TECNOLOGICO NACIONAL DE MEXICO - INSTITUTO TECNOLOGICO DE HERMOSILLO

INGENIERIA MECATRONICA
ELECTRONICA ANALOGICA
TRABAJO EVALUACION UNIDAD 2

OCHOA OCHOA LUIS CARLOS

NOMBRE:_________________________________________ T5B
GRUPO: ___________

1) ¿Qué significan las siglas FET?

Field-effect transistor, significa “Transistor de efecto de campo”

2) ¿Qué es un FET?

Es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la
conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que
también suele ser conocido como transistor unipolar.

3) ¿A quién se le considera el inventor del FET y en qué año lo hizo?

A William Shockley en el año 1951

4) ¿Cómo se llaman las terminales (las patitas) del FET?

Puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S).

5) ¿Qué tipos de FET existen?

Existen dos tipos de transistores de efecto de campo, distintos en su estructura y
funcionamiento: Los FET de juntura (Junction FET, JFET) y los FET de puerta aislada
(Insulated Gate FET, IGFET) más popularmente conocidos como MOSFET (Metal-Oxide
Semiconductor FET).

6) ¿Qué tipos de JFET existen?

Los transistores JFET están disponibles en ambos tipos, N-channel y P-channel. En JFET de
canal N, el flujo de corriente se debe a los electrones. Cuando se aplica voltaje entre la
puerta y la fuente, se forma un canal entre la fuente y el drenaje para el flujo de corriente.
En este transistor JFET de tipo P, el flujo de corriente se debe a los agujeros. El canal entre
la fuente y el drenaje se llama canal P.

7) ¿Qué tipos de MOSFET existen?

Los MOSFET poseen también 3 terminales: Gate, Drain y Source (compuerta, drenaje y
fuente). A su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y los canal P. El MOSFET
que tiene una región de canal N entre la fuente y el drenaje se denomina MOSFET de canal
N. Aquí los terminales de la fuente y la puerta están fuertemente dopados con materiales
de tipo n y el sustrato está dopado con material semiconductor de tipo p. Aquí el flujo de
corriente entre la fuente y el drenaje se debe a los electrones. El voltaje de compuerta
controla el flujo de corriente en el circuito. El MOSFET que tiene P-ch, entre la fuente y el
 drenaje se denomina MOSFET de canal P. Aquí los terminales de fuente y drenaje están
fuertemente dopados con material de tipo P y el sustrato está dopado con material de
tipo N. El flujo de corriente entre la fuente y el drenaje se debe a la concentración de
agujeros.

8) ¿Qué ventajas tienen los FET comparados con los BJT?

 Una clase de FET (JFET) genera menos ruido que los BJT.
 Los FET son más estables a la temperatura que los BJT.
 Los FET son generalmente más fáciles de fabricar que los BJT. Se puede fabricar un
mayor número de dispositivos en un solo chip (es decir, aumentar densidad de
empaquetamiento es posible).
 Los FET reaccionan como resistencias variables controladas por voltaje para
valores pequeños de voltaje de drenaje a fuente.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar la carga el tiempo
suficiente para permitir que se utilicen como elementos de almacenamiento.
 Los FET de potencia pueden disipar la alta potencia y pueden cambiar corrientes
grandes.
 Los FET no son tan sensibles a la radiación como los BJT (una consideración
importante para las aplicaciones electrónicas espaciales).

9) ¿Qué desventajas tienen los FET comparados con los BJT?

 Los amplificadores FET generalmente exhiben una respuesta de frecuencia pobre
debido a la alta capacitancia de entrada.
 Algunos tipos de FET exhiben una linealidad pobre.
 Los FET pueden dañarse en el manejo debido a la electricidad estática.

10) Menciona algunas aplicaciones de los FET.

Los FET tienen diversos usos, los más importantes son:

Como Interruptores analógicos. La aplicación de FETs Como los interruptores en circuitos

analógicos es una consecuencia directa de su modo de trabajo.

Amplificadores. Los FET de cruce (JFET) se utilizan en la etapa de Amplificación que aísla la
etapa anterior de la siguiente etapa y por lo tanto actúa como amplificadores de búfer.

Oscilador de cambio de fase. Los JFET ofrecen alta impedancia en su entrada Terminales
que reducen el efecto de carga. Además, pueden usarse adecuadamente para lograr tanto
la amplificación como las funciones de retroalimentación.

Limitador de corriente. Un JFET de canal n cuyo terminal de puerta está en cortocircuito

con el terminal Fuente actúa como un limitador de corriente. Esto significa que en esta
disposición, los FET permiten que la corriente a través de ellos aumente solo a un nivel
particular, después de lo cual se mantiene constante, independientemente de las
fluctuaciones en el nivel de voltaje.