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Dispositivos Electrónicos

AÑO: 2010

TEMA 6: EL TRANSISTOR MOSTFET

Rafael de Jesús Navas González


Fernando Vidal Verdú
 
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TEMA 6: EL TRANSISTOR MOSFET

6.1. Estructura física.

6.1.1 Estructura Metal Oxido Semiconductor (MOS)


6.1.2 El transistor MOSFET de enriquecimiento: de canal N y canal P
6.1.3 El transistor MOSFET de empobrecimiento: de canal N y canal P.

6.2. Regiones de operación de un transistor MOSFET.

6.2.1 Región de corte.


6.2.2 Región lineal u óhmica.
6.2.3 Región saturación.

6.3. El transistor MOSFET como elemento de circuito:

6.3.1 Variables de circuito y configuraciones básicas:


• drenador común,
• fuente común
• puerta común.
6.3.2 Curvas características y modelos básicos.
6.3.3 Circuitos con transistores: Cálculo del punto de trabajo.
6.3.4 Comportamiento dinámico: Transistor MOSFET en conmutación.

6.4. Familias lógicas MOS.

6.4.1 Familias NMOS: Puértas Lógicas y Funciones Booleanas


6.4.2 Familia CMOS: Puértas Lógicas y Funciones Booleanas

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TEMA 6: EL TRANSISTOR MOSFET

OBJETIVOS

Al estudiar este tema el alumno debe ser capaz de:

• Explicar de forma cualitativa como se crea un región de inversión


en una extructura Metal Oxido Semiconductor.
• Explicar de forma cualitativa las características de la estructura
física de los transistores MOSFET, tanto los de canal N como los
de canal P; y tanto los de enriquecimiento como lo de
empobrecimiento.
• Explicar de forma cualitativa las condiciones y mecanismo de
funcionamiento de los transistores MOSFET en las diferentes
regiones de operación: Region de corte, región óhmica y región de
saturación.
• Identificar el transistor MOSFET como elemento de circuito y las
variables usadas para su caracterización.
• Conocer el modelo básico de transistor MOSFET (canal N y canal
P, de enriquecimiento y de empobrecimiento) en su configuración
fuente común en cada una de las regiones de funcionamiento y su
relación con sus curvas características.
• Analizar circuitos básicos con un transistor MOS. Analisis DC.
Analizar e identificar puertas lógicas basicas de las familias NMOS
y CMOS.
• Conocer forma cualitativa el funcionamiento estatico y dinámico
del transistor bipolar en conmutación.
• Identificar diferentes funciones booleanas de las familias NMOS y
CMOS.

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LECTURAS COMPLEMENTARIAS

•• Navas González R. y Vidal Verdú F. "Curso de Dispositivos


Electrónicos en Informática y Problemas de Examen
Resueltos" Universidad de Málaga/ Manual 70, 2006. Tema 6:
pag.245-268.

•• Fernández Ramos, J. y otros, "Dispositivos Electrónicos para


Estudiantes de Informática" Universidad de Málaga /
Manuales 2002. Tema 6: pag. 135- 176.

•• Pollán Santamaría, Tomás, "Electrónica Digital I. Sistemas


Combinacionales", Prensas Universitarias de Zaragoza 2003.
Apéndice A2: pag. 274-278, TEMA7: pag. 172-184, TEMA 8:
pag. 185-204, TEMA9: pag. 205-228.

•• Malik, N.R.,"Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y


Diseño", Editorial Prentice-Hall 1996. Tema: 5: pag. 291-311,
317-322, y Tema 13: 932-950

•• Daza A. y García J. "Ejercicios de Dispositivos Electrónicos"


Universidad de Málaga/Manuales 2003. Tema 4: pag 169-252.

