de valor fijo (en nuestro caso
4 V para la primera curva y 8 V para la segunda), y luego se varía la tensión aplicada a la base
entre 0 V y un valor determinado, que en nuestro ejemplo hemos fijado en 800 mV.
Para cada tensión - V BE se obtiene un valor de - I B, por lo que llevando estos valores a un sis
tema de coordenadas cartesianas se obtienen las curvas de la figura 13.37.
Se puede obtener una familia de curvas tan amplia como se desee, bastando para ello con apli
car tantas tensiones - t / CE como curvas se desee obtener.
En la figura 13.37 se puede leer que cuanto mayor sea la tensión -V CE mayor debe ser la ten
sión - V ' b e para obtener la misma intensidad de base - I B,
274
TRANSISTORES BIPOLARES
□ _ ^ be
r*- t í7
Y como:
AYbe B 'A ’ BC
— — = ---------- = ------- = tq o.
A IB B "A " CA y
se confirma que:
Re = tg a
275
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
FE E’D' At/pE
R^ t 9 a = FD = F T T = A /b =
760 mV - 720 mV 40 mV
130 Q
1.100 pA - 800 |iA 300 pA
1 2 3 4 5 6 7 8 9 Vce
I I
80
160
240
iI *S = 200»A
320
400 I s = 400\iN
ts
480
560
v
640 - h
— ... j a
720
13.39 Curva característica de Ksf ' h
reacción de un transistor NPN. (mV)
Con estas curvas características, se determina la tensión VCE del transistor al aplicarle una de
terminada tensión VBE.
Debido a la poca inclinación de las curvas, cualquier pequeña variación de la tensión VBE se tra
duce en elevadas variaciones de la tensión VCE.
276
TRANSISTORES BIPOLARES
Mediante estas curvas también se puede determinar la realimentación interna (h12e) del transis
tor, la cual viene definida por la igualdad (figura 13.40):
At4B E
=
' 12b “ A t/
a V CE
es decir, como la relación entre las variaciones de las tensiones base-emisor y colector-emisor.
El punto A " de la figura 13.40 corresponde a una tensión VCE de 5 V. Esta tensión es la de re
poso del transistor, es decir, cuando a su base sólo se le aplica la tensión continua de polarización.
La perpendicular desde el punto A " (en el eje -V CE) corta la característica - I B = 100 j.iA en el
punto A.
Trazando una paralela al eje -V CB que pase por el punto A, se obtiene en el eje - V^ el punto A ' ,
correspondiente a una tensión VBE (en reposo) de 600 mV.
Si la tensión VCÍ sube a 10 V, y se procede de igual forma que com o se ha hecho con la tensión
- t / Cf: de 5 V, se encuentran los nuevos puntos fí", B y B ' (figura 13.40), y que corresponden a una
tensión l/0E de 700 mV.
Prolongando la horizontal A'A hasta que corte la recta B"B, el punto de intersección de las mis
mas es el punto C que se indica en la figura 13.40. La tangente del ángulo a vale:
CB A'B'
g a ~ ~CÁ = Á^B"
Y c o m o / v e ' representa las variaciones de la tensión base-emisor, y A "B " las variaciones de la
tensión colector-emisor, se deduce que:
19 “ =
277
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
De la lectura de esta curva característica se deduce que los transistores BC337, BC337A y
BC338 admiten una potencia máxima de 800 mW, siempre y cuando trabajen a una temperatura
ambiente por debajo de 25 °C. En cuanto la temperatura sobrepase los 25 °C, cada vez será me
nor la potencia que pueden disipar, so pena de estropearse. Así, a 50 °C la potencia máxima que
pueden soportar estos transistores es de 640 mW, y a 150 °C la potencia que pueden soportar es
cero, es decir, a 150 °C el transistor se destruye.
De esta curva se deduce también que todo transistor que trabaje a una Tamb de 25 °C posee un
límite de potencia que no debe nunca ser sobrepasado. En el caso de los transistores BC337,
BC337A y BC338, la potencia límite es de 800 mW. En otros transistores esta potencia máxima
puede tener un valor distinto, por lo que al sustituir un transistor por otro siempre se debe com
probar si el nuevo tipo es capaz de soportar la potencia que proporcionaba el anterior.
Por los mismos motivos, y teniendo en cuenta que la potencia de disipación máxima es igual al
producto:
P W máx = '/ c e
al diseñar un circuito o aparato se debe tener mucho cuidado que el producto de la tensión colec
tor-emisor que soporta el transistor, por la Intensidad de corriente de colector máxima que por él
deba circular, no sobrepase el valor de potencia máxima que indica el fabricante en su catálogo.
Así, por ejemplo, el transistor BC107 es capaz de disipar una potencia máxima de tan sólo 300 mW
a 25 °C. Ello quiere decir que si al citado transistor se le aplica una VCE de 3 V, la corriente máxima
de colector que admitirá sin destruirse (a 25 °C) es de:
por eso, las cun/as características de salida no suelen dibujarse más allá de los valores límites que
puede soportar el transistor.
En to d o s los casos se ha considerado una tem peratura uniform e de la cápsula (7case) de
25 °C, lo cual nos Indica que mientras la temperatura ambiente esté por debajo de la tem pera
tura de la cápsula, el transistor podrá radiar calor al medio ambiente y, por lo tanto, podrá funcio
nar a la máxima potencia por él admitida. Al aumentar la tem peratura por encima de los 25 °C,
278
TRANSISTORES BIPOLARES
cada vez resulta más difícil la radiación de calor y, por lo tanto, el transistor debe trabajar con me
nores potencias.
Como resumen de todo lo expuesto, la potencia máxima que puede suministrar un transistor es
tanto menor cuanto mayor sea la temperatura ambiente en la que trabaje.
La potencia máxima admitida por un transistor puede aumentarse dotándolo de radiadores de
calor, cuyo estudio se desarrolla en el capítulo 16 de este libro.
Para establecer una relación exacta entre la potencia disipada por el transistor y la temperatura
ambiente, es necesario tener en cuenta:
Todos estos parámetros se estudian en el capítulo 16, dedicado a los radiadores de calor.
Frecuencia de transición
La frecuencia de transición se define como el producto de la ganancia por el ancho de banda.
Esta frecuencia de transición depende de las condiciones de funcionamiento del transistor, razón
por la cual los fabricantes suelen facilitar en sus catálogos las curvas características de ia frecuen
cia de transición (fT) en función de la intensidad de corriente de colector ( I c) y de la temperatura de
la unión (T).
En la figura 13.42 se han dibujado las curvas características fT = f( I c) del transistor 2N3553,
para una temperatura de unión (7j) de 25 °C. En estas curvas se comprueba que el valor de la fre
cuencia de transición aumenta ligeramente al aumentar la tensión \/CE aplicada al transistor.
Por otro lado, con una corriente de colector I c de 125 mA se obtiene el máximo valor de fT, el
cual desciende por encima y por debajo de dicho valor de corriente.
La curva de la figura 13.42 hace referencia a una temperatura de unión constante a 25 °C, lo
cual no siempre es posible, por lo que los fabricantes facilitan también la curva característica de la
frecuencia de transición en función de la temperatura de la unión, para una l/CE y una I c constan
tes, tal y com o se muestra en la figura 13.43, correspondiente al mismo transistor 2N3553. En esta
279
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
M°C)
última gráfica se comprueba que el valor de la frecuencia de transición crece ligeramente ai aumen
tar la temperatura de la unión de 25 °C a unos 65 °C, y desciende después para temperaturas por
encima de los 65 °C.
/¿.(mA)
280
TRANSISTORES BIPOLARES
13.46 Ganancia de potencia óptima, en montaje 13.47 Admitancia de transferencia en montaje emisor
emisor común, en función de la intensidad de corriente común, en función de la intensidad de corriente de
de colector para diversos valores de la tensión colector (VCB= 3 a 10 V; f = 10.7 MHz; Tmb = 25 °C).
Ifo (f = 10.7 MHz; Tmb = 25 °C).
13.48 Conductancia de salida en montaje emisor 13.49 Capacidad de reacción en montaje emisor
común, en función de la intensidad de corriente común, en función de la tensión l/CB (1 = 10.7 MHz;
de colectores para diversos valores de la tensión I c =1 a 10mA;T3mb=25°C).
Vm (f = 10,7 MHz; Tamt = 25 °C).
Se
(mS)
/.-(mA)
13.50 Capacidad de salida en montaje emisor 13.51 Conductancia de entrada en montaje emisor
común, en función de la intensidad de corriente común, en función de la intensidad de corriente
de colector para diversos valores de la tensión de colector para dos valores de l/,-B (f = 100 MHz;
Vm (f = 10.7 MHz; Tmb = 25 °C). Tm, = 25°C).
281
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
I c {mA)
C„ 3
(PF)
2.5
1.5
2 3 4 5 6 7 8 2 3 4 5 6 7 8
M mA) I c(mA)
13.55 Capacidad de salida en montaje emisor común, 13.56 Conductancia de salida en montaje emisor común,
en función de la intensidad de corriente de colector para en función de la intensidad de corriente de colector para
diversos valores de l/CB (f =100 MHz; Tmb = 25 °C). diversos valores de VCB (f = 100 MHz; Tmb = 25 °C).
282
TRANSISTORES BIPOLARES
Son miles los transistores que, con características distintas, se fabrican actualmente, por lo que la
elección del más adecuado para una determinada aplicación depende de las características del cir
cuito en donde deba trabajar.
Así, en la elección del transistor hay que tener presente los siguientes criterios relacionados con
el circuito donde se disponga:
La diferente ^BE equivale a una diferencia de la tensión de partida, pero el grado de variación de
la corriente en función de la tensión \/BE, por encima de este valor de partida, es igual para ambos
tipos de transistores.
La única consecuencia de esta diferencia en l/Be es que, en el caso de un circuito con polariza
ción convencional, se precisa una mayor caída de tensión en la resistencia de emisor de los tran
sistores de silicio para que éstos entren en zona de conducción.
Una vez efectuada esta preselección, debe elegirse, de entre todos los transistores existentes
en el comercio, aquellos que responden a la ganancia que se desea obtener.
Finalmente, y teniendo en cuenta las condiciones de trabajo, se selecciona el transistor más
adecuado, para lo cual resulta de sumo interés recurrir al estudio de las curvas características de
los transistores posibles.
En el caso de transistores de potencia, los fabricantes suministran las curvas SOAR (Safe Opera-
ting Area, o área de funcionamiento de seguridad), de las que se ofrece un ejemplo en la figura 13.58.
Los gráficos SOAR ofrecen al profesional los valores límites de corriente, tensión, potencia y
temperatura, en los que puede funcionar un determinado transistor de potencia.
El área formada por todos los parámetros citados, añadiendo una cuarta condición límite para
la segunda ruptura, constituye el área de funcionamiento de seguridad del transistor.
Así, en la figura 13.58 la corriente I c límite es de 20 A, siempre y cuando la tensión t/C£ no so
brepase los 10 V.
Entre 10 y 20 V de VCE el área de seguridad viene limitada por la potencia total de disipación, la
cual es de 200 W en el caso de la figura 13.58.
Estos dos valores ( I c y P.oX) están relacionados con el efecto de la temperatura en el chip y en
la cápsula.-
El tercer límite es el de la segunda ruptura.
283
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Limite de P,0,
10
Limíte de segunda
ruptura
Limite de
( V c tO im tx )
0.1
• Si el transistor está montado en circuito emisor común, el nuevo transistor ha de poseer una
ganancia h.e de igual valor, con una tolerancia de ±30 %. Si el montaje es en base común,
no cabe preocuparse de este parámetro*.
• La resistencia ha de ser igual o mayor.
• El coeficiente de realimentación negativa interna b ,2e deberá ser igual o menor.
• La conductancia de salida n22e ha de ser casi igual o inferior.
Existen varios códigos de designación de transistores: los más importantes son el JEDEC (ameri
cano), el europeo antiguo, el Pro Electron (europeo actual) y el JIS (japonés). A continuación se ex
pone cada uno de ellos.
1. Se dice que un transistor está en montaje emisor común cuando la señal que se desea amplificar se apli
ca entre base y emisor, y la señal amplificada se obtiene entre los electrodos de colector y emisor. De igual for
ma, un montaje en base común es aquél en el cual la señal a amplificar se aplica entre emisor y base, y la se
ñal de salida se obtiene entre colector y base.
284
TRANSISTORES BIPOLARES
C = Transistor para baja frecuencia, con una resistencia térmica entre unión y fondo de cápsu-
la ( f l th j. m b ) superior a 1 5 °C/W.
D = Transistor de potencia para baja frecuencia, con una resistencia térmica entre unión y fon
do de cápsula (Rmj.mb) igual o inferior a 15 °C/W.
F = Transistor para alta frecuencia, con una resistencia térmica entre unión y fondo de cápsula
(F?thj.mb) superior a 15 “ CAA/.
L = Transistor de potencia para alta frecuencia, con una resistencia térmica entre unión y fon
do de cápsula (F?m,.mb) igual o inferior a 15 “ CAA/.
S = Transistor para aplicaciones de conmutación, con una resistencia térmica entre unión y fon
do de cápsula superior a 15 “CAA/.
U = Transistor de potencia para aplicaciones de conmutación, con una resistencia térmica en
tre unión y fondo de cápsula (f?,h|.mb) igual o inferior a 15 “CAA/.
El número de serie está formado por tres cifras para los transistores diseñados para su aplica
ción en aparatos de consumo (radio, televisión, etc.); y por una letra y dos cifras para los transisto
res diseñados para aplicaciones industriales y profesionales.
Literal:
A = 110 a 220.
B = 200 a 450.
C = 420 a 800.
Punto de color:
Rojo = 55 a 100.
Naranja = 90 a 180.
285
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Numérico:
6 = 40 a 100.
1 0 = 60 a 160.
1 6 = 100 a 250.
25 = 160 a 400.
40 = 250 a 600.
Números romanos:
11 = 12,5 a 25.
III = 20 a 40.
IV = 30 a 60.
V = 50 a 100.
VI = 75 a 150.
VII = 125 a 250.
VIII = 180 a 310.
IX = 250 a 460.
X = 380 a 630.
286
Capítulo 14
Transistores unipolares
INTRODUCCIÓN
Los transistores unipolares basan su funcionamiento en las propiedades de las uniones PN polariza
das en sentido inverso, por lo que se trata de un componente de portadores mayoritarios. Los tran
sistores bipolares, por el contrario, basan su funcionamiento en una combinación de uniones PN
polarizadas en sentido directo o inverso, es decir, es un componente de portadores minoritarios.
Dentro del grupo de los transistores unipolares se distinguen dos subgrupos: los JFET y los
MOSFET, dado que presentan ligeras variantes en sus funcionamientos.
En cada uno de los subgrupos citados, una tercera división clasifica a los transistores unipola
res en dos tipos: de canal N y de canal P.
Finalmente, los MOSFET de canal N se subdividen a su vez en MOSFET de canal N de agota
miento, y en MOSFET de canal N de acrecentamiento, así com o los MOSFET de canal P se sub
dividen en los tipos de agotamiento y de acrecentamiento (figura 14.1).
JFET
El JFET (Junction Field Effect Transistor) o transistor uniunión de efecto de campo, es un dispositi
vo semiconductor controlado por tensión, es decir, que el paso de la corriente eléctrica a través de
él se controla mediante un campo eléctrico, y no por una corriente eléctrica, como sucede en los
transistores bipolares.
De lo expuesto se deduce que los transistores JFET poseen una impedancia de entrada muy
elevada, lo que permite com parar sus propiedades con las de las válvulas electrónicas de vacío.
Por ello, los circuitos que utilizan válvulas termoiónicas pueden adaptarse fácilmente a transistores
JFET. En este caso resulta idóneo el empleo de transistores JFET de canal N, ya que son controla
dos por tensiones negativas (Igual que las válvulas).
287
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Como se ha dicho, existen dos tipos de transistores JFET: los de canal tipo P y los de canal tipo N.
Dado que la movilidad del electrón es superior a la del hueco, los transistores de canal N ofrecen
una mayor ganancia para una estructura dada. No obstante, la existencia de transistores JFET de
canal P da más posibilidades de diseño, al poder utilizar tipos complementarios.
Al igual que los transistores bipolares, el JFET está dotado de tres terminales, pero aquí reci
ben las denominaciones de surtidor (S), puerta (G) y drenador (D), que corresponden a las iniciales
de las palabras inglesas source (fuente o admisión), gate (puerta) y drain (salida). En cierto modo,
estos electrodos equivalen al emisor, base y colector de los transistores bipolares, respectivamen
te (figura 14.1).
En la figura 14.2 se ha representado, de forma simplificada, un JFET de canal N.
Consta de un cristal tipo N, en el que se han creado, por difusión de impurezas adecuadas, dos
zonas de tipo P con una fuerte densidad de átomos donadores. Entre dichas zonas existen dos unio
nes PN, desprovistas de portadores, que se han representado mediante una superficie gris.
Sin embargo, las dos zonas de tipo P están eléctricamente unidas entre sí, por lo que se pue
de afirmar que sólo existe una unión.
En este transistor de canal N, el cristal P corresponde a la puerta (G) y será el que gobierne el
paso de corriente a través del cristal N.
El funcionamiento del JFET se basa en la modulación de la resistencia óhmica de la zona tipo N
(icanal) que existe entre los electrodos de surtidor (S) y drenador (D), por medio de las dos zonas P
de la puerta.
Efectivamente, si se polarizan en sentido inverso las dos uniones PN que limitan el canal, los hue
cos del cristal P se sienten atraídos por el potencial negativo de la fuente de alimentación, y los elec
trones libres del cristal N son atraídos por el polo positivo de la fuente de alimentación. Como con
secuencia, se crean dos capas despobladas de portadores libres que se extienden, en su mayor
parte, por el cristal N (debido a la fuerte concentración de impurezas en la zona P).
Estas dos capas despobladas de portadores libres, que se com portan teóricam ente com o
aislantes, reducen la sección del canal N, aum entando con ello la resistencia óhm ica del canal
(figura 14.3).
La sección del canal N con portadores de carga depende del valor de la tensión de polari
zación inversa aplicada a las uniones PN. Cuanto estas tensiones de polarización son tan ele
vadas que hacen que las dos capas aislantes establezcan contacto entre sí (figura 14.4), se dice
que el canal ha quedado contraído. En este caso la resistencia óhm ica del canal (entre surtidor
y drenador) es teóricam ente igual a infinito, y ninguna corriente eléctrica puede circular a tra
vés de él.
En la figura 14.5 se ha dibujado el esquema de un JFET de canal N correctamente polarizado.
El surtidor se conecta a masa, al drenador se le aplica una tensión positiva con respecto al surtidor
288
TRANSISTORES UNIPOLARES
(Vds)> y a 'a puerta una tensión negativa con relación al surtidor (-1/ qs). Para cada combinación dada
a estos valores de tensión, el ancho de las capas despobladas varía a lo largo del canal.
Haciendo variable la tensión ^GS' se controla el paso de la corriente eléctrica a través del
transistor y, por lo tanto, a través de la resistencia R en serie con él, por lo que en ésta se obtie
ne una tensión \/R variable, y com o la tensión l/R es mayor que - l / GS, se obtiene una amplificación
de tensión.
El transistor puede ser de canal P y la película de la puerta de canal N. En tal caso, las ten
siones de servicio ^DS y VQS tienen, naturalmente, polaridad opuesta, tal y com o se ha dibujado
en la figura 14.6, y también el sentido de circulación de la corriente de drenador I n queda in
vertido.
-l
- V tos
289
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Al igual que los transistores bipolares, los transistores JFET se diseñan con diferentes caracterís
ticas, de forma que sea posible disponer del más adecuado para cada función. Para determinar el
comportamiento de un JFET se recurre a sus curvas características:
Estas curvas son las principales, a las cuales cabe añadir otras que también se exponen en este
capítulo en líneas generales.
