Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

LABORATORIO VIRTUAL nº6

Polarizacion del transistor BJT

Objetivos:
1. Practicar la polarización de un transistor BJT
a. BJT del tipo PNP.
b. Uso de la hoja de datos para el análisis y diseño del circuito de polarización.

Materiales:
 Computador con el simulador Circuitmaker 2000 PRO.
 Datasheet transistor 2N2907A (ver Ref. 1).

Teoría:

Para la correcta polarización de un transistor, es necesario una red a base de resistores y una o varías
fuentes de tensión o corriente, que ajusten los voltajes de los terminales del BJT de manera que el
mismo se encuentre en la región deseada.

La siguiente imagen muestra en qué región se encuentra un transistor NPN en función del voltajes de
los terminales (Para PNP debe invertir el nombre de los voltaje, Ej. VCB):

La operación en región activa inversa presenta un comportamiento cualitativamente equivalente al de la

región activa directa; cuantitativamente el comportamiento es diferente (deficiente) y por lo tanto ésta
región no es utilizada en la práctica.

En aplicaciones de amplificación de señales, la región activa es la utilizada debido a que es una región
lineal y la distorsión de la señal es mínima.

Como se observa en la figura, para polarizar al transistor en la región activa es necesario polarizar
directamente la juntura BE e inversamente la juntura BC, independiente si es un transistor NPN o PNP.

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Procedimiento:

I. Circuito divisor de voltaje para la polarización para un transistor BJT del tipo PNP.

a. Obtenga las especificaciones del fabricante de transistor PNP 2N2907A (vea Ref. 1).
b. Arme el circuito de la figura siguiente:
V1
-18V

R3 R1
47k 2.4k

Q1
2N2907A

R4 R2
10k 1.1k

c. Mida los voltajes (punto de operación Q) de colector, emisor y base.

d. Calcule los potenciales VEB y VCB e indique en qué región se encuentra el transistor
según la teoría.
e. Mida las corrientes IB, IC e IE y compruebe las mediciones con cálculos a mano. Puede
utilizar la hoja de datos y, en el gráfico de h FE, encontrar el valor de Beta para la
corriente de colector medida en el circuito a 25ºC.

II. Diseño de un circuito con BJT.

a. Se tiene a disposición el transistor 2N2907A, una fuente de voltaje de 12 V y varias

resistencias comerciales (Ref. 2). Proponga un circuito de polarización por división de
tensión para este transistor que cuente con las siguientes especificaciones:
• La región de operación es la región activa y debe estar en una región céntrica de
la característica de salida.
• El voltaje VCE debe ser ½ VCC.
• La potencia del transistor debe ser menor al 60% de la potencia máxima.
• Utilice la recomendación del libro:

b. Simule el circuito propuesto y compruebe con mediciones pertinentes que el punto Q

está en el lugar deseado y que se cumplen todas las especificaciones.

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Bibliografía y referencias:

1. Datasheets:

1. 2N2907A: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/2N2907A-D.PDF
2. Resistencias comerciales, tabla de valores

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