Alumna: Candelaria Borda.

Materia: Aplicaciones de la electrónica analógica.

Profesora: Sandra Tejerina.
5°1°

Ejercicios de automatización

a) Para el siguiente circuito se pide:

1. Encontrar los valores de ICQ y VCEQ- Escribir las deducciones de cada ecuación.
2. Graficar la recta de carga y el punto Q

Datos: R1= 47K ohm/ R2= 8K2 / R3= 3K3/ R4=390 Ohm / HFE=280/ VCC=9V

Rta:

a.1)

Malla de entrada:

Resistencia de thevening:

1 1
=¿ =6,99 k
 Rth= Rb= R1//R2= 1 1 1 1
+ +
R1 R2 47 K 8,2 k

Rth=6,99K

Tensión de thevening:

Vcc∗R 2 V ∗8,2 K
 Vth=VR 2=I∗R 2= =9 =1,3V
R 1+ R 2 47 K+ 8,2 K

Vth=1,3V

Calculo de la malla de entrada:

 Vth=VRth+Vbe+VRe
 Vth=Ib∗Rth+Vbe+ IC∗ℜ
Ic
 Vth= ∗Rth+Vbe+ Ic∗ℜ
HFE
Rth
 Vth=Ic∗ (
HFE )
+ ℜ +Vbe
 Rth
 Vth−Vbe=Ic∗ ( HFE + ℜ)

Vth−Vbe
Ic=
 Rth
+ℜ
HFE
1,3 V −0,7 V
Ic= =1,4 mA
 6,99 K
+390
280

Ic=1,5mA

Malla de salida:

 Vcc=VRc+Vce+VRe
 Vcc=Ic∗Rc+ Vce+ Ic∗ℜ
 Vcc=Ic∗( Rc+ ℜ ) +Vce
 Vce=Vcc−( Ic∗( Rc+ ℜ ) )
 Vce=9 V −( 1,4 mA∗( 3,3 K +390 ) ) =3,8 V

Vce=3,8V

Vcc 9V
ICmax= = =2,7 mA
Rc 3,3 K

a.2)

ICmax=2,7mA, VceQ=3,8, VCEmax=Vcc, IcQ=1,5mA

b) Explique el estado de saturación en un transistor. ¿Qué es? ¿cómo se produce? ¿en
qué casos se podría utilizar?

Rta: El estado de saturación de un transistor es el que se da cuando la base recibe una

corriente y el transistor permite una circulación de electrones entre su colector y emisor
actuando cómo un circuito cerrado, este estado se da (en el caso de los npn) debido a que los
huecos que se encuentran en la base se encuentran ocupados por electrones que fluyen del
emisor a la base en un ciclo, al saturarse la base de electrones los que queden rezagados en el
emisor no tendrán otro remedio más que pasar hasta el colector y seguir el flujo de la
corriente de colector. Este estado es muy útil para utilizar el transistor a modo de llave para
poder unir dos circuitos aislados pero relacionados, ya que sin esa corriente en base el estado
de saturación se acaba y se entra en estado de corte, donde el emisor y colector se comportan
como un circuito abierto.

c) Para el siguiente circuito se pide:

1. Encontrar los valores de ICQ y VCEQ- Escribir las deducciones de cada ecuación.
2. Graficar la recta de carga y el punto Q.
3. Buscar el HFE del transistor en la hoja de datos e indicar como y donde lo encontró.

Rta:

C.1)

Datos:

Hfe=125.