(mA) VP=2.5V
8.0 l/fís=0V
f«ss
Región Región de
6.0
óhmica contracción
4.0
l/GS= 0.5 V
2.0
14.7 Familia de curvas VGS= 1.5\l
características de drenador de
un JFET de canal N. 1,0 2.0 l/„ 3.0 4.0 5.0 l/pS(V)
Vqs + VGs = VP
Donde VP es la tensión de Pinchet off. o tensión a la cual la resistencia del canal es prácticamen
te infinita.
Con tensiones de drenador de pequeño valor, la característica es lineal en la región óhmica y re
presenta la modulación de la resistencia del canal desde su valor mínimo hasta (teóricamente) infi
nito, cuando la tensión de puerta VGS alcanza el valor de la tensión de contracción VP.
En la región de contracción el canal queda estrangulado, dado que t/os + es mayor que VP,
por lo cual la corriente de drenador I D no varía aunque aumente la tensión de drenador VDS.
La tensión '/os máxima corresponde al valor de la tensión VP cuando la tensión VGS es nula, en
cuyo instante la corriente JD es constante, alcanza su valor máximo y se satura (valor I oss).
Dado que la temperatura influye sobre la curva característica I D = f{VDS) de un JFET, puesto que
al aumentar la temperatura disminuye la corriente de drenador (como luego se verá), los fabrican
tes de estos transistores suministran las curvas para una temperatura de unión dada, la cual suele
ser de 25 °C. Véase en la figura 14.8, y como ejemplo de ello, la familia de curvas características
I d = ^Vos> del JFET tipo BF256A, correspondiente a una temperatura de unión de 25 °C.
290
TRANSISTORES UNIPOLARES
0 10 20 VDS(V)
Mediante estas curvas es posible determinar la impedancia de salida (rds) del transistor, la cual
se expresa mediante la fórmula:
Dado que los transistores JFET funcionan como limitadores de corriente en la región de con
tracción, la impedancia de salida rds es de elevado valor.
h
(mA)
291
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En la figura 14.9 se ha dibujado la curva característica I D = f(-Vas) del JFET de canal N tipo
BF256A para una tensión \/DS de 15 V, y para una temperatura de la unión de 25 °C. Se aprecia
perfectamente que la máxima corriente de drenador se obtiene cuando a la puerta no se le aplica
tensión alguna.
A medida que aumenta la tensión negativa aplicada entre puerta y drenador, y debido a que es
tos transistores son del tipo de canal N, se va estrangulando el canal y, como consecuencia, dis
minuye la corriente de drenador, hasta hacerse nula al aplicársele, en el caso del BF256A, una ten
sión ^GS de unos 2,6 V.
Mediante esta curva característica se obtiene otro importante parámetro de los transistores
JFET: la transconductancia g m.
La transconductancia se define como la inversa de la resistencia mínima del canal, y es igual al
resultado de dividir la variación de la corriente de drenador ( I D) por la variación de la tensión de
puerta {VGS), para una tensión drenador-surtidor (t/DS) constante, es decir,
m A l/
a v G S
En las hojas características dadas por los fabricantes suele darse el valor g mCI, que corresponde
a la transconductancia del transistor para una tensión de puerta de cero voltios. Este valor también
se representa p o ry fs, es decir, por la admitancia del transistor montado en surtidor com ún1.
Así, el transistor BF256A posee una admitancia de transferencia directa, en montaje surtidor c o
mún, mayor de 4,5 mS, valor éste obtenido con una tensión VGS de cero voltios, una tensión l/DS de
15 V, una temperatura ambiente de 25 °C, y una frecuencia de 1 kHz.
Conocido el valor de la transconductancia g m0 se puede conocer el valor de la resistencia míni
ma del canal (F?0) mediante la fórmula:
1
9mü
Así, la resistencia mínima del canal de un JFET, cuya transconductancia g^ sea de 5 mS, será de:
fí0 = 1 = c 1 „ = 200 Q
SU 5 mS
Ésta es pues la resistencia más pequeña que presenta el transistor, la cual, como se ha dicho,
se produce cuando no se aplica tensión a la puerta.
1. En el montaje surtidor común la señal de entrada se aplica entre puerta y surtidor del JFET, y la señal
amplificada se obtiene entre drenador y surtidor.
292
TRANSISTORES UNIPOLARES
15
10
0
0 50 100 150 T;(X)
Efectivamente, para una tensión ^GS nula, si la temperatura de la unión sube de 25 °C a 150 °Q
(temperatura máxima de unión que puede soportar este transistor), la corriente I 0 baja de 17 mA a
10,5 mA, mientras que para una tensión ^ GS de -4 V, y con el mismo aumento de temperatura, la
corriente JD sólo desciende de 3 a 1,75 mA.
Todo esto resulta lógico, ya que, cuanto menor sea la tensión aplicada a la puerta, más eleva
da será la corriente de drenador, y todo paso de corriente genera tanto más calor cuanto mayor sea
su valor.
Corriente de puerta
Aunque los transistores JFET poseen una única unión, y se polarizan en sentido inverso, siendo g o
bernados por variaciones de la tensión inversa de puerta con respecto al surtidor, ello no quiere de
cir que no se produzca en sentido inverso una corriente de fuga, al igual que en los diodos polari
zados en sentido inverso.
La corriente de puerta es. por tanto, una corriente de fuga en sentido inverso y, com o resulta ló
gico, es tanto mayor cuanto mayor sea la tensión inversa aplicada a la puerta, aunque es del orden
de los nA y, por ello, totalmente despreciable.
Los fabricantes indican en sus catálogos la corriente de corte de puerta con el drenador corto-
circuitado a surtidor, es decir, con una tensión '/ns nula, y una tensión máxima aplicada entre puer
ta y surtidor. Esta magnitud se representa por - J GSS en los transistores JFET de canal N. y me
diante Jqss en los transistores JFET de canal P.
Dado que la temperatura de la unión ejerce gran influencia sobre la comente de corte de puerta
- I GSS, los fabricantes proporcionan la curva característica - / GSS = f(T), como la de la figura 14.11,
correspondiente al JFET de canal N tipo BF245A.
Destaca, en esta curva, que la tensión inversa aplicada a la puerta con respecto al surtidor es
de 20 V, mientras que la tensión drenador-surtidor es de cero voltios.
Mientras el aumento de temperatura en la unión sigue una ley aritmética, la corriente de puerta
sigue una ley logarítmica, es decir, aumenta considerablemente con el aumento de temperatura en
la unión.
Así, a una temperatura de unión de 25 °C, la corriente de puerta es de tan sólo 6 pA: al doblarse
la temperatura en la unión la corriente de puerta sube a 25 pA (unas cuatro veces mayor), y al al
canzarse una temperatura de unión de 150 °C (máxima admitida por este transistor), la corriente de
puerta alcanza un valor de 8 nA (unas 1.300 veces mayor que a 25 °C).
Otro dato que suelen facilitar los fabricantes (aunque de escaso interés, ya que la puerta ha de
estar polarizada en sentido inverso) es la corriente de puerta máxima admisible por el transistor
293
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
irr2
cuando entre puerta y surtidor se le aplica una tensión directa. Esta corriente se representa por I Q
en los transistores JFET de canal N, y p o r - I G en los transistores JFET de canal P, es decir, con sig
nos opuestos a los de la corriente en sentido inverso de puerta.
La corriente de puerta en sentido directo de un JFET varía de un tipo a otro, pero en líneas ge
nerales suele estar comprendida entre 5 y 50 mA.
Valores típicos
294
TRANSISTORES UNIPOLARES
Se observa en esta curva característica que la impedancia de salida ( p j sigue un curso logarít
mico al aumentar la tensión l/GS.
Así. cuando la tensión aplicada a la puerta es de 0 V la impedancia es de tan sólo unos 150 £2 ,
aumentando a 10 k £2 cuando se aplican 2.6 V a la puerta.
Para la obtención de estas curvas se aplica una tensión de 0 V entre drenador y surtidor, y se
toman las medidas a una temperatura ambiente de 25 °C, ya que tanto una como otra magnitud
influyen sobre el valor de r^ .
V„
(mAA/)
1
7.5
2.5
0
0 2.5 5 7.5 10 12,5 mA) 15
14.13 Curva característica yfs = f( ID) del JFET de canal N tipo BC264D.
En la figura 14.13 se ha dibujado una curva característica y,s = f ( I D), para una tensión VDS de
15 V y una temperatura ambiente de 25 °C. Esta curva corresponde al JFET de canal N tipo
BC264D.
Se puede ver en la figura 14.13 cómo la admitancia aumenta al aumentar la intensidad de c o
rriente de drenador, siendo al principio de crecimiento elevado (con pequeñas intensidades de dre
nador) y luego lineal a partir de unos 2,5 mA de J0.
295
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
0
5 -l/GS(V) 10
Todo lo expuesto queda reflejado en la figura 14.14, donde se puede observar cómo con una ten
sión de puerta nula la capacidad de entrada del transistor BC264 es de 6 pF, y al aplicar una tensión
-V GS de 7,5 V, la capacidad de entrada disminuye a 2 pF. Esta disminución de capacidad no es li
neal, sino que lo hace de forma exponencial, disminuyendo bastante de valor con pequeñas ten
siones de puerta y luego menos con tensiones de puerta elevadas.
Para la obtención de esta curva se aplica al transistor una tensión \/os, por ejemplo 15 V, y se
toman las medidas en una temperatura ambiente de 25 °C.
3
Valores típicos
-Vbs = 2V
C„ t = m Hz
(PF) = 25° C
2 96
TRANSISTORES UNIPOLARES
Para la obtención de esta curva es necesario aplicar una tensión continua fija a la puerta (ten
sión - t / GS), ya que dicha tensión influye sobre la capacidad de salida, así como efectuar las m edi
das a una temperatura ambiente fija (normalmente de 25 °C).
297
ELECTRÓNICOS
Para la obtención de esta curva se aplica, entre drenador y surtidor, una tensión fija de 15 V, con
una corriente de drenador de 1 mA. La frecuencia de la señal debe ser de 1 kHz y la temperatura
ambiente a la que se toman las medidas de 25 °C.
Destacamos que el factor de ruido de un JFET disminuye al aumentar la resistencia del genera
dor. Así, en el caso de la figura 14.18, el factor de ruido es de 11 dB, con una resistencia de gene
rador de 1 kQ, disminuyendo a casi cero cuando la resistencia del generador es de 1 MQ.
Dado que el factor de ruido queda influido por la frecuencia de la señal aplicada, siendo tanto
menor cuanto mayor sea ésta, los fabricantes de JFET incluyen en sus catálogos curvas caracterís
ticas como la de la figura 14.19, en la que se expresa el factor de ruido en función de la frecuencia
de la señal aplicada para tres resistencias de generador dadas (1 kQ, 10 kQ y 1 MQ).
TRANSISTORES UNIPOLARES
Para obtener estas curvas se aplica una tensión '/ DS de 15 V y una tensión - t / GS de 1 V.
Con resistencias de generador de pequeño valor, el factor de ruido disminuye rápidamente al
aumentar el valor de la frecuencia aplicada, mientras que con resistencias de generador elevadas
el factor de ruido es muy bajo y prácticamente constante.
A este respecto cabe decir que, para etapas amplificadoras de pequeñas señales, es preciso
que el factor de ruido sea el más pequeño posible, del orden de 1 a 2 dB. Esto es particularmente
importante trabajando con frecuencias muy elevadas, del orden de los GHz. En este caso se acon
seja la utilización de transistores de efecto de campo de arseniuro de galio, los cuales ofrecen un
bajo factor de ruido y alta ganancia.
Como orientación diremos que el factor de ruido de los JFET de arseniuro de galio oscila entre
1 dB a 2 GHz y 3,6 dB a 12 GHz, con una tensión \/DS de 4 V y una I D igual a 0,15 veces el valor
de la corriente de saturación I DSS (60 mA).
MOSFET DE ACRECENTAMIENTO
Los transistores de efecto de campo con puerta aislada (insulated gate field effect transistor, IGFET)
más conocidos por el nombre de transistores metal-óxido semiconductor (metal-oxide-semicon
ductor transistor, M OST o MOSFET), se comportan en su funcionamiento de una forma análoga a
la de los JFET estudiados en los apartados anteriores.
Al igual que los JFET, el transistor MOS es un dispositivo controlado por tensión.
Su principal característica es la elevada impedancia de entrada, la cual puede llegar a tom ar va
lores de 10® Mí2.
Esta elevada impedancia de entrada hace que la puerta sea muy sensible a los potenciales elec
trostáticos, los cuales pueden llegar a alcanzar valores de 50 o más voltios. El simple hecho de to
car con el dedo el terminal de la puerta provoca la aparición de estos potenciales electrostáticos,
con el consiguiente riesgo de destruir el transistor.
Con el fin de evitar este inconveniente, los transistores MOS se fabrican, generalmente, provis
tos en su interior de una serie de diodos Zener, los cuales hacen disminuir ligeramente la impedan-
cia de entrada. De todas formas, siempre es aconsejable evitar tocar con los dedos el terminal de
puerta y, a lo sumo, tomar el transistor envuelto en un papel de estaño.
La estructura física de un transistor MOS está constituida por un sustrato de semiconductor tipo
N de elevada resistividad, es decir, de un cristal muy débilmente dopado (con pocas Impurezas). En
este sustrato se forman por difusión dos regiones semiconductoras de cristal tipo P de baja resis
tividad (con gran cantidad de sustancias aceptadoras), separadas entre ellas por una distancia
299
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
que varía entre 5 x 1 0 ^ y 5 x 1 0 3 cm. Estas dos regiones de cristales P reciben el nombre de en
trada (o surtidor) y salida (o drenador), al Igual que los JFET antes descritos (figura 14.20).
S G D
Una capa aislante de S i0 2 (óxido de silicio), de un espesor comprendido entre 800 y 2.000 f, cu
bre la superficie exterior del sustrato. Sobre esta capa de óxido se efectúa una metalización para la
conexión del electrodo de gobierno o puerta (figura 14.20).
Dos orificios practicados sobre el óxido, sirven para realizar los contactos metálicos del surtidor
y el drenador.
La estructura descrita, sobre la cual desarrollamos el estudio del funcionamiento de los transis
tores MOS, corresponde a un transistor MOS de cana! P, existiendo también el transistor MOS de
canal N que, como se puede suponer, posee un sustrato de cristal tipo P y dos regiones de cristal
N para el surtidor y el drenador.
La puerta está, por tanto, aislada eléctricamente del sustrato y, por supuesto, del drenador y
surtidor. De ahí la gran impedancia de entrada de este componente.
Para el estudio del funcionamiento de estos transistores consideramos, en primer lugar, que los
electrodos de entrada y de salida, así com o el sustrato, se encuentran conectados a masa (figu
ra 14.21). En esta circunstancia el transistor se puede comparar a un condensador cuyas placas
son el sustrato y la puerta, y el dieléctrico la capa de óxido.
o o o o
LI
14.21 Al aplicar un potencial • • •
O O O;
negativo a la puerta con respecto O O 1
300
TRANSISTORES UNIPOLARES
Si se hace aún más negativa la tensión de puerta con respecto al sustrato (figura 14.22), hasta
que alcance un cierto valor llamado tensión de umbral, aparece una carga positiva móvil en la re
gión superficial del sustrato, que recibe el nombre de canal. Es decir, que parte del cristal semi
conductor N pasa a ser del tipo P, formando un canal de circulación de corriente entre surtidor y
drenador. De ahí que este transistor se denomine transistor MOS de canal P.
Como este canal une la entrada con la salida (surtidor con drenador), si se aplica una tensión
negativa al drenador con respecto al surtidor circula una corriente por este canal, la cual será tan
to mayor cuanto mayor sea la tensión que se aplique al drenador.
Si a la tensión negativa aplicada a la puerta se añade una tensión alterna cuyo valor máximo po
sitivo no anule la tensión de umbral, se varía el número de cargas móviles en el canal, de acuerdo
con los valores instantáneos de la tensión alterna aplicada a la puerta y, por consiguiente, se pro
duce la modulación de la corriente continua que circula del surtidor al drenador, adquiriendo así la
misma forma que la señal alterna aplicada a la puerta.
La corriente I D produce una caída de tensión a lo largo del canal, de valor RDSI D (siendo fí DS la
resistencia del canal).
Esta tensión posee una polaridad opuesta al efecto producido por la tensión aplicada a la puer
ta, lo cual provoca una contracción del canal por el lado correspondiente al drenador.
Cuando esta caída de tensión es lo suficientemente elevada como para contraer totalmente el ca
nal, la corriente de drenador tiende a saturarse y no aumenta aunque aumente la tensión aplicada a
dicho electrodo. Cuando se da esta circunstancia se dice que el canal está contraído (figura 14.23).
-v* -V»
111
¡ o . 14.23 Cuando la caída
»o o ¡_ de tensión en el canal es lo
o o o 0 o o suficientemente elevada, la
o o o o o
corriente de salida tiende a
301
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los transistores descritos se denominan del tipo de acrecentamiento, ya que mediante la ten
sión de puerta aumentamos el número de cargas móviles en el canal de conducción.
MOSFET DE AGOTAMIENTO
Los MOSFET de canal P o de canal N, del tipo de agotamiento, poseen una estructura parecida a los
del tipo de acrecentamiento, pero en éstos se crea una zona P para los de canal P (o N para los de
canal N) en la región superficial del sustrato, entre surtidor y drenador (figura 14.24), con lo cual
se consigue que Incluso para tensiones de puerta de 0 V existan cargas móviles en la región del
canal, del mismo signo que las de surtidor y drenador y, por lo tanto, la existencia de una corrien
te de drenador.
Si se aplica una tensión negativa a la puerta con respecto al sustrato, en el caso de canal N (o
positiva si el canal es P), la carga móvil situada en el canal disminuye hasta que desaparece por
completo para una tensión de umbral determinado. En ese Instante cesa por completo la corriente
de drenador.
En el caso de aplicar una tensión a la puerta de signo opuesto a los portadores de carga exis
tentes en el canal, el funcionamiento del transistor es idéntico a los del tipo de acrecentamiento.
302
TRANSISTORES UNIPOLARES
Como se puede apreciar en la citada figura, existen dos regiones, denominadas región triódica
y región pentódica, separadas entre sí por una zona que cumple la condición:
^ ds = K bs - K ,
Jd = p [ V g s - ^ d s - V
°f]
donde p es un parámetro que depende de las características internas del transistor.
En la región pentódica el canal está contraído, y la corriente de drenador es aquí función de la
tensión aplicada a la puerta y, como se sabe, independiente de la tensión aplicada al drenador. Su
valor es el siguiente:
La curva característica expuesta se refiere a los MOSFET cuyo sustrato (o base) está conecta
do directamente al surtidor, es decir, con una tensión t/ss igual a 0 V.
En la figura 14.26 se pueden ver las curvas características I D = f(V0S), para diferentes valores
de \/GS y una tensión Vss = 0 V, del MOSFET tipo BSV81, y en la que se puede com probar todo lo
expuesto.
En el caso de MOSFET con sustrato no conectado al surtidor, y a los que se le aplica una ten
sión Vss, la curva característica queda influida por esta tensión, por lo que en este caso es preferible
recurrir a las curvas características de transferencia, es decir, las curvas I 0 = f(VGS) para diferentes
valores de ^ss-
303
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Para el trazado de esta curva se aplica una tensión t/DS de 14 V, y luego se aplican tensiones
l/GS comprendidas entre -2 V y 0 V.
A medida que la tensión \/GS se hace menos negativa, la corriente de drenador aumenta, es de
cir, la corriente entre surtidor y drenador circula con más facilidad.
Con una tensión l/GS de -2 V se produce el corte de la corriente de drenador, ya que se trata de
un MOSFET de canal N, cuyo funcionamiento es opuesto al de canal P descrito en las figuras 14.20
a 14.23.
El transistor BSV81 posee un terminal exterior para el sustrato, de forma que si a éste se le aplica
una tensión continua con respecto al surtidor, es posible modificar la curva característica de trans
ferencia, tal y como se muestra en la figura 14.28.
-0 -1 o vGS(V) 0.5
14.28 Curvas características de transferencia del MOSFET de canaIN tipo BSV81, para diversas
tensiones Kss-
304
TRANSISTORES UNIPOLARES
En la figura 14.28 se aprecia cómo al aplicar una tensión t/ss de 2 V aumenta la corriente de dre
nador, lo cual resulta lógico ya que al ser el sustrato un cristal P y, por lo tanto, ser el transistor de
canal N, se evita, con esta tensión positiva aplicada al sustrato, que el canal quede despoblado
de cargas minoritarias.