•• http://jas.eng.buffalo.edu/education/index.html

•• http://tech-www.informatik.uni.hamburg.de/applets/
cmosdemo.html

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ESTRUCTURA METAL-ÓXIDO-SEMICONDUCTOR

METAL
(Al)

_ _ _ _ _ ÓXIDO + + + + +
AISLANTE
_ _ _ _ _ (SiO2)
+ + + + +
_ _ _ _ _ + + + + +
Semiconductor

_ _ _ _ _ E E + + + + +
_ _ _ _ _ + + + + +
_ _ _ _ _ + + + + +

Canal N Canal P

+ + + + + _ _ _ _ _
_ _ _ _ _ + + + + +
E E
_ _ _ _ _ + + + + +
Región de Deplexión Región de Deplexión

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EL TRANSISTOR MOS DE ENRIQUECIMIENTO

TRANSISTOR MOS de canal n: NMOS


puerta
substrato drenador fuente
IG = 0

B D G S

p+ n+ n+
Región
p aislante
de Deplexión

Símbolos del elemento de circuito


D D

G B G

S S

TRANSISTOR MOS de canal p: PMOS


puerta
substrato drenador fuente
B D G S

n+ p+ p+
n
Región aislante
de Deplexión p

Símbolos del elemento de circuito


S S

G B G

D D

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EL TRANSISTOR MOS DE EMPOBRECIMIENTO

TRANSISTOR MOS de canal n: NMOS


puerta
substrato drenador fuente
B D G S

p+ n+ n+
Región p
de Deplexión canal n

Símbolos del elemento de circuito


D D

G B G

S S

TRANSISTOR MOS de canal p: PMOS


puerta
substrato drenador fuente
B D G S

n+ p+ p+
Región
n
de Deplexión canal p
p

Símbolos del elemento de circuito


S S

G B G

D D

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EL TRANSISTOR MOS DE ENRIQUECIMIENTO:
REGIONES DE OPERACIÓN

ZONA DE CORTE
Para que el transistor conduzca hacemos V GS ≥ V T
G IG = 0

VGS
D S G Tensión Umbral
D S
G
p n+ n+
D S E

B
B
Aparece un canal rico en electrones (tipo n)
VDS

Si VDS > 0 aparece ID > 0


ID
VGS
G
D S
n+ n n+
p

Pero si V GS ≤ V T no hay canal. ID = 0 , y estamos en CORTE


VDS

ID
VGS
G
D S
n+ n+
p

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EL TRANSISTOR MOS DE ENRIQUECIMIENTO:
REGIONES DE OPERACIÓN
ZONA LINEAL U ÓHMICA G

El transistor conduce V GS ≥ V T VDS D S

VDS POSITIVA Y PEQUEÑA


IG = 0
V GD = V GS – V DS VGS
V GD ≈ V GS G
V DS PEQUEÑA
D S
p n+ n+
CAMPO ELÉCTRICO UNIFORME E

Aparece un canal n uniforme


VDS
V GS ≥ V T
VDS
ID ID
VGS
G
D S
n+ n n+
p
VT VGS

La anchura del canal depende de VGS


ID
n+ n n+
VGS
1/R n+ n n+

VDS n+ n n+
R
Corriente de arrastre a través de un conductor cuya
sección y conductividad (resistencia) se controla con VGS
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EL TRANSISTOR MOS DE ENRIQUECIMIENTO:
REGIONES DE OPERACIÓN

ZONA DE SATURACIÓN G
El transistor conduce V GS ≥ V T
D S
V GD = V GS – V DS
VDS POSITIVA Y GRANDE V GD < V GS
V DS GRANDE
CAMPO ELÉCTRICO NO UNIFORME Se tiene un canal n no uniforme
VDS

ID
VGS VGS
G G
D S D S
n+ n+ n n+
p n+
E
p

ID VGS FIJA

n+ n n+

n+ n n+

VDS n+ n n+
el canal desaparece en el extremo de drenador

V GD = V T V DS = V GS – V T
V GD = V GS – V DS

Corriente de difusión que no depende de VDS

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EL TRANSISTOR MOS: CAPACIDADES PARÁSITAS

drenador puerta fuente


substrato B D G S

p+ n+ n+
W (ancho)
p

L (largo)

B G
D CGD CGS S
p+ n+ n+
CGB
CBD CBS
p
CBD corresponde a la capacidad de deplexión en la unión substrato-drenador
CBS corresponde a la capacidad de deplexión en la unión substrato-fuente
CGB corresponde a la capacidad parásita entre la puerta y el substrato,
con la capa de óxido como dieléctrico
CGD corresponde a la capacidad parásita entre la puerta y el drenador,
con la capa de óxido como dieléctrico.
CGS corresponde a la capacidad parásita entre la puerta y la fuente,
con la capa de óxido como dieléctrico.

