TRANSISTORES DE UNIÓN

BIPOLAR -BJT
IGBT(Insulation Gate Bipolar Transistor)
 CONSTRUCCIÓN DE UN TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo
n y una de material tipo p o de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El primero se
llama transistor npn y el segundo transistor pnp

E Emisor
B Base
C Colector

150:1

La capa del emisor está muy dopada, la base ligeramente, y el colector sólo un poco
dopado
0
CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
 AMPLIFICADOR

INTERRUPTOR
CERRADO

GANANCIA DE
CORRIENTE ≈ 1

INTERRUPTOR
ABIERTO
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN
 GANANCIA DE
CORRIENTE >>>

hFE=β
 CURVAS CARACTERÍSTICAS EN COLECTOR COMÚN

Desde el punto de vista de diseño de un circuito con un transistor en la configuración colector común, se
utilizan las características de emisor común.
 LÍMITES DE OPERACIÓN

Para cada transistor hay una región de operación en las características que garantizará que no
se excedan las capacidades nominales máximas y que la señal de salida exhiba distorsión
mínima.
https://www.onsemi.com/pub/Collateral/P2N2222A-D.PDF
Determinar:
Determinar:
• NPN
• NPN
• PNP
• PNP
• β
• β
 POLARIZACIÓN TRANSISTOR
Ubicar punto de operación Q (quiescente) estable, “quieto”, inmóvil
Es deseable que trabaje en la zona lineal(activa)
Hipótesis para considerar que está en activa:
1. La unión base-emisor debe polarizarse en directa (voltaje más positivo en la región
p),con el voltaje de polarización en directa resultante de cerca de 0.6 a 0.7 V.
2. La unión base-colector debe polarizarse en inversa (más positivo en la región n), con
el voltaje de polarización en inversa de cualquier valor dentro de los límites del
dispositivo. 1. Operación en la región lineal:
Unión base-emisor polarizada en directa.
Unión base-colector polarizada en inversa.
2. Operación en la región de corte:
Unión base-emisor polarizada en inversa.
Unión base-colector polarizada en inversa.
3. Operación en la región de saturación:
Unión base-emisor polarizada en directa.
Unión base-colector polarizada en directa.
 POLARIZACIÓN FIJA
Determinar punto Q (Ic, VCE)

MALLA BASE-EMISOR

β
-VCC+IB*RB + VBE =0
-VCC + IC*RC + VCE=0 MALLA COLECTOR-EMISOR
 RECTA DE CARGA

Icsat

VCECORTE
 POLARIZACIÓN POR EMISOR

-VCC + RB*IB + VBE + IE*RE =0 MALLA BASE -EMISOR

IE = IC + IB

MALLA COLECTOR -EMISOR

-VCC + IC*RC + VCE + IE*RE=0
POLARIZACIÓN POR DIVISOR VOLTAJE
EQUIVALENTE DE THÉVENIN

-VTH + IB*RTH + VBE + RE*IE=0

IE = IC + IB

-VCC + RC*IC + VCE + RE*IE=0

POLARIZACIÓN POR REALIMENTACIÓN
DEL COLECTOR

-VCC+ IE*RC +IB*RB +VBE+IE*RE=0 MALLA BASE -EMISOR

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

-VCC +IE*RC+VCE + IE*RE=0 MALLA COLECTOR - EMISOR