Si se comparan las figuras 14.27 y 14.28, se observa que la curva l/ss = 0 V se ha repetido en
la figura 14.28, pero abarcando hasta valores positivos de 0,5 V de la tensión t/Gs.
Si la tensión aplicada al sustrato de cristal P es negativa, se recombinan las cargas minoritarias
de este cristal, con lo cual aumenta la resistencia en el canal N, que une el surtidor con el drena
dor, por lo que disminuye la corriente de drenador (figura 14.28).
Para obtener la misma intensidad de corriente de drenador es preciso hacer menos negativo el va
lor de la tensión -^GS' de forma que repela menos a las cargas negativas que circulan por el canal N.
De todo lo expuesto se deduce que, para obtener una corriente de drenador de valor determi
nado, puede modificarse la tensión ^GS o la tensión
Por ejemplo, supongamos que se desea obtener una corriente I D de 10 mA, con una tensión
1/ps de 14 V, utilizando e! transistor BSV81, cuyas curvas son las de la figura 14.28. Esta corriente
puede obtenerse con cualquiera de los pares de valores \/qS y l/gg siguientes:
^G S = -0,92 V; ^ss = 2 V
'■'GS = -0,6 7 V; ^ss = 1 V
^G S = -0,4 0 V; V$s = 0 V
^G S = -0,0 6 V; Vss = -1 V
^G S = 0,2 V; Vss = - 2 V
^G S = 0,5 V; ^ s s = -3 V
C u r v a c a r a c t e r í s t ic a I D = f(Ros) d e u n M O S F E T
La corriente de drenador de un MOSFET no depende, entre ciertos límites, de la resistencia entre
drenador y surtidor (fíDS), la cual es constante hasta ciertos valores de JD.
A partir de un valor determinado de I D la resistencia fí os aumenta de valor, pudiendo doblarse
e, Incluso, triplicarse.
En la figura 14.29 se han dibujado las curvas caracteristicas I D = /(fíDS) de un MOSFET de canal N
del tipo de acrecentamiento, para dos tensiones de puerta VGS. Se observa que la resistencia fíDS es muy
baja (del orden de 2 Q) para una tensión 1/GS de 10 V, y que permanece constante hasta valores de I D
de unos 400 mA. A partir de este valor de corriente la resistencia drenador-surtidor sube ligeramente.
Para valores de t/GS de 5 V, la resistencia drenador-surtidor es algo más elevada, de unos 3,3 £2
para corrientes de hasta 100 mA; para corrientes de drenador por encima de los 100 mA la resis -
305
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
tencia aumenta hasta alcanzar los 8 ü con una I D de 500 mA, que es el valor máximo de corrien
te admitida por este transistor.
P* 1.0
(W)
0,8
0.6
0,4
0,2
D
O
] Pos
C as T
306
TRANSISTORES UNIPOLARES
Los fabricantes de MOSFET indican, sin embargo, en sus catálogos las capacidades Cjss, Coss
y CliS, bien mediante valores numéricos referidos a una tensión Vos fija, y una tensión VGS nula, bien
mediante curvas características com o las dibujadas en la figura 14.32, y en las que se indican los
valores de dichas capacidades para distintos valores de tensión t / ^ .
Las capacidades Ciss, Coss y Cr8S están relacionadas con las capacidades dibujadas en la figu
ra 14.31 por las siguientes ecuaciones:
De estas tres igualdades se deduce que sólo Ctss es igual a la capacidad CM„ y que las otras
dos dependen de la capacidad CMi, es decir, del efecto Miller.
Así,teniendo en cuenta que. por ejemplo, la capacidad Crss de las curvas características de la
figura 14.32 es de 5 pF con una tensión V0Q de 10 V, las capacidades CGS y CDS valdrán:
C qs = - C ,^ = 70 pF - 5 pF = 65 pF
^ ds = Coas - C,5S = 20 pF - 5 pF = 15 pF
307
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
14.33 Símbolo de
un MOSFET de doble puerta.
G1
G2
Para el trazado de estas curvas características se aplica al transistor una tensión fija entre dre
nador y surtidor de. por ejemplo, 1 0 V; luego se aplica una tensión fija a una de las puertas y se
hace variar entre dos límites la tensión aplicada a la otra puerta, de forma que se obtengan los va
lores de intensidad de drenador correspondientes a cada par de tensiones \/G1.s -
En la figura 14.34 se observa que la tensión aplicada entre la puerta G 7 y el surtidor (t/Gt_s) abar
ca desde - 3 V a +3 V, mientras que la aplicada entre las puerta G2 y surtidor (t/G2-s))lo hace entre
-1 ,5 V y +4 V.
De estas curvas se deduce que si se aplica una tensión alterna a la puerta G7, y otra tensión
también alterna pero de frecuencia distinta a la puerta G2, el valor de la intensidad de drenador
queda influida por ambas tensiones y, por lo tanto, varía con una frecuencia igual a la diferencia de
las dos frecuencias aplicadas a las puertas (proceso de mezcla).
Si se aplica una tensión continua de valor fijo a una de las puertas, las curvas características de
salida de este tipo de transistor serán similares a las de una sola puerta pero, lógicamente, con la
desviación que en ellas produce la tensión constante aplicada a una de las puertas.
Los JFET y MOSFET se fabrican con encapsulados tipo TO y SOT, al igual que los transistores bi
polares, aunque en el caso de transistores de doble puerta, o de sustrato aislado, disponen de un
cuarto terminal de conexión.
En la figura 14.35 se han dibujado las principales cápsulas utilizadas para estos transistores,
con indicación de cada uno de sus terminales.
308
TRANSISTORES UNIPOLARES
SOT-52
14,5 máx.
1,17 máx.
12,7 máx.
0,48 máx.
S O T -103
4,8 máx.
0.75 máx.
1,05 máx.
2,7 máx.
TO
0,48 máx.
4.8
r
máx.
14.35 Dimensiones y terminales de las principales cápsulas utilizadas para los JFET y MOSFET.
309
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
TO - 72 (4)
1. 0,48 máx.
J
4.8 11
máx.
TO - 72 (5) TO - 72 (6)
0,48 máx.
i
1
12,7 mín.
0,48 máx.
O
0.85
0,55
2.5
max. i
máx.
'—
—
i
2.5 |
máx.
14.35 Dimensiones y terminales de las principales cápsulas utilizadas para los JFET y MOSFET. (Continuación)
310
TRANSISTORES UNIPOLARES
H = Transistor uniunión.
J = Transistor de efecto de campo de canal P, incluidos los de potencia.
K = Transistor de efecto de campo de canal N, incluidos los de potencia.
311
Capítulo 15
Circuitos integrados
INTRODUCCIÓN
Todo circuito electrónico está compuesto por un conjunto, más o menos grande según la compleji
dad del circuito, de resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc. Todos estos elementos,
adecuadamente conectados entre sí, forman circuitos capaces de efectuar una función electrónica
(oscilación, modulación, amplificación, etc.). Este tipo de circuitos, que aún se utilizan, recibe el nom
bre de circuito electrónico discreto.
Desde hace bastantes años, y gracias al gran desarrollo tecnológico de los semiconductores,
se fabrican unos componentes en los que se logra la Incorporación de todo un circuito electrónico
(con resistencias, diodos, transistores, etc.), en un único cristal semiconductor, y en un espacio mí
nimo de 10 mm 2 o incluso menos. Este tipo de circuito es lo que se conoce por circuito integrado.
El circuito integrado, también denominado IC (del inglés Integrated Circuit), se utiliza en, prácti
camente, todos los aparatos, bien solos, bien en compañía de circuitos discretos.
El IC permite reducir considerablemente el tamaño de los aparatos electrónicos, de forma que
es posible diseñar circuitos complejísimos en muy poco volumen.
El gran desarrollo que se está produciendo en la técnica de la integración se debe al desarrollo de
la técnica planar en la fabricación de transistores, la cual abrió las puertas a la integración, es decir,
a la disposición en un solo sustrato de varios transistores. Esta técnica ha ido evolucionando es
pectacularmente, desde que en 1972 hiciera su aparición el primer microprocesador en una sola
pieza de silicio, el muy conocido 8008 de la firma I , de caracteristicas muy inferiores a los ac
n t e l
313
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
L.as cápsulas para circuitos integrados tienen com o único limite el número de conexiones, ya
que cuanto más complejas sean las funciones que el IC realiza, más patitas de conexión se preci
san para la entrada y salida de las señales que se tratan en él.
Indudablemente no puede darse noción del funcionamiento de todos los circuitos Integrados, pues
to que existen miles de ellos, con aplicaciones muy diversas, y cada día aparecen nuevos circuitos in
tegrados que mejoran a sus predecesores. Por consiguiente, en este capítulo nos limitaremos a es
tudiar los circuitos integrados desde el punto de vista de su tecnología constructiva, ofreciendo amplia
información de algunos tipos utilizados en radio y televisión, descritos a lo largo de esta Enciclopedia.
En una primera clasificación los circuitos integrados se dividen en dos grandes grupos:
En los circuitos integrados monolíticos (monolítico quiere decir un solo bloque) todos los ele
mentos constituyentes del circuito (resistencias, condensadores, diodos, transistores, etc.) están
contenidos en una única pastilla de silicio o chip.
Los circuitos integrados monolíticos se subdividen a su vez en dos grupos:
314
CIRCUITOS INTEGRADOS
En los circuitos integrados híbridos (híbrido quiere decir que está formado por dos o más ele
mentos de distinta clase) se depositan los componentes pasivos (resistencias, bobinas y condensa
dores) en un sustrato y los elementos activos (diodos y transistores) se sueldan después; es decir, en
un IC híbrido existe uno o más componentes discretos en combinación con un IC monolítico.
Los circuitos integrados híbridos se subdividen a su vez en circuitos integrados de película grue
sa, y en circuitos integrados de película fina.
Los circuitos integrados analógicos (o lineales) son aquellos cuya magnitud de salida varía en el
tiempo de acuerdo con la señal aplicada a su entrada; es decir, la señal de salida puede tener infi
nidad de valores intermedios entre un mínimo y un máximo. Como ejemplo de circuitos integrados
analógicos citaremos los amplificadores operacionales.
Los circuitos integrados analógicos se utilizan en radio, televisión, equipos de alta fidelidad, etc.,
para el tratamiento de las señales de audio, vídeo, croma, etc.
Los circuitos integrados digitales son más fáciles de fabricar, ya que necesitan valores de capa
cidad más pequeños que los analógicos. Estos circuitos funcionan bajo la condición de todo o nada,
es decir, la señal de salida puede tener un valor mínimo (estado 0 ) o un valor máximo (estado 1 ),
pero nunca un valor intermedio entre ambos. Por estas especiales condiciones de funcionamiento
los circuitos integrados digitales se emplean en el diseño y construcción de circuitos lógicos, cuya
principal aplicación se encuentra en los ordenadores electrónicos, aunque cada vez se utilizan más
en radio, televisión y en reproductores de CD (C om pact Disc).
Los circuitos integrados digitales se clasifican a su vez en familias lógicas, las cuales son estu
diadas más adelante en este mismo capítulo.
Según la cantidad de bloques funcionales integrados en un solo chip de silicio, los circuitos inte
grados reciben diferentes denominaciones. Estas denominaciones son las siguientes:
La SSI es una integración a pequeña escala (menos de 100 transistores por chip). Son, por tan
to, los circuitos integrados de menor complejidad.
En la MSI, o integración a escala media, el número de transistores integrados en un solo chip
está comprendido 1 0 0 y 1 .0 0 0 .
La LSI es una integración a gran escala (entre 1.000 y 10.000 transistores integrados). En el gru
po LSI también se integran memorias que contienen los elementos de cálculo y control de ordena
dores y las ordenaciones lógicas programables.
Finalmente, en la VLSI (o integración a muy gran escala) se integran en un único chip más de
10.000 transistores. Se incluyen en este grupo los microprocesadores.
315
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Un IC monolítico está formado por un solo cristal de silicio, en cuyo seno están integrados todos
los componentes (activos y pasivos) del circuito.
A los componentes que forman el IC se les da el nombre de componentes integrados, con el fin
de diferenciarlos de los convencionales o componentes discretos.
El material de partida es una plaquita semiconductora de silicio que, debido a los diversos tra
tamientos que recibe, se divide en zonas o islas dopadas que reciben el nombre de bloques fun
cionales. Cada bloque funcional realiza una función análoga a la de un componente discreto, como
un transistor, un diodo, una resistencia, etc.
SiO, Al
0»
¡ ■ í .1 . ' .1
nr w
p p
__»
T
3) b)
15.3 Circuito integrado monolítico, a) Esquema del circuito, b) Configuración representada por un corte en
sección del chip.
La figura 15.3a muestra un circuito sencillo, formado por una resistencia, un transistor y un dio
do, y la figura 15.3b su construcción en forma integrada.
Cada una de las zonas indicadas en la figura 15.3b forma estratos circulares, unos dentro
de otros.
Por estar todos los componentes del circuito sobre la misma plaquita semiconductora de silicio,
han de quedar aislados entre sí por uniones PN (diodos) que, una vez conectado el IC a una fuen
te de alimentación, reciben polarización en sentido inverso (de bloqueo).
El paso de corriente de uno a otro componente del IC se establece a través de pistas de alu
minio, que son depositadas sobre una película aislante muy fina de dióxido de silicio (S¡02).
Mediante una adecuada distribución y conexión de los diferentes bloques funcionales en el seno
del cristal de silicio se forma el IC, el cual tiene un comportamiento análogo al circuito equivalente
constituido por componentes discretos.
La razón de que el comportamiento sea solamente análogo se debe a que los bloques funcio
nales, en el seno de un mismo cristal, presentan características peculiares que tienen com o con
secuencia el que un componente integrado presente un circuito equivalente, pero no igual, al de su
homólogo discreto.
Efectivamente, el simple hecho de aislar entre sí los distintos bloques funcionales mediante diodos
polarizados en sentido inverso, hace que el número de diodos que contiene un IC sea muy supe
rior al de su homólogo discreto. Estos diodos aisladores son, por tanto, elementos parásitos del IC.
Los circuitos integrados monolíticos resultan particularmente apropiados cuando contienen
com o componentes solamente transistores, diodos y resistencias, aunque también es posible inte
grar condensadores. No así las ¡nductancias.
Los transistores bipolares se realizan difundiendo tres capas que forman una estructura NPN o
PNP (figura 15.4).
316
CIRCUITOS INTEGRADOS
Destacamos, en el esquema de la figura 15.4a, que el símbolo del transistor no está rodeado
por la circunferencia representativa de la cápsula, puesto que ésta no existe en estos transistores,
ya que están integrados en un chip y la cápsula será la de todo el IC.
BE C
M -°A
iU
lid
p
lid
N
p,
El colector se aísla eléctricamente por medio de una zona P, (figura 15.4b), la cual forma, con
el cristal N del colector, un diodo parásito o diodo de aislamiento.
Cuando el diodo de aislamiento está polarizado en sentido inverso (lo cual se logra conectando
la zona P. al potencial más bajo de todo el circuito integrado, es decir, aplicando al ánodo, o pun
to A de la figura 15.4b, un potencial negativo con respecto al cátodo), el colector C queda eléctri
camente aislado de los bloques funcionales contiguos.
El terminal de conexión del colector se dispone por la parte superior del sustrato, ya que el áno
do del diodo de aislamiento cubre completamente el fondo. Como consecuencia, la resistencia de
colector aumenta y no pueden obtenerse tensiones de saturación colector-emisor tan bajas como
en los transistores bipolares discretos.
Por el contrario, la estabilidad térmica es buena debido a la proximidad de los contactos de c o
lector, emisor y base.
Además de lo expuesto, el diodo de aislamiento produce dos efectos perjudiciales sobre la ca
racterística del transistor integrado: introduce una capacidad en paralelo con el colector y aumen
ta la corriente parásita del colector.
En transistores integrados se pueden realizar modelos particulares que no tienen equivalente en
el campo de los transistores discretos, y que resultan de especial interés en electrónica digital, ta
les como los transistores multiemisor, multicolector, etc. (figura 15.5).
C1
.E l
E2
Hf C2 15.5 Mediante la integración pueden obtenerse
modelos particulares de transistores que no
tienen equivalente en el campo de los
transistores discretos, a) Transistor multiemisor.
a) b) b) Transistor multicolector.
317
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
D
NMOS |
i •'
r J ^ —°B
n s
a)
8
b)
El transistor PMOS se realiza de igual forma que el NMOS, pero sobre un cristal de silicio N y,
lógicamente, dopándolo con dos zonas P que formarán el drenador y surtidor del mismo.
En circuitos integrados de técnica unipolar el transistor más utilizado es el CMOS, que está
constituido por dos transistores: uno NMOS y el otro PMOS, ambos de enriquecimiento.
En la figura 15.7 se ha dibujado el símbolo y la estructura de un CMOS integrado.
Para integrar un transistor CMOS se parte de un cristal de silicio tipo N que constituye el sustrato.
En este sustrato se practica una difusión profunda de átomos aceptadores, constituyendo así
un cristal tipo P (derecha de la figura 15.7b) que servirá para realizar el transistor NMOS.
Para el transistor NMOS se difunden impurezas donadoras que constituyen los cristales N de
surtidor y drenador (derecha de la figura 15.7b).
El surtidor y drenador del transistor PMOS se realiza difundiendo impurezas aceptadoras en dos
zonas de la superficie del sustrato N (izquierda de la figura 15.7b).
Las puertas de uno y otro transistor se realizan de la forma ya explicada anteriormente para el
transistor NMOS.
Es necesario que en la integración de transistores CMOS no se formen transistores bipolares
parásitos. Para ello se realizan dos difusiones N + en unos pozos alrededor del PMOS y dos difu
siones P+ en unos pozos alrededor.de NMOS (véase la figura 15.7b).
Aunque la densidad de integración es menor con transistores CMOS que con los bipolares,
puesto que se necesitan dos transistores en lugar de uno, los circuitos integrados CMOS son muy
utilizados ya que ofrecen las siguientes ventajas:
318
CIRCUITOS INTEGRADOS
DIODOS INTEGRADOS
Los diodos se integran de dos formas posibles: utilizando dos capas semiconductoras P y N super
puestas o conectando transistores en la debida forma, puesto que todo transistor puede com pa
rarse con un par de diodos conectados en oposición, ya que están formados por dos uniones PN,
Efectivamente, pueden utilizarse las uniones colector-base o emisor-base de un transistor inte
grado, ya que la base siempre es un cristal de tipo opuesto a los de colector y emisor.
Si se utiliza el diodo colector-base, la tensión de ruptura será mayor que si se utiliza el diodo for
mado por el emisor y la base (mínimo 12 V).
A, C A,
I .I
At D Ao
15.8 Par de diodos integrados
D con cátodo común, a) Esquema,
b) Configuración representada
2) b) en corte.
C,
i ij L i ljli UU L iÜ -1
— ° ct i N N 1
4- \
1
En las figuras 15.8 y 15.9 se muestran dos configuraciones utilizadas en los circuitos integrados
para la formación de diodos. La configuración de la figura 15.8 corresponde a un par de diodos colec
tor-base con cátodo común, y la de la figura 15.9 a un par de diodos colector-base con ánodo común.
RESISTENCIA INTEGRADA
Las resistencias integradas se obtienen mediante pistas de material semiconductor. Su valor óhm i
co depende de la sección y longitud de la pista, y de su resistencia específica. De esta forma pue
den lograrse resistencias desde, aproximadamente, 10 Q hasta 30 k ll.
Las tolerancias que se obtienen son bastante elevadas, del orden del ±10 %.
Otro inconveniente es, desde luego, la dependencia del valor de la resistencia respecto de la
temperatura. Sin embargo, debido a que todas las resistencias de un IC varían en la misma propor
ción, pues todas están sometidas a la misma temperatura, la interdependencia de sus valores óhmi-
cos prevalece, es decir, unos compensan a los otros.
