“RDS310 SA”

ELECTRONICA APLICADA A REDES

LABORATORIO # 2
TITULO:
“NIVELES LOGICOS”

GRUPO # N
“NETWORK-UAGRM”

INTEGRANTES

NR
APELLIDO Y NOMBRE
O
1
2
3
4

FECHA
10 de August de 2021
 INFORME DE LABORATORIO # 2

I. MARCO TEORICO

Transistor de unión bipolar (BJT)

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de
sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones como se muestra en la figura 1.

Figura 2. Simbología de transistor NPN

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  Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

FAMILIA TTL (Transistor Transistor Logic).

TTL es la sigla en inglés de transistor-transistor logic, es decir, "lógica transistor a
transistor". Es una familia lógica o lo que es lo mismo, una tecnología de
construcción de circuitos electrónicos digitales. En los componentes fabricados
con tecnología TTL los elementos de entrada y salida del dispositivo son
transistores bipolares.

Caracteristicas

 Su tensión de alimentación característica se halla comprendida entre los

4,75v y los 5,25V (como se ve un rango muy estrecho).

 Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida

entre 0,2V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H
(alto).

 La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base, si

bien esta característica le hace aumentar su consumo siendo su mayor
enemigo. Motivo por el cual han aparecido diferentes versiones de TTL
como FAST, LS, S, etc y últimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En
algunos casos puede alcanzar poco más de los 250 MHz.

 Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten a

través de circuitos adicionales de transmisión (no pueden viajar más de 2 m
por cable sin graves pérdidas).

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Niveles Lógicos TTL
En el estudio de los circuitos lógicos, existen cuatro especificaciones lógicos
diferentes: VIL, VIH, VOL y VOH.

En los circuitos TTL, VIL es la tensión de entrada válida para el rango 0 a 0.8 V que
representa un nivel lógico 0 (BAJO). El rango de tensión VIH representa la
tensiones válidas de un 1 lógico entre 2 y 5 V. El rango de valores de 0.8 a 2 V
determinan un funcionamiento no predecible, por lo tanto estos valores no
son permitidos. El rango de tensiones de salida VOL, VOH se muestra en la figura 2

Figura 2. Nivel lógico de entrada de un circuito TTL

Características de Entrada
En la familia TTL los niveles lógicos bajos son más importantes que los niveles
altos. De las gráficos 1. Se puede concluir la preferencia de un valor VILmáx lo más
reducido posible y un valor VIHmín lo más elevado posible.

Margen de Ruido
Se denomina ruido a “cualquier perturbación involuntaria que puede originar un
cambio no deseado en la salida del circuito.” El ruido puede generarse
externamente por la presencia de escobillas en motores o interruptores, por acoplo
por conexiones o líneas de tensión cercanas o por picos de la corriente de
alimentación. Los circuitos lógicos deben tener cierta inmunidad al ruido la cual es

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definida como “la capacidad para tolerar fluctuaciones en la tensión no deseadas
en sus entradas sin que cambie el estado de salida”. Los fabricantes establecen
un margen de seguridad para no sobrepasar los valores críticos de tensión
conocido como MARGEN DE RUIDO.

En la Figura (g), tenemos los valores críticos de las tensiones de entrada y salida
de una puerta lógica y los márgenes de ruido a nivel alto y bajo.

Si la tensión de entrada mínima a nivel alto de una puerta tiene como valor
VIHmín, la tensión mínima de salida a nivel alto debe ser igual o superior a VIH
mín. Pero para evitar la influencia de ruidos que afecten a la siguiente puerta, no
se permitirá una tensión de salida inferior a VIHmín más el margen de ruido a nivel
alto (VNIH): VOH mín = VIH mín + VNIH
Para determinar el valor de VOLmáx aplicamos el mismo criterio pero utilizando el
margen de ruido a nivel bajo (VNIL): VOLmax = VILmax – Vnil
Margen de ruido a nivel bajo (Vnil): Vnil = VILmax – VOLmax
Margen de ruido a nivel alto (VNIH): VNIH = VOHmin - VIHmin

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II. OBJETIVOS DE LA PRÁCTICA

Determinar los niveles de operación de un transistor 2N22 y representar estos en

niveles lógicos de voltaje, en este caso con lógica positiva donde “0” representara
los niveles bajos y “1” representara los niveles altos.