Vcc= 9V

Malla de entrada:

Resistencia de thevening:

1 1
=¿ =18,5 k
 Rth= Rb= R1//R2= 1 1 1 1
+ +
R1 R2 120 K 22 k

Rth=18,5K

Tensión de thevening:
 Vcc∗R 2 V∗22 K
 Vth=VR 2=I∗R 2= =9 =1,4 V
R 1+ R 2 120 K +22 K

Vth=1,4V

Calculo de la malla de entrada:

 Vth=VRth+Vbe+VRe
 Vth=Ib∗Rth+Vbe+ IC∗ℜ
Ic
 Vth= ∗Rth+Vbe+ Ic∗ℜ
HFE
Rth
 Vth=Ic∗ (
HFE )
+ ℜ +Vbe

Rth
 Vth−Vbe=Ic∗ ( HFE + ℜ)

Vth−Vbe
Ic=
 Rth
+ℜ
HFE
1,4 V −0,7 V
Ic= =0,6 mA
 18,5 K
+1 K
125

Ic=0,6mA

Malla de salida:

 Vcc=VRc+Vce+VRe
 Vcc=Ic∗Rc+ Vce+ Ic∗ℜ
 Vcc=Ic∗( Rc+ ℜ ) +Vce
 Vce=Vcc−( Ic∗( Rc+ ℜ ) )
 Vce=9 V −( 0,6 mA∗( 3,3 K +1 K ) )=6,42 V

Vce=6,42V

Vcc 9V
ICmax= = =2,7 mA
Rc 3,3 K

C.2)

ICmaxx=2,7mA, VceQ=6,4V, VCEmax=Vcc, IcQ=0,6mA

C.3) Una vez conseguida la hoja de datos del transistor vemos que en ella se engloban las
características de un grupo de transistores similares, hay varias tablas donde se nos describen
diferentes atributos de los distintos tipos de transistores englobados en la hoja de datos.
Dentro de estas tablas debemos buscar la que diga Hfe y allí intentar ver el modelo de nuestro
transistor y ahí ver el valor de Hfe que se indica para el modelo deseado, en este caso el Bc548.

d) Para el siguiente circuito se pide:

1. Encontrar los valores de ICQ y VCEQ- Escribir las deducciones de cada
ecuación.
2. Graficar la recta de carga y el punto Q
3. Buscar el HFE del transistor en la hoja de datos e indicar como y donde
lo encontró.
Rta:

d.1)

Datos:

Hfe=125.

Vcc= 12V

Malla de entrada:

Resistencia de thevening:

1 1
=¿ =27,89 k
 Rth= Rb= R1//R2= 1 1 1 1
+ +
R1 R2 180 K 33 k

Rth=27,02K

Tensión de thevening:

Vcc∗R 2 V ∗33 K
 Vth=VR 2=I∗R 2= =12 =1,8 V
R 1+ R 2 180 K + 33 K

Vth=1,8V

Calculo de la malla de entrada:

 Vth=VRth+Vbe+VRe
 Vth=Ib∗Rth+Vbe+ IC∗ℜ
Ic
 Vth= ∗Rth+Vbe+ Ic∗ℜ
HFE
Rth
 Vth=Ic∗ (
HFE )
+ ℜ +Vbe

Rth
 Vth−Vbe=Ic∗ ( HFE + ℜ)
 Vth−Vbe
Ic=
 Rth
+ℜ
HFE
1,8 V −0,7 V
Ic= =0,9 mA
 27,89 K
+890
125

Ic=0,9mA

Malla de salida:

 Vcc=VRc+Vce+VRe
 Vcc=Ic∗Rc+ Vce+ Ic∗ℜ
 Vcc=Ic∗( Rc+ ℜ ) +Vce
 Vce=Vcc−( Ic∗( Rc+ ℜ ) )
 Vce=12V −( 0,9 mA∗( 4,7 K +890 ) )=7,4 V

Vce=7,4V

Vcc 12 V
ICmax= = =2,5 mA
Rc 4,7 K

d.2)

ICmaxx=2,5mA, VceQ=7,4V, VCEmax=Vcc, IcQ=0,9mA

d.3) Una vez conseguida la hoja de datos del transistor vemos que en ella se engloban las
características de un grupo de transistores similares, hay varias tablas donde se nos describen
diferentes atributos de los distintos tipos de transistores englobados en la hoja de datos.
Dentro de estas tablas debemos buscar la que diga Hfe y allí intentar ver el modelo de nuestro
transistor y ahí ver el valor de Hfe que se indica para el modelo deseado, en este caso el Bc548.