En la figura 15.10 se muestra la constitución de una resistencia integrada y el esquema de
su circuito.
La resistencia consiste en una zona P larga y estrecha (marcada con [ 1 ] en la figura 15.10£>),
dentro de una zona N (marcada con [2] en la misma figura).
319
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
D D
3) b)
Estas dos zonas forman a su vez una unión PN distribuida a lo largo de la resistencia (figura 15.1 Oa).
La zona de cristal tipo N (2) y la zona de cristal tipo P (3) forman un diodo de aislamiento.
CONDENSADOR INTEGRADO
Para integrar un condensador hay dos procedimientos; en uno de ellos, la capacidad la constituye
la zona de bloqueo de una unión PN, que trabaja en sentido de bloqueo. En este mismo fenóme
no se basa el funcionamiento de un diodo de capacidad variable.
u— •— IF
P ' T" T
0
15.11 Capacidades integradas, b)
a) Esquema, b) Configuración o
representada en corte. 3)
Las conexiones entre los distintos bloques funcionales de un IC se realizan mediante metalizacio
nes obtenidas por evaporación de aluminio en el vacío.
Estas metalizaciones se efectúan sobre la capa de óxido de silicio que protege la superficie de
los cristales P o N.
Como ejemplo véase en la figura 15.12 la sección longitudinal de un IC monolítico, que consta
de un transistor, una resistencia y un condensador. En la misma figura puede verse una vista supe
rior en la que se aprecian las conexiones entre los tres bloques funcionales, efectuadas mediante
metalizaciones sobre la capa de óxido de silicio.
320
CIRCUITOS INTEGRADOS
b)
T =3
C
3) &
Metalizaciones _.
c)
TRANSISTOR DARLINGTON
Antes de proseguir con el estudio de los circuitos integrados, hemos creído conveniente exponer la
constitución de un IC muy simple, que se conoce con el nombre de transistor Darlington.
321
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
La fabricación se inicia con una plaquita de silicio muy dopada, sobre la que se hace crecer una
capa epitaxlal de resistividad más elevada. Esta capa constituye el colector del componente.
A continuación se añade una segunda capa sobre el colector, ligeramente dopada y homogé
nea, que forma la base.
El emisor se difunde dentro del chip con ayuda de las técnicas usuales de máscara fotográfica.
Para terminar se aplica un ataque químico de mesa, y se pasiva la unión colector-base para pro
tección.
La ventaja esencial de un Darlington es la de alojar en un mismo cristal dos transistores, con lo
que se obtiene una mayor estabilidad de funcionamiento, al ser afectados ambos por la misma
temperatura.
Los transistores Darlington se fabrican tanto en versión PNP como en versión NPN, siendo su
aspecto externo el mismo que el de los transistores usuales, pues al igual que aquellos están do
tados de tres terminales de conexión y utilizan los mismos tipos de cápsulas.
Los circuitos integrados m onolíticos aislados no se diferencian mucho de los circuitos integrados
monolíticos estudiados en las líneas anteriores.
La diferencia se encuentra en la existencia de porciones del bloque semiconductor original (sus
trato) que están aisladas entre ellas por medio de capas de óxido de silicio, con lo que se reducen
las corrientes parásitas y, además, permite fabricar transistores NPN y PNP en un mismo sustrato.
Los circuitos integrados de película fina se obtienen por evaporación y deposición, en el vacío, de
metales y dieléctricos sobre una superficie lisa de cerámica o de vidrio (sustrato), mediante el au
mento de la temperatura por encima del punto de ebullición, en el vacío, del material que debe de
positarse.
El vapor del material que debe depositarse sobre el sustrato se condensa sobre éste en forma
de capas o películas muy finas, de ahí el nombre de este tipo de IC.
El vapor del material a depositar se hace pasar a través de máscaras de geometría adecuada.
Mediante el empleo de diversas máscaras se pueden obtener distintos com ponentes integrados.
Con la técnica de película fina se construyen, principalm ente, resistencias, condensadores y
alambrados o conexionados.
Los materiales más utilizados para la fabricación de resistencias en la tecnología de película fina
son el tantalio, el nitruro de tantalio, el cromoníquel y compuestos metal-cerámica, dependiendo el
valor óhmico de la resistividad, longitud y sección del depósito (figura 15.15).
Para los condensadores se utiliza una película de aluminio (una placa), a continuación una de
monóxido de silicio (dieléctrico) y, finalmente, otra de aluminio (la otra placa). Cada una de las pelí
culas queda unida al circuito mediante pistas de oro o de aluminio (figura 15.16).
322
CIRCUITOS INTEGRADOS
0.4 nm
0.8 [im
Dióxido de silicio Si0¿
Silicio Si sustrato
En la tecnología SOI se utiliza la estructura que hemos representado en la figura 15.17, con
sistente en un sustrato de silicio, sobre el que se deposita una fina capa de unos 0 ,8 gm de dióxi
do de silicio y, sobre ésta, una finísima capa de silicio de unas 0,4 gm de espesor. Los transistores,
generalmente CMOS, se depositan sobre esta última capa, quedando aislados unos de otros y, por
tanto, no se necesitan casillas de aislamiento (figura 15.18).
Metalizaciones
Dieléctricos
i í \ \
N‘ | P | V~1 I P I IV ' I V |
Dióxido de silicio Si02
Sustrato de silicio
15.18 Transistor CMOS integrado
con tecnología SOI.
323
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Como inconvenientes podemos decir que el dieléctrico de los condensadores es muy fino y, por
tanto, cualquier defecto puede hacer descender la tensión de ruptura a valores muy bajos y con ello
perforar fácilmente el dieléctrico.
La tecnología de película gruesa para fabricación de circuitos integrados está basada en la impre
sión de ciertas pastas conductoras o tintas, sobre sustratos rugosos y por procedimientos serigráfi-
cos, a través de máscaras que definen la forma de los elementos constituyentes del circuito.
En la figura 15.19 se representa gráficamente lo que sería el proceso de fabricación de un IC de
película gruesa. Se trata de la Impresión, sobre el sustrato, de los componentes discretos (transis
tores) y de las resistencias, condensadores y elementos de conexión, utilizando diversas composi
ciones de pastas.
En los circuitos integrados de película gruesa los sustratos más utilizados son la alúmina (que es
un material cerámico) y algunos plásticos (resinas fenólicas, poliestireno, poliamidas, etc).
En los circuitos integrados de película gruesa pueden obtenerse condensadores de elevada ca
pacidad.
La tolerancia de los componentes de un IC de película gruesa es de ±1 %.
La principal diferencia entre los circuitos integrados de película fina y los de película gruesa se
encuentra en el espesor de las películas metálicas depositadas o impresas. Así. en los circuitos in
tegrados de película fina se utilizan films m etá
licos depositados por evaporación en vacío, u
otros m edios quím icos, hasta un espesor de
unos pocos ángstroms, mientras que los circui
Componentes discretos tos integrados de película gruesa son redes de
(transistores condensadores,
etc...) metales nobles impresas en un sustrato cerámi
co, hasta lograr un espesor de 0,5 a 2 milésimas
de pulgada.
Conductores y electrodo
superior del condensador
FAMILIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS
DIGITALES
324
CIRCUITOS INTEGRADOS
+1/
?
■o Q
La función ÑOR es la más simple que puede diseñarse en esta tecnología RTL. Otras puer
tas exigen mayor número de transistores y por lo tanto mayor coste y mayores tiem pos de pro
pagación.
La máxima frecuencia de trabajo que se puede alcanzar con los integrados de la familia RTL es
de unos 5 MHz.
+v
\R2 R1
01
La puerta NAND de la figura 15.21 está constituida por los diodos D i y D2 (en asociación con
las resistencias R2 y fí3) y un transistor T que hace las funciones de inversor de la señal.
La tensión de umbral que presenta D3 aumenta la inmunidad al ruido del circuito.
Con esta tecnología se han logrado tiempos de propagación por puerta de 25 ns y básculas
(flip-flop) con una frecuencia típica de trabajo de unos 10 MHz.
325
ELECTRÓNICOS
La familia DTL fue la primera que introdujo básculas JK integradas, facilitando con ello enor
memente el diseño de equipos digitales que, hasta entonces, debían diseñarse a base de interco-
nectar varias puertas elementales.
En la actualidad la familia DTL ha sido desplazada por la familia TTL.
TTL Standard
En la figura 15.22 se ha dibujado el esquema de una puerta NAND, para lógica positiva, de dos en
tradas, perteneciente a la familia TTL Standard.
El transistor T I de la figura 15.22 posee dos emisores (transistor multiemisor). Este transistor
puede poseer tantos emisores como entradas tiene la puerta, siendo precisamente una de las pe
culiaridades de los circuitos TTL.
+51/
\ ra
Díi íIS. [ I 130
_TL
T3
rn
A° T2
y
Bo
b TA
R3
1k
15.22 Puerta lógica NAND de la
familia TTL Standard.
1. Las resistencias son de valores más bajos, con lo cual las corrientes son más elevadas y se
mejora el tiempo de propagación.
2. La presencia de los diodos D1 y D2 en las entradas de la puerta. Estos diodos hacen las fun
ciones de descrestado, eliminando las tensiones negativas que puedan originarse en las en
tradas cuando se les aplican impulsos de tensión con pendientes muy pronunciadas que po
drían perjudicar la unión base-emisor del transistor multiemisor T1.
3. El circuito de la salida está constituido por tres transistores. El T4 de la figura 15.22 se des
glosa aquí en los transistores T3 y T4 en conexión Darlington.
CIRCUITOS INTEGRADOS
■oQ
Todo lo expuesto proporciona a los integrados de esta familia un tiempo de propagación mucho
más pequeño que con la familia TTL Standard.
El tiempo medio de propagación en la familia TTL HS es de, aproximadamente, 6 ns, lo que permi
te que básculas diseñadas con esta tecnología puedan funcionar con frecuencias de hasta 50 MHz.
Como factor en contra cabe destacar que el trabajar con mayores intensidades de corriente
hace que la potencia de disipación por puerta sea mayor (22 mW en la familia TTL HS por 12 mW de
la TTL Standard) y, como consecuencia, se produce un notable aumento de la energía consumida.
TTL Schottky
En esta familia de integrados se dispone un diodo Schottky entre base y colector de cada uno de
los transistores que componen el circuito (figura 15.24).
B o- 8o-
< 15.24 Un transistor Schottky está
constituido por un transistor
bipolar y un diodo Schottky
conectado entre colector y base
del transistor, a) Esquema del
a) b)
circuito, b) Símbolo equivalente.
327
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
¡J 3
A< ' |V Ú 2
“i í 5
’ “ D1 \R4
B< 11 k
T6
iR5
1500 U 250
D2
J4
+ 5V
Es un circuito idéntico al de la figura 15.22 (puerta NAND de la familia TTL Standard), pero con un
incremento en el valor de las resistencias utilizadas, con lo cual se reduce la potencia de disipación a
tan sólo 1 mW por puerta pero, al mismo tiempo, se aumenta el tiempo de propagación a unos 33 ns.
328
CIRCUITOS INTEGRADOS
>+5\l
OS. DR2k
60
]R3
1 15 k DS
T5
os i 1
T3
I R5
D6
T1 D3 r * ~
e-
Í di 1
D4 08
T2\
D2
D R4
4k
Con esta familia, el tiempo de propagación es prácticamente el mismo que con los integrados
de la familia Low Power Schottky (5 ns por puerta), pero se consigue reducir la potencia de disipa
ción a la mitad (1 mW por puerta).
329
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
El tiempo de propagación de las puertas de esta familia es de 3 ns, con una potencia de disi
pación, por puerta, de 4 mW.
En la figura 15.29 se ha dibujado el esquema de una puerta NAND de la familia High Level Logic.
El circuito es muy similar al de las puertas de la familia DTL, pero sustituyendo el diodo D3 de
aquella por un diodo Zener (DZ de la figura 15.29).
El tiempo de propagación de esta familia es bastante elevado (150 ns por puerta), así como la
potencia de disipación por puerta (55 mW).
330
CIRCUITOS INTEGRADOS
-Q
°V00
771P "
1•
ral• I—
¡- ~ ñ \ P
n
rJ) K t
- ^ jp
ü l h - j l « | p : 15.31 Puerta lógica ÑOR de la familia
CMOS.
331
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
+ 1 \la 1 5 \l
=C1 (Q)
C2
En la figura 15.33 se ha dibujado el esquema de una puerta ÑOR de la familia l2L. En esta tec
nología se utilizan transistores multicolectores.
El tiempo de propagación por puerta en la familia l2L es de 25 a 250 ns (muy superior a la de la
tecnología TTL) pero la potencia de disipación es de sólo 6 nW a 70 pW. Todo ello, unido a la gran
cantidad de puertas que pueden integrarse en un solo chip (de 1 2 0 a 2 0 0 por m m 2, mientras que
en TTL es de sólo 20 por mm 2), hace que sea una familia ideal para el diseño de pequeños equi
pos portátiles con bajo consumo de energía.
• Corrientes.
• Potencia de disipación.
• Factores de carga.
• Tiempo de propagación.
• Inmunidad al ruido.
• Temperatura de trabajo.
• Factor de calidad.
Corrientes
Cualquier fuente de alimentación utilizada para excitar un IC debe ser capaz de suministrar, y tam
bién de absorber, corrientes, ya que en los circuitos integrados pueden circular corrientes en los
dos sentidos: positivo y negativo.
332
CIRCUITOS INTEGRADOS
Por consiguiente, es importante conocer las corrientes necesarias en las entradas y salidas de
los circuitos integrados, con ambos niveles lógicos, alto y bajo (H y L).
Convencionalmente se han admitido las siguientes denominaciones para las comentes:
Corriente positiva: se define como una corriente que circula hacia la entrada de un IC.
Corriente negativa: se define como una corriente que circula desde la entrada de un IC. Co
rresponde a la corriente inversa del circuito integrado.
• Con la tensión de alimentación nominal (Vqc = 5 V), y una temperatura ambiente Tamb = 25 °C:
^cch = 4 mA
JccL = 12 mA
• Con la máxima tensión de alimentación aplicable al circuito (Vcc = 5,25 V):
I CCH = 8 mA
^ccl = 22 mA
Como se puede comprobar, con tan sólo 0,25 V más de tensión que alimente el circuito la c o
rriente de alimentación dobla su valor, lo cual supone un considerable aumento de la potencia disi
pada en el IC.
333
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
La potencia disipada en un IC difiere muchas veces, según que el IC esté en nivel alto (H) o en
nivel bajo (L). Por este motivo, y para fijar conceptos, los fabricantes de IC indican un solo valor, que
es la media aritmética entre las potencias disipadas a nivel alto y a nivel bajo, o sea:
O ^DH + ^D l
En un circuito interesa que la potencia disipada sea la más baja posible, por dos razones:
1. A menor potencia disipada, menor intensidad de corriente y, por tanto, menor consumo de
energía eléctrica. Esta circunstancia resulta especialmente Importante en los IC con cente
nares o millares de puertas lógicas, en donde la corriente total puede llegar a ser muy ele
vada, con gran consumo de energía y la necesidad de voluminosas fuentes de alimentación.
2. El calor generado por la potencia disipada en un IC determina cuántas puertas pueden inte
grarse en un chip. Si se integran muchas puertas de elevado consumo en una zona muy re
ducida, el calor generado puede ocasionar daños al IC.
334
CIRCUITOS INTEGRADOS
En principio, un IC tiene tanta más calidad cuanto menor es la potencia disipada, pero esta cir
cunstancia queda limitada por otro parámetro del IC: el tiempo de propagación.
Tiempo de propagación
La velocidad de funcionamiento de una puerta lógica está definida por su tiempo de propagación
(propagation delay time), es decir, por el tiempo que necesita la señal (generalmente en forma de
impulso rectangular) para atravesar la puerta.
El tiempo de propagación caracteriza la aptitud de un IC digital para realizar más o menos rápi
damente la función para la que ha sido proyectado.
La velocidad de propagación es un factor de calidad de un IC; cuanto más elevada sea esta ve
locidad más operaciones aritméticas, lógicas, de manipulación de datos, etc., podrá realizar el IC
en un determinado período de tiempo.
La velocidad de funcionamiento es la característica más importante de cualquier IC. La mayor parte
de los circuitos integrados actuales poseen un tiempo de propagación comprendido entre 2 y Í 0 0 ns.
La velocidad de propagación se define generalmente (véase figura 15.34), midiendo el tiempo
que separa el flanco del impulso de entrada del flanco del impulso de salida, tomando los valores
de los Impulsos correspondientes a la mitad de su amplitud máxima (es decir, a los valores de las
semiamplitudes de los impulsos).
Las características disimétricas de conmutación de los IC son tales que la transición de un nivel
lógico L a un nivel lógico H (flanco ascendente del impulso) presenta un tiem po de transición que
es diferente al tiempo de transición que corresponde a un flanco descendente del impulso.
En principio, se define como tiempo de propagación medio tm la media aritmética entre los tiem
pos medios de propagación del cambio de estado de la entrada a la salida, en los casos en que
ésta pasa del nivel lógico alto al nivel lógico bajo (íPHL) y del estado lógico bajo al nivel lógico alto
(fPu.|) (figura 15.34). Estos tiempos se miden sobre las semiamplitudes de los impulsos.
335
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Cuanto más elevada sea la velocidad de funcionamiento de un IC (es decir, cuanto menor sea
su tiempo de propagación), tanto más deseable es este circuito.
No obstante, cuanto más elevada es la velocidad mayor es la potencia disipada y viceversa.
Am bos parámetros (velocidad y potencia) son, aproximadamente, inversamente proporcionales,
de donde se deduce que la calidad de un IC depende de dos parámetros en cierto modo antagó
nicos; la relación entre ambos parámetros es el compromiso a que se debe llegar para diseñar y
elegir el IC más apropiado para una determinada aplicación.
En un IC cualquiera, constituido por varias puertas lógicas, los tiempos de propagación son
acumulativos. Así, por ejemplo, si se tiene un circuito en el que un impulso debe pasar sucesiva
mente por 14 puertas lógicas NAND (IC 7400), cuyo tiempo de propagación es de 9 ns, tardará un
tiempo total en aparecer por la salida de la última puerta de:
Inmunidad al ruido
Cualquier tensión parásita superpuesta a la señal útil se considera como un ruido.
La elevada velocidad de conm utación de los IC provoca señales transitorias que pueden
afectar a la tensión de la fuente de alimentación, interfiriendo en el funcionam iento normal del
circuito.
Una transición rápida de los niveles lógicos puede también crear impulsos de ruido (rebotes) in
deseables, que se transmiten a través de la capacidad distribuida entre los terminales de interco
nexión. Estas señales transitorias o rebotes pueden ser interpretadas como señales válidas por las
puertas lógicas, provocando salidas erróneas y, com o consecuencia, un falso funcionamiento del
circuito.
Los IC se diseñan para presentar cierta inmunidad al ruido y, por consiguiente, ignoran una par
te de él, pero no su totalidad.
La inmunidad al ruido se define com o la cantidad de ruido que puede superponerse a una se
ñal lógica aplicada a la entrada de un IC digital, sin que la salida de éste circuito cambie de estado
incorrectamente.
La inmunidad al ruido se expresa en voltios y en milivoltios.
El margen de ruido (noise margin) en el cual un IC es inmune al ruido es la diferencia entre el ni
vel de tensión lógico transmitido y el aceptado como entrada válida.
Para ello, los niveles lógicos H y L de tensión no son tensiones de valores fijos, sino que están
expresados por una banda de tensiones. Por ejemplo, el nivel L puede estar representado por cual
quier tensión comprendida entre 0 V (GND) y +0,8 V; de la misma forma, el nivel H puede estar re
presentado por cualquier tensión comprendida entre +2 V y + 5 V (figura 15.35).
Por lo general el margen de ruido, o banda de tensiones aceptable, de entrada de un IC es casi
siempre distinto del margen de ruido que corresponde a la salida (figura 15.35).