Determinar los márgenes de protección contra ruido.

III. OBJETIVOS OPERACIONALES

Aplicar una diferencia de potencial variable entre la Base y Emisor de un transistor

NPN y un potencial eléctrico entre el Colector y la Base, y medir el voltaje entre el
Colector y emisor.

Determinar y representar gráficamente los NIVELES OPERACIONALES

LOGICOS del transistor, en base a los valores calculados y a la teoría.

IV. EQUIPO Y MATERIAL

EQUIPOS Cantidad
Tablero Protoboard 1
Fuente Directa (5V) 1
Fuente Variable (0-5V) 1
Tester Digital 1
Pinza de Corte 1
Pinza de Punta 1

MATERIALES Cantidad
Resistor 330Ohm, 1/2W 1
Diodo LED 1
Transistor Bipolar 2N22 1

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V. DESARROLLO
Circuito de Aplicación: (Figura 3)
Para el desarrollo del laboratorio se armó el circuito de la siguiente manera y se
obtuvieron las mediciones de Vo a distintos valores de Vi.

Figura 3. Circuito Negador

Utilizando la fuente de voltaje Variable (0-5V), aplicamos voltaje (Vi) a la Base del
Transistor Q1, subiendo el voltaje desde 0V hasta que el Diodo LED se prenda,
una vez quede encendido, mediremos el voltaje de Salida (Vo) y observaremos
que el voltaje es cercano a los 0V, luego podremos desconectar nuestra fuente
variable de la Base de Q1 y medir el voltaje, el cual debe estar aproximadamente
por los 0.7V teóricos.

Figura 4. Simulación en PROTEUS

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Mediciones Realizadas en la Experimentación:

Voltaje en la base Voltaje entre C-E Estado del

del TRANSISTOR del TRANSISTOR LED
0 3,6 OF
0,1 3,6 OF
0,02 3,6 OF
0,3 3,6 OF
0,4 3,58 OF
0,5 3,47 OF
0,55 3,33 ON
0,6 3,23 ON
0,67 2,2 ON
0,72 0,08 ON
0,8 0,02 ON
0,9 0,02 ON
0,95 0,02 ON
1 0,02 ON
1,4 0,02 ON
1,8 0,02 ON
2,2 0,02 ON
2,6 0,02 ON
3 0,02 ON
3.4 0.02 ON
4,9 0 ON

Determinación de niveles Umax y Umin

Una vez se realizo la experimentación del laboratorio, debemos determinar los
niveles lógicos del el transistor, tomando como un rango de protección de 0.3V al
voltaje de ruptura del transistor, con el cual determinaremos nuestro Umax de la
entrada para nuestro “0” lógico, es decir tendremos un rango de 0 a Umax que
representara nuestro “0” lógico, y para el “1” lógico tomaremos Umin a Vcc, estos
rangos están expresados en un grafico adjunto al final del informe.

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 ENTRADA SALIDA
4,9 Volt. 3,6 Volt.
"0" 3,6 Volt.
3,4 Volt. "1" 3,47 Volt.

0,5 Volt.
proteccion contra ruido
0,3 Volt. proteccion contra ruido 0,02 Volt.
0 Volt. "0" "1" 0 Volt.

VI. CONCLUCIONES

Podemos concluir que un transistor bipolar aplicado a Circuitos Lógicos es

manejado por niveles lógicos de voltaje “0” y “1” los cuales representan rangos de
voltajes bajos y altos respectivamente, para los cuales también se debe considerar
un rango de voltaje no permitido para protección contra ruido, el cual es
determinado una vez encontrando el punto de ruptura del transistor.

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