CGB, CGD y CGS dependen principalmente de las dimensiones del transistor:


W ancho y L Largo, del solapamiento de las regiones
pueta fuente y puerta drenador, y del grosor de la capa de óxido,
De todas ellas depende fundamentalmente
el comportamiento dinámico del transistor MOS

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TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO DE CIRCUITO

TRANSISTOR NMOS TRANSISTOR PMOS

VD S VS
D
+ + +
VDG VSG + IS
ID

_ _
G IG G IG
VDS VSD
VG vG
+ +

_ IS _ _ ID _
VGS VGD
S VS D VD

Elemento de tres terminales: seis variables de circuito


VGS , VDS , VDG (NMOS)
I G , ID , IS VG , VD , VS o bien
VGD , VSD , VSG (PMOS)
sólo cuatro variables independientes:

LKI: IG + ID + IS = 0 LKV: VG + VD + VS = 0
LKV: VGS - VDS + VDG = 0 (NMOS)
IG = 0 ID + IS = 0 LKV: VGD - VSD + VSG = 0 (PMOS)

Tres configuraciones:

FUENTE COMÚN PUERTA COMÚN DRENADOR COMÚN

ID IS

+ IS ID +
IG=0 D IG=0 S
G + G
VDS + VSD
+ VSG S D +
VGS S VDG VGD D
_ _ _ G _ _ _

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TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO DE CIRCUITO

MODELO ESTÁTICO Y CONDICIONES

CORTE ÓHMICA Ó SATURACIÓN

CORTE
ID VDS
D

G V GS ≤ V T

VT VGS

SATURACIÓN
ÓHMICA SATURACIÓN
D
β 2
I D = --- ( V GS – V T )
ID 2

si V GS ≥ V T
G
y V DS ≥ V GS – V T
S
VGS FIJA

ÓHMICA
VDS 2
D V DS
I D = β ( V GS – V T )V DS – --------
-
V DS = V GS – V T 2

si V GS ≥ V T
G y V DS ≤ V GS – V T
S

D
V DS « V GS – V T ID
–1
V DS R = ( β ( V GS – V T ) )
I D ≈ β ( V GS – V T )V DS = --------
-
R G
S

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TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO DE CIRCUITO


TABLA RESUMEN DE MODELOS Y CONDICIONES
D D S S

G VT > 0
G VT < 0 G VT > 0 G VT < 0

S S D D
REGIÓN DE CORTE
D S

G si V GS ≤ V T G si V SG ≤ V T

S D

REGIÓN DE SATURACIÓN
D S
β β 2
ID = --- ( V GS – V T )
2
I S = --- ( V SG – V T )
2 2

si V GS ≥ V T si V SG ≥ V T
G G
S y V DS ≥ V GS – V T D y V SD ≥ V SG – V T

REGIÓN ÓMICA
D 2 S 2
V DS V SD
I D = β ( V GS – V T )V DS – --------- I S = β ( V SG – V T )V SD – ---------
2 2
si V GS ≥ V T si V SG ≥ V T
G y V DS ≤ V GS – V T G y V SD ≤ V SG – V T
S D

TRANSISTOR DE EMPOBRECIMIENTO
campo eléctrico con V GS < 0
ID D

G n+ n+
VT < 0

VT (0,0) VGS n+ n+
no hay canal para VGS = VT < 0
TRANSISTOR DE CANAL P
PMOS S

G cambia la polaridad de los portadores


D

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TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO DE CIRCUITO
Ejemplo 1: Determinar el valor de las variables de fuente común que determinan
el punto de trabajo del transistor.
VDD V VDD
ID
VDD = 10 volt.
R RD RD
V = 5 volt.
RD = 22KΩ
IG=0 +
N
M R = 100KΩ N M VDS
VT = 3 volt. +
V VGS - -
βΝ = 0,2 mA/V2