En lo que se refiere a la entrada, cualquier tensión por debajo de +0,8 V es interpretado como
nivel lógico L; cualquier tensión por encima de +2 V, pero inferior a la tensión de alimentación (en
este caso +5 V), es interpretado como nivel lógico H. La banda de tensiones comprendida entre
+0,8 V y +2 V es una banda prohibida, porque en esta zona la puerta lógica no es capaz de inter
pretar el valor lógico de la señal de entrada (figura 15.35).
336
CIRCUITOS INTEGRADOS
Para la salida, la menor tensión que expresa un nivel lógico H es de +2,4 V (figura 15.35). Como
para la entrada se ha cifrado en +2 V, la diferencia entre estas dos tensiones:
es el valor de la inmunidad al ruido para el nivel lógico H, es decir, constituye el margen de ruido
aceptable para dicho nivel.
En lo que se refiere al nivel lógico L de la salida, éste es, en el caso de la figura 15,35, de +0,5 V.
Para la entrada, el nivel lógico L se ha cifrado en +0.8 V. La diferencia entre estas dos tensiones:
es el valor de la inmunidad al ruido para el nivel lógico L, es decir, constituye el margen de ruido
aceptable para este nivel.
Así pues, y considerando los datos que se indican en la figura 15.35, se puede decir:
1. Cualquier ruido parásito sobre una tensión de salida de +0,5 V (nivel lógico L) es ignorado en
la entrada mientras sea inferior a +0,3 V, ya que cualquier valor de tensión hasta +0,8 V es
interpretado como nivel lógico L. Por consiguiente, estos ruidos parásitos no perturban el
funcionamiento del circuito.
2. Cualquier ruido parásito sobre una tensión de salida de +2,4 V (nivel lógico H) es ignorado en la
entrada, porque cualquier valor de tensión hasta +2 V es interpretado como nivel lógico H. Por
lo tanto, estos ruidos parásitos no afectan tampoco al correcto funcionamiento del circuito.
Se puede afirmar que, cuanto mayor es la diferencia entre los valores de las tensiones de en
trada y salida, más amplio es el margen de ruido y, por tanto, mayor es la inmunidad al ruido del
circuito. Es decir, que un IC tiene más calidad cuanto más amplio sea el margen de ruido o, dicho de
otro modo, cuanto mayor sea la diferencia entre los valores de las tensiones de entrada y de salida.
En la práctica, la determinación de los márgenes de ruido se realiza sobre la curva de transfe
rencia del IC correspondiente (figura 15.36), en la cual quedan definidos ios siguientes parámetros
de un IC digital (puerta inversora):
337
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
..
vOimáx j ,,
%------
I ^flí.TOVl
vOÍL:i» V;Mmin V '
v„ M,
'I/,
En la figura 15.36, se han señalado también las zonas de funcionamiento normales, las zonas
en que puede admitirse presencia de perturbaciones, las zonas prohibidas de funcionamiento y los
márgenes de ruido definidos anteriormente. En esta figura se tiene:
Los valores prácticos de todas estas tensiones dependen de la tecnología empleada para fa
bricar el IC y, normalmente, están especificados en los catálogos de los fabricantes. Como ejem
plo, en la figura 15.37 se han dibujado las curvas de transferencia de tres circuitos integrados digi
tales, todos ellos TTL, pero de familias distintas (LS, ALS y FAST).
Temperatura de trabajo
La corriente eléctrica que circula por un IC engendra calor en él. Por ello la temperatura en el IC es
siempre superior a la ambiental.
338
CIRCUITOS INTEGRADOS
Cada tipo de IC tiene unos márgenes de temperatura en los que su correcto funcionamiento no
es afectado. Si la temperatura en el integrado está fuera de dichos márgenes, el circuito trabaja de
ficientemente, e incluso puede resultar destruido.
Factor de calidad
Se ha dicho anteriormente que la calidad de un IC digital es tanto mejor cuanto menor es su p o
tencia de disipación y menor su tiempo de propagación.
También se ha dicho que una elevada velocidad de funcionamiento implica una mayor potencia
disipada, es decir, que ambos parámetros son, aproximadamente, inversamente proporcionales.
La relación entre el tiempo de propagación y la potencia disipada se debe a las diversas capa
cidades parásitas presentes en el integrado. Estas capacidades se cargan y descargan cuando se
producen las transiciones de los niveles lógicos a través de las resistencias, transistores y diodos
del integrado, formando constantes de tiempo RC.
Para que las cargas y descargas se realicen con rapidez deben emplearse resistencias de pe
queño valor, con lo cual son pequeños los productos RC, es decir, las constantes de tiempo.
Ahora bien, al reducir los valores de las resistencias del integrado se reducen los tiempos de carga
y descarga de las capacidades y se alcanzan con más rapidez los estados lógicos correspondientes
(aumenta la rapidez de funcionamiento), pero se presenta el inconveniente de un aumento del valor
de la corriente que circula por el circuito, lo que implica un aumento de la potencia disipada en él.
Por otra parte, el producto de una potencia por un tiempo expresa una energía.
En el caso que se está estudiando, se puede expresar la relación entre potencia disipada y ve
locidad de funcionamiento de un IC digital por el producto:
= PD^P
El chip del IC debe protegerse contra la acción de los agentes externos: polvo, humedad, etc. Por
otro lado, resultan sumamente delicados de manejar y conectar dada su extrem ada pequeñez.
Por todos estos motivos, los fabricantes suministran los circuitos integrados en cápsulas especia
les de diferentes tipos, que encierran los propios circuitos y las conexiones interiores entre los blo-
339
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ques funcionales, saliendo al exterior los terminales correspondientes para la conexión al circuito
impreso, en forma de patillas {pins).
Las cápsulas más usuales para circuitos integrados tienen las siguientes formas:
• Cilindrica.
• Plana.
• De doble linea.
• Miniatura.
• Cuadrada.
La cápsula cilindrica es una versión, con altura reducida, de la cápsula TO utilizada para los
transistores (figura 15.38).
0,48 m íx
4 .6 7 /n íx 12.7 m ín
El chip se aloja en un recinto metálico (la cápsula), herméticamente cerrado mediante sellado
metal/vidrio.
Están disponibles variantes de 8 y de 10 pins. Estas cápsulas se montan en los circuitos im
presos de forma análoga a los transistores.
Las cápsulas planas (flatpack) están diseñadas para su soldadura sobre circuitos impresos,
respetando el paso internacional usual, sin necesidad de realizar soldaduras complementarias.
Además, estas cápsulas permiten un mayor número de pins para conectar con el exterior (figu
ra 15.39).
7 ,8 7 (310)
7,24 (285)
6 ,60 (2 50 )
’ 5,9 7 (23 5)
0 ,4 8 (019)
0,38(015)
4 -f i 10.03 (395)
9,40(370)
21,84 (860)
21.34 (840)
0.89(035)
0 ,3 8 (0 1 5 )
._ J
1.02(040) 2.1 6 (0 8 5 )
0.38 (003) 2 3,88(940)
0.51 (020) 1:40(055)
i— 0 .76(030)
3)
1
0 , 1 5 ( 006 ) 1, 0 2 ( 040 ) 2 .1 6 ( 085 )
15.39 Cápsulas planas (fiat-packs).
0 . 0 8 ( 003 ) 0.51 ( 020 ) 1. 4 0 ( 055 )
a) Flat-pack de 14 pins. b) Flat-pack
de 24 pins. b)
340
CIRCUITOS INTEGRADOS
Las medidas de las cápsulas de la figura 15.39 se han expresado en milímetros y en fracciones
decimales de pulgada (éstas entre paréntesis).
Generalmente estas cápsulas son cerámicas, y están herméticamente cerradas mediante sella
do metal/vidrio o metal/cerámica. Se fabrican con 14, 16. 20 y 24 pins.
La cápsula de doble línea o cápsula DIL (Dual In Une) es la más conocida y de mayorempleo.
En el argot profesional se la conoce también con los nombres de «cucaracha» o «ciempiés” .
Se ha desarrollado para responder a un criterio de economía constructiva y aumentar el núme
ro de pins de conexión.
La más usual es la de 14 pins, dispuestos en doble línea, aunque también se fabrican con 8 , 12,
16, 18, 20, 22, 24, 28, 40, 48, 50 y 64 pins, según la complejidad del IC.
Los pins siempre guardan una distancia entre ellos de 2,54 mm (1/10 de pulgada), para permi
tir la inserción directa del IC en placas de circuito impreso normalizadas.
8.25
0.32máx
7.62
9.5
0
3)
1.7 má»
24 23 22 21 26 19 <6 17 fff 15 14 (3
B
) 7 3 4 5 6 7 B 9 W ti >?
m
15.40 Cápsulas de doble línea (DIL) con cuerpo de plástico, a) Cápsula DIL de 18 pins. b) Cápsula DIL de 24 pins.
341
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Existen dos versiones: la de plástico con sellado plástico/metal (figura 15.40), y la de cerámica
con sellado de vidrio (figura 15.41). La ventaja de la cápsula cerámica es su elevadísima resistencia
a temperaturas elevadas y a la humedad.
Con el fin de evitar errores en la conexión de estas cápsulas, se dispone de una hendidura en
uno de los lados de la misma (figuras 15.40 y 15.41).
Las cápsulas miniatura se conocen también con los nombres de minipacks o cápsulas SO
(Small Outline). Se trata de cápsulas DIL pero con dos diferencias respecto a las de doble línea (fi
gura 15.42):
a) Son de tamaño bastante menor, ya que los pins están separados entre ellos 1,27 mm (1/20
de pulgada) y los elementos que constituyen el chip propiamente dicho están miniaturizados.
b) Los pins tienen diferente inclinación, ya que están curvados hacia abajo y hacia fuera en for
ma de «ala de gaviota».
10.0 5.2
JliLFLiLH-iLFLFL
8 / 6 5 4 3 2 1
Por lo demás, ambas cápsulas (DIL y SO) utilizan los mismos materiales y la misma tecnología
de montaje.
Se fabrican con 8 , 14, 16, 18, 20, 24 y 28 pins de conexión.
Las cápsulas miniatura se emplean en la tecnología de montaje en superficie (SMT).
Las cápsulas cuadradas (chip-carríers) son la consecuencia de la fabricación de circuitos inte
grados cada vez más complejos, con integraciones que pueden llegar a 1 0 0 .0 0 0 componentes en
un solo chip, lo cual requiere cada vez mayor número de pins de conexión; el empleo de cápsulas
DIL, cada vez más largas y anchas, puede resultar inviable porque presentan problemas eléctricos
y mecánicos de difícil solución.
Para evitar estos problemas se ha ideado el chip-carríer en dos modalidades: cápsula de plás
tico PLCC (Plástic Leaded Chip Carríer) y cápsula cerámica LCC (Ceramic Leadless Chip Carrier).
En la cápsula cuadrada se disponen los pins en sus cuatro lados, con un paso (distancia entre
pins) de 1,27 mm (1/20 de pulgada).
Se fabrican con 20. 28, 44, 52, 6 8 y 84 pins repartidos, como ya se ha dicho, por los cuatro la
dos de la cápsula.
a)
_Q.8frcéx
15.43 Cápsulas cuadradas (PLCC) con cuerpo de plástico, a) Chip-carrier de 44 pins. b) Chip-carríer de 68 pins.
343
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En la figura 15.43 se han dibujado dos chip-carrier de plástico, uno de 44 pins y el otro de 6 8 pins.
Nótese en la parte superior de ambas cápsulas la señal en forma de círculo que indica el terminal
número 1 , a partir del cual se numeran los demás en sentido opuesto al giro de un reloj.
S = IC digital.
T = IC analógico.
U = IC mezcla de digital y analógico.
La segunda letra es, en este caso, una letra de serie, sin significado alguno, excepto la H, que
se utiliza para designar los circuitos integrados híbridos.
En el caso de microprocesadores, las dos primeras letras identifican al microprocesador y cir
cuitos correlativos, según el siguiente código:
Los dispositivos de transferencia de carga se identifican, en sus dos primeras letras, por el si
guiente código:
NH = Circuitos híbridos.
NL = Circuitos lógicos.
344
CIRCUITOS INTEGRADOS
NM = Memorias.
NS = Procesadores de señalanalógica, utilizando condensadores conmutadores.
NT = Procesadores de señalanalógica, utilizando dispositivos de transferencia de carga.
NX = Dispositivos de imagen.
NY = Otros circuitos.
C = Cápsula cilindrica.
D = Cápsula Dual In Une cerámica.
F = Cápsula plana.
L = Chip sobre cinta.
P = Cápsula Dual In Une plástica.
Q = Cápsula Quadruple In Une (QIL) (cuadrada y con terminales en sus cuatro lados).
T = Para cápsulas miniaturas en plástico.
U = Para chip sin cápsula.
Otra alternativa a este código de cápsulas es la que utiliza dos letras; la primera de ellas para
indicar el tipo de cápsula y la segunda el material con la que está fabricada.
La primera letra corresponde al siguiente código:
C = Cilindrico.
D = Dual In Une (DIL).
E = DIL de potencia (con radiador de calor incorporado).
F = Cápsula plana con patitas en dos de sus lados.
G = Cápsula plana con patitas en cuatro de sus lados.
K = Cápsula en forma de diamante (tipo T03).
M= Múltiple In Une (excepto Dual, Triple, Quadruple In Une).
Q = Quadruple In Une (QIL).
R = QIL de potencia (con radiador de calor incorporado).
S = Single In Une (con patitas en uno solo de sus lados).
T = Triple In Une (con patitas en tres de sus lados).
345
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
C = Cerámica.
G = Cerámica-vidrio.
M = Metal.
P = Plástico.
Otro código, ajeno al pro-electron, y que se emplea mucho en los circuitos integrados digitales,
es el que está formado por unas letras que indican el fabricante y unos números y letras que res
ponden a la familia y tipo de IC digital.
En lo que respecta al fabricante, a continuación se relaciona los códigos de algunos de los más
importantes.
TL = AEG Telefunken.
F = Fairchild.
MIC = ITT.
MC = Motorola.
DM = National Semiconductors.
T = SGS/ATES.
N = Signetics.
SN = Texas Instruments.
TMS = Texas Instruments (tecnología MOS).
A continuación le sigue una cifra indicativa de la gama de temperatura de funcionamiento del in
tegrado. Según esta gama de temperatura la cifra será:
5 = de 55 a 125 °C
7 = de 0 a 70 °C
8 = de 25 a 85 CC
Sigue una segunda cifra, con la que se distingue el tipo de circuito, según el siguiente código:
A continuación, se indica un número de dos o tres cifras, a veces precedidas de unas letras,
que define la familia y el tipo de circuito.
Respecto a las posibles letras que figuran precediendo a este código citaremos algunas:
HC = Familia CMOS.
STD = Familia TTL Standard.
LS = Familia TTL Low-power Schottky.
S = Familia TTL Schottky.
F = Familia TTL FAST.
ALS = Familia Advanced Low-power Schottky.
y con referencia al número no existe una normativa al respecto, por lo que deberá consultarse el
catálogo del fabricante para determinar de qué circuito digital se trata.
Después del código de la función del circuito sigue una letra, que indica el tipo de cápsula se
gún el siguiente código:
346
CIRCUITOS INTEGRADOS
SN 74LS02N
se trata de un IC fabricado por Texas Instruments (SN). que puede trabajar con temperaturas am
bientes comprendidas entre 0 y 70 °C (7). que es un circuito digital (4), que pertenece a la familia
TTL Low-power Schottky (LS), que posee cuatro puertas ÑOR de dos entradas (esto se determina
consultando el catálogo) y, finalmente, que su cápsula es DIL plástica.
347
Radiadores de calor
INTRODUCCIÓN
El calor generado en las uniones y en los chips de los componentes semiconductores debe disiparse,
pues de lo contrario podrían resultar destruidos debido a un aumento excesivo de su temperatura.
Por otra parte, la disipación del calor generado favorece el funcionamiento estable del semi
conductor, ya que la corriente residual, o de fuga, depende m ucho de la temperatura.
Para la disipación del calor generado en los semiconductores se recurre al empleo de radiado
res de calor.
Calor
El calor es una forma de energía que depende de la estructura interna de los cuerpos, y se debe al
movimiento desordenado de sus moléculas.
Debido a que el calor aumenta la energía cinética de las moléculas, se produce un aumento de
la temperatura.
Temperatura
Se puede definir la temperatura como el nivel de calor que tiene un cuerpo. En efecto, cuando un
cuerpo se somete a una fuente de calor éste aumenta su temperatura.
La temperatura se mide mediante termómetros o mediante pirómetros, utilizándose diversas es
calas, tales com o la de grados centígrados o Celsius (°C), la de grados Fahrenheit (°F) o la de gra
dos Kelvin (K o °K).
Para medir la temperatura en semiconductores se utilizan las escalas Celsius y Kelvin indistin
tamente.
les como la industrial o la informática, sí es necesaria una convección forzada. Aquí sólo trataremos
la convección natural, que es la que se aplica en los circuitos electrónicos de audio y vídeo.
En la transmisión de calor por conducción, el calor se transmite por el interior de un cuerpo (só
lido o líquido), estableciéndose en el mismo una circulación de calor.
La cantidad de calor máxima que puede atravesar un cuerpo es aquella para la cual se consi
gue una estabilización de la temperatura en todos sus puntos.
Resistencia térmica
Para que la energía calorífica pueda transmitirse de un punto a otro de un cuerpo debe existir una
diferencia de temperatura entre dichos puntos; es decir, no existirá transmisión de calor entre los
puntos de un cuerpo que tengan la misma temperatura.
El calor pasa del foco caliente al frío, por lo que cualquier factor que impida el paso del fluido
calorífico actúa como un aislante. Este factor se denomina resistencia térmica.
En todo dispositivo semiconductor existen diversos niveles de temperatura que deben ser consi
derados.
Cada uno de estos niveles se representa por un símbolo, según el siguiente código interna
cional:
T = Temperatura de la unión.
Tjb = Temperatura del fondo de la cápsula.
Tense = Temperatura de la cápsula.
T, = Temperatura del radiador térmico (si lo hubiera).
Tamb = Temperatura ambiente.
Tstg = Temperatura de almacenamiento.
De todas estas temperaturas la más elevada es, sin duda, la de la unión, pues en ella se en
gendra el calor, y la más baja la temperatura ambiente; es decir, el orden de niveles de temperatu
ra de mayor a menor es el mismo indicado en la anterior relación, puesto que si bien puede suce
der que la temperatura ambiente esté por debajo de la de almacenaje, no es el caso normal.
Este orden ha de ser respetado para que el calor pueda ser evacuado, pues si el orden se rompe
el calor pasará hacia la unión (más fría), con el consiguiente peligro de destrucción de la misma.
Este caso es fácil que suceda, por ejemplo, al llevar a cabo una soldadura sin tomar las pre
cauciones adecuadas de rapidez, soldador de pequeña potencia, y evacuación del calor de la cáp
sula mediante unos alicates en contacto con ella o con el terminal que se esté soldando; en caso
de no tom ar estas precauciones, el calor de la punta del soldador se transmite a la cápsula y de
ésta a la unión, pudiendo llegar a su destrucción.
En resumen, para que la transmisión de calor sea adecuada, es necesario que los niveles de tem
peratura desciendan de la unión al ambiente, siendo tanto mejor la evacuación cuanto mayor sea
la diferencia de nivel entre una y otra temperaturas.
En todo dispositivo semiconductor se engendra calor en sus uniones, el cual es evacuado hacia el
exterior con más o menos facilidad, según los diferentes obstáculos hallados. Estos obstáculos son
las resistencias térmicas de los diferentes materiales constituyentes del dispositivo.
La resistencia térmica se representa por el símbolo literal fíth para diferenciarla de la resistencia
eléctrica, cuyo símbolo es fí.
La unidad de medida de la resistencia térmica es el “CAA/, e indica la caída térmica en función
de la potencia disipada por el foco calorífico.
RADIADORES DE CALOR
Así, en un cuerpo que posea una resistencia térmica de 8 "CAA/, y cuya potencia disipada sea
de 5 W, la caida térmica será de:
T = PR.h = 5 W x = 40 °C
W
Así pues, sí el calor se disipa rápidamente la resistencia térmica será pequeña, mientras que si
la conducción del calor es deficiente la resistencia térmica será elevada.
