REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA

EDUCACIÓN
UNIVERSITARIA, CIENCIA Y TECNOLOGÍA
UNIVERSIDAD ALEJANDRO DE HUMBOLDT
FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA DE INFORMÁTICA
ASIGNATURA: CIRCUITOS ELECTRÓNICOS
SECCIÓN: DCM0601IIV1
DOCENTE: DANNY RODRIGUEZ

TRABAJO 3ER CORTE

Estudiante:
Angel Useche
C.I: 28.156.286
Caracas, 20 de Abril de 2021
 ÍNDICE

Contenido
ÍNDICE ....................................................................................................... 2

Parte 1. ......................................................................................................... 3

1 ................................................................................................................... 3

2. .................................................................................................................. 3

3 ................................................................................................................... 4

4 ................................................................................................................... 5

5 ................................................................................................................... 6

6. .................................................................................................................. 7

7 ................................................................................................................... 8

8 ................................................................................................................... 9
Parte 1.

1. Describa con sus propias palabras el funcionamiento del diodo semiconductor,

cuando el diodo se encuentra polarizado en Directo, cuando el Diodo se encuentra
polarizado en Inverso.

• Diodo semiconductor polarizado en Directo: Cuando el diodo está

polarizado de forma directa, se reduce la barrera de potencial lo que
aumenta el movimiento de los portadores mayoritarios permitiendo la
conducción en el diodo, esto genera una corriente en el dispositivo que
dependerá de la magnitud de la tensión aplicada
• Diodo semiconductor polarizado en Inverso: Al contrario de la
polarización directa, en este tipo de polarización se amplía la barrera de
potencial debido al exceso de electrones libres, esto reduce la posibilidad
de conducción en el dispositivo lo que la iguala a cero. Sin embargo, si el
voltaje llega a ser muy alto en este tipo de polarización es posible que
pueda haber una pequeña conducción de corriente llamada “corriente de
saturación inversa”

2. Describa el funcionamiento del diodo Zener, ¿Cómo es su forma de Operar?

Cuáles son sus aplicaciones prácticas.

• Diodo Zener: El diodo zener es un dispositivo de unión pn diseñado para

utilizar al máximo la zona de avalancha. La zona de avalancha comienza
para una tensión inversa tal que el incremento en la corriente es
considerable comparado con los pequeños aumentos de tensión inversa
aplicada. El diodo zener se obtiene añadiendo un mayor número de átomos
de impurezas al material intrínseco durante el proceso de dopaje.

La conducción en polarización inversa para un diodo zener está en el

orden de los mA y comienza con niveles de tensión pequeños, mas no así
para diodos comunes. La tensión inversa que provoca la conducción del
 zener se conoce como Vz; este nivel de tensión es pequeño comparado con
la tensión inversa (Vrup) que provoca la conducción del diodo común con
niveles de corriente saturada (Is) por el orden de los
μA o nA.

El diodo Zener debe ser polarizado inversamente para que adopte su

característica de regulador de tensión. Su símbolo es como el de un diodo
normal pero tiene dos terminales a los lados. Se deberá tener presente que,
el diodo Zener al igual que cualquier dispositivo electrónico, tiene
limitaciones y una de ellas es la disipación de potencia. Si no se toman en
consideración sus parámetros, el componente se quema.
• Aplicaciones prácticas: Estos diodos se utilizan como reguladores de
tensión o voltaje para determinadas tensiones y resistencias de carga.

Con un zener se puede conseguir que a un componente (por ejemplo un

altavoz) siempre le llegue la misma tensión de forma bastante exacta.

Otro uso del zener es como elemento de protección de un circuito para que
nunca le sobrepase una determinada tensión a la carga del circuito.
Normalmente para esto, en lugar de un Zener se utiliza el Varistor, pero se
puede usar un zener.

Los zener deben diseñarse para que sean capaces de soportar la potencia
de la carga, de otra forma podrían llegar a bloquearse o incluso quemarse.