CORTE ÓMICA SATURACIÓN

D D 2
D
V DS β
I D = β ( V GS – V T )V DS – --------- I D = --- ( V GS – V T )
2
2
si V GS ≤ V T
2
G
si V GS ≥ V T si V GS ≥ V T
S G y V DS ≤ V GS – V T G
y V DS ≥ V GS – V T
S S

Ejemplo 2: En el circuito se sabe que IS = 0,5 mA. Cálcular el valor de βP de M

VDD VDD = 10 volt. VDD VDD


IS
RS = 1KΩ 2 M1
R IS RS
RD = 9KΩ RS
M2
VT = 2 volt. VSG +
N R/2 +
M Es claro que M conduce (IS>0) - M VSD
Y es necesario determinar IG= 0 N -
R RD si lo hace en óhmica o saturación ID = IS
V DD RD
M1: V DD = R S I S + V SG + -----------
2
M2: V DD = R S I S + V SD + R S I D
V DD
M1: V SG = ----------- – R S I S V SG = 4, 5 ≥ 0
2 V SD > V SG – V T = 2, 5
M2: V SD = V DD – ( R S + R D ) I S V SD = 5 ≥ 0
2I S A
El transistor está en saturación β P = ------------------------------ β P = 0, 16m ------
2 2
( V SG – V T ) V

Ej. 1 Sol. ID = 0,38mA VGS = 5 volt. VDS =1,58volt.

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TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO DE CIRCUITO

Un algoritmo de Análisis

Q1
Circuito Ejemplo: N=1
QN

1. Se consideran todas las situaciones posibles, que son M = 3N,


es decir si N = 1, M = 3, en concreto:
i=1: M1 CORTE
i=2: M1 OHMICA
i=3: M1 SATURACIÓN
inicializo la variable i =0

2. Tomo el caso i = i+1 y sustituyo los transistores por los modelos


(transparencia anterior)

3. Para todos los transistores compruebo las condiciones bajo las


cuales los modelos valen (transparencia anterior)

NO
¿Se cumplen las condiciones?

SI

FIN: CALCULO LO QUE QUIERO DEL CIRCUITO

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TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO DE CIRCUITO
Ej 3: En este circuito, determinar el valor de VO y el consumo para Vi=0 y Vi= VDD.
VDD VDD
ID2
M2 IG2= 0 +
VDD = 5 volt. M2 VDS2
+
VTM1 = 1 volt. VGS2=0 - -
+
Vi M1 VTM2 = -1 volt. O +
VO ID1
βΜ1 = 20 μA/V 2
-
βΜ2 = 75 μA/V2 IG1= 0
VDS1=VO
Vi M1
+
Vi=0) VGS1 -
-
MOS M2: NMOS de empobrecimiento V TM2 < 0
Como V GS2 = 0 V GS2 > V TM2 M2 siempre conduce

Conducirá en su zona ómica o en saturación


dependiendo de si se verifica que V DS2 ≤ – V TM2 o bien V DS2 ≥ – V TM2

Como V DS2 = V DD – V O
M2 conducirá en su zona óhmica siempre que V O ≥ V DD + V TM2

M2 conducirá en su zona de saturación simpre que V O ≤ V DD + V TM2

TM1 > 0
MOS M1: NMOS de enriquecimiento V

Como V
GS1 = V i = 0
V GS1 < V TM1 M1 está en corte I D1 = 0

Para el nudo O se tiene I D2 = I D1 + I G2 y dado que I I D2 = I D1 = 0


G2 = 0

La situación es tal que M1 está en corte y M2 conduce pero con corriente nula.
¡Esto solo es posible si M2 conduce en óhmica!
β M2 2
M2 no puede estar en saturación porque en ese caso I D2 = ---------- ( V GS2 – V TM2 )
2
β M2 2
I D2 = ---------- ( – V TM2 ) > 0
por lo que no puede ser I
D2 = 0
2
2
V DS2
Con M2 en zona óhmica I D2 = β M2 ( V GS2 – V TM2 )V DS2 – ------------- = 0
2
2
( V DD – V O ) V DD + 2V TM2 En óhmica
( – V TM2 ) ( V DD – V O ) – -------------------------------- = 0 V =
2 O
V DD V O ≥ V DD + V TM2