En los semiconductores cabe destacar tres resistencias térmicas, repartidas entre la unión y el
medio ambiente. Estas resistencias térmicas son:
• La resistencia térmica entre la unión y el fondo de la cápsula, representada por RthHb. Esta
resistencia térmica se debe a que el calor engendrado en la unión del cristal semiconductor
debe pasar al fondo de la cápsula con cierta resistencia térmica u oposición al paso del ca
lor.
• La resistencia térmica entre el fondo de la cápsula y ésta, representada por R\r>tb-c-
• La resistencia térmica entre la cápsula y el ambiente que la rodea. Su símbolo es R,|1c.gmb-
En el caso de utilizar radiador de calor aparece una cuarta resistencia térmica: la comprendida
entre la cápsula y el radiador, y que se representa por Rlhc.r, sustituyéndose, en este caso, la resis
tencia térmica cápsula-ambiente por la de radiador-ambiente (RIhl „mb).
Resumiendo, en un dispositivo dotado de radiador, a fines prácticos se consideran las siguien
tes resistencias térmicas:
Cuando se efectúa el montaje de un radiador, éste podrá ser directo (en intimo contacto con la
cápsula), o bien mediante arandelas aislantes de mica o silicona, por lo que estos materiales inter
medios también ofrecerán una determinada resistencia térmica.
Asimismo, la resistencia térmica varia según esté trabajada la superficie de contacto: anodiza-
da. sin anodizar, rectificada, etc.
De todas las resistencias térmicas expuestas, la existente entre radiador y medio ambiente es la
que suelen indicar los fabricantes de radiadores en sus catálogos, y es la que debe tenerse pre
sente para la correcta elección del mismo.
351
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ñ ¡¡i
(W)
Efectivamente, con una intensidad de corriente I 0 y un radiador con resistencia térmica d, el se
m iconductor puede trabajar a una temperatura ambiente T2 mayor que si se utiliza un radiador con
resistencia térmica b más elevada.
Estas dos curvas pueden relacionarse entre sí, tal como se muestra en la figura 16.3, en la que,
además, se indica la temperatura en el fondo de la cápsula (7^).
Con estas curvas características el profesional puede efectuar la lectura directa de cualquier
magnitud que desconozca a partir del parámetro que disponga.
Se observa, asimismo, que el límite de temperatura ambiente coincide con el de la temperatura
de la unión (7”) soportada por el semiconductor, y a la cual van a parar todos los inicios de las rec
tas de los radiadores de calor.
Veamos un ejemplo de lectura de estos gráficos. Para ello, supongamos que el dato conocido
es la intensidad de corriente que circula por el semiconductor (marcada con I 0 en la figura 16.3).
Se levanta una perpendicular a dicho punto hasta que corte a la curva Ptot = f(I) en el punto C,
y desde este último se traza una perpendicular sobre el eje de potencia de disipación, encontran
do el punto P de la figura 16.3, el cual indica la potencia que disipa el semiconductor.
Prolongando la recta PC hasta el eje de temperaturas de cápsula Ttb se halla el punto A. que
permite conocer la temperatura del fondo de la cápsula en dichas condiciones de funcionamiento
(figura 16.3).
La recta PCA corta en su trayectoria las rectas correspondientes a los cuatro radiadores, cuyas
resistencias térmicas (fíthr_amb) se han representado por a, b, c y d.
352
RADIADORES DE CALOR
IMPEDANCIA TÉRMICA
Cuando un semiconductor trabaja en régimen de impulsos, soporta una potencia bastante supe
rior a la P,olrnáx en continua, por lo que el aumento de la temperatura de la unión que se deriva de
ello no sólo depende de la resistencia térmica entre unión y fondo de la cápsula, sino también del
ancho del impulso tD y del período T (figura 16.4).
p
1 pICO
16.4 Un semiconductor
trabajando en régimen de impulsos
soporta una potencia bastante
superior a la P,olrnix en continua,
provocando un aumento de
temperatura en la unión que
depende del ancho del impulso tp
y del período T.
T - T - P 7
' |máx ' ib ~ ' ptcorruix*-thj-fb
353
ELECTRÓNICOS
- i
8 =— = 1 ° ’US = 0 ,1
t 1 0 0 ns
Con este dato se busca en las curvas de la figura 16.5 la correspondiente a 8 = 0,1, trazando
desde ella una perpendicular al tiempo 10~2 ms del eje t0.
A continuación, y desde la curva 8 = 0,1, se traza otra perpendicular sobre el eje Zthj..tb, dando
una impedancia térmica entre la unión y el fondo de la cápsula de 0,3 °C/W, es decir, bastante in
ferior a la resistencia térmica unión-base de montaje que le corresponde en régimen continuo, y
que como se puede averiguar en la figura 16.5 es, en este caso, de 2,5 °C/W.
Todo esto resulta lógico, ya que cuanto más pequeña sea la duración del impulso con respec
to al tiempo de bloqueo, mejor se refrigera el transistor.
En la figura 16.5 se observa que cuanto más largos sean los impulsos mayor será la impedan
cia térmica de la unión-base de cápsula del transistor, aunque el cociente f / T permanezca cons
tante.
Para finalizar, y a título informativo, diremos que la potencia de pico máxima de un transistor en
régimen de impulsos queda aumentada con respecto a la potencia máxima en régimen continuo
en la proporción:
p _ p f í n j-fb
' picomáx ' íotm áx y
^ -th j-fb
RADIADORES DE CALOR
En las páginas anteriores se han estudiado las resistencias térmicas presentes en todo dispositivo
semiconductor y la influencia que las mismas ejercen sobre una buena refrigeración de los mismos.
Indudablemente no es posible modificar las resistencias térmicas propias de un semiconductor,
las cuales dependen exclusivamente de las características constructivas de las cápsulas utilizadas,
tal y como se indica en la tabla 16.1, en la que se puede observar que la resistencia térmica entre
unión y ambiente es bastante elevada.
.... ,
cc S_
Tipo de cápsula R
o .
:
i C- VV)
' ' '' ..
TO 3 1a 5 45
TO 126 6 a 10 100
TO 220 2,1 -
SOT 9 4,5 -
SOT 3 1a5 45
SOT 32 6 a 10 100
De lo expuesto se deduce que la única forma de reducir la resistencia térmica entre unión y am
biente consiste en disponer un buen radiador de calor, el cual ha de tener la menor resistencia tér
mica posible.
Los radiadores de calor para semiconductores de potencia pueden clasificarse en tres grandes
grupos o categorías:
• Radiadores planos.
9 Radiadores de aletas inyectadas.
• Radiadores de perfiles extrusionados.
En la práctica los radiadores inyectados, y los de perfiles obtenidos por extrusión, son los más
utilizados. Los radiadores planos sólo se utilizan cuando los valores de las resistencias térmicas exi
gidas son de varios grados por vatio, y cuando las pérdidas en los componentes semiconductores
no exceden de 50 o 60 W.
En efecto, com o se verá a continuación, las superficies de los radiadores planos, por encima de
los valores indicados, se hacen rápidamente prohibitivas.
Radiadores planos
El radiador plano consiste en una placa de metal plana, donde se fija el com ponente sem icon
ductor.
Se ha comprobado que los de mayor rendimiento de disipación son los de aluminio, con un
acabado anodizado negro mate, fabricándose también en aluminio pulido.
Veamos ahora el procedimiento para calcular rápidamente la superficie de estos radiadores.
355
ELECTRÓNICOS
En un radiador plano el calor se disipa por caminos distintos, cuyo conjunto constituye la resis
tencia térmica propia del radiador. Estos caminos son los siguientes:
a) Evacuación por conducción calorífica propia del material utilizado, y que depende de la su
perficie en contacto con el aire ambiente que lo rodea y de su estructura.
b) Evacuación por radiación.
c) Evacuación por convección propia, de acuerdo con la diferencia de temperatura entre ra
diador y el aire ambiente que lo rodea.
8
fflUr-antb
(°C/W)
6
Ó'thr-air.b^
Donde S es la superficie del radiador en cm 2, f l lhr.amb la resistencia térmica del radiador en °C/W, y
5 el coeficiente de expansión térmica en W /cm 2.
Así, por ejemplo, la superficie de un radiador con una resistencia térmica de 4 °C/W (tomando
un valor medio para el coeficiente de expansión térmica de 2 m W /cm 2) será:
Se ha obtenido una superficie para el radiador de dimensiones considerables, razón por la cual
se utilizan los radiadores de aletas y de perfiles extrusionados.
El cálculo desarrollado es válido con la condición de que las dos caras del radiador contribuyan
RADIADORES DE CALOR
a la evacuación calorífica, para lo cual ha de montarse vertlcalmente y no muy próximo a una pa
red que pueda impedir el intercambio térmico por convección natural.
En el caso de tomar como radiador un chasis horizontal, sólo se tomará como elemento de re
frigeración la cara superior del mismo. En este caso, para una misma resistencia térmica deseada,
se debe duplicar la superficie hallada según la fórmula anterior, es decir, en nuestro ejemplo la su
perficie del radiador plano horizontal sería de 250 cm 2.
Radiadores inyectados
En dispositivos de potencia, donde deben evacuarse pérdidas que se cifran en centenares de va
tios, y en los dispositivos donde la colocación de un radiador plano resulta prácticamente imposi
ble por razones de espacio, se recurre a los radiadores de aluminio inyectado, de los que se mues
tra un modelo en la figura 16.7.
67,6
100
16.7 Vistas principales y
dimensiones de un radiador
de aluminio inyectado.
Existen dos puntos a considerar en un radiador desde el punto de vista de su diseño constructivo:
uno hace referencia a su forma y el otro a su acabado.
Desde el punto de vista del acabado, la resistencia térmica de un radiador es función del mis
mo. Así, una superficie pintada tiene mayor emisión de calor que una brillante no pintada. Este
efecto es aún más marcado en los radiadores de placa plana, donde aproximadamente una terce
ra parte del calor se pierde por radiación.
El color de la pintura no afecta en gran manera a la resistencia térmica, de forma que un radia
dor plano pintado de blanco brillante tiene sólo un 3 % más de resistencia térmica que otro de las
mismas características pero pintado de negro mate.
El pintado es menos efectivo en los radiadores con aletas, ya que el calor radiado por las aletas
pasa a las aletas adyacentes.
El anodizado y el grabado disminuyen la resistencia térmica.
Pinturas de tipo metálico (como la pintura de aluminio) tienen la menor radiación, pero aun así
conducen diez veces más que un acabado metálico brillante de aluminio.
Desde el punto de vista constructivo resulta prácticamente imposible describirlos todos, ya que
son infinidad los existentes en el comercio. Por esta razón, a continuación se describen algunos m o
delos que, bien por su diseño, bien por su forma de unión al componente semiconductor, hemos
considerado de interés.
357
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
A 13
En la figura 16.8 se han dibujado las dos vistas principales (con sus dimensiones en milímetros)
de un radiador de calor para cápsula tipo TO 126, y que consiste en una horquilla de aluminio ne
gro mate.
La cápsula TO-126 se dispone dentro del radiador ejerciendo una ligera presión sobre el radia
dor para que se abra. La resistencia térmica de este radiador es de 54 °C/W.
La ilustración de la figura 16.9 corresponde a un radiador para una o dos cápsulas TO 126.
K.1
tí
1
36 26
Se fabrica en aluminio negro mate y con anodizado especial aislante. Su resistencia térmica es
de 17 °C/W.
Se fabrica en dos modelos de dimensiones distintas, lo cual permite disponer los transistores
intercalados entre ambos radiadores, tal y como se aprecia en la figura 16.10; con ello se obtiene,
para una máxima e igual disipación de los transistores, una disminución de la temperatura en los
radiadores de unos 10 °C, aproximadamente.
Para finalizar, véase en la figura 16.11 un diseño de radiador realizado única y exclusivamente
para circuitos integrados.
El elevado rendimiento de este radiador permite reducir su tamaño considerablemente, pudién
dose montar los circuitos integrados directamente sobre los circuitos impresos, sin necesidad de
sujetar el radiador a la placa del circuito impreso.
Es aconsejable disponer silicona entre el radiador y el circuito integrado, con el fin de reducir la
resistencia térmica de contacto.
El IC queda asociado al radiador mediante dos pinzas diseñadas para tal efecto (figura 16.11).
Estas pinzas las suministra el mismo fabricante del radiador.
358
RADIADORES DE CALOR
16.11 Dimensiones de un
CM radiador y de las pinzas de
sujeción del mismo, para
circuitos integrados. En la
parte inferior se ve la forma
de efectuar la sujeción.
641
24,3
La longitud del radiador de la figura 16.11 es de 19 mm, aunque se pueden suministrar en tiras
de 1 m que se cortan a la medida deseada. Estas tiras se suministran anodizadas o sin anodizar.
Los datos técnicos, para 50 mm de longitud, son los siguientes:
359
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
■a 10
•25
c~
•£
c/>
§
1
10 100 1.000
Área de un lado (cm2)
Finalmente, en la figura 16.14 se han dibujado las curvas características generales de las resis
tencias térmicas en función del volumen, y para dos potencias de disipación de radiadores, con
aletas de aluminio pintado en negro. El volumen considerado en este caso es el producto de las
tres dimensiones del radiador (figura 16.15) y expresado en cm 3.
C om parando las curvas características de la figura 16.14 con las de la figura 16.13 se apre
cia perfectam ente cóm o las resistencias térm icas son más pequeñas en los radiadores con ale
tas, facilitando con ello m ucho mejor la evacuación de calor. Téngase presente, a este respec
to, que la figura 16.14 trata de volúmenes y la figura 16.13 de superficies, por lo que si no se
tiene en cuenta la altura de las aletas, la superficie ocupada por los radiadores con aletas es
m ucho menor.
360
RADIADORES DE CALOR
Entre cápsula y radiador se ha de establecer un perfecto contacto físico, de forma que la resisten
cia térmica entre cápsula y radiador (fltWb.r) sea lo más pequeña posible.
Sin embargo, resulta prácticamente imposible realizar superficies de cápsulas y radiadores per
fectamente planas, por lo que el contacto se realiza sólo en tres puntos, quedando en el resto del
área de contacto un espacio de aire que presenta una resistencia térmica que suele variar, según
el tipo de cápsula, entre 0,5 °C/W y 1,5 °C/W.
Para mejorar el contacto, se rellena el espacio existente entre cápsula y radiador con una pas
ta o grasa de elevada conductividad térmica, reduciéndose con ello la resistencia térmica existente
entre la base de montaje y el radiador. Esta grasa suele ser silicona, que permanece perfectamen
te viscosa a las temperaturas normales de funcionamiento del semiconductor.
Por otro lado, en muchas ocasiones es necesario disponer un material aislante eléctrico entre
base de montaje y radiador, el cual presenta un aislamiento térmico bastante elevado, que puede
llegar a ser de 6 °C/W, entorpeciendo la evacuación de calor de la cápsula hacia el radiador.
Para reducir, en parte, esta elevada resistencia térmica, se dispone, junto con la arandela, pasta de
silicona. De esta forma se reduce a la mitad la resistencia térmica entre base de montaje y radiador.
Así pues, existen dos posibilidades de montaje de radiadores: uno directo, sin arandelas aislan
tes ni pasta de silicona, y cuyo esquema equivalente se ha dibujado en la figura 16.16a, y otro ais
lado, cuyo esquema equivalente es el de la figura 16.16b.
Rthlb-i 'thi-amb
16.16 Resistencias
térmicas equivalentes
de: a) montaje directo:
b) montaje aislado.
En el caso del montaje aislado, la resistencia térmica f?,h(b.r se desglosa en tres resistencias tér
micas parciales, denominadas resistencia térmica de contacto de interconexión entre base de mon
taje y aislador resistencia térmica del aislador (fí1hin3) y resistencia térmica de contacto de inter
conexión entre aislador y radiador (fím¡2).
361
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Todas estas resistencias han de poseer un valor lo más pequeño posible, para una perfecta
transmisión de la energía calorífica de la cápsula al radiador.
Arandelas aislantes
Las arandelas son de mica y de espesores normalizados de 0,05, 1 y 1,5 mm, de forma que per
mitan un aislamiento eléctrico perfecto según las tensiones presentes en la cápsula.
Si Si
En la figura 16.17 se indican las dimensiones de dos arandelas laterales de mica para el aisla
miento de sem iconductores o radiadores, y en la figura 16.18 dos arandelas de mica para el ais
lamiento eléctrico del colector de un transistor de potencia, con cápsula TO-3, del chasis o del radia
dor. Estas últimas arandelas tienen un espesor de 0,05 mm, y su rigidez dieléctrica es de 50 kV/mm
a una temperatura de 25 °C.
Silicona
En lo que respecta a las siliconas, éstas se suministran en botes o en tubos de diferentes tamaños.
Una buena silicona en pasta debe tener, aproximadamente, las siguientes características técnicas:
La influencia que ejercen las arandelas aislantes y las siliconas sobre la resistencia térmica
existente entre la base de montaje y el radiador, se expone en la tabla 16.2 para diferentes tipos de
362
RADIADORES DE CALOR
cápsulas. De esta tabla se deduce que la menor resistencia térmica se da en los montajes que uti
lizan sólo silicona, mejorando la resistencia térmica del montaje directo, siendo la peor resistencia
térmica la que utiliza aislante de mica sin silicona, aconsejándose en estos casos el uso de silicona
que reduzca la elevada resistencia térmica del conjunto.
SOT-82 - - 0,42 2 ,0
Tabla 16.2 Resistencias térmicas presentes en los diferentes métodos de montaje y accesorios.
363
Cristales y cerámicas
piezoeléctricas
INTRODUCCIÓN
Se trata de un mineral de gran dureza, aunque bastante frágil, pero que presenta una propiedad
muy interesante y de gran utilidad en electrónica, para el control de las frecuencias de oscilación de
determinados circuitos, y en la fabricación de micrófonos, auriculares, filtros, etc., por citar algunas
de las aplicaciones más importantes en radio y televisión.
La propiedad a que nos referimos se denomina efecto plezoeléctrico, y consiste en que si se so
mete al cristal a unas fuerzas de compresión aparecen cargas eléctricas en su superficie y, al con
trario, si se aplica al cristal una d.d.p. eléctrica se originan en él fuerzas mecánicas.
CRISTAL DE CUARZO
Cristales tales como el titanato de bario, tartrato sódico potásico, turmalina y cuarzo o sílice, pre
sentan la propiedad piezoeléctrica, es decir, generan una tensión eléctrica cuando son sometidos
a una fuerza de compresión, tracción o dobladura y, en sentido inverso, se originan en ellos fuerzas
mecánicas cuando se les aplica una d.d.p. eléctrico.
Para comprender el efecto piezoeléctrico consideramos un cristal de cuarzo (gris en la figura 17.2),
situado entre dos electrodos metálicos, los cuales se conectan a una de las entradas verticales de
un osciloscopio.
Una vez situados los controles del osciloscopio en las posiciones adecuadas, se aplica una
fuerza de compresión al cristal, indicada en la figura 17.2 con una flecha.
En esta circunstancia se observa un impulso de tensión en la pantalla del osciloscopio justo al
ejercer la fuerza sobre el cristal, lo cual demuestra que la presión mecánica ejercida sobre el cristal
queda transformada en una tensión eléctrica.
Para la explicación del porqué del fenómeno de la piezoelectricidad, en la figura 17.3a hemos
dibujado el corte del modelo cristalino de un cristal de cuarzo, dispuesto entre dos placas o elee-
365
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
trodos metálicos unidos a sendos terminales que se pueden conectar a una de las entradas verti
cales de un osclloscopio.
El cuarzo está formado por Iones positivos de silicio (S¡+) y por iones negativos de oxigeno (O").
Estos iones están repartidos uniformemente, de forma que sus efectos se neutralizan hacia el ex
terior, por lo que entre los electrodos metálicos no existirá tensión eléctrica alguna.
Si este cristal se somete a una compresión, tal y como muestra la figura 17.3b, en la placa su
perior surge un exceso de cargas negativas y en la inferior un exceso de cargas positivas. Dado
que ambas placas están separadas por el grueso del cristal (aislante), entre ellas aparece una ten
sión eléctrica.