3. En el siguiente diagrama calcule el valor de la corriente Id en el diodo.

Resolviendo:

−𝟗𝑽 + 𝐈𝐝(𝟒. 𝟕𝐊𝐨𝐡𝐦) + 𝟎. 𝟕𝐕 = 𝟎

𝐈𝐝(𝟒. 𝟕𝐊𝐨𝐡𝐦) = 𝟗𝐕 − 𝟎. 𝟕𝐕

𝟖. 𝟑𝐕
𝐈𝐝 =
𝟒. 𝟕𝐊𝐨𝐡𝐦

𝐈𝐝 = 𝟏. 𝟕𝟔𝐦𝐀

4. En el circuito mostrado, (figura 1) se conoce que el Diodo semiconductor es de

Silicio y el mismo disipa una potencia de 0,35 mWatts, calcule cuanto es el valor
de la fuente de tensión DC para que se cumpla esta condición.
Resolviendo:

𝐑𝟏 = 𝟑. 𝟑𝐊𝐨𝐡𝐦 = 𝟑. 𝟑𝟎𝟎 𝐨𝐡𝐦

𝐑 = 𝟑. 𝟑𝟎𝟎 + 𝟏𝟎𝟎 + 𝟓𝟎𝟎 = 𝟑. 𝟗𝟎𝟎𝐨𝐡𝐦

𝐏 = 𝟎. 𝟑𝟓𝐦𝐖𝐚𝐭𝐭𝐬 = 𝟑𝟓𝟎𝐖𝐚𝐭𝐭𝐬

Hallando el voltaje

𝐕 = √(𝐏. 𝐑)

𝐕 = √(𝟑𝟓𝟎 ∗ 𝟑. 𝟗𝟎𝟎)

𝐕 = 𝟏. 𝟏𝟔𝟖, 𝟑𝟑V

Hallando la tensión

𝑽
𝑰=
𝑹

𝟏. 𝟏𝟔𝟖, 𝟑𝟑𝑽
𝑰= = 𝟎. 𝟑𝟎𝑨𝒎𝒑
𝟑. 𝟗𝟎𝟎𝒐𝒉𝒎

5. Dibuje la forma de onda de Vr obtenida en el siguiente circuito. Sabiendo que

el transformador es reductor 8:1
 𝟖 𝟏𝟐𝟎𝑽𝒂𝒄
= 𝑽𝒂𝒄𝟐 = 𝟏𝟓𝑽𝒂𝒄
𝟏 𝑽𝒂𝒄𝟐

𝑽𝑹 = 𝟏𝟓𝑽 − 𝟎. 𝟕𝑽 = 𝟏𝟒. 𝟑𝑽

14.3 ------------------------------------------

6. Explique con sus palabras cual es el principio de funcionamiento del transistor

Bipolar BJT en NPN y en PNP.

• Transistor BJT en NPN: El transistor NPN tiene tres pines de conexión

llamados, Colector, Base y Emisor. Estas tres conexiones están
directamente sobre cada una de las capas semiconductoras N, P y N
respectivamente, este tipo de transistor es bipolar. El transistor NPN tiene
dos funciones básicas, ser un interruptor electrónico o un amplificador.
• Transistor BJT en PNP: El transistor PNP es otro tipo de transistor de
unión bipolar (BJT) Los transistores PNP consisten en una capa de
material semiconductor dopado N entre dos capas de material
semiconductor dopado P. En el transistor PNP, la mayoría de los
portadores de corriente son agujeros y los electrones son los portadores de
corriente minoritarios. Todas las polaridades de voltaje de suministro
 aplicadas al transistor PNP se invierten. En el transistor PNP, la corriente
se hunde en la terminal base. La pequeña corriente de base en el transistor
PNP tiene la capacidad de controlar el gran corriente emisor-colector
porque es un dispositivo controlado por corriente.

7. En el siguiente circuito se tiene un transistor PNP con β = 170, se pide calcular

los valores de Resistencia en Rb para que el circuito se polarice en

a) Saturación

b) Región Activa Ideal

c) Corte
8. En el circuito mostrado se pide calcular el valor de Rb, Vcc, y β. Conociendo
que Vce = 7,3 volts y que el voltaje en VRE = 2,1 Volts, la corriente de Base es
20 μ Amp, valor 5%

𝐿𝑐 = 𝐵 ∗ 1𝐵

𝐿𝑐 = (200)(20𝜇𝐴)

𝐿𝑐 = 4𝑚𝐴

𝐼𝑒~1𝐶

1𝐶 4𝑚𝐴
𝛽= = = 200
1𝐵 20𝜇𝐴

Para Vc

Vc = 4mA(2.7KΩ)

Vc = 10.8V

Para Vcc

Vcc + Vc + Vce + Ve = 0

Vcc + 10.8 + 7.3V + 2.1V = 0

Vcc = 20.2V

Para Rb

−20.2V + Rb (20𝜇𝐴) + 0.7V = 0

19.5
𝑅𝑏 = = 975𝐾Ω
20𝜇𝐴