SOLUCIÓN
2 2
V O – 2 ( V DD + V TM2 )V O + ( V DD + 2V DD V TM2 ) = 0 V O = V DD PV = 0
DD

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Ej 3: En este circuito, determinar el valor de VO y el consumo para Vi=0 y Vi= VDD.
(Cont.) V V
DD DD
ID2
M2 IG2= 0 +
VDD = 5 volt. M2 VDS2
+
VTM1 = 1 volt. VGS2=0 - -
+
Vi M1 VTM2 = -1 volt. O +
VO ID1
βΜ1 = 20 μA/V 2
-
βΜ2 = 75 μA/V2 IG1= 0
VDS1=VO
Vi M1
+
Vi= VDD) VGS1 -
-
MOS M2: NMOS de empobrecimiento V TM2 < 0
Como V GS2 = 0 V GS2 > V TM2 M2 siempre conduce

M2 conducirá en su zona óhmica siempre que V O ≥ V DD + V TM2

M2 conducirá en su zona de saturación simpre que V O ≤ V DD + V TM2

TM1 > 0
MOS M1: NMOS de enriquecimiento V

Como V
GS1 = V i = V DD
V GS1 > V TM1 M1 conduce

Conducirá en su zona ómica o en saturación dependiendo de si se verifica que


V DS1 ≤ V GS1 – V TM1 o bien V DS1 ≥ V GS1 – V TM1
Como V DS1 = V O
M1 conducirá en su zona óhmica siempre que V O ≤ V DD – V TM1
M1 conducirá en su zona de saturación simpre que V O ≥ V DD – V TM1
La situación es tal que tanto M1 como M2 conducen,
pero hay que determinar en qué zona lo hace cada uno de ellos
Se tienen cuatro posibilidades:
a) M1 óhmica - M2 óhmica V O ≤ V DD – V TM1 V O ≥ V DD + V TM2
b) M1 óhmica - M2 saturación V O ≤ V DD – V TM1 V O ≤ V DD + V TM2
c) M1 saturación - M2 óhmica V O ≥ V DD – V TM1 V O ≥ V DD + V TM2
d) M1 saturación - M2 saturación V O ≥ V DD – V TM1 V O ≤ V DD + V TM2

En cualquier caso para el nudo O se tiene I D2 = I D1 + I G2

y dado que I G2 = 0 I D2 = I D1
Por lo tanto hay que estudiar esta igualdad en cada uno de los cuatro casos
y ver cuál de ellos se verifica

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Ej 3: En este circuito, determinar el valor de VO y el consumo para Vi=0 y Vi= VDD.
(Cont.)
VDD VDD = 5 volt. VTM1 = 1 volt. VTM2 = -1 volt.
ID2
βΜ1 = 20 μA/V2 βΜ2 = 75 μA/V2
IG2= 0 +
M2 VDS2
+ Vi= VDD) (Continuación)
VGS2=0 - -
O +
ID1 b) M1 óhmica - M2 saturación

V O ≤ V DD – V TM1
IG1= 0
VDS1=VO V O ≤ 4V
Vi M1 V O ≤ V DD + V TM2
+
VGS1 -
-
Analizamos I D1 ( ohm ) = I D2 ( sat )
2
V DS1 β M2 2
β M1 ( V GS1 – V TM1 )V DS1 – ------------
- = ---------- ( V GS2 – V TM2 )
2 2
2
VO β M2 2
β M1 ( V DD – V TM1 )V O – ------
- = ---------- ( – V TM2 )
2 2

β M1 2 β M2 2
- [ 2 ( V DD – V TM1 )V O – V O ] = ---------
--------- - ( – V TM2 )
2 2

2 β M2 2
V O – 2 ( V DD – V TM1 )V O + ---------- V TM2 = 0
β M1

Sustituyendo valores numéricos


2 7, 5V
V O – 8V O + 3, 75 = 0 VO =
0, 5V

Dado que se ha de cumplir V O ≤ 4V la solución válida es V O = 0, 5V

Para el cálculo de la potencia se tiene

PV = V DD ⋅ I D2 ( sat )
DD
PV = 0, 1775mW
β M2 2 DD
I D2 ( sat ) = ---------- ( – V TM2 ) = 37, 5μA
2