Si en lugar de comprimirse se tensa el cristal, las cargas que aparecen en las placas serán, na
turalmente, de polaridad opuesta.
Siguiendo el ritmo de las oscilaciones de presión, aparece entre los terminales de las placas una
tensión alterna.
El fenómeno descrito es, como ya se ha dicho, reversible.
Efectivamente, para poner de manifiesto esta afirmación basta con recurrir al circuito de la figu
ra 17.4: el micrófono, como transductor de variaciones de presión acústica o mecánica en varia
ciones de Intensidad de corriente, acusa la deformación mecánica del cristal cuando entre sus caras
se aplica una tensión eléctrica.
Esta deform ación mecánica se transform a en una variación de Intensidad de corriente eléc
trica en el m icrófono y, com o consecuencia, en una variación de tensión en bornes de la resis
tencia R.
Micrófono
366
CRISTALES Y CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS
i_
0 HC-6U
Mediante un osciloscopio, a cuya entrada vertical se aplica la tensión que aparece en la resis
tencia R, se visualiza el impulso mecánico generado por la tensión eléctrica aplicada al cristal.
Los cristales de cuarzo se comercializan encapsulados en recipientes herméticos que los pro
tegen del medio ambiente y de accidentes mecánicos que puedan romperlos. En la figura 17.5
puede verse el aspecto de tres tipos de cápsulas, muy utilizadas en circuitos de radio y televisión.
En la figura 17.6 se ha dibujado el esquema del circuito equivalente de un cristal de cuarzo. Está
compuesto por un circuito LC serie, cuyas pérdidas han sido reunidas en la resistencia R, en deri
vación con una capacidad CH, representativa, principalmente, de la capacidad parásita producida
por los dos electrodos de soporte y el cristal, que actúa de dieléctrico entre ambos.
Esta capacidad parásita viene determinada por la siguiente expresión:
5
CH = 39 x 10 "2 x -
H e
367
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
La serie RCL también se puede calcular en función de las dimensiones del cristal:
C = 22 x 1CT4 x —
e
(C en liF)
6^
L = 130 x 1 0 ®x —
O
(L en mH)
R = 13 x 1CT4 x - |
O
(R en £2)
368
CRISTALES Y CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS
'2
Esto queda demostrado si se aplica una señal de frecuencia variable a un cristal de cuarzo, y
sobre un sistema de coordenadas se traza la curva característica I = 1{1) del cristal (figura 17.8).
A la frecuencia de resonancia 7, la intensidad de corriente a través del cristal es máxima, y c o
rresponde al circuito equivalente LC serie, mientras que a la frecuencia de resonancia f2 la corrien
te a través del cristal es mínima y corresponde a! circuito LC derivación.
La frecuencia de resonancia f, del circuito LC serie del cristal de cuarzo viene dada por la fór
mula de Thomson:
2n LC
y la frecuencia de resonancia f2 del circuito LC paralelo (algo mayor que 7,), responde a la siguien
te igualdad, en la que interviene la capacidad parásita CH:
369
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
EjeX
En estas condiciones, un corte transversal de este cristal no sería otra cosa que la sección del
mismo. Sección que sería perpendicular al eje óptico O-O', y que puede representarse por un he
xágono (figura 17.10).
Tomando como base el hexágono de la figura 17.10, los ejes de simetría que unen dos vértices
opuestos del mismo determinan lo que se denominan ejes eléctricos del cristal o ejes X.
En un cristal de cuarzo existen tres ejes eléctricos, de los cuales, por motivos de claridad en el
dibujo, sólo hemos dibujado en la figura 17.10 uno de ellos mediante línea de trazos y puntos.
Los ejes de simetría que dividen al hexágono uniendo los centros de dos lados opuestos son
los ejes mecánicos o ejes Y.
El cristal de cuarzo posee asimismo tres ejes mecánicos, de los cuales en la figura 17.10 sólo
hemos dibujado uno mediante linea de trazos y puntos.
71 /
Si se talla un cristal de cuarzo en la forma que se indica en la figura 17.11a, mediante dos cor
tes longitudinales y paralelos al eje óptico, de forma que las dos caras mayores que resulten de
este corte sean perpendiculares a uno de los ejes eléctricos o aristas del prisma, se obtiene lo que
se conoce como corte en X. El cristal así tallado tiene forma rectangular (figura 17.11b).
Si el corte se efectúa como indica la figura 17.12a, de modo que sus dos caras mayores resul
ten perpendiculares a los ejes mecánicos, o ejes / , se obtiene un corte en Y. El cristal así tallado
también es rectangular, pero orientado en la forma que se indica en la figura 17.12b.
e
O
370
CRISTALES Y CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS
Tanto en uno com o en otro corte, el espesor (e) de la sección cortada se tom a originalmente en
un grueso algo superior al espesor que realmente se necesita, y luego se pulen ambas caras has
ta conseguir el grosor preciso.
Así tallado, cualquier tensión alterna aplicada sobre las caras del cristal es causa de que éste
entre en vibración mecánica, y si la frecuencia de la tensión alterna aplicada se aproxima al valor de
la frecuencia propia de resonancia del cristal, la amplitud de sus vibraciones puede llegar a ser de tal
magnitud que, incluso, puede romperse.
La talla Y tiene el inconveniente de no mantener una estabilidad de frecuencia ante cambios de
temperatura, pues cualquier ligero aumento de ésta eleva la frecuencia de resonancia del cristal.
En la talla X sucede lo contrario: la frecuencia de resonancia disminuye al elevarse la temperatura.
Como consecuencia de ello, ambos tipos de tallas presentan dificultades de Índole práctica, por
lo que sólo son aplicables a circuitos osciladores en donde se lleve a cabo un control sobre la tem
peratura ambiente en la que trabajen. Para solventar este problema se recurre a cortes intermedios,
es decir, se varía el ángulo de corte con respecto al eje óptico, obteniéndose así los tipos de corte
denominados AT, BT, CT, ET, FT, GT, etc.
Corte AT
Si se corta un cristal de cuarzo con un ángulo de 26o con respecto a uno de sus ejes X y al eje óptico,
se obtiene el corte AT (figura 17.13), que es el más utilizado y cuyas frecuencias de oscilación cubren
desde 550 kHz hasta 55 MHz, aunque se puede llegar a 200 MHz con un acabado más perfecto.
La forma que resulte del tallado puede ser rectangular, en forma de disco, anillo, etc., pero en
todos los casos sus caras mayores no son paralelas al eje óptico, sino que forman con respecto a
éste un ángulo de 26°.
Este tipo de corte confiere al cristal un coeficiente de temperatura totalmente nulo para tem
peraturas comprendidas entre los 40 y los 50 °C, y de tan sólo 3 x 1 0~'j Hz por grado centígrado
de variación de la temperatura cuando trabaja fuera de los límites anteriormente citados.
El corte AT se utiliza en cristales de cuarzo que han de trabajar con frecuencias comprendidas
entre los 300 y los 15.000 kHz.
Corte BT
Si en vez de cortar el cristal con un ángulo de 26° con respecto al eje óptico, se corta con un án
gulo de 49° (figura 17.14) se obtiene el denominado corte BT.
0
n
✓
371
ELECTRÓNICOS
El coeficiente de temperatura de un corte B T es muy similar al del corte AT, pero se utiliza en
cristales que han de trabajar con frecuencias comprendidas entre los 3.000 y los 30.000 kHz.
Corte CT
El corte C T es de 38° con respecto al eje óptico (figura 17.15).
Con este corte se consigue un coeficiente de temperatura nulo entre los 20 y los 30 °C. Una vez
rebasados los 30 °C el coeficiente de temperatura tiene un valor de tan sólo 2 x 10 ~6 Hz por grado
de variación de temperatura.
El corte CT trabaja muy bien con frecuencias comprendidas entre 120 y 150 kHz.
Cortes DT, FT y ET
En la figura 17.16 se ha dibujado un corte de 52°, que corresponde al corte DT.
CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS
Si un cristal se enfría por debajo de la temperatura de Curie, es decir, por debajo de la temperatu
ra a la cual el material pierde sus propiedades, y no se somete a campo eléctrico alguno, el cristal
contendrá numerosos dominios en cada uno de los cuales el dipolo eléctrico está alineado en una
dirección y sentido dado.
Sumando todos los dipolos elementales, el dipolo eléctrico resultante del cristal es igual a cero.
Ahora bien, si el cristal se enfría en presencia de un campo eléctrico, los dipolos eléctricos ele
mentales tienden a alinearse de acuerdo con la dirección y sentido del campo eléctrico, resultando
que el cristal en su conjunto presenta un dipolo eléctrico.
Si un cristal tratado como se ha expuesto se somete a una tensión mecánica, la red cristalina
se deforma y algunos dominios aumentan a expensas de otros, lo cual produce un cambio en el mo
mento total del cristal. Esta variación del momento dipolar con la deformación mecánica es, dentro
de cierto grado de deformación mecánica, lineal y reversible.
Todo lo expuesto es el fundamento de la piezoelectricidad en los materiales ferroeléctricos.
Las cerámicas pueden considerarse como un conjunto de diminutos cristales orientados al azar,
tal y como se ha representado esquemáticamente en la figura 17.19.
Si se calienta una pieza cerámica, ésta es isótropa a escala microscópica, es decir, sus propie
dades son independientes respecto a la dirección en que se consideran los fenómenos físicos, no
presentando efecto piezoeléctrico a causa de la orientación arbitraria de los cristales.
Ahora bien, si la pieza cerámica se expone a un elevado campo eléctrico, con una temperatura
no muy inferior al punto de Curie, ia cerámica se convierte en piezoeléctríca, orientándose sus cris
tales en el sentido de polarización (figura 17.20).
3 73
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
0,4 mm
£
£
(o
u-j
ii
Cl
17.21 Constitución de
una cerámica piezoeléctrica.
374
CRISTALES Y CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS
En el modo de la figura 17.22, el espesor del disco cerámico corresponde a media longitud de
onda de la frecuencia de resonancia. En este caso el disco debe fijarse en la dirección radial, debi
do a que la resonancia del modo radial se encuentra a una frecuencia mucho más baja.
En la práctica las cosas no resultan tan sencillas, ya que el comportamiento resonante del disco
cerámico piezoeléctrico también depende del diámetro en la reglón de resonancia en modo espesor.
SI no se toman precauciones en la elección de! diámetro del electrodo, una cerámica piezoeléc-
trica trabajando en modo espesor producirá una serie completa de resonancias parásitas, las cua
les no son armónicos de la frecuencia fundamental.
Para un estrecho ancho de banda, alrededor de los 450 kHz, la cerámica vibra radialmente (fi
gura 17.23), es decir, sometida a esta frecuencia el diámetro de la cerámica aumenta y disminuye
de valor alternativamente. Se dice entonces que el material está polarizado en dirección axial.
Antes de que una cerámica piezoeléctrica pueda ser utilizada deben establecerse los contactos
eléctricos con los electrodos, de forma que la vibración mecánica del componente no resulte afectada.
El centro del disco es el mejor sitio para fijarlos, ya que constituye un punto nodal con respec
to a la excursión radial, es decir, es un punto donde la vibración mecánica es nula y, por lo tanto, la
unión del contacto eléctrico con la cerámica piezoeléctrica no está sometido a esfuerzos. En este
punto central puede soldarse un hilo muy delgado en el centro, perpendicular a la superficie.
El conjunto se dispone dentro de una pequeña cápsula rectangular, provista de dos terminales
de conexión, adecuados para ser soldados a un circuito impreso o para conexión a zócalo en
aquellas aplicaciones donde se precise la sustitución de una cerámica por otra para cambiar la fre
cuencia de oscilación del circuito (figura 17.24).
Los fabricantes de cerámicas piezoeléctricas proporcionan en sus catálogos todo tipo de datos téc
nicos sobre las características mecánicas, eléctricas y térmicas de sus fabricados. De todas ellas
las características eléctricas son las que poseen mayor interés para el profesional electrónico, sien
do las siguientes:
• Frecuencia de resonancia.
• Tolerancia sobre la frecuencia de resonancia.
• Factor de calidad.
• Inductancia y capacidad equivalente.
• Tensión alterna eficaz máxima admisible a la frecuencia de resonancia.
• Tensión continua máxima admisible.
• Temperatura ambiente de trabajo.
• Coeficiente de temperatura a la frecuencia de resonancia.
Frecuencia de resonancia
En la figura 17.25 se ha dibujado la curva de respuesta de una cerámica piezoeléctrica. Como pue
de observarse, la impedancia Z de la cerámica adquiere un valor mínimo a una frecuencia fm y un
valor máximo a la frecuencia f„.
375
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
70 dB - 10 dB = 60 dB
más elevada que la impedancia a la frecuencia de resonancia, lo que equivale a un millón de ve
ces mayor.
Factor de calidad
Como se ha dicho, una cerámica piezoeléctrica equivale a un circuito resonante LC y, por lo tanto,
presenta un factor de calidad O que es tanto mejor cuanto mayor sea su valor.
376
CRISTALES Y CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS
El factor de calidad de las cerámicas piezoeléctricas está comprendido entre 800 y 1.000.
Para el cálculo del factor de calidad puede utilizarse cualquiera de las fórmulas siguientes:
2nfmL |
1
2xfrrP \R \
y la frecuencia de antirresonancia:
2b' i C iCo
1 C, + C 0
C0
C, " f l - f l
r* C f 2- f 2
o , -— -—
on n —m
1 +
Ci
n
siendo:
C = Cq + c ,
377
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
de 470 kHz, y de la cual el fabricante nos dice que la capacidad C, medida a 1 kHz, es de 190 pF.
Con estos datos el valor de la capacidad C, de la figura 17.26 valdrá:
El valor de L, nos lo proporciona igualmente el fabricante del componente, aunque puede cal
cularse conociendo el valor de fm y C, mediante la igualdad:
L _ 2 _________
' 4r ^ C ,
donde 0, viene dado en mH cuando fm se expresa en kHz y C, en pF. En nuestro ejemplo sería de:
/_i = - - 1 , = 8,7 mH
4 x 3,14¿ x (452 kHz)2 x 14,25 pF
Esto significa que se trata de un elemento muy estable y adecuado para ser utilizado c
en etanas osciladoras.
3 78
Displays de cristal líquido
INTRODUCCIÓN
Los displays de cristal líquido, también denominados LCD (del inglés Liquid Crystal Display), son unos
visualizadores alfanuméricos y pictóricos muy utilizados en relojes digitales, calculadoras, teléfonos mó
viles, cámaras de vídeo, Instrumentos electrónicos de medida, etc., y cuyas principales ventajas son;
Una particularidad de los displays de cristal líquido es que no son elementos luminosos com o los
displays LED, sino ópticos. Es decir, el cristal líquido no es productor de radiaciones luminosas, sino
que para su visualización es necesario que sobre él incida la luz, por lo que no es posible la lectu
ra del mismo en la oscuridad, siendo necesaria la ayuda de una fuente de luz externa, por ejemplo la
de una pequeña bombilla que los ilumine.
De acuerdo con esto último que se acaba de exponer, los displays de cristal líquido se pueden
agrupar en:
• LCD reflectores, en los que los símbolos se hacen visibles por la incidencia sobre ellos de
los rayos luminosos procedentes de una fuente exterior como, por ejemplo, la luz solar du
rante el día y uno o varios LED en la oscuridad (figura 18.1a).
• LCD transmisores, los cuales son transparentes y hacen visibles sus símbolos al ser ilumi
nados por la parte posterior, con ayuda de, por ejemplo, una pequeña bombilla o unos LED
(figura 18.1b).
• LCD transreflectores, en los que se aprovecha tanto la luz incidente frontal com o la proce
dente de una fuente luminosa posterior, es decir, se trata de una combinación de los dos ti
pos anteriores (figura 18.1c).
379
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
■
■
En la figura 18.2 se han dibujado algunos de los m uchos displays alfanum éricos, p ictó ri
cos, etc.
Los LCD son muy planos, lo que permite miniaturizar considerablemente los aparatos en los que
se dispongan. Ésta es otra gran ventaja de estos dispositivos en comparación con los displays LED,
cuyos dados ocupan mayor volumen.
CRISTALES LÍQUIDOS
Los cristales líquidos son, en su mayoría, compuestos orgánicos que tienen moléculas alargadas.
Estas sustancias pueden tomar un estado en el cual presentan simultáneamente propiedades de
sólido y de líquido.
Como cualquier liquido, es un fluido cuyas moléculas tienen gran libertad de movimiento; como
sólido cristalino sus moléculas retienen un cierto grado de ordenación.
Generalmente permanecen orientados en una dirección preferida, pero también son libres de gi
rar alrededor de sus largos ejes e incluso de intercambiar posiciones.
Para que estas sustancias orgánicas se encuentren en ese estado cristal-líquido parcialmente
ordenado, han de trabajar entre unas temperaturas bien definidas: la temperatura de transición só
lido-líquido (punto de fusión) y la temperatura a la cual el líquido se hace totalmente desordenado.
Entre estos dos límites de temperatura los ejes de las moléculas poseen una orientación preferida,
conocida com o director del cristal líquido.
Según la disposición de las moléculas del cristal líquido, éstos se clasifican en nemátlcos, es-
méctlcos y colestéricos.
En la estructura esm éctlca las m oléculas de cristal líquido están dispuestas en capas, con el
director u orientación preferida perpendicular al plano de las capas (figura 18.3). En esta estruc
tura las moléculas pueden moverse dentro del plano de las capas siempre que su orientación siga
siendo la misma.
380
DISPLAYS DE CRISTAL LÍQUIDO
En la estructura nemática las moléculas están dispuestas igualmente con los directores parale
los entre sí, pero no posee capas (figura 18.4). En esta estructura las moléculas pueden moverse
dentro de la masa del líquido y sólo la orientación está limitada.
En la estructura colestérica también existen las capas, pero el director es aquí paralelo a las ca
pas y ligeramente girado entre capas adyacentes, formando una imagen helicoidal normal a los pla
nos de las capas (figura 18.5). En esta estructura la orientación también está limitada y las moléculas
pueden moverse libremente por la masa del líquido.
Debido a que las moléculas de un cristal líquido son alargadas y poseen una estructura orde
nada, sus propiedades físicas son anisótropas, es decir, varían según ia dirección en que son exa
minadas. Estas propiedades anisótropas hacen referencia al factor dieléctrico (que puede ser posi
tivo o negativo) y al índice de refracción (que siempre es positivo).
Dopando adecuadamente un cristal líquido, también se obtiene una conductancia anisotrópica. En
este último caso, aplicando un campo eléctrico a un cristal líquido, se inducen en él cargas espaciales.
381
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Espaciador —
— Electrodo
En este caso, se induce en ei cristal líquido un flujo periódico (o dominios de Williams) cuando
la tensión alcanza un cierto valor l/th, denominado de umbral óptico.
En la práctica la tensión aplicada entre los electrodos de un cristal líquido es alterna de BF, ya
que la tensión continua conduce siempre al deterioro del LCD.
Como consecuencia del campo eléctrico aplicado, se inducen en las moléculas unas cargas
eléctricas que hacen modificar la posición de éstas, puesto que cargas del mismo signo se repelen
y de signo opuesto se atraen (figura 18.7). Esta perturbación de la estructura nemática de un cris
tal líquido es debida a su anisotropía de conductancia positiva.
Si la tensión aplicada entre electrodos del cristal líquido aumenta por encima del nivel de umbral
óptico Vjh, las fuerzas estabilizadoras son debidas a la anisotropía de conductancia negativa, por lo
que el movimiento turbulento de las moléculas queda establecido.
Aumentando la tensión aún más, la turbulencia produce grandes variaciones locales en el índi
ce de refracción, con lo que cualquier luz que incida sobre la superficie del cristal líquido queda d is
persada y, con ello, el aspecto de la capa adopta una transparencia lechosa, haciéndose perceptible
al ojo humano.
Antes hemos dicho que la tensión de umbral óptico \/th ha de ser alterna para evitar deterioros
en ei cristal líquido. Ahora cabe añadir que la producción de dominios de Williams depende de la
frecuencia de la tensión alterna aplicada.
