FET cono resistencia controlable 6.2.22 Aparatos: Hédulos enchufables: 1 Panel de conexién universal 1 Resistencia 47 O32 0 1 Méscara M 6.2.22 2 Resistencia 10 19532 W 1 Fuente de alimentacién estabi- 1 Condensador 0,047 yF;400 V lizada 2 x 0...15 V- (P6.01) 1.“ Transistor de efecto campo N® 80 1 Generador de funciones 1 Osciloscopio, 2 canales Disposicién de los aparatos sngav~FET cono resistencia controlable 6.2.22 Rjercicio: - Explicar el transistor de efecto campo como resistencia controlable. Notat Son posibles desviaciones en Ios resultados de las aecidas debido a 1a dispersitn de 10s pardaetros del transistor de efecto caapo, £1 condensador C sirve para eliainar distorsiones. (La resistencia del con~ ‘densador es muy alta; no tiene ninguna influencia sobre el circuito). sive Representacion 1-¥ X = DC 0,1V/em Y = DCO,OSV/em {invers) Experimento: 1. Colocar los aparatos de acuerdo con la figura, y los médulos enchufables segin el esquema eléctrico (pero sin la resistencia R1). 2. Elevar la tensién alterna del generador con una tensién continua de 1V (la tensién triangular discurre sélo en el margen de OV a 2V) 3. Colocar la linea cero de 1a sefial en el borde inferior de la pantalla (en osciloscopios que no tienen modo inverso, en el borde superior de la pan- tala). 4. Aplicar una tensién puerta-fuente Ugs de -15V, y reducir la tensién len- tamente hasta OV, observando el oscilograma. 5. Colocar en el circuito la resistencia Ri = 10kQ, y repetir el experimen- to. Comparar los oscilogramas. 6. Obtener los valores de la resistencia drenador-fuente Aps del transistor de efecto campo, para las tensiones puerta-fuente Uos de la tabla. EXL.WE_ — —_ fparatos y sistesas para 1a forsacitn en Electrotecnia y ElectrinicaFET cono resistencia controlable 6.2.22 Resultado: to mA Sin Ry = 10K } + ios = OV el + nu tea +t Con pequefias tensiones drenador-fuente H fit Ups, el transistor de efecto campo se aan fo Ht comporta como una resistencia dhmica. Z Su resistencia esté en funcién de la tensién aplicada puerta-fuente Vas (ver table). La falta de linealided de las curvas caracteristicas se puede reducir introduciendo una resistencia entre el drenador y la puerta. Por la resistencia Ri una parte de la tensi¢ drenador-fuente se suma a la tensin de puerta, y el aumento de fps (fips = f(Ups)) se compensa. En este experimento, la resistencia drenador-fuente fps se puede regular en un margen de 1002 a 5009 sin pro- blemas. Ussenv | 05 | -2 | -4 -8 ee ee fpenmA | 8 | 65 | 45 | 24 | 04 Rosen2 | 125 | 154 | 222 | 417 | 2500 Nota: Si se utiliza en el experinento un osciloscopio sin aodo inverso, se obtienen resultados equivalentes. El eje-y, sobre el que se lleva 1a corriente fe, representa, entonces, en el sentido-y negativo (refle- yo de espejo de los resultados aqui obtenidos en el eje x). EEL.WE_ — —_ Aparatos y sistenas para la fornacign en Electrotecnia y Electronica