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Ej 4: En este circuito, determinar el valor de VO y el consumo para Vi=0 y Vi= VDD.
VDD VDD
IS2
M2 VSG2 + +
VDD = 5 volt. - M2 VSD2
VTM1 = 1 volt. IG2= 0
+ ID2 -
M1 VTM2 = 1 volt.
Vi
VO O +
βM1 = 20 μA/V2 ID1
-
βM2 = 75 μA/V2 IG1= 0
VDS1=VO
Vi M1
Vi=0) +
VGS1 -
-
MOS M2: PMOS de enriquecimiento V TM2 > 0
Como V SG2 = V DD – V i = V DD V SG2 > V TM2 M2 conduce
Conducirá en su zona ómica o en saturación dependiendo de cual sea la relación
V SD2 ≤ V DD – V TM2 o bien V SD2 ≥ V DD – V TM2
Como V SD2 = V DD – V O
M2 conducirá en su zona óhmica siempre que V O ≥ V TM2

M2 conducirá en su zona de saturación simpre que V O ≤ V TM2

TM1 > 0
MOS M1: NMOS de enriquecimiento V

Como V V GS1 < V TM1 I D1 = 0


GS1 = V i = 0
M1 está en corte

Para el nudo O se tiene I D2 = I D1 y dado que I I D2 = 0


D1 = 0

La situación es tal que M1 está en corte y M2 conduce pero con corriente nula.
¡Esto solo es posible si M2 conduce en óhmica!
β M2 2
M2 no puede estar en saturación por que en ese caso I D2 = ---------- ( V SG2 – V TM2 )
2
β M2 2
I D2 = ---------- ( V DD – V TM2 ) > 0 por lo que no puede ser I D2 = 0
2
2
V SD2
Con M2 en zona óhmica I D2 = β M2 ( V SG2 – V TM2 )V SD2 – ------------- = 0
2
2
( V DD – V O ) – ( V DD – 2V TM2 ) En óhmica
( V DD – V TM2 ) ( V DD – V O ) – -------------------------------- = 0 VO = V O ≥ V TM2
2 V DD
SOLUCIÓN
( V DD – V O ) ⋅ ( ( V DD – 2V TM2 ) + V O ) = 0 V O = V DD PV = 0
DD

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TRANSISTOR MOS COMO ELEMENTO DE CIRCUITO
Ej 4: En este circuito, determinar el valor de VO y el consumo para Vi=0 y Vi= VDD.
(Cont.) V DD VDD
IS2
M2 VSG2 + +
VDD = 5 volt. - M2 VSD2
VTM1 = 1 volt. IG2= 0
+ ID2 -
M1 VTM2 = 1 volt.
Vi
VO O +
βM1 = 20 μA/V2 ID1
-
βM2 = 75 μA/V2 IG1= 0
VDS1=VO
Vi M1
Vi=VDD) +
VGS1 -
-
MOS M2: PMOS de enriquecimiento V TM2 > 0
Como V SG2 = V DD – V i = 0 V SG2 < V TM2 M2 está en corte I D2 = 0

TM1 > 0
MOS M1: NMOS de enriquecimiento V

Como V GS1 = V i = V DD V GS1 > V TM1 M1 conduce

Conducirá en su zona ómica o en saturación dependiendo de cual sea la relación


V DS1 ≤ V DD – V TM1 o bien V DS1 ≥ V DD – V TM1
Como V
DS1 = V O
M1 conducirá en su zona óhmica siempre que V O ≤ V DD – V TM1