Teóricamente, a la frecuencia de corte fc, la tensión de umbral óptico l/,h aumenta a infinito. En
la práctica, sin embargo, fc (que es la frecuencia de relajación de las cargas espaciales y es función
de la viscosidad y de la anisotropía dieléctrica del cristal líquido) separa las regiones de conducción y
las regiones dieléctricas correspondientes a la característica del cristal líquido.
En la figura 18.8 se ha dibujado la curva característica t/,h = f ( f ) de un cristal líquido. En ella se
puede observar cómo, al aumentar la frecuencia, la tensión de umbral óptico ( l/J ha de ser mayor
para producir los dominios de Williams. Por encima de la frecuencia de corte fc se produce un tipo
diferente de turbulencia de dispersión de la luz.
En la figura 18.9 se ha dibujado la curva característica que relaciona la tensión aplicada al cristal
líquido con la dispersión de la luz incidente sobre él. En ella se han señalado dos valores de tensión:
382
DISPLAYS DE CRISTAL ÜQUIDO
fc (kHz)
18.9 Curva característica del
18.8 Curva característica Vlh = f(f), porcentaje de dispersión de luz
para dispersión dinámica de un incidente sobre un cristal líquido
cristal líquido. en función de la tensión aplicada.
el ya expuesto de umbral óptico 1/ th y la tensión t/go% bajo cuyo valor la dispersión de la luz alcanza el
90 % de su valor máximo.
La modificación de la posición de las moléculas de un cristal líquido no es, lógicamente, instan
tánea, sino que precisa de un cierto tiempo fon para alcanzar el 90 % de dispersión después de apli
car una tensión algo superior a t/90%. Ello queda reflejado en la figura 18.10, donde se observa que
el tiempo fon se divide en dos partes: el tiempo de detención td y el tiempo de subida tr.
383
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Característica
. LCD de dispersión LCD nemático
;
Tensión de umbral dinámica giratorio
Óptico (t/.h) 6 V 1V
Tensión 1/^% 15 V 2V
384
DISPLAYS DE CRISTAL LIQUIDO
Polarizador frontal
(analizador)
, Electrodo visuahzador
Superficie Placa frontal
reflectora
biendo gran parte de la luz ultravioleta, la cual podría provocar la disociación fotoquím ica del cris
tal liquido.
El espesor del polarizador de vidrio ha de estar comprendido entre 10 y 20 pin.
Detrás del polarizador se dispone una placa con uno de los electrodos del dispiay, el cual nor
malmente tiene forma de 8 para los displays numéricos, y otras formas para los pictóricos. La forma
de este electrodo puede ser cualquiera, capaz de representar números y/o letras o figuras.
El electrodo debe ser transparente, de forma que permita la visualización de las moléculas del
cristal líquido cuando cambien de posición, para lo cual se utilizan capas de óxido de indio y estaño.
El electrodo se deposita en la cara posterior del polarizador de vidrio, mediante vaporización de
una capa de óxido, y luego grabando la forma que se desee mediante resinas fotosensibles o más
caras impresas.
El espesor del electrodo es de tan sólo 20 .um, siendo su transparencia, con respecto al vidrio,
del 100 % a una longitud de onda de 550 nm, que es la longitud de onda de máxima sensibilidad
del ojo humano, por lo que apenas si se detecta su presencia por transparencia.
Al electrodo se le aplica luego una fina capa aislante, y la superficie interna de la capa frontal es
tratada para obtener la orientación necesaria del director.
La capa aislante tiene por finalidad prolongar la vida del dispiay y simplificar su utilización en el
caso de LCD nemáticos giratorios. Bloquea el paso de la corriente continua y evita con ello la des
composición electrolítica del cristal liquido.
Detrás de la placa frontal se disponen ¡os espaciadores, los cuales forman las paredes superior,
inferior y laterales de la célula.
Este espaciador ha de ser muy delgado, por lo que se fabrican de un polímero termoplástico,
que tiene la particularidad de ser adhesivo por compresión en caliente. En otros casos se utilizan
espaciadores de vidrios termoestables cargados, de grosor adecuado, los cuales se adhieren a la
placa frontal mediante resinas.
Dado que el sellado ha de hacerse en caliente, y que el cristal líquido no soporta temperaturas
superiores a los 150 °C, antes de disponer el cristal liquido se coloca la placa posterior, la cual con
tiene el electrodo posterior (figura 18.11).
El espaciador se adhiere a la placa posterior por los mismos procedimientos ya expuestos, for
mándose asi una caja cerrada, en la que sólo existe un pequeño onficio por el que se efectúa el lle
nado con cristal liquido mediante una combinación de la acción de vacío y de capilaridad.
Una vez llenado el dispiay con cristal líquido, se cierra el pequeño orificio con un punto de sol
dadura de baja temperatura de fusión.
En el caso de LCD nemático giratorio, el electrodo posterior se deposita en la cara de la placa
posterior que hace contacto con el cristal líquido, y que debe ser transparente, ya que si la célula
es observada con luz transmitida, ésta debe pasar a través del filtro polarizador y atravesar el elec
trodo posterior.
En el caso de LCD de dispersión dinámica, en los que su observación es con luz reflejada, el
electrodo posterior puede estar fabricado con un material reflector. Un electrodo reflector se fabri-
385
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
ca con una capa de aluminio, oro o níquel, depositada al vacío, o mediante técnicas de rociado de
alta frecuencia, sobre la placa posterior.
Detrás de la placa posterior se dispone un polarizador, cuyas características son ¡guales a las
del frontal.
Finalmente, detrás del polarizador posterior se dispone una superficie reflectora que distribuye
la luz uniformemente.
Algunos LCD disponen también de lentes y filtros de color.
Una posibilidad atractiva es la utilización de filtros de polarización coloreados, los cuales funcio
nan por transmisión de luz, obteniéndose brillantes cambios de color.
ILUMINACIÓN DE UN LCD
Normalmente los LCD se iluminan mediante luz ambiente, ya sea luz solar o eléctrica, la cual inci
de sobre la superficie frontal del dlsplay y es reflejada mediante una superficie difusa o un espejo si
tuado en la parte posterior de éste.
Una segunda alternativa, utilizada para la visualizaclón de los caracteres del display en la oscu
ridad, consiste en disponer, en su parte posterior, una superficie parcialmente reflectora, la cual re
fleja la luz ambiente cuando ésta se halla presente, y deja pasar la luz procedente de una pequeña
lamparita incandescente o de uno o varios LED, que se añaden al display, los cuales se encienden
de forma permanente, o mediante un interruptor, siempre que se desee efectuar la lectura en la o s
curidad, tal y com o se hace en los teléfonos móviles.
La iluminación de un display de cristal líquido con LED Interno puede llevarse a cabo de cual
quiera de las formas que se indican en la figura 18.12.
o -
En la figura 18.12a la iluminación se lleva a cabo mediante uno o varios LED situados detrás del
visualizados colocando entre éste y la lámpara una pantalla translúcida que deje pasar los rayos lu
minosos.
En la figura 18.12b se ha dispuesto detrás del visuallzador una caja de superficie mate, y en una
de sus caras se sitúan los LED, de forma que queden ocultos a la vista del observador. Los rayos
luminosos Iluminan la parte posterior del display, permitiendo la lectura de sus caracteres.
En la figura 18.12c se ha dibujado un tercer sistema, consistente en disponer los LED detrás del
vlsualizador, y en la parte anterior una pantalla difusora.
Para la elección correcta de un LCD, es preciso conocer una serie de características técnicas que
pueden dividirse en tres grandes grupos:
• Eléctricas.
• Térmicas.
• Ópticas.
3 86
DISPLAYS DE CRISTAL LÍQUIDO
Las características eléctricas son, si duda, las más importantes para el profesional electrónico.
Son las siguientes:
• Relación de contraste.
• Tiempos de respuesta.
• Ángulo de observación entre puntos de contraste del 50 %.
Veamos el significado de cada una de estas características, teniendo en cuenta que algunas de
ellas, las más importantes, ya han sido tratadas en páginas anteriores.
Tensión de excitación
Para un contraste del 90 % se necesita una tensión mínima entre electrodos de LCD.
El valor de la tensión de excitación hace referencia a un contraste por encima del 90 %, a una
frecuencia determinada de onda cuadrada. Este valor suele ser facilitado por los fabricantes para
una frecuencia dada, e indican el valor de la tensión de excitación mínima, típica y máxima.
387
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Así, el display del cristal líquido modelo F331LX de P hilips posee los siguientes valores de ten
sión de excitación a 32 Hz con onda cuadrada: 3 V eficaces mínimo, 5 V eficaces típico y 15 V efi
caces máximo.
Al diseñar un circuito con LCD se debe tener especial cuidado en no sobrepasar el valor máxi
mo, por lo que se toma como referencia el valor típico.
Consumo de corriente
El consumo de corriente de un LCD es pequeñísimo, resultando un dispositivo idóneo para su uso
en aparatos alimentados por pilas o acumuladores de pequeña capacidad.
Los fabricantes de LCD indican el consumo de corriente para una tensión de excitación típica,
y a una frecuencia determinada. Por ejemplo, alimentado con 5 V eficaces de tensión de excitación
y 50 Hz, el consumo de un LCD es de unos 5 ¡iA.
Frecuencia de funcionamiento
La tensión que se aplica a un display debe ser alterna, normalmente con forma de onda cuadrada.
Sin embargo, existen dos problemas que deben considerarse: por debajo de 32 Hz se observa par
padeo, debido a que el ojo humano no retiene las Imágenes por debajo de esta frecuencia; por en
cima de 100 Hz el consumo de potencia aumenta considerablemente.
De todo esto se deduce que aunque un LCD puede trabajar entre 32 Hz y 10 kHz, se aconse
ja una frecuencia de funcionamiento de 50 Hz y no superar los 100 Hz.
Relación de contraste
El contraste se define como la relación entre la luminancla del elemento conectado y la del ele
mento desconectado. Sin embargo, esta medida debe ser considerada con precaución, ya que el
ojo humano aprecia diferencias de contraste según la luminancla de las superficies comparadas y
según el ángulo de visualización.
Las relaciones de contraste normales son de 20:1.
388
DISPLAYS DE CRISTAL LÍQUIDO
Los fabricantes facilitan en sus catálogos unos diagramas polares que relacionan el contraste
con el ángulo de observación, tal y como se muestra en las figuras 18.14 y 18.15.
100
18.14 Variación del contraste según el ángulo 18.15 Variación del contraste según el ángulo
de observación dentro del plano IX y para dos de observación dentro del plano ZY y para dos
tensiones dadas. tensiones dadas.
Además, y teniendo en cuenta que la relación de contraste depende de la tensión aplicada, es
tos diagramas polares se dibujan con dos curvas: una a la tensión l/, (línea continua) y otra a una
tensión menor V2 (línea de trazos).
En las citadas figuras se observa la existencia de una asimetría, que se hace más pronunciada
a tensiones bajas, y la cual no puede ser evitada por el diseño del display.
De las figuras 18.14 y 18.15 se desprende que el máximo contraste, del 100 %, se obtiene en
la vertical del display, reduciéndose a medida que nos acercamos a los ejes X e Y de la figura 18.13.
Con ángulos por encima de unos 50° el contraste es nulo.
En ocasiones, los fabricantes de LCD indican en sus catálogos el ángulo de observación para
apreciar un contraste del 50 %.
Tiempos de respuesta
Los tiempos de respuesta de un LCD se han definido y estudiado en páginas anteriores y en la fi
gura 18.10, por lo que a ellas remitimos al lector interesado.
389
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Los diferentes electrodos que forman los caracteres de un LCD se conectan a los terminales me
diante hilos de conexión dispuestos como se indica en la figufa 18.16. Esta disposición de las
conexiones permite reducir el número de terminales.
^ _ Q O
18.16 Forma de conectar aUaUoUoU
los segmentos de un LCD
con multiplexado de dos líneas. flDQDnnopnnnnnnnd
Efectivamente, en la figura 18.16 se puede comprobar que cada dígito está formado por siete
segmentos, y com o el display consta de cuatro dígitos, se tiene un total de 28 segmentos más cua
tro puntos decimales; sin embargo, el número de terminales es de tan sólo 18, es decir, cuatro por
dígito más dos para los electrodos posteriores.
El sistema, denominado de multiplexado de 2 líneas, consiste en disponer dos electrodos posterio
res en lugar de uno, cuyas conexiones son las que se han indicado en la figura 18.17 con BE1 y BE2.
Para que un segmento se haga visible es necesario aplicar una tensión entre él y el electrodo
HLf rUti
i_ i
BE1 BE2 BE1 BE2 BE2
M-
t i t o I l
a) b) o)
18.17 Formación de los dígitos en un LCD. a) Al aplicar tensión entre todos los electrodos anteriores y el
posterior de la parte superior, b) Al aplicar tensión entre todos los electrodos anteriores y el posterior de la parte
inferior, c) Al aplicar tensión entre algunos electrodos anteriores y los dos posteriores.
posterior a él, por lo que cada uno de los cuatro terminales correspondientes a los electrodos de
los segmentos gobierna a dos de ellos: un segmento de la parte superior y otro de la parte inferior,
pero sólo se harán visibles ambos segmentos si se aplica tensión a los dos electrodos posteriores
simultáneamente.
Veamos, con ayuda de la figura 18.17, todo esto que se acaba de exponer.
En la figura 18.17a se ha aplicado tensión entre el electrodo posterior superior BE1 y todos los
segmentos, por lo que se hacen visibles los cuatro segmentos superiores del dígito; los inferiores
no se hacen visibles ya que al electrodo posterior inferior BE2 no se le ha aplicado tensión alguna.
En la figura 18.17b se aplica tensión entre todos los segmentos y el electrodo posterior inferior
BE2, por lo que se hacen visibles los tres segmentos inferiores del dígito más la coma decimal.
En la figura 18.17c se ha aplicado tensión entre algunos de los segmentos y los dos electrodos
posteriores, por lo que se hacen visibles aquellos segmentos a los que se aplica tensión, form an
do, en el ejemplo de la figura 18.17c, la cifra 3.
Teniendo en cuenta que cada segmento se identifica mediante una letra (figura 18.18) y que
cada par de segmentos está interconectado entre sí a un único terminal, numerando los terminales
de izquierda a derecha se tiene:
390
DISPLAYS DE CRISTAL LÍQUIDO
Este sistema de multiplexado exige, sin embargo, un excitador decodificador, de forma que los
electrodos BE1 y BE2 no reciban tensión simultáneamente, sino alternándose, ya que de lo con
trario no es posible visualizar algunas cifras.
Efectivamente, supongamos que se desee visualizar el número 2. En este caso deben hacerse
visibles los segmentos a, b, g, e y d (figura 18.18), pero si se aplica tensión entre estos segmentos
y BE1 y BÉ2, aparece el número 8 , por estar f conectado a e, y c conectado a b.
Si se aplica alternativamente tensión a BE1 y BE2 con respecto a ciertos segmentos, según el
siguiente código:
BE2 BE1
Ai BE2 BE1 BE2
d
1 1 1
T 1
i
i
o
1
t
a) b) C)
18.19 Forma de visualizar el dígito 2 en un LCD.
y esta operación se realiza con la suficiente velocidad, el poder de retención de imágenes del ojo
humano permite que, aparentemente, quede visualizado el número 2 (figura 18.19c).
El sistema de excitación-codificación se realiza con un IC, siendo su estudio ajeno a los fines de
este tomo de la enciclopedia.
En el caso de LCD alfanuméricos, capaces de visualizar cualquier letra del alfabeto y cualquier
número, se precisa un mayor número de terminales (figura 18.20).
391
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
En este caso son 14 los segmentos unidos por parejas, más dos electrodos posteriores BE1 y
BE2, lo que hace un total de nueve terminales por dígito, que deben excitarse de forma similar a la
anteriormente expuesta.
Además del sistema de multiplexado descrito, el cual reduce el número de conexiones, también
se fabrican LCD con excitación estática, en los que a cada segmento le corresponde un terminal y
sólo se tiene un electrodo posterior.
El sistema de excitación binario es en todo idéntico al de los displays con LED, con la salvedad
de utilizar corrientes alternas para la excitación en lugar de corriente continua.
Para finalizar diremos que la distancia entre terminales de conexión está normalizada en 2,54 mm
y 1,27 mm.
392
Abreviaturas
393
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
TTL Transistor Transistor Logic. Lógica con VDR Voltage Dependent Resistor. Resistencia
transistor-transistor. dependiente de la tensión.
UHF Ultra High Frecuency. Ultra alta frecuencia. VHF Very High Frecuency. Muy alta frecuencia.
veo Voltage Control Oscilator. Oscilador VSLI Very Large Scale Integration. Integración a
controlado por tensión. muy alta escala.
394
índice
395
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
396
ÍNDICE
397
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
Ánodo y cátodo de un diodo rectificador 197 Cápsulas para diodos varicap y conmutadores
Puentes rectificadores 198 de banda 233
Características técnicas de los diodos
semiconductores 199
Símbolos literales para diodos semiconductores 199 Capítulo 12 Diodos emisores de luz
Curva característica de un diodo semiconductor 200
Diodos de silicio de recuperación rápida 204 Introducción 235
Capacidad de un diodo 209 Constitución de un LED 235
Elección del diodo rectificador adecuado Displays de LED 238
para un circuito 210 Características técnicas de los diodos emisores
Códigos de designación de los diodos de luz 240
rectificadores semiconductores 210 Curva característica de la intensidad de corriente
en función de la tensión directa 241
Curva característica de la intensidad luminosa
Capítulo 10 Diodos Zener en función de la Intensidad de corriente directa 242
Tensión inversa 243
Introducción 213 Potencia total de disipación 243
Constitución de un diodo Zener 213 Curva característica de la corriente directa
Curva característica / F = f(Vf) de un diodo Zener 214 en función de la temperatura 243
Curva característica I 7 = f{V?) de un diodo Zener 215 Curva característica de la Intensidad luminosa
Efecto Zener y efecto avalancha 216 en función de la temperatura ambiente 243
Tensión de referencia 216 Potencia de radiación de salida 244
Resistencia Zener 216 Curva característica de la potencia de pico
Coeficiente de temperatura de un diodo Zener 218 de salida en función de la corriente directa
Sensibilidad térmica de un diodo Zener 219 en forma de impulsos 245
Corriente de funcionamiento de un diodo Zener 220 Distribución espacial 245
Potencia de disipación en régimen estable Código de identificación de los diodos emisores
de un diodo Zener 220 de luz y displays 247
Capacidad de un diodo Zener 221 Cápsulas para LED y displays LED 247
Ruido 222
Elección del diodo Zener 222
Código de identificación de los diodos Zener 223 Capítulo 13 Transistores bipolares
Cápsulas para diodos Zener 223
Introducción 249
Uniones NPN y PNP 249
Capítulo 11 Diodos varicap y conmutadores Teoría de funcionamiento del transistor 250
de banda Transistor de puntas de contacto 253
Transistor de unión 253
Introducción 225 Transistor por difusión planar 255
Principio de funcionamiento de un diodo varicap 225 Transistor homotaxial 255
Circuito equivalente de un diodo varicap 226 Transistor con base epitaxial 255
Características técnicas de los diodos varicap 228 Transistores mesa semiplanares 256
Curva característica de la capacidad en función Cápsulas para transistores 256
de la tensión inversa 228 Características técnicas de los transistores 262
Curva característica de la corriente inversa Curvas características de un transistor 264
en función de la temperatura 229 Curvas características de salida 265
Curva característica de la corriente inversa Resistencia de salida de un transistor 266
en función de la tensión inversa 230 Ganancia de corriente 268
Curva característica del coeficiente de Tensión de codo 270
temperatura en función de la tensión inversa 230 Corriente residual 271
Relación de capacidad 231 Curvas características de transferencia 272
Elección de un diodo varicap 232 Curvas características de entrada 274
Diodos conmutadores de banda 232 Resistencia de entrada del transistor 275
Código de identificación de los diodos varicap 233 Curvas características de reacción 276
398
ÍNDICE
399
COMPONENTES ELECTRÓNICOS
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