M1 conducirá en su zona de saturación simpre que V O ≥ V DD – V TM1


Para el nudo O se tiene I D2 = I D1 y dado que I D2 = 0 I D1 = 0

La situación es tal que M2 está en corte y M1 conduce pero con corriente nula.
¡Esto solo es posible si M1 conduce en óhmica!
β M1 2
M1 no puede estar en saturación por que en ese caso I D1 = ---------- ( V GS1 – V TM1 )
2
β M1 2
I D1 = ---------- ( V DD – V TM1 ) > 0 por lo que no puede ser I D1 = 0
2
2
V DS1
Con M1 en zona óhmica I D1 = β M1 ( V GS1 – V TM1 )V DS1 – ------------- = 0
2
2 En óhmica
VO 2 ( V DD – V TM1 )
( V DD – V TM2 )V O – ---------
- = 0 VO = V O ≤ V DD – V TM1
2 0
SOLUCIÓN
V O ⋅ ( 2 ( V DD – V TM1 ) – V O ) = 0 VO = 0 PV = 0
DD

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COMPORTAMIENTO DINÁMICO DEL TRANSISTOR MOSFET: NMOS EN CONMUTACIÓN
- Respuesta a un pulso
ID

IC

IRD

VDS
Característica de Transferencia VGS
Corte
vO
C1 modela las capacidades parásitas del transistor NMOS vistas desde el terminal de drenador

- Transición corte - óhmica


Saturación - Tiempo de propagación de alto a bajo: C1, que está cargado inicialmente,
se descarga a través una fuente de corriente: El transistor NMOS, inicialmente en Saturación
Óhmica y finalmente en Óhmica (resistencia pequeña)
- Transición óhmica - corte
- Tiempo de propagación de bajo a alto: C1, que está descargado inicialmente,
se carga a traves de la resistencia de drenador RD (resistencia más elevada)
vin
Hay consumo de potencia estático y dinámico

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COMPORTAMIENTO DINÁMICO DEL TRANSISTOR MOSFET: NMOS EN CONMUTACIÓN
- Respuesta a un pulso
ID

IC2

M2

IDM1

VDS1
Característica de Transferencia VGS
Corte
vO

C2 modela las capacidades parásitas de ambos TNMOS vistas desde el terminal de salida
- Transición corte - óhmica
Saturación - Tiempo de propagación de alto a bajo: C2, que está cargado inicialmente,
se descarga a través una fuente de corriente: El transistor M2, inicialmente en Saturación
Óhmica y finalmente en Óhmica (resistencia pequeña)
- Transición óhmica - corte
- Tiempo de propagación de bajo a alto: C2, que está descargado inicialmente,
se carga a traves de luna fuente de corriente: El transistor M1, que trabaja siempre en Saturación.
vin
Hay consumo de potencia estático y dinámico
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COMPORTAMIENTO DINÁMICO DEL TRANSISTOR MOSFET: CMOS EN CONMUTACIÓN
- Respuesta a un pulso
IDMn

IC3
Mp

Mn

ISMp

VDS2
Característica de Transferencia VGS
vO Corte P Óhm

C3 modela las capacidades parásitas de ambos TMOS vistas desde el terminal de salida
P Sat
- Transición corte - óhmica
- Tiempo de propagación de alto a bajo: C3, que está cargado inicialmente,
se descarga a través una fuente de corriente: El transistor Mn, inicialmente en Saturación
N Sat y finalmente en Óhmica (resistencia pequeña)

- Transición óhmica - corte


N Óhm - Tiempo de propagación de bajo a alto: C3, que está descargado inicialmente,
se carga a traves de luna fuente de corriente: El transistor Mp, inicialmente en Saturación,
y finalmente en Óhmica.
vin
Sólo hay consumo de potencia en las transiciones: consumo dinámico
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FAMILIAS LÓGICAS CON TRANSISTORES MOS

Familia lógica NMOS

vIN vO (a)

(b)

(c)

(d)

A A
O O VDD
B B
VDD

Mt Mt
Vo
Vo VA
VA VB
MA MB VB

VDD

Mt puede ser de enriquecimiento Mt


Vo

Calidad:

♦Fan-out: cuantas más puertas, más retraso


♦Margen de ruido: 1.3V
♦Retraso: 10ns
♦Consumo: 0.312mW (crece con la frecuencia)

Se utiliza para hacer circuitos grandes en un chip

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FAMILIAS LÓGICAS CON TRANSISTORES MOS

Familia lógica CMOS

vIN vO
(a) (b)

(c)

(d)
(e)

A A
O O
B VDD B
VDD

VA MPA VA MPA VB MPB


VB MPB
Vo Vo
VA MNA
VA VB VB MNB
MNA MNB

Calidad:

♦Fan-out: cuantas más puertas, más retraso


♦Margen de ruido: 2.25V
♦Retraso: 8ns

Comparación TTL/MOS en cuanto a consumo:

Vcc=5V, CL=50pF 100kHz 5 MHz 100MHz

Consumo 74LS00 (TTL) 3 mW 3.5 mW 5 mW


Consumo 74HC00 (CMOS) 0.250 mW 3.5 mW 150 mW

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FUNCIONES BOOLEANAS CON TRANSISTORES MOS

Funciones Booleanas NMOS


A VDD A VDD
B O B O
C C
Mt Mt
Vo Vo
VA MA
VA MA
VB MB
VB MB
VC MC
VC MC

Estructura básica NMOS VDD


A Mt
B f(A,B,C,D) O
C Vo
D A
B RED N
C fN(A,B,C,D)
fN(A,B,C,D)=f(A,B,C,D) D

Ejemplos de funciones NMOS


f ( A, B, C, D ) = ( A + B )C + D f ( A, B, C, D ) = ( AB + C )D
VDD VDD

Mt Mt
Vo Vo
VC MC VD MD

VA MA VC MC

VB MB VB MB

VA MA
VD MD

f N ( A, B, C, D ) = ( A + B )C + D f N ( A, B, C, D ) = ( AB + C )D

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FUNCIONES BOOLEANAS CON TRANSISTORES MOS

Funciones Booleanas CMOS

A A
B O B
C C

VDD VDD

MPA MPA

VA MPB
MPB
VA
MPC
VB Vo
MPC
MNC VB Vo
VC MNC

MNB VC MNB

MNA MNA

Estructura básica CMOS


A
B RED P
C fP(A,B,C,D)
A D
B f(A,B,C,D) O
C O
D
A
B RED N
C fN(A,B,C,D)
D
fP(A,B,C,D)=f(A,B,C,D)

fN(A,B,C,D)=f(A,B,C,D)

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FUNCIONES BOOLEANAS CON TRANSISTORES MOS

Funciones Booleanas CMOS


A
B RED P
A C fP(A,B,C,D)
D
B f(A,B,C,D) O
C O
D
A
B RED N
C fN(A,B,C,D)
D

Ejemplos de funciones CMOS


f ( A, B, C, D ) = ( A + B )C + D f ( A, B, C, D ) = ( AB + C )D

f p ( A, B, C, D ) = ( A + B )C + D = f p ( A, B, C, D ) = ( AB + C )D =
= ( AB + C )D = ( A + B )C + D
VDD
VDD

MPC
MPA

MPA
MPB

VA MPC
VA MPB

MPD
VB MPD
VB
Vo Vo
MNC
VC MND
VC
MNA
MNC
VD
VD
MNB
MNB

MNA
MND

f N ( A, B, C, D ) = ( A + B )C + D f N ( A, B, C, D ) = ( AB + C )D

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FUNCIONES BOOLEANAS CON TRANSISTORES MOS

Comparación entre implementaciones


Ejemplo: Función f ( A, B, C, D ) = ( AB + C )D

Función Booleana NMOS Función Booleana CMOS


(5 transistores) (8 transistores)
VDD VDD

Mt
Vo MPC

VD MD MPA

VC MC
VA MPB

VB MB
MPD
VB
VA MA Vo

VC MND

Circuito lógico con puertas MNC


lógicas diversas: VD

NMOS (13 transistores) MNB


CMOS (16 transistores)
MNA
f ( A, B, C, D ) = ( AB + C )D

A
B f
C
D
Circuito lógico con puertas
lógicas NAND:
f ( A, B, C, D ) = ( ABD ⋅ CD )
NMOS (12 transistores) A
CMOS (16 transistores) B f